JPH0758138A - ワイヤボンディング構造およびそのボンディング方法 - Google Patents
ワイヤボンディング構造およびそのボンディング方法Info
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ボンディングワイヤを使用しつつ特性インピ
ーダンスを制御できるようにする。 【構成】 半導体チップ1に信号線用パッド9と電源線
用パッド21を隣接させて設ける、信号線ワイヤ23,
電源線ワイヤ24を、信号線ワイヤ23の特性インピー
ダンスが所望値となる間隔をおいて並べて接着剤25で
相互に固定した。両ワイヤの間隔を変えることで特性イ
ンピーダンスが制御される。したがって、リンギング等
の波形歪みが生じるのを抑えることができる。TAB技
術に比較すると型が不要となるので安価であり、しかも
製造時間削減を図れる。
ーダンスを制御できるようにする。 【構成】 半導体チップ1に信号線用パッド9と電源線
用パッド21を隣接させて設ける、信号線ワイヤ23,
電源線ワイヤ24を、信号線ワイヤ23の特性インピー
ダンスが所望値となる間隔をおいて並べて接着剤25で
相互に固定した。両ワイヤの間隔を変えることで特性イ
ンピーダンスが制御される。したがって、リンギング等
の波形歪みが生じるのを抑えることができる。TAB技
術に比較すると型が不要となるので安価であり、しかも
製造時間削減を図れる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、インピーダンス制御を
可能とするワイヤボンディング構造に関するものであ
る。
可能とするワイヤボンディング構造に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】システム動作の高周波数化が図られた半
導体装置においては、信号伝送線路でインピーダンスの
整合を図ることがシステムを正常に動作させる上で重要
である。従来、半導体装置の半導体チップと基板とを電
気的に接続する信号伝送線路としては、ボンディングワ
イヤを用いたものが多い。従来のワイヤボンディング構
造を図4および図5によって説明する。
導体装置においては、信号伝送線路でインピーダンスの
整合を図ることがシステムを正常に動作させる上で重要
である。従来、半導体装置の半導体チップと基板とを電
気的に接続する信号伝送線路としては、ボンディングワ
イヤを用いたものが多い。従来のワイヤボンディング構
造を図4および図5によって説明する。
【0003】図4は従来のワイヤボンディング構造の縦
断面図、図5は図4におけるV−V線断面図である。これ
らの図において、1は半導体チップ、2は半導体チップ
パッケージ誘電体で、前記半導体チップ1はこの半導体
チップパッケージ誘電体2上の半導体チップパッケージ
グランドプレーン3にダイボンド4を介して接合されて
いる。
断面図、図5は図4におけるV−V線断面図である。これ
らの図において、1は半導体チップ、2は半導体チップ
パッケージ誘電体で、前記半導体チップ1はこの半導体
チップパッケージ誘電体2上の半導体チップパッケージ
グランドプレーン3にダイボンド4を介して接合されて
いる。
【0004】5は半導体チップ1と隣接するように設け
られた半導体チップパッケージ誘電体で、この半導体チ
ップパッケージ誘電体5上に半導体チップパッケージ信
号線用パッド6が形成されている。この半導体チップパ
ッケージ信号用パッド6が不図示の外部装置等に接続さ
れている。
られた半導体チップパッケージ誘電体で、この半導体チ
ップパッケージ誘電体5上に半導体チップパッケージ信
号線用パッド6が形成されている。この半導体チップパ
ッケージ信号用パッド6が不図示の外部装置等に接続さ
れている。
【0005】8はボンディングワイヤで、このボンディ
ングワイヤ8は、半導体チップ1上の半導体チップ信号
線用パッド9と、前記半導体チップパッケージ信号線用
パッド6との間に架け渡され、両パッドを電気的に接続
している。
ングワイヤ8は、半導体チップ1上の半導体チップ信号
線用パッド9と、前記半導体チップパッケージ信号線用
パッド6との間に架け渡され、両パッドを電気的に接続
している。
【0006】このボンディングワイヤ8を使用した従来
のワイヤボンディング構造では、半導体チップ1上に設
けられた信号線パッド9と、半導体チップパッケージ2
あるいは半導体チップ実装基板上に設けられた信号線パ
ッド6とを信号線用ボンディングワイヤ8で接続してい
た。なお、図4および図5に示したワイヤボンディング
構造はインピーダンス制御に重点をおいた構造にはなっ
ていなかった。
のワイヤボンディング構造では、半導体チップ1上に設
けられた信号線パッド9と、半導体チップパッケージ2
あるいは半導体チップ実装基板上に設けられた信号線パ
ッド6とを信号線用ボンディングワイヤ8で接続してい
た。なお、図4および図5に示したワイヤボンディング
構造はインピーダンス制御に重点をおいた構造にはなっ
ていなかった。
【0007】また、インピーダンス制御を目的としたボ
ンディング構造としては、図6および図7に示すものが
ある。図6は信号伝送線路がTABによって構成された
従来のボンディング構造を示す縦断面図、図7は図6に
