JPH05267378A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH05267378A
JPH05267378A JP4064426A JP6442692A JPH05267378A JP H05267378 A JPH05267378 A JP H05267378A JP 4064426 A JP4064426 A JP 4064426A JP 6442692 A JP6442692 A JP 6442692A JP H05267378 A JPH05267378 A JP H05267378A
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JP
Japan
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lead
semiconductor chip
island
bonding wire
bonding
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JP4064426A
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Ryoichi Araki
亮一 荒木
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NEC Corp
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NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体チップをリードフレームのアイランドに
マウントし、ボンディングワイヤで接続した後モールド
等の封止樹脂により封止する際、ボンディングが半導体
チップのボンディングパッドおよびリードフレームの内
部リードからはがれたり切断されことを防ぐことができ
る。 【構成】リードフレームのアイランド1上に半導体チッ
プ2をマウントし、半導体チップ2のボンディングパッ
ド21とリードフレームの内部リード3とをボンディン
グワイヤ4で接続する際、アイランド1の端と内部リー
ド3の端に絶縁性支持体5a,5bを形成を固着してそ
の表面に溝6a,6bを形成しておき、その溝にボンデ
ィングワイヤ4を通すことにより、モールド等の封止樹
脂で封止する際にボンディングワイヤ4がはがれたり切
断されたりすることを防ぐことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置は、図3に
示すように、リードフレームのアイランド1に図示しな
いAu−Si合金のシート又は、Agペーストにより半
導体チップ2をマウントし、半導体チップ2のボンディ
ングパッド(図示しない)から、Au線などのボンディ
ングワイヤをループ状に浮かせた状態で張り、リードフ
レームの内部リード3に接続させた後モールド等の封止
樹脂によりリードフレームのアイランド及びリードフレ
ームの内部リードを封止しタイバー部を切断した後、リ
ード部及びつりピン部を切断し、リードフレームから半
導体装置を分離する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂封止型
半導体装置では、リードフレームのアイランドに半導体
チップをマウントした後、ボディングパッドとリードフ
レームの内部リードとをボンディングワイヤをループ状
に浮かせた状態で接続しているため、封止樹脂で封止す
る際に封止樹脂の射出速度が不適切な場合にボンディン
グワイヤがボンディングパッドもしくは内部リードから
はがれたり、ボンディングワイヤが切断されたりすると
いう問題点があった。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、アイランドに
マウントされた半導体チップと、前記半導体チップのボ
ンディングパッドと内部リードの先端部とを接続するボ
ンディングワイヤとを有する樹脂封止型半導体装置にお
いて、前記アイランドの周辺部および前記内部リードの
先端部に絶縁性支持体が固着され、前記絶縁性支持体の
表面に形成された溝部を前記ボンディングワイヤのルー
プ部が通っているというものである。
【0005】
【実施例】次に本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。
【0006】図1(a)は、本発明の第1の実施例を示
す平面図、図1(b)は図1(a)のX−X線断面図
で、リードフレームに半導体チップをマウントし、ワイ
ヤボンディングした状態を示している。
【0007】リードフレームのアイランド1に半導体チ
ップ2をマウントし半導体チップ2のボンディングパッ
ド21とリードフレームの内部リード3とをボンディン
グワイヤ4により接続する際、アイランド1の周辺部と
内部リード3の先端に、それぞれガラスやセラミック等
の絶縁性支持体5a,5bを固着しその表面に溝6a,
6bを通して接続させる。モールド等の封止樹脂で封止
する際に、半導体チップ2上のボンディングパッドおよ
びリードフレームの内部リード3とボンディングワイヤ
4のはがれおよび切断を防ぐことができる。
【0008】なお、絶縁性支持体は図示のような個片を
ボンディングワイヤに対応して多数設けなくてもよく、
各ボンディングワイヤに対応する溝を設けた枠状にし
て、その枠で例えば各内部リードの先端を連結し、固定
してもよい。そうすると、内部リード先端位置がずれて
“ばらける”ことを防止できる。
【0009】図2は、本発明の第2の実施例を示す断面
図である。
【0010】この実施例は、絶縁性支持体5がアイラン
ド1と内部リード3とを連結しているものである。アイ
ランド1と内部リード3との相対位置のずれが防止でき
る利点がある。本実施例でも絶縁性支持体を枠状にする
ことができる。そうすると、内部リード先端位置がずれ
てばらけることを防ぐことができる。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、アイラン
ドの周辺部と内部リードの先端部に絶縁性支持体を設け
その表面に溝を形成し、ボンディングワイヤを封止する
際に発生するボンディングパッドおよび内部リードから
ボンディングワイヤがはがれたり切断したりすることを
防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す平面図(図1
(a))および断面図(図1(b))である。
【図2】本発明の第2の実施例を示す断面図である。
【図3】従来例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 リード 2 半導体チップ 21 ボンディングパッド 3 内部リード 4 ボンディングワイヤ 5,5a,5b 絶縁性支持体 6a,6b 溝

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アイランドにマウントされた半導体チッ
    プと、前記半導体チップのボンディングパッドと内部リ
    ードの先端部とを接続するボンディングワイヤとを有す
    る樹脂封止型半導体装置において、前記アイランドの周
    辺部および前記内部リードの先端部に絶縁性支持体が固
    着され、前記絶縁性支持体の表面に形成された溝部を前
    記ボンディングワイヤのループ部が通っていることを特
    徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項2】 絶縁性支持体がアイランドと内部リード
    とを連結して固着されている請求項1記載の樹脂封止型
    半導体装置。
JP4064426A 1992-03-23 1992-03-23 樹脂封止型半導体装置 Withdrawn JPH05267378A (ja)

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JPH05267378A true JPH05267378A (ja) 1993-10-15

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104934401A (zh) * 2014-03-20 2015-09-23 三菱电机株式会社 电力用半导体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104934401A (zh) * 2014-03-20 2015-09-23 三菱电机株式会社 电力用半导体装置

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Effective date: 19990608