DE1937664C3 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

Info

Publication number
DE1937664C3
DE1937664C3 DE1937664A DE1937664A DE1937664C3 DE 1937664 C3 DE1937664 C3 DE 1937664C3 DE 1937664 A DE1937664 A DE 1937664A DE 1937664 A DE1937664 A DE 1937664A DE 1937664 C3 DE1937664 C3 DE 1937664C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
conductors
thermally conductive
semiconductor component
block
outside
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE1937664A
Other languages
English (en)
Other versions
DE1937664B2 (de
DE1937664A1 (de
Inventor
Arie Baelde
Joannes Joseph Van Hout
Johannes Theodorus Van De Water
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1937664A1 publication Critical patent/DE1937664A1/de
Publication of DE1937664B2 publication Critical patent/DE1937664B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1937664C3 publication Critical patent/DE1937664C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Ein Halbleiterbauelement einer solchen Art ist aus der US-PS 32 83 224 bekannt
Weiter sind aus den FR-PS 15 30 347 und 14 84 389 Halbleiterbauelemente bekannt, bei denen der den Halbleiterkristall tragende Leiter an der Außenseite einer Kunststoffhülle liegt, mit einem besonderen Kühlblock verbunden ist, und/oder ein Loch zur Befestigung an einem Kühlkörper aufweist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1 so auszubilden, daß ein mit dem Block aus einem wärmeleitendem Material versehener Teil des Bauelements gesondert hergestellt werden kann und dann bei der endgültigen Fertigstellung — je nach den Anforderungen an die Wärmeabfuhr — in der MuRpren I Imhiilluns eeeebenenfalls weitere, der Wärmeabfuhr dienende Teile angesehen werden können, die mit dem Block zusammenwirken.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im Kennzeichen des Anspruchs 1 genannten Merkmale gelöst
Weiterbildungen des Halbleiterbauelements nach der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Das Halbleiterbauelement nach der Erfindung, das mit zwei Leitersätzen versehen ist, hat gegenüber den ίο bekannten Bauelementen den Vorteil, daß es gestattet, beim ersten Leitersatz sehr feine Leiterenden vorzusehen, die eine sehr geringe Dicke haben können, und daher mit größerer Formgenauigkeit herstellbar sind. Der zweite Leitersatz kann dann sehr viel dicker sein, ist folglich leichter zu hantieren, und die einzelnen Leiter haben trotzdem eine ausreichende Steifigkeit
Weiter ist es durch die Verwendung von zwei Kunststoffhüllen möglich, die von der Umhüllung verlangten Eigenschaften, wie Dichtigkeit, mechanische Festigkeit und elektrische fsolation auf beide Hüllen aufzuteilen, wobei z. B. von der inneren Hülle eine gute Abdichtung bewirkt wird und die äußere Hülle die erforderliche mechanische Festigkeit des Bauelements gewährleistet Dabei brauchen z. B. bei der äußeren Hülle, bei der die Abstände zwischen den einzelnen Leitern größer sind, die Isolationswerte nur geringeren Anforderungen zu genügen als bei der inneren Hülle. Der geringere Materialbedarf für die innere Hülle gestattet es zudem, für diese Hülle ein aufwendiges Jo Material zu verwenden, ohne daß dadurch die Gesamtkosten des Bauelementes nennenswert erhöht werden.
Schließlich kann durch die konstruktive Gestaltung der wärmeableitenden Elemente die Wärmeableitung r> praktisch allen Erfordernissen angepaßt und gleichzeitig die innere Hülle stets unverändert ausgebildet werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden ■to näher beseht ieben. Es zeigen
F i g. 1,2 und 3 eine Draufsicht und zwei Seitenansichten einer ersten Ausführungsform eines Halbleiterbauelementes,
