DE2100103B2 - Abgeschirmte halbleiteranordnung - Google Patents

Abgeschirmte halbleiteranordnung

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DE2100103B2 DE19712100103 DE2100103A DE2100103B2 DE 2100103 B2 DE2100103 B2 DE 2100103B2 DE 19712100103 DE19712100103 DE 19712100103 DE 2100103 A DE2100103 A DE 2100103A DE 2100103 B2 DE2100103 B2 DE 2100103B2
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Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit quaderförmigem Kunststoffgehäuse, wobei dieses Gehäuse ein erstes und ein zweites Paar jeweils einander gegenüberliegender Längsseiten sowie zwei Endflächen besitzt, ferner zwei Reihen von Anschlüssen, von denen jeweils eine Reihe aus einer der beiden gegenüberliegenden Seilen des ersten Paares von Längsseiten austritt, und mit einem länglichen Leiter im Innern des Gehäuses, der zur Befestigung einer Halbleiteranordnung dient
Eine derartige Anordnung ibt aus der US-PS 34 36 810 als sogenannter »duai-in-line«-Typ bekannt und besitzt den Vorteil, daß sie sehr klein ist, wobei eine Vielzahl elektrischer Elemente oder Schaltkreise in einem Paket von z. B. nur 6 mm χ 19 mm χ 4 mm enthalten sind; darüber hinaus können derartige Anordnungen zu einem verhältnismäßig niedrigen Preis hergestellt werden.
Der Nachteil dieser bekannten Anordnung besteht jedoch in der Schwierigkeit, eine brauchbare elektrostatische Abschirmung vorzusehen. Der Grund dafür ist darin zu sehen, daß es infolge der geringen Gesamtabmessungen der Anordnung und infolge der dichten Nachbarschaft der Einzelteile derselben schwierig ist, eine brauchbare Abschirmung vorzusehen, ohne dabei Kurzschlüsse der Einzelteile der Anordnung untereinander zu bewirken und ohne die Kosten für die Anordnung erheblich zu vergrößern.
Aus »Lehrbuch der Hochfrequenztechnik« von
F. V i 1 b i g, Bd. II, 5. Auflage, Leipzig 1958, S. 235 und 236, ist zwar die Verwendung relativ dünner Bleche oder Drahtgitter zur elektrostatischen Abschirmung von elektrischen Bauelementen als solche bekannt, jedoch nicht zur Abschirmung von Halbleiterbauelemenien der eingangs genannten Art.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiteranordnung der eingangs genannten Art zu schaffen, die unter Vermeidung von Kurzschlußmöglichkeiten eine einfach anzubringende Abschirmung aufweist.
Diese Aufgabe wird bei einer die Merkmale des Oberbegriffs des Hauptanspruchs aufweisenden Halbleiteranordnung dadurch gelöst, daß sich am länglichen Leiter vorgesehene Leiterenden durch die Endflächen des Gehäuses nach außen erstrecken, daß auf den beiden Seiten des zweiten Längsseitenpaares je ein Abs;chirmelemeni angeordnet ist, wobei die Abschirmelemente entlang der Endflächen verlaufende Endstükke aufweisen, von denen mindestens ein Endstück jedes Abschirmelementes elektrisch mit einem der Leiterenden verbunden isit, und daß mindestens ein Anschluß mit einem der Abschirmelemente verbunden und in einer der Anschlußreihen angeordnet ist.
Vorteilhafte Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Anordnung besitzen die in den Unteransprüchen enthaltenen Merkmale.
Ausführungsbeispiel:! der Erfindung werden an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 eine perspektivische Ansicht einer Halbleiteranordnung,
Fig.2 eine Ansicht der Anordnung gemäß Fig. 1, vom linken Ende der F i g. 1 her gesehen,
F i g. 3 eine der F i g;. 2 entsprechende Ansicht einer anderen Ausführungsform der Halbleiteranordnung,
Fig.4 eine Draufsicht auf die Anordnung gemäß F i g. 1 und 2, wobei der Oberteil der Hülle zum Sichtbarmachen des Innenaufbaus der Anordnung entfernt ist,
Fig.5 eine Seitenansicht einer weiteren Ausführungsform der Halbleiteranordnung.
