DE112021002909T5 - Halbleiterbauteil - Google Patents

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terminal
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Kenji Hayashi
Takumi Kanda
Noriaki Kawamoto
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Rohm Co Ltd
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Rohm Co Ltd
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Abstract

Ein Halbleiterbauteil (A10, A11, A20, A30, A40, A50, A61-A65) weist ein erstes Die-Pad (11) mit einer Hauptfläche (111) auf, ein zweites Die-Pad (12) mit einer zweiten Hauptfläche (121), ein erstes Schaltelement (20), das mit der ersten Hauptfläche (111) verbunden ist, ein zweites Schaltelement (30), das mit der zweiten Hauptfläche (121) verbunden ist, ein erstes Verbindungselement (51, 53), das die Hauptflächenelektrode (21) des ersten Schaltelements (20) mit dem zweiten Die-Pad (12) verbindet, ein Einkapselungsharz (70), das das erste Schaltelement (20), das zweite Schaltelement (30), das erste Die-Pad (11), das zweite Die-Pad (12), und das erste Verbindungselement (51, 53) einkapselt, sowie Anschlüsse (41, 42, 43, 44, 45), die aus einer (703) der Harz-Seitenflächen (703, 704, 705, 706) des Einkapselungsharzes (70) herausragen.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Halbleiterbauteil.
  • HINTERGRUND
  • Ein bekanntes Halbleiterbauteil weist einen Anschlussrahmen („lead frame“) mit einem Die-Pad und Anschlüssen auf, einen auf dem Die-Pad montierten Transistor, Drähte, die die Elektroden des Transistors mit den Anschlüssen verbinden, und ein Einkapselungsharz, das den Transistor und die Drähte einkapselt (siehe z. B. Patentschrift 1).
  • ZITATLISTE
  • Patentliteratur
  • Patentliteratur 1: Japanische Offenlegungsschrift mit der Veröffentlichungs-Nr. 2017-174951
  • KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Technisches Problem
  • Das Halbleiterbauteil wird z. B. in einer Wechselrichterschaltung („inverter circuit“) oder einer DC-DC-Wandlerschaltung („converter circuit“) verwendet. Diese Schaltungen werden durch die Verbindung zweier Halbleiterbauteile, die auf einem Substrat montiert sind, mit einem Verdrahtungs-Leiter des montierenden Substrats gebildet. Der Verdrahtungs-Leiter des montierenden Substrats verbindet beispielsweise die Drain-Elektrode eines Transistors, der auf dem Halbleiterbauteil montiert ist, mit der Source-Elektrode eines Transistors auf dem anderen Halbleiterbauteil elektrisch. Die auf dem Substrat montierten Halbleiterbauteile sind um einen bestimmten Abstand voneinander beabstandet, um Platz für die Anordnung der Elemente zu schaffen und die Wärmeabfuhr zu ermöglichen. Dadurch wird der Leiter (Anschlüsse und Verdrahtungs-Leiter) zwischen den Elektroden verlängert und die parasitäre Induktivität erhöht. Die parasitäre Induktivität behindert das Schalten mit hoher Geschwindigkeit. Daher muss die parasitäre Induktivität in Halbleiterbauteilen verringert werden.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Halbleiterbauteil bereitzustellen, das die Induktivität reduziert.
  • Lösung des Problems
  • Ein Halbleiterbauteil gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist ein erstes Die-Pad auf, das eine erste Hauptfläche aufweist, und ein zweites Die-Pad, das von dem ersten Die-Pad in einer ersten Richtung beabstandet ist, die sich parallel zu der ersten Hauptfläche erstreckt. Das zweite Die-Pad weist eine zweite Hauptfläche auf, die in die gleiche Richtung wie die erste Hauptfläche weist. Ein erstes Schaltelement, das auf der ersten Hauptfläche angebracht ist, weist eine erste Element-Hauptfläche auf, die in dieselbe Richtung wie die erste Hauptfläche weist, eine erste Element-Rückfläche, die in die entgegengesetzte Richtung der ersten Element-Hauptfläche weist, eine erste Hauptflächenelektrode und eine erste Steuerelektrode, die auf der ersten Element-Hauptfläche angeordnet sind, und eine erste Rückflächenelektrode, die auf der ersten Element-Rückfläche angeordnet ist. Die erste Rückflächen-Elektrode ist mit der ersten Hauptfläche verbunden. Ein zweites Schaltelement, das auf der zweiten Hauptfläche angebracht ist, weist eine zweite Element-Hauptfläche auf, die in dieselbe Richtung wie die zweite Hauptfläche weist, eine zweite Element-Rückfläche, die in die entgegengesetzte Richtung der zweiten Element-Hauptfläche weist, eine zweite Hauptflächenelektrode und eine zweite Steuerelektrode, die auf der zweiten Element-Hauptfläche angeordnet sind, und eine zweite Rückflächen-Elektrode, die auf der zweiten Element-Rückfläche angeordnet ist. Die zweite Rückflächen-Elektrode ist mit der zweiten Hauptfläche verbunden. Ein erstes Verbindungselement verbindet die erste Hauptflächenelektrode des ersten Schaltelements mit dem zweiten Die-Pad. Ein Einkapselungsharz, das Harz-Seitenflächen aufweist, die einer Richtung zugewandt sind, die sich parallel zu der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche erstreckt, kapselt das erste Schaltelement, das zweite Schaltelement, das erste Die-Pad, das zweite Die-Pad und das erste Verbindungselement ein. Anschlüsse, die in der ersten Richtung angeordnet sind, ragen aus einer der Harz-Seitenflächen des Einkapselungsharzes in einer zweiten Richtung heraus, die die erste Richtung kreuzt bzw. schneidet, und die Anschlüsse erstrecken sich in der zweiten Richtung.
  • In dieser Ausgestaltung sind das erste Schaltelement und das zweite Schaltelement verbunden. Der Abstand des elektrischen Pfads zwischen der ersten Hauptflächenelektrode des ersten Schaltelements und dem zweiten Die-Pad, mit dem die zweite Rückflächenelektrode des zweiten Schaltelements verbunden ist, wird verkürzt. Dadurch wird die Induktivität verringert.
  • Ein Halbleiterbauteil gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist ein erstes Die-Pad auf, das eine erste Hauptfläche und ein zweites Die-Pad aufweist, das von dem ersten Die-Pad in einer ersten Richtung beabstandet ist, die sich parallel zu der ersten Hauptfläche erstreckt. Das zweite Die-Pad weist eine zweite Hauptfläche auf, die in die gleiche Richtung wie die erste Hauptfläche weist. Ein erstes Schaltelement, das auf der ersten Hauptfläche angebracht ist, weist eine erste Element-Hauptfläche auf, die in dieselbe Richtung wie die erste Hauptfläche weist, eine erste Element-Rückfläche, die in die entgegengesetzte Richtung der ersten Element-Hauptfläche weist, eine erste Hauptflächenelektrode und eine erste Steuerelektrode, die auf der ersten Element-Hauptfläche angeordnet sind, und eine erste Rückflächenelektrode, die auf der ersten Element-Rückfläche angeordnet ist. Die erste Rückflächenelektrode ist mit der ersten Hauptfläche verbunden. Ein zweites Schaltelement, das auf der zweiten Hauptfläche angebracht ist, weist eine zweite Element-Hauptfläche auf, die in dieselbe Richtung wie die zweite Hauptfläche weist, eine zweite Element-Rückfläche, die in die entgegengesetzte Richtung der zweiten Element-Hauptfläche weist, eine zweite Hauptflächenelektrode und eine zweite Steuerelektrode, die auf der zweiten Element-Hauptfläche angeordnet sind, und eine zweite Rückflächenelektrode, die auf der zweiten Element-Rückfläche angeordnet ist. Die zweite Rückflächenelektrode ist mit der zweiten Hauptfläche verbunden. Ein erstes Verbindungselement verbindet die erste Hauptflächenelektrode des ersten Schaltelements mit dem zweiten Die-Pad. Ein Einkapselungsharz, das Harz-Seitenflächen aufweist, die einer Richtung zugewandt sind, die sich parallel zu der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche erstreckt, kapselt das erste Schaltelement, das zweite Schaltelement, das erste Die-Pad, das zweite Die-Pad und das erste Verbindungselement ein. Anschlüsse, die in der ersten Richtung angeordnet sind, ragen aus einer der Harz-Seitenflächen des Einkapselungsharzes in einer zweiten Richtung heraus, die die erste Richtung kreuzt bzw. schneidet, und die Anschlüsse erstrecken sich in der zweiten Richtung.
  • Bei dieser Ausgestaltung ist die erste Hauptflächenelektrode des ersten Schaltelements mit der zweiten Rückflächenelektrode des zweiten Schaltelements durch das erste Verbindungselement, das im Einkapselungsharz eingekapselt ist, elektrisch verbunden. Dadurch verkürzt sich der Abstand des elektrischen Pfads zwischen der ersten Hauptflächenelektrode des ersten Schaltelements und der zweiten Rückflächenelektrode des zweiten Schaltelements. Dadurch wird die Induktivität verringert.
  • Vorteilhafte Wirkungen der Erfindung
  • Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung stellt ein Halbleiterbauteil zur Verfügung, das die Induktivität reduziert.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer ersten Ausführungsform.
    • 2 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil gemäß der ersten Ausführungsform.
    • 3 ist eine Seitenansicht des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform.
    • 4 ist eine Draufsicht auf ein Vergleichsbeispiel, das mit dem Halbleiterbauteil gemäß der ersten Ausführungsform verglichen wird.
    • 5 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einem modifizierten Beispiel der ersten Ausführungsform.
    • 6 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer zweiten Ausführungsform.
    • 7 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil gemäß der zweiten Ausführungsform.
    • 8 ist eine Seitenansicht des Halbleiterbauteils gemäß der zweiten Ausführungsform.
    • 9 ist eine Draufsicht, die die Arbeitsweise des Halbleiterbauteils gemäß der zweiten Ausführungsform darstellt.
    • 10 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer dritten Ausführungsform.
    • 11 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil gemäß der dritten Ausführungsform.
    • 12 ist eine Seitenansicht des Halbleiterbauteils gemäß der dritten Ausführungsform.
    • 13 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie 13-13 in 11.
    • 14 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie 14-14 in 11.
    • 15 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer vierten Ausführungsform.
    • 16 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil gemäß der vierten Ausführungsform.
    • 17 ist eine Seitenansicht des Halbleiterbauteils gemäß der vierten Ausführungsform.
    • 18 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie 18-18 in 16.
    • 19 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer fünften Ausführungsform.
    • 20 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil gemäß der fünften Ausführungsform.
    • 21 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie 21-21 in 20.
    • 22 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß einem modifizierten Beispiel.
    • 23 ist eine Draufsicht, die ein Halbleiterbauteil gemäß einem modifizierten Beispiel zeigt.
    • 24 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß einem modifizierten Beispiel.
    • 25 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß einem modifizierten Beispiel.
    • 26 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß einem modifizierten Beispiel.
    • 27 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer sechsten Ausführungsform.
    • 28 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß der sechsten Ausführungsform.
    • 29 ist eine Seitenansicht des Halbleiterbauteils gemäß der sechsten Ausführungsform.
    • 30 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie 30-30 in 28.
    • 31 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie 31-31 in 28.
    • 32 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einem modifizierten Beispiel der sechsten Ausführungsform.
    • 33 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß einem modifizierten Beispiel der sechsten Ausführungsform.
    • 34 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer siebten Ausführungsform.
    • 35 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil gemäß der siebten Ausführungsform.
    • 36 ist eine Seitenansicht des Halbleiterbauteils gemäß der siebten Ausführungsform.
    • 37 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie 35-35 in 35.
    • 38 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß einem modifizierten Beispiel der siebten Ausführungsform.
    • 39 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß einem modifizierten Beispiel der siebten Ausführungsform.
    • 40 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß einem modifizierten Beispiel der siebten Ausführungsform.
    • 41 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einem modifizierten Beispiel der sechsten Ausführungsform.
    • 42 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß einem modifizierten Beispiel der siebten Ausführungsform.
  • BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Ausführungsformen und modifizierte Beispiele werden im Folgenden unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Die im Folgenden beschriebenen Ausführungsformen und modifizierten Beispiele veranschaulichen Ausgestaltungen und Verfahren zur Umsetzung eines technischen Konzepts und sollen nicht dazu dienen, das Material, die Form, die Struktur, die Anordnung, die Abmessungen und dergleichen der einzelnen Komponenten auf die Beschreibung zu beschränken. Die nachstehend beschriebenen Ausführungsformen und modifizierten Beispiele können verschiedene Modifikationen erfahren. Die vorliegende Ausführungsform und die folgenden Modifikationen können miteinander kombiniert werden, solange es keinen technischen Widerspruch gibt.
  • In der vorliegenden Beschreibung schließt „ein Zustand, in dem Element A mit Element B verbunden ist“ einen Fall mit ein, in dem Element A und Element B direkt physisch verbunden sind, und einen Fall, in dem Element A und Element B indirekt durch ein anderes Element verbunden sind, das den elektrischen Verbindungszustand nicht beeinflusst.
  • In ähnlicher Weise schließt „ein Zustand, in dem das Element C zwischen dem Element A und dem Element B angeordnet ist“ einen Fall mit ein, in dem das Element A direkt mit dem Element C verbunden ist, oder das Element B direkt mit dem Element C verbunden ist, und einen Fall, in dem das Element A indirekt mit dem Element C durch ein anderes Element verbunden ist, das den elektrischen Verbindungszustand nicht beeinflusst, oder das Element B indirekt mit dem Element C durch ein anderes Element verbunden ist, das den elektrischen Verbindungszustand nicht beeinflusst.
  • Erste Ausführungsform
  • Unter Bezugnahme auf die 1 bis 3 wird nun ein Halbleiterbauteil A10 gemäß einer ersten Ausführungsform beschrieben.
  • Wie in den 1 und 2 gezeigt, weist das Halbleiterbauteil A10 ein erstes Die-Pad 11, ein zweites Die-Pad 12, ein erstes Schaltelement 20, ein zweites Schaltelement 30, Anschlüsse („leads“) 41 bis 47 und ein Einkapselungsharz 70 auf.
  • Einkapselungsharz
  • Das Einkapselungsharz 70 kapselt das erste Die-Pad 11, das zweite Die-Pad 12, das erste Schaltelement 20 und das zweite Schaltelement 30 ein. Außerdem deckt das Einkapselungsharz 70 die Anschlüsse 41 bis 47 teilweise ab.
  • Das Einkapselungsharz 70 ist kastenförmig und hat ein niedriges Profil. In dieser Beschreibung schließt die Definition von „kastenförmig“ Kästen bzw. Gehäuse („boxes“) mit ein, deren Ecken und Kanten abgeschrägt sind, sowie Kästen, deren Ecken und Kanten abgerundet sind. Darüber hinaus können die Flächen solcher Kästen Rippen und Täler aufweisen. Die Flächen solcher Kästen können auch gekrümmte Flächen aufweisen, die aus einer Vielzahl von Flächen gebildet sind.
  • Das Einkapselungsharz 70 wird aus einem synthetischen Harz gebildet, das elektrisch isolierend ist. In einem Beispiel ist das Einkapselungsharz 70 ein Epoxidharz. Das das Einkapselungsharz 70 bildende Kunstharz ist z. B. schwarz gefärbt. In den 1 und 2 ist das Einkapselungsharz 70 in gestrichelten Linien dargestellt, und die Elemente im Einkapselungsharz 70 sind in durchgezogenen Linien dargestellt. In der folgenden Beschreibung wird die Dickenrichtung des Einkapselungsharzes 70 als Dickenrichtung Z bezeichnet, eine Richtung orthogonal zur Dickenrichtung Z wird als Breitenrichtung X bezeichnet, und die Richtung orthogonal zur Dickenrichtung Z und zur Breitenrichtung X wird als Längsrichtung Y bezeichnet. Die Breitenrichtung X entspricht einer ersten Richtung, und die Längsrichtung Y entspricht einer zweiten Richtung.
  • Das Einkapselungsharz 70 weist eine Harz-Hauptfläche 701, eine Harz-Rückfläche 702 und erste bis vierte Harz-Seitenflächen 703 bis 706 auf. Die Harz-Hauptfläche 701 und die Harz-Rückfläche 702 weisen in Dickenrichtung Z in entgegengesetzte Richtungen. Die erste bis vierte Harz-Seitenfläche 703 bis 706 weisen jeweils in eine Richtung, die parallel zu der Harz-Hauptfläche 701 und der Harz-Rückfläche 702 verläuft. Die erste Harz-Seitenfläche 703 und die zweite Harz-Seitenfläche 704 weisen in Längsrichtung Y in entgegengesetzte Richtungen. Die dritte Harz-Seitenfläche 705 und die vierte Harz-Seitenfläche 706 weisen in Breitenrichtung X in entgegengesetzte Richtungen.
  • 2 ist eine Ansicht des Halbleiterbauteils A10 von der Seite der Harzhauptfläche 701 des Einkapselungsharzes 70 aus gesehen. Wie in 2 gezeigt, ist das Einkapselungsharz 70 so geformt, dass die Breitenrichtung X die Längsseitenrichtung und die Längsrichtung Y die Kurzseitenrichtung in einer Ansicht des Halbleiterbauteils A10 aus der Dickenrichtung Z ist. Die erste Harz-Seitenfläche 703 und die zweite Harz-Seitenfläche 704 sind die Seitenflächen, die sich in Breitenrichtung X erstrecken, und die dritte Harz-Seitenfläche 705 und die vierte Harz-Seitenfläche 706 sind die Seitenflächen, die sich in Längsrichtung Y erstrecken.
  • Erstes Die-Pad, zweites Die-Pad
  • Das erste Die-Pad 11 und das zweite Die-Pad 12 haben jeweils die Form einer rechteckigen Platte. Das erste Die-Pad 11 und das zweite Die-Pad 12 sind jeweils aus z.B. Kupfer (Cu) gebildet. In der vorliegenden Ausführungsform soll der Ausdruck aus Cu gebildet bedeuten, aus Cu oder einer Legierung, die Cu aufweist, gebildet zu sein. Ferner schließt der Ausdruck aus Cu gebildet auch den Fall mit ein, dass eine Fläche teilweise oder vollständig mit einer Plattierungsschicht überzogen ist.
  • Das erste Die-Pad 11 weist eine Hauptfläche 111, eine Rückfläche 112 und die ersten bis vierten Seitenflächen 113 bis 116 auf. Die Hauptfläche 111 und die Rückfläche 112 weisen in der Dickenrichtung Z in entgegengesetzte Richtungen. Die Hauptfläche 111 des ersten Die-Pads 11 weist in dieselbe Richtung wie die Harz-Hauptfläche 701 des Einkapselungsharzes 70. Die ersten bis vierten Seitenflächen 113 bis 116 weisen in die Breitenrichtung X oder in die Längsrichtung Y Bei der vorliegenden Ausführungsform weisen die erste Seitenfläche 113 und die zweite Seitenfläche 114 in Längsrichtung Y in entgegengesetzte Richtungen, und die dritte Seitenfläche 115 und die vierte Seitenfläche 116 weisen in Breitenrichtung X in entgegengesetzte Richtungen.
  • Das zweite Die-Pad 12 weist eine Hauptfläche 121, eine Rückfläche 122 und die ersten bis vierten Seitenflächen 123 bis 126 auf. Die Hauptfläche 121 und die Rückfläche 122 weisen in Dickenrichtung Z in entgegengesetzte Richtungen. Die Hauptfläche 121 des zweiten Die-Pads 12 weist in die gleiche Richtung wie die Harz-Hauptfläche 701 des Einkapselungsharzes 70. Die ersten bis vierten Seitenflächen 123 bis 126 weisen bzw. sind in Breitenrichtung X oder in Längsrichtung Y ausgerichtet. Bei der vorliegenden Ausführungsform weisen die erste Seitenfläche 123 und die zweite Seitenfläche 124 in Längsrichtung Y in entgegengesetzte Richtungen, und die dritte Seitenfläche 125 und die vierte Seitenfläche 126 weisen in Breitenrichtung X in entgegengesetzte Richtungen.
  • Das erste Die-Pad 11 und das zweite Die-Pad 12 sind so angeordnet, dass ihre Hauptflächen 111 und 121 an derselben Stelle in Dickenrichtung Z angeordnet sind. Das erste Die-Pad 111 und das zweite Die-Pad 12 haben die gleiche Dicke. Die Dicke des ersten Die-Pads 11 und des zweiten Die-Pads 12 beträgt 1 mm oder mehr und 3 mm oder weniger. Bevorzugt beträgt die Dicke des ersten Die-Pads 11 und des zweiten Die-Pads 12 z. B. 2 mm oder mehr und 3 mm oder weniger. Die Rückfläche 112 des ersten Die-Pads 11 und die Rückfläche 122 des zweiten Die-Pads 12 sind an der gleichen Stelle in Dickenrichtung Z angeordnet.
  • Das erste Die-Pad 11 und das zweite Die-Pad 12 sind in der Breitenrichtung X angeordnet. Die vierte Seitenfläche 116 des ersten Die-Pads 11 und die dritte Seitenfläche 125 des zweiten Die-Pads 12 sind einander zugewandt. Der Abstand L12 zwischen dem ersten Die-Pad 11 und dem zweiten Die-Pad 12 ist geringer als die Dicke des ersten Die-Pads 11 und des zweiten Die-Pads 12, z. B. 1 mm oder mehr und 3 mm oder weniger. Das erste Die-Pad 11 und das zweite Die-Pad 12 sind so angeordnet, dass ihre ersten Seitenflächen 113 und 123 an der gleichen Stelle in Längsrichtung Y angeordnet sind.
  • Erstes Schaltelement, zweites Schaltelement
  • Das erste Schaltelement 20 ist auf der Hauptfläche 111 des ersten Die-Pads 11 angebracht bzw. montiert. Das zweite Schaltelement 30 ist auf der Hauptfläche 121 des zweiten Die-Pads 12 angebracht. Das erste Schaltelement 20 und das zweite Schaltelement 30 sind Chips aus Siliziumkarbid (SiC). Bei der vorliegenden Ausführungsform werden als erstes Schaltelement 20 und als zweites Schaltelement 30 MetallOxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (SiC-MOSFETs) verwendet. Das erste Schaltelement 20 und das zweite Schaltelement 30 sind Elemente, die ein Schalten mit hoher Geschwindigkeit ermöglichen.
  • Das erste Schaltelement 20 hat die Form einer Platte. Genauer gesagt ist das erste Schaltelement 20 in der Draufsicht zum Beispiel quadratisch geformt. Wie in den 2 und 3 dargestellt, weist das erste Schaltelement 20 eine Element-Hauptfläche 201, eine Element-Rückfläche 202 und die ersten bis vierten Element-Seitenflächen 203 bis 206 auf. Die Element-Hauptfläche 201 und die Element-Rückfläche 202 weisen in Dickenrichtung Z in entgegengesetzte Richtungen. Die Element-Hauptfläche 201 weist in dieselbe Richtung wie die Harz-Hauptfläche 701. Das heißt, die Element-Hauptfläche weist in die gleiche Richtung wie die Hauptfläche 111 des ersten Die-Pads 11. Die Element-Rückfläche 202 ist der Hauptfläche 111 des ersten Die-Pads 11 zugewandt. Die erste Element-Seitenfläche 203 und die zweite Element-Seitenfläche 204 weisen in Längsrichtung Y in entgegengesetzte Richtungen, und die dritte Element-Seitenfläche 205 und die vierte Element-Seitenfläche 206 weisen in Breitenrichtung X in entgegengesetzte Richtungen. Die erste Element-Seitenfläche 203 weist in die gleiche Richtung wie die erste Seitenfläche 113 des ersten Die-Pads 11, und die zweite Element-Seitenfläche 204 weist in die gleiche Richtung wie die zweite Seitenfläche 114 des ersten Die-Pads 11. Die dritte Element-Seitenfläche 205 weist in die gleiche Richtung wie die dritte Seitenfläche 115 des ersten Die-Pads 11, und die vierte Element-Seitenfläche 206 weist in die gleiche Richtung wie die vierte Seitenfläche 116 des ersten Die-Pads 11.
  • Das erste Schaltelement 20 weist eine erste Hauptflächenelektrode 21 und eine erste Steuerelektrode 22 auf der Element-Hauptfläche 201 auf, und eine erste Rückflächenelektrode 23 auf der Element-Rückfläche 202. Die erste Hauptflächenelektrode 21 ist eine Source-Elektrode. Die erste Hauptflächenelektrode 21 der vorliegenden Ausführungsform weist eine Source-Hauptelektrode 211 und Source-Steuerelektroden 212 und 213 auf. Die erste Steuerelektrode 22 ist eine Gate-Elektrode. Die Source-Steuerelektroden 212 und 213 sind beispielsweise Source-Ansteuerelektroden, die elektrisch mit einer Schaltung (Ansteuerung) verbunden sind, die das erste Schaltelement 20 ansteuert. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Steuerelektrode 22 an einem Abschnitt angeordnet, der in Richtung der dritten Element-Seitenfläche 205 liegt. Ferner ist die erste Steuerelektrode 22 im zentralen Teil des Abschnitts angeordnet, der in Richtung der dritten Element-Seitenfläche 205 in Längsrichtung Y angeordnet ist. Die Source-Hauptelektrode 211 der ersten Hauptflächenelektrode 21 ist neben der ersten Steuerelektrode 22 in Breitenrichtung X angeordnet. Die erste Steuerelektrode 22 liegt sandwichartig zwischen den Source-Steuerelektroden 212 und 213 in Längsrichtung Y Die erste Rückflächenelektrode 23 ist eine Drain-Elektrode. Die erste Rückflächenelektrode 23 ist durch Lötmittel 81 elektrisch mit dem ersten Die-Pad 11 verbunden.
  • Wie in 2 gezeigt, ist das erste Schaltelement 20 auf der Hauptfläche 111 des ersten Die-Pads 11 an einem Abschnitt angeordnet, der in Richtung der ersten Seitenfläche 113 in Längsrichtung Y angeordnet ist. Ferner ist das erste Schaltelement 20 im zentralen Teil des ersten Die-Pads 11 in Breitenrichtung X angeordnet.
  • Das zweite Schaltelement 30 hat die Form einer Platte. Genauer gesagt ist das zweite Schaltelement 30 in der Draufsicht z.B. quadratisch geformt. Wie in 2 dargestellt, weist das zweite Schaltelement 30 eine Element-Hauptfläche 301, eine Element-Rückfläche 302 und die ersten bis vierten Element-Seitenflächen 303 bis 306 auf. Die Element-Hauptfläche 301 und die Element-Rückfläche 302 weisen in Dickenrichtung Z in entgegengesetzte Richtungen. Die Element-Hauptfläche 301 ist der Harz-Hauptfläche 701 zugewandt. Das heißt, die Element-Hauptfläche weist in die gleiche Richtung wie die Hauptfläche 121 des zweiten Die-Pads 12. Die Element-Rückfläche 302 ist der Hauptfläche 121 des zweiten Die-Pads 12 zugewandt. Die erste Element-Seitenfläche 303 und die zweite Element-Seitenfläche 304 weisen in Längsrichtung Y in entgegengesetzte Richtungen, und die dritte Element-Seitenfläche 305 und die vierte Element-Seitenfläche 306 weisen in Breitenrichtung X in entgegengesetzte Richtungen. Die erste Element-Seitenfläche 303 weist in die gleiche Richtung wie die erste Seitenfläche 123 des zweiten Die-Pads 12, und die zweite Element-Seitenfläche 304 weist in die gleiche Richtung wie die zweite Seitenfläche 124 des zweiten Die-Pads 12. Die dritte Element-Seitenfläche 305 weist in die gleiche Richtung wie die dritte Seitenfläche 125 des zweiten Die-Pads 12, und die vierte Element-Seitenfläche 306 weist in die gleiche Richtung wie die vierte Seitenfläche 126 des zweiten Die-Pads 12.
  • Das zweite Schaltelement 30 weist eine zweite Hauptflächenelektrode 31 und eine zweite Steuerelektrode 32 auf der Element-Hauptfläche 301 und eine zweite Rückflächenelektrode 33 auf der Element-Rückfläche 302 auf. Bei der zweiten Hauptflächenelektrode 31 handelt es sich um eine Source-Elektrode. Die zweite Hauptflächenelektrode 31 der vorliegenden Ausführungsform weist eine Source-Hauptelektrode 311 und Source-Steuerelektroden 312 und 313 auf. Die zweite Steuerelektrode 32 ist eine Gate-Elektrode. Die Source-Steuerelektroden 312 und 313 sind beispielsweise Source-Ansteuerelektroden, die elektrisch mit einer Schaltung (Ansteuerung) verbunden sind, die das zweite Schaltelement 30 ansteuert. In der vorliegenden Ausführungsform ist die zweite Steuerelektrode 32 an einem Abschnitt angeordnet, der der vierten Element-Seitenfläche 306 zugewandt ist. Ferner ist die zweite Steuerelektrode 32 im zentralen Teil des Abschnitts angeordnet, der in Längsrichtung Y in Richtung der vierten Element-Seitenfläche 306 angeordnet ist. Die Source-Hauptelektrode 311 der zweiten Hauptflächenelektrode 31 ist in Breitenrichtung X neben der zweiten Steuerelektrode 32 angeordnet. Die zweite Steuerelektrode 32 liegt in Längsrichtung Y sandwichartig zwischen den Source-Steuerelektroden 312 und 313. Die zweite Rückflächenelektrode 33 ist eine Drain-Elektrode. Die zweite Rückflächenelektrode 33 ist durch Lötmittel 82 elektrisch mit dem zweiten Die-Pad 12 verbunden.
  • Wie in 2 gezeigt, ist das zweite Schaltelement 30 auf der Hauptfläche 121 des zweiten Die-Pads 12 an einem Abschnitt angeordnet, der in Längsrichtung Y in Richtung der ersten Seitenfläche 123 angeordnet ist. Ferner ist das zweite Schaltelement 30 im zentralen Teil des zweiten Die-Pads 12 in Breitenrichtung X angeordnet.
  • Erstes Verbindungselement
  • Die erste Hauptflächenelektrode 21 (Source-Hauptelektrode 211) des ersten Schaltelements 20 ist mit dem zweiten Die-Pad 12 durch erste Drähte 51 verbunden, die als ein erstes Verbindungselement dienen. Bei der vorliegenden Ausführungsform, wie sie in den 1 und 2 dargestellt ist, ist die erste Hauptflächenelektrode 21 (Source-Hauptelektrode 211) des ersten Schaltelements 20 über fünf erste Drähte 51 mit dem zweiten Die-Pad 12 verbunden. Die Anzahl der ersten Drähte 51 wird beispielsweise gemäß dem Ansteuerungsstrom festgelegt, der durch das Halbleiterbauteil A10 fließen darf. Die ersten Drähte 51 sind in Längsrichtung Y angeordnet und erstrecken sich in Breitenrichtung X. Die ersten Drähte 51 sind in Dickenrichtung Z gesehen parallel zueinander angeordnet.
  • Die ersten Drähte 51 sind z.B. aus Aluminium (Al) gebildet. Die Formulierung „aus A1 gebildet“ soll bedeuten, dass sie aus Al oder einer Legierung, die Al aufweist, gebildet sind. Die ersten Drähte 51 weisen jeweils einen mittleren Teil mit einem Querschnitt auf, der senkrecht zur Längsrichtung kreisförmig ist. Die ersten Drähte 51 können jeweils eine beliebige Querschnittsform aufweisen. Der Durchmesser der ersten Drähte 51, deren Querschnitt kreisförmig ist, beträgt beispielsweise 0,1 mm oder mehr und 0,4 mm oder weniger.
  • Anschlüsse („leads“)
  • Wie in den 1 und 2 dargestellt, weist das Halbleiterbauteil A10 eine Vielzahl von (bei dieser Ausführungsform sieben) Anschlüssen 41 bis 47 auf. Die ersten bis siebten Anschlüsse 41 bis 47 erstrecken sich in Längsrichtung Y Die ersten bis siebten Anschlüsse 41 bis 47 ragen aus der ersten Harz-Seitenfläche 703 des Einkapselungsharzes 70 heraus.
  • Die ersten bis siebten Anschlüsse 41 bis 47 sind in Breitenrichtung X angeordnet. Bei dieser Ausführungsform sind die ersten bis siebten Anschlüsse 41 bis 47 in der Reihenfolge von der dritten Harz-Seitenfläche 705 des Einkapselungsharzes 70 zur vierten Harz-Seitenfläche 706 angeordnet. Die Breitenrichtung X ist die Richtung, in der das erste Die-Pad 11 und das zweite Die-Pad 12 angeordnet sind. Dementsprechend sind die ersten bis siebten Anschlüsse 41 bis 47 in der Richtung angeordnet, in der das erste Die-Pad 11 und das zweite Die-Pad 12 angeordnet sind. Die ersten bis siebten Anschlüsse 41 bis 47 sind aus Cu gebildet.
  • Erster Anschluss
  • Wie in 2 dargestellt, weist der erste Anschluss 41 einen Pad-Abschnitt 411, einen Basisabschnitt 412 und einen Substrat-Verbindungsabschnitt 413 auf. Der Pad-Abschnitt 411 ist vom ersten Die-Pad 11 in Richtung der ersten Harz-Seitenfläche 703 des Einkapselungsharzes 70 in Längsrichtung Y beabstandet. Der Pad-Abschnitt 411 ist ein Drahtbonding-Abschnitt, mit dem ein Draht 61 verbunden ist. Der Pad-Abschnitt 411 ist über den Draht 61 mit der ersten Steuerelektrode 22 des ersten Schaltelements 20 verbunden. Somit ist der erste Anschluss 41 ein erster Steueranschluss, der mit der ersten Steuerelektrode (Gate-Elektrode) 22 des ersten Schaltelements 20 verbunden ist. In der folgenden Beschreibung kann der erste Anschluss 41 als erster Steueranschluss 41 bezeichnet werden. Der Draht 61 ist z. B. aus Al gefertigt. Der Durchmesser des Drahtes 61 beträgt z.B. 0,04 mm oder mehr und 0,1 mm oder weniger.
  • Der Basisabschnitt 412 erstreckt sich von dem Pad-Abschnitt 411 in Längsrichtung Y und ragt aus der ersten Seitenfläche 703 des Einkapselungsharzes 70 heraus. Der Substrat-Verbindungsabschnitt 413 erstreckt sich vom distalen Ende des Basisabschnitts 412 in Längsrichtung Y Der Substrat-Verbindungsabschnitt 413 wird in ein Komponentenloch eines Montagesubstrats eingeführt und mit einer leitenden Verdrahtung des Montagesubstrats durch Lötmittel (nicht gezeigt) verbunden. Wie in 2 gezeigt, ist der Basisabschnitt 412 in Breitenrichtung X breiter als der Substrat-Verbindungsabschnitt 413. In Breitenrichtung X steht der Basisabschnitt 412 in der Richtung, die sich von der vierten Harz-Seitenfläche 706 des Einkapselungsharzes 70 in Richtung der dritten Harz-Seitenfläche 705 erstreckt, weiter vom Substrat-Verbindungsabschnitt 413 vor.
  • In dem ersten Steueranschluss 41 und den zweiten bis siebten Anschlüssen 42 bis 47 haben die Substrat-Verbindungsabschnitte 413, 423, 433, 443, 453, 463 und 473 die gleiche Breite. Die Breite des Substrat-Verbindungsabschnitts 413 beträgt beispielsweise 1,2 mm, und die Breite des Basisabschnitts 412 beträgt beispielsweise 2,6 mm. Wie in den 1 und 3 gezeigt, ist bei der vorliegenden Ausführungsform die Dicke des ersten Steueranschlusses 41 kleiner oder gleich der Dicke des ersten Die-Pads 11. Die Dicke des ersten Steueranschlusses 41 beträgt z. B. 0,6 mm.
  • Zweiter Anschluss
  • Wie in 2 dargestellt, weist der zweite Anschluss 42 einen Pad-Abschnitt 421, einen Basisabschnitt 422 und einen Substrat-Verbindungsabschnitt 423 auf. Der Pad-Abschnitt 421 ist von dem ersten Die-Pad 11 in Richtung der ersten Seitenfläche 703 des Einkapselungsharzes 70 in Längsrichtung Y beabstandet. Der Pad-Abschnitt 421 ist ein Drahtbonding-Abschnitt, mit dem ein Draht 62 verbunden ist. Der Pad-Abschnitt 421 ist über den Draht 62 mit der Source-Steuerelektrode 312 des ersten Schaltelements 20 verbunden. Somit ist der zweite Anschluss 42 ein erster Source-Anschluss, der mit der Source-Elektrode des ersten Schaltelements 20 verbunden ist. In der folgenden Beschreibung kann der zweite Anschluss 42 als erster Source-Anschluss 42 bezeichnet werden. Der Draht 62 ist z. B. aus Al gefertigt. Der Durchmesser des Drahtes 62 beträgt z.B. 0,04 mm oder mehr und 0,1 mm oder weniger.
  • Der Basisabschnitt 422 erstreckt sich von dem Pad-Abschnitt 421 in Längsrichtung Y und ragt aus der ersten Seitenfläche 703 des Einkapselungsharzes 70 heraus. Der Substrat-Verbindungsabschnitt 423 erstreckt sich vom distalen Ende des Basisabschnitts 422 in Längsrichtung Y Der Substrat-Verbindungsabschnitt 423 wird in ein Komponentenloch eines Montagesubstrats eingeführt und mit einer leitenden Verdrahtung des Montagesubstrats durch Lötmittel (nicht gezeigt) verbunden. Wie in 2 gezeigt, hat bei der vorliegenden Ausführungsform der Basisabschnitt 422 des ersten Source-Anschlusses 42 die gleiche Breite wie der Substrat-Verbindungsabschnitt 423. Die Dicke des ersten Source-Anschlusses 42 ist kleiner oder gleich der Dicke des ersten Die-Pads 11, z.B. 0,6 mm.
  • Dritter Anschluss
  • Wie in 2 dargestellt, weist der dritte Anschluss 43 einen Verbindungsabschnitt 431, einen Basisabschnitt 432 und einen Substrat-Verbindungsabschnitt 433 auf. Der Verbindungsabschnitt 431 ist mit dem ersten Die-Pad 11 verbunden. Das erste Die-Pad 11 ist mit der ersten Rückflächenelektrode (Drain-Elektrode) 23 des ersten Schaltelements 20 verbunden. Somit ist der dritte Anschluss 43 ein erster Ansteueranschluss (Drain-Anschluss), der mit der ersten Rückflächenelektrode (Drain-Elektrode) 23 des ersten Schaltelements 20 verbunden ist. In der folgenden Beschreibung kann der dritte Anschluss 43 als erster Ansteueranschluss 43 bezeichnet werden. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der erste Ansteueranschluss 43 mit dem ersten Die-Pad 11 verbunden. Der erste Ansteueranschluss 43 und das erste Die-Pad 11 bilden einen integrierten ersten Anschlussrahmen („lead frame“) 14.
  • Der Basisabschnitt 432 erstreckt sich von dem Verbindungsabschnitt 431 in Längsrichtung Y und ragt aus der ersten Harz-Seitenfläche 703 des Einkapselungsharzes 70 heraus. Der Substrat-Verbindungsabschnitt 433 erstreckt sich vom distalen Ende des Basisabschnitts 432 in Längsrichtung Y Der Substrat-Verbindungsabschnitt 433 wird in ein Komponentenloch eines Montagesubstrats eingeführt und mit einer leitenden Verdrahtung des Montagesubstrats durch Lötmittel (nicht gezeigt) verbunden. Wie in 2 gezeigt, ist der Basisabschnitt 432 in Breitenrichtung X breiter als der Substrat-Verbindungsabschnitt 433. In Breitenrichtung X ragt der Basisabschnitt 432 vom Substrat-Verbindungsabschnitt 433 weiter in Richtung des ersten Source-Anschlusses 42. Die Breite des Substrat-Verbindungsabschnitts 433 beträgt beispielsweise 1,2 mm, und die Breite des Basisabschnitts 432 beträgt 2,6 mm. Wie in 1 gezeigt, ist bei der vorliegenden Ausführungsform die Dicke des ersten Ansteueranschlusses 43 kleiner oder gleich der Dicke des ersten Die-Pads 11, z.B. 0,6 mm.
  • Vierter Anschluss
  • Wie in 2 dargestellt, weist der vierte Anschluss 44 einen Verbindungsabschnitt 441, einen Basisabschnitt 442 und einen Substrat-Verbindungsabschnitt 443 auf. Der Verbindungsabschnitt 441 ist mit dem zweiten Die-Pad 12 verbunden. Das zweite Die-Pad 12 ist mit der zweiten Rückflächenelektrode (Drain-Elektrode) 33 des zweiten Schaltelements 30 verbunden. Ferner ist das zweite Die-Pad 12 mit der ersten Hauptflächenelektrode 21 (Source-Hauptelektrode 211) des ersten Schaltelements 20 verbunden. Somit ist der vierte Anschluss 44 ein Ausgangsanschluss, der mit der ersten Hauptflächenelektrode 21 (Source-Hauptelektrode 211) des ersten Schaltelements 20 und der zweiten Rückflächenelektrode (Drain-Elektrode) 33 des zweiten Schaltelements 30 verbunden ist. In der folgenden Beschreibung kann der vierte Anschluss 44 als Ausgangsanschluss 44 bezeichnet werden. In der vorliegenden Ausführungsform ist der Ausgangsanschluss 44 mit dem zweiten Die-Pad 12 integriert. Der Ausgangsanschluss 44 und das zweite Die-Pad 12 bilden einen integrierten zweiten Anschlussrahmen („lead frame“) 15.
  • Der Basisabschnitt 442 erstreckt sich von dem Verbindungsabschnitt 441 in Längsrichtung Y und ragt aus der ersten Harz-Seitenfläche 703 des Einkapselungsharzes 70 heraus. Der Substrat-Verbindungsabschnitt 443 erstreckt sich vom distalen Ende des Basisabschnitts 442 in Längsrichtung Y Wie in 2 dargestellt, ist der Basisabschnitt 442 in Breitenrichtung X breiter als der Substrat-Verbindungsabschnitt 443. In Breitenrichtung X ragt der Basisabschnitt 442 weiter vom Substrat-Verbindungsabschnitt 443 in Richtung des ersten Ansteueranschlusses 43 vor. Bei dieser Ausführungsform sind die Breiten des Basisabschnitts 442 und des Substrat-Verbindungsabschnitts 443 des Ausgangsanschlusses 44 und die Dicke des Ausgangsanschlusses 44 kleiner oder gleich der Dicke des zweiten Die-Pads 12, beispielsweise 0,6 mm.
  • Fünfter Anschluss
  • Wie in 2 dargestellt, weist der fünfte Anschluss 45 einen Pad-Abschnitt 451, einen Basisabschnitt 452 und einen Substrat-Verbindungsabschnitt 453 auf. Der Pad-Abschnitt 451 ist von dem zweiten Die-Pad 12 beabstandet und in Längsrichtung Y in Richtung der ersten Harz-Seitenfläche 703 des Einkapselungsharzes 70 angeordnet. Der Pad-Abschnitt 451 erstreckt sich entlang der ersten Seitenfläche 123 des zweiten Die-Pads 12. Der Pad-Abschnitt 451 ist ein Drahtbonding-Abschnitt, an den zweite Drähte 52, die als zweites Verbindungselement dienen, angeschlossen sind. Der Pad-Abschnitt 451 ist zum Beispiel über die zweiten Drähte 52 mit der zweiten Hauptflächenelektrode 31 (Source-Hauptelektrode 311) des zweiten Schaltelements 30 verbunden. 2 zeigt fünf zweite Drähte 52. Die zweiten Drähte 52 sind in Breitenrichtung X angeordnet. In Dickenrichtung Z gesehen sind die zweiten Drähte 52 parallel zueinander verlegt. Somit ist der fünfte Anschluss 45 ein zweiter Ansteueranschluss (Source-Anschluss), der mit der zweiten Hauptflächenelektrode 31 (Source-Hauptelektrode 311) des zweiten Schaltelements 30 verbunden ist. In der folgenden Beschreibung kann der fünfte Anschluss 45 als zweiter Ansteueranschluss 45 bezeichnet werden. Die zweiten Drähte 52 sind z. B. aus Al gefertigt. Der Durchmesser der zweiten Drähte 52 beträgt z.B. 0,1 mm oder mehr und 0,4 mm oder weniger.
  • Wie in 2 gezeigt, erstreckt sich der Basisabschnitt 452 von dem Pad-Abschnitt 451 in Längsrichtung Y und ragt aus der ersten Harz-Seitenfläche 703 des Einkapselungsharzes 70 heraus. Der Substrat-Verbindungsabschnitt 453 erstreckt sich vom distalen Ende des Basisabschnitts 452 in Längsrichtung Y Wie in 2 gezeigt, hat der Basisabschnitt 452 eine größere Breite als der Substrat-Verbindungsabschnitt 453 in Breitenrichtung X. In Breitenrichtung X ragt der Basisabschnitt 452 weiter vom Substrat-Verbindungsabschnitt 453 in Richtung des sechsten Anschlusses 46 vor. Bei dieser Ausführungsform sind die Breiten des Basisabschnitts 452 und des Substrat-Verbindungsabschnitts 453 des zweiten Ansteueranschlusses 45 kleiner oder gleich der Dicke des zweiten Die-Pads 12, z.B. 0,6 mm.
  • Sechster Anschluss
  • Wie in 2 dargestellt, weist der sechste Anschluss 46 einen Pad-Abschnitt 461, einen Basisabschnitt 462 und einen Substrat-Verbindungsabschnitt 463 auf. Der Pad-Abschnitt 461 ist von dem zweiten Die-Pad 12 beabstandet und in Längsrichtung Y in Richtung der ersten Harz-Seitenfläche 703 des Einkapselungsharzes 70 angeordnet. Der Pad-Abschnitt 461 ist ein Drahtbonding-Abschnitt, mit dem ein Draht 63 verbunden bzw. angeschlossen ist. Der Pad-Abschnitt 461 ist z. B. über einen Draht 63 mit der Source-Steuerelektrode 313 des zweiten Schaltelements 30 verbunden. Der sechste Anschluss 46 ist also ein Source-Anschluss, der mit der Source-Steuerelektrode 313 des zweiten Schaltelements 30 verbunden ist. In der folgenden Beschreibung kann der sechste Anschluss 46 als zweiter Source-Anschluss 46 bezeichnet werden. Der Draht 63 besteht z. B. aus Al. Der Durchmesser des Drahtes 63 beträgt z.B. 0,04 mm oder mehr und 0,1 mm oder weniger.
  • Der Basisabschnitt 462 erstreckt sich von dem Pad-Abschnitt 461 in Längsrichtung Y und ragt aus der ersten Harz-Seitenfläche 703 des Einkapselungsharzes 70 heraus. Der Substrat-Verbindungsabschnitt 463 erstreckt sich vom distalen Ende des Basisabschnitts 462 in Längsrichtung Y Wie in 2 gezeigt, hat in der vorliegenden Ausführungsform der Basisabschnitt 462 des zweiten Source-Anschlusses 46 die gleiche Breite wie der Substrat-Verbindungsabschnitt 463. Bei dieser Ausführungsform sind die Breiten des Basisabschnitts 462 und des Substrat-Verbindungsabschnitts 463 des zweiten Source-Anschlusses 46 und die Dicke des zweiten Source-Anschlusses 46 kleiner als oder gleich der Dicke des zweiten Die-Pads 12, beispielsweise 0,6 mm.
  • Siebter Anschluss
  • Wie in 2 dargestellt, weist der siebte Anschluss 47 einen Pad-Abschnitt 471, einen Basisabschnitt 472 und einen Substrat-Verbindungsabschnitt 473 auf. Der Pad-Abschnitt 471 ist von dem zweiten Die-Pad 12 in Richtung der ersten Harz-Seitenfläche 703 des Einkapselungsharzes 70 in Längsrichtung Y beabstandet. Der Pad-Abschnitt 471 ist ein Drahtbonding-Abschnitt, an den ein Draht 64 angeschlossen ist. Der Pad-Abschnitt 471 ist über den Draht 64 mit der zweiten Steuerelektrode 32 des zweiten Schaltelements 30 verbunden. Der siebte Anschluss 47 ist also ein zweiter Steueranschluss, der mit der zweiten Steuerelektrode (Gate-Elektrode) 32 des zweiten Schaltelements 30 verbunden ist. In der folgenden Beschreibung kann der siebte Anschluss 47 als zweiter Steueranschluss 47 bezeichnet werden. Die Draht 64 besteht z. B. aus Al. Der Durchmesser des Drahtes 64 beträgt z.B. 0,04 mm oder mehr und 0,1 mm oder weniger.
  • Der Basisabschnitt 472 erstreckt sich von dem Pad-Abschnitt 471 in Längsrichtung Y und ragt aus der ersten Harz-Seitenfläche 703 des Einkapselungsharzes 70 heraus. Der Substrat-Verbindungsabschnitt 473 erstreckt sich vom distalen Ende des Basisabschnitts 472 in Längsrichtung Y Wie in 2 gezeigt, ist der Basisabschnitt 472 in Breitenrichtung X breiter als der Substrat-Verbindungsabschnitt 473. In Breitenrichtung X ragt der Basisabschnitt 472 in der Richtung, die sich von der dritten Harz-Seitenfläche 705 des Einkapselungsharzes 70 in Richtung der vierten Harz-Seitenfläche 706 erstreckt, weiter vom Substrat-Verbindungsabschnitt 473 vor. Bei dieser Ausführungsform sind die Breiten des Basisabschnitts 472 und des Substrat-Verbindungsabschnitts 473 des zweiten Steueranschlusses 47 und die Dicke des zweiten Steueranschlusses 47 kleiner oder gleich der Dicke des zweiten Die-Pads 12, z. B. 0,6 mm. In der vorliegenden Ausführungsform haben die ersten bis siebten Anschlüsse 41 bis 47 die gleiche Dicke.
  • Bei dieser Ausführungsform sind die Anschlüsse 41 bis 47 so angeordnet, dass der Abstand zwischen zwei benachbarten Anschlüssen des ersten Source-Anschlusses 42 und des zweiten Source-Anschlusses 46 in der Breitenrichtung X größer ist als der Abstand zwischen dem ersten Steueranschluss 41 und dem ersten Source-Anschluss 42 und der Abstand zwischen dem zweiten Source-Anschluss 46 und dem zweiten Steueranschluss 47. Ferner sind bei dieser Ausführungsform der erste Source-Anschluss 42 bis zum zweiten Source-Anschluss 46 so angeordnet, dass die Basisabschnitte 422, 432, 442, 452 und 462 in gleichen Abständen angeordnet sind. Wie in 2 dargestellt, weist das Einkapselungsharz 70 Ausnehmungen 707 auf, die sich von der ersten Harz-Seitenfläche 703 in Längsrichtung Y zwischen dem ersten Source-Anschluss 42 und dem zweiten Source-Anschluss 46 erstrecken.
  • Arbeitsweise
  • Im Folgenden wird ein Vergleichsbeispiel mit der vorliegenden Ausführungsform beschrieben.
  • 4 zeigt das Vergleichsbeispiel im Vergleich zu der vorliegenden Ausführungsform. Das Vergleichsbeispiel verwendet zwei Halbleiterbauteile 90a und 90b, um eine Inverterschaltung bzw. Wechselrichterschaltung („inverter circuit“) oder dergleichen zu bilden. Die Halbleiterbauteile 90a und 90b weisen jeweils ein Schaltelement 91 und Anschlüsse („leads“) 921 bis 924 auf, die jeweils mit einer Gate-Elektrode 911, einer Source-Steuerelektrode 912, einer Source-Hauptelektrode 913 und einer Rückflächenelektrode (Drain-Elektrode) 914 des Schaltelements 91 verbunden sind. Die Elektroden 911 bis 914 sind jeweils mit den Anschlüssen 921 bis 924 verbunden. Die Wechselrichterschaltung wird gebildet, indem die Rückflächenelektrode (Drain-Elektrode) 914 des Schaltelements 91 des einen Halbleiterbauteils 90a mit der Source-Hauptelektrode 913 des Schaltelements 91 des anderen Halbleiterbauteils 90b durch eine externe Verdrahtung („wiring OP“) elektrisch verbunden wird. Die äußere Verdrahtung ist beispielsweise die leitende Verdrahtung eines Montagesubstrats, auf dem die Halbleiterbauteile 90a und 90b montiert sind. In 4 verbindet die externe Verdrahtung die distalen Enden der Anschlüsse 924 und 923.
  • Der Anschluss 923 des einen Halbleiterbauteils 90a ist mit einer leitenden Versdrahtung verbunden, die eine Spannung mit niedrigem Potenzial liefert, und der Anschluss 924 des anderen Halbleiterbauteils 90a ist mit einer leitenden Versdrahtung verbunden, die eine Spannung mit hohem Potenzial liefert. Die beiden Halbleiterbauteile 90a und 90b und die externe Verdrahtung sind zwischen dem Anschluss 923 und dem Anschluss 924 angeordnet. Die parasitäre Induktivität der externen Verdrahtung erhöht die Induktivität des Anschlusses 924 (Drain-Anschluss), des Anschlusses 923 (Ausgangsanschluss) und des Anschlusses 923 (Source-Anschluss).
  • Das Halbleiterbauteil A10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform weist das erste Schaltelement 20 und das zweite Schaltelement 30 in demselben Einkapselungsharz 70 auf. Die erste Hauptflächenelektrode 21 (Source-Hauptelektrode 211) des ersten Schaltelements 20 ist über die ersten Drähte 51, die als erstes Verbindungselement dienen, mit dem zweiten Die-Pad 12 verbunden, auf dem das zweite Schaltelement 30 montiert ist. Dementsprechend ist in dem Halbleiterbauteil A10 gemäß dieser Ausführungsform der Leiterabstand zwischen dem ersten Ansteueranschluss 43 (erster Ansteueranschluss), dem Ausgangsanschluss 44 (Ausgangsanschluss) und dem zweiten Ansteueranschluss 45 (zweiter Ansteueranschluss) verkürzt. Dadurch ist die Induktivität des Halbleiterbauteils A10 kleiner als die des Vergleichsbeispiels, d. h. etwa um die Hälfte. Auf diese Weise reduziert das Halbleiterbauteil A10 gemäß dieser Ausführungsform die Induktivität.
  • Vorteile
  • Wie oben beschrieben, hat die vorliegende Ausführungsform die folgenden Vorteile.
    • (1-1) Das Halbleiterbauteil A10 weist das erste Schaltelement 20 und das zweite Schaltelement 30 in demselben Einkapselungsharz 70 auf. Die erste Hauptflächenelektrode 21 (Source-Hauptelektrode 211) des ersten Schaltelements 20 ist über die ersten Drähte 51, die als erstes Verbindungselement dienen, mit dem zweiten Pad 12 verbunden, auf dem das zweite Schaltelement 30 montiert ist. Dementsprechend wird in dem Halbleiterbauteil A10 der Leiterabstand zwischen dem ersten Ansteueranschluss 43 (erster Ansteueranschluss), dem Ausgangsanschluss 44 (Ausgangsanschluss) und dem zweiten Ansteueranschluss 45 (zweiter Ansteueranschluss) verkürzt. Dadurch wird die Induktivität verringert.
    • (1-2) Die Dicke des ersten Die-Pads 11 und des zweiten Die-Pads 12 beträgt 1 mm oder mehr und 3 mm oder weniger. Es ist bevorzugt, dass das erste Die-Pad 11 und das zweite Die-Pad dick sind. Die bei der Funktion des ersten Schaltelements 20 erzeugte Wärme wird vom ersten Schaltelement 20 auf das erste Die-Pad 11 übertragen. Je dicker das erste Die-Pad 11 ist, desto leichter wird die Wärme vom ersten Schaltelement 20 auf das erste Die-Pad 11 übertragen. Dadurch wird die Wärmeableitung des ersten Schaltelements 20 verbessert und der Wärmewiderstand im ersten Schaltelement 20 verringert. Auf die gleiche Weise wird der Wärmewiderstand des zweiten Schaltelements 30 verringert.
    • (1-3) Die ersten Drähte 51, die als das erste Verbindungselement dienen, sind so angeordnet, dass sie in Dickenrichtung Z gesehen parallel zueinander verlaufen. Dementsprechend müssen in einem Schritt zum Verbinden der ersten Drähte 51 der Winkel jedes Drahtes und die Schleifenhöhe jedes Drahtes nicht verändert werden. Somit können die ersten Drähte 51 durch Wiederholung der gleichen Aktion verbunden werden. Dies erleichtert die Herstellung.
    • (1-4) Die Source-Hauptelektrode 311 des zweiten Schaltelements 30 ist über die zweiten Drähte 52 mit dem Pad-Abschnitt 451 des zweiten Ansteueranschlusses 45 verbunden. Die zweiten Drähte 52 sind, in Dickenrichtung Z gesehen, parallel zueinander angeordnet. Dementsprechend müssen in einem Schritt zum Verbinden der zweiten Drähte 52 der Winkel der einzelnen Drähte und die Schleifenhöhe der einzelnen Drähte nicht verändert werden. Somit können die Drähte 62 durch Wiederholung der gleichen Aktion verbunden werden. Dies erleichtert die Herstellung.
    • (1-5) Die Anschlüsse 41 bis 47 sind so angeordnet, dass der Abstand zwischen zwei Benachbarten des ersten Source-Anschlusses 42 zum zweiten Source-Anschluss 46 in Breitenrichtung X größer ist als der Abstand zwischen dem ersten Steueranschluss 41 und dem ersten Source-Anschluss 42 und der Abstand zwischen dem zweiten Source-Anschluss 46 und dem zweiten Steueranschluss 47. Bei dieser Ausführungsform sind der erste Source-Anschluss 42 zum zweiten Source-Anschluss 46 so angeordnet, dass die Basisabschnitte 422, 432, 442, 452 und 462 des ersten Source-Anschlusses 42 zum zweiten Source-Anschluss 46 in gleichen Abständen angeordnet sind. Dadurch wird der Abstand zwischen zwei Benachbarten des ersten Source-Anschlusses 42 zum zweiten Source-Anschlusses 46 vergrößert und die Isolierung sichergestellt.
    • (1-6) Das Einkapselungsharz 70 weist Ausnehmungen 707 auf, die sich von der ersten Harz-Seitenfläche 703 in Längsrichtung Y zwischen dem ersten Source-Anschluss 42 zum zweiten Source-Anschluss 46 erstrecken. Die Ausnehmungen 707 verlängern den Abstand der Fläche (Oberflächenabstand) des Einkapselungsharzes 70 zwischen dem ersten Source-Anschluss 42 und dem ersten Ansteueranschluss 43 und sorgen für eine Isolierung zwischen dem ersten Source-Anschluss 42 und dem ersten Ansteueranschluss 43. In gleicher Weise wird der Flächenabstand zwischen den Anschlüssen 43 und 44, den Anschlüssen 44 und 45 sowie den Anschlüssen 45 und 46, die die Ausnehmungen 707 einschließen, vergrößert. Dies gewährleistet die Isolierung.
  • Modifizierte Beispiele der ersten Ausführungsform
  • Die erste Ausführungsform kann wie nachstehend beschrieben modifiziert werden.
  • Die Ausgestaltung des ersten Schaltelements 20 und des zweiten Schaltelements 30 kann verändert werden. Zum Beispiel ist im ersten Schaltelement 20 die erste Hauptflächenelektrode 21 in die Source-Hauptelektrode 211 und die Source-Steuerelektroden 212 und 213 unterteilt. Stattdessen kann ein Schaltelement mit einer ungeteilten ersten Hauptflächenelektrode verwendet werden. In diesem Fall sind die ersten Drähte 51 und der in den 1 und 2 dargestellte Draht 62 mit der einzigen ersten Hauptflächenelektrode verbunden. In gleicher Weise weist die zweite Hauptflächenelektrode 31 des zweiten Schaltelements 30 die Source-Hauptelektrode 311 und die Source-Steuerelektroden 312 und 313 auf. Stattdessen kann ein Schaltelement mit einer ungeteilten zweiten Hauptflächenelektrode verwendet werden. In diesem Fall sind die zweiten Drähte 52 und der Draht 63 mit der einzigen ersten Hauptflächenelektrode verbunden.
  • Die Dicke der einzelnen Anschlüsse kann geändert werden. Ein in 5 dargestelltes Halbleiterbauteil A11 weist beispielsweise die ersten bis siebten Anschlüsse 41 bis 47 auf, die die gleiche Dicke haben. Die Dicke des dritten Anschlusses 43 bis zum fünften Anschluss ist gleich der Dicke des ersten Die-Pads 11 und des zweiten Die-Pads 12. In 5 haben der erste Anschluss 41, der zweite Anschluss 42, der sechste Anschluss 46 und der siebte Anschluss 47 die gleiche Dicke wie der dritte Anschluss 43 bis der fünfte Anschluss 45. Stattdessen können entweder der erste Anschluss 41 oder der zweite Anschluss 42 und entweder der sechste Anschluss 46 oder der siebte Anschluss 47 eine Dicke aufweisen, die sich von der Dicke des dritten bis fünften Anschlusses 43 bis 45 unterscheidet. Ferner kann zumindest einer der dritten bis fünften Anschlüsse 43 bis 45 eine Dicke aufweisen, die von der Dicke des ersten Die-Pads 11 und des zweiten Die-Pads 12 abweicht.
  • Die Anzahl der ersten Drähte 51, die als erstes Verbindungselement dienen, das das erste Schaltelement 20 und das zweite Die-Pad 12 verbindet, kann vier oder weniger oder sechs oder mehr betragen.
  • Die Anzahl der zweiten Drähte 52, die als zweites Verbindungselement dienen, das das zweite Schaltelement 30 und den fünften Anschluss 45 verbindet, kann vier oder weniger oder sechs oder mehr betragen.
  • Einige oder alle Ausnehmungen 707 können vom Einkapselungsharz 70 ausgelassen sein.
  • Zweite Ausführungsform
  • Unter Bezugnahme auf die 6 bis 9 wird nun ein Halbleiterbauteil A20 gemäß einer zweiten Ausführungsform beschrieben.
  • Das Halbleiterbauteil A20 gemäß der zweiten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A10 gemäß der ersten Ausführungsform hauptsächlich durch die Verbindung des vierten Anschlusses und des fünften Anschlusses. In der nachfolgenden Beschreibung werden die Komponenten, die mit den entsprechenden Komponenten des Halbleiterbauteils A10 gemäß der ersten Ausführungsform identisch sind, mit denselben Bezugszeichen bezeichnet. Solche Komponenten werden nicht genauer beschrieben.
  • Wie in den 6 bis 8 gezeigt, weist das Halbleiterbauteil A20 gemäß der vorliegenden Ausführungsform Anschlüsse („leads“) 41, 42, 43, 44a, 45a, 46 und 47 auf, die aus der ersten Harz-Seitenfläche 703 des Einkapselungsharzes 70 herausragen.
  • Vierter Anschluss
  • Der vierte Anschluss 44a weist einen Pad-Abschnitt 444, den Basisabschnitt 442 und den Substrat-Verbindungsabschnitt 443 auf. Der Pad-Abschnitt 444 ist von dem zweiten Die-Pad 12 beabstandet und in Längsrichtung Y in Richtung der ersten Harz-Seitenfläche 703 des Einkapselungsharzes 70 angeordnet. Der Pad-Abschnitt 444 erstreckt sich entlang der ersten Seitenfläche 123 des zweiten Die-Pads 12. Der Pad-Abschnitt 444 ist ein Drahtbonding-Abschnitt, an den die zweiten Drähte 52, die als zweites Verbindungselement dienen, angeschlossen bzw. verbunden sind. Der Pad-Abschnitt 444 ist z. B. über die zweiten Drähte 52 mit der zweiten Hauptflächenelektrode 31 (Source-Hauptelektrode 311) des zweiten Schaltelements 30 verbunden. In den 6 und 7 sind fünf zweite Drähte dargestellt. Der vierte Anschluss 44a ist also ein zweiter Ansteueranschluss (Source-Anschluss), der mit der zweiten Hauptflächenelektrode 31 (Source-Hauptelektrode 311) des zweiten Schaltelements 30 verbunden ist.
  • Fünfter Anschluss
  • Der fünfte Anschluss 45a weist einen Verbindungsabschnitt 454, den Basisabschnitt 452 und den Substrat-Verbindungsabschnitt 453 auf. Der Verbindungsabschnitt 454 ist mit dem zweiten Die-Pad 12 verbunden. Das zweite Die-Pad 12 ist mit der zweiten Rückflächenelektrode 33 (Drain-Elektrode) des zweiten Schaltelements 30 verbunden. Ferner ist das zweite Die-Pad 12 mit der ersten Hauptflächenelektrode 21 (Source-Hauptelektrode 211) des ersten Schaltelements 20 verbunden. Das heißt, der fünfte Anschluss 45a ist ein Ausgangsanschluss, der mit der ersten Hauptflächenelektrode 21 (Source-Hauptelektrode 211) des ersten Schaltelements 20 und der zweiten Rückflächenelektrode 33 (Drain-Elektrode) des zweiten Schaltelements 30 verbunden ist. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der fünfte Anschluss 45a mit dem zweiten Die-Pad 12 integriert. Der fünfte Anschluss 45a und das zweite Die-Pad 12 bilden einen integrierten zweiten Anschlussrahmen („lead frame“) 15a.
  • Arbeitsweise
  • Die Arbeits- bzw. Funktionsweise bzw. der Betrieb des Halbleiterbauteils A20 gemäß der zweiten Ausführungsform wird nun beschrieben.
  • Das Halbleiterbauteil A20 gemäß der vorliegenden Ausführungsform weist den ersten Ansteueranschluss 43 (dritter Anschluss), den zweiten Ansteueranschluss 44a (vierter Anschluss) und den Ausgangsanschluss 45a (fünfter Anschluss) auf, die in Breitenrichtung X angeordnet sind. D.h. der erste Ansteueranschluss 43 und der zweite Ansteueranschluss 44a sind nebeneinander angeordnet. Der erste Ansteueranschluss 43 wird mit einer Spannung mit hohem Potential und der zweite Ansteueranschluss 44a mit einer Spannung mit niedrigem Potential versorgt.
  • 9 zeigt den Stromfluss bei der Funktion des Halbleiterbauteils A20 gemäß der vorliegenden Ausführungsform. Wenn das erste Schaltelement 20 eingeschaltet und das zweite Schaltelement 30 ausgeschaltet ist, fließt ein erster Strom 11 von dem ersten Ansteueranschluss 43 zu dem Ausgangsanschluss 45a. Wenn dagegen das erste Schaltelement 20 ausgeschaltet und das zweite Schaltelement 30 eingeschaltet ist, fließt ein zweiter Strom I2 vom Ausgangsanschluss 45a zum zweiten Ansteueranschluss 44a. Wenn das Halbleiterbauteil A20 mit einem Hochgeschwindigkeits-Steuersignal (z.B. 1 MHz) betrieben wird, fließen in dem ersten Ansteueranschluss 43 und dem zweiten Ansteueranschluss 44a, die einander benachbart sind, der erste Strom 11 und der zweite Strom I2 abwechselnd in entgegengesetzter Richtung durch das Halbleiterbauteil A20. Der durch den ersten Strom 11 und den zweiten Strom I2 erzeugte magnetische Fluss reduziert die parasitäre Induktivität in dem Halbleiterbauteil A20.
  • Vorteile
  • Wie oben beschrieben, hat die vorliegende Ausführungsform zusätzlich zu den Vorteilen der ersten Ausführungsform die folgenden Vorteile.
    • (2-1) Das Halbleiterbauteil A20 weist den ersten Ansteueranschluss 43 (dritter Anschluss), den zweiten Ansteueranschluss 44a (vierter Anschluss) und den Ausgangsanschluss 45a (fünfter Anschluss) auf, die in Breitenrichtung X angeordnet sind. Der erste Strom 11, der vom ersten Ansteueranschluss 43 zum Ausgangsanschluss 45a fließt, und der zweite Strom I2, der vom Ausgangsanschluss 45a zum zweiten Ansteueranschluss 44a fließt, reduziert die Induktivität im Halbleiterbauteil A20.
  • Dritte Ausführungsform
  • Unter Bezugnahme auf die 10 bis 14 wird nun ein Halbleiterbauteil A30 gemäß einer dritten Ausführungsform beschrieben.
  • Das Halbleiterbauteil A30 gemäß der dritten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A10 gemäß der ersten Ausführungsform durch das erste Verbindungselement und das zweite Verbindungselement. In der nachfolgenden Beschreibung werden die Komponenten, die mit den entsprechenden Komponenten des Halbleiterbauteils A10 gemäß der ersten Ausführungsform identisch sind, mit denselben Bezugszeichen bezeichnet. Solche Komponenten werden nicht genauer beschrieben.
  • Wie in den 10 bis 14 dargestellt, weist das Halbleiterbauteil A30 gemäß der vorliegenden Ausführungsform einen ersten Clip 53 auf, der als erstes Verbindungselement dient. Ferner weist das Halbleiterbauteil A30 gemäß der vorliegenden Ausführungsform einen zweiten Clip 54 auf.
  • Das erste Schaltelement 20 ist durch den ersten Clip 53 mit dem zweiten Die-Pad 12 verbunden. Der erste Clip 53 ist ein leitendes plattenförmiges Element. Der erste Clip 53 wird durch Biegen einer leitenden Platte gebildet. Der erste Clip 53 der vorliegenden Ausführungsform ist gurtförmig und erstreckt sich in Breitenrichtung X. Der erste Clip 53 verbindet die erste Hauptflächenelektrode 21 (Source-Hauptelektrode 211) des ersten Schaltelements 20 und das zweite Die-Pad 12. Wie in 13 dargestellt, ist ein Ende des ersten Clips 53 durch Lötmittel 83 mit der Source-Hauptelektrode 211 des ersten Schaltelements 20 verbunden, und das andere Ende des ersten Clips 53 ist durch Lötmittel 84 mit dem zweiten Die-Pad 12 verbunden. Der erste Clip 53 ist aus Cu gefertigt. Die Dicke des ersten Clips 53 beträgt 0,05 mm oder mehr und 1,0 mm oder weniger, vorzugsweise 0,5 mm oder mehr.
  • Wie in den 10, 11 und 14 dargestellt, ist das zweite Schaltelement 30 über den zweiten Clip 54 mit dem fünften Anschluss 45 (zweiter Ansteueranschluss) verbunden. Der zweite Clip 54 ist ein leitendes plattenförmiges Element. Der zweite Clip 54 wird durch Biegen einer leitenden Platte gebildet. Der zweite Clip 54 der vorliegenden Ausführungsform ist gurtförmig und erstreckt sich in Längsrichtung Y Der zweite Clip 54 verbindet die zweite Hauptflächenelektrode 31 (Source-Hauptelektrode 311) des zweiten Schaltelements 30 und den Pad-Abschnitt 451 des fünften Anschlusses 45. Wie in 14 dargestellt, ist ein Ende des zweiten Clips 54 durch Lötmittel 85 mit der Source-Hauptelektrode 311 des zweiten Schaltelements 30 verbunden, und das andere Ende des zweiten Clips 54 ist durch Lötmittel 86 mit dem Pad-Abschnitt 451 des fünften Anschlusses 45 verbunden. Der zweite Clip 54 ist aus Cu gefertigt. Die Dicke des zweiten Clips 54 beträgt 0,05 mm oder mehr und 1,0 mm oder weniger, vorzugsweise 0,5 mm oder mehr.
  • Vorteile
  • Wie oben beschrieben, hat die vorliegende Ausführungsform zusätzlich zu den Vorteilen der ersten Ausführungsform die folgenden Vorteile.
    • (3-1) Der erste Clip 53 verbindet das erste Schaltelement 20 und das zweite Die-Pad 12. Diese Ausgestaltung kann bei großen Strömen angewendet werden und steht im Gegensatz zu einer Ausgestaltung, die das erste Schaltelement 20 und das zweite Die-Pad 12 mit Drähten verbindet.
    • (3-2) Im Vergleich zur Verbindung des ersten Schaltelements 20 und des zweiten Die-Pads 12 können das erste Schaltelement 20 und das zweite Die-Pad 12 mit demselben ersten Clip 53 verbunden werden. Dadurch wird die Anzahl der Fertigungsschritte reduziert.
    • (3-3) Der zweite Clip 54 verbindet das zweite Schaltelement 30 und den fünften Anschluss 45. Diese Ausgestaltung kann bei großen Strömen angewendet werden und steht im Gegensatz zu einer Ausgestaltung, die das zweite Schaltelement 30 und den fünften Anschluss 45 verbindet.
    • (3-4) Im Vergleich zur Verbindung des zweiten Schaltelements 30 und des fünften Anschlusses 45 mit Drähten können das zweite Schaltelement 30 und der fünfte Anschluss 45 mit demselben zweiten Clip 54 verbunden werden. Dadurch wird die Anzahl der Fertigungsschritte reduziert.
  • Vierte Ausführungsform
  • Unter Bezugnahme auf die 15 bis 18 wird nun ein Halbleiterbauteil A40 gemäß einer vierten Ausführungsform beschrieben.
  • Das Halbleiterbauteil A40 gemäß der vierten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A30 gemäß der dritten Ausführungsform hauptsächlich durch die Verbindung des vierten Anschlusses und des fünften Anschlusses. In der nachfolgenden Beschreibung werden die Komponenten, die mit den entsprechenden Komponenten des Halbleiterbauteils A30 gemäß der dritten Ausführungsform identisch sind, mit denselben Bezugszeichen bezeichnet. Solche Komponenten werden nicht genauer beschrieben.
  • Wie in den 15 und 16 gezeigt, weist das Halbleiterbauteil A40 gemäß der vorliegenden Ausführungsform die Anschlüsse 41, 42, 43, 44a, 45a, 46 und 47 auf, die aus der ersten Harz-Seitenfläche 703 des Einkapselungsharzes 70 herausragen.
  • Vierter Anschluss
  • Der vierte Anschluss 44a weist einen Pad-Abschnitt 444, den Basisabschnitt 442 und den Substrat-Verbindungsabschnitt 443 auf. Der Pad-Abschnitt 444 ist von dem zweiten Die-Pad 12 beabstandet und in Längsrichtung Y in Richtung der ersten Harz-Seitenfläche 703 des Einkapselungsharzes 70 angeordnet. Der Pad-Abschnitt 444 erstreckt sich entlang der ersten Seitenfläche 123 des zweiten Die-Pads 12. Der Pad-Abschnitt 444 ist über den zweiten Clip 54a, der als zweites Verbindungselement dient, mit der zweiten Hauptflächenelektrode 31 (Source-Hauptelektrode 311) des zweiten Schaltelements 30 verbunden. Der vierte Anschluss 44a ist ein zweiter Ansteueranschluss (Source-Anschluss), der mit der zweiten Hauptflächenelektrode 31 (Source-Hauptelektrode 311) des zweiten Schaltelements 30 verbunden ist.
  • Der zweite Clip 54a ist ein leitendes plattenförmiges Element. Der zweite Clip 54a wird durch Biegen einer leitenden Platte gebildet. Der zweite Clip 54a weist einen Anschlussverbindungsabschnitt 541, einen Elektrodenverbindungsabschnitt 542 und einen Kopplungsabschnitt 543 auf. In gleicher Weise wie der Pad-Abschnitt 444 des vierten Anschlusses 44a erstreckt sich der Anschlussverbindungsabschnitt 541 in der Breitenrichtung X und ist durch das Lötmittel 86 mit dem Pad-Abschnitt 444 verbunden. Der Elektrodenverbindungsabschnitt 542, der rechteckig ist, ist in Übereinstimmung mit der zweiten Hauptflächenelektrode 31 (Source-Hauptelektrode 311) des zweiten Schaltelements 30 ausgebildet und durch das Lötmittel 85 mit der zweiten Hauptflächenelektrode 31 verbunden. Der Kopplungsabschnitt 543 verbindet den Anschlussverbindungsabschnitt 541 und den Elektrodenverbindungsabschnitt 542. Der Kupplungsabschnitt 543 erstreckt sich von dem Anschlussverbindungsabschnitt 541 in Längsrichtung Y Ferner ist der Kopplungsabschnitt 543 mit dem Ende des Elektrodenverbindungsabschnitts 542 verbunden, das in Richtung des ersten Die-Pads 11 angeordnet ist. Das heißt, der Elektrodenverbindungsabschnitt 542 erstreckt sich von dem Kopplungsabschnitt 543 in Breitenrichtung X. Wie in 18 gezeigt, ist in der vorliegenden Ausführungsform der zweite Clip 54a so geformt, dass der Kopplungsabschnitt 543 parallel zu der Hauptfläche 121 des zweiten Die-Pads 12 zwischen dem zweiten Schaltelement 30 und der dritten Seitenfläche 125 des zweiten Die-Pads 12 verläuft.
  • Fünfter Anschluss
  • Der fünfte Anschluss 45a weist den Verbindungsabschnitt 454, den Basisabschnitt 452 und den Substrat-Verbindungsabschnitt 453 auf. Der Verbindungsabschnitt 454 ist mit dem zweiten Die-Pad 12 verbunden. Das zweite Die-Pad 12 ist mit der zweiten Rückflächenelektrode 33 (Drain-Elektrode) des zweiten Schaltelements 30 verbunden. Ferner ist das zweite Die-Pad 12 mit der ersten Hauptflächenelektrode 21 (Source-Hauptelektrode 211) des ersten Schaltelements 20 verbunden. Das heißt, der fünfte Anschluss 45a ist ein Ausgangsanschluss, der mit der ersten Hauptflächenelektrode 21 (Source-Hauptelektrode 211) des ersten Schaltelements 20 und der zweiten Rückflächenelektrode 33 (Drain-Elektrode) des zweiten Schaltelements 30 verbunden ist. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der fünfte Anschluss 45a mit dem zweiten Die-Pad 12 integriert. Der fünfte Anschluss 45a und das zweite Die-Pad 12 bilden den integrierten zweiten Anschlussrahmen15a.
  • Vorteile
  • Wie oben beschrieben, hat die vorliegende Ausführungsform zusätzlich zu den Vorteilen der dritten Ausführungsform die folgenden Vorteile.
    • (4-1) In der gleichen Weise wie bei der zweiten Ausführungsform sind der erste Ansteueranschluss 43 (dritter Anschluss), der zweite Ansteueranschluss 44a (vierter Anschluss) und der Ausgangsanschluss 45a (fünfter Anschluss) in Breitenrichtung X so in der Reihe angeordnet. Der erste Strom 11, der vom ersten Ansteueranschluss 43 zum Ausgangsanschluss 45a fließt (siehe 9), und der zweite Strom I2, der vom Ausgangsanschluss 45a zum zweiten Ansteueranschluss 44a fließt (siehe 9), verringert die Induktivität in dem Halbleiterbauteil A40.
    • (4-2) Der zweite Clip 54a, der das zweite Schaltelement 30 und den zweiten Ansteueranschluss 44a verbindet, weist den Anschlussverbindungsabschnitt 541 auf, der mit dem vierten Anschluss 44a verbunden ist, den Elektrodenverbindungsabschnitt 542, der mit dem zweiten Schaltelement 30 verbunden ist, und den Kopplungsabschnitt 543, der den Anschlussverbindungsabschnitt 541 und den Elektrodenverbindungsabschnitt 542 verbindet. Der Kopplungsabschnitt 543 ist parallel zum zweiten Die-Pad 12 angeordnet. Dadurch vergrößert sich der Abschnitt, in dem der erste Ansteueranschluss 43 (dritter Anschluss) und der Ausgangsanschluss 45a (fünfter Anschluss) einander benachbart sind, und der Abschnitt, in dem der Ausgangsanschluss 45a und der zweite Ansteueranschluss 44a (vierter Anschluss) einander benachbart sind. Dadurch wird die Induktivität weiter reduziert.
  • Fünfte Ausführungsform
  • Unter Bezugnahme auf die 19 bis 21 wird nun das Halbleiterbauteil A50 gemäß der fünften Ausführungsform beschrieben.
  • Das Halbleiterbauteil A50 gemäß der fünften Ausführungsform unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A40 gemäß der vierten Ausführungsform durch die Position der Schaltelemente. In der nachfolgenden Beschreibung werden die Komponenten, die mit den entsprechenden Komponenten des Halbleiterbauteils A40 gemäß der vierten Ausführungsform identisch sind, mit denselben Bezugszeichen bezeichnet. Solche Komponenten werden nicht genauer beschrieben.
  • Wie in den 19 und 20 gezeigt, sind in dem Halbleiterbauteil A50 gemäß der vorliegenden Ausführungsform das erste Schaltelement 20 und das zweite Schaltelement 30 in Richtung des zentralen Teils des Einkapselungsharzes 70 angeordnet. Die Anordnung des ersten Schaltelements 20 und des zweiten Schaltelements 30 wird nun genauer beschrieben.
  • Wie in 20 gezeigt, ist das erste Schaltelement 20 in Richtung der ersten Seitenfläche 113 in Längsrichtung Y auf der Hauptfläche 111 des ersten Die-Pads 11 angeordnet. Wie in den 20 und 21 gezeigt, ist das erste Schaltelement 20 in Richtung der vierten Seitenfläche 116 in der Breitenrichtung X auf dem ersten Die-Pad 11 angeordnet. Die vierte Seitenfläche 116 ist der dritten Seitenfläche 125 des zweiten Die-Pads 12 zugewandt. Das heißt, das erste Schaltelement 20 ist in Richtung des zweiten Die-Pads 12 auf dem ersten Die-Pad 11 angeordnet. Dadurch kann der erste Clip 53, der das erste Schaltelement 20 und das zweite Die-Pad 12 miteinander verbindet, in seiner Länge verkürzt werden. Bei dieser Ausführungsform ist der Abstand (erster Abstand) Lx1 von der vierten Seitenfläche 116 des ersten Die-Pads 11 zu der vierten Element-Seitenfläche 206 des ersten Schaltelements 20 in Dickenrichtung Z gesehen größer als oder gleich der Dicke des ersten Die-Pads 11.
  • Wie in 20 gezeigt, ist das zweite Schaltelement 30 in Längsrichtung Y auf der Hauptfläche 121 des zweiten Die-Pads 12 in Richtung der ersten Seitenfläche 123 angeordnet. Wie in den 20 und 21 gezeigt, ist das zweite Schaltelement 30 in Richtung der dritten Seitenfläche 125 in der Breitenrichtung X auf dem zweiten Die-Pad 12 angeordnet. Das heißt, das zweite Schaltelement 30 ist in Richtung des ersten Die-Pads 11 auf dem zweiten Die-Pad 12 angeordnet. Dadurch kann der elektrische Weg vom ersten Schaltelement 20 zum zweiten Schaltelement 30 verkürzt werden. Bei dieser Ausführungsform ist der Abstand (zweiter Abstand) Lx2 von der dritten Seitenfläche 125 des zweiten Die-Pads 12 zu der dritten Element-Seitenfläche 305 des zweiten Schaltelements 30 in Dickenrichtung Z gesehen größer oder gleich dem zweiten Die-Pad 12.
  • Arbeits- bzw. Funktionsweise
  • Die Funktionsweise des Halbleiterbauteils A50 gemäß der fünften Ausführungsform wird nun beschrieben.
  • Das erste Schaltelement 20 ist in Richtung der vierten Seitenfläche 116 in Breitenrichtung X auf dem ersten Die-Pad 11 angeordnet. Das zweite Schaltelement 30 ist in Richtung der dritten Seitenfläche 125 in Breitenrichtung X auf dem zweiten Die-Pad 12 angeordnet. Dadurch kann der elektrische Pfad vom ersten Schaltelement 20 zum zweiten Schaltelement 30 im Abstand verkürzt werden und die parasitäre Kapazität im elektrischen Pfad zwischen den Elementen verringert werden.
  • Wie in 21 dargestellt, wird die bei der Funktion des ersten Schaltelements 20 erzeugte Wärme vom ersten Schaltelement 20 auf das erste Die-Pad 11 übertragen. Im ersten Die-Pad 11 breitet sich, wie durch die Pfeile in 21 gezeigt, die Wärme aus, wenn sie von der Hauptfläche 111 des ersten Die-Pads 11 auf die Rückfläche 112 übertragen wird. Die Wärme wird dann von jeder Fläche des ersten Die-Pads 11 auf das Einkapselungsharz 70 übertragen. Auf die gleiche Weise wird die bei der Funktion des zweiten Schaltelements 30 erzeugte Wärme vom zweiten Schaltelement 30 auf das zweite Die-Pad 12 übertragen und verbreitet sich, wenn sie von der Hauptfläche 121 des zweiten Die-Pads 12 auf die Rückfläche 122 übertragen wird. Die Wärme wird dann von jeder Fläche des zweiten Die-Pads 12 auf das Einkapselungsharz 70 übertragen.
  • Je näher das erste Schaltelement 20 an die vierte Seitenfläche 116 des ersten Die-Pads 11 herankommt, desto mehr Wärme wird von der vierten Seitenfläche 116 auf das Einkapselungsharz 70 übertragen. In gleicher Weise wird mehr Wärme von der dritten Seitenfläche 125 des zweiten Die-Pads 12 auf das Einkapselungsharz 70 übertragen, wenn sich das zweite Schaltelement 30 der dritten Seitenfläche 125 des zweiten Die-Pads 12 nähert. Dadurch erhöht sich die Temperatur in einem Harz-Abschnitt 70a des Einkapselungsharzes 70 zwischen der vierten Seitenfläche 116 und der dritten Seitenfläche 125. Folglich sinkt die Übertragungseffizienz von Wärme von der vierten Seitenfläche 116 auf den Harz-Abschnitt 70a und die Übertragungseffizienz von Wärme von der dritten Seitenfläche 125 auf den Harz-Abschnitt 70a wird geringer. Somit sinkt die Wärmeableitungseffizienz im ersten Schaltelement 20 und im zweiten Schaltelement 30.
  • Wie oben beschrieben, ist jedoch bei dem Halbleiterbauteil A50 gemäß dieser Ausführungsform der Abstand Lx1 von der vierten Seitenfläche 116 des ersten Die-Pads 11 zur vierten Element-Seitenfläche 206 des ersten Schaltelements 20 größer oder gleich der Dicke des ersten Die-Pads 11. Ferner ist der Abstand Lx2 von der dritten Seitenfläche 125 des zweiten Die-Pads 12 zur dritten Element-Seitenfläche 305 des zweiten Schaltelements 30 größer oder gleich der Dicke des zweiten Die-Pads 12. Dadurch wird die Verringerung der Wärmeableitungseffizienz des ersten Schaltelements 20 und des zweiten Schaltelements 30 begrenzt.
  • Eine Verringerung der Wärmeableitung kann auch durch Vergrößerung des Abstands L12 zwischen dem ersten Die-Pad 11 und dem zweiten Die-Pad 12 begrenzt werden, d.h. durch Trennung des ersten Die-Pads 11 und des zweiten Die-Pads 12 voneinander. Die Trennung des ersten Die-Pads 11 und des zweiten Die-Pads 12 führt jedoch zu einer Vergrößerung des Einkapselungsharzes 70, d. h. zu einer Vergrößerung der äußeren Abmessungen des Halbleiterbauteils. Wenn dagegen die Positionen des ersten Schaltelements 20 und des zweiten Schaltelements 30 wie oben beschrieben eingestellt werden, wird die Verringerung der Wärmeableitungseffizienz begrenzt und gleichzeitig eine Vergrößerung des Halbleiterbauteils A50 vermieden.
  • Vorteile
  • Wie oben beschrieben, hat die vorliegende Ausführungsform zusätzlich zu den Vorteilen der vierten Ausführungsform die folgenden Vorteile.
    • (5-1) Das erste Schaltelement 20 ist in Richtung des zweiten Die-Pads 12 auf dem ersten Die-Pad 11 angeordnet, und das zweite Schaltelement 30 ist in Richtung des ersten Die-Pads 11 auf dem zweiten Die-Pad 12 angeordnet. Dadurch kann der elektrische Pfad vom ersten Schaltelement 20 zum zweiten Schaltelement 30 verkürzt werden, und die parasitäre Kapazität im elektrischen Pfad zwischen den Elementen wird verringert.
    • (5-2) Der Abstand Lx1 von der vierten Seitenfläche 116 des ersten Die-Pads 11 zur vierten Element-Seitenfläche 206 des ersten Schaltelements 20 ist größer als oder gleich der Dicke des ersten Die-Pads 11. Dies begrenzt die Verringerung der Wärmeableitung des ersten Die-Pads 11 in Bezug auf das erste Schaltelement 20.
    • (5-3) Der Abstand Lx2 von der dritten Seitenfläche 125 des zweiten Die-Pads 12 zu der dritten Element-Seitenfläche 305 des zweiten Schaltelements 30 ist größer oder gleich der Dicke des zweiten Die-Pads 12. Dies begrenzt die Verringerung der Wärmeableitung des zweiten Die-Pads 12 in Bezug auf das zweite Schaltelement 30.
  • Modifizierte Beispiele
  • Die obigen Ausführungsformen und modifizierten Beispiele können wie unten beschrieben modifiziert werden. Die oben beschriebenen Ausführungsformen und modifizierten Beispiele können mit den unten beschriebenen modifizierten Beispielen kombiniert werden, solange es keine technischen Widersprüche gibt.
  • Wie in 22 dargestellt, weist ein Halbleiterbauteil A61 zwei erste Schaltelemente 20 auf, die auf dem ersten Die-Pad 11 montiert und parallel zueinander geschaltet sind, sowie zwei zweite Schaltelemente 30, die auf dem zweiten Die-Pad 12 montiert und parallel zueinander geschaltet sind. Wenn das Halbleiterbauteil A61 zwei erste Schaltelemente 20 und zwei zweite Schaltelemente 30 aufweist, erhöht sich auf diese Weise die Strommenge, die durch das Halbleiterbauteil A61 fließt. Drei oder mehr erste Schaltelemente 20 können auf dem ersten Die-Pad 11 und drei oder mehr zweite Schaltelemente 30 können auf dem zweiten Die-Pad 12 montiert sein. Die Anzahl der montierten Schaltelemente wird gemäß der Strommenge bestimmt, die durch das Halbleiterbauteil A61 fließt.
  • Die Form jedes Elements, das das Halbleiterbauteil bildet, kann geändert werden.
  • Die 23 bis 26 zeigen Beispiele, in denen die Form der Anschlüsse und des zweiten Verbindungselements geändert ist.
  • Zum Beispiel kann, wie in 23 gezeigt, in einem Halbleiterbauteil A62 der Basisabschnitt 442 des vierten Anschlusses 44a (Ausgangsanschluss) breiter sein als der Basisabschnitt 432 des dritten Anschlusses 43 oder der Basisabschnitt 452 des fünften Anschlusses 45a.
  • Wie in 24 gezeigt, können in einem Halbleiterbauteil A63 die Abschnitte 432, 442 und 452 breiter sein als der Basisabschnitt 412 des ersten Anschlusses 41 oder der Basisabschnitt 472 des siebten Anschlusses 47.
  • Wie in 25 gezeigt, kann in einem Halbleiterbauteil A64 der zweite Clip 54a (zweites Verbindungselement) verbreitert sein.
  • Wie in 26 gezeigt, können in einem Halbleiterbauteil A65 das erste Schaltelement 20 und das zweite Schaltelement 30 beispielsweise Si-Elemente sein, so dass der Basisabschnitt 442 des vierten Anschlusses 44a weiter an den Basisabschnitt 432 des dritten Anschlusses 43 und den Basisabschnitt 452 des fünften Anschlusses 45a angenähert wird, um die Induktivität zu verringern.
  • Sechste Ausführungsform
  • Unter Bezugnahme auf die 27 bis 31 wird nun ein Halbleiterbauteil A70 beschrieben.
  • Wie in den 27 und 28 gezeigt, weist das Halbleiterbauteil A70 das erste Die-Pad 11, das zweite Die-Pad 12, eine erste Anschlussgruppe 1020 (Anschlüsse 1021 bis 1023), eine zweite Anschlussgruppe 1030 (Anschlüsse 1031 bis 1034), erste Schaltelemente 40a und 40b, zweite Schaltelemente 50a und 50b, erste Verbindungselemente 1061, ein zweites Verbindungselement 1062, Drähte 71 bis 76 und ein Einkapselungsharz 900 auf.
  • Einkapselungsharz
  • Das Einkapselungsharz 900 verkapselt das erste Die-Pad 11, das zweite Die-Pad 12, die ersten Schaltelemente 40a und 40b, die zweiten Schaltelemente 50a und 50b, die ersten Verbindungselemente 1061, das zweite Verbindungselement 1062 und die Drähte 71 bis 76. Ferner deckt das Einkapselungsharz 900 teilweise die erste Anschlussgruppe 1020 (Anschlüsse 1021 bis 1023) und die zweite Anschlussgruppe 1030 (Anschlüsse 1031 bis 1034) ab.
  • Das Einkapselungsharz 900 ist kastenförmig („box-shaped“) und hat ein niedriges Profil. In dieser Beschreibung schließt der Begriff „kastenförmig“ Gehäuse („boxes“) mit abgeschrägten Ecken und Kanten sowie Gehäuse mit abgerundeten Ecken und Kanten mit ein. Ferner können die Flächen solcher Schachteln Rippen und Täler aufweisen. Die Flächen solcher Gehäuse können auch gekrümmte Flächen aufweisen, die aus einer Vielzahl von Flächen gebildet sind.
  • Das Einkapselungsharz 900 wird aus einem synthetischen Harz bzw. Kunstharz gebildet, das elektrisch isolierend ist. In einem Beispiel ist das Einkapselungsharz 900 ein Epoxidharz. Das synthetische Harz, aus dem das Einkapselungsharz 900 besteht, ist z.B. schwarz gefärbt. In den 27 und 28 ist das Einkapselungsharz 900 in gestrichelten Linien dargestellt, und die Elemente im Einkapselungsharz 900 sind als durchgezogene Linien dargestellt. In der folgenden Beschreibung wird die Dickenrichtung des Einkapselungsharzes 900 als Dickenrichtung Z bezeichnet, eine zur Dickenrichtung Z orthogonale Richtung wird als Breitenrichtung X bezeichnet, und die zur Dickenrichtung Z und zur Breitenrichtung X orthogonale Richtung wird als Längsrichtung Ybezeichnet. Die Breitenrichtung X entspricht einer ersten Richtung, und die Längsrichtung Y entspricht einer zweiten Richtung.
