DE1937664B2 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

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DE1937664B2 DE1937664A DE1937664A DE1937664B2 DE 1937664 B2 DE1937664 B2 DE 1937664B2 DE 1937664 A DE1937664 A DE 1937664A DE 1937664 A DE1937664 A DE 1937664A DE 1937664 B2 DE1937664 B2 DE 1937664B2
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Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit aus Metallstreifen gebildeten Leitern, einem auf einem der Leiter angeordneten Halbleiterkristall, der eine integrierte Schaltung enthält, elektrisch leitenden Verbindungen vom Halbleiterkristall zu den Leitern und einer isolierenden Kunststoffhülle, in welche die integrierte Schaltung, die leitenden Verbindungen und ein Teil der Leiter aufgenommen sind, wobei die umhüllten Leiter im wesentlichen in einer Ebene liegen.
Die Wärmeabfuhr des Kristalls, der die integrierte Schaltung enthält, geschieht bisher über den Leiter, an dem der Kristall befestigt ist. Um eine gni'>e Wärmeabfuhr zu erreichen, ist dieser Leiter breit ausgebildet, wobei er. und notwendigerweise dann auch die übrigen Leiter, die normalerweise als sogenanntes Gitter aus einem Metallstreifen gebildet sind, verhältnismäßig dick sein müssen.
Entsprechend ausgebildete Halbleiterbauelemente waren aus den französischen Patentschriften 1 530 347 und 1 484 389 bekannt. Bei diesen Bauelementen kann der den Kristall tragende Leiter an der Außenseite der Kunststofihülle liegen, mit einem besonderen Kühlblock .erbunden sein und oder ein Loch zur Befestigung an einem Kühlkörper aufweisen.
Die Herstellung des Leitergitters aus einem dicken Metallstreifen ist wesentlich schwieriger als aus einem dünnen Metallstreifen, was sich kostensteigernd auswirkt. Weiter sind der Dicke der Enden der Leiter Grenzen gesetzt, da diese Enden im allgemeinen geeignet sein müssen, in kleine öffnungen einer Montageplatte eingeführt zu werden. Mit der bekannten Ausbildung der Halbleiterbauelemente ist es daher in vielen Fällen schwierig, wenn nicht unmöglich, eine ausreichende Wärmeabfuhr vom Kristall zu erreichen, insbesondere bei integrierten Schaltungen für eine verhältnismäßig große elektrische Leistung.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei Halbleiterbauelementen der eingangs genannten Art die im Kristall entstehende Wärme möglichst gut abzuführen und dabei die Nachteile, die sich aus der Verwendung von dicken Leitern ergeben, möglichst zu vermeiden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgeniäß dadurch gelöst, daß der Halbleiterkristall auf einem dünnen Leiter befestigt ist, der einen Teil eines ersten, ebenfalls aus dünnen Leitern bestehenden Leitersatzes bildet, wobei der den Halbleiterknstall tragende Leiter, an der vom Halbleiterkristal! abgewandten Seite, mit einem Block aus wärmeleitendem Material versehen ist, der erste Leitersatz mit dem Halbleiterkristall und dem Block in eine erste Kunststoffhülle aufgenommen ist. derart, daß eine Außenseite des Blokkes an einer Außenseite der ersten Kunststoffhülle liegt, die Anschlüsse des ersten Leitersatzes an einem zweiten Satz streifenförmiger Leiter, die dicker sind als die Leiter des ersten Leitersatzes, befestigt sind und die erste Kunststoffhülle und ein Teil des zweiten Leitersatzes in eine zweite Kunststoffhülle aufgenommen sind.
Um bei einem solchen Halbleiterbauelement die Wärmeabfuhr besonders zu erhöhen, kann mit der Außenseite des Blockes eine wärmeleitende Platte verbunden sun, die mindestens teilweise in die zweite Kunststoffhülle aufgenommen ist. Die Außenseitc der wärmeleitenden Platte kann dabei mit einer Außenfläche der zweiten Kunststoffhülle zusammenfallen.
Weiter können die Enden der mit der Außenseite des Blockes verbundenen wärmeleitenden Platte aus der zweiten Kunststoffhülle herausragen und die herausragenden Enden zur Befestigung der wärmeleitenden Platte an einem Kühlkörper ein Loch aufweisen. Das Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung, das mit zwei Leitersätzen versehen ist, zeichnet sich gegenüber den bekannten Bauelementen dadurch aus, daß es gestattet, beim ersten Leitersatz sehr feine Leiterenden vorzusehen, die eine sehr geringe Dicke haben können und daher mit größerer Form-
genaiiigkeit herstellbar sind. Der zweite Leitersatz kann dann sehr viel dicker sein, ist folglich leichter zu hantieren und die einzelnen Leiter haben trotzdem eine ausreichende Steifigkeit.
Weiter ist es durch die Verwendung von zwei L Kunststoffhüllen möglich, die von der Umhüllung verlangten Eigenschaften, wie Dichtigkeit, mechanische Festigkeit und elektrische Isolation auf beide Hüllen aufzuteilen, wobei z. B. von der inneren Hülle eine gute Abdichtung bewirkt wird und die äußere ic Hülle die erforderliche mechanische Festigkeit des Bauelementes gewährleistet. Dabei brauchen z. G. bei der äußeren Hülle, bei der :ie Abstände zwischen den einzelnen Leitern größer sind, die Isolationswerte nur geringeren Anforderungen zu genügen als bei der inneren Hülle. Der geringere Materialbedarf für die innere Hülle gestattet es zudem, für diese Hülle ein aufwendiges Material zu verwenden, ohne daß dadurch die Gesamtkosten des Bauelementes nennenswert erhöht werden.
Schließlich kann durch die konstruktive Gestaltung der wärmeableitenden Elemente die Wärmeableitung praktisch allen Erfordernissen angepaßt und gleichzeitig die innere Hülle stets unverändert ausgebildet werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen
Fig. 1,2 und 3 eine Draufsicht und zwei Seitenansichten einer ersten Ausführungsform eines Halbleiterbauelementes,
F i o. 4 einen Schnitt entlang der Linie IV-IV in F i g. 5.
F i g. 5 eine Ansicht einer Teilzusammenstellung aus Leitern, Kristall und dem wärmeleitenden Block, das Ganze in Kunststoff eingebettet,
Fig. 6 und7 eine Draufsicht bzw. Seitenansicht eines zweiten Leitersatzes mit einer Kühlplatte, auf der die Teilzusammenstellung nach F i g. 4 und 5 befestigt ist,
F i g. 8 und 9 eine Draufsicht bzw. Seitenansicht einer zweiten Ausführungsfnrm eines Halbleiterbauelementcs.
Fig. 10 eine Ansicht einer weiteren Ausführungsform,
F i g. 11 eine Ansicht einer weiteren Ausführungsform.
Di- Fig. 1,2 ur.d 3 zeigen ein Halbleiterbauelement mit einer integrierten Schaltung. Im dargestellten Ausführungsbeispiel weist dieses Flalbleiterbauelement zehn elektrische Leiter 2 auf. Die Hülle 3 besteht aus einem isolierenden Kunststoff. Weiter ist eine in der Kuriststoffhülle eingebettete Kühlplatte 4 vorhanden, die zwei Löcher 5 enthält. Ein Halbleiterbauelement, bei dem die Leiter 2 abgewinkelt sind und in zwei Reihen liegen, wird allgemein als »dual in line« bezeichnet.
Die F i g. 4 und 5 zeigen eine Teilzusammenstellung, d. h. einen gesondert herzustellenden Teil des Halbleiterbauelementes nach Fig. 1 bis3. Diese Teilzusammenstellung enthält flache metallene Leiter 6 und 7, die beispielsweise aus einem Streifen Fernico von 0,1 mm Stärke geätzt sind. Diese miteinander verbundenen Leiter werden als Gitter bezeichnet. An den Leitern 6 befindet sich ein verbreiteter Teil 10, auf dem ein Kristall 8 befestigt ist. Dieser Kristall kann beispielsweise aus einer Siliziumplatte bestehen, in der auf dem Fachmann bekannte Weise eine integrierte Schaltung angebracht ist. Der Kristall kann beispielsweise mittels einer Gold-Silizium1, erbindung auf dem verbreiterten Teil 10 der Leiter 6 befestigt sein. Mit Hilfe von Drähten 9. beispielsweise aus Gold oder Aluminium, sind die Kontaktstellen der integrierten Schaltung mit den Leitern 7 verbunden. Mit der vom Kristall abgewandten Seite des verbreiterten Teils 10 ist ein Kupferblock 11 verlötet, beispielsweise mittels eines Blei-Zink-Lotes. Die Leiter 6. 7. der Kristall 8 und der Kupferblock ! 1 sind in eine isolierende Hülle 12 aus Kunststoff aufgenommen, wobei die Außenseite des Kupferblockes mit der Außenfläche 13 dieser Hülle 12 gerade zusammenfällt.
In den Fig. 6 und 7 ist. die endgültige Form des Halbleiterbauelementes nach F i g. 1 bis 3 dargestellt. wobei die Kunststoffteile 3 gestrichelt angegeben ist und die Leiter 2 nicht abs· vinkelt sind. Die Leiter 2 können wieder als ein zusammenhängendes Ganzes, das sogenannte Gitter, aus einem Streifen Fernico mit einer Dicke von 0,25 mm gebildet sein. Auf den einwärts gerichteten Enden der Leiter! sind die aus !er Kunststoffhülle 12 hinausragenden Enden der Leiter 7 befestigt. An der Seite 13 der Hülle 12. dort, wo der Kupferblock 11 an die Hüllenoberfläche tritt, ist eine Aluminiumplatte 4 mit Hilfe eines nicht dargestellten wärmeleitenden Klebstoffes am Blöckchen 11 befestigt. Der leitende Klebstoff kann beispielsweise aus einem feinverteiltes Silber enthaltenden Epoxydharz bestehen. In der Aluminiumplatte 4 sind zwei Zungen 16 gestanzt, um eine gute Einbettung der Platte 4 in der Kunststoffhülle 3 zu erreichen.
Bei der beschriebenen Ausführungsform des Halbleiterbauelementes ist es auf einfache Weise möglich geworden, eine sehr gute Abfuhr der im Kristall entstandenen Wärme zu erhalten. Dies ist im wesentlichen der Tatsache zu verdanken, daß die Wärmeabfuhr nicht mittels der Leiter 6 zu geschehen braucht. Mittels des gesonderten Kühlclementes, das sich hauptsächlich außerhalb der Ebene, in der die elektrischen Leiter liegen, erstreckt, wird eine äußerst effektive Wärmeabfuhr gewährleistet. Die dargestellte Ausführungsform ist insbesondere von Bedeutung für die Abkühlung eines Kristalls mit einer integrierten Schaltung für eine verhältnismäßig hohe elektrische Leistung. Die Kühlung des Kristalls kann optimal werden, wenn zwischen dem Kristall und dem Fernicoleitero eine Molybdänplatte angeordnet wird. Die Kühlplatte 4 kann beispielsweise mit Hilfe von Bolzen, die durch die Löcher 5 gesteckt werden können, auf einem Körper mit einer großen Kühloberfläche oder an einem wärmeleitenden Stieifen befestigt werden. Der Kupferblock Il befindet sich unmittelbar an der Unterseite des Kristalls, was für einen guten und schni.'ilen Wärmetransport günstig ist.
In den Fig. 8 und 9 ist ein Halbleiterbauelement dargestellt, das auf nahezu gleiche Weise wie das an Hand der Fig. 1 bis 7 beschriebene Halbleiterbauelement aufgebaut ist. Die aus Aluminium bestehende Kühlplatte ist hier mit der Bezugsziffer 20 bezeichnet. Die Kühlplatte 20 ragt bei dieser Ausführungsform nicht aus der Hülle 3 hinaus. Da die Außenoberfläche der Kühlplatte 20 mit einer Außenoberfläche der Hülle 3 nahezu zusammenfällt, ist auch bei dieser Ausführungsform eine gute Wärmeabfuhr gewährleistet, wenn auch etwas weniger als bei der Ausbildung nach den F ig. 1, 2, 3. Das Halbleiterbauelement nach den F i g. 8 und 9, das sich in
seiner äußeren Gestalt von einem Halbleiterbauelement, in dem keine besonderen Maßnahmen zur Kühlung des Kristalls getroffen wurden, nicht unterscheidet, eignet sich daher zur Verwendung bei integrierten Schaltungen, für eine nicht zu große elektrische Leistung. Wenn die an die Wärmeabfuhr zu stellenden Anforderungen verhältnismäßig gering sind, ist gegebenenfalls nur die Verwendung des Kupferblockes 11 (s. F i g. 10) ausreichend, und der Aluminiumstreifen kann fortgelassen werden. Es dürfte weiter einleuchten, daß die aus Aluminium bestehende Kühlplatte nicht den Leitern parallel zu liegen braucht und daß beispielsweise auch eine Kühlplatte 22 mit einer Form, wie dies in F i g. 11 dargestellt ist, verwendbar ist. Weiter kann sowohl für den Block 11 als auch für die Kühlplatte jedes gewünschte, gut wärmeleitende Material gewählt werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Halbleiterbauelement mit aus Metallstreifen gebildeten Leitern, einem auf einem der Leiter angeordneten Halbleiterkristall, der eine integrierte Schaltung enthält, elektrisch leitenden Verbindungen vom Halbleiterkristall zu den Leitern und einer isolierenden Kunststoffhülle, in welche die integrierte Schaltung, die leitenden Verbindungen und ein Teil der Leiter aufgenommen sind, wobei die umhüllten Leiter im wesentlichen in einer Ebene liegen, dadurch i; ~ kennzeichnet, daß der Halbleiterkristall (8) auf einem dünnen Leiter (6) befestigt ist, der einen Teil eines ersten, ebenfalls aus dünnen Leitern bestehenden Leitersatz (6, 7) bildet, wobei der den Ha'L'.eiterkristall (8) tragende Leiter (6), an der vom Halbleiterkristal! abgewandten Seite, mit einem Block (11) aus wärmeleitendem Material versehen ist, der erste Leitersatz (6, 7) mit dem Halbleiterkristall (8) und dem Block (11) in eine erste Kunststoffhülle (12) aufgenommen ist, derart, daß eine Außenseite (1.3) des Blockes (11) an einer Außenseite der ersten Kunststoffhülle
(12) liegt, die Anschlüsse des ersten Leitersatzes (6 ,7) an einem zweiten Satz streifenförmiger Leiter (2). die dicker sind als die Leiter des ersten Leitersatzes (o, 7), befestigt sind und die erste Kunststoffhülle (12) ".nd ei' Teil des zweiten Leitersatzes (2) in eine Tweite Kiinststoffhülle (3) aufgenommen sind.
2. Halbleiterbauelement nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, daß mit der Außenseite
(13) des Blockes (11) eine wärmeleitende Platte (4) verbunden ist, die mindestens teilweise in die zweite Kunststoffhüüe (3) aufgenommen ist.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Außenseite der wärmeleitenden Platte (4), die mit der Außenseite (13) des Blockes (11) verbunden ist, mit einer Außenfläche der zweiten Kunststoffhülle (3) zusammenfällt.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Enden der mit der Außenseite (13) des Blockes (11) verbundenen wärmeleitenden Platte (4) aus der zweiten Kiinststoffhülle (3) hinausragen und die hinausragenden Enden zur Befestigung der wärmeleitenden Platte (4) an einem Kühlkörper ein Loch (5) aufweisen.
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DE1937664A1 DE1937664A1 (de) 1970-02-05
DE1937664B2 true DE1937664B2 (de) 1973-11-22
DE1937664C3 DE1937664C3 (de) 1978-11-30

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3212442A1 (de) * 1981-04-06 1982-11-04 International Rectifier Corp., Los Angeles, Calif. Gehaeuseanordnung mit paarweise miteinander ausgerichteten leitungsanschluessen, insbesondere zur kapselung von halbleiterbauteilen

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2116353B1 (de) * 1970-10-19 1976-04-16 Ates Componenti Elettron
DE2107786C3 (de) * 1971-02-18 1983-01-27 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven Halbleiterbauelement
US3767839A (en) * 1971-06-04 1973-10-23 Wells Plastics Of California I Plastic micro-electronic packages
US3721747A (en) * 1972-03-15 1973-03-20 Coilcraft Inc Dual in-line package
IT960675B (it) * 1972-06-03 1973-11-30 Ates Componenti Elettron Assemblaggio per produzione di circuiti integrati con conteni tore di resina
US3836825A (en) * 1972-10-06 1974-09-17 Rca Corp Heat dissipation for power integrated circuit devices
US3801728A (en) * 1972-10-20 1974-04-02 Bell Telephone Labor Inc Microelectronic packages
US3922712A (en) * 1974-05-01 1975-11-25 Gen Motors Corp Plastic power semiconductor flip chip package
DE2712543C2 (de) * 1976-03-24 1982-11-11 Hitachi, Ltd., Tokyo Anordnung eines Halbleiterbauelements auf einer Montageplatte
IN148328B (de) * 1977-04-18 1981-01-17 Rca Corp
JPS53132975A (en) * 1977-04-26 1978-11-20 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS592364B2 (ja) * 1979-04-27 1984-01-18 富士通株式会社 集合抵抗モジユ−ル
IT1218271B (it) * 1981-04-13 1990-04-12 Ates Componenti Elettron Procedimento per la fabbricazione di contenitori in plastica con dissipatore termico per circuiti integrati e combinazione di stampo e dissipatori utilizzabile con tale procedimento
US4496965A (en) * 1981-05-18 1985-01-29 Texas Instruments Incorporated Stacked interdigitated lead frame assembly
EP0206771B1 (de) * 1985-06-20 1992-03-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Verkapselte Halbleiteranordnung
US5049976A (en) * 1989-01-10 1991-09-17 National Semiconductor Corporation Stress reduction package and process
US5596231A (en) * 1991-08-05 1997-01-21 Asat, Limited High power dissipation plastic encapsulated package for integrated circuit die
US6613978B2 (en) * 1993-06-18 2003-09-02 Maxwell Technologies, Inc. Radiation shielding of three dimensional multi-chip modules
US5872395A (en) * 1996-09-16 1999-02-16 International Packaging And Assembly Corporation Bent tip method for preventing vertical motion of heat spreaders during injection molding of IC packages
DE19638438A1 (de) 1996-09-19 1998-04-02 Siemens Ag Durch Feldeffekt steuerbares, vertikales Halbleiterbauelement
US6368899B1 (en) * 2000-03-08 2002-04-09 Maxwell Electronic Components Group, Inc. Electronic device packaging
US7382043B2 (en) * 2002-09-25 2008-06-03 Maxwell Technologies, Inc. Method and apparatus for shielding an integrated circuit from radiation
US7191516B2 (en) * 2003-07-16 2007-03-20 Maxwell Technologies, Inc. Method for shielding integrated circuit devices
TWI268732B (en) * 2004-12-16 2006-12-11 Au Optronics Corp Organic light emitting device
DE102019115500A1 (de) * 2019-06-07 2020-12-10 OSRAM CONTINENTAL GmbH Anordnung und Verfahren zur Herstellung einer Anordnung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3212442A1 (de) * 1981-04-06 1982-11-04 International Rectifier Corp., Los Angeles, Calif. Gehaeuseanordnung mit paarweise miteinander ausgerichteten leitungsanschluessen, insbesondere zur kapselung von halbleiterbauteilen

Also Published As

Publication number Publication date
AT312686B (de) 1974-01-10
ES369959A1 (es) 1971-07-16
FR2014777A1 (de) 1970-04-17
SE355260B (de) 1973-04-09
NL157456B (nl) 1978-07-17
NL6810761A (de) 1970-02-03
DE1937664A1 (de) 1970-02-05
DK123553B (da) 1972-07-03
GB1271576A (en) 1972-04-19
DE1937664C3 (de) 1978-11-30
BE736743A (fr) 1970-01-29
US3646409A (en) 1972-02-29
CH506883A (de) 1971-04-30

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