DE1614364C3 - Verfahren zur Montage eines Halbleiter-Kristallelementes - Google Patents
Verfahren zur Montage eines Halbleiter-KristallelementesInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Montage eines Halbleiter-Kristallelementes, bei welchem das
Krislallelement in einer vorbestimmten Lage auf einem Unterlagekörper angeordnet wird, Kontaktstücke in
Eingriff mit Kontaktflächen des Kristallelementes gebracht werden und die Kontaktstücke, das Kristallelement
und der Unterlagekörper gegenseitig bleibend festgelegt werden.
Aus der Zeitschrift »The Bell System Technical Journal«, Bd. 45, Nr. 2, Februar 1966, Seiten 233 bis 253,
und aus der Zeitschrift »Proceedings of the IEEE«, Bd. 53, Nr. 4 (April 1965), Seite 405 ist die sogenannte
Beam-Lead-Technik bekannt, nach welcher ein in einem Halbleitersubstrat ausgebildetes Halbleiterbauelement
mit über den Rand des Halbleitersubstrates hinausragenden balkenförmigen Leitern kontaktiert wird, die
nicht nur dem elektrischen Anschluß, sondern auch der mechanischen Halterung des Bauelementes dienen. Die
Leiterbalkcn werden dazu mit dem nietallbeschichteten
Substrat verbunden, wozu kein eutektisches Lötverfahren erforderlich ist. Das Beam-Lead-Verfahren läßt sich
jedoch nur zur Kontaktierung von Halbleiterbauelementen anwenden, die in dem Substrat selbst ausgebildet
sind, während sich die Erfindung auf solche Bauelemente bezieht, bei denen das Kristallelement
vom Unterlagekörper zunächst getrennt ist und erst auf diesem festgelegt werden soll. Ferner ist es aus dem
DE-GM 19 15 166 bekannt, Dünnschichtschaltungen mit
ίο an die Ränder des Schaltungsplättchens herangeführten
Kontaktflächen zu kontaktieren, indem kammartige Kontaktstreifen mit den »Zinken« auf die Kontaktflächen
aufgelötet werden. Durch anschließendes Abschneiden des Verbindungsstreifens für die Zinken
werden die einzelnen Kontaktstreifen elektrisch voneinander getrennt.
Zur Montage eines Gleichrichterelementes ist es bekannt (britische Patentschrift 9 75 573), das Gleichrichterelement
auf eine mit Schwalbenschwanzvor-Sprüngen versehene Grundplatte aufzulöten und einen
elastischen Kapselungsblock, der von einem metallischen Anschlußstück durchgesetzt ist und Schwalbenschwanznuten
aufweist, auf die Grundplatte derart aufzuschieben, daß das innere Ende des metallischen
Anschlußstückes auf das Kristallelement drückt und einen Kontakt zu ihm herstellt. Ferner ist es aus der
deutschen Auslegeschrift 10 82 983 bekannt, einen Stapel aus tablettenförmigen Gleichrichterelementen
an seinen Enden mit Kontaktstücken zu versehen und
jo mit einem Stück zähplastischen Kunststoffschlauches zu überziehen, der durch Einbringen in eine geheizte
Preßform zu der gewünschten Umhüllung geformt und ausgehärtet wird. Beim Umgießen von Halbleitergleichrichtern
ist es aus der deutschen Patentschrift 11 38 480
ir> ferner bekannt, gleichzeitig Kühlbleche in die Umhüllung
mit einzugießen. Andererseits ist auch ein Montageverfahren bekannt (deutsche Auslegeschrift
10 63 714), bei welchem zwei Stapel von Halbleitergleichrichtern nebeneinander in ein vorgeformtes
ao Isolationsteil auf zwei metallische Kontaktstücke eingesetzt werden und auf ihren oberen Seiten durch ein
metallisches Kontaktstück elektrisch leitend miteinander verbunden werden. Beiderseits dieses Aufbaus
werden Endplatten angefügt, um die herum ein
Verschluß-Blechstück gebogen wird, welches den ) ganzen Aufbau zusammenhält.