おけるVII−VII線断面図である。これらの図において前
記図4および図5で説明したものと同一もしくは同等部
材については、同一符号を付し詳細な説明は省略する。
ンディング構造としては、図6および図7に示すものが
ある。図6は信号伝送線路がTABによって構成された
従来のボンディング構造を示す縦断面図、図7は図6に
おけるVII−VII線断面図である。これらの図において前
記図4および図5で説明したものと同一もしくは同等部
材については、同一符号を付し詳細な説明は省略する。
【0008】図6および図7において、10はTAB
(テープ オートメイテッド ボンディング)誘電体
で、このTAB誘電体10は電源線用ワイヤ11および
信号線用ワイヤ12を保持すると共に、下面にTABグ
ランドプレーン13が設けられている。すなわち、半導
体チップ1上に設けられた信号線用パッド9と、半導体
チップパッケージ2あるいは半導体チップ実装基板上に
設けられた信号線用パッド6とを前記電源線用ワイヤ1
1や前記信号線用ワイヤ12によって接続していた。
(テープ オートメイテッド ボンディング)誘電体
で、このTAB誘電体10は電源線用ワイヤ11および
信号線用ワイヤ12を保持すると共に、下面にTABグ
ランドプレーン13が設けられている。すなわち、半導
体チップ1上に設けられた信号線用パッド9と、半導体
チップパッケージ2あるいは半導体チップ実装基板上に
設けられた信号線用パッド6とを前記電源線用ワイヤ1
1や前記信号線用ワイヤ12によって接続していた。
【0009】このTABを用いたボンディング構造にお
いてインピーダンス整合を図るには、電源線用ワイヤ1
1と信号線用ワイヤ12との間隔やTAB誘電体10の
厚み寸法等を調整することによって行っていた。
いてインピーダンス整合を図るには、電源線用ワイヤ1
1と信号線用ワイヤ12との間隔やTAB誘電体10の
厚み寸法等を調整することによって行っていた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上述した図4および図
5に示したワイヤボンディング構造では、特性インピー
ダンスの基準となるグランドプレーン3とボンディング
ワイヤ8との間隔が一定ではなく、また、その距離もボ
ンディングワイヤ8の線径に較べて大きいため、ボンデ
ィングワイヤ8の特性インピーダンスを所望の値に制御
することは不可能であった。特性インピーダンスの整合
をとることができないと、動作速度の速い信号を扱うと
きにはリンギングなどの伝送波形歪みを招くことにな
る。
5に示したワイヤボンディング構造では、特性インピー
ダンスの基準となるグランドプレーン3とボンディング
ワイヤ8との間隔が一定ではなく、また、その距離もボ
ンディングワイヤ8の線径に較べて大きいため、ボンデ
ィングワイヤ8の特性インピーダンスを所望の値に制御
することは不可能であった。特性インピーダンスの整合
をとることができないと、動作速度の速い信号を扱うと
きにはリンギングなどの伝送波形歪みを招くことにな
る。
【0011】また、図6および図7に示したTABによ
るボンディング構造では、信号線用ワイヤ12の特性イ
ンピーダンスを制御するには半導体チップ1や半導体チ
ップ実装部品の品種毎にTABを製造しなければならな
い。すなわち、ワイヤボンディング法を採用するより特
性インピーダンスを制御し易いものの、TAB部分の製
造コストが高くなると共に製造時間が長く必要となると
いう問題があった。
るボンディング構造では、信号線用ワイヤ12の特性イ
ンピーダンスを制御するには半導体チップ1や半導体チ
ップ実装部品の品種毎にTABを製造しなければならな
い。すなわち、ワイヤボンディング法を採用するより特
性インピーダンスを制御し易いものの、TAB部分の製
造コストが高くなると共に製造時間が長く必要となると
いう問題があった。
【0012】本発明はこのような問題点を解消するため
になされたもので、ボンディングワイヤを使用しつつ特
性インピーダンスを制御できるようにすることを目的と
する。
になされたもので、ボンディングワイヤを使用しつつ特
性インピーダンスを制御できるようにすることを目的と
する。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明に係るワイヤボン
ディング構造は、半導体チップに信号用パッドと電源用
パッドを隣接させて設け、これらのパッドに接続される
ボンディングワイヤどうしを、信号用パッドに接続され
るボンディングワイヤの特性インピーダンスが予め定め
た値となる間隔をおいて並べて接着剤によって相互に固
定したものである。
ディング構造は、半導体チップに信号用パッドと電源用
パッドを隣接させて設け、これらのパッドに接続される
ボンディングワイヤどうしを、信号用パッドに接続され
るボンディングワイヤの特性インピーダンスが予め定め
た値となる間隔をおいて並べて接着剤によって相互に固
定したものである。
【0014】
【作用】信号用パッドに接続されたボンディングワイヤ
と電源用パッドに接続されたボンディングワイヤとの間
隔を変えることによって信号用パッド側ボンディングワ
イヤの特性インピーダンスが制御される。
と電源用パッドに接続されたボンディングワイヤとの間
隔を変えることによって信号用パッド側ボンディングワ
