JP2015146393A - 超音波ウェッジボンディング構造 - Google Patents

超音波ウェッジボンディング構造 Download PDF

Info

Publication number
JP2015146393A
JP2015146393A JP2014018834A JP2014018834A JP2015146393A JP 2015146393 A JP2015146393 A JP 2015146393A JP 2014018834 A JP2014018834 A JP 2014018834A JP 2014018834 A JP2014018834 A JP 2014018834A JP 2015146393 A JP2015146393 A JP 2015146393A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
ultrasonic
ultrasonic bonding
wire
cutting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014018834A
Other languages
English (en)
Inventor
敏晴 加治
Toshiharu Kaji
敏晴 加治
一夫 多田
Kazuo Tada
一夫 多田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Marelli Corp
Original Assignee
Calsonic Kansei Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Calsonic Kansei Corp filed Critical Calsonic Kansei Corp
Priority to JP2014018834A priority Critical patent/JP2015146393A/ja
Priority to CN201420696919.4U priority patent/CN204204803U/zh
Publication of JP2015146393A publication Critical patent/JP2015146393A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/48139—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous wire daisy chain
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/494—Connecting portions
    • H01L2224/4941—Connecting portions the connecting portions being stacked
    • H01L2224/49425—Wedge bonds
    • H01L2224/49426—Wedge bonds on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/494—Connecting portions
    • H01L2224/4941—Connecting portions the connecting portions being stacked
    • H01L2224/49425—Wedge bonds
    • H01L2224/49427—Wedge bonds outside the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313—Wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7855—Mechanical means, e.g. for severing, pressing, stamping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Abstract

【課題】超音波ウェッジボンディングにおいて、上層ボンディングワイヤの切断に対する安定性や信頼性を高めるようにする。
【解決手段】被接合部材（電極１２や配線パターン１４）に、下層ボンディングワイヤ１５（Ｌ）を超音波接合して下層超音波接合部２６（Ｌ）を形成する。更に、この下層超音波接合部２６（Ｌ）の上側に、上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）を重ねて超音波接合し、上層超音波接合部２６（Ｈ）を形成する。
そして、上層超音波接合部２６（Ｈ）のワイヤ配線方向下流側に、上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）を切断して成る切断部３１を形成する。
この際、切断部３１の下方に、切断部３１を下側から支持する切断用支持部３２を設けるようにする。
【選択図】図１

Description

この発明は、超音波ウェッジボンディング構造に関するものである。
例えば、半導体チップ上の電極と配線基板上の配線パターンとの間を、ボンディングワイヤによって電気的に接続（ボンディング）するのに、超音波ウェッジボンディングが行われている。
図９に示すように、この超音波ウェッジボンディングを行うための超音波接合装置１は、上記した電極や配線パターンなどの被接合部材２に対しボンディングワイヤ４を上方から線接触状態に押さえて超音波接合を行う加圧接合治具５と、この加圧接合治具５の下側へボンディングワイヤ４を送給するノズル状のワイヤガイド部材６と、上記した加圧接合治具５によって超音波接合されたボンディングワイヤ４を上方からの下降動によって切断可能なカッター７と、を一体的に移動・進行させ得るようにしたものとされる。
ここで、ボンディングワイヤ４は、ボンディング終了位置Ｅに形成された超音波接合部８のワイヤ配線方向下流側（ワイヤガイド部材６側または図中右側）の位置にて切断される。ボンディングワイヤ４を切断する処理は、被接合部材２を傷付けないようにするために、ボンディングワイヤ４をカッター７で１／２〜２／３程度の深さにハーフカットした後、超音波接合装置１全体を下流側へ移動して引きちぎる（プルカットする）ものとされる。このようなボンディングワイヤ４の配線処理は、１秒間に数回程度の比較的速い速度で連続して行われる。
そして、上記した半導体チップが、例えば、電気自動車のモーター（電動機）などを制御するためのパワーモジュールなどと呼ばれる大電力の半導体装置を構成するものである場合、ボンディングワイヤ４の部分に大きな電流を流せるようにする必要が生じる。そのために、ボンディングワイヤ４を上下方向に多層化することが検討されている。
なお、ボンディングワイヤ４の先端部を球状に溶かして被接合部材２に接続させるようにしたボールボンディングの技術においては、ボンディングワイヤ４を上下方向に多層化することは既に行われている（例えば、特許文献１参照）。この場合に、上層のボンディングワイヤ４が、下層のボンディングワイヤ４と干渉することによって、下層のボンディングワイヤ４や下層の接合部に、変形や損傷などを起こさせないようにするために、ボンディング終了位置Ｅにおいて、上層の接合部を下層の接合部に対し、外側（ワイヤ配線方向下流側）へずらして重ねるようにすることも行われている。なお、超音波ウェッジボンディングでは、円形断面を有するボンディングワイヤ４を、先端部を球状に溶かすことなく、横向きの線接触状態にして上方へ重ねて行くことになるので、ボールボンディングの場合よりも、多層化に対する難易度が高く、実施するまでに至っていないのが現状である。
特開２００９−１２４０７５号公報
しかしながら、上記した超音波ウェッジボンディングを、上下方向に多層に形成しようとした場合には、以下のような問題が生じる。
即ち、上記したボールボンディングの場合と同じように、上層の超音波接合部８（Ｈ）を下層の超音波接合部８（Ｌ）に対し外側（ワイヤ配線方向下流側または図中右側）へずらして重ねるようした場合、上層の超音波接合部８（Ｈ）のワイヤ配線方向下流側の端部近傍におけるカッター７での切断位置の下側に、下層の超音波接合部８（Ｌ）が存在していないことになるので、即ち、上層のボンディングワイヤ４（Ｈ）の切断位置には下から受けるものが何もないため（または空間部９が生じるため）、カッター７でハーフカットする際に上層のボンディングワイヤ４（Ｈ）が大きく変形されて（逃げて）しまい、以下のような不具合が発生するおそれがある。
（不具合パターンその１）ハーフカット時の上層のボンディングワイヤ４（Ｈ）の変形により、ハーフカット深さに左右の差が生じる。この場合には、プルカット時に、上層のボンディングワイヤ４（Ｈ）がテンションの強い側へ引っ張られて横へ傾くように変形するため、上層のボンディングワイヤ４（Ｈ）が加圧接合治具５の中心からズレた状態になってしまう。すると、次のボンディングを行う際に、上層のボンディングワイヤ４（Ｈ）が下層のボンディングワイヤ４（Ｌ）の中心から左右にズレた位置に供給された状態で超音波接合されることになるため、接合ズレや接合不能状態が発生する。よって、安定したボンディングができない事態が生じる。
（不具合パターンその２）ハーフカット時の上層のボンディングワイヤ４（Ｈ）の変形により、ハーフカット深さにバラ付きやカット不足が生じる。この場合には、プルカット時に、上層のボンディングワイヤ４（Ｈ）が切断できずに、超音波接合装置１が停止してしまう事態が発生する。また、上層のボンディングワイヤ４（Ｈ）が切断できたとしても、ハーフカットの際に上層のボンディングワイヤ４（Ｈ）が下側へ傾くように変形されるため、上層のボンディングワイヤ４（Ｈ）が加圧接合治具５から外れた状態になる。すると、次のボンディングを行う際に、上層のボンディングワイヤ４（Ｈ）が加圧接合治具５内に収まらないため、下層のボンディングワイヤ４（Ｌ）に対して大きな位置ズレが生じ、接合不能状態が発生する。よって、安定したボンディングができない事態が生じる。
そして、これらのように、積層形成された超音波接合部８を安定して切断することができない状況が頻発するのであれば、超音波ウェッジボンディングでは、ボンディングワイヤ４の多層化が実現できないことになる。
そこで、本発明は、上記した問題点を解決し、上層のボンディングワイヤの切断に対する安定性や信頼性を高めることにより、ボンディングワイヤの多層化を実現し得るようにした超音波ウェッジボンディングを提供することを、主な目的としている。
上記課題を解決するために、本発明は、
被接合部材に、下層ボンディングワイヤを超音波接合して下層超音波接合部を形成すると共に、
該下層超音波接合部の上側に、上層ボンディングワイヤを重ねて超音波接合することにより上層超音波接合部を形成した超音波ウェッジボンディング構造であって、
前記上層超音波接合部のワイヤ配線方向下流側に、上層ボンディングワイヤを切断して成る切断部が形成されると共に、
該切断部の下方に、切断部を下側から支持する切断用支持部を設けたことを特徴とする。