  • Das Einkapselungsharz 900 weist eine Harz-Hauptfläche 901, eine Harz-Rückfläche 902 und erste bis vierte Harz-Seitenflächen 903 bis 906 auf. Die Harz-Hauptfläche 901 und die Harz-Rückfläche 902 sind in der Dickenrichtung Z entgegengesetzt ausgerichtet. Die ersten bis vierten Harz-Seitenflächen 903 bis 906 sind in einer Richtung parallel zur Harz-Hauptfläche 901 und der Harz-Rückfläche 902 ausgerichtet. Die erste Harz-Seitenfläche 903 und die zweite Harz-Seitenfläche 904 weisen in Längsrichtung Y in entgegengesetzte Richtungen. Die dritte Harz-Seitenfläche 905 und die vierte Harz-Seitenfläche 906 weisen in Breitenrichtung X in entgegengesetzte Richtungen.
  • 28 ist eine Ansicht des Halbleiterbauteils A70 von der Seite der Harzhauptfläche 901 des Einkapselungsharzes 900 aus gesehen. Wie in 28 gezeigt, ist das Einkapselungsharz 900 so geformt, dass die Breitenrichtung X die Richtung der langen Seite und die Längsrichtung Y die Richtung der kurzen Seite in einer Ansicht des Halbleiterbauteils A70 aus der Dickenrichtung Z ist. Die erste Harz-Seitenfläche 903 und die zweite Harz-Seitenfläche 904 sind die Seitenflächen, die sich in Breitenrichtung X erstrecken, und die dritte Harz-Seitenfläche 905 und die vierte Harz-Seitenfläche 906 sind die Seitenflächen, die sich in Längsrichtung Y erstrecken.
  • Erstes Die-Pad, zweites Die-Pad
  • Das erste Die-Pad 11 und das zweite Die-Pad 12 haben jeweils die Form einer rechteckigen Platte. Das erste Die-Pad 11 und das zweite Die-Pad 12 sind jeweils aus z.B. Kupfer (Cu) gebildet. In der vorliegenden Ausführungsform soll der Ausdruck aus Cu gebildet bedeuten, dass es aus Cu oder einer Legierung, die Cu aufweist, gebildet ist. Ferner schließt der Begriff „aus Cu gebildet“ auch den Fall mit ein, dass eine Fläche teilweise oder vollständig mit einer Plattierungsschicht überzogen ist.
  • Das erste Die-Pad 11 weist eine Hauptfläche 111, eine Rückfläche 112 und die ersten bis vierten Seitenflächen 113 bis 116 auf. Die Hauptfläche 111 und die Rückfläche 112 sind in Dickenrichtung Z entgegengesetzt ausgerichtet. Die Hauptfläche 111 des ersten Die-Pads 11 ist in dieselbe Richtung wie die Harz-Hauptfläche 901 des Einkapselungsharzes 900 ausgerichtet. Die ersten bis vierten Seitenflächen 113 bis 116 weisen in die Breitenrichtung X oder in die Längsrichtung Y Bei dieser Ausführungsform weisen die erste Seitenfläche 113 und die zweite Seitenfläche 114 in die Längsrichtung Y entgegengesetzt, und die dritte Seitenfläche 115 und die vierte Seitenfläche 116 weisen in die Breitenrichtung X entgegengesetzt.
  • Das zweite Die-Pad 12 weist eine Hauptfläche 121, eine Rückfläche 122 und die ersten bis vierten Seitenflächen 123 bis 126 auf. Die Hauptfläche 121 und die Rückfläche 122 sind in Dickenrichtung Z entgegengesetzt ausgerichtet. Die Hauptfläche 121 des zweiten Die-Pads 12 ist in die gleiche Richtung wie die Harz-Hauptfläche 901 des Einkapselungsharzes 900 ausgerichtet. Die ersten bis vierten Seitenflächen 123 bis 126 weisen in Breitenrichtung X oder in Längsrichtung Y Bei dieser Ausführungsform weisen die erste Seitenfläche 123 und die zweite Seitenfläche 124 in Längsrichtung Y entgegengesetzte Richtungen, und die dritte Seitenfläche 125 und die vierte Seitenfläche 126 weisen in Breitenrichtung X entgegengesetzte Richtungen.
  • Das erste Die-Pad 11 und das zweite Die-Pad 12 sind so angeordnet, dass ihre Hauptflächen 111 und 121 an derselben Stelle in Dickenrichtung Z angeordnet sind. Das erste Die-Pad 11 und das zweite Die-Pad 12 haben die gleiche Dicke. Die Dicke des ersten Die-Pads 11 und des zweiten Die-Pads 12 beträgt 1 mm oder mehr und 3 mm oder weniger. Vorzugsweise beträgt die Dicke des ersten Die-Pads 11 und des zweiten Die-Pads 12 z. B. 2 mm oder mehr und 3 mm oder weniger. Die Rückfläche 112 des ersten Die-Pads 11 und die Rückfläche 122 des zweiten Die-Pads 12 sind an der gleichen Stelle in Dickenrichtung Z angeordnet.
  • Das erste Die-Pad 11 und das zweite Die-Pad 12 sind in der Breitenrichtung X angeordnet. Die vierte Seitenfläche 116 des ersten Die-Pads 11 und die dritte Seitenfläche 125 des zweiten Die-Pads 12 sind einander zugewandt. Der Abstand L12 zwischen dem ersten Die-Pad 11 und dem zweiten Die-Pad 12 ist geringer als die Dicke des ersten Die-Pads 11 und des zweiten Die-Pads 12, z. B. 1 mm oder mehr und 3 mm oder weniger. Das erste Die-Pad 11 und das zweite Die-Pad 12 sind so angeordnet, dass ihre ersten Seitenflächen 113 und 123 an derselben Stelle in Längsrichtung Y angeordnet sind.
  • Anschlüsse
  • Wie in den 27 und 28 gezeigt, weist das Halbleiterbauteil A70 die erste Anschlussgruppe 1020 und die zweite Anschlussgruppe 1030 auf. Die erste Anschlussgruppe 1020 weist eine Vielzahl von Anschlüssen auf (in der vorliegenden Ausführungsform drei Anschlüsse), nämlich die Anschlüsse 1021 bis 1023, die aus der ersten Harz-Seitenfläche 903 des Einkapselungsharzes 900 herausragen. Die zweite Anschlussgruppe 1030 umfasst eine Vielzahl von Anschlüssen (vier Anschlüsse in der vorliegenden Ausführungsform), nämlich die Anschlüsse 1031 bis 1034, die aus der zweiten Seitenfläche 904 des Einkapselungsharzes 900 herausragen. Die Anschlüsse 1021 bis 1023 der ersten Anschlussgruppe 1020 sind in Breitenrichtung X angeordnet und erstrecken sich in Längsrichtung Y Die Anschlüsse 1031 bis 1034 der zweiten Anschlussgruppe 1030 sind in Breitenrichtung X angeordnet und erstrecken sich in Längsrichtung Y Die Anschlüsse 1021 bis 1023 und 1031 bis 1034 sind aus Cu gebildet.
  • Erste Anschlussgruppe
  • Die erste Anschlussgruppe 1020 weist einen ersten Ansteueranschluss 1021, einen zweiten Ansteueranschluss 1022 und einen Ausgangsanschluss 1023 auf.
  • Wie in 28 gezeigt, ist der erste Ansteueranschluss 1021 im zentralen Teil des ersten Die-Pads 11 in Breitenrichtung X angeordnet. Der erste Ansteueranschluss 1021 weist einen Verbindungsabschnitt 1211, einen Basisabschnitt 1212 und einen Substrat-Verbindungsabschnitt 1213 auf. Der Verbindungsabschnitt 1211 ist mit der ersten Seitenfläche 113 des ersten Die-Pads 11 verbunden. Bei dieser Ausführungsform ist der erste Ansteueranschluss 1021 in das erste Die-Pad 11 integriert. Der erste Ansteueranschluss 1021 und das erste Die-Pad 11 bilden einen integrierten ersten Anschlussrahmen 14.
  • Der Basisabschnitt 1212 erstreckt sich von dem Verbindungsabschnitt 1211 in Längsrichtung Y und ragt aus der ersten Harz-Seitenfläche 903 des Einkapselungsharzes 900 heraus. Der Substrat-Verbindungsabschnitt 1213 erstreckt sich vom distalen Ende des Basisabschnitts 1212 in Längsrichtung Y Der Substrat-Verbindungsabschnitt 1213 wird in ein Komponentenloch eines Montagesubstrats eingeführt und mit einer leitenden Verdrahtung des Montagesubstrats durch Lötmittel (nicht gezeigt) verbunden. Wie in 28 gezeigt, hat der Basisabschnitt 1212 eine größere Breite als der Substrat-Verbindungsabschnitt 1213 in Breitenrichtung X. In Breitenrichtung X ragt der Basisabschnitt 1212 weiter von dem Substrat-Verbindungsabschnitt 1213 in der Richtung vor, die sich von der vierten Seitenfläche 906 des Einkapselungsharzes 900 in Richtung der dritten Seitenfläche 905 des Harzes erstreckt.
  • Wie in 28 gezeigt, ist der zweite Ansteueranschluss 1022 im zentralen Teil des Einkapselungsharzes 900 in der Breitenrichtung X angeordnet. Der zweite Ansteueranschluss 1022 weist einen Pad-Abschnitt 1221, einen Basisabschnitt 1222 und einen Substrat-Verbindungsabschnitt 1223 auf. Der Pad-Abschnitt 1221 ist von dem zweiten Die-Pad 12 beabstandet und in Längsrichtung Y in Richtung der ersten Harz-Seitenfläche 903 des Einkapselungsharzes 900 angeordnet. Der Pad-Abschnitt 1221 erstreckt sich entlang der ersten Seitenfläche 113 des ersten Die-Pads 11 und der ersten Seitenfläche 123 des zweiten Die-Pads 12. Somit erstreckt sich der Pad-Abschnitt 1221 von der ersten Seitenfläche 113 des ersten Die-Pads 11 bis zur ersten Seitenfläche 123 des zweiten Die-Pads 12. Der Pad-Abschnitt 1221 ist mit dem zweiten Verbindungselement 1062 verbunden.
  • Der Pad-Abschnitt 1222 erstreckt sich von dem Pad-Abschnitt 1221 in Längsrichtung Y und ragt aus der ersten Harz-Seitenfläche 903 des Einkapselungsharzes 900 heraus. Der Substrat-Verbindungsabschnitt 1223 erstreckt sich vom distalen Ende des Basisabschnitts 1222 in Längsrichtung Y Wie in 28 gezeigt, hat der Basisabschnitt 1222 eine größere Breite als der Substrat-Verbindungsabschnitt 1223 in Breitenrichtung X. In Breitenrichtung X ragt der Basisabschnitt 1222 weiter von dem Substrat-Verbindungsabschnitt 1223 in der Richtung vor, die sich von der dritten Harz-Seitenfläche 905 des Einkapselungsharzes 900 in Richtung der vierten Harz-Seitenfläche 906 erstreckt.
  • Wie in 28 gezeigt, ist der Ausgangsanschluss 1023 im zentralen Teil des zweiten Die-Pads 12 in Breitenrichtung X angeordnet. Der Ausgangsanschluss 1023 weist einen Verbindungsabschnitt 1231, einen Basisabschnitt 1232 und einen Substrat-Verbindungsabschnitt 1233 auf. Der Verbindungsabschnitt 1231 ist mit der ersten Seitenfläche 123 des zweiten Die-Pads 12 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist der Ausgangsanschluss 1023 mit dem zweiten Die-Pad 12 integriert. Der Ausgangsanschluss 1023 und das zweite Die-Pad 12 bilden einen integrierten zweiten Anschlussrahmen 15. Der Basisabschnitt 1232 erstreckt sich vom Verbindungsabschnitt 1231 in Längsrichtung Y und ragt aus der ersten Harz-Seitenfläche 903 des Einkapselungsharzes 900 heraus. Der Substrat-Verbindungsabschnitt 1233 erstreckt sich vom distalen Ende des Basisabschnitts 1232 in Längsrichtung Y Wie in 28 gezeigt, hat der Basisabschnitt 1232 eine größere Breite als der Substrat-Verbindungsabschnitt 1233 in der Breitenrichtung X. In der Breitenrichtung X ragt der Basisabschnitt 1232 weiter von dem Substrat-Verbindungsabschnitt 1233 in der Richtung vor, die sich von der dritten Harz-Seitenfläche 905 des Einkapselungsharzes 900 in Richtung der vierten Harz-Seitenfläche 906 erstreckt.
  • Zweite Anschlussgruppe
  • Die zweite Anschlussgruppe 1030 weist einen ersten Steueranschluss 1031, den ersten Source-Anschluss 1032, den zweiten Source-Anschluss 1033 und einen zweiten Steueranschluss 1034 auf.
  • Wie in 28 gezeigt, weist der erste Steueranschluss 1031 einen Pad-Abschnitt 1311, einen Basis-Abschnitt 1312 und einen Substrat-Verbindungsabschnitt 1313 auf. Der Pad-Abschnitt 1311 ist von dem ersten Die-Pad 11 beabstandet und in Längsrichtung Y in Richtung der zweiten Harz-Seitenfläche 904 des Einkapselungsharzes 900 angeordnet. Der Pad-Abschnitt 1311 ist ein Drahtbonding-Abschnitt, an den die Drähte 71 und 72 angeschlossen bzw. verbunden sind. Der Pad-Abschnitt 1312 erstreckt sich vom Pad-Abschnitt 1311 in Längsrichtung Y und ragt aus der zweiten Harz-Seitenfläche 904 des Einkapselungsharzes 900 heraus. Der Substrat-Verbindungsabschnitt 1313 erstreckt sich vom distalen Ende des Basisabschnitts 1312 in Längsrichtung Y Wie in 28 gezeigt, hat der Basisabschnitt 1312 eine größere Breite als der Substrat-Verbindungsabschnitt 1313 in der Breitenrichtung X. In der Breitenrichtung X ragt der Basisabschnitt 1312 weiter von dem Substrat-Verbindungsabschnitt 1313 in der Richtung vor, die sich von der vierten Harz-Seitenfläche 906 in Richtung der dritten Harz-Seitenfläche 905 erstreckt.
  • Wie in 28 gezeigt, weist der erste Source-Anschluss 1032 einen Pad-Abschnitt 1321, einen Basisabschnitt 1322 und einen Substrat-Verbindungsabschnitt 1323 auf. Der Pad-Abschnitt 1321 ist von dem ersten Die-Pad 11 beabstandet und in Längsrichtung Y in Richtung der zweiten Harz-Seitenfläche 904 des Einkapselungsharzes 900 angeordnet. Der Pad-Abschnitt 1321 ist ein Drahtbonding-Abschnitt, an den ein Draht 73 angeschlossen bzw. verbunden ist. Der Basisabschnitt 1322 erstreckt sich von dem Pad-Abschnitt 1321 in Längsrichtung Y und ragt aus der zweiten Harz-Seitenfläche 904 des Einkapselungsharzes 900 heraus. Der Substrat-Verbindungsabschnitt 1323 erstreckt sich vom distalen Ende des Basisabschnitts 1322 in Längsrichtung Y
  • Wie in 28 dargestellt, weist der zweite Source-Anschluss 1033 einen Pad-Abschnitt 1331, einen Basisabschnitt 1332 und einen Substrat-Verbindungsabschnitt 1333 auf. Der Pad-Abschnitt 1331 ist von dem zweiten Die-Pad 12 beabstandet und in Längsrichtung Y in Richtung der zweiten Harz-Seitenfläche 904 des Einkapselungsharzes 900 angeordnet. Der Pad-Abschnitt 1331 ist ein Drahtbonding-Abschnitt, an den ein Draht 76 angeschlossen bzw. verbunden ist. Der Basisabschnitt 1332 erstreckt sich von dem Pad-Abschnitt 1331 in Längsrichtung Y und ragt aus der zweiten Harz-Seitenfläche 904 des Einkapselungsharzes 900 heraus. Der Substrat-Verbindungsabschnitt 1333 erstreckt sich vom distalen Ende des Basisabschnitts 1332 in Längsrichtung Y
  • Wie in 28 gezeigt, weist der zweite Steueranschluss 1034 einen Pad-Abschnitt 1341, einen Basisabschnitt 1342 und einen Substrat-Verbindungsabschnitt 1343 auf. Der Pad-Abschnitt 1341 ist von dem zweiten Die-Pad 12 beabstandet und in Längsrichtung Y in Richtung der zweiten Harz-Seitenfläche 904 des Einkapselungsharzes 900 angeordnet. Der Pad-Abschnitt 1341 ist ein Drahtbonding-Abschnitt, an den die Drähte 74 und 75 angeschlossen bzw. verbunden sind. Der Basisabschnitt 1342 erstreckt sich vom Pad-Abschnitt 1341 in Längsrichtung Y und ragt aus der zweiten Harz-Seitenfläche 904 des Einkapselungsharzes 900 heraus. Der Substrat-Verbindungsabschnitt 1343 erstreckt sich vom distalen Ende des Basisabschnitts 1342 in Längsrichtung Y Der Basisabschnitt 1342 hat eine größere Breite als der Substrat-Verbindungsabschnitt 1343 in Breitenrichtung X. In Breitenrichtung X ragt der Basisabschnitt 1342 weiter vom Substrat-Verbindungsabschnitt 1343 in die Richtung, die sich von der dritten Harz-Seitenfläche 905 zur vierten Harz-Seitenfläche 906 erstreckt.
