JPS584991A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS584991A JPS584991A JP56102786A JP10278681A JPS584991A JP S584991 A JPS584991 A JP S584991A JP 56102786 A JP56102786 A JP 56102786A JP 10278681 A JP10278681 A JP 10278681A JP S584991 A JPS584991 A JP S584991A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- hall element
- hall
- sensitivity
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
電子技術の発達と共に電気信号は相当きめこまかな処理
が出来るようになって来た。しかしこのような状況下で
いぜんとして問題となるのは、ある物理量からいかにし
て電気信号を得るかということである。例えばある回転
体の回転速度を得たい場゛合、その回転体に磁石を装着
しておきこの磁界の変化をホール素子やホールＩＣで受
は電気信号に変換し、その信号により回転数を知る方法
が考えられる。
が出来るようになって来た。しかしこのような状況下で
いぜんとして問題となるのは、ある物理量からいかにし
て電気信号を得るかということである。例えばある回転
体の回転速度を得たい場゛合、その回転体に磁石を装着
しておきこの磁界の変化をホール素子やホールＩＣで受
は電気信号に変換し、その信号により回転数を知る方法
が考えられる。
このような方法でホール素子を用いた場合、出力信号レ
ベルが小さく、伝送ラインの雑音が問題となることがあ
りかつ検出信号を増幅しなければならないので繁雑とな
る。これを解決する方法としてホール素子と増幅器その
他の電気信号処理回路を単一の半導体基板内へ集積化し
たＳｉ のホールＩＣが考案されている。この結果、上
記の問題は改良されたが、センサーであるホール素子が
Ｓｔで構成されているため、例えば温度特性や磁電変換
感度などの点ではホール素子が化合物半導体で構成され
る場合に比して劣っている。
ベルが小さく、伝送ラインの雑音が問題となることがあ
りかつ検出信号を増幅しなければならないので繁雑とな
る。これを解決する方法としてホール素子と増幅器その
他の電気信号処理回路を単一の半導体基板内へ集積化し
たＳｉ のホールＩＣが考案されている。この結果、上
記の問題は改良されたが、センサーであるホール素子が
Ｓｔで構成されているため、例えば温度特性や磁電変換
感度などの点ではホール素子が化合物半導体で構成され
る場合に比して劣っている。
たとえば■−■族化合物半導体材料の１つである砒化ガ
リウム（ＧａＡｓ）を材料とするホール素子はＳｉに比
べ磁電変換効率が良く、温度の影響も受けにくい。しか
し前述のようにＧａＡｓのホール素子の出力でいろいろ
の装置を駆動するには小さすぎるのでこの出力を増幅し
なければならない。この出力を増幅器に接続する線路は
外乱からの影響を避けるために短くしなければならない
。
リウム（ＧａＡｓ）を材料とするホール素子はＳｉに比
べ磁電変換効率が良く、温度の影響も受けにくい。しか
し前述のようにＧａＡｓのホール素子の出力でいろいろ
の装置を駆動するには小さすぎるのでこの出力を増幅し
なければならない。この出力を増幅器に接続する線路は
外乱からの影響を避けるために短くしなければならない
。
本発明はこのような検討にも之づき、化合物半導体のホ
ール素子と、その出力信号を処理するＳｔ（シリコン）
半導体集積回路基板（以下ＩＣチップと記す）とを一体
化しようとするものである。
ール素子と、その出力信号を処理するＳｔ（シリコン）
半導体集積回路基板（以下ＩＣチップと記す）とを一体
化しようとするものである。
以下に本発明の一実施例にかかる半導体装置の断面図な
らびに平面図を示す第１図および第２図を参照して本発
明を説明する。
らびに平面図を示す第１図および第２図を参照して本発
明を説明する。
第１商においてＧａＡｓ基板を用いて構成されたホール
素子１とＳｔ のＩＣチップ４とを絶縁性を有する接着
層３たとえば酸化膜、窒化膜あるいは樹脂層などで電気
的に絶縁し、かつ両者を接着する。なお、図中２はホー
ル素子１とＩＣチップ４を電気的に接続する導体である
。このようにして組みたてられた半導体装置構体はさら
に公知のＩＣ組立技術により基板支持体（リードフレー
ム）へ取りつけられる。すなわちＩＣチ、プ４をＩＣの
基板支持体ならびに外部となる金属フレーム６に接着し
導線５によりテップの端子を６に接続して第２図で示す
平面形状の組立構体を得、こののちプラスチックやセラ
ミ、り（図示せず）で周囲を封止することにより半導体
装置が出来上る。
素子１とＳｔ のＩＣチップ４とを絶縁性を有する接着
層３たとえば酸化膜、窒化膜あるいは樹脂層などで電気
的に絶縁し、かつ両者を接着する。なお、図中２はホー
ル素子１とＩＣチップ４を電気的に接続する導体である
。このようにして組みたてられた半導体装置構体はさら
に公知のＩＣ組立技術により基板支持体（リードフレー
ム）へ取りつけられる。すなわちＩＣチ、プ４をＩＣの
基板支持体ならびに外部となる金属フレーム６に接着し
導線５によりテップの端子を６に接続して第２図で示す
平面形状の組立構体を得、こののちプラスチックやセラ
ミ、り（図示せず）で周囲を封止することにより半導体
装置が出来上る。
なお、以上述べたホール素子とＩＣチップの接続方法の
他に、例えばホール素子が表面に形成され底面を接地電
位使用できる場合には、ＩＣチップ４の接地電位の導体
にホール素子１を直接接着することもできる。
他に、例えばホール素子が表面に形成され底面を接地電
位使用できる場合には、ＩＣチップ４の接地電位の導体
にホール素子１を直接接着することもできる。
このようにして作成したホールＩ Ｃ，は従来の化合物
半導体で作られたホール素子と比較して、Ｓｉチップ上
の増幅器により増幅されるので磁気入力対電気出力すな
わち感度は大きくなる。またＳｉチップ上に増幅器の出
力信号を処理する回路を設けておけば、一つの機能素子
として出力信号をとり出すことが出来るという特長を有
する。また従来の８１のみで構成されたホールＩＣに比
較し、温度依存性が少く高感度のものが得られる。
半導体で作られたホール素子と比較して、Ｓｉチップ上
の増幅器により増幅されるので磁気入力対電気出力すな
わち感度は大きくなる。またＳｉチップ上に増幅器の出
力信号を処理する回路を設けておけば、一つの機能素子
として出力信号をとり出すことが出来るという特長を有
する。また従来の８１のみで構成されたホールＩＣに比
較し、温度依存性が少く高感度のものが得られる。
以上のように、本発明によれば高感度で温度の影響も受
けに＜＜、高性能な一体化集積回路を得ることができる
。
けに＜＜、高性能な一体化集積回路を得ることができる
。
第１図は本発明の一実施例にかかる半導体装置の要部断
面図、第２図は同装置の上面図である。 −１・・・・・・化合物半導体を材料とするホール素子
、２・・・・・・ホール素子とＩＣチップを接続する導
線、６ 。 ３・・・・・・ホール素子とＩＣチップの接着材、４・
・・・・・Ｓｔを材料とするＩＣチップ、６・・・・・
・ＩＣの端子を形成する金属、６・・・・・・ＩＣチ、
プと端子を接続する金属。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
ＷＡ １１２図
面図、第２図は同装置の上面図である。 −１・・・・・・化合物半導体を材料とするホール素子
、２・・・・・・ホール素子とＩＣチップを接続する導
線、６ 。 ３・・・・・・ホール素子とＩＣチップの接着材、４・
・・・・・Ｓｔを材料とするＩＣチップ、６・・・・・
・ＩＣの端子を形成する金属、６・・・・・・ＩＣチ、
プと端子を接続する金属。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
ＷＡ １１２図
Claims (1)
- 化合物半導体で構成したーホール素子を、同ホール素子
の出力信号処理するシリコン半導体集積回路基板上にと
シつけ、これらを１体的に封止してなることを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102786A JPS584991A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102786A JPS584991A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584991A true JPS584991A (ja) | 1983-01-12 |
Family
ID=14336807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56102786A Pending JPS584991A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584991A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003243646A (ja) * | 2002-02-13 | 2003-08-29 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 複合半導体素子及びその製造方法 |
| WO2016071370A1 (en) * | 2014-11-03 | 2016-05-12 | Melexis Technologies Nv | Magnetic field sensor and method for making same |
| US11067643B2 (en) | 2014-11-03 | 2021-07-20 | Melexis Technologies Nv | Magnetic field sensor and method for making same |
-
1981
- 1981-07-01 JP JP56102786A patent/JPS584991A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003243646A (ja) * | 2002-02-13 | 2003-08-29 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 複合半導体素子及びその製造方法 |
| JP4480318B2 (ja) * | 2002-02-13 | 2010-06-16 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 複合半導体素子及びその製造方法 |
| WO2016071370A1 (en) * | 2014-11-03 | 2016-05-12 | Melexis Technologies Nv | Magnetic field sensor and method for making same |
| JP2018500538A (ja) * | 2014-11-03 | 2018-01-11 | メレクシス・テクノロジーズ・ナムローゼフェンノートシャップ | 磁界センサおよびその製造方法 |
| US10620277B2 (en) | 2014-11-03 | 2020-04-14 | Melexis Technologies Nv | Magnetic field sensor and method for making same |
| US11067643B2 (en) | 2014-11-03 | 2021-07-20 | Melexis Technologies Nv | Magnetic field sensor and method for making same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6356068B1 (en) | Current monitor system and a method for manufacturing it | |
| US5600071A (en) | Vertically integrated sensor structure and method | |
| US4293768A (en) | Infrared radiation detecting apparatus and method of manufacturing | |
| EP0780893A3 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| CN111089995A (zh) | 绝缘电流传感器 | |
| JP4480318B2 (ja) | 複合半導体素子及びその製造方法 | |
| JPS5851580A (ja) | 磁気検出センサ装置 | |
| US6924537B2 (en) | Semiconductor device including a potential drawing portion formed at a corner | |
| JPS584991A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6180074A (ja) | 電流検出用端子付き磁気センサ | |
| JPH0440270Y2 (ja) | ||
| JP2715016B2 (ja) | ホール素子およびホール素子の製造方法 | |
| GB1099930A (en) | Improvements in or relating to semiconductor devices | |
| JPH11330584A (ja) | 磁電変換素子およびそれを用いた磁気センサ、磁電変換素子の製造方法 | |
| JPS6046038A (ja) | 集積回路装置 | |
| JPS63111659A (ja) | 半導体装置 | |
| US20020081779A1 (en) | Device comprising an electrical circuit carried by a carrier element and method for the manufacture of such a device | |
| JPS61177763A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5967669A (ja) | 磁気抵抗素子集積回路 | |
| JPS6236299Y2 (ja) | ||
| JPH041737Y2 (ja) | ||
| CN113574403A (zh) | 磁场传感器 | |
| JPS6236290Y2 (ja) | ||
| JPS61216369A (ja) | 磁気センサ− | |
| JPH0637234A (ja) | 半導体装置 |