JPS5967669A - 磁気抵抗素子集積回路 - Google Patents
磁気抵抗素子集積回路Info
- Publication number
- JPS5967669A JPS5967669A JP57178771A JP17877182A JPS5967669A JP S5967669 A JPS5967669 A JP S5967669A JP 57178771 A JP57178771 A JP 57178771A JP 17877182 A JP17877182 A JP 17877182A JP S5967669 A JPS5967669 A JP S5967669A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- bridge circuit
- terminal pad
- insulating layer
- switching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one galvanomagnetic or Hall-effect element covered by groups H10N50/00 - H10N52/00
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は磁気抵抗素子集積回路に関する。
従来半導体磁気センサーとしてホール効果素子を用いた
集積回路がすでに知られているが、磁気抵抗素子たとえ
ば鉄−ニッケル合金の1つであるノ・°−マロイ等はそ
の磁気感度がホール効果素子の数十倍ないし数杓倍ある
。
集積回路がすでに知られているが、磁気抵抗素子たとえ
ば鉄−ニッケル合金の1つであるノ・°−マロイ等はそ
の磁気感度がホール効果素子の数十倍ないし数杓倍ある
。
そして従来は磁気抵抗素子をシリコンウェハーまたはガ
ラス上(二蒸着してチップを構成し、また回路部分は従
来の半導体プロセスを用いてチップを磁気抵抗素子のチ
ップと別体に構成していた。
ラス上(二蒸着してチップを構成し、また回路部分は従
来の半導体プロセスを用いてチップを磁気抵抗素子のチ
ップと別体に構成していた。
しかしこの集積回路のチップを用いて磁気センサーを構
成するばあい、そのセンサーそのものが大形化するとと
もに原価の上昇を招くおそれがある。
成するばあい、そのセンサーそのものが大形化するとと
もに原価の上昇を招くおそれがある。
この発明はこの工うな従来の欠点を解消しようとするも
ので、以下図によってこの発明の一実施例について説明
する。
ので、以下図によってこの発明の一実施例について説明
する。
すなわち第1図は磁気抵抗素子を用いた磁気センサーの
回路図を示している。
回路図を示している。
この図においてブリッジ回路1は磁気抵抗素子111、
I(,2,R3お工びR4+ニエリ構成されている
。また増幅回路2はブリッジ回路1の出力信号を増幅す
る。比較回路3は増幅回路2の出力信号と、あらかじめ
設定された基阜電圧とを比較する比較回路である。さら
に出力回路4は比較回路3の出力信号にエリオン・オフ
する出力回路である1、そして増幅回路2、比較回路3
ν工び出力回路4(二よりスイッチング回路Sが構成さ
れ、このスイッチング回路とブリッジ回路1(二より1
つの磁気センサー回路が構成される。定電圧回路5はス
イッチング回路に定電圧を供給し、また定電流目w16
はブリッジ回路1に定電流を供給する。
I(,2,R3お工びR4+ニエリ構成されている
。また増幅回路2はブリッジ回路1の出力信号を増幅す
る。比較回路3は増幅回路2の出力信号と、あらかじめ
設定された基阜電圧とを比較する比較回路である。さら
に出力回路4は比較回路3の出力信号にエリオン・オフ
する出力回路である1、そして増幅回路2、比較回路3
ν工び出力回路4(二よりスイッチング回路Sが構成さ
れ、このスイッチング回路とブリッジ回路1(二より1
つの磁気センサー回路が構成される。定電圧回路5はス
イッチング回路に定電圧を供給し、また定電流目w16
はブリッジ回路1に定電流を供給する。
なおAは増幅器、Cは比較]Trはトランジスタ、DZ
はツェナーダイオード、R5〜R,14は抵抗である。
はツェナーダイオード、R5〜R,14は抵抗である。
第2図は第1図に示す回路f集積化したチップの仰1断
面図を示すもので、この図において第1図に示すスイッ
チング回路S、定?MEFE回路5お工び定電流回路6
はシリコンウェハー7上に従来の半導体プロセスにおけ
る拡散等を甲いて集積される。この集積化した回路りに
は第1の絶縁層8が設けられ石。この絶縁層のヒには磁
気抵抗素子Rが蒸着され、かつエツチングにエリブリッ
ジ回路lが形成される。このとき第1の絶縁WI8に設
けた百通穴9内にも導体lOが蒸着され、これによって
スイッチング回路Sとブリッジ回路1とがたがい(二接
続される。ブリッジ回路lEには第2の絶縁JV111
が設けられている。この第2の絶縁層Eには導体膜12
お工び端子バッド13が設けられている。第1の絶縁層
8と第2の絶縁# 11 cはこれらを貫通する導体1
4が設けられ、この導体によりブリッジ回路lまたはス
イッチング回路Sを構成する各回路と導体膜12または
端子バッド13とが接続される。導体膜12お工び端子
バッド13のL部にはパシベーション膜15が設けられ
、これによって耐環境性を得ている。さらにこのパシベ
ーション膜の端子バッド13に相当する部分には回路相
互間の接続および外部端子を接続するための開口gls
16が設けられている。
面図を示すもので、この図において第1図に示すスイッ
チング回路S、定?MEFE回路5お工び定電流回路6
はシリコンウェハー7上に従来の半導体プロセスにおけ
る拡散等を甲いて集積される。この集積化した回路りに
は第1の絶縁層8が設けられ石。この絶縁層のヒには磁
気抵抗素子Rが蒸着され、かつエツチングにエリブリッ
ジ回路lが形成される。このとき第1の絶縁WI8に設
けた百通穴9内にも導体lOが蒸着され、これによって
スイッチング回路Sとブリッジ回路1とがたがい(二接
続される。ブリッジ回路lEには第2の絶縁JV111
が設けられている。この第2の絶縁層Eには導体膜12
お工び端子バッド13が設けられている。第1の絶縁層
8と第2の絶縁# 11 cはこれらを貫通する導体1
4が設けられ、この導体によりブリッジ回路lまたはス
イッチング回路Sを構成する各回路と導体膜12または
端子バッド13とが接続される。導体膜12お工び端子
バッド13のL部にはパシベーション膜15が設けられ
、これによって耐環境性を得ている。さらにこのパシベ
ーション膜の端子バッド13に相当する部分には回路相
互間の接続および外部端子を接続するための開口gls
16が設けられている。
この発明は上述のようにシリコンウェハーLにスイッチ
ング回路を形成するとともにこの回路上に設けた第1の
絶縁wjtに磁気抵抗素子により形成されるブリッジ回
路を設けているので、従来のようにブリッジ回路とスイ
ッチング回路とを別々の集積回路チップにより構成する
必要がなく、すなわちブリッジ回路とスイッチング回路
とを同一のチップに設けることができるため、チップ全
体の大きさを小形化しうるととも(二安価に供給できる
利点がある。
ング回路を形成するとともにこの回路上に設けた第1の
絶縁wjtに磁気抵抗素子により形成されるブリッジ回
路を設けているので、従来のようにブリッジ回路とスイ
ッチング回路とを別々の集積回路チップにより構成する
必要がなく、すなわちブリッジ回路とスイッチング回路
とを同一のチップに設けることができるため、チップ全
体の大きさを小形化しうるととも(二安価に供給できる
利点がある。
第1図はこの発明の磁気抵抗素子集積回路を適用した磁
気センサーの回路図、第2図はこの発明の磁気抵抗素子
集積回路の正断面図である。 l・・・ブリッジ回路、2・・・増幅回路、3・・・比
較回路、4・・・出力回路、5・・・定電圧回路、6・
・・定電流回路、7・・・シリコンウェハー、8・・・
第1の絶縁層、9・・・貫通穴、10・・・導体、11
・・・第2の絶縁層、12・・・導体膜、13・・・端
子バッド、14・・・導体、15・・・パシベーション
膜、IG・・・開口部。
気センサーの回路図、第2図はこの発明の磁気抵抗素子
集積回路の正断面図である。 l・・・ブリッジ回路、2・・・増幅回路、3・・・比
較回路、4・・・出力回路、5・・・定電圧回路、6・
・・定電流回路、7・・・シリコンウェハー、8・・・
第1の絶縁層、9・・・貫通穴、10・・・導体、11
・・・第2の絶縁層、12・・・導体膜、13・・・端
子バッド、14・・・導体、15・・・パシベーション
膜、IG・・・開口部。
Claims (1)
- 磁気抵抗素子にエリ形成されたブリッジ回路と、このブ
リッジ回路の出力信号によってスイッチング出力を発す
るスイッチング回路とにより1つの回路を構成するもの
において、シリコンウェハーEに、L記スイッチング回
路を集積し、この回路上、に第1の絶縁層を設け、この
第1の絶縁層の上≦二上記磁気抵抗素子を蒸着し、かつ
エツチングすることにより上記ブリッジ回路を形成し、
このブリッジ回路と上記スイッチング回路とを上記第1
の絶縁層を貫通する導体によりたがいに接続し、上記ブ
リッジ回路L1−第2の1部紛層を設け、この第2の絶
縁層のE部に導体膜および端子パッドを設け、上記第1
の@線層および上記第2の絶縁層を貫通する導体により
上記ブリッジ回路またはスイッチング回路と上記導体膜
または端子パッドとを接続し、上記導体膜および端子パ
ッドの1部にパシベーション膜’T 設ケs カつこの
パシベーション膜の上記端子パッドに相幽する部分に上
記各回路相互間または外部端子を接続するための開口部
を設けた磁気抵抗素子集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57178771A JPS5967669A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 磁気抵抗素子集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57178771A JPS5967669A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 磁気抵抗素子集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5967669A true JPS5967669A (ja) | 1984-04-17 |
Family
ID=16054331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57178771A Pending JPS5967669A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 磁気抵抗素子集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5967669A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4642716A (en) * | 1982-10-28 | 1987-02-10 | Sony Corporation | Magnetic transducer head assembly with support system therefor |
US5559051A (en) * | 1994-10-18 | 1996-09-24 | International Business Machines Corporation | Process for manufacturing a silicon chip with an integrated magnetoresistive head mounted on a slider |
WO2007017792A1 (en) * | 2005-08-09 | 2007-02-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Microchip with accessible front side |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5946564A (ja) * | 1982-09-08 | 1984-03-15 | Mitani Denshi Kogyo Kk | 磁気検出装置 |
-
1982
- 1982-10-12 JP JP57178771A patent/JPS5967669A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5946564A (ja) * | 1982-09-08 | 1984-03-15 | Mitani Denshi Kogyo Kk | 磁気検出装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4642716A (en) * | 1982-10-28 | 1987-02-10 | Sony Corporation | Magnetic transducer head assembly with support system therefor |
US5559051A (en) * | 1994-10-18 | 1996-09-24 | International Business Machines Corporation | Process for manufacturing a silicon chip with an integrated magnetoresistive head mounted on a slider |
US5587857A (en) * | 1994-10-18 | 1996-12-24 | International Business Machines Corporation | Silicon chip with an integrated magnetoresistive head mounted on a slider |
WO2007017792A1 (en) * | 2005-08-09 | 2007-02-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Microchip with accessible front side |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20220137097A1 (en) | Systems and Methods for Integrated Shielding in a Current Sensor | |
US5831426A (en) | Magnetic current sensor | |
US20020186011A1 (en) | Magnetic sensor and manufacturing method therefor | |
KR20180067411A (ko) | 전류 센서 및 전류 센서 제조 방법 | |
JPH06140451A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPS5967669A (ja) | 磁気抵抗素子集積回路 | |
JPH01313979A (ja) | 半導体材料内の電気素子に発生するピエゾ効果を防止する装置及びその形成方法 | |
JP2545926B2 (ja) | 電流検出器 | |
US5663574A (en) | Power semiconductor component with monolithically integrated sensor arrangement as well as manufacture and employment thereof | |
WO2003052369A1 (en) | Sensor formed on silicon on insulator structure and having reduced power up drift | |
JP2595743B2 (ja) | 半導体装置およびそれを用いた磁気検出装置 | |
JPS56148848A (en) | Beam lead type semiconductor device | |
GB1178130A (en) | Improvements relating to Semiconductor Strain Transducers | |
JP2674073B2 (ja) | 集積回路装置 | |
US11619684B2 (en) | Magneto coupler for magnetic coupling of signal lines | |
JPS5946564A (ja) | 磁気検出装置 | |
JPH08274385A (ja) | 磁電変換素子 | |
JP2586434B2 (ja) | 磁気検出装置 | |
JPS584991A (ja) | 半導体装置 | |
JP2946983B2 (ja) | 磁気抵抗素子 | |
JP2748077B2 (ja) | 圧力センサ | |
JP3085147B2 (ja) | 磁電変換素子 | |
JP2715603B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3017049B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPS59191368A (ja) | 半導体装置 |