In den F i g. 1 und 2 ist eine Halbleiteranordnung 10 dargestellt, welche eine längliche, quaderförmige Hülle 12 aufweist, welche aus; einem festen, kunststoffartigen
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Einkapselmateriai besteht Zwei Reihen von Anschlüssen 22 sind in die Hülle 12 eingebettet und durch zwei gegenüberliegende Längsseiten 14 und 16 der Hülle 12 nach außen geführt. Darüber hinaus enthält die eine Anschlußreihe zwei Anschlüsse 23 und 24, die nicht aus (kn Seiten 14 oder 16 der Hülle 12 herausragen sondern vielmehr Bestandteile von im folgenden beschriebenen, leitfähigen Elementen darstellen, welche aus den Endfiächen 34 und 36 der Hülle 12 herausragen. Wie abgebildet sind die Anschlüsse jeder Anschlußreihe gegeneinander versetzt angeordnet, und zwar derart, daß sämtliche freien Enden der Anschlüsse in die gleiche Richtung weisen, wobei die eine Hälfte der Anschlüsse einer Reihe in bezug auf die Hülle 12 etwas weiter innen angeordnet ist als die andere Hälfte der Anschlüsse derselben Reihe.
Entlang den anderen beiden Längsseiten 25 und 26 der Hülle 12 ist ein Paar elektrisch leitender, z. B. aus dünnem Metallblech bestehenden Abschirmelementen 28 und 30 angeordnet. Die Abschirmelemente 28 und 30 enthalten Endstücke 32, welche an den Endflächen 34 und 36 der Hülle 12 zunächst abwärts und dann nach außen gerichtet verlaufen. Ein Paar flacher leitfähiger Elemente 38 und 40 erstreckt sich durch die Endflächen 34 und 36 der Hülle 12 nach außen und ist sowohl elektrisch als auch mechanisch — etwa durch Schweißen oder Stecken — mit den Endstücken 32 der Abschirmelemente verbunden. Hierdurch sind die Abschirmelemente 28 und 30 an ihren Endstücken 32 elektrisch miteinander verbunden und bilden eine geschlossene elektrische Schleife um die Hülle 12 herum. Die Befestigung der Abschirmelemente 28 und 30 an den leitfähigen Elementen 38 und 40 dient außerdem dazu, die Abschirmelemente stabil an der Hülle 12: zu befestigen. Die Anschlüsse 23 und 24 sind integrale Bestandteile der leitfähigen Elemente 38 und 40 in Form von Verlängerungen derselben.
Wie oben beschrieben ist ein Teil der Anschlüsse einer jeden Anschlußreihe in bezug auf die Hülle 12 etwas weiter innen angeordnet als der andere Teil. Bei der vorliegenden Ausführungsform liegen die abgebogenen Teile der weiter innen liegenden Anschlüsse 22 mit ihren Kanten 42 (F i g. 2) ziemlich dicht an den unteren Kanten der Hülle und können die Hülle sogar berühren. Um Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen 22 und dem unteren Abschirmelement 28 zu vermeiden ist dieses Abschirmelement 28 etwas schmaler als die Hülle 12, so daß es nicht zu dicht an die Kante der Hülle heranreicht. Das andere Abschirmelement 30, welches entlang der Seitenfläche 26 der Hülle 12 und somit den abgewinkelten Anschlüssen 22 gegenüberliegend angeordnet: ist, ist breiter als das Abschirmelement 28.
Es sei hier bemerkt, daß Form und Abmessungen der Anschlüsse 22, 23 und 24 als Folge der schon erfolgten kommerziellen Nutzung von »dual-in-line«-Anordnungen der hier beschriebenen Art festgelegt bzw. genormt worden Siind. Das Hinzufügen der Abschirmelemente 28 und 30 gemäß der vorliegenden Erfindung wird deshalb vorzugsweise so vorgenommen, daß keine Änderungen an der genormten Anordnung der Anschlüsse erforderlieh wird.
Bei einer anderen Ausführungsform der Erfindung, wie sie in F i g. 3 dargestellt ist, wird die untere Hälfte A der Hülle 12 — gemessen von der Austrittslinie der Anschlußreihe aus der Hülle — in geringerer Dicke ausgeführt als die obere Hälfte B der Hülle. Hierdurch wird der Abstand zwischen den Kanten 42 der Anschlüsse und der Kante der Hülle vergrößert.
Demzufolge braucht bei dieser Ausführungsform das Abschirmelement 28 nicht schmaler zu sein als das Abschirmelement 30.
Wie in Fig.4 dargestellt, ist innerhalb der Hülle 12 ein Halbleiterplättchen 50 angeordnet, welche eine Anzahl nicht dargestellter elektrischer Elemente enthält. Das Halbleiterplättchen 50 ist auf einem dünnen, quadratischen Metall-Grundplättchen 52 angebracht, welches zusammen mit zwei dünnen, länglichen Metalleitern 54 und 56 ein einziges Bauelement darstellt. Die Leiter 54 und 56 enden in den flachen leitfähigen Elementen 38 bzw. 40, welche weiter oben beschrieben wurden und die sich durch die Endflächen 34 bzw. 36 der Hülle 12 nach außen erstrecken. Die inneren Enden der Anschlüsse 22, die in die gegossene Hülle 12 eingebettet sind, sind einzeln mit verschiedenen der elektrischen Elemente auf den Halbleiterplättchen 50 mittels feiner Drähte 58 verbunden.
Beim Betrieb der Anordnung 10 sind die mit den leitfähigen Elementen 38 und 40 eine Einheit bildenden Anschlüsse 23 und 24 im allgemeinen mit Erdpotential verbunden. Hierdurch werden die Abschirmelemente 28 und 30 gleichermaßen geerdet.
Bei anderen Ausführungsformen, wie sie im folgenden beschrieben werden, sind die beiden Abschirmelemente 38 und 40 nicht zu einer geschlossenen elektrischen Schleife zusammengeschaltet. Ein Vorteil einer derartigen Anordnung ergibt sich dann, wenn etwa das Halbleiterplättchen 50 zwei oder mehr elektrische Schaltkreise enthält, die auf erheblich voneinander abweichenden Signalniveaus arbeiten, so daß es wünschenswert ist, wilde Kopplungen zwischen den beiden Kreisen zu vermeiden. Eine Möglichkeit zur Verhinderung derartiger wilder Kopplungen besteht darin, daß man voneinander getrennte Erdanschliisse über getrennte Leitungen für jeden einzelnen der Schaltkreise vorsieht, so daß die Signale eines jeden Schaltkreises nicht über einen gemeinsamen Erdanschluß in Wechselwirkung treten können.
Ein Problem in Verbindung mit der Notwendigkeit getrennter Erdanschlüsse besteht darin, daß in einigen Fällen — etwa bei Halbleiterplättchen mit sehr komplexen integrierten Schaltungen, die viele Anschlüsse nach außen benötigen — die Gesamtzahl der nach außen führenden Anschlüsse begrenzt ist. In solchen Fällen ist es wünschenswert, die Anschlüsse 23 und 24 sowohl für die Abschirmelemente 28 und 30 als auch für die elektrischen Schaltkreise auf den Halbleiterplättchen zu verwenden. Dies vermindert die Gesamtzahl der benötigten Anschlüsse und somit auch die Herstellungskosten der Anordnung.
Wenn jedoch zwei verschiedene Erdleitungen nötig sind, sollten die Abschirmelemente 28 und 30 so angeordnet werden, daß sich keine große induktive Impedanz ergibt, die beiden Schaltkreisen gemeinsam ist und durch welche wilde Kopplungen zwischen den Schaltkreisen auftreten können. Deshalb ist bei der Ausführungsform gemäß F i g. 5 nur jeweils ein Endstück 32 von jedem der beiden Abschirmelemente 28 und 30 mit je einem der flachen leitfähigen Elemente 38 bzw. 40 an gegenüberliegenden Enden der Hülle 12 verbunden. Hierdurch wird ein Kurzschluß der Anschlüsse 23 und 24 durch die länglichen und deshalb induktiven Abschirmelemente 28 und 30 vermieden. Zwar sind die Anschlüsse 23 und 24 elektrisch untereinander über das Grundplättchen 52 verbunden, wie in Fig.4 dargestellt; doch ist die induktive Impedanz des Grundplättchens 52 so klein, daß durch
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sie nur geringe oder gar keine wilden Kopplungen zwischen den Schaltkreisen auftreten.
Bei einer anderen, nicht abgebildeten Ausführungsform wird ein Endstück 32 der beiden Abschirmelemente 28 und 30 zusammen mit einem der leitfähigen Elemente 38 oder 40 an einem Ende der Anordnung verbunden. Am anderen Ende der Anordnung werden die anderen Endstücke der Abschirmelemente elektrisch von dem zweiten elektrisch leitfähigen Element isoliert. Auch hier bilden die Abschirmelemente 28 und 30 keine geschlossene elektrische Schleife mehr.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

21 OO 103 Patentansprüche:
1. Halbleiteranordnung mit quaderförmigem Kunststoffgehäuse, wobei dieses Gehäuse ein erstes und ein zweites Paar jeweils einander gegenüberliegender Längsseiten sowie zwei Endflächen besitzt, ferner zwei Reihen von Anschlüssen, von denen jeweils eine Reihe aus einer der beiden gegenüberliegenden Seiten des ersten Paares von Längsseiten austritt, und mit einem länglichen Leiter im Innern des; Gehäuses, der zur Befestigung einer Halbleiteranordnung dient, dadurch gekennzeichnet, daß sich am länglichen Leiter (52, 54, 56) votgesehene Leiterenden (38, 40) durch die Endflächen (34, 36) des Gehäuses (12) nach außen erstrecken, daß auf den beiden Seiten (25, 26) des zweiten Längsseitenpaares je ein Abschirmelement (2Ji) bzw. (30) angeordnet ist, wobei die Abschirmelemente (28, 30) entlang der Endflächen (34, 36) verlaufende Endstücke (32) aufweisen, von denen mindestens ein Endstück jedes Abschirmelementes elektrisch mit einem der Leiterenden (38, 40) verbunden ist, und daß mindestens ein Anschluß (23 oder 24) mit einem der Abschirmelemente (28 oder 30) verbunden und in einer der Anschlußreihen angeordnet ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Endstücke (32) der Abschirmelemente an beiden Endflächen (34, 36) elektrisch mit den Leiterenden (38,40) verbunden sind, so daß sich eine geschlossene elektrische Schleife um das Gehäuse (12) herum ergibt.
3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Leiterende (38, 40) mit einem Anschluß (23 bzw. 24) versehen ist und jeweils nur ein Endstück (32) jedes Abschirmelements (28, 30) mit: einem der Leiterenden (38,40) verbunden ist, so daß die mit den Leiterenden (38, 40) verbundenen Anschlüsse (23, 24) elektrisch -.licht über die Abschirmelemente (28, 30) miteinander verbunden sind.
4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß sich sämtliche Anschlüsse (22) in die gleiche allgemeine Richtung erstrecken, und zwar auf ein Abschirmelement (28) zu und von dem anderen Abschirmelement (30) weg, und daß das erstgenannte Abschirmelement (28) schmaier ist ais das; andere Abschirmelement (30).
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß sich sämtliche Anschlüsse (22) in die gleiche allgemeine Richtung erstrecken, und zwar auf ein Abschirmelement (28) zu und von dem anderen (30) weg, und daß die Dicke des Gehäuses (12) zwischen der Austrittslinie der beiden Anschlußreihen aus dem Gehäuse und dem erstgenannten Abschirmelement (28) kleiner ist als die Dicke des Gehäuses zwischen der genannten Austrittslinie und dem anderen Abschirmelement (30).
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US (1) US3614546A (de)
JP (1) JPS4942427B1 (de)
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FR (1) FR2075958B1 (de)
GB (1) GB1282251A (de)
MY (1) MY7500147A (de)
SE (1) SE376114B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4138665A1 (de) * 1990-11-28 1992-06-04 Mitsubishi Electric Corp Halbleitereinrichtung und gehaeuse

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2116353B1 (de) * 1970-10-19 1976-04-16 Ates Componenti Elettron
US3846907A (en) * 1970-12-18 1974-11-12 B Ivanovic Continuous guidance method and apparatus for installing dip devices on circuit boards
JPS547196B2 (de) * 1971-08-26 1979-04-04
DE2514011C2 (de) * 1975-03-29 1983-10-27 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Gehäuse für ein Halbleiterelement
DE2543968A1 (de) * 1975-10-02 1977-04-07 Licentia Gmbh Integrierte schaltungsanordnung
US4177480A (en) * 1975-10-02 1979-12-04 Licentia Patent-Verwaltungs-G.M.B.H. Integrated circuit arrangement with means for avoiding undesirable capacitive coupling between leads
JPS5271168A (en) * 1975-12-11 1977-06-14 Futaba Denshi Kogyo Kk Multiidigit fluorescent display tube
JPS52120768A (en) * 1976-04-05 1977-10-11 Nec Corp Semiconductor device
JPS5387663A (en) * 1977-01-12 1978-08-02 Hitachi Ltd Protection method of semiconductor element in hybrid integrated circuit
EP0001890B1 (de) * 1977-10-12 1981-07-22 The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and Massnahmen zur Verbesserung von Gehäusen für integrierte Mikrowellen-Schaltungsanordnungen
JPS55163850A (en) * 1979-06-08 1980-12-20 Fujitsu Ltd Semiconductor device
US4393581A (en) * 1980-01-22 1983-07-19 Amp Incorporated Method of forming leads on a lead frame
US5007083A (en) * 1981-03-17 1991-04-09 Constant James N Secure computer
US4463217A (en) * 1981-09-14 1984-07-31 Texas Instruments Incorporated Plastic surface mounted high pinout integrated circuit package
JPS58159360A (ja) * 1982-03-17 1983-09-21 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS60211960A (ja) * 1984-04-06 1985-10-24 Hitachi Ltd 半導体装置
DE3430849A1 (de) * 1984-08-22 1986-03-06 Gerd 7742 St Georgen Kammerer Verfahren zur raeumlichen ausweitung der elektrischen verbindung zwischen den anschlusskontakten hochintegrierter elektronischer bauelemente und den kontaktstellen einer elektrischen anschlussvorrichtung auf einem bauelementetraeger
US4752717A (en) * 1984-08-27 1988-06-21 Edwards Industries, Inc. Shielded electroluminescent lamp
JPS61269345A (ja) * 1985-05-24 1986-11-28 Hitachi Ltd 半導体装置
SE458004C (sv) * 1987-10-09 1991-06-12 Carmis Enterprises Sa Anordning foer elektrisk avkoppling av integrerade kretsar
US4953002A (en) * 1988-03-31 1990-08-28 Honeywell Inc. Semiconductor device housing with magnetic field protection
US4907978A (en) * 1988-11-02 1990-03-13 Robinson Nugent, Inc. Self-retaining connector
US5089929A (en) * 1990-03-08 1992-02-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Retrofit integrated circuit terminal protection device
US5043534A (en) * 1990-07-02 1991-08-27 Olin Corporation Metal electronic package having improved resistance to electromagnetic interference
US5031027A (en) * 1990-07-13 1991-07-09 Motorola, Inc. Shielded electrical circuit
US5270488A (en) * 1990-07-27 1993-12-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Shield construction for electrical devices
US5446620A (en) * 1990-08-01 1995-08-29 Staktek Corporation Ultra high density integrated circuit packages
US5377077A (en) * 1990-08-01 1994-12-27 Staktek Corporation Ultra high density integrated circuit packages method and apparatus
US5475920A (en) * 1990-08-01 1995-12-19 Burns; Carmen D. Method of assembling ultra high density integrated circuit packages
EP0509065A1 (de) * 1990-08-01 1992-10-21 Staktek Corporation Gehäuse für integrierte schaltung von ultrahoher dichte, verfahren und gerät
US5367766A (en) * 1990-08-01 1994-11-29 Staktek Corporation Ultra high density integrated circuit packages method
US5119047A (en) * 1990-11-19 1992-06-02 General Dynamics Corp., Air Defense Systems Div. Stripline shielding and grounding system
US5557142A (en) * 1991-02-04 1996-09-17 Motorola, Inc. Shielded semiconductor device package
JP2887956B2 (ja) * 1991-07-11 1999-05-10 日本電気株式会社 携帯無線機
US5448450A (en) * 1991-08-15 1995-09-05 Staktek Corporation Lead-on-chip integrated circuit apparatus
US5311059A (en) * 1992-01-24 1994-05-10 Motorola, Inc. Backplane grounding for flip-chip integrated circuit
US5702985A (en) * 1992-06-26 1997-12-30 Staktek Corporation Hermetically sealed ceramic integrated circuit heat dissipating package fabrication method
US5289002A (en) * 1992-11-20 1994-02-22 Eastman Kodak Company Optical sensor and method of production
US5484959A (en) * 1992-12-11 1996-01-16 Staktek Corporation High density lead-on-package fabrication method and apparatus
US6205654B1 (en) 1992-12-11 2001-03-27 Staktek Group L.P. Method of manufacturing a surface mount package
US5369056A (en) * 1993-03-29 1994-11-29 Staktek Corporation Warp-resistent ultra-thin integrated circuit package fabrication method
US5644161A (en) * 1993-03-29 1997-07-01 Staktek Corporation Ultra-high density warp-resistant memory module
US5801437A (en) * 1993-03-29 1998-09-01 Staktek Corporation Three-dimensional warp-resistant integrated circuit module method and apparatus
US5355016A (en) * 1993-05-03 1994-10-11 Motorola, Inc. Shielded EPROM package
WO1995031826A1 (en) * 1994-05-17 1995-11-23 Olin Corporation Electronic packages with improved electrical performance
US6025642A (en) * 1995-08-17 2000-02-15 Staktek Corporation Ultra high density integrated circuit packages
US5945732A (en) * 1997-03-12 1999-08-31 Staktek Corporation Apparatus and method of manufacturing a warp resistant thermally conductive integrated circuit package
US6572387B2 (en) 1999-09-24 2003-06-03 Staktek Group, L.P. Flexible circuit connector for stacked chip module
US6608763B1 (en) 2000-09-15 2003-08-19 Staktek Group L.P. Stacking system and method
US6462408B1 (en) 2001-03-27 2002-10-08 Staktek Group, L.P. Contact member stacking system and method
KR102447435B1 (ko) * 2016-03-11 2022-09-23 삼성전자주식회사 Emi 감소를 위한 전력 전송 네트워크를 포함하는 기판과 이를 포함하는 장치들

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3274458A (en) * 1964-04-02 1966-09-20 Int Rectifier Corp Extremely high voltage silicon device
US3518494A (en) * 1964-06-29 1970-06-30 Signetics Corp Radiation resistant semiconductor device and method
US3489953A (en) * 1964-09-18 1970-01-13 Texas Instruments Inc Stabilized integrated circuit and process for fabricating same
US3387190A (en) * 1965-08-19 1968-06-04 Itt High frequency power transistor having electrodes forming transmission lines
US3465210A (en) * 1967-05-23 1969-09-02 Rca Corp Housing and lead assembly for high-frequency semiconductor devices
US3436810A (en) * 1967-07-17 1969-04-08 Jade Corp Method of packaging integrated circuits
US3520054A (en) * 1967-11-13 1970-07-14 Mitronics Inc Method of making multilevel metallized ceramic bodies for semiconductor packages
US3509430A (en) * 1968-01-31 1970-04-28 Micro Science Associates Mount for electronic component

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4138665A1 (de) * 1990-11-28 1992-06-04 Mitsubishi Electric Corp Halbleitereinrichtung und gehaeuse

Also Published As

Publication number Publication date
BE761239A (fr) 1971-06-16
US3614546A (en) 1971-10-19
MY7500147A (en) 1975-12-31
FR2075958A1 (de) 1971-10-15
SE376114B (de) 1975-05-05
FR2075958B1 (de) 1976-05-28
DE2100103A1 (de) 1971-07-15
JPS4942427B1 (de) 1974-11-14
GB1282251A (en) 1972-07-19

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