イヤの特性インピーダンスが制御される。
【0015】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1ないし図3に
よって詳細に説明する。図1は本発明に係るワイヤボン
ディング構造を示す平面図、図2は本発明に係るワイヤ
ボンディング構造の縦断面図、図3は図2におけるIII
−III線断面図である。これらの図において前記図4な
いし図7で説明したものと同一もしくは同等部材につい
ては、同一符号を付し詳細な説明は省略する。
よって詳細に説明する。図1は本発明に係るワイヤボン
ディング構造を示す平面図、図2は本発明に係るワイヤ
ボンディング構造の縦断面図、図3は図2におけるIII
−III線断面図である。これらの図において前記図4な
いし図7で説明したものと同一もしくは同等部材につい
ては、同一符号を付し詳細な説明は省略する。
【0016】これらの図に示したワイヤボンディング構
造は、半導体チップパッケージあるいは半導体チップ実
装基板の誘電体2の上にグランドプレーン3が形成さ
れ、このグランドプレーン3上に半導体チップ1や基板
としての半導体チップパッケージ誘電体5が設けられて
いる。また、半導体チップ1上の信号線用パッド9に隣
接する部位には例えばグランド電位となる電源線用パッ
ド21が形成されている。これと共に、半導体チップパ
ッケージ誘電体5の信号線用パッド6に隣接する部位に
は電源線用パッド22が形成されている。
造は、半導体チップパッケージあるいは半導体チップ実
装基板の誘電体2の上にグランドプレーン3が形成さ
れ、このグランドプレーン3上に半導体チップ1や基板
としての半導体チップパッケージ誘電体5が設けられて
いる。また、半導体チップ1上の信号線用パッド9に隣
接する部位には例えばグランド電位となる電源線用パッ
ド21が形成されている。これと共に、半導体チップパ
ッケージ誘電体5の信号線用パッド6に隣接する部位に
は電源線用パッド22が形成されている。
【0017】そして、前記信号線用パッド9,6はボン
ディングワイヤ23(以下、このボンディングワイヤを
信号線ワイヤ23という)によって互いに接続され、前
記電源線用パッド21,22はボンディングワイヤ24
(以下、このボンディングワイヤを電源線ワイヤ24と
いう)によって互いに接続されている。これらの信号線
ワイヤ23と電源線ワイヤ24は共通のキャピラリによ
ってボンディングされ、接着剤25によって互いに接着
固定されている。なお、接着剤25は絶縁性の高いもの
を使用するということはいうまでもない。このボンディ
ングは以下のようにして行う。
ディングワイヤ23(以下、このボンディングワイヤを
信号線ワイヤ23という)によって互いに接続され、前
記電源線用パッド21,22はボンディングワイヤ24
(以下、このボンディングワイヤを電源線ワイヤ24と
いう)によって互いに接続されている。これらの信号線
ワイヤ23と電源線ワイヤ24は共通のキャピラリによ
ってボンディングされ、接着剤25によって互いに接着
固定されている。なお、接着剤25は絶縁性の高いもの
を使用するということはいうまでもない。このボンディ
ングは以下のようにして行う。
【0018】すなわち、先ず、半導体チップ1側の信号
線用パッド9と電源線用パッド21とに、ボンディング
ワイヤが2本供給される構造のキャピラリ(図示せず)
を押し付けて同時に第1ボンディングを行う。次いで、
キャピラリを半導体チップパッケージ誘電体5側へ移動
させ、信号線用パッド6,22に対して信号線ワイヤ2
3、電源ワイヤ24を接合させて第2ボンディングを行
い、その後、両ワイヤの端部を切断する。このように2
本のボンディングワイヤを共通のキャピラリでボンディ
ングすることで、両ボンディングワイヤの長さを略等し
くすることができる。そして、信号線ワイヤ23、電源
ワイヤ24を接着剤25によって相互に固定する。な
お、接着剤25で信号線ワイヤ23と電源ワイヤ24と
を接着する時期としては、第2ボンディング終了後でも
よいし、第2ボンディングを行う以前でもよい。
線用パッド9と電源線用パッド21とに、ボンディング
ワイヤが2本供給される構造のキャピラリ(図示せず)
を押し付けて同時に第1ボンディングを行う。次いで、
キャピラリを半導体チップパッケージ誘電体5側へ移動
させ、信号線用パッド6,22に対して信号線ワイヤ2
3、電源ワイヤ24を接合させて第2ボンディングを行
い、その後、両ワイヤの端部を切断する。このように2
本のボンディングワイヤを共通のキャピラリでボンディ
ングすることで、両ボンディングワイヤの長さを略等し
くすることができる。そして、信号線ワイヤ23、電源
ワイヤ24を接着剤25によって相互に固定する。な
お、接着剤25で信号線ワイヤ23と電源ワイヤ24と
を接着する時期としては、第2ボンディング終了後でも
よいし、第2ボンディングを行う以前でもよい。
【0019】そして、信号線ワイヤ23と電源ワイヤ2
4とをパッド間に架け渡すときには、両ワイヤ23,2
4の間隔を、信号線ワイヤ23の特性インピーダンスが
予め定めた値となる間隔に保ったまま行う。信号線ワイ
ヤ23の特性インピーダンスは、電源線ワイヤ24との
距離に比例することが分かっている。このため、所望の
特性インピーダンスを得るためには、図3中に符号Dで