Im Gegensatz zu diesen bekannten Anordnungen besteht die Aufgabe der Erfindung in der Angabe eines
Verfahrens zur Montage von Halbleiter-Kristallelemen-
5(1 ten, die eine größere Kontaktzahl aufweisen und die
insbesondere bei einer automatisch erfolgenden. Massenherstellung exakt und sicher kontaktiert werden
sollen, wobei die Gefahr von Kurzschlüssen oder Fehlkontaktierungen weitgehend vermieden werden
soll. Diese Probleme treten bei den bekannten Gleichrichterelementen, welche nur zwei Anschlüsse
aufweisen, nicht auf. Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs erwähnten Art erfindungsgemäß
dadurch gelöst, daß ein die Kontaktstücke als integralen Bestandteil aufweisendes Kontaktbauteil fest ;
auf das auf dem Unterlagekörper angeordnete Kristal- j lelement aufgesetzt und an dem Unterlagekörper '
befestigt wird, daß die Kontaktstücke mit den Kontaktflächen des Kristallelementes mechanisch verbunden
werden, daß Teile des Kontaktbauteiis von dem i Unterlagekörper wieder abgetrennt werden, derart, daß j
die mit dem Kristallelement verbundenen Kontaktstükke als Anschlußfahnen nach außen wegraeen. :
Fertigungstechnisch läßt sich einmal das Kristallelement
genau auf dem Unterlagekörper fixieren und zum anderen läßt sich auch das Kontaktbauteil sehr genau
gegenüber dem Unterlagekörper fixieren, so daß die ■ Kontaktstücke exakt auf den Kontaktflächen des
Kristallelementes aufsitzen, ohne daß die Gefahr von Fehlkontaktierungen bestünde. Diese drei Bauelemente
werden mechanisch so gegenseitig festgelegt, daß bestimmte Teile des Kontaktbauteiis wieder abgetrennt
werden können und die restlichen Teile als mit den Kontaktflächen des Kristallelementes verbundene Anschlußfahnen
verbleiben. Da die Kontaktflächen des Kristallelementes vor der Zertrennung des Kontaktbauteiles
über diese zunächst alle miteinander verbunden sind, ist auch die Gefahr von elektrischen Beschädigungen
durch aus irgendeinem Grunde induzierte Störspannungen während dieses Montageschrittes ausgeschaltet.
In besonderer Ausgestaltung der Erfindung kann man bei der Montage so vorgehen, daß das Kristallelement
zunächst nicht gegenüber dem Unterlagekörper festgelegt ist, sondern mit Hilfe des Kontaktbauteiles
zwischen den Kontaktstücken und dem Unterlagekörper festgeklemmt wird. Dadurch läßt sich eine
besondere Montagehalterung für die endgültige Verbindung dieser drei Bauteile entbehren. Die gegenseitige
Festlegung dieser drei Bauteile kann dadurch erfolgen, daß das Kristallelement, ein Teil der Oberfläche des
Unterlagekörpers und Teile der Kontaktstücke mit einem erhärtenden Material eingekapselt werden.
Dieses Material erfüllt dann gleich die Aufgabe der gegenseitigen Fixierung dieser drei Bauteile und des
Schutzes des Kristallelementes gegen die Umgebungsatmosphäre.
In besonderer Ausgestaltung der Erfindung kann ein Teil des Kontaktbauteiles in einem Schlitz des r>
Unterlagekörpers eingesetzt werden, und der Rand des Schlitzes kann zur Befestigung des Kontaktbauteiles am
Unterlagekörper gegen den Teil des Kontaktbauteils gebogen werden. Hierdurch läßt sich nach einer
anfänglichen Justierung der drei Bauteile gegeneinander eine mechanische Fixierung erreichen, die bis zum
endgültigen Verlöten der Kontaktstücke mit den Kontaktflächen des Kristallelementes genügend Sicherheit
gegen ein Verschieben ergibt.
