DE2601131A1 - Halbleitereinrichtungen vom druckkontakt-typ - Google Patents

Halbleitereinrichtungen vom druckkontakt-typ

Info

Publication number
DE2601131A1
DE2601131A1 DE19762601131 DE2601131A DE2601131A1 DE 2601131 A1 DE2601131 A1 DE 2601131A1 DE 19762601131 DE19762601131 DE 19762601131 DE 2601131 A DE2601131 A DE 2601131A DE 2601131 A1 DE2601131 A1 DE 2601131A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
emitter
pressure contact
semiconductor substrate
region
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19762601131
Other languages
English (en)
Other versions
DE2601131C2 (de
Inventor
Shuzo Saeki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP4581275A external-priority patent/JPS51121278A/ja
Priority claimed from JP4580775A external-priority patent/JPS51121277A/ja
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
Publication of DE2601131A1 publication Critical patent/DE2601131A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2601131C2 publication Critical patent/DE2601131C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/4824—Pads with extended contours, e.g. grid structure, branch structure, finger structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • H01L29/7428—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action having an amplifying gate structure, e.g. cascade (Darlington) configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01021—Scandium [Sc]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Description

"-"?"■- i 1
Agency of Industrial Science
and Technology
3-4,1-chome, Kasumigaseki, Anwaltsakte M-3772
Chiyodaku, Tokyo, Japan 12. Januar 197 6
Halbleitereinrichtungen vom Druckkontakt-Typ <
Die Erfindung bezieht sich auf eine Druckkontakthalbleitereinrichtung und insbesondere auf einen Druckkontakttransistor, bei dem ein elektrisch leitendes Plattenbauteil gegen eine in einem Halbleitersubstrat ausgebildete Emitterelektrode gedrückt wird, um Strom zu sammeln.
In der Figurenbeschreibung werden in allen Einzelheiten Ausführungsformen von Druckkontakttransistoren nach dem Stande der Technik beschrieben und die Nachteile der bekannten Druckkontakthalbleitereinrichtungen herausgearbeitet- Die bekannten Halbleitereinrichtungen weisen im wesentlichen die folgenden Nachteile auf: Sie können die Spannungsbelastung infolge des Wärmezyklus zwischen Ein- und Auszustand der Halbleitereinrichtung nicht vollständig aufnehmen, so daß ein einwandfreier Betrieb nicht immer gewährleistet und zumindest eine relativ
6098U/072t
- 2 ORIGINAL INSPECTED
-2- 26U1131
kurze Lebensdauer in Kauf genommen werden muß. Weiterhin ist bei den bekannten Anordnungen der Kontaktbereich zwischen den Emittergebieten und den Basisgebieten der Halbleitereinrichtung im Vergleich zur für den Aufbau der Anordnung erforderlichen Halbleitersubstratfläche recht klein.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Druckkontakthalbleitereinrichtung anzugeben, die die durch den Wärmezyklus zwischen Betriebs- und Ruhezustand hervorgerufenen Belastungen besser aufnehmen kann und die eine größere Kontaktfläche zwischen den Emitter- und Basisgebieten aufweist, so daß die Oberfläche des verwendeten Halbleitersubstrats besser ausgenutzt werden kann.
Dabei soll eine Druckkontakthalbleitereinrichtung geschaffen werden, die eine hohe Verstärkung und eine hohe Leistung aufweist.
Die zur Lösung dieser Aufgabe geschaffene erfindungsgemäße Druckkontakthalbleitereinrichtung ist gekennzeichnet durch ein Halbleitersubstrat, ein Emittergebiet mit von einer Oberfläche des Halbleitersubstrates vorstehenden und sich im wesentlichen in radialer Richtung von einer Position forterstreckenden Bereichen, wobei die Position einen vorgegebenen Abstand von einem Punkt der Oberfläche aufweist, ein Basisgebiet, das auf dem Halbleitersubstrat derart ausgebildet ist, daß es die vorstehenden Bereiche des Emittergebiets umgibt, Emitterelektroden auf den einzelnen vorstehenden Bereichen des Emittergebietes, eine Basiselektrode ■ auf dem Basisgebiet, eine Kollektorelektrode auf der anderen
6098<U/07?7
- 3 - 26U1 131
•Seite des Halbleitersubstrats und durch eine elektrisch leitende Platte, die zugleich gegen die Emitterelektroden gedrückt ist derart, daß Emitter-Kollektor- und Basisgebiet einen Druckkontakttransistor aufbauen.
Vorzugsweise ist die Position durch einen um den Punkt der Oberfläche gelegten Kreis bestimmt.
