DE1815989A1 - Halbleiter-Anordnung - Google Patents
Halbleiter-AnordnungInfo
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Description
SEMIKRON Ges. f. Gleichrichterbau u. Elektronik mbH.
8500 Nürnberg , Wiesentalstraße hO
Telefon 0911/3301^1, 33I8I3 - Telex 06/22155
Datum: 17· Dezember I968
1 O Ί 5 υ 0 9 Unser Zeichen: I 1368O6
Halbleiter - Anordnung
Bauteile für Halbleiter-Anordnungen, insbesondere Gehäuse oder
Hüll- und Trägerkörper, aus Kunststoff-Gleß- oder Preßmassen
haben sich für den Aufbau und zur Herstellung von Halbleiter-Anordnungen als sehr vorteilhaft erwiesen. M
Halbleiter-Anordnungen mit vollständig in Isolierstoff eingebetteten
Halbleiterkörpern zeigen jedoch in vielen Fällen ein durch die Eigenschaften des Isolierstoffs bedingtes, ungünstiges, thermisches
Betriebsverhalten und sind häufig nur begrenzt überlastungsfähig.
Es sind Ausführungsformen bekannt, bei denen diese Nachteile
durch flächenhafte Verbindung des Kunststoffgehäuses mit einem metallischen Kühlbauteil, durch Überbemessung sämtlicher Einzelteile
der Anordnung zwecks Erhöhung der Wärmekapazität, durch Beimengung von die Wärmeleitung erhöhenden Zusätzen zum Isolier- ^
stoffmaterial oder durch Einbettung von Kühlfahnen in die Kunststof
f umhüllung, und zwar in möglichst gerlgem Abstand zur Oberfläche,
vermindert werden. Vielfach führen jedoch auch solche zusätzlichen Maßnahmen nicht zu dem gewünschten Ergebnis und erfordern
überdies insbesondere bei Halbleiter-Bauelementen für geringe Strombelastbarkeit einen oft unerwünschten, technischen
und wirtschaftlichen Aufwand, welcher die beim Aufbau und bei der Fertigung solcher Halbleiter-Bauelemente gegebenen Vorzüge
weitgehend ausgleicht«
Halbleiter-Anordnungen, die einen gleichzeitig als Gehäuseunterteil
dienenden Trägerkörper für die Halbleitertablette und ein
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BAo orte«**-
SEMiKRON % 1815983
Gesellschaft f. Gleichrichterbau u. Elektronik mbH. Blatt 2
Kunststoff-Gehäuseoberteil aufweisen, sind im Hinblick auf die Ausbildung des Trägerkörpers und auf seine Verbindung mit TIaIbleitertabletten
mittlerer oder hoher Strombelastbarkeit vielfach sehr aufwendig. Bei Betriebsbeginn solcher Anordnungen können
infolge unterschiedlicher Wärmedehnung der Gehäuseteile und schnellerer Erwärmung des Trägerkörpers mechanische Spannungen
im Kunststoff-Gehäuseoberteil auftreten. Schließlich sind solche Halbleiter-Anordnungen in Anwendungsfällen, bei denen der HaIbleiter-Trägerkörper
kein elektrisches Potential führen darf, nicht verwendbar.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Halbleiter-Anordmmgen
mit einem Isolierstoffgehäuse zu schaffen, bei denen die den bekannten
Ausführungsformen anhaftenden Nachteile nicht gegeben
sind, jedoch die mit der Verwendung von Bauteilen aus Isolierstoff verbundenen Vorteile gewahrt bleiben.
Die Erfindung betrifft eine Halbleiter-Anordnung, bei der eine
oder mehrere Halbleitertabletten in gewünschter elektrischer Anordnung auf einem gleichzeitig als Gehäuseunterteil dienenden
Keramikträgerkörper befestigt und zusammen mit Teilen von Stromleitungsanschlüssen
in einem das Gehäuseoberteil bildenden Kunststoff fest eingeschlossen sind.
Die deutsche Patentschrift 1 021 U9I beschreibt ein Verfahren
zur Herstellung einer Halbleiter-Anordnung, bei der die Stromleiterteile
eines zwischen Platten aus Keramik angeordneten Halbleiterkörpers durch diese Platten vakuumdicht geführt werden, und
bei der ein solcher Aufbau allseitig mit einer Isoliermasae, vorzugsweise
mit einem Wachs umhüllt ist. Die Anordnung soll jedoch die Aufgabe lösen, das Eindringen von Feuchtigkeit entlang den
Stromleiterteilen zum Halbleiterkörper zu vermeiden. Eine Vorbesserung
der Ableitung der Verlustleistungswärme ist mit dem vorgeschlagenen Aufbau nicht zu erzielen.
Weiter wurde vorgeschlagen, die Stroraleiterteile von Halbleiterkörpern,
die eine Gleichrichterschaltung bilden und in einem
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Keramikbecher angeordnet sind, durch metallisierte Bohrungen in
einer Seite des Bechers nach außen zu führen und den Becher mit einem Harz auszugießen. Auch diesem Lösungsvorschlag lag dieselbe
Aufgabe zugrunde, den schädlichen Einfluß von entlang den Stromleiterteilen eindringender Feuchtigkeit auf den Halbleiterkörper
zu vermeiden. Die der Erfindung gestellte Aufgabe wird mit den vorgeschlagenen Anordnungen nicht gelöst.
Die Erfindung besteht darin, daß der Trägerkörper plattenförmig
ausgebildet ist, aus einer im Betriebstemperaturbereich der Halbleiter-Anordnung thermisch gut leitenden, elektrisch isolierenden
Oxidkeramik besteht und an vorbestimmten Randzonen konzentrisch verlaufende Ausbildungen oder Aussparungen aufweist, ™
daß der Trägerkörper auf einer Fläche metallisiert ist und auf der entgegengesetzten Fläche zu seiner thermischen Kontaktierung
plan ausgebildet und geeignet oberflächenbehandelt ist, und daß das Kunststoff-Gehäuseoberteil die Ausbildungen des Trägerkörpers
umschließt oder in die Aussparungen des Trägerkörpers eingreift und mit diesem mechanisch fest verbunden ist.
Anhand der in den Figuren 1 bis h dargestellten Ausführungsbeispiele
sind Aufbau und Wirkungsweise des Gegenstandes der Erfindung aufgezeigt und erläutert. In Figur 1 ist im Querschnitt,
und zwar in einem Schnitt entlang der Linie AB nach Figur 2, eine Halbleiter-Anordnung dargestellt, in Figur 2 in Draufsicht ä
eine ungekapselte" Gleichrichter-Brückenschaltung mit einem Aufbau
gemäß Figur 1, in Figur 3» ebenfalls in Draufsicht, eine Drehstrom-Brückenschaltung und in Figur M ein Halbleiter-Gleichrichterelement
für hohe Strombelastbarkeit. Für gleiche Teile sind in allen Figuren jeweils gleiche Bezeichnungen gewählt. In
Figur 1 bezeichnet 1 einen plattenförmigen Isolierstoff-Trägerkörper
aus elektrisch isolierender, thermisch gut leitender Oxidkeramik, lieispielsweise aus Aluminiumoxid oder Berylliumoxid.
Die xintere Fläche des Trägerkörpers 1 ist zur Erzielung nines
guten thermischen Kontaktes mit angrenzenden Kühlbauteilen plan ausgebildet und geeignet behandelt. Die dieser entgegengesetzte
obere Fläche ist zur Aufnahme von Halbleitertabletten 3 metal Ii-
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S IO MIKRO N If
Gesellschaft f. Gleichrichterbau u. Elektronik tnbTT. P.lntt
si ort und ,je nach Anordnung und Anzahl der Ilalbloitortabletton
out sprechend unterteilt. An wenigstens zwei, vorzugsweise einander
gegenüberliegenden Stirnseiten besitzt der Trägerkörper I oine stegförmige Ausbildung 1a, die zur ineinandergreifenden
f es ton Verbindung mit einem Isolierstof f-ITüllkörper 5 dient.
Auf der oder den Metallisierungen 2 ist ,je nach Schaltung und/oder
gewünschter Strombelastbarkeit eine Anzahl Ilalbleitertablotten
fest aufgebracht, vorzugsweise gelötet, und mittels eines oder mehrerer Stromleitungsbauteile h zu einer entsprechenden elektrischen
Anordnung kontaktiert. Diese Anordnung ist mit einer Kunststoff
umhüllung 5 umgeben, welche den Trägerkörper 1 bis unterhalb <]er Ausbildungen 1a umschließt und dadurch eine feste Verbindung
der beiden Gehäuseteile 1 und 5 gewährleistet. Zu diesem
Zweck weist der Trägerkörper an den für die Verbindung mit dem Kunststoff vorgesehenen Flächenabschnitten eine geeignete Oberflächenrauhigkeit
auf.
Der Trägerkörper 1 kann vieleckig oder rund ausgebildet sein und anstelle der stegförrnigen Ausbildungen 1a auch gleichermaßen
verlaufende stegförmige Aussparungen aufweisen. Weiterhin können
die Ausbildungen 1a auch mit derjenigen Kante abschließend verlaufen, welche der metallisierten Fläche zugeordnet ist.
Zur Erzielung von Halbleiter-Gleichrichter-Anordnungen in gewünschter
Schaltung und mit gedrängtem Aufbau sind die Tlalbleitertabletten in unterschiedlicher elektrischer Polling angeordnet.
Zur weitgehend flächenhaften Befestigung auf der jeweils
zugeordneten Kontaktelektrode einer oder mehrerer Ilalbleitertabletten
3 sind die Stromleitungsteile h geeignet, beispielsweise bogenförmig und bedarfsweise abgeflacht ausgebildet. Die
erfindungsgemäße Anordnung 1st zur optimalen Ableitung der Verlustleistungswärme
über die plane untere Fläche des Trägerkörpers
1 auf einem angepaßt geformten Kühlblech 6 befestigt.
Figur 2 zeigt in Draufsicht die in Figur 1 dargestellte Anordnung,
jedoch ohne Kungtstoffumhüllung 5, Als Ausführungsboispiol ist
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SEMIKRON 4Γ
Gesellschaft f, Gleichriebterbau u,, Elektronik mbH« Blatt 5
eine Gleichrichter-Brückenschaltung gewählt. Dazu sind je zwei
Halbleitertabletten 3 a^f jeder der beiden durch einen entsprechenden
Isolatiofisspal'c 7 getrennten streifenförmigen Metallisierungen
2 in entsprechendes* elektrischer Polung angeordnet. Die die Wechselstromanscblüase bildenden Stromleitungsteile h
sind in ihren freiliegenden Abschnitten innerhalb der Anordnung sur Wahrung ein@s ausreichenden Xsolationsafostandes gegenüber
Teilen mit anderem ©lektriscben Potsnti&X entsprechend geführt
und verlaufen vorzugsweise parallel aus einer Stirnseite der Anordnung,,
An gösigneter Stell© an dem dan Wechselstromanschlüssen
abgewandten Ende der Metallisierungen. 2 ist je ein Stromleitungs- ύ
teil 899 in Anordnung und Richtung vorzugsweise mit dem jeweils
gegenüberliegenden Loiterteil h übereinstimmend^ fest am metallisierten
Trägerkörper angebracht und bildet einen Gleic'tistromanschlußo
Zu einer guten, flächsnhaften Verbindung dar Leiterteile
8 und 9 mit der»! metallisierten Trägerkörpar 1 dient beispielsweise
jeweils ©ine entsprechend metallisiert© Bohrung zum Einsteckan
oder eine Kerb© zum Einlegen das Leiterendes.
Der Trägerkörper 1 kann je nacb Bemessung und Verwendungszweck
an einer oder einander g@geniibsrliegenden Stirnseiten jeweils
einen plattenförmigen Ansats 10 mit einem Befeatigungsloch 11
aufweisen, wie dies durch Strlchelung in Figur 2 angedeutet ist.
Zur Vermeidung mechanischer Spannungen bei der Befestigung sind ™
in Anbetracht der geringen Biegespannungsfestigkeit des Keramiknsaterials
gegebenenfalls besondere Maßnahmen vorzusehen,
Xn Figur 3 ist ein© Dreiphas©n«=BEiickensclialtung 12 nach Art des
in Figur 2 dargestellten Aiifbauss einer Halbleiter-Anordnung
gaseigt» Die Metallisierungen 2 bilden jeweils einen gemeinsamen
Pol für- die Strosaleiterteilo 8 und 9.
D©r Aufbau von ©rfiachangsgemäßan Halbl©iter-A?iordnungen ist
nichfc auf die aufguss θ igt ®xi Aijsfüh rungs bei spiel© beschränk!;, sondarn
in. entsprechender Weise für sämtliche TIalbleiter°*Gleichricb
te rs cha I tungen sotri© -isur Kombination mit unteraohiedlichen
Halbleiter—Bauelementen "and für die Anordnung einer- odor mehrerer
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SEMIKRON $
Schaltungen auf einem Trägerkörper geeignet. Die Stromleiterteile für eine oder mehrere Schaltungen bzw. für ein oder mehrere
Halbleiter-Bauelemente können nach Belieben geführt und angeordnet sein. Weiterhin ist der erfindungsgemäße Aufbau auch für
Halbleiter-Bauelemente hoher Strombelasfcbarkeit günstig. In Figur
U ist ein Ausführungsbeispiel dafür dargestellt. Die stegförmige
Ausbildung 1a gemäß der Darstellung in Figur 1 ist an der oberen Kante des Trägerkörpers 1 angeordnet. Auf der Metallisierung
2 der oberen Fläche des Trägerkörpers ist die in an sich bekannter Weise z.B» aus einer Halbleitertablefcte lhv einer
Kontaktronde 15» beispielsweise aus Molybdän, sowie aus dem oberen
Stromleitungsanschluß mit einem Kontaktstück 16 und einem
Litzenleiter 17 bestehende Anordnung aufgebracht. Zur Kontaktierung
der Halbleitertablette an ihrer mit dem Trägerkörper 1 verbundenen
Fläche dient ein Stromleitungsteil 18, welches beispielsweise in dem zur Kontaktierung vorgesehenen Abschnitt ringförmig
ausgebildet und, die Halbleitertablette vorzugsweise umschließend, auf der metallisierten Fläche fest aufgebracht ist. Dieser Aufbau
ist in einer der Anordnung gemäß Figur 1 und ihrem Einsatz entsprechenden Weise in ein gieß·* oder preßfähiges Isoliermaterial
5 eingeschlossen. Die Befestigung eines solchen Halbleiter-Bauelements
auf einem metallischen KUhlbauteil ist dieselbe, wie sie bei bekannten, sogenannten Flachbodentypen von Hochleistungs-Halbleiter-Gleichrichterelementen
vorgesehen ist. Der in Figur h dargestellte Aufbau zeigt besonders dadurch Vorteile, daß der
metallische, nach Herstellung und weiterer Behandlung teuere Grundkörper der bekannton Ausführungsformen und weiterhin die
üblicherweise zwischen Grundkörper und Halbleitertablette notwendige
Ronde aus Molybdän oder Wolfram sowie eine Anzahl der im Zusammenhang mit diesen Bauteilen erforderlichen Verfahrensachritte
entfallen.
Zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Halbleiter-Anordnung
werden auf der oder den metallisierten Flächen eines geeignet ausgebildeten Trägerkörpere eine oder mehrere Halbleitertabletten
in einer durch die gewünschte Bauelementenschaltung vorgegebenen
elektrischen Polung aufgebracht, vorzugsweise aufgelötet.
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SEMIKRON φ.
Weiterhin werden nach bekannten Verfahren die Stromleiterteile h
sowie 8 und 9 mittels Vorrichtungen sowohl mit der oder den metallisierten Flächen 2 als auch mit der oder den freien Kontaktelektroden
der Halbleitertabletten fest verbunden. Im Anschluß daran wird die Anordnung in eine aushärtbare Gieß- oder Preßmasse
eingebettet, welche bedarfsweise zur Erhöhung der Wärmeleitfähigkeit
geeignete Zusätze enthalten kann. Die Stromleiterteile werden zur Einhüllung in die Isolierstoffmasse entsprechend fixiert,
um an der fertigen Halbleiter-Anordnung einwandfrei in einem gewünschten gegenseitigen Abstand geführte Leitungsanschlüsse zu
gewährleisten.
Zur wirtschaftlichen Massenfertigung von Halbleiter-Anordnungen
kann der Trägerkörper beispielsweise leistenförmig hergestellt sein und in jeweils gleichem Abstand senkrecht zur Längsachse
an einer seiner Breitseiten streifenförmige Vertiefungen 13 aufweisen,
wie sie in Figur 3 durch Strichelung angedeutet sind, so daß nach gleichzeitiger Durchführung der vorbeschriebenen
Fertigungsschritte auf den metallisierten Flächen des Trägerkörpers und nach dem Durchtrennen desselben entlang den Aussparungen
13 eine entsprechende Anzahl fertiger Anordnungen vorliegt. Diese vorteilhafte rationelle Fertigung ist sowohl bei Halbleiter-Anordnungen
kleiner Strombelastbarkeit mit mehreren Bauelementen als auch bei Halbleiter—Gleichrichter-Bauelementen mittlerer und hoher Strombelastbarkeit anwendbar. ™
Die Vorteile der erfindungsgemäßen Anordnung bestehen darin, daß
durch Verwendung eines als Grundkörper und Gehäuseunterteil dienenden Trägerkörpers einfachster Ausbildung aus Metalloxid die
Ableitung der Verlustleistungswärme in einer Intensität gegeben ist, wie sie angenähert auch bei Verwendung von metallischen
Trägerkörpern besteht, und daß durch unmittelbare Befestigung einer gewünschten Anzahl von Halbleitertabletten und durch deren
Umhüllung zusammen mit ihren Stromleiterteilen mit einem aushärtbaren Kunststoff ein überraschend einfacher, wirtschaftlicher
und mechanisch stabiler Aufbau von Halbleiter-Anordnungen
der unterschiedlichsten Ausführungsformen gegeben ist.
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Claims (1)
- SEMIKRON Ges. f. Gleichrichterbau u. Elektronik mbH.8500 Nürnberg, Wiesentalstraße ^iO Telefon 0911/3301^1, 331813 - Telex 06/22155Datum: 17. Dezember I968 Unser Zeichen: I I368O6Patent - Ansprüche1. Halbleiter-Anordnung, bei der eine oder mehrere Halbleitertabletten in gewünschter elektrischer Anordnung auf einem gleichzeitig als Gehäuseunterteil dienenden Keramikträgerkörper befestigt und zusammen mit Teilen von Stromleitungsanschlüssen in einem das Gehäuseoberteil bildenden Kunststoff fest eingeschlossen sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper plattenförmig ausgebildet ist, aus einer im Betriebstemperaturbereich der Halbleiter-Anordnung thermisch gut leitenden, elektrisch isolierenden Oxidkeramik besteht und an vorbestimmten Randzonen konzentrisch verlaufende Ausbildungen oder Aussparungen aufweist, daß der Trägerkörper auf einer Fläche metallisiert ist und auf der entgegengesetzten Fläche zu seiner thermischen Kontaktierung plan ausgebildet und geeignet oberflächenbehandelt ist, und daß das Kunststoff-Gehäuseoberteil die Ausbildungen des Trägerkörpers umschließt oder in die Aussparungen des Trägerkörpers eingreift und mit diesem mechanisch fest verbunden ist.2. Halbleiter—Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper vieleckig oder rund ausgebildet ist und aus Aluminiumoxid oder Berylliumoxid besteht.3. Halbleiter-Anordnung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erhabenen und/oder vertieften Ausbildungen der Mantelfläche des Trägerkörpers vieleckigen oder runden Querschnitt aufweisen.h. Halbleiter-Anordnung nach Anspruch 1 bis 3t dadurch gekcmnzeichnet, daß die erhabenen und/oder vertieften Ausbildungen009827/0927 _:2_BAD ORIGINALSEMIKRON §Gesellschaft■ f , Gleichrichterbaia Up_ Elektronik mbH« Blatt 2auf einander gegenüberliegenden Abselmitten der Mantelfläche des Trägerkörpers angsordnet sisid05o Halbleiteranordnung nach Anspnicb 40 dadmtrefe gekennzeichnet, daß die erhabenen und/oder vertieften A'asbildraigen in sieb geschlossen sind06. Halbleiteranordnung nach Asasp:raen 1 bia 5s dadurcb gekenn«- zeichnetf daß siir Bildtrag einer vos*b©istii!!Eiät©2i G-Io i cli ri elite rs cbaltung zwei oder msibr Halbleite^^CJ-lelcfericlitai'eleEiante entsprechender Strombelastbarksit in sisurvcsllcs.- ©I@ktris3o|3ex· Polusig "and g&<~ genseitlges? elektrischer VerbindiaWg atif° dsis 'Zeramiktrslgei^korp.ejr angeordnet sind5 una daß einander angeordneta Stromleitungsan-Schlüsse bedarfsweise einen sum Eifasats In Leiterplatten geeigneten Leiterabstand aufweisen,,7o Halbleit©T-=Anordnung nacli Anspruch 1 bis 5 s dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Trägerkifrper eine Halbleitertablette hoher Strombelastbarkeit angeordnet ist und daß auf der Metallisierung des Trägerkörpers ein Stromleiter? suv Kontaktierung der ©inen Seite der Halbleitertablette und auf der freien Kontaktelektrode der Halbleitertablett© ein weiter©^ Stromleiter befestigt und dieser Aufbau in entsprechender Waise in eine Isoliermasse eingeschlossen ist. .BAD 009827/0927Leerseite
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19681815989 DE1815989A1 (de) | 1968-12-20 | 1968-12-20 | Halbleiter-Anordnung |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19681815989 DE1815989A1 (de) | 1968-12-20 | 1968-12-20 | Halbleiter-Anordnung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1815989A1 true DE1815989A1 (de) | 1970-07-02 |
Family
ID=5716894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19681815989 Pending DE1815989A1 (de) | 1968-12-20 | 1968-12-20 | Halbleiter-Anordnung |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JPS4926267B1 (de) |
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