本発明によれば、上記構成によって、以下のような作用効果を得ることができる。
即ち、上層ボンディングワイヤの切断部の下方に切断用支持部を設けて、切断部を下側から支持させるようにした。これにより、切断用支持部によって下側を確実に支持した状態で上層ボンディングワイヤの切断処理を行わせることができるので、カッターの刃を確実に上層ボンディングワイヤへ食い込ませることができる。これにより、上層ボンディングワイヤを正常な状態でカットすることができ、切断による不具合の発生を防止することができる。よって、超音波接合部の多層化に対する信頼性や安定性が高められて、ボンディングワイヤの多層化を実用化することが可能となる。
本実施の形態の実施例１にかかる超音波ウェッジボンディング構造の全体側面図である。 図１のボンディング終了位置の拡大図である。 図１の変形例における超音波ウェッジボンディング構造の全体側面図である。 本実施の形態の実施例２にかかる超音波ウェッジボンディング構造の全体側面図である。 ボンディング終了位置において下層ボンディングワイヤの切断部を形成する状態を示す拡大図である。 図４のボンディング終了位置において上層ボンディングワイヤの切断部を形成する状態を示す拡大図である。 実施例２で、ボンディング中間位置を有する場合の超音波ウェッジボンディング構造の全体側面図である。 図７の変形例における超音波ウェッジボンディング構造の全体側面図である。 従来例およびその課題を説明するための超音波ウェッジボンディング構造のボンディング終了位置の拡大図である。
以下、本実施の形態を、図面を用いて詳細に説明する。
図１〜図８は、この実施の形態を説明するためのものである。このうち、図１〜図３は実施例１、図４〜図８は実施例２である。
＜構成＞以下、この実施の形態の構成について説明する。
例えば、図１の全体図および図２の部分拡大図に示すように、半導体チップ１１上の電極１２と配線基板１３上の配線パターン１４との間を、ボンディングワイヤ１５によって電気的に接続（ボンディング）するのに、超音波ウェッジボンディングを行う。
この超音波ウェッジボンディングを行うための超音波接合装置２１は、上記した電極１２や配線パターン１４などの被接合部材に対しボンディングワイヤ１５を上方から線接触状態に押さえて超音波接合を行う加圧接合治具２２と、この加圧接合治具２２の下側へボンディングワイヤ１５を送給するノズル状のワイヤガイド部材２３と、上記した加圧接合治具２２によって超音波接合されたボンディングワイヤ１５を上方からの下降動によって切断可能なカッター２４（切断用工具）と、を一体的に移動・進行させ得るようにしたものとされる。
ここで、半導体チップ１１は、配線基板１３上の別の配線パターン１４に対して電気的に接続される。ボンディングワイヤ１５は、特に図示しないが、円形断面を有するものとされている。また、超音波接合によって形成された超音波接合部２６は、少なくともボンディング開始位置Ｓとボンディング終了位置Ｅとの二箇所の位置に形成される。二箇所の超音波接合部２６の間には、ボンディングワイヤ１５を超音波接合部２６よりも高い位置に取り回して配線するようにしたアーチ状の持上部２７が形成される。ボンディングワイヤ１５は、ボンディング終了位置Ｅに形成された超音波接合部２６のワイヤ配線方向下流側（ワイヤガイド部材２３側または図中右側）の位置にて切断される。ボンディングワイヤ１５を切断する処理は、被接合部材を傷付けないようにするために、ボンディングワイヤ１５をカッター２４で１／２〜２／３程度の深さにハーフカットした後、超音波接合装置２１全体を下流側へ移動して引きちぎる（プルカットする）ものとされる。このようなボンディングワイヤ１５の配線処理は、１秒間に数回程度の比較的速い速度で連続して行われる。
また、加圧接合治具２２の下面側には、ボンディングワイヤ１５の上部を収容可能な凹溝部２８が形成されている。超音波接合部２６は、この凹溝部２８とほぼ同じ長さに形成される。なお、上記したアーチ状の持上部２７は、予め設定されたワイヤガイド部材２３の角度と、コンピューター制御によって移動される超音波接合装置２１の動きとによって、その形状が決められる。
そして、上記した半導体チップ１１が、例えば、電気自動車のモーター（電動機）などを制御するためのパワーモジュールなどと呼ばれる大電力の半導体装置を構成するものである場合、ボンディングワイヤ１５の部分に大きな電流を流せるようにする必要が生じる。そのために、ボンディングワイヤ１５を上下方向に多層化（例えば、２層〜６層程度またはそれ以上に）する。
超音波ウェッジボンディングを多層化するための構造は、被接合部材（電極１２や配線パターン１４）に、下層ボンディングワイヤ１５（Ｌ）を超音波接合して下層超音波接合部２６（Ｌ）を形成する。そして、この下層超音波接合部２６（Ｌ）の上側に、上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）を重ねて超音波接合することにより上層超音波接合部２６（Ｈ）を形成したものとされる（積層超音波接合部）。なお、横向きにした円形断面の下層ボンディングワイヤ１５（Ｌ）の上に、横向きにした円形断面の上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）を線接触状態に重ねて超音波接合するのは、実用化レベルではかなり難しいものとなっている。
この際、ボンディング終了位置Ｅでは、下層超音波接合部２６（Ｌ）におけるワイヤ配線方向下流側の端部に、下層ボンディングワイヤ１５（Ｌ）を切断して成る下層側切断部２９が形成される。この下層側切断部２９については、被接合部材（電極１２や配線パターン１４）によって下側から支持された状態で切断が行われることになるので、安定した切断が可能である。
そして、この実施の形態では、ボンディング終了位置Ｅにおける、上記上層超音波接合部２６（Ｈ）のワイヤ配線方向下流側に、上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）を切断して成る切断部３１が形成される。この際、この切断部３１の下方に、切断部３１を下側から支持するための切断用支持部３２が設けられるようにする。
なお、ボンディングワイヤ１５を多層化する場合、アーチ状の各持上部２７（下層の持上部２７（Ｌ）、上層の持上部２７（Ｈ））は、互いに干渉し難いように、上層側のものほど高く取り回されるように形成する。
＜作用＞この実施の形態によれば、以下のような作用を得ることができる。
複数本のボンディングワイヤ１５を上下方向に多線化して、下層ボンディングワイヤ１５（Ｌ）や上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）などを設ける場合に、下層超音波接合部２６（Ｌ）の上側に上層超音波接合部２６（Ｈ）を重ねて形成させるようにする。
これにより、例えば、ボンディング終了位置Ｅにおける、下層超音波接合部２６（Ｌ）の上側に上層超音波接合部２６（Ｈ）を重ねずに、上層超音波接合部２６（Ｈ）を下層超音波接合部２６（Ｌ）からワイヤ配線方向下流側に離して設けるようにした場合（ケース１）と比べて、上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）の電流が流れる部分の距離を短くすることができる。以って、上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）を不必要に長くせずに済み、通電の効率や信頼性の低下を防止することが可能となる。
より具体的には、この実施の形態のようにボンディング終了位置Ｅで超音波接合部２６を重ねて形成した場合、例えば、位置Ｓと位置Ｅとの中心間距離を６ｍｍとした場合、
１層目のボンディングワイヤ１５に流せる溶断電流を１００％とすると、
２層目のボンディングワイヤ１５に流せる溶断電流は９８％程度となり、
３層目のボンディングワイヤ１５に流せる溶断電流は９４％程度となって、多層化が進んでもほとんど溶断電流が低下しないのに対し、
上記したケース１のようにボンディング終了位置Ｅの超音波接合部２６を重ねないで形成した場合には、
１層目のボンディングワイヤ１５に流せる溶断電流を１００％とすると、
２層目のボンディングワイヤ１５に流せる溶断電流は７１％程度となり、
３層目のボンディングワイヤ１５に流せる溶断電流は５７％程度となって、多層化が進むに従い溶断電流が大きく低下してしまうので、通電効率を上げるのが難しく、性能的にもケース１の方が不利である。
また、例えば、下層超音波接合部２６（Ｌ）の上側に上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）を重ねずに、下層超音波接合部２６（Ｌ）の隣に上層超音波接合部２６（Ｈ）を並設した場合（ケース２）と比べて、被接合部材（電極１２や配線パターン１４）における下層超音波接合部２６（Ｌ）および上層超音波接合部２６（Ｈ）を形成する部分の幅寸法を狭くすることができる。以って、被接合部材（電極１２や配線パターン１４）の超音波接合部２６周辺をスッキリさせることができる。
そして、この実施の形態のように、下層超音波接合部２６（Ｌ）の上側に上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）を重ねるようにボンディングワイヤ１５を多層化して行くことによって、半導体チップ１１の小型・高性能化が進んだ場合であっても、十分に適用が可能な構造となる。
更に、この実施の形態では、ボンディング終了位置Ｅにおける、上層超音波接合部２６（Ｈ）のワイヤ配線方向下流側に形成される切断部３１の下方に、上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）の切断部３１を下側から支持する切断用支持部３２を設けるようにした。
これにより、切断用支持部３２によって下側を確実に支持した状態で上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）の切断処理を行わせることができるので、カッター２４の刃を確実に上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）へ食い込ませることができる。これにより、上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）を正常な状態でカットする（即ち、カッター２４の刃をしっかりと食い込ませて左右均等で且つ十分な深さにハーフカットすると共に、安定した形状にプルカットする）ことができ、切断による不具合（上記した不具合パターンその１、および、不具合パターンその２の接合ズレや接合不能を参照）の発生を防止することができる。よって、超音波接合部２６の多層化に対する信頼性や安定性が高められて、ボンディングワイヤ１５の多層化を実用化することが可能となる。
以下、より具体的な実施例について説明する。
図１〜図３は、この実施例１を示すものである。
＜構成＞以下、この実施例の構成について説明する。
上記切断用支持部３２が、上記被接合部材（電極１２や配線パターン１４）における、上記下層超音波接合部２６（Ｌ）および上層超音波接合部２６（Ｈ）が多層に形成された位置（積層超音波接合部）から離して設けられたカット用ボンディングポイント４１とされる。
そして、上記上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）は、上記上層超音波接合部２６（Ｈ）からワイヤ配線方向下流側へ延びる延長部４２に、上記カット用ボンディングポイント４１に対する切断用超音波接合部４３が形成されると共に、この切断用超音波接合部４３のワイヤ配線方向下流側の端部近傍に上記切断部３１が形成されるようにする。
ここで、切断部３１は、ボンディング終了位置Ｅに形成された上層超音波接合部２６（Ｈ）のワイヤ配線方向下流側の端部近傍に設けられる。この場合、下層超音波接合部２６（Ｌ）および上層超音波接合部２６（Ｈ）の形成には、同じ大きさの加圧接合治具２２が使用される。そして、下層超音波接合部２６（Ｌ）に対して、上層超音波接合部２６（Ｈ）は、ワイヤ配線方向下流側（図中右側）へずらして形成される。そして、カット用ボンディングポイント４１は、下層超音波接合部２６（Ｌ）および上層超音波接合部２６（Ｈ）が多層に形成された積層超音波接合部に対して、ワイヤ配線方向下流側へ所要量（例えば、１ｍｍ〜３ｍｍ程度）離した位置に設定される。カット用ボンディングポイント４１は、積層超音波接合部が形成される配線パターン１４を拡張した部分などに形成される。延長部４２は、ワイヤガイド部材２３から上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）を所要量繰り出すことによって形成される。
なお、図３に示すように、ボンディングワイヤ１５を３層以上に積層することもできる。上記した上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）および下層ボンディングワイヤ１５（Ｌ）は、上下２本のボンディングワイヤ１５間の相対的な位置関係を表したものであるため、３層以上の場合にも、上記関係は成立する（この場合、３層目のボンディングワイヤ１５には、便宜的にＴｈｉｒｄを意味する（Ｔ）を付して識別できるようにしている）。そして、ボンディングワイヤ１５を３層以上に積層する場合、複数の切断用超音波接合部４３ができることになる（例えば、切断用超音波接合部４３（Ｈ）、切断用超音波接合部４３（Ｔ））が、これらは、重ねずに、互いに位置を異ならせるようにする。特に、上層側のものほどワイヤ配線方向下流側に位置させるようにする。
＜作用効果＞この実施例によれば、以下のような作用効果を得ることができる。
下層超音波接合部２６（Ｌ）の上に上層超音波接合部２６（Ｈ）を多層に設けると共に、被接合部材（電極１２や配線パターン１４）の、上層超音波接合部２６（Ｈ）から離れた位置に切断用支持部３２としてのカット用ボンディングポイント４１を別に設定するようにした。そして、上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）の延長部４２に、カット用ボンディングポイント４１に対する切断用超音波接合部４３および切断部３１を設けるようにした。これにより、切断用超音波接合部４３のワイヤ配線方向下流側の端部近傍を、被接合部材（電極１２や配線パターン１４）のカット用ボンディングポイント４１で下側から支持した状態で切断することが可能となり、上記した作用効果に加えて、上層超音波接合部２６（Ｈ）に影響を与えることなく、上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）を正常な状態でカットする（即ち、カッター２４の刃をしっかりと食い込ませてハーフカットすると共に、安定した形状にプルカットする）ことができる。また、同一の加圧接合治具２２によって、下層ボンディングワイヤ１５（Ｌ）および上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）の超音波接合と切断とを連続して行うことができるので、高い生産効率を得ることができる。
図４〜図８は、この実施例２を示すものである。
＜構成＞以下、この実施例の構成について説明する。
（２−１）上記切断用支持部３２が、上記下層超音波接合部２６（Ｌ）を、上記上層超音波接合部２６（Ｈ）よりも長くして、上記下層超音波接合部２６（Ｌ）のワイヤ配線方向下流側の端部を、上記上層超音波接合部２６（Ｈ）のワイヤ配線方向下流側の端部よりも張り出させることによって形成された切断用張出端部５１とされる。
ここで、切断部３１は、ボンディング終了位置Ｅに形成された上層超音波接合部２６（Ｈ）のワイヤ配線方向下流側端部（図中右側）に対して設けられる。「下層超音波接合部２６（Ｌ）を、上層超音波接合部２６（Ｈ）よりも長く」は、相対的な関係を示したものであり、上層超音波接合部２６（Ｈ）を、下層超音波接合部２６（Ｌ）よりも短くすることも含まれる。このように長さを変えるために、例えば、上層超音波接合部２６（Ｈ）を形成する加圧接合治具２２ｂ（図６参照）を、下層超音波接合部２６（Ｌ）を形成する加圧接合治具２２ａ（図５参照）よりも、上記した凹溝部２８のワイヤ配線方向の長さが相対的に短いものとする。このように、凹溝部２８の長さが異なる複数本の加圧接合治具２２ａ，２２ｂは、１台の超音波接合装置２１に対して付け替えながら使用するようにしても良いし、または、使用する加圧接合治具２２ａ，２２ｂごとにそれぞれ異なる超音波接合装置２１を用いるようにしても良い。
なお、上層超音波接合部２６（Ｈ）を形成する加圧溶接合治具２２ｂを、下層超音波接合部２６（Ｌ）を形成する加圧接合治具２２ａよりも短いものにした場合、下層超音波接合部２６（Ｌ）のワイヤ配線方向上流側の端部を、上層超音波接合部２６（Ｈ）のワイヤ配線方向上流側の端部よりも張り出させることが可能となる（終了部上流側張出端部５２）。この終了部上流側張出端部５２は、後述するものと同様に、干渉防止部として利用することが可能である。
この実施例では、更に、以下のようにすることができる。
（２−２）図４に示すように、上記下層超音波接合部２６（Ｌ）および上層超音波接合部２６（Ｈ）が、ワイヤ配線方向に対し少なくとも２箇所の位置（ボンディング開始位置Ｓおよびボンディング終了位置Ｅ）に設けられる。
そして、ボンディング開始位置Ｓにおける、上記下層超音波接合部２６（Ｌ）を上記上層超音波接合部２６（Ｈ）よりも長くすると共に、上記下層超音波接合部２６（Ｌ）の少なくともワイヤ配線方向下流側の端部を、上記上層超音波接合部２６（Ｈ）の少なくともワイヤ配線方向下流側の端部よりも張り出させることによって、上記下層超音波接合部２６（Ｌ）の少なくともワイヤ配線方向下流側の端部に上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）との干渉を防止可能な開始部張出端部５４を設けるようにする。
ここで、開始部張出端部５４は、ボンディング開始位置Ｓにおける、ワイヤ配線方向上流側の端部に対しても設けることができる。
（２−３）また、図７に示すように、上記下層超音波接合部２６（Ｌ）および上層超音波接合部２６（Ｈ）は、ワイヤ配線方向に対し少なくとも３箇所以上の位置（ボンディング開始位置Ｓ、ボンディング中間位置Ｍ、並びにボンディング終了位置Ｅ）に設けることができる（いわゆる、スティッチボンディング）。
そして、このような場合に、ボンディング中間位置Ｍにおける、上記下層超音波接合部２６（Ｌ）を上記上層超音波接合部２６（Ｈ）よりも長くすると共に、上記下層超音波接合部２６（Ｌ）の少なくとも一方の端部を、上記上層超音波接合部２６（Ｈ）の同じ側の端部よりも張り出させることによって、上記下層超音波接合部２６（Ｌ）の少なくとも一方の端部に上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）との干渉を防止可能な中間部張出端部５６を設けるようにする。
なお、この実施例においても、図８に示すように、ボンディングワイヤ１５を３層以上に積層することができる。上記した上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）および下層ボンディングワイヤ１５（Ｌ）は、上下２本のボンディングワイヤ１５間の相対的な位置関係を表したものであるため、３層以上の場合にも、上記関係は成立する（この場合、３層目のボンディングワイヤ１５には、便宜的にＴｈｉｒｄを意味する（Ｔ）を付して識別できるようにしている）。
＜作用効果＞この実施例によれば、以下のような作用効果を得ることができる。
（２−１）下層超音波接合部２６（Ｌ）を上層超音波接合部２６（Ｈ）よりも相対的に長くして、下層超音波接合部２６（Ｌ）のワイヤ配線方向下流側の端部に切断用支持部３２としての切断用張出端部５１を形成した。これにより、上記した作用効果に加えて、上層超音波接合部２６（Ｈ）よりも長い下層超音波接合部２６（Ｌ）によって、上層超音波接合部２６（Ｈ）の全体が下側から支持されるので、上層超音波接合部２６（Ｈ）を安定して形成することが可能となる。また、上層超音波接合部２６（Ｈ）の切断部３１が下層超音波接合部２６（Ｌ）の切断用張出端部５１によって下側から支持されることになるので、切断部３１を安定して形成することが可能となる。
そして、下層超音波接合部２６（Ｌ）に対して、切断用支持部３２としての切断用張出端部５１を形成することにより、被接合部材（電極１２や配線パターン１４）などに別の切断用支持部３２を設ける必要がなくなるので、上層超音波接合部２６（Ｈ）周辺の構造を簡略化することができる。即ち、上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）の全長を短くしたり、超音波接合部２６の形成点数を削減したり、超音波接合部２６を形成する被接合部材を小さくしたりすることなどが可能となる。これにより、超音波接合を容易且つ確実に行って超音波接合部２６を多層化することができる。
なお、下層超音波接合部２６（Ｌ）のワイヤ配線方向上流側の端部については、干渉防止用の終了部上流側張出端部５２となることにより、上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）の、下層ボンディングワイヤ１５（Ｌ）の下層の持上部２７（Ｌ）などに対する干渉を防止することができる。
（２−２）上記に加えて、ボンディング開始位置Ｓにおける、下層超音波接合部２６（Ｌ）の少なくともワイヤ配線方向下流側の端部に、干渉防止用の開始部張出端部５４を形成した。これにより、ボンディング開始位置Ｓにおいても、下層超音波接合部２６（Ｌ）の上に上層超音波接合部２６（Ｈ）を安定して形成することが可能となると共に、上層超音波接合部２６（Ｈ）周辺の構造を簡略化しつつ、上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）の、下層ボンディングワイヤ１５（Ｌ）の下層の持上部２７（Ｌ）などに対する干渉を防止することができる。
（２−３）上記に加えて、ボンディング中間位置Ｍにおける、下層超音波接合部２６（Ｌ）の少なくとも一方の端部に、干渉防止用の中間部張出端部５６を形成した。これにより、ボンディング中間位置Ｍにおいても、下層超音波接合部２６（Ｌ）の上に上層超音波接合部２６（Ｈ）を安定して形成することが可能となると共に、上層超音波接合部２６（Ｈ）周辺の構造を簡略化しつつ、上層ボンディングワイヤ１５（Ｈ）の、下層ボンディングワイヤ１５（Ｌ）の下層の持上部２７（Ｌ）などに対する干渉を防止することができる。
以上、この発明の実施例を図面により詳述してきたが、実施例はこの発明の例示にしか過ぎないものである。よって、この発明は実施例の構成にのみ限定されるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれることは勿論である。また、例えば、各実施例に複数の構成が含まれている場合には、特に記載がなくとも、これらの構成の可能な組合せが含まれることは勿論である。また、複数の実施例や変形例がこの発明のものとして開示されている場合には、特に記載がなくとも、これらに跨がった構成の組合せのうちの可能なものが含まれることは勿論である。また、図面に描かれている構成については、特に記載がなくとも、含まれることは勿論である。更に、「等」の用語がある場合には、同等のものを含むという意味で用いられている。また、「ほぼ」「約」「程度」などの用語がある場合には、常識的に認められる範囲や精度のものを含むという意味で用いられている。
１２ 電極（被接合部材）
１４ 配線パターン（被接合部材）
１５（Ｌ） 下層ボンディングワイヤ
１５（Ｈ） 上層ボンディングワイヤ
１５（Ｔ） 三層目の上層ボンディングワイヤ
２６（Ｌ） 下層超音波接合部
２６（Ｈ） 上層超音波接合部
２６（Ｔ） 三層目の上層超音波接合部
３１ 切断部
３２ 切断用支持部
４１ カット用ボンディングポイント
４２ 延長部
４３ 切断用超音波接合部
５１ 切断用張出端部
５４ 開始部張出端部
５６ 中間部張出端部

Claims (5)

  1. 被接合部材に、下層ボンディングワイヤを超音波接合して下層超音波接合部を形成すると共に、
    該下層超音波接合部の上側に、上層ボンディングワイヤを重ねて超音波接合することにより上層超音波接合部を形成した超音波ウェッジボンディング構造であって、
    前記上層超音波接合部のワイヤ配線方向下流側に、上層ボンディングワイヤを切断して成る切断部が形成されると共に、
    該切断部の下方に、切断部を下側から支持する切断用支持部を設けたことを特徴とする超音波ウェッジボンディング構造。
  2. 請求項１に記載の超音波ウェッジボンディング構造であって、
    前記切断用支持部が、前記被接合部材における、前記下層超音波接合部および上層超音波接合部が多層に形成された位置から離して設けられたカット用ボンディングポイントとされ、
    前記上層ボンディングワイヤは、前記上層超音波接合部からワイヤ配線方向下流側へ延びる延長部に、前記カット用ボンディングポイントに対する切断用超音波接合部が形成されると共に、該切断用超音波接合部のワイヤ配線方向下流側の端部近傍に前記切断部が形成されたことを特徴とする超音波ウェッジボンディング構造。
  3. 請求項１に記載の超音波ウェッジボンディング構造であって、
    前記切断用支持部が、前記下層超音波接合部を、前記上層超音波接合部よりも長くして、前記下層超音波接合部のワイヤ配線方向下流側の端部を、前記上層超音波接合部のワイヤ配線方向下流側の端部よりも張り出させることによって形成された切断用張出端部であることを特徴とする超音波ウェッジボンディング構造。
  4. 請求項３に記載の超音波ウェッジボンディング構造であって、
    前記下層超音波接合部および上層超音波接合部が、ワイヤ配線方向に対し少なくとも２箇所の位置に設けられ、
    ボンディング開始位置における、前記下層超音波接合部を前記上層超音波接合部よりも長くすると共に、前記下層超音波接合部の少なくともワイヤ配線方向下流側の端部を、前記上層超音波接合部の少なくともワイヤ配線方向下流側の端部よりも張り出させることによって、前記下層超音波接合部の少なくともワイヤ配線方向下流側の端部に上層ボンディングワイヤとの干渉を防止可能な開始部張出端部を設けたことを特徴とする超音波ウェッジボンディング構造。
  5. 請求項３または請求項４に記載の超音波ウェッジボンディング構造であって、
    前記下層超音波接合部および上層超音波接合部が、ワイヤ配線方向に対し少なくとも３箇所以上の位置に設けられ、
    ボンディング中間位置における、前記下層超音波接合部を前記上層超音波接合部よりも長くすると共に、前記下層超音波接合部の少なくとも一方の端部を、前記上層超音波接合部の同じ側の端部よりも張り出させることによって、前記下層超音波接合部の少なくとも一方の端部に上層ボンディングワイヤとの干渉を防止可能な中間部張出端部を設けたことを特徴とする超音波ウェッジボンディング構造。
JP2014018834A 2014-02-03 2014-02-03 超音波ウェッジボンディング構造 Pending JP2015146393A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014018834A JP2015146393A (ja) 2014-02-03 2014-02-03 超音波ウェッジボンディング構造
CN201420696919.4U CN204204803U (zh) 2014-02-03 2014-11-19 超声波楔形接合构造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014018834A JP2015146393A (ja) 2014-02-03 2014-02-03 超音波ウェッジボンディング構造

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015146393A true JP2015146393A (ja) 2015-08-13

Family

ID=52662730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014018834A Pending JP2015146393A (ja) 2014-02-03 2014-02-03 超音波ウェッジボンディング構造

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2015146393A (ja)
CN (1) CN204204803U (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017059650A (ja) * 2015-09-16 2017-03-23 三菱電機株式会社 増幅器
KR20180071169A (ko) * 2016-12-19 2018-06-27 도요타지도샤가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법
WO2021013967A1 (en) 2019-07-25 2021-01-28 Abb Power Grids Switzerland Ag Power semiconductor module and method of forming the same

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004336043A (ja) * 2003-05-02 2004-11-25 Orthodyne Electronics Corp リボンボンディング
JP2007019415A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2008277751A (ja) * 2007-04-04 2008-11-13 Panasonic Corp 半導体装置の製造方法、および半導体装置
JP2009124075A (ja) * 2007-11-19 2009-06-04 Denso Corp ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング構造体
JP2011520276A (ja) * 2008-05-09 2011-07-14 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 電気的なボンディング接続構造
JP2011159933A (ja) * 2010-02-04 2011-08-18 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置およびその製造方法
WO2013049965A1 (en) * 2011-10-08 2013-04-11 Sandisk Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. Dragonfly wire bonding

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004336043A (ja) * 2003-05-02 2004-11-25 Orthodyne Electronics Corp リボンボンディング
JP2007019415A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2008277751A (ja) * 2007-04-04 2008-11-13 Panasonic Corp 半導体装置の製造方法、および半導体装置
JP2009124075A (ja) * 2007-11-19 2009-06-04 Denso Corp ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング構造体
JP2011520276A (ja) * 2008-05-09 2011-07-14 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 電気的なボンディング接続構造
JP2011159933A (ja) * 2010-02-04 2011-08-18 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置およびその製造方法
WO2013049965A1 (en) * 2011-10-08 2013-04-11 Sandisk Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. Dragonfly wire bonding

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017059650A (ja) * 2015-09-16 2017-03-23 三菱電機株式会社 増幅器
KR20180071169A (ko) * 2016-12-19 2018-06-27 도요타지도샤가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법
KR102033521B1 (ko) * 2016-12-19 2019-10-17 도요타지도샤가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법
WO2021013967A1 (en) 2019-07-25 2021-01-28 Abb Power Grids Switzerland Ag Power semiconductor module and method of forming the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN204204803U (zh) 2015-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5250656B2 (ja) バー型ｌｅｄライトの製造方法、および、この方法で製造されたバー型ｌｅｄライト
TWI458411B (zh) 電路板之製作方法
US20150255417A1 (en) Facilitating chip dicing for metal-metal bonding and hybrid wafer bonding
JP2015146393A (ja) 超音波ウェッジボンディング構造
US20200067388A1 (en) Laser welding method for stator
JP2012179631A (ja) 銅板のへり溶接方法
KR101429854B1 (ko) 벌크화 공정을 이용한 알루미늄 시트의 마찰교반 용접방법
JP2007067342A (ja) ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置
JP5540791B2 (ja) 電子部品、電子部品を備えたインバータ装置、及び電子部品の接合方法
JP5295146B2 (ja) 電力用半導体装置およびその製造方法
JP2014187818A (ja) 電力変換装置
US20140326778A1 (en) Ultrasonic wire bonding wedge with multiple bonding wire slots
JP2008085149A (ja) 半導体装置およびその配線接合方法，摩擦攪拌接合装置
JP2013004658A (ja) 電力用半導体装置及びその製造方法
JP2007150144A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2015173235A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP5922971B2 (ja) レールボンド
JP5664357B2 (ja) パワーモジュール用基板用の導体パターン部材
WO2015037112A1 (ja) レールボンド
JP2015153819A (ja) ボンディング構造、およびそのボンディング構造を実現するボンディング治具、ボンディング方法
JP2015018946A (ja) 基板回路の構造および製造方法
JP2008034783A (ja) 半導体ウエハおよび半導体チップの製造方法および半導体ウエハプローブ検査方法
WO2012053129A1 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP6265310B2 (ja) 樹脂基板構造体およびその製造方法
JP5176557B2 (ja) 電極パターンおよびワイヤボンディング方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170127

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170814

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170905

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180227