Vorzugsweise weist die Druckkontakthalbleitereinrichtung mehrere Transistoren auf, die gemäß Darlington zusammengeschaltet sind; dabei werden die Zwischenverbindungen zur Verbindung der Elektroden zwischen den mesaförmigen Teilen des Emittergebiets eines
*
Transistors der vorhergehenden Stufe so ausgelegt, daß sie durch
hohe Strombelastung nicht zerschmelzen.* und dem Basisgebiet eines Transistors einer folgenden Stufe
Vorzugsweise ist bei der erfindungsgemäßen Druckkontakthalbleitereinrichtung vorgesehen, daß ein Druckkontakttransistor und ein zweiter Transistor in einer Darlington-Schaltung zusammengeschaltet sind, wobei der Druckkontakttransistor ein Halbleitersubstrat, ein erstes Emittergebiet mit von der einen Oberfläche des Halbleitersubstrats vorstehenden und sich im wesentlichen radial von einer Position, die einen vorgegebenen Abstand von einem Punkt auf der Oberfläche des Substrats aufweist, forterstreckenden Bereichen, ein auf dem Halbleitersubstrat ausgebildetes und die vorragenden Bereiche des ersten Emittergebietes umgebendes erstes Basisgebiet, auf den vorstehenden Bereichen des ,ersten Emittergebietes angeordnete erste Emitterelektroden, ; ieine auf dem ersten Basisgebiet ausgebildete erste Basiselektrode,
6H98U/0777
ί eine auf der anderen Oberfläche des Halbleitersubstrats montierte Kollektorelektrode und eine elektrisch leitende Platte aufweist, die zugleich gegen die ersten Emitterelektroden gepreßt ist f und wobei der zweite Transistor ein zweites Emittergebiet, das ein ringförmiges und in dem von dem ersten Emittergebiet umgebenen Bereich des HalbleiterSubstrats ausgebildetes ringförmiges und von der Oberfläche des Halbleitersubstrats vorragendes Segment einschließt,ein das zweite Emittergebiet umgebendes und in radialer Richtung von der Mitte des Halbleitersubstrates sich erstreckende Teile aufweisendes zweites Basisgebiet, eine auf dem zweiten Basisgebiet angeordnete zweite Basiselektrode und eine Kollektorelektrode aufweist, die gemeinsam mit der ersten Kollektroelektrode ausgebildet ist.
Weitere Unteransprüche beziehen sich auf vorteilhafte Ausgestaltung der Druckkontakthalbleitereinrichtung.
Der nächstkommende Stand der Technik und eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Druckkontakthalbleitereinrichtung sollen nun anhand der beigefügten Figuren genauer beschrieben werden. Es zeigt
Figur 1 einen Schnitt längs der Linie I-I in Figur 2 zur Darstellung der Grundkonstruktion einer zum Stand der Technik gehörigen Druckkontakthalbleitereinrichtung;
4 4/0727
j Figur 2 eine Aufsicht längs der Linie II-II in Figur 1
zur Darstellung der konzentrischen Anordnung der Emitter- und Basisgebiete;
Figur 3 eine Aufsicht auf eine andere Ausführungsform einer zum Stand der Technik gehörigen Druckkontakthalbleitereinrichtung in radialer Anordnung der Emitter- und Basisgebiete;
Figur 4 einen Längsschnitt einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen Druckkontakthalbleitereinrichtung;
Figur 5 eine Aufsicht auf eine Anordnung der Emitter- und Basisgebiete auf einem Halbleitersubstrat, wobei das gegen die Emitterelektroden gedrückte Platten- · bauteil fortgelassen ist,
Figur 6 das Diagramm einer Darlington-Schaltung unter
Benutzung der Bezugszeichen aus den Figuren 4 und 5;
Figuren zwei Beispiele von anderen Ausführungsformen der und 8 Emittergebiete
Figur 9 einen Teilschnitt zur Darstellung einer möglichen Verstärkung der elektrischen Leitfähigkeit der Leiterschicht, die zur Verbindung der Emitterelektrpde auf einem von dem Halbleitersubstrat eines
! · Transistors der vorgehenden Stufe vorragenden \
60984 4/0727
ι Emittergebiet mit der Basiselektrode auf dem Basis
gebiet eines Transistors der nachfolgenden Stufe verwendet wird, wenn beide Transistoren in einer Darlington-Schaltung zusammengeschaltet sind.
Die in den Figuren 1 und 2 gezeigte und zum Stand der Technik gehörige Druckkontakthalbleitereinrichtung weist ein N-leitendes Halbleitersubstrat 11 auf, das einen großen Durchmesser besitzt und z.B. aus einem Siliciumplättchen hergestellt worden ist. Zur Ausbildung eines Kollektor-Gebietes ist eine N -Verunreinigung in eine Oberfläche des Substrats 11 unter Zuhilfenahme einer der bekannter Techniken eindiffundiert worden. Eine P-leitende Verunreinigung ist zur Ausbildung einer Schicht 12, die als Basisgebiet benutzt werden soll, in die gesamte Fläche der anderen Seite des HalbleiterSubstrats 11 eindiffundiert worden. Ein N Diffusionsgebiet wird in der P-leitenden Diffusionsschicht 12