  • Wie in den 27 und 29 gezeigt, ist bei der vorliegenden Ausführungsform die Dicke der Anschlüsse 1021 bis 1023 und 1031 bis 1033 kleiner oder gleich der Dicke des ersten Die-Pads 11 und des zweiten Die-Pads 12. Die Dicke der Anschlüsse 1021 bis 1023 und 1031 bis 1034 beträgt z.B. 0,6 mm.
  • Wie die gestrichelten Linien in 29 zeigen, sind die Anschlüsse 1021 bis 1023 der ersten Anschlussgruppe 1020 und die Anschlüsse 1031 bis 1034 der zweiten Anschlussgruppe 1030 in Richtung der Harz-Hauptfläche 901 des Einkapselungsharzes 900 gebogen. Auf diese Weise ist das Halbleiterbauteil A70, das die Anschlüsse 1021 bis 1023 und 1031 bis 1034 aufweist, ein Halbleiter-Package, das auf der Fläche eines Montagesubstrats montiert ist.
  • Wie in 28 gezeigt, weist das Einkapselungsharz 900 Ausnehmungen 907 auf, die sich jeweils von der ersten Harz-Seitenfläche 903 in Längsrichtung Y zwischen dem ersten Ansteueranschluss 1021 und dem zweiten Ansteueranschluss 1022 sowie zwischen dem zweiten Ansteueranschluss 1022 und dem Ausgangsanschluss 1023 erstrecken.
  • Erstes Schaltelement, zweites Schaltelement
  • Die beiden ersten Schaltelemente 40a und 40b sind auf der Hauptfläche 111 des ersten Die-Pads 11 angebracht. Die beiden zweiten Schaltelemente 50a und 50b sind auf der Hauptfläche 121 des zweiten Die-Pads 12 angebracht. Bei den ersten Schaltelementen 40a und 40b und den zweiten Schaltelementen 50a und 50b handelt es sich um Siliziumkarbid (SiC)-Chips. Bei dieser Ausführungsform werden als erste Schaltelemente 40a und 40b und als zweite Schaltelemente 50a und 50b SiC-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) verwendet. Die ersten Schaltelemente 40a und 40b und die zweiten Schaltelemente 50a und 50b sind Elemente, die ein Hochgeschwindigkeits- („highspeed“) Schalten ermöglichen.
  • Wie in 28 gezeigt, sind die beiden ersten Schaltelemente 40a und 40b im zentralen Teil der Hauptfläche 111 des ersten Die-Pads 11 in Breitenrichtung X angeordnet. Ferner sind die beiden ersten Schaltelemente 40a und 40b in Längsrichtung Y nebeneinander auf der Hauptfläche 111 des ersten Die-Pads 11 angeordnet.
  • Die ersten Schaltelemente 40a und 40b haben jeweils die Form einer Platte. In der vorliegenden Ausführungsform sind die ersten Schaltelemente 40a und 40b rechteckig und in Dickenrichtung Z gesehen in Breitenrichtung X lang bzw. länglich. Wie in den 28 und 29 dargestellt, weisen die ersten Schaltelemente 40a und 40b jeweils eine Element-Hauptfläche 401, eine Element-Rückfläche 402 und Element-Seitenflächen 403 auf. Die Element-Hauptfläche 401 und die Element-Rückfläche 402 sind in Dickenrichtung Z entgegengesetzt ausgerichtet. Die Element-Hauptfläche 401 ist in dieselbe Richtung wie die Harz-Hauptfläche 901 ausgerichtet. Das heißt, die Element-Hauptfläche weist in die gleiche Richtung wie die Hauptfläche 111 des ersten Die-Pads 11. Die Element-Rückfläche 402 ist der Hauptfläche 111 des ersten Die-Pads 11 zugewandt. Die Element-Seitenflächen 403 weisen in die Breitenrichtung X oder in die Längsrichtung Y
  • Die ersten Schaltelemente 40a und 40b weisen jeweils eine erste Hauptflächenelektrode 1041 und eine erste Steuerelektrode 1042 auf der Element-Hauptfläche 401 sowie eine erste Rückflächenelektrode 1043 auf der Element-Rückfläche 402 auf. Die erste Hauptflächenelektrode 1041 ist eine Source-Elektrode. Die erste Hauptflächenelektrode 1041 der vorliegenden Ausführungsform schließt eine Source-Hauptelektrode 1411 und Source-Steuerelektroden 1412 und 1413 mit ein. Die erste Steuerelektrode 1042 ist eine Gate-Elektrode. Die Source-Steuerelektroden 1412 und 1413 sind beispielsweise Ansteuer-Source-Elektroden, die elektrisch mit einer Schaltung (Ansteuerung) verbunden sind, die die ersten Schaltelemente 40a und 40b ansteuert. Bei dieser Ausführungsform ist die erste Steuerelektrode 1042 an einem Abschnitt angeordnet, der sich in Richtung der dritten Seitenfläche 115 des ersten Die-Pads 11 (dritte Harz-Seitenfläche 905 des Einkapselungsharzes 900) befindet. Ferner ist die erste Steuerelektrode 1042 im zentralen Abschnitt der ersten Hauptflächenelektrode 1041 in Längsrichtung Y angeordnet. Die Source-Hauptelektrode 1411 der ersten Hauptflächenelektrode 1041 ist in Breitenrichtung X neben der ersten Steuerelektrode 1042 angeordnet. Die erste Steuerelektrode 1042 liegt in Längsrichtung Y sandwischartig zwischen den Source-Steuerelektroden 1412 und 1413. Die erste Rückflächenelektrode 1043 ist eine Drain-Elektrode. Die erste Rückflächenelektrode 1043 ist durch Lötmittel 81 elektrisch mit dem ersten Die-Pad 11 verbunden.
  • Wie in 28 gezeigt, sind die beiden zweiten Schaltelemente 50a und 50b im zentralen Teil der Hauptfläche 121 des zweiten Die-Pads 12 in Breitenrichtung X angeordnet. Ferner sind die beiden zweiten Schaltelemente 50a und 50b in Längsrichtung Y nebeneinander auf der Hauptfläche 121 des zweiten Die-Pads 12 angeordnet.
  • Die zweiten Schaltelemente 50a und 50b haben jeweils die Form einer Platte. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die zweiten Schaltelemente 50a und 50b in Breitenrichtung X rechteckig und lang bzw. länglich geformt, in Dickenrichtung Z gesehen. Wie in 28 dargestellt, weisen die zweiten Schaltelemente 50a und 50b jeweils eine Element-Hauptfläche 501, eine Element-Rückfläche 502 und Element-Seitenflächen 503 auf. Die Element-Hauptfläche 501 und die Element-Rückfläche 502 sind in Dickenrichtung Z entgegengesetzt ausgerichtet. Die Element-Hauptfläche 501 ist der Harz-Hauptfläche 901 zugewandt. Das heißt, die Element-Hauptfläche weist in die gleiche Richtung wie die Hauptfläche 121 des zweiten Die-Pads 12. Die Element-Rückfläche 502 ist der Hauptfläche 121 des zweiten Die-Pads 12 zugewandt. Die Element-Seitenflächen 503 weisen in die Breitenrichtung X oder in die Längsrichtung Y
  • Die zweiten Schaltelemente 50a und 50b weisen jeweils eine zweite Hauptflächenelektrode 1051 und eine zweite Steuerelektrode 1052 auf der Element-Hauptfläche 501 und eine zweite Rückflächenelektrode 1053 auf der Element-Rückfläche 502 auf. Bei der zweiten Hauptflächenelektrode 1051 handelt es sich um eine Source-Elektrode. Die zweite Hauptflächenelektrode 1051 der vorliegenden Ausführungsform weist eine Source-Hauptelektrode 511 und die Source-Steuerelektroden 512 und 513 auf. Die zweite Steuerelektrode 1052 ist eine Gate-Elektrode. Die Source-Steuerelektroden 512 und 513 sind beispielsweise Ansteuer-Source-Elektroden, die elektrisch mit einer Schaltung (Ansteuerung) verbunden sind, die die zweiten Schaltelemente 50a und 50b ansteuert. Bei dieser Ausführungsform ist die zweite Steuerelektrode 1052 an einem Abschnitt angeordnet, der in Richtung der vierten Seitenfläche 126 des zweiten Die-Pads 12 (vierte Harz-Seitenfläche 906 des Einkapselungsharzes 900) liegt. Ferner ist die erste Steuerelektrode 1052 im zentralen Abschnitt der ersten Hauptflächenelektrode 1051 in Längsrichtung Y angeordnet. Die Source-Hauptelektrode 511 der zweiten Hauptflächenelektrode 1051 ist neben der zweiten Steuerelektrode 1052 in Breitenrichtung X angeordnet. Die zweite Steuerelektrode 1052 liegt in Längsrichtung Y sandwichartig zwischen den Source-Steuerelektroden 512 und 513. Die zweite Rückflächenelektrode 1053 ist eine Drain-Elektrode. Die zweite Rückflächenelektrode 1053 ist durch Lötmittel 82 elektrisch mit dem zweiten Die-Pad 12 verbunden.
  • Erstes Verbindungselement, zweites Verbindungselement
  • Die ersten Hauptflächenelektroden 1041 (Source-Hauptelektroden 1411) der ersten Schaltelemente 40a und 40b sind über die ersten Verbindungselemente 1061 mit dem zweiten Die-Pad 12 verbunden. Jedes erste Verbindungselement 1061 ist ein leitendes plattenförmiges Element und wird als Clip bezeichnet. Das erste Verbindungselement 1061 wird durch Biegen einer leitenden Platte gebildet. Das erste Verbindungselement 1061 der vorliegenden Ausführungsform ist gurtförmig und erstreckt sich in Breitenrichtung X. Die ersten Verbindungselemente 1061 verbinden die ersten Hauptflächenelektroden 1041 (Source-Hauptelektroden 1411) der ersten Schaltelemente 40a und 40b mit dem zweiten Die-Pad 12. Wie in 31 dargestellt, ist ein Ende jedes ersten Verbindungselements 1061 durch Lötmittel 83 mit der Source-Hauptelektrode 1411 des entsprechenden der ersten Schaltelemente 40a und 40b verbunden, und das andere Ende jedes ersten Verbindungselements 1061 ist durch Lötmittel 84 mit dem zweiten Die-Pad 12 verbunden. Die ersten Verbindungselemente 1061 sind aus Cu gefertigt. Die Dicke jedes ersten Verbindungselements 1061 beträgt 0,05 mm oder mehr und 1,0 mm oder weniger, vorzugsweise 0,5 mm oder mehr.
  • Anstelle der ersten Verbindungselemente 1061 können Drähte verwendet werden, um die ersten Hauptflächenelektroden 1041 (Source-Hauptelektroden 1411) der ersten Schaltelemente 40a und 40b und das zweite Die-Pad 12 zu verbinden. Vorzugswiese wird die Anzahl der Drähte beispielsweise gemäß dem Ansteuerstrom, der durch das Halbleiterbauteil A70 fließen darf, festgelegt.
  • Die zweiten Schaltelemente 50a und 50b sind über das zweite Verbindungselement 1062 mit dem zweiten Ansteueranschluss 1022 verbunden. Das zweite Verbindungselement 1062 ist ein leitendes plattenförmiges Element und wird als Clip bezeichnet. Das zweite Verbindungselement 1062 wird durch Biegen einer leitenden Platte gebildet.
  • Das zweite Verbindungselement 1062 weist einen Anschlussverbindungsabschnitt 621, Elektrodenverbindungsabschnitte 622 und einen Kopplungsabschnitt 623 auf. In gleicher Weise wie der Pad-Abschnitt 1221 des zweiten Ansteueranschlusses 1022 erstreckt sich der Anschlussverbindungsabschnitt 621 in der Breitenrichtung X. Wie in 28 gezeigt, ist der Anschlussverbindungsabschnitt 621 durch Lötmittel 86 mit dem Pad-Abschnitt 1221 verbunden. Die Elektrodenverbindungsabschnitte 622, die rechteckig sind, sind entsprechend den zweiten Hauptflächenelektroden 1051 (Source-Hauptelektroden 511) der zweiten Schaltelemente 50a und 50b ausgebildet und durch Lötmittel 85 mit den zweiten Hauptflächenelektroden 1051 verbunden. Der Kopplungsabschnitt 623 verbindet den Anschlussverbindungsabschnitt 621 und die Elektrodenverbindungsabschnitte 622. Der Kopplungsabschnitt 623 erstreckt sich von dem Anschlussverbindungsabschnitt 621 in Längsrichtung Y Ferner ist der Kopplungsabschnitt 623 mit den Abschnitten der Elektrodenverbindungsabschnitten 622 verbunden, die in Richtung des ersten Die-Pads 11 angeordnet sind. Das heißt, die Elektrodenverbindungsabschnitte 622 erstrecken sich von dem Kopplungsabschnitt 623 in Breitenrichtung X. Wie in 31 gezeigt, ist bei der vorliegenden Ausführungsform das zweite Verbindungselement 1062 so ausgebildet, dass der Kopplungsabschnitt 623 parallel zu der Hauptfläche 121 des zweiten Die-Pads 12 zwischen den zweiten Schaltelementen 50a und 50b und der dritten Seitenfläche 125 des zweiten Die-Pads 12 verläuft. Das zweite Verbindungselement 1062 ist aus Cu gefertigt. Die Dicke des zweiten Verbindungselements 1062 beträgt 0,05 mm oder mehr und 1,0 mm oder weniger, vorzugsweise 0,5 mm oder mehr.
  • Drähte
  • Das Halbleiterbauteil A70 weist die Drähte 71 bis 76 auf. Die Drähte 71 bis 76 sind leitende lineare Elemente. Die Drähte 71 bis 76 sind z.B. aus Al gebildet. Der Durchmesser der Drähte 71 bis 76 beträgt z.B. 0,04 mm oder mehr und 0,1 mm oder weniger.
  • Der Draht 71 ist zwischen dem Pad-Abschnitt 1311 des ersten Steueranschlusses 1031 und der ersten Steuerelektrode 1042 des ersten Schaltelements 40a angeschlossen. Der Draht 72 ist zwischen dem Pad-Abschnitt 1311 des ersten Steueranschlusses 1031 und der ersten Steuerelektrode 1042 des ersten Schaltelements 40b angeschlossen. Die Leitung 73 ist zwischen dem Pad-Abschnitt 1321 des ersten Source-Anschlusses 1032 und der Steuerelektrode 1413 des ersten Schaltelements 40b angeschlossen.
  • Der Draht 74 ist zwischen dem Pad-Abschnitt 1341 des zweiten Steueranschlusses 1034 und der zweiten Steuerelektrode 1052 des zweiten Schaltelements 50a angeschlossen bzw. verbunden. Der Draht 75 ist zwischen dem Pