JPS6011652Y2 - 樹脂モ−ルド型の半導体装置 - Google Patents
樹脂モ−ルド型の半導体装置Info
- Publication number
- JPS6011652Y2 JPS6011652Y2 JP19028780U JP19028780U JPS6011652Y2 JP S6011652 Y2 JPS6011652 Y2 JP S6011652Y2 JP 19028780 U JP19028780 U JP 19028780U JP 19028780 U JP19028780 U JP 19028780U JP S6011652 Y2 JPS6011652 Y2 JP S6011652Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- moisture
- epoxy resin
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、耐湿性を向上させた樹脂モールド型の半導体
装置の新規な構造に関するものである。
装置の新規な構造に関するものである。
従来の樹脂モールド型の半導体装置は、内部リード端子
、外部リード端子及びチップ搭載部を有する、−zt<
−ル(Fe、 Ni、 Co合金)あるいは42アロイ
(FeとNiの合金)の導体リードに、半導体チップを
搭載し、エポキシ樹脂等によるモールドで封止していた
。
、外部リード端子及びチップ搭載部を有する、−zt<
−ル(Fe、 Ni、 Co合金)あるいは42アロイ
(FeとNiの合金)の導体リードに、半導体チップを
搭載し、エポキシ樹脂等によるモールドで封止していた
。
この様な樹脂モールド型は、気密封止ではないが製造が
簡単でコスト安なため広く利用されている。
簡単でコスト安なため広く利用されている。
従来の樹脂モールド型の半導体装置は、樹脂そのものの
もつ吸湿性や、樹脂と導体リード間の界面から侵入する
水分等により内部の半導体チップが侵され、耐湿性のな
いことが大きな欠点であった。
もつ吸湿性や、樹脂と導体リード間の界面から侵入する
水分等により内部の半導体チップが侵され、耐湿性のな
いことが大きな欠点であった。
そこで本考案は、上記の樹脂そのもののもの吸湿性によ
る耐湿性の低下を解決することを目的とするもので、そ
の特徴は、内部リード端子、外部リード端子及び半導体
チップの搭載部を有する導体リードに該半導体チップを
搭載し、樹脂モールドにより封止した樹脂モールド型の
半導体装置において、内側のエポキシ樹脂によるモール
ド部と、外側のエポキシ樹脂によるモールド部と、該内
側及び外側のモールド部の間に設けられたA1防湿板と
を有してなることにある。
る耐湿性の低下を解決することを目的とするもので、そ
の特徴は、内部リード端子、外部リード端子及び半導体
チップの搭載部を有する導体リードに該半導体チップを
搭載し、樹脂モールドにより封止した樹脂モールド型の
半導体装置において、内側のエポキシ樹脂によるモール
ド部と、外側のエポキシ樹脂によるモールド部と、該内
側及び外側のモールド部の間に設けられたA1防湿板と
を有してなることにある。
以下本考案の一実施例を図面に従って詳細に説明する。
図面は本考案の一実施例の断面図である。
1は半導体チップで、内部リード端子2、外部リード端
子3及び搭載部4を有する導体リードに搭載されている
。
子3及び搭載部4を有する導体リードに搭載されている
。
導体リードは従来と同様にコバール等で形成されている
。
。
5はチップ1と内部リード端子2を接続するワイヤーで
ある。
ある。
本実施例ではまずエポキシ樹脂により内側のモールド部
6を形成する。
6を形成する。
その工程は従来と同様で、モールド温度が約150〜1
80℃で数分間で完了する。
80℃で数分間で完了する。
次に内側のモールド部6の表面に接着剤として溶剤に溶
かしたエポキシ樹脂をぬって防湿板をとりつける。
かしたエポキシ樹脂をぬって防湿板をとりつける。
そしてエポキシ樹脂(内側モールド部6及び接着剤を含
む)を硬化させるために、温度約150〜180℃程度
、数時間のキュア一工程を施こす。
む)を硬化させるために、温度約150〜180℃程度
、数時間のキュア一工程を施こす。
防湿板7としてはN板に陽極酸化によるアルマイト処理
を施こして表面を絶縁体にし、内部リード2との接触に
よる短絡が生じないようにしておく。
を施こして表面を絶縁体にし、内部リード2との接触に
よる短絡が生じないようにしておく。
次に同様にして外側のモールド部8をエポキシ樹脂によ
り形成する。
り形成する。
この様な構造にすることにより、外側のモールド部8が
吸収した水分は、防湿板7により内側のモールド部6に
は吸収されないので、耐湿性が飛躍的に向上する。
吸収した水分は、防湿板7により内側のモールド部6に
は吸収されないので、耐湿性が飛躍的に向上する。
また、A1はエポキシ樹脂とほぼ同じ熱膨張係数を有し
ているので、N防湿板とエポキシ樹脂間において、熱が
加わったときの熱ストレスによる歪や破壊を引き起こさ
ず、熱ストレスによって耐湿性は低下しない。
ているので、N防湿板とエポキシ樹脂間において、熱が
加わったときの熱ストレスによる歪や破壊を引き起こさ
ず、熱ストレスによって耐湿性は低下しない。
ここで、もし、内側及び外側のモールド部の樹脂とその
間に設けられた防湿板の熱膨張係数が異なると、熱スト