wd 13
ausgebildet und die N -Diffusionsschicht wird dann selektiv geätzt, um vorstehende N -Diffusionsgebiete/auszubilden, die als Emitter-Gebiete benutzt werden. Für das Basis-Gebiet sind Basiselektroden 15 und für die vorstehenden Bereiche der Emittergebiete 1 3 sind Emitterelektroden 16 vorgesehen; zum Aufbringen der Elektroden 15 und 16 werden bekannte Techniken benutzt. Für die Verstärkung des zerbrechlichen Halbleitersubstrats 11 ist eine Verstärkungsplatte 18 mittels einer Lötschicht 19 an der einen Oberfläche des Substrats befestigt, die das Kollektor-Gebiet ,
, bestimmt. Die Verstärkungsplatte 18 wird aus einem festen Material < j hergestellt, das imvesentlichen den gleichen Wärmeausdehnungs- :
j koeffizienten aufweist wie das Material des Halbleitersubstrats
809844/0727
-7- 2ÖÜ1131
Obwohl die Verstärkungsplatte als Strompfad und gegebenenfalls als Kühlbauteil benutzt werden kann, wird aus ökonomischen Gründen ein
■Kupferblock 21 mittels einer Lötschicht 20 an der Verstärkungs-
iplatte 18 befestigt. Ein Plattenbauteil 22, welches vorzugsweise aus Wolfram hergestellt ist, wird gegen die Emitterelektroden 16 gedrückt und an der Rückseite des Plattenbauteils 22 ist ebenfalls ein Kupferblock 23 befestigt. Die vorstehend beschriebene Halbleitereinrichtung wird in ein rundes Keramikgehäuse eingebracht, um zu einem einsetzbaren Druckkontakttransistor zu gelangen. Die Basiselektroden 15 werden durch die Wandung des Gehäuses nach außen geführt.
Die vorstehend beschriebene zum Stand der Technik gehörige Druckkontakthalbleitereinrichtung weist eine Anzahl von Problemen auf, die noch der Lösung bedürfen. Z.B. weisen die Emitterelektroden 16 und die Basiselektroden 15 das in der Figur 2 gezeigte flache Muster auf. Insbesondere sind die Emitterelektroden 16 und die
15
Basiselektroden/abwechselnd und konzentrisch zueinander angeord-. net. Jede Emitterelektrode 16 ist in Umfangsrichtung in vier Segmente eingeteilt und die zugeordneten Basiselektroden 15 sind durch die Lücken in den einzelnen Emitterelektroden hindurchge-,führt. Bei dieser Elektrodenbauart werden infolge zyklischer
[ Wärmebeaufschlagung Spannungen in radialer Richtung von der Mitte des Halbleitersubstrats 11 aufgebaut und wirken zwischen , den Emitterelektroden und dem Plattenbauteil 22. Darüber hinaus ■ sind die Spannungen in dem Umfangsbereich des Halbleitersubstrats ; größer als in dessen mittigem Bereich. Eine derartige zyklische
rd aufgebaut, da
6 0 9 8 U / 0 7 2 7
■ Wärmebeaufschlagung wird aufgebaut, da während des Betriebs die
Temperatur der Halblexterexnrxchtung ungefähr 150° und während der Ruhezeit ungefähr 20° beträgt. Wenn Silicium für das Halbleitersubstrat 11 und Wofram für das Plattenbauteil 22 benutzt werden, für welche Werkstoffe die Wärmeausdehnungskoeffizienten 3 χ 10~6/°C (Si) und 5 χ 10 /0C (W) betragen, tritt beim Durchlaufen des Wärmezyklus eine wesentlicherelative Verschiebung zwischen den Emitterelektroden 16 und dem Plattenbauteil 22 auf. Wenn die Basis- und Emitterelektroden konzentrisch angeordnet sind, werden insbesondere die Spannungen in einer Richtung senkrecht zu den einzelnen Elektroden aufgebracht; da der radiale Zwischenraum zwischen benachbarten Elektroden extrem klein ist, werden die Emitterelektroden sehr häufig deformiert oder zerstört. Die Wahrscheinlichkeit für das Auftreten solcher Schäden nimmt von der Mitte des Substrats zu dessen Umfang hin zu.
Zur Lösung dieses Problems ist bereits vorgeschlagen worden, die Elektroden in radialer Richtung und damit in der Richtung der von dem Wärmezyklus aufgebrachten Spannungen anzuordnen, wie dies in der Figur 3 dargestellt ist. Bei dieser Anordnung erstrecken sich die Basiselektroden 3 0 in radialer Richtung und das Emittergebiet 32 erstreckt sich in die sektorartigen Zwischenräume zwischen den Basiselektroden 30 ausgehend vom Umfangsbereich des Halbleitersubstrats 31 hinein.
Bei dieser Bauart ist jedoch der Kontaktbereich zwischen den Emitter- und Basis-Gebieten kleiner als bei der Bauart gemäß Figuren 1 und 2. Weiterhin ist es dabei nicht möglich, das Emittergebiet effektiv zu benutzen, obwohl die Fläche des Emitter-
fi η q ς /, /4 / o 7 ? 7
-9- 260113I