示す信号線ワイヤ23と電源線ワイヤ24との距離を調
整すればよい。
4とをパッド間に架け渡すときには、両ワイヤ23,2
4の間隔を、信号線ワイヤ23の特性インピーダンスが
予め定めた値となる間隔に保ったまま行う。信号線ワイ
ヤ23の特性インピーダンスは、電源線ワイヤ24との
距離に比例することが分かっている。このため、所望の
特性インピーダンスを得るためには、図3中に符号Dで
示す信号線ワイヤ23と電源線ワイヤ24との距離を調
整すればよい。
【0020】したがって、信号線ワイヤ23と電源線ワ
イヤ24との間隔を変えることによって信号線ワイヤ2
3の特性インピーダンスを制御できるから、システム動
作の高周波数化が図られた半導体装置をワイヤボンディ
ング技術を用いて製造することができる。
イヤ24との間隔を変えることによって信号線ワイヤ2
3の特性インピーダンスを制御できるから、システム動
作の高周波数化が図られた半導体装置をワイヤボンディ
ング技術を用いて製造することができる。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るワイヤ
ボンディング構造は、半導体チップに信号用パッドと電
源用パッドを隣接させて設け、これらのパッドに接続さ
れるボンディングワイヤどうしを、信号用パッドに接続
されるボンディングワイヤの特性インピーダンスが予め
定めた値となる間隔をおいて並べて接着剤によって相互
に固定したため、信号用パッドに接続されたボンディン
グワイヤと電源用パッドに接続されたボンディングワイ
ヤとの間隔を変えることによって信号用パッド側ボンデ
ィングワイヤの特性インピーダンスが制御される。
ボンディング構造は、半導体チップに信号用パッドと電
源用パッドを隣接させて設け、これらのパッドに接続さ
れるボンディングワイヤどうしを、信号用パッドに接続
されるボンディングワイヤの特性インピーダンスが予め
定めた値となる間隔をおいて並べて接着剤によって相互
に固定したため、信号用パッドに接続されたボンディン
グワイヤと電源用パッドに接続されたボンディングワイ
ヤとの間隔を変えることによって信号用パッド側ボンデ
ィングワイヤの特性インピーダンスが制御される。
【0022】したがって、従来のワイヤボンディング構
造ではリンギング等の波形歪みが生じるようなシステム
動作の高周波数化が図られた半導体装置あっても、本発
明ワイヤボンディング構造を採用することによりワイヤ
ボンディング技術を利用して製造することができるよう
になる。また、同様の効果が得られるTAB技術に較べ
ると既存の製造設備を利用でき、かつ品種毎に型を製造
する必要もないため、製造コストや製造時間を削減しつ
つ特性改善を図れる。
造ではリンギング等の波形歪みが生じるようなシステム
動作の高周波数化が図られた半導体装置あっても、本発
明ワイヤボンディング構造を採用することによりワイヤ
ボンディング技術を利用して製造することができるよう
になる。また、同様の効果が得られるTAB技術に較べ
ると既存の製造設備を利用でき、かつ品種毎に型を製造
する必要もないため、製造コストや製造時間を削減しつ
つ特性改善を図れる。
【図1】本発明に係るワイヤボンディング構造を示す平
面図である。
面図である。
【図2】本発明に係るワイヤボンディング構造の縦断面
図である。
図である。
【図3】図2におけるIII−III線断面図である。
【図4】従来のワイヤボンディング構造の縦断面図であ
る。
る。
【図5】図4におけるV−V線断面図である。
【図6】信号伝送線路がTABによって構成された従来
のボンディング構造を示す縦断面図である。
のボンディング構造を示す縦断面図である。
【図7】図6におけるVII−VII線断面図である。
1 半導体チップ 2 半導体チップパッケージ誘電体 5 半導体チップパッケージ誘電体 6 信号線用パッド 9 信号線用パッド 21 電源線用パッド 22 電源線用パッド 23 信号線ワイヤ 24 電源線ワイヤ 25 接着剤
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年12月16日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 ワイヤボンディング構造およびそのボ
ンディング方法
ンディング方法
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0001
【補正方法】変更
【補正内容】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、インピーダンス制御を
可能とするワイヤボンディング構造およびそのボンディ
ング方法に関するものである。
可能とするワイヤボンディング構造およびそのボンディ
ング方法に関するものである。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0013
【補正方法】変更
【補正内容】
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明に係るワイヤボン
ディング構造は、半導体チップに信号用パッドと電源用
パッドを隣接させて設け、これらのパッドに接続される
ボンディングワイヤどうしを、信号用パッドに接続され
るボンディングワイヤの特性インピーダンスが予め定め
た値となる間隔をおいて並べて接着剤によって相互に固
定したものである。また、上記ワイヤボンディング構造
において、信号用パッドに接続される信号線ワイヤと電
源用パッドに接続される電源線ワイヤとを共通のキャピ
ラリで同時にボンディングするものである。
ディング構造は、半導体チップに信号用パッドと電源用
パッドを隣接させて設け、これらのパッドに接続される
ボンディングワイヤどうしを、信号用パッドに接続され
るボンディングワイヤの特性インピーダンスが予め定め
た値となる間隔をおいて並べて接着剤によって相互に固
定したものである。また、上記ワイヤボンディング構造
において、信号用パッドに接続される信号線ワイヤと電
源用パッドに接続される電源線ワイヤとを共通のキャピ
ラリで同時にボンディングするものである。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0021
【補正方法】変更
【補正内容】
【0021】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るワイヤ
ボンディング構造は、半導体チップに信号用パッドと電
源用パッドを隣接させて設け、これらのパッドに接続さ
れるボンディングワイヤどうしを、信号用パッドに接続
されるボンディングワイヤの特性インピーダンスが予め
定めた値となる間隔をおいて並べて接着剤によって相互
に固定したため、信号用パッドに接続されたボンディン
グワイヤと電源用パッドに接続されたボンディングワイ
ヤとの間隔を変えることによって信号用パッド側ボンデ
ィングワイヤの特性インピーダンスが制御される。ま
た、2本のボンディングワイヤを共通のキャピラリでボ
ンディングすることで、両ボンディングワイヤの長さを
略等しくすることができる。
ボンディング構造は、半導体チップに信号用パッドと電
源用パッドを隣接させて設け、これらのパッドに接続さ
れるボンディングワイヤどうしを、信号用パッドに接続
されるボンディングワイヤの特性インピーダンスが予め
定めた値となる間隔をおいて並べて接着剤によって相互
に固定したため、信号用パッドに接続されたボンディン
グワイヤと電源用パッドに接続されたボンディングワイ
ヤとの間隔を変えることによって信号用パッド側ボンデ
ィングワイヤの特性インピーダンスが制御される。ま
た、2本のボンディングワイヤを共通のキャピラリでボ
ンディングすることで、両ボンディングワイヤの長さを
略等しくすることができる。
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体チップに信号用パッドと電源用パ
ッドを隣接させて設け、これらのパッドに接続されるボ
ンディングワイヤどうしを、信号用パッドに接続される
ボンディングワイヤの特性インピーダンスが予め定めた
値となる間隔をおいて並べて接着剤によって相互に固定
したことを特徴とするワイヤボンディング構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5222313A JPH0758138A (ja) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | ワイヤボンディング構造およびそのボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5222313A JPH0758138A (ja) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | ワイヤボンディング構造およびそのボンディング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0758138A true JPH0758138A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16780407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5222313A Pending JPH0758138A (ja) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | ワイヤボンディング構造およびそのボンディング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0758138A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100935854B1 (ko) * | 2009-09-22 | 2010-01-08 | 테세라 리써치 엘엘씨 | 와이어 본딩 및 기준 와이어 본딩에 의해 제어되는 임피던스를 가진 마이크로전자 어셈블리 |
KR100950511B1 (ko) * | 2009-09-22 | 2010-03-30 | 테세라 리써치 엘엘씨 | 와이어 본딩 및 도전성 기준 소자에 의해 제어되는 임피던스를 포함하는 마이크로전자 어셈블리 |
US8581377B2 (en) | 2010-09-16 | 2013-11-12 | Tessera, Inc. | TSOP with impedance control |
US8853708B2 (en) | 2010-09-16 | 2014-10-07 | Tessera, Inc. | Stacked multi-die packages with impedance control |
US8981579B2 (en) | 2010-09-16 | 2015-03-17 | Tessera, Inc. | Impedance controlled packages with metal sheet or 2-layer rdl |
US9136197B2 (en) | 2010-09-16 | 2015-09-15 | Tessera, Inc. | Impedence controlled packages with metal sheet or 2-layer RDL |
US11335661B2 (en) | 2018-03-22 | 2022-05-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Wire bonding structure |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS604084A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 転写型感熱記録装置 |
JPS6484622A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit package |
-
1993
- 1993-08-16 JP JP5222313A patent/JPH0758138A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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---|---|---|---|---|
US8994195B2 (en) | 2009-03-13 | 2015-03-31 | Tessera, Inc. | Microelectronic assembly with impedance controlled wirebond and conductive reference element |
US7923851B2 (en) | 2009-03-13 | 2011-04-12 | Tessera Research Llc | Microelectronic assembly with impedance controlled wirebond and conductive reference element |
US8253259B2 (en) | 2009-03-13 | 2012-08-28 | Tessera, Inc. | Microelectronic assembly with impedance controlled wirebond and reference wirebond |
US8269357B2 (en) | 2009-03-13 | 2012-09-18 | Tessera, Inc. | Microelectronic assembly with impedance controlled wirebond and conductive reference element |
US8575766B2 (en) | 2009-03-13 | 2013-11-05 | Tessera, Inc. | Microelectronic assembly with impedance controlled wirebond and conductive reference element |
US9030031B2 (en) | 2009-03-13 | 2015-05-12 | Tessera, Inc. | Microelectronic assembly with impedance controlled wirebond and reference wirebond |
KR100950511B1 (ko) * | 2009-09-22 | 2010-03-30 | 테세라 리써치 엘엘씨 | 와이어 본딩 및 도전성 기준 소자에 의해 제어되는 임피던스를 포함하는 마이크로전자 어셈블리 |
KR100935854B1 (ko) * | 2009-09-22 | 2010-01-08 | 테세라 리써치 엘엘씨 | 와이어 본딩 및 기준 와이어 본딩에 의해 제어되는 임피던스를 가진 마이크로전자 어셈블리 |
US8581377B2 (en) | 2010-09-16 | 2013-11-12 | Tessera, Inc. | TSOP with impedance control |
US8981579B2 (en) | 2010-09-16 | 2015-03-17 | Tessera, Inc. | Impedance controlled packages with metal sheet or 2-layer rdl |
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