Die Erfindung ist im folgenden an Hand der Darstellungen einiger Ausführungsbeispiele näher erläutert.
Die Zeichnungen zeigen in
F i g. 1 eine Draufsicht auf einen Werkstückträger,
F i g. 2 eine Draufsicht auf ein Kontaktbauteil, ">o
F i g. 3 eine Seitenansicht des in F i g. 2 dargestellten Kontaktbauteils,
F i g. 4 eine Vorderansicht des in F i g. 2 dargestellten Kontaktbauteils,
Fig. 5 eine Draufsicht zur Veranschaulichung des vi
ersten Montageschrittes des Halbleiter-Bauelementes,
Fig.6 eine Draufsicht zur Veranschaulichung eines
späteren Bearbeitungsschrittes,
F i g. 7 eine Unteransicht einiger in F i g. 6 dargestellter Teile, W)
F i g. 8 einen Schnitt längs der Linie 8-8 der F i g. 6,
F i g. 9 eine Draufsicht zur Veranschaulichung eines noch späteren Montageschrittes,
Fig. 10 eine perspektivische Ansicht des fertigmontierten
Bauelementes, (>s
Fig. 11 eine perspektivische Ansicht einer Abwandlungsform
des Werkstückträgers und einen Anschlußträger,
Fig. 12 eine Teilansicht zur Veranschaulichung des ersten Schrittes bei der Montage des in seinen Teilen in
F i g. 11 dargestellten Bauelementes und
Fig. 13 eine perspektivische Ansicht des fertigmontierten
Halbleiters nach Fig. 11.
In Fig. 1 ist ein länglicher streifenförmiger Werkstückträger
10 dargestellt, der mehrere gleiche, miteinander verbundene Unterlagekörper 12 umfaßt (in
der Zeichnung sind lediglich zwei dargestellt). Die gestrichelte Linie 14 deutet die Grenze zwischen
benachbarten Unterlagekörpern 12 an. Jeder Unterlagekörper 12 umfaßt ein Werkstück, auf dem ein
Halbleiter-Bauelement montiert wird. Der Werkstückträger 10 kann nach einem bekannten Verfahren
hergestellt werden, etwa durch Stanzen und Prägen.
Jeder Unterlagekörper 12 hat eine quadratische Fläche 16, welche durch eine schwalbenschwanzförmige
Nut 18 (siehe F i g. 8) begrenzt wird, vier Klemmverriegelungsschlitze 20, zwei Anschlußisolierschlitze 22 und
zwei Befestigungsschlitze 24. Unter der Bezeichnung »schwalbenschwanzförmig« sei verstanden, daß eine
oder beide Wände oder auch nur Teile der Wände der Nut sich von ihrem Boden nach oben gegeneinander
neigen. Der Zweck dieser Ausbildung wird im Verlauf der Beschreibung noch erläutert. Bei der beschriebenen
Ausführungsform dient das Halbleiter-Bauelement als Leistungshalbleiter für Ausgangsstufen und der Unterlagekörper
12 dient der Wärmeableitung. Aus diesem Grunde besteht er aus einem sehr gut Wärme leitenden
Material, wie Kupfer, das mit Nickel plattiert ist, und hat eine Dicke von etwa 3 mm.
In den Fig. 2, 3 und 4 ist ein Kontaktbauteil 28 dargestellt, der je auf einem der Unterlagekörper 12
montiert wird. Das Kontaktbauteil ist von etwa U-förmigem Querschnitt und hat ein Paar im Abstand
angeordnete Verbindungsflächen 30, an welche sich Seitenschenkel 32 anschließen, die je einen Ausschnitt
34 haben. Zwei Kontaktstücke 36 ragen von den Verbindungsflächen 30 gegeneinander. Jedes Kontaktstück
36 hat eine rechteckige Öffnung 38 und endet in einer nach unten gerichteten Spitze 40. Das Kontaktbauteil
28 kann durch bekannte Verfahren aus Blattmaterial gestanzt und geformt sein. Er besteht aus
einem elektrisch leitenden, leicht kontaktierbaren Material, beispielsweise aus einem Nickelstreifen von
0,25 mm Dicke.
Beim Zusammenbau eines Halbleiterbauelementes auf jedem Unterlagekörper 12 des Werkstückträgers 10
werden gleiche Bearbeitungsvorgänge entweder nacheinander oder gleichzeitig auf jedem Unterlagekörper
durchgeführt. Die Vorrichtung zur Durchführung dieser Bearbeitungsvorgänge umfaßt eine Einrichtung zum ■
Markieren des Werkstückträgers und zur genauen Ausrichtung der Unterlagekörper bei jeder Bearbeitungsstation;
derartige Vorrichtungen sind bekannt.
Bei einem ersten Montagevorgang wird ein HaIbleiterplättchen 44, wie es in F i g. 5 dargestellt ist, auf der
Fläche 16 des Unterlagekörpers 12 angeordnet und festgehalten. Eine hierzu dienende Vorrichtung umfaßt
beispielsweise ein Paar gegeneinander arbeitende Ausrichtglieder 46, welche das Plättchen 44 in einer
genauen Lage zum Unterlagekörper 12 halten. Ferner kann eine nicht dargestellte Vorrichtung zur automatischen
Zuführung der Plättchen 44 aus einem Magazin auf den Unterlagekörper 12 vorgesehen sein.
Die Art des verwendeten Halbleiterplättchens 44 hängt vom Typ des zu montierenden Halbleiter-Bauelementes
ab und kann den von Transistoren, integrierten
Schaltungen und dergleichen her bekannten Plättchen entsprechen. Die hier beschriebene Ausführungsform
stellt einen NPN-Transistor mit einem Siliciumplättchen
44 dar. Da derartige Plättchen bekannt sind, wurde auf die Darstellung von Einzelheiten verzichtet. Das
Plättchen 44 ist mit Kontaktflächen bekannter Art versehen, mit welchen die Kontakte oder Anschlüsse
des Bauelementes verbunden werden. Bei der dargestellten Ausführungsform umfassen die Kontaktflächen
eine dünne Schicht Lot, beispielsweise Blei. Die Bodenfläche des Plättchens, die hier elektrisch mit einer
Elektrode des Plättchens verbunden wird, ist ebenfalls mit Blei überzogen.
Während das Plättchen 44 und der Unterlagekörper 12 fest in ihrer gegenseitigen Lage gehalten werden,
wird ein Kontaktbauteil 28 am Unterlagekörper befestigt. Hierzu wird das Kontaktbauteil 28 über dem
Unterlagekörper 12 angeordnet, wie es die F i g. 6 und 7 zeigen, wobei die inneren Enden 35 der Seitenwände 32
in die Verriegelungsschlitze 20 hineinragen. Mit Hilfe nicht dargestellter Mittel wird das Kontaktbauteil 28
genau gegenüber dem Unterlagekörper 12 und dem auf ihm befindlichen Plättchen 44 ausgerichtet und nach
unten gegen den Unterlagekörper 12 gedrückt, wobei die Kontaktspitzen 40 den Kontakt mit den entsprechenden
Kontaktflächen des Plättchens herstellen (F i g. 8). Die gegenseitigen Abmessungen der Einzelteile
sind so gewählt, daß beim Nachuntendrücken des Kontaktbauteils 28 gegen den Unterlagekörper 12 die
Kontaktspitzen 40 fest gegen die Kontaktflächen des Plättchens und die nach oben gebogenen Kontaktstücke
36 drücken. Diese Kontaktstücke 36 dienen als Federn, die das Plättchen 44 fest gegen den Unterlagekörper 12
drücken. Während der Aufbau so zusammengedrückt wird, wird das Kontaktbauteil 28 auf dem Unterlagekörper
12 festgelegt. Hierzu werden die äußeren Schlitzwände 20' (Fig. 9) der Verriegelungsschlitze 20 nach
innen gebogen, so daß sie die Seitenschenkel 32 des Kontaktbauteils zwischen den Enden der Schlitze 20
fest verriegeln. Geeignete Vorrichtungen hierzu sind bekannt. Der so montierte Aufbau ist recht starr.
Der Aufbau wird dann erhitzt, so daß das Lot auf beiden Seiten des PHittchens 44 schmilzt und dieses an
den Unterlagekörpur 12 sowie die Kontaktspitzen 40 an die Kontaktflächen lötet.
hartmann
Soda, ii wird ein Einkapselungsmaterial 56 auf dem
Aufbau zerschmolzen, wie Fig. 9 zeigt. Vorrichtungen zum Aufbringen des Kapselmaterials sind bekannt. Die
rechteckigen Öffnungen 38 in den Kontaktstücken 36 ermöglichen den Durchtritt des Einkapselungsmaterials
bis auf das Plättchen 44. Das Einkapselungsmaterial 56 umgibt das Plättchen 44 vollständig und jedes
Kontaktstück 36 fast ganz. Das Material 56 verkleidet auch die Wände der Anschlußisolierschlitze 22
(Fig. 10). Nach dem Erhärten bildet das Einkapselungsmaterial 56 eine feste Umhüllung, die den Unterlagekörper
12, das Plättchen 44 und die Kontaktstücke 36 fest in ihrer gegenseitigen Lage hält.
Das Einkapselungsmaterial 56 dringt auch in die Schwalbenschwanznut 18 und verankert sich nach dem
Erhärten in ihr und damit am Unterlagekörper 12. Dadurch erhält das fertige Bauelement eine hohe
mechanische Festigkeit. Zur Fertigstellung des Bauelementes wird der Aufbau vom Werkstückträger 10 längs
der gestrichelten Linie 14 in Fig. 1 abgeschnitten und damit getrennt. Die nicht eingekapselten Abschnitte des
Kontaktbauteils 28 werden ebenfalls entfernt, beispielsweise indem man durch die Schlitzwände 20' schneidet
und das Kontaktbauteil dadurch freigibt. Bei der dargestellten Ausführungsform entstehen durch das
Schneiden der Verbindungsflächen 30 längs der gestrichelten Linie 58 in F i g. 9 zwei längliche Kontakte
oder Anschlüsse 36'.
Das fertige Bauelement ist in Fig. 10 dargestellt, wo
die beiden Anschlüsse 36' waagerecht vom Bauelement
ίο wegragen. Die Anschlüsse 36' lassen sich in irgendeiner
Richtung verbiegen, beispielsweise nach unten durch die Anschlußschlitze 22. Ein Kurzschluß zwischen den
Anschlüssen 36' und dem Unterlagekörper wird durch das Einkapselungsmaterial verhindert, das die Wände
des Schlitzes 22 bedeckt.
Bei der dargestellten Ausführungsform besteht der dritte Anschluß des Bauelementes aus dem Unterlagekörper
12, mit dem das Plättchen unmittelbar verbunden ist. Bei einer anderen nicht dargestellten Ausführungsform
ist das Halbleiterplättchen vom Unterlagekörper 12 durch eine Keramikplatte isoliert, welche in
bekannter Weise mit dem Unterlagekörper und dem Plättchen verbunden ist. In diesem Fall wird ein
Kontaktbauteil mit drei Kontaktstücken verwendet. Ein bevorzugtes Keramikmaterial mit guter thermischer
Leitfähigkeit ist zum Beispiel Beryllium.
In gleicher Weise werden für Halbleiter-Bauelemente etwa bei integrierten Schaltungen, die eine größere Zahl
von Anschlüssen haben, Kontaktbauteile mit der entsprechenden Anzahl Anschlüsse verwendet.
Das fertiggestellte Bauelement wird zum Gebrauch auf einem Chassis mit Hilfe von Schrauben oder
dergleichen befestigt, die durch die Befestigungsschlitze 24 ragen. Der Unterlagekörper 12 berührt dabei
unmittelbar das nicht dargestellte Chassis, so daß die entwickelte Wärme optimal abgeleitet wird.
Bei einer anderen Ausführungsform (Fig. 11) bedient man sich eines Streifens 60 aus mehreren zusammenhängenden
Unterlagekörpern 62 und eines Streifens 64 aus mehreren zusammenhängenden Kontaktbauteilen
66; auch hier sind wieder nur zwei Unterlagekörper und zwei Kontaktbauteile dargestellt. Jeder Unterlagekörper
62 hat einen Befestigungsschlitz 68. Jeder Kontaktbauteil 66 hat ein Paar vorragende Kontakte 70 mit nach
unten und aufeinander zu gerichteten Spitzen 72 an den Enden und mit einem Verriegelungskontakt 74. Der
Kontakt 74 ist L-förmig ausgebildet und hat zwischen seinen beiden Schenkeln 76 und 78 einen Winkel von <x
größer als 900C. Im dargestellten Ausführungsbeispiel ist« = 95°.
Beim Zusammenbau von Halbleiter-Bauelementen aus den Unterlagekörpern 62 und den Kontaktbauteilen
66 tritt jeder Unterlagekörper 66 des Streifens 64 gleichzeitig mit einem entsprechenden Unterlagekörper
62 des Streifens 60 in Eingriff und verriegelt sich auf ihm. Der klareren Darstellung halber ist nur der Aufbau eines
einzigen Bauelementes veranschaulicht.
Nach Fig. 12 ist ein Kontaktbauteil 66 auf einem Unterlagekörper 62, auf dem sich ein Plättchen 80
befindet, montiert, in dem der Verriegelungskontakt 64 in den Schlitz 68 hineingesteckt ist. Die herabhängenden
Spitzen 72 des Kontaktes treten in Eingriff mit vorbestimmten Abschnitten des Plättchens 80, wobei
der flache Teil 82 des Kontaktbauteils 66 sich mit einem Abstand oberhalb des Unterlagekörpers 62 befindet.
Wegen des Winkels α zwischen den Schenkeln 76 und 78 des Kontaktes 74 drückt nur die Vorderspitze 78' des
Sehenkels 78 gegen den Unterlagekörper 62. Hierbei
wird das Plättchen 80 durch eine nicht dargestellte Ausrichtvorrichtung in einer vorbestimmten Lage auf
dem Unterlagekörper gehalten.
Das Kontaktbauteil 66 wird dann auf dem Unterlagekörper 62 festgelegt, indem die Wände 68' des Schlitzes
68 gegen den Kontakt 74 gebogen werden. Die dabei auftretende Kraft drückt den Schenkel 78 des
Kontaktes 74 in volle Oberflächenberührung mit der Schlitzwand 69, wobei das Kontaktbauteil 66 im
Uhrzeigersinn verdreht wird, wie Fig. 12 zeigt. Mit diesem Verdrehen des Kontaktbauteils 66 wird erreicht,
daß die herabhängenden Spitzen 72 nach unten gegen das Plättchen 80 gedrückt werden, so daß es fest
zwischen den Spitzen 72 und dem Unterlagekörper 62 geklemmt wird.
Der Aufbau wird dann erhitzt, so daß das vorher auf das Plättchen 80 und das Kontaktbauteil 66 aufgebrachte
Lötmaterial schmilzt und das Plättchen mit dem
Unterlagekörper sowie die Kontakte 70 und 74 mit dem Plättchen 80 bzw. dem Unterlagekörper 62 verbunden
werden. Das Plättchen 80 und die Kontakte 70 und 74 werden dann von einem geeigneten Einkapselungsmaterial
84 umhüllt (F i g. 13). Dann wird das Kontaktbauteil
66 entlang der gestrichelten Linie 86 (Fig. 11) zerschnitten, so daß drei Anschlüsse 70' und 74' für das
Bauelement entstehen. Die Anschlüsse 70' sind mit dem Plättchen 80 und der Anschluß 74' mit dem Unterlagekörper
62 elektrisch verbunden.
Die vorbeschriebenen Halbleiter-Bauelemente sind billig und einfach in der Herstellung und äußerst robust
und zuverlässig. Für den Fachmann versteht sich, daß das vorbeschriebene Verfahren sich gut zur Automatisierung
eignet, wobei eine große Anzahl von Bauelementen schnell und billig automatisch hergestellt
werden kann.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
909 614/12
Claims (5)
1. Verfahren zur Montage eines Halbleiter-Kristallelementes, bei welchem das Kristallelement in
einer vorbestimmten Lage auf einem Unterlagekörper angeordnet wird, Kontaktstücke in Eingriff mit
Kontaktflächen des Kristallelementes gebracht werden und die Kontaktstücke, das Kristallelement
und der Unterlagekörper gegenseitig bleibend festgelegt werden, dadurch gekennzeichnet,
daß ein die Kontaktstücke (36) als integralen Bestandteil aufweisendes Kontaktbauteil (28) fest
auf das auf dem Unterlagekörper (12) angeordnete Kristallelement (44) aufgesetzt und an dem Unterlagekörper
befestigt wird, daß die Kontaktstücke mit den Kontaktflächen des Kristallelementes mechanisch
verbunden werden, daß Teile des Kontaktbauteils (28) von dem Unterlagekörper (12) wieder
abgetrennt werden, derart, daß die mit dem Kristallelement verbundenen Kontaktstücke als
Anschlußfahnen nach außen wegragen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das zunächst nicht gegenüber dem
Unterlagekörper (12) festgelegte Kristallelement (44) mit Hilfe des Kontaktbauteils (28) zwischen den
Kontaktstücken (40) und dem Unterlagekörper (12) festgeklemmt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Kristallelement (44), ein Teil der
Oberfläche des Unterlagekörpers (12) und Teile der Kontaktstücke mit einem erhärtenden Material
eingekapselt werden.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil (35) des
Kontaktbauteils (28) in einen Schlitz (20) des Unterlagekörpers (12) eingesetzt wird und daß der
Rand des Schlitzes zur Befestigung des Kontaktbauteils am Unterlagekörper gegen den Teil (35) des
Kontaktbauteils gebogen wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktstücke (36) mit den
Kontaktflächen des Kristallelementes (44) und dieses mit dem Unterlagekörper (12) verlötet
werden.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1614364A1 DE1614364A1 (de) | 1970-08-13 |
DE1614364B2 DE1614364B2 (de) | 1972-11-30 |
DE1614364C3 true DE1614364C3 (de) | 1979-04-05 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1614364A Expired DE1614364C3 (de) | 1966-06-01 | 1967-05-22 | Verfahren zur Montage eines Halbleiter-Kristallelementes |
Country Status (6)
Country | Link |
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US (1) | US3478420A (de) |
DE (1) | DE1614364C3 (de) |
ES (2) | ES341150A1 (de) |
GB (1) | GB1173443A (de) |
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SE (1) | SE356635B (de) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3559002A (en) * | 1968-12-09 | 1971-01-26 | Gen Electric | Semiconductor device with multiple shock absorbing and passivation layers |
US3797103A (en) * | 1970-05-04 | 1974-03-19 | Gen Electric | Machine and process for semiconductor device assembly |
US3659164A (en) * | 1970-11-23 | 1972-04-25 | Rca Corp | Internal construction for plastic semiconductor packages |
US3742599A (en) * | 1970-12-14 | 1973-07-03 | Gen Electric | Processes for the fabrication of protected semiconductor devices |
US3778887A (en) * | 1970-12-23 | 1973-12-18 | Hitachi Ltd | Electronic devices and method for manufacturing the same |
US3868725A (en) * | 1971-10-14 | 1975-02-25 | Philips Corp | Integrated circuit lead structure |
US3735214A (en) * | 1972-01-27 | 1973-05-22 | Coilcraft Inc | A header for mounting circuit elements for incorporation in an electric circuit |
IT993429B (it) * | 1973-09-26 | 1975-09-30 | Sgs Ates Componenti | Perfezionamento di una cassa per dispositivo a semiconduttori |
US4125740A (en) * | 1973-09-26 | 1978-11-14 | Sgs-Ates Componenti Elettronici S.P.A. | Resin-encased microelectronic module |
US3902189A (en) * | 1974-04-10 | 1975-08-26 | Hunt Electronics | Prefabricated article and methods of maintaining the orientation of parts being bonded thereto |
US3978578A (en) * | 1974-08-29 | 1976-09-07 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Method for packaging semiconductor devices |
US4210926A (en) * | 1977-12-07 | 1980-07-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Intermediate member for mounting and contacting a semiconductor body |
JPS5479563A (en) * | 1977-12-07 | 1979-06-25 | Kyushu Nippon Electric | Lead frame for semiconductor |
FR2503932A1 (fr) * | 1981-04-08 | 1982-10-15 | Thomson Csf | Boitiers a cosses plates pour composants semi-conducteurs de moyenne puissance et procede de fabrication |
FR2570877B1 (fr) * | 1984-09-21 | 1987-05-22 | Silicium Semiconducteur Ssc | Composant semi-conducteur monte en boitier plastique et procede de montage correspondant |
US5026667A (en) * | 1987-12-29 | 1991-06-25 | Analog Devices, Incorporated | Producing integrated circuit chips with reduced stress effects |
US5001545A (en) * | 1988-09-09 | 1991-03-19 | Motorola, Inc. | Formed top contact for non-flat semiconductor devices |
US4935803A (en) * | 1988-09-09 | 1990-06-19 | Motorola, Inc. | Self-centering electrode for power devices |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3066249A (en) * | 1953-04-07 | 1962-11-27 | Sylvania Electric Prod | Junction type semiconductor triode |
NL110588C (de) * | 1955-03-10 | |||
NL111799C (de) * | 1957-03-01 | 1900-01-01 | ||
NL222168A (de) * | 1957-11-05 | |||
US3030557A (en) * | 1960-11-01 | 1962-04-17 | Gen Telephone & Elect | High frequency tunnel diode |
NL280224A (de) * | 1961-06-28 | |||
US3281620A (en) * | 1962-05-16 | 1966-10-25 | Miller Robert Keith | Adjustably positionable reflector lamp |
US3264712A (en) * | 1962-06-04 | 1966-08-09 | Nippon Electric Co | Semiconductor devices |
NL302444A (de) * | 1963-08-05 | 1900-01-01 | Semikron Gleichrichterbau | |
US3414969A (en) * | 1965-02-25 | 1968-12-10 | Solitron Devices | Connection arrangement for three-element component to a micro-electronics circuit |
-
1967
- 1967-05-22 DE DE1614364A patent/DE1614364C3/de not_active Expired
- 1967-05-25 GB GB24471/67A patent/GB1173443A/en not_active Expired
- 1967-05-30 ES ES341150A patent/ES341150A1/es not_active Expired
- 1967-05-31 SE SE07631/67*A patent/SE356635B/xx unknown
- 1967-05-31 NL NL676707547A patent/NL152116B/xx unknown
-
1968
- 1968-05-02 ES ES353405A patent/ES353405A1/es not_active Expired
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ES341150A1 (es) | 1968-10-16 |
SE356635B (de) | 1973-05-28 |
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NL152116B (nl) | 1977-01-17 |
GB1173443A (en) | 1969-12-10 |
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ES353405A1 (es) | 1969-10-01 |
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