gebietes wesentlich vergrößert worden ist. Die Kontaktfläche zwischen den Emitter- und Basisgebieten kann durch Erhöhung der Anzahl sich in radialer Richtung erstreckender Basiselektroden erhöht werden. Bei einer solchen Bauart ist es aber nicht möglich, das zwischen den Basisgebieten ausgebildete Emittergebiet zu Punkten in der Nähe der Mitte des Halbleitersubstrats 31 vorzutreiben. Daher kann der mittige Bereich des Halbleitersubstrats 11 nicht betriebsmäßig als Halbleitereinrichtung ausgenutzt werden. Selbst wenn das Emittergebiet bis zur Nähe des Mittelpunktes des Substrats hin ausgebildet ist, wird der Abstand der Elektroden doch so klein werden, daß Kurzschlüsse auftreten müssen. Diese Schwierigkeiten nehmen natürlich zu, wenn die Anzahl der sich in radialer Richtung erstreckenden Basiselektroden zunimmt.
In den Figuren 4 und 5 ist eine erste Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Druckkontakthalbleitereinrichtung dargestellt, die aus zwei in einer Darlington-Schaltung zusammengeschalteten Transistoren besteht. Die Halbleitereinrichtung gemäß Figuren 4 und 5 weist ein kreisrundes N-leitendes Halbleitersubstrat 41 auf, das einen großen Durchmesser besitzt und vorzugsweise aus einem Siliciumblättchen besteht. Zur Ausbildung einer Kollektorschicht ist eine N -Verunreinigung in eine Oberfläche des Halbleitersubstrats 41 nach einem bekannten Verfahren eindiffundiert worden. Ein ringwulstartiges erstes Basisgebiet (doughnut shaped)
erstreckt 43. das sich in radialer Richtung von einem Kreis fort,der
'- einen vorgegebenen Abstand von der Mitte des Halbleitersubstrats
umj werden
■ 41 aufweist, ein kreisförmiges zweites Basisgebiet 45 auf der
609844/0727
-10-
anderen Substratoberfläche ausgebildet, wobei das Gebiet 45 von dem Gebiet 43 umgeben ist. Beide Basisgebiete werden auf der von der Kollektorschicht abgewandten Seite des Halbleitersubstrats 41 ausgebildet, in-*dem eine zu P-Leitung führende Verunreinigung eindiffundiert wird. Nach einem Merkmal der vorliegenden Erfindung wird ein Emittergebiet innerhalb des ersten Basisgebietes 43 ausgebildet, welches Emittergebiet mehrere vorstehende Bereiche 46 aufweist. Bei dem gezeigten Beispiel weist das Emittergebiet
vier ^^
vorstehende Bereiche auf. Diese Emitterbereiche werden durch
Diffusion einer zur P-Leitung führenden Verunreinigung in die Oberfläche des Halbleitersubstrats 41, durch Eindiffusion einer zur N-Leitung führenden Verunreinigung in die mit der zur P-Leitung führenden Verunreinigung diffundierten Oberfläche und durch anschließendes selektives Ätzen der mit der zur N-Leitung führenden Verunreinigung diffundierten Schicht zur Ausbildung des radialen Musters ausgebildet. Aus diesem Grunde ist das Emittergebiet vom MESA-Typ, so daß ihre Hauptbereiche 46 sich über das Basisgebiet 43 erheben und von diesem umgeben werden. Der Grund für die Schaffung des radialen Emittergebietes ist die Eliminierung der von dem Wärmezyklus hervorgerufenen und längs der Zwischenfläche zwischen dem Halbleitersubstrat, auf dem die Emitterelektroden ausgebildet sind, und dem gegen die Emitterelektroden gedrückten Plattenbauteil wirkenden Spannung zu eliminieren. Emitterelektroden 47 werden auf den einzelnen vorstehenden Bereichen 46 des Emittergebiets aufgebracht und eine Basiselektrode 48 ist für das erste Basisgebiet 43 vorgesehen, um die zugeordneten Emitterelektroden zu umgeben. Diese Elektroden können durch Vakuumaufdampfen von vorzugsweise Aluminium erstellt werden!.
609844/0 7 27
- 11 -
Eine gemeinsame ringartige Scheibe 50, die vorzugsweise aus WoIf-
■ ram hergestellt ist, wird gegen die einzelnen Emitterelektroden
47 gedrückt. Vorzugsweise sollte das Material der ringförmigen
! Scheibe einen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweisen, der so weit als möglich an den Wärmeausdehnungskoeffizienten des Halbleitersubstrats 41 angepaßt ist. Ein mit einer mittigen öffnung 51 versehener Kupferblock 52 ist an der Ringscheibe 50 befestigt, vorzugsweise durch Löten.
Im folgenden soll nun das zweite Basisgebiet 44 betrachtet werden, das innerhalb des ringartigen ersten Basisgebietes 43 ausgebildet und gegenüber diesem isoliert ist. Das zweite Basisgebiet 44 weist zwei zueinander konzentrische ringartige Emittergebiete 55 und 56 auf. Das Emittergebiet 56 ist in vier Segmente 56a bis 56d unterteilt und jedes Segment ist mit dem Emittergebiet 55 durch ein Verbindungselement 57 verbunden. Emitterelektroden 58 sind auf den Emittergebieten 55,56 und 57 ausgebildet die ebenfalls durch Vakuumaufdampfen von Aluminium erzeugt werden können. Wenn die Emittergebiete in der vorstehend beschriebenen Weise ausgebildet werden, wird ein ringartiges Basisgebiet 59 mit vier Segmenten 59a - 59d zwischen den Emittergebieten 55 und 56 freigelassen. Diese Segmente sind mit einem kreisförmigen Basisgebiet 60 im mittleren Bereich 42 des Halbleitersubstrats 41 über Verbindungselemente 61 verbunden. Eine Basiselektrode 62 wird auf den Basisgebieten 59,60 und 61 durch Vakuumaufdampfen von vorzugsweise Aluminium ausgebildet.