レスによる歪や破壊が生じ、その部分から水分が浸入し
やすくなり、十分な耐湿性が得られない。
間に設けられた防湿板の熱膨張係数が異なると、熱スト
レスによる歪や破壊が生じ、その部分から水分が浸入し
やすくなり、十分な耐湿性が得られない。
以上説明した様に本考案によれば、耐湿性の高い樹脂モ
ールド型の半導体装置が得られる。
ールド型の半導体装置が得られる。
図は本考案の一実施例の断面図である。
図中、1:半導体チップ、2:内部リード端子、3:外
部リード端子、4:搭載部、5:ワイヤー、6:内側の
モールド部、7:防湿板、8:外側のモールド部。
部リード端子、4:搭載部、5:ワイヤー、6:内側の
モールド部、7:防湿板、8:外側のモールド部。
Claims (1)
- 内部リード端子、外部リード端子及び半導体チップの搭
載部を有する導体リードに該半導体チップを搭載し、樹
脂モールドにより封止した樹脂モールド型の半導体装置
において、内側のエポキシ樹脂によるモールド部と、外
側のエポキシ樹脂によるモールド部と、該内側及び外側
のモールド部の間に設けられたA1防湿板とを有してな
ることを特徴とする樹脂モールド型の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19028780U JPS6011652Y2 (ja) | 1980-12-29 | 1980-12-29 | 樹脂モ−ルド型の半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19028780U JPS6011652Y2 (ja) | 1980-12-29 | 1980-12-29 | 樹脂モ−ルド型の半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57113448U JPS57113448U (ja) | 1982-07-13 |
JPS6011652Y2 true JPS6011652Y2 (ja) | 1985-04-17 |
Family
ID=29994655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19028780U Expired JPS6011652Y2 (ja) | 1980-12-29 | 1980-12-29 | 樹脂モ−ルド型の半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6011652Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-12-29 JP JP19028780U patent/JPS6011652Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57113448U (ja) | 1982-07-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11842948B2 (en) | SMDs integration on QFN by 3D stacked solution | |
JP2959480B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US6541856B2 (en) | Thermally enhanced high density semiconductor package | |
JPS6011652Y2 (ja) | 樹脂モ−ルド型の半導体装置 | |
JPH0567697A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH0864759A (ja) | 樹脂封止型パワーモジュール装置及びその製法 | |
KR100244826B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
JP3104695B2 (ja) | Bga型樹脂封止半導体装置 | |
JPH0613501A (ja) | 樹脂封止形半導体装置 | |
JP2555522Y2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPS6116702Y2 (ja) | ||
JPH05267503A (ja) | 半導体装置 | |
JPS635250Y2 (ja) | ||
JPS6112682Y2 (ja) | ||
JPS6236299Y2 (ja) | ||
JP2549633Y2 (ja) | パワーモジュール | |
JPH05166963A (ja) | 半導体装置 | |
JPS5942456B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
JPS63111659A (ja) | 半導体装置 | |
JPH05175382A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0338837Y2 (ja) | ||
JPS607386B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH02246143A (ja) | リードフレーム | |
JPH04192351A (ja) | 半導体装置及びその形成方法 | |
JPS6227751B2 (ja) |