F i g. 4 einen Schnitt entlang der Linie IV-IV in F i g. 5, Fig.5 eine Ansicht einer Teilzusammenstellung aus Leitern, Kristall und dem wärmeleitenden Block, das Ganze in Kunststoff eingebettet,
F i g. 6 und 7 eine Draufsicht bzw. Seitenansicht eines zweiten Leitersatzes mit einer Kühlplatte, auf der die r>o Teilzusammenstellung nach F i g. 4 und 5 befestigt ist,
F i g. 8 und 9 eine Draufsicht bzw. Seitenansicht einer zweiten Ausführungsform eines Halbleiterbauelementes,
Fig. 10 eine Ansicht einer weiteren Ausführungsv> form.
F i g. 11 eine Ansicht einer weiteren Ausführungsform.
Die F i g. 1,2 und 3 zeigen ein Halbleiterbauelement 1
mit einer integrierten Schaltung. Im dargestellten
w) Ausführungsbeispiel weist dieses Halbleiterbauelement 1 zehn elektrische Leiter 2 auf. Die Hülle 3 besteht aus einem isolierenden Kunststoff. Weiter ist eine in der
Kunststoffhülle eingebettete Kühlplatte 4 vorhanden,
die zwei Löcher 5 enthält. Ein Halbleiterbauelement, bei
<·■'< dem die Leiter 2 abgewinkelt sind und in zwei Reihen liegen, wird allgemein als »dual in line« bezeichnet.
Die Fig. 4 und 5 zeigen eine Teilzusammenstellung, d.h. einen gesondert herzustellenden Teil des Halb-
leiterbauelementes 1 nach F i g. 1 bis 3. Diese Teilzusam-1?. enstellung enthält flache metallene Leiter 6 und 7 die beispieiswei.se aus einem Streifen einer Fe-Ni-Co-Legierung von 0,1 mm Stärke geätzt sind. An den Leitern 6 befindet sich ein verbreiterter Teil 10, auf dem ein Kristall 8 befestigt ist Dieser Halbleitirkristall kann beispielsweise aus einer Siliziumplatte bestehen, in der auf dem Fachmann bekannte Weise eine integrierte Schaltung ausgebildet ist Der Kristall kann beispielsweise mittels isner Gold-Siliziumverbindung auf dem verbreiterten Teil 10 der Leiter 6 befestigt sein. Mit Hilfe von Drähten 9, beispielsweise aus Gold oder Aluminium, sind die Kontaktstellen der integrierten Schaltung mit den Leitern 7 verbunden. Mit der vom Kristall abgewandten Seite des verbreiterten Teils 10 ist ein Kupferblock 11 verlötet, beispielsweise mittels eines Blei-Zink Lotes. Die Leiter 6, 7, der Kristall 8 und der Kupferblock U sind in eine isolierende erste Hülle 12 aus Kunststoff aufgenommen, wobei die Außenseite des Kupferblockes mit der Außenseite 13 dieser Hülle 12 in einer Ebene liegt
In den Fig.6 und 7 sind weitere Einzelheiten des Halbleiterbauelementes nach F i g. 1 bis 3 dargestellt, wobei die Kunststoffhülle 3 gestrichelt angegeben ist und die Leiter 2 nicht abgewinkelt sind. Die Leiter 2 können wieder als ein zusammenhängendes Ganzes aus einem Streifen der Fe-Ni-Co-Legierung mit einer D.icke von 0,25 mm gebildet sein. Auf den einwärts gerichteten Enden der Leiter 2 sind die aus der Kunststoffhülle 12 hinausragenden Enden der Leiter 7 befestigt. An der Seite 13 der Hülle 12, dort, wo der Kupferblock 11 an die Hüllenoberfläche tritt, ist eine Kühlplatte 4 aus Aluminium mit Hilfe eines nicht dargestellten wärmeleitenden Klebstoffes am Block 11 befestigt. Der leitende Klebstoff kann beispielsweise aus einem feinverteiltes Silber enthaltenden Epoxydharz bestehen. In der Kühlplatte 4 sind zwei Zungen 16 gestanzt um eine gute Einbettung der Platte 4 in der zweiten Kunststoffhülle 3
zu erreichen.
Die Kühlplatte 4 kann beispielsweise mit Hilfe von Bolzen, die durch die Löcher 5 gesteckt werden können, auf einem Körper mit einer großen Kühloberfläche oder an einem wärmeleitenden Streifen befestigt werden. Der Kupferblock 11 befindet sich an der Unterseite des Kristalls, was für einen guten und schnellen Wärmetransport günstig ist
In den Fig.8 und 9 ist ein Halbleiterbauelement dargestellt, das auf nahezu gleiche Weise wie das an Hand der F i g. 1 bis 7 beschriebene Halbleiterbauelement aufgebaut ist Die aus Aluminium bestehende Kühlplatte ist hier mit der Bezugsziffer 20 bezeichnet Die Kühlplatte 20 ragt bei dieser Ausführungsform nicht über die zweite Hülle 3 hinaus. Da die Außenoberfläche der Kühlplatte 20 mit einer Außenoberfläche der Hülle 3 nahezu zusammenfällt, ist auch bei dieser Ausführungsform eine gute Wärmeabfuhr gewährleistet wenn auch etwas weniger als bei der Ausbildung nach den Fig. 1, 2, 3. Das Halbleiterbauelement nach den Fig.8 und 9, das sich in seiner äußeren Gestalt von einem Halbleiterbauelement, in dem keine besonderen Maßnahmen zur Kühlung des Kristalls getroffen wurden, nicht unterscheidet, eignet sich daher zur Verwendung bei integrierten Schaltungen, für eine nicht große elektrische Leistung. Wenn die an die Wärmeabfuhr zu stellenden Anforderungen verhältnismäßig gering sind, ist gegebenenfalls nur die Verwendung des Kupferblokkes 11 (s. F i g. 10) ausreichend, und die Kühlplatte kann fortgelassen werden. Es dürfte weiter einleuchten, daß die aus Aluminium bestehende Kühlplatte nicht den Leitern parallel zu liegen braucht und daß beispielsweise auch eine Kühlplatte 22 mit nach außen abgewinkelten Endteilen, wie dies in F i g. 11 dargestellt ist, verwendbar ist. Weiter kann sowohl für den Block 11 als auch für die Kühlplatte jedes gewünschte, gut wärmeleitende Material gewählt werden.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Halbleiterbauelement mit einem eine integrierte Schaltung enthaltenden Halbleiterkristall, der auf einem Leiter eines aus Metallstreifen gebildeten ersten Leitersatzes befestigt ist, wobei dieser Leiter auf seiner dem Halbleiterkristall abgewandten Seite mit einem Block aus wärmeleitendem Material versehen ist, bei dem die Leiter des ersten Leitersatzes mit den Leitern eines zweiten Leitersatzes verbunden sind und bei dem der Halblciterkristall, der erste Leitersatz, Teilstücke der Leiter des zweiten Leitersatzes und der Block aus wärmeleitendem Material mit zwei Obereinanderliegenden isolierenden Kunststoffhüllen versehen sind, aus denen Teilstücke der Leiter des zweiten Leitersatzes herausragen, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkristall (8) mit den übrigen Leitern (7) des ersten Leitersatzes (6, 7) mit Drähten (9) verbunden ist, daß der Halbleiterkristall (8), nur Teilstücke der Leiter des ersten Leitersatzes (6, 7) und der Block (If) aus wärmeleitendem Material so in die erste Kunststoffhülle (12) aufgenommen sind, daß eine Außenseite des Blockes an einer Außenseite (13) der Kunststoffhülle (12) liegt, und daß die aus der ersten Kunststoffhülle (12) herausragenden Enden der Leiter (6,7) des ersten Leitersatzes an den einwärts gerichteten Enden des zweiten Leitersatzes (2) befestigt sind.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mit der Außenseite des Blockes (11) eine wärmeleitende Platte (4) verbunden ist, die mindestens teilweise in die zweite Kunststoffhülle (3) aufgenommen ist
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Außenseite der wärmeleitenden Platte (4) mit einer Außenseite der zweiten Kunststoffhülle (3) zusammenfällt.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Enden der wärmeleitenden Platte (4) aus der zweiten Kunststoffhülle (3) hinausragen und die hinausragenden Enden zur Befestigung der wärmeleitenden Platte (4) an einem weiteren Kühlkörper je ein Loch (5) aufweisen.
DE1937664A 1968-07-30 1969-07-24 Halbleiterbauelement Expired DE1937664C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL6810761.A NL157456B (nl) 1968-07-30 1968-07-30 Halfgeleiderinrichting in een isolerende kunststofomhulling.