B Π 9 B K Ul 0 7 ?7
- 12 -
- 12 - 2601 1 3 T ;
Bei dieser Ausführungsform ist eine elektrisch leitende Schicht 63 durch Vakuumaufdampfen aufgebracht worden, um das Basisgebiet 48 eines Druckkontakttransistors 64, der von dem ersten Basisgebiet 43,dem Emittergebiet 46 und der Kollektorschicht des Halbleitersubstrats aufgebaut ist, mit der Emitterelektrode 58 eines zweiten Transistors 65 zu verbinden, der von dem zweiten Basisgebiet 44, dem Emittergebiet 55 und dem Kollektorgebiet des Halbleitersubstrats 41 gebildet wird. Auf diese Weise wird eine Halbleitereinrichtung mit hoher Verstärkung und hoher Leistung durch zwei Transistoren aufgebaut, die gemäß Figur 6 in einer Darlington-Schaltung zusammengeschaltet sind. Ein Bauteil 66, das vorzugsweise aus Wolfram hergestellt ist, wird gegen die Basiselektrode 62 gedrückt. Ein Kupferblock 67 ist mit dem Bauteil 66 verbunden, vorzugsweise durch Löten. Weiterhin wird eine Verstärkungsplatte 69, die ebenfalls vorzugsweise aus Wolfram hergestellt ist, an der Unterseite des HalbleiterSubstrats 41 durch eine Lötschicht 7 0 befestigt. Ein als Strompfad und als Wärmeableiter dienender Kupferblock 71 ist durch eine Lötschicht 72 an der Verstärkungsplatte 67 befestigt.
Die bisher beschriebene Halbleiterbaugruppe 68 ist in ein Ringförmiges Keramikgehäuse 74 eingebracht und eine Zuleitung 7 6 zu der Basiselektrode 48 des Druckkontakttransistors 64 erstreckt sich durch eine öffnung 77 in der Seitenwand des Gehäuses 77 um die Halbleiterbaugruppe zu kompletieren. Wenn die Halbleitereinrichtung 40 gemäß Figuren 4 und 5 in einer Darlington-Schaltung eingesetzt wird, wird ein Eingangssignal auf eine Klemme
60984W07?7
-13-
T1 (diese entspricht dem Kupferblock 67 in Figur 4) gegeben, die
! mit der Basiselektrode 62 des Transistors 65 in Figur 6 ver-
' bunden ist. Das Ausgangssignal steht an der Klemme T3 (diese entspricht dem Kupferblock 52 gemäß Figur 4) an, die mit der Emitterelektrode verbunden ist. Es kann aber auch ein Ausgangssignal an der Klemme T2 (diese entspricht dem Kupferblock 71 in Figur 4) abgegriffen werden, die mit der Kollektorelektrode verbunden ist. Wenn nur der Druckkontakttransistor 64 benutzt wird, wird das Eingangssignal auf die Klemme T4 (diese entspricht der Zuleitung 76, die sich durch die Wandung des ringartigen Gehäuses 74 erstreckt) gegeben, die mit der Basiselektrode 48 verbunden ist.
Die erfindungsgemäße Halbleitereinrichtung weist die folgenden Vorteile auf:
1) Da die Emitterelektroden 47, die als Druckkontaktelektrode des Druckkontakttransistors 64 wirken, radial angeordnet sind, besteht keine Gefahr, daß durch die Wärmezyklusbelastung infolge der Unterschiede in den Wärmeausdehnungskoeffizienten des HalbleiterSubstrats 41 und der gegen die Emitterelektroden 47 gedrückten ringförmigen Scheibe oder Platte 50 die Elektroden beschädigt werden.
2) Obwohl die Emittergebiete des Druckkontakttransistors 64
; radial angeordnet sind, ist es möglich, den Kontaktbereich ι zwischen den Gebieten 43 und 46 gegenüber der bekannten ! Bauart zu erhöhen und damit wirkungsvoller zu machen, da
609844/0727
-14-
die Emittergebiete vollständig von dem Basisgebiet 43 umgeben sind.
3) Da der Druckkontakttransistor 64 im Randbereich des Halbleitersubstrats 41 liegt, ist es darüber hinaus möglich, einen weiteren Transistor oder passive Elemente,wie einen Kondensator oder Widerstände in dem mittigen Bereich des HalbleiterSubstrats auszubilden, wie dies im Beispiel näher erläutert worden ist. Bei dem gezeigten Beispiel erstreckt sich der Druckkontakttransistor über den Bereich zwischen der Hälfte des Radius und dem Randbereich des Substrats. Es ist aber auch durchaus möglich, daß er sich zwischen 1/3 des Radius und dem Randbereich erstreckt. Wenn sich der Druckkontakttransistor bis zu einem Punkt erstreckt, der näher an der Mitte des Substrats liegt, würde eine wirksame Ausnutzung der Oberfläche des Halbleitersubstrats schwieriger werden, wie dies aus der Erläuterung der vorstehenden üblichen Transisoranordnung in der Mitte hervorgeht .
