JPH06832Y2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH06832Y2
JPH06832Y2 JP1987125408U JP12540887U JPH06832Y2 JP H06832 Y2 JPH06832 Y2 JP H06832Y2 JP 1987125408 U JP1987125408 U JP 1987125408U JP 12540887 U JP12540887 U JP 12540887U JP H06832 Y2 JPH06832 Y2 JP H06832Y2
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JP
Japan
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semiconductor element
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resin
semiconductor device
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JP1987125408U
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季夫 森重
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NEC Corp
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は樹脂封止型半導体装置に関し、特に封止樹脂内
の半導体素子の保持方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体装置の構造は、第２図(a)の封止
樹脂を透視した平面図、同図(b)の断面図に示すよう
に、リードフレーム１１のアイランド部３の上に、ろう
材４又はＡｇペーストの接着剤によって半導体素子５を
固着させ、半導体素子５の電極とこの電極と対応するリ
ードフレーム１１のリード２に、各種のボンディングワ
イヤ６、たとえば金線又はＡｌ線等によって接続する。
その後、圧入成形方法により樹脂７を注入して半導体素
子を保護するという構造を有していた。
〔考案が解決しようとする問題点〕
上述した従来の半導体素子をリードフレームのアイラン
ドにろう材又はAgペーストによって固着する場合、例え
ばろう材を用いて固着する場合、半導体素子とアイラン
ド部との接合具合によっては、ろう材が溶けて冷却され
た後熱応力が発生し、半導体素子が機械的に破壊される
という欠点がある。一方、そのような信頼性に欠けるろ
う材方法をきらって、Agペースト等により、半導体素子
をリードフレーム上に固着させるという技術もあるが、
Agペースト等に含まれる不純物が半導体素子に悪影響を
与えたり、半導体素子をアイランドに位置決めしたの
ち、Agペーストに熱を加えて固まらせるという余計な工
程を必要とするため、生産上効率が悪いという欠点があ
る。
〔問題点を解決するための手段〕
上記従来の半導体装置の問題点に対し、本考案の樹脂封
止型半導体装置は、従来技術の半導体素子をリードフレ
ームのアイランド部に固着又は接着せしめるという工程
を省き、前記アイランドなしでもってポンディングワイ
ヤで半導体素子を保持し、その後、樹脂封止により、リ
ードフレームと半導体素子の相互位置をしっかりと固定
すると共に、半導体素子を外部雰囲気から確実に保護す
るのである。
〔実施例〕
つぎに本考案を実施例により説明する。
第１図(a)は本考案の一実施例の封止樹脂を透視して示
した平面図、同図(b)は同図(a)のＡ−Ａ断面図である。
第１図(a)，(b)において、多数のリード２を有するリー
ドフレーム１には、従来の第２図に示されたアイランド
を有しておらず、その部分が空所になっている。半導体
素子５を支持ステージ等でこの空所に支持固定し、この
状態で、半導体素子５の電極とこの半導体素子の周囲を
囲むようなリードフレームのリード２との間をボンディ
ングワイヤ６で接続する。一旦両者がボンディングワイ
ヤ６で接続されてしまうと、半導体素子５はボンディン
グワイヤ６で支持され、リードフレームの中央位置に保
持される。その後、樹脂封止金型に挿入され、圧入成形
方法により樹脂７を注入して樹脂封止を行う。ここで樹
脂注入速度を適度に選べば、注入された樹脂によって、
ボンディングワイヤ６が切れることも半導体素子６が流
されることもない。このようにして、半導体素子とリー
ドフレームの相互位置をしっかりと固定するとともに、
半導体素子を外部雰囲気から確実に保護する。
〔考案の効果〕
以上説明したように本考案は、アイランドのないリード
フレームを用い、アイランドのあった位置に半導体素子
をボンディングワイヤによって保持することによって、
従来のようなろう材またはAgペーストによる半導体素子
固着工程をなくし、また、半導体素子とリードフレーム
アイランド間の不均一な熱応力によって生じる半導体素
子破壊もなくすることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図(a)および第２図(a)はそれぞれ本考案の一実施例
および従来の樹脂封止半導体装置の封止樹脂（仮想線で
示す）を透視した平面図、第１図(b)および第２図(b)は
それぞれ第１図(a)および第２図(a)のＡ−Ａ断面図であ
る。 １，１１……リードフレーム、２……リード、３……ア
イランド、４……ろう材、５……半導体素子、６……ボ
ンディングワイヤ、７……封止樹脂。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体素子を配置する中央空所を残して、
    この中央空所の周囲に多数のリードの内端が集るように
    配置されたリードフレームの前記空所に半導体素子が配
    置され、この半導体素子の電極と前記リード内端との間
    をボンディングワイヤで接続して前記半導体素子を前記
    リードフレームに保持させ、さらに樹脂封止により前記
    リードフレームと半導体素子の相互位置が固定されてい
    ることを特徴とする半導体装置。
JP1987125408U 1987-08-17 1987-08-17 半導体装置 Expired - Lifetime JPH06832Y2 (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62219643A (ja) * 1986-03-20 1987-09-26 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法ならびにその製造装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS62219643A (ja) * 1986-03-20 1987-09-26 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法ならびにその製造装置

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JPS6429848U (ja) 1989-02-22

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