DE1539863B2 - - Google Patents

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DE1539863B2 DE1539863A DED0050685A DE1539863B2 DE 1539863 B2 DE1539863 B2 DE 1539863B2 DE 1539863 A DE1539863 A DE 1539863A DE D0050685 A DED0050685 A DE D0050685A DE 1539863 B2 DE1539863 B2 DE 1539863B2
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Description

dann Schlitze 21 eingeschnitten werden, um die einzelnen Bereiche voneinander zu isolieren. Die metallisierte Basiszuleitung erstreckt sich über ein Teilstück einer Seite, um den einen Rand des Keramikkörpers 11 herum und bildet eine Kontaktfläehe auf der gegenüberliegenden Seite desselben. Die metallisierte Kollektorzuleitung 17 bedeckt ein zweites Teilstück der ersten Seite, führt dann um den anderen Rand des Keramikkörpers herum und bildet eine Kontaktfläche auf der zur ersten Seite gegenüberliegen- ι ο den Seite des Keramikkörpers mit Schlitzen 21 zwischen den in Abstand angeordneten Emitterzuleitungen 18. Ein vorgeformtes Fertigteil 23 wird zwischen den Metallträger 12 und den Keramikkörper 11 eingeschoben und kann mit den metallisierten Emitter-Zuleitungen 18 und dem Metallträger 12 zum Herstellen einer strom- und wärmeleitenden Verbindung zwischen den Teilen verlötet oder sonstwie verbunden werden.
Nach F i g. 3 wird die Anordnung mit dem auf dem Keramikkörper 11 montierten und mit den Emitterzuleitungen 18 verlöteten vorgeformten Fertigteil 23 vorgefertigt. Danach wird ein Transistorplättchen 26 mit Emitter-, Kollektor- und Basisbereich auf die Kollektorzuleitung 17 gelegt und in geeigneter Weise damit verlötet, wodurch eine ohmsche Verbindung zwischen der Kollektorzuleitung 17 und dem Kollektor hergestellt wird.
Drähte 27 werden mit dem im Transistor gebildeten ohmschen Emitterkontakt und der Anschlußbrücke 28 des vorgeformten Fertigteils 23 verbunden. Ebenso verlaufen Drähte 29 zwischen dem ohmschen Kontakt der Basis und den benachbarten Teilen der metallisierten Basiszuleitung 16.
Es ist ersichtlich, daß die vorgefertigte Anordnung geprüft werden kann, indem der Keramikkörper auf einem Wärmeableiter befestigt und die Anordnung elektrisch geprüft wird. Erweist sie sich als einwandfrei, wird sie auf dem Metallträger 12 montiert und damit die in F i g. 1 dargestellte Anordnung hergestellt.
Aus F i g. 4 ist ersichtlich, daß eine Anordnung das im Tunnel angeordnete Transistorplättchen 26 enthält, wobei Basisanschlußdrähte 29 zur metallisierten Basiszuleitung 16 und Emitteranschlußdrähte 27 zur vorgeformten Anschlußbrücke 28 verlaufen. Die Basiszuleitung 16 und die Kollektorzuleitung 17 sind in Abstand vom Metallträger 12 angebracht, der zur Bildung des Bezugskontakts geerdet wird. Die nahe beieinanderliegenden Drähte 27, die zwischen dem Emitter und der Anschlußbrücke verlaufen, schirmen eine Seite des Tunnels gegen die andere Seite ab. Dies trifft besonders bei hohen Frequenzen zu. Der Eingangsstrom fließt dann, wie durch den Pfeil 31 angedeutet, durch die metallisierte Basiszuleitung, den Basisdraht und zurück durch den Emitter. Der Ausgangsstrom fließt in Richtung des Pfeils 32, d.h. durch die metallisierte Kollektorzuleitung und durch den gemeinsamen Emitter.
Der Metallträger mit dem Fertigteil bildet also den gemeinsamen Leiter bzw. den Masseanschluß.
Zusammenfassend wird also ein Hochfrequenz-Hochleistungstransistor gebildet, in welchem das Transistorelement einem Masseanschluß gegenüberliegt Ausgangskreis und Eingangskreis, zwischen denen eine niedrige gemeinsame Induktivität vorhanden ist, sind durch die Verbindung zwischen Emitter und Fertigteil gegeneinander abgeschirmt Damit ist eine sehr hohe Energieverstärkung bei hohen Betriebsfrequenzen möglich.
Eine Anordnung vorstehender Art läßt sich leicht als Verstärker in eine Bandleitung einbauen. Insbesondere zeigt F i g. 5 eine Bandleitung mit dem Masseanschluß 44, einem keramischen Abstandshalter 45 und den Eingangs- bzw. Ausgangsleitungen 46 bzw. 47. Bei einem Transistor gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Basiszuleitung 16a mit der Eingangsleitung 46 und die Kollektorzuleitung 17a mit der Ausgangsleitung 47 verbunden. Der Masseanschluß 44 ist mit dem Montagestift verbunden. Damit befindet sich in der Übertragungsleitung ein Verstärker in Reihenschaltung. Eingang und Ausgang werden wie oben beschrieben voneinander isoliert.
F i g. 6 zeigt eine Anordnung der in F i g. 3 wiedergegebenen Art, wobei zwischen den Emitterdrähten und der vorgeformten Anschlußbrücke 28 ein Film aus Widerstandsmaterial 80 zwischengeschaltet ist, um einen Widerstand in Reihe mit jedem der Drähte zu schaffen und den Transistor zu stabilisieren.
F i g. 7 zeigt ein Fertigteil mit einer Anschlußbrücke 81 und einem nach unten ragenden federnden Band als Anschlußverbindung 82, das einen integralen Teil der Anschlußbrücke 81 darstellt. Wird das Fertigteil mit dem keramischen Körper 83 verbunden, bildet das federnde Band 82 einen Kontakt mit der Emitterkontaktfläche auf dem Transistor, wobei zur Bildung des ohmschen Strompfades keine Drahtverlötung mehr erforderlich ist. Die Basiszuleitungen können dann, wie bei 84 dargestellt, zur Bildung der Transistoranordnungen angeschlossen werden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Hochfrequenz-Hochleistungstransistor mit Emitter-, Basis- und Kollektorzonen, bei dem die Basis- und Emitterzonen an einer Oberfläche eines Transistorplättchens liegen, das auf einem Träger montiert ist, bei dem ferner ein für Eingangs- und Ausgangskreis gemeinsamer Leiter im Abstand zur die Basis- und Emitterzone enthaltenden Seite angeordnet ist und in elektrischer Verbindung mit der Emitterzone steht, bei dem ein mit der Basiszone verbundener Leiter im Abstand zu dem gemeinsamen Leiter angeordnet ist und mit diesem eine Eingangs-Übertragungsleitung bildet, bei dem ein weiterer Leiter mit dem Kollektor verbunden im Abstand zum gemeinsamen Leiter angeordnet ist und mit diesem eine Ausgangs-Übertragungsleitung bildet, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger ein Keramikkörper (11) ist, der metallisierte, voneinander isolierte, außenliegende Bereiche aufweist, die die Kollektorzuleitung (17), die Emitterzuleitung (18) und die Basiszuleitung (16) bilden, daß das Transistorplättchen (26) auf dem Keramikkörper
(11) mit seinem Kollektor auf der Kollektorzuleitung (17) montiert ist, daß Anschlußdrähte (29,84) von der Basiszone zur Basiszuleitung (16) führen, daß der gemeinsame Leiter ein Metallträger (12) mit einer Rinne (14) ist, in der das Transistorplättchen (26) und die zugehörigen Anschlußverbindungen angeordnet sind, und daß ein Fertigteil (23) mit einer Anschlußbrücke (28,81) zwischen dem Metallträger
(12) und dem Keramikkörper (11) eingeschoben ist, daß eine Anschlußverbindung (27, 82) von der Emitterzone zur Anschlußbrücke (28, 81) vorgesehen ist, daß die Basisanschlußdrähte (29) mit dem Metallträger (12) eine Eingangsübertragungsleitung und die Kollektorzuleitung (17) mit der Anschlußbrücke (28, 81) und dem Metallträger (12) eine Ausgangsübertragungsleitung bilden.
2. Hochfrequenz-Hochleistungstransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die metallisierte Basiszuleitung (16) sich über ein Teilstück einer dem Metallträger (12) zugewandten ersten Seite des Keramikkörpers (11) erstreckt, um den Rand herumführt und eine Kontaktfläche auf der zur ersten Seite entgegengesetzten zweiten Seite desselben bildet, daß die metallisierte Kollektorzuleitung (17) ein anderes Teilstück der ersten Seite bedeckt und das Transistorplättchen (26) trägt, daß sie um den zum ersten Rand gegenüberliegenden Rand herumführt und eine Kontaktfläche auf der zur ersten Seite entgegengesetzten Seite bildet und gegen die Emitterzuleitung (18) und Basiszuleitung (16) durch die Schlitze isoliert ist.
3. Hochfrequenz-Hochleistungstransistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußverbindung zwischen der Emitterzone und der Anschlußbrücke (28) aus einer Reihe von Verbindungsdrähten (27) besteht.
4. Hochfrequenz-Hochleistungstransistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußverbindung zur Emitterzone ein integraler Teil der Anschlußbrücke (81) ist und aus einem federnden Band (82) besteht, das den Kontakt mit der Emitterzone herstellt.
Die Erfindung betrifft einen Hochfrequenz-Hochleistungstransistor, wie er im Oberbegriff des Anspruchs 1 angegeben ist.
Wenn Transistoren bei höheren Frequenzen betrieben werden, beginnen die durch den Aufbau und die Konstruktion bedingte Induktivität und Kapazität eine immer bedeutendere Rolle für den Betrieb des Transistors zu spielen. Dabei kann ein beträchtlicher Abfall oder sogar ein Ausfall der Verstärkung in ίο höheren Frequenzbereichen von einhalb bis ein Gigahertz und darüber eintreten. Bei einer Steigerung der vom Transistor umzusetzenden Leistung gewinnt außerdem die Wärmeableitung aus dem Halbleiterkörper zunehmende Bedeutung.
is Aus der US-PS 31 55 881 ist ein Hochfrequenz-Transistor bekannt, der in eine streifenförmige Übertragungsleitung mit einer Vielzahl von Leitern eingebaut ist Diese Anordnung soll eine Übertragungsleitung mit darin eingeschlossenen Leitungen angeben, wobei die Induktivitäten und Kapazitäten, die normalerweise im Zusammenhang mit der Verwendung von aktiven Bauelementen bei Hochfrequenzkreisen auftreten, verringert werden. Außerdem sollen dabei mehrere Signale / gleichzeitig und gegeneinander isoliert zur Übertragung kommen.
Die vorliegende Anmeldung zielt dagegen auf die Erstellung eines Hochfrequenz-Hochleistungstransistors mit niedriger verteilter Induktivität in der dem Eingangs- und Ausgangskreis gemeinsamen Übertragungsleitung sowie verbesserter Isolierung zwischen Eingang und Ausgang bei einfacher und billiger Bauart.
Die Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebene Erfindung gelöst.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung näher erläutert.
F i g. 1 ist die perspektivische Ansicht eines Hochfrequenz-Hochleistungstransistors gemäß der Erfindung,
F i g. 2 gibt eine auseinandergezogene Darstellung des Hochfrequenz-Hochleistungstransistors nach F i g. 1 wieder,
F i g. 3 ist die Ansicht entlang der Linie 3-3 in F i g. 1,
Fig.4 zeigt einen Schnitt entlang der Linie 4-4 in Fig. 1,
F i g. 5 zeigt einen in einem Bandleiter montierten Hochfrequenz-Hochleistungstransistor, - (
Fig.6 zeigt einen Hochfrequenz-Hochleistungstransistor mit Entkopplungswiderständen in den Emitterzuleitungen und
F i g. 7 zeigt einen Hochfrequenz-Hochleistungstransistor, in dem der Brückenanschluß in Druckkontakt mit dem Emitterbereich des auf dem Keramikkörper gelagerten Halbleiterkörpers angebracht ist.
F i g. 1 und 2 zeigen einen Hochfrequenz-Hochleistungstransistor, im folgenden kurz »Transistor« genannt, der einen auf einem Metallträger 12 gelagerten Keramikkörper 11 enthält. Der Metallträger kann einen Montagestift 13 zur Anbringung auf der Grundplatte (Sockel) einer üblichen Umhüllung oder unmittelbar auf dem zugehörigen Gerät aufweisen, wie nachstehend beschrieben wird. Der Metallträger 12 weist außerdem eine Rinne 14 auf, die zusammen mit dem Keramikkörper einen Längstunnel bildet.
Der Keramikkörper 11 besitzt metallisierte Flächen, wie die Basiszuleitung 16, die Kollektorzuleitung 17 und die Emitterzuleitung 18. Die verschiedenen (metallisierten) Leitungsflächen können beispielsweise in der Weise gebildet werden, daß die gesamte Oberfläche des Keramikkörpers mit einem Metallbelag überzogen und
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