4) Wenn der Druckkontakttransistor nur den Umfangsbereich des Halbleitersubstrats benutzt und ein anderer Transistor in dem mittigen Bereich des Halbleitersubstrats ausge- ■ bildet wird, kann bei Einsatz des mittigen Transistors in einer Vorstufe und des Druckkontakttransistors in der nachfolgenden Stufe eine Halbleitervorrichtung hoher Verstärkung und großer Leistung erzielt werden. Insbesondere, wenn das Emittergebiet des mittigen Transistors ringartig j
6098U/072 7
ausgebildet ist, wird dessen Muster relativ einfach, wodurch eine Halbleitervorrichtung höherer Verstärkung und höherer Leistung erzielt wird.
Obwohl bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel die Emitterelektroden des Druckkontakttransistors in radialer Richtung angeordnet worden sind, treten keine Probleme auf, solange die relative Verschiebung zwischen den Emitterelektroden und dem gegen sie gedrückten Plattenbauteil infolge von Kontraktion und Expansion in einem Bereich von 30° liegt. Wenn die relative Versetzung überschreitet (relative displacement exceeds 30°) - selbst wenn die Emitterelektroden in einem radialen Muster angerichtet sind -, treten die Schäden infolge der durch die Kontraktion und Elongation des Plattenbauteils und der Emitterelektroden hervorgerufenen Spannung häufig auf, so daß die Ausbeute auf 80 % absinkt. Wenn andererseits die relative Versetzung auf weniger als 30° beschränkt wird, kann die Ausbeute auf 95% erhöht werden.
Obwohl bei der beschriebenen Ausführungsform ein N-leitendes Siliciumblättchen (silicon wafer) mit einem großen Durchmesser als Halbleitersubstrat benutzt wurde, ist es natürlich auch möglich, ein p-leitendes Siliciumblättchen zu benutzen. Weiterhin ist es nicht erforderlich, daß das Siliciumblättchen immer exakt kreisförmig sein muß. Wenn das Siliciumblättchen nicht kreisförmig ist, kann das Muster des Emittergebietes des Druck- :kontakttransistors so modifiziert werden, daß es zu der Konfiguration des Blättchens paßt. Das Muster muß also nicht unbedingt
609844/07??
-16-
- ie - 26Ü1131 j
ein punktsymmetrisches Muster sein.
Die Figuren 7 und 8 zeigen Muster für die Emittergebiete, wie sie in den erfindungsgemäßen Druckkontakthalbleitereinrichtungen benutzt werden können. Die schraffierten Bereiche zeigen die Emittergebiete, während die verbleibenden Teile dem Basisgebiet entsprechen. Es sollte klar sein, daß die Mitte des radialen Musters der Emittergebiete gegenüber der Mitte des Scheibchens versetzt angeordnet sein kann.
Bei dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel sind die Basiselektrode 48 des im Umfangsbereich des Halbleitersubstrats 41 ausgebildeten Druckkontakttransxstors 64 und die Emitterelektrode 58 des Transistors 65 im mittigen Bereich des Halbleitersubstrats 41 ausgebildet und sind durch das Aufdampfen von Aluminium im Vakuum miteinander verbunden. Da jedoch die Emitterelektrode 58 auf dem von dem Halbleitersubstrat 41 vorstehenden Emitterbereich ausgebildet ist, wird die Dicke der zur Bewerkstelligung dieser Verbindung aufgebrachten Schicht an einigen Stellen, insbesondere auf der Schulter und dem geneigten Bereich des Emittergebiets dünner als erforderlich. Aus diesem Grunde würde beim Durchfluß eines Stromes von einigen 10 Ampere durch die leitende Schicht diese infolge der Widerstandsverluste in der leitenden Schicht zerstört werden. Um dies zu vermeiden, können die dünnen Stellen der leitenden Schicht durch Metallbrücken 80 überbrückt werden, die eine größere Stromführungskapazität als die zulässige Stromzuführungskapazxtät der leitenden Schicht aufweisen. Dies ist in der Figur 9 dargestellt. Die
609RAA/07?7
- 17 -
2BU 1
Metallbrücke 80 kann an der leitenden Schicht oder beiden
j Elektroden mittels Ultraschallschweißen angeheftet werden.
Diese Bauart führt zu einer noch verläßlicheren Halbleitereinrichtung mit einer größeren Lebensdauer.
Obwohl die Erfindung nur an einem einzigen Beispiel beschrieben worden ist, sollte doch klar sein, daß Abweichungen von dem beschriebenen Ausführungsbexspiel möglich sind. Z.B. wurde bei der beschriebenen Ausführungsform zunächst das Basisgebiet ausgebildet und die Emitter-Verunreinigung wurde in das gesamte Basisgebiet eindiffundiert. Danach wurde das diffundierte Gebiet selektiv geätzt, um das von dem Basisgebiet vorstehende Emittergebiet auszubilden. Es ist jedoch auch möglich, das Basisgebiet selektiv zu ätzen, um auf diese Weise ein Emittergebiet vom Mesa-Typ auszubilden.
6098 U4/0727