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1937664A1 DE1937664A1 (de) 1970-02-05
DE1937664B2 DE1937664B2 (de) 1973-11-22
DE1937664C3 true DE1937664C3 (de) 1978-11-30

Family

ID=19804247

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1937664A Expired DE1937664C3 (de) 1968-07-30 1969-07-24 Halbleiterbauelement

Country Status (11)

Country Link
US (1) US3646409A (de)
AT (1) AT312686B (de)
BE (1) BE736743A (de)
CH (1) CH506883A (de)
DE (1) DE1937664C3 (de)
DK (1) DK123553B (de)
ES (1) ES369959A1 (de)
FR (1) FR2014777A1 (de)
GB (1) GB1271576A (de)
NL (1) NL157456B (de)
SE (1) SE355260B (de)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2116353B1 (de) * 1970-10-19 1976-04-16 Ates Componenti Elettron
DE2107786C3 (de) * 1971-02-18 1983-01-27 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven Halbleiterbauelement
US3767839A (en) * 1971-06-04 1973-10-23 Wells Plastics Of California I Plastic micro-electronic packages
US3721747A (en) * 1972-03-15 1973-03-20 Coilcraft Inc Dual in-line package
IT960675B (it) * 1972-06-03 1973-11-30 Ates Componenti Elettron Assemblaggio per produzione di circuiti integrati con conteni tore di resina
US3836825A (en) * 1972-10-06 1974-09-17 Rca Corp Heat dissipation for power integrated circuit devices
US3801728A (en) * 1972-10-20 1974-04-02 Bell Telephone Labor Inc Microelectronic packages
US3922712A (en) * 1974-05-01 1975-11-25 Gen Motors Corp Plastic power semiconductor flip chip package
DE2712543C2 (de) * 1976-03-24 1982-11-11 Hitachi, Ltd., Tokyo Anordnung eines Halbleiterbauelements auf einer Montageplatte
IN148328B (de) * 1977-04-18 1981-01-17 Rca Corp
JPS53132975A (en) * 1977-04-26 1978-11-20 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS592364B2 (ja) * 1979-04-27 1984-01-18 富士通株式会社 集合抵抗モジユ−ル
US4642419A (en) * 1981-04-06 1987-02-10 International Rectifier Corporation Four-leaded dual in-line package module for semiconductor devices
IT1218271B (it) * 1981-04-13 1990-04-12 Ates Componenti Elettron Procedimento per la fabbricazione di contenitori in plastica con dissipatore termico per circuiti integrati e combinazione di stampo e dissipatori utilizzabile con tale procedimento
US4496965A (en) * 1981-05-18 1985-01-29 Texas Instruments Incorporated Stacked interdigitated lead frame assembly
EP0206771B1 (de) * 1985-06-20 1992-03-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Verkapselte Halbleiteranordnung
US5049976A (en) * 1989-01-10 1991-09-17 National Semiconductor Corporation Stress reduction package and process
US5596231A (en) * 1991-08-05 1997-01-21 Asat, Limited High power dissipation plastic encapsulated package for integrated circuit die
US6613978B2 (en) * 1993-06-18 2003-09-02 Maxwell Technologies, Inc. Radiation shielding of three dimensional multi-chip modules
US5872395A (en) * 1996-09-16 1999-02-16 International Packaging And Assembly Corporation Bent tip method for preventing vertical motion of heat spreaders during injection molding of IC packages
DE19638438A1 (de) * 1996-09-19 1998-04-02 Siemens Ag Durch Feldeffekt steuerbares, vertikales Halbleiterbauelement
US6368899B1 (en) * 2000-03-08 2002-04-09 Maxwell Electronic Components Group, Inc. Electronic device packaging
US7382043B2 (en) * 2002-09-25 2008-06-03 Maxwell Technologies, Inc. Method and apparatus for shielding an integrated circuit from radiation
US7191516B2 (en) * 2003-07-16 2007-03-20 Maxwell Technologies, Inc. Method for shielding integrated circuit devices
TWI268732B (en) * 2004-12-16 2006-12-11 Au Optronics Corp Organic light emitting device
DE102019115500A1 (de) * 2019-06-07 2020-12-10 OSRAM CONTINENTAL GmbH Anordnung und Verfahren zur Herstellung einer Anordnung

Also Published As

Publication number Publication date
BE736743A (fr) 1970-01-29
FR2014777A1 (de) 1970-04-17
AT312686B (de) 1974-01-10
US3646409A (en) 1972-02-29
NL157456B (nl) 1978-07-17
CH506883A (de) 1971-04-30
DK123553B (da) 1972-07-03
DE1937664B2 (de) 1973-11-22
ES369959A1 (es) 1971-07-16
NL6810761A (de) 1970-02-03
GB1271576A (en) 1972-04-19
DE1937664A1 (de) 1970-02-05
SE355260B (de) 1973-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1937664C3 (de) Halbleiterbauelement
DE1615957C3 (de)
DE68911644T2 (de) Schutzdiode gegen Überstrom.
DE4444599A1 (de) Subminiatur oberflächenmontierte Schaltungssicherung
DE2818080A1 (de) Verkapselte halbleitereinrichtung
DE2314247B2 (de) Halbleiteranordnung mit einer biegsamen isolierenden Folie
DE1815989A1 (de) Halbleiter-Anordnung
DE4004737A1 (de) Elektronische baueinheit mit elektrisch isolierter waermeableitung
DE1951583A1 (de) Halbleitervorrichtungen mit einem laenglichen Koerper aus formbarem Material
DE2653833A1 (de) Halbleitervorrichtung
EP0338447A2 (de) Vorrichtung zur Wärmeabfuhr von Bauelementen auf einer Leiterplatte
DE4335946C2 (de) Anordnung bestehend aus einer Leiterplatte
DE2061603A1 (de) Halbleiteraufbau
DE3887480T2 (de) Chipkondensator und Verfahren zur Herstellung.
DE2639979A1 (de) Halbleiterbaueinheit
DE3211541A1 (de) Stromschiene hoher kapazitanz
DE4423561C2 (de) Oberflächenmontage-Elektronikbauteil mit Schmelzsicherung und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE2536957C2 (de) Elektronisches Bauelement
EP0841668A1 (de) Elektrischer Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2253627A1 (de) Elektrisches bauelement in mikrotechnik, vorzugsweise halbleiterbauelement
DE3930858C2 (de) Modulaufbau
DE19523364B4 (de) Leiterplatte
DE3205650C2 (de) Leistungsgleichrichteranordnung
DE1801073A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauteilen
DE2755404A1 (de) Halbleiteranordnung

Legal Events

Date Code Title Description
SH Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee