JPS63111659A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS63111659A
JPS63111659A JP25901486A JP25901486A JPS63111659A JP S63111659 A JPS63111659 A JP S63111659A JP 25901486 A JP25901486 A JP 25901486A JP 25901486 A JP25901486 A JP 25901486A JP S63111659 A JPS63111659 A JP S63111659A
Authority
JP
Japan
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chip
substrate
semiconductor device
utilizing
radio frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25901486A
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English (en)
Inventor
Masahide Yamauchi
山内　眞英
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置、特に高周波用低価格ＩＣ構造
に関するものである。
〔従来の技術〕
第２図は従来の半導体装置を示す断面図であり、この図
において、３はフレームリードであり、このフレームリ
ード３上に半田または接着剤（図示せず）等でＧａＡｓ
を使用したＩＣチップ７が接着されている。５は前記Ｉ
Ｃチップ７の電極（図示せず）と外部リード４とを導通
するための金属細線である。６は前記ＩＣチップ７、そ
の他の゛部品を保護するためのモールド樹脂である。
次に動作について説明する。
外部リード４の所定の端子に外部より高周波信号および
半導体駆動用電圧が印加されると、増幅またはＩＣチッ
プ７内で演算処理された信号が外部リード４の他の所定
のリードより取り出すことができる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
より高い高周波特性（利得、ＮＦ）を得るためにＧａＡ
ｓ基板を使用することが必要で、かつ多機能化に伴いチ
ップ寸法が大きくなるため、非常に価格が高くなるなど
の問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、従来どおりの高性能特性を確保できるとと
もに、低価格化できる半導体装置を得ることを目的とす
る。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、ＩＣチップを、Ｓｉ基板
を用いて形成したＩＣチップと、このＳｉ基板を用いて
形成したＩＣチップ上に接着される高周波動作用のＧａ
Ａｓチップとに分けて構成したものである。
〔作用〕
この発明においては、ＩＣチップを、Ｓｉ基板を用いて
形成したＩＣチップと、高周波動作用のＧａＡｓチップ
とに分けて構成したことから、低価格化が図れるととも
に、高性能特性が維持される。
〔実施例〕
この発明の一実施例を第１図について説明する。
この図において、第２図と同一符号は同じものを示し、
１は前記フレームリード３上に半日または接着剤（図示
せず）等で接着されたＳｉ基板を用いたＩＣチップであ
り、２は前記ＩＣチップ１」二の所定電極（図示せず）
に金属バンプ（図示せず）等により取り付けられた高周
波動作用のＧａＡｓチップである。
この動作は、第２図の場合と同様に、外部り一ド４の所
定の端子に外部より高周波信号および半導体駆動用電圧
が印加されると、増幅またはチップ内で演算処理された
信号が外部リード４の他の所定のリードより取り出すこ
とができる。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、ＩＣチップを、Ｓｉ基
板を用いて形成したＩＣチップと、このＳｉ基板を用い
て形成したＩＣチップ上に接着される高周波動作用のＧ
ａＡｓチップとに分けて構成したので、装置が安価にで
きるとともに、高性能の半導体装置が得られる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の斜視図
、第２図は従来の半導体装置を示す斜視図である。 図において、１はＩＣチップ、２はＧａＡｓチップ、３
はフレームリード、４は外部リード、５は金属細線、６
はモールド樹脂である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. フレームリード上にＩＣチップが接着され、このＩＣチ
    ップの電極と外部リードとをそれぞれ金属細線で配線し
    た後、モールド成形した半導体装置において、前記ＩＣ
    チップを、Ｓｉ基板を用いて形成したＩＣチップと、こ
    のＳｉ基板を用いて形成したＩＣチップ上に接着される
    高周波動作用のＧａＡｓチップとに分けて構成したこと
    を特徴とする半導体装置。
JP25901486A 1986-10-29 1986-10-29 半導体装置 Pending JPS63111659A (ja)

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JP25901486A JPS63111659A (ja) 1986-10-29 1986-10-29 半導体装置

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JPS63111659A true JPS63111659A (ja) 1988-05-16

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JP (1) JPS63111659A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5233310A (en) * 1991-09-24 1993-08-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Microwave integrated circuit
US7088983B2 (en) 1999-02-03 2006-08-08 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device for radio communication device, and radio communication device using said semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5233310A (en) * 1991-09-24 1993-08-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Microwave integrated circuit
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