Claims (9)

  1. Agency of Industrial Science
    and Technology
    3-1,1-chome, Kasumigaseki, Anwaltsakte M-3772
    Chiyodaku, Tokyo,Japan 12. Januar 1976
    Patentansprüche
    (1.)Druckkontakthalbleitereinrichtung, gekennzeichnet durch ein Halbleitersubstrat (41), ein Emittergebiet mit von einer Oberfläche des Halbleitersubstrates (41) vorstehenden und sich im wesentlichen in radialer Richtung von einer Position forterstreckenden Bereichen (46), wobei die Position einen vorgegebenen Abstand von einem Punkt der Oberfläche aufweist, ein Basisgebiet (43), das auf dem Halbleitersubstrat derart ausgebildet ist, daß es die vorstehenden Bereiche (46) des Emittergebiets umgibt, Emitterelektroden (47) auf den einzelnen vorstehenden Bereichen (46) des Emittergebietes, eine Basiselektrode auf dem Basisgebiet, eine Kollektorelektrode (70,71) auf der anderen Seite des Halhleitersubstrats (41) und durch ,
    (52) f
    eine elektrisch leitende Platte d'ie zugleich gegen die Emitterelektroden (47) gedrückt ist derart, daß Emitter-jKollektor- und Basisgebiet einen Druckkontakttransistor aufbauen.
    ÖU9844/0727
  2. 2. .Druckkontakthalbleitereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersubstrat (41) kreisförmig ist und der Punkt in der Mitte des Halbleitersubstrats liegt und der vorgegebene Abstand größer ist als 1/3 des Radius des HalbleiterSubstrats (41).
  3. 3. Druckkontakthalbleitereinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterelektroden in einem radialen Richtungsbereich angeordnet sind, welcher Bereich kleiner als 3 0° bezüglich der Richtung der Expansion und Kontraktion des Plattenbauteiles (52) ist.
  4. 4. Druckkontakthalbleitereinrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß ein zusätzliches Halbleiterelement (62) auf dem Teil der Oberfläche des halbleitenden Substrates (41) ausgebildet ist, das nicht von dem Emittergebiet eingenommen wird.
  5. 5. Druckkontakthalbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche
    1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das weitere Halbleiterelement ein Transistor (46) ist, der mit dem Druckkontakttransistor (64) in einer Darlington-Schaltung zusammengeschaltet ist.
  6. 6. Druckkontakthalbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der zusätzliche Transistor (62) ein zweites Basisgebiet (45) aufweist, das von dem Basisgebiet des Druckkontakttransistors (64)
    diesem umgeben i 6098A4/0727
    er unabhängig und von diesem umgeben ist, daß ein ringförmiges
    26Π1131
    zweites Emittergebiet besitzt, das in dem zweiten Basisgebiet (45) ausgebildet ist und von dem Halbleitersubstrat (41) vorsteht, daß eine zweite Basiselektrode auf dem zweiten Basisgebiet ausgebildet ist, daß eine zweite Emitterelektrode (58) auf dem zweiten Emittergebiet ausgebildet ist und daß auf der anderen Oberfläche des halbleitenden Substrats der zugeordnete Kollektor ausgebildet ist.
  7. 7. Druckkontakthalbleitereinrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektrode (48) des Druckkontakttransistors (64) und die Emitterelektrode (58) des zusätzlichen Transistors (65) durch eine elektrisch leitende Schicht miteinander verbunden sind.
  8. 8. Druckkontakthalbleitereinrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß eine Metallbrücke (80) mit einer größeren Stromführungskapazität als die der elektrisch leitenden Schicht vorgesehen ist, welche Metallbrücke paralell zu der elektrisch leitenden Schicht geschaltet ist.
  9. 9. Druckkontakthalbleitereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Druckkontakttransistor (64) und ein zweiter Transistor (65) in einer Darlington-Schaltung zusammengeschaltet sind, wobei der Druckkontakttransistor (64) ein Halbleitersubstrat (41)^ein erstes Emittergebiet mit von der einen Oberfläche des Halbleiter-
    6098 hh /01?T
    -4-
    -ν-
    2BU ! 13 I
    Substrats (41) vorstehenden und sich im wesentlichen radial von einer Position, die einen vorgegebenen Abstand von einem Punkt auf der Oberfläche des Substrats aufweist, forterstreckenden Bereichen, ein auf dem Halbleitersubstrat ausgebildetes und die vorragenden Bereiche des ersten Emittergebietes umgebendes erstes Basisgebiet (43),auf den vorstehenden Bereichen des ersten Emittergebietes angeordnete erste Emitterelektroden (47), eine auf dem ersten Basisgebiet ausgebildete erste Basiselektrode (62) , eine auf der anderen Oberfläche des HalbleiterSubstrats (41) montierte Kollektor-elektrode (69,71) und eine elektrisch leitende Platte (52) aufweist, die zugleich gegen die ersten Emitterelektroden (47) gepreßt ist.und wobei der zweite Transistor (65) ein zweites Emittergebiet, das ein ringförmiges und in dem von dem ersten Emittergebiet umgebenen Bereich des HalbleiterSubstrats (41) ausgebildetes ringförmiges und von der Oberfläche des Halbleitersubstrats vorragendes Segment (56) einschließt, ein das zweite Emittergebiet umgebendes und in radialer Richtung von der Mitte des Halbleitersubstrates (41) sich erstreckende Teile aufweisendes zweites Basisgebiet (45), eine auf dem zweiten Basisgebiet angeordnete zweite Basiselektrode und eine Kollektorelektrode aufweist, die gemeinsam mit der ersten Kollektorelektrode (69,71) ausgebildet ist.
    609844/0727
    Leerseite
DE2601131A 1975-04-17 1976-01-14 Halbleitereinrichtungen mit einem Druckkontakttransistor Expired DE2601131C2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4581275A JPS51121278A (en) 1975-04-17 1975-04-17 Semiconductor device
JP4580775A JPS51121277A (en) 1975-04-17 1975-04-17 Semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2601131A1 true DE2601131A1 (de) 1976-10-28
DE2601131C2 DE2601131C2 (de) 1983-10-20

Family

ID=26385884

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2601131A Expired DE2601131C2 (de) 1975-04-17 1976-01-14 Halbleitereinrichtungen mit einem Druckkontakttransistor

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4035831A (de)
DE (1) DE2601131C2 (de)
GB (1) GB1492707A (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2517471A1 (fr) * 1981-12-02 1983-06-03 Silicium Semiconducteur Ssc Montage en boitier presse de composants de puissance a structure d'electrodes ramifiee
EP0098175A2 (de) * 1982-06-30 1984-01-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Halbleiteranordnung von Druckkontakttyp
EP0646960A1 (de) * 1993-10-01 1995-04-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterelement ausgestaltet in einer Mesastruktur

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4097887A (en) * 1976-09-13 1978-06-27 General Electric Company Low resistance, durable gate contact pad for thyristors
US4402004A (en) * 1978-01-07 1983-08-30 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha High current press pack semiconductor device having a mesa structure
JPS5929143B2 (ja) * 1978-01-07 1984-07-18 株式会社東芝 電力用半導体装置
US4313128A (en) * 1979-05-08 1982-01-26 Westinghouse Electric Corp. Compression bonded electronic device comprising a plurality of discrete semiconductor devices
US4953003A (en) * 1987-05-21 1990-08-28 Siemens Aktiengesellschaft Power semiconductor device
US5661315A (en) * 1995-12-28 1997-08-26 Asea Brown Boveri Ag Controllable power semiconductor component
CN113644040B (zh) * 2020-04-27 2024-03-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 封装结构及其形成方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3177414A (en) * 1961-07-26 1965-04-06 Nippon Electric Co Device comprising a plurality of transistors
DE1514008A1 (de) * 1965-04-22 1969-08-07 Itt Ind Gmbh Deutsche Flaechentransistor
CH479163A (de) * 1967-11-15 1969-09-30 Western Electric Co Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
CH489905A (de) * 1968-05-31 1970-04-30 Westinghouse Electric Corp Halbleiterbauelement mit mindestens zwei an die Oberfläche tretenden Zonen unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3457471A (en) * 1966-10-10 1969-07-22 Microwave Ass Semiconductor diodes of the junction type having a heat sink at the surface nearer to the junction
GB1253823A (en) * 1968-06-18 1971-11-17 Westinghouse Brake & Signal Multi-terminal semiconductor devices
US3755722A (en) * 1972-09-28 1973-08-28 Gen Motors Corp Resistor isolation for double mesa transistors
US3877059A (en) * 1973-01-02 1975-04-08 Motorola Inc Single diffused monolithic darlington circuit and method of manufacture thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3177414A (en) * 1961-07-26 1965-04-06 Nippon Electric Co Device comprising a plurality of transistors
DE1514008A1 (de) * 1965-04-22 1969-08-07 Itt Ind Gmbh Deutsche Flaechentransistor
CH479163A (de) * 1967-11-15 1969-09-30 Western Electric Co Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
CH489905A (de) * 1968-05-31 1970-04-30 Westinghouse Electric Corp Halbleiterbauelement mit mindestens zwei an die Oberfläche tretenden Zonen unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2517471A1 (fr) * 1981-12-02 1983-06-03 Silicium Semiconducteur Ssc Montage en boitier presse de composants de puissance a structure d'electrodes ramifiee
EP0080953A1 (de) * 1981-12-02 1983-06-08 Le Silicium Semiconducteur Ssc Montierung von Leistungsbauelementen mit verzweigter Elektrodenstruktur in Druckkontaktgehäuse
EP0098175A2 (de) * 1982-06-30 1984-01-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Halbleiteranordnung von Druckkontakttyp
EP0098175A3 (de) * 1982-06-30 1985-10-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Halbleiteranordnung von Druckkontakttyp
EP0646960A1 (de) * 1993-10-01 1995-04-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterelement ausgestaltet in einer Mesastruktur
BE1007589A3 (nl) * 1993-10-01 1995-08-16 Philips Electronics Nv Halfgeleiderinrichting met in mesa-structuur aangebracht halfgeleiderelement.
US5569952A (en) * 1993-10-01 1996-10-29 U.S. Philips Corporation Semiconductor device with a semiconductor element provided in a mesa structure

Also Published As

Publication number Publication date
US4035831A (en) 1977-07-12
DE2601131C2 (de) 1983-10-20
GB1492707A (en) 1977-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102013216709B4 (de) Halbleiteranordnung, verfahren zur herstellung einer anzahl von chipbaugruppen und verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung
DE2352357A1 (de) Halbleitergehaeuse
EP0632681A2 (de) Metallbeschichtetes Substrat
DE2933694A1 (de) Integrierter schaltkreis
DE2359152A1 (de) Anordnung von integrierten schaltungen
DE1294558B (de) Hochspannungsgleichrichter und Verfahren zum Herstellen
DE2601131A1 (de) Halbleitereinrichtungen vom druckkontakt-typ
DE1240149B (de) Anordnung zum Aufbau miniaturisierter Schaltungen
DE2004776C2 (de) Halbleiterbauelement
DE102019112934A1 (de) Halbleitermodul
DE1514855B2 (de) Halbleitervorrichtung
DE2458410C2 (de) Herstellungsverfahren für eine Halbleiteranordnung
DE10252609A1 (de) Abschluß für ein Halbleiterbauteil mit MOS-Gatesteuerung mit Schutzringen
DE19710884A1 (de) Bipolar-Transistoren mit isoliertem Gate
WO1995031827A1 (de) Hochspannungskippdiode
DE69422252T2 (de) Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterelement ausgestaltet in einer Mesastruktur
DE3343632C2 (de) Halbleiteranordnung mit einem in Teiltransistoren aufgeteilten Leistungstransistor, wobei die Teiltransistoren einen einheitlichen Temperaturverlauf aufweisen
DE69634816T2 (de) Methode zur herstellung eines halbleiterbauteils für oberflächenmontage, geeignet für vergleichsweise hohe spannungen und ein solches halbleiterbauteil
DE2855265A1 (de) Thyristor
DE1489193B2 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung
DE19613409B4 (de) Leistungsbauelementanordnung
DE2457746C2 (de) Planar-Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2353333B2 (de) Integrierte darlington-hochleistungsschaltung
DE3421185A1 (de) Leistungshalbleiterschaltung
DE2606885B2 (de) Halbleiterbauelement

Legal Events

Date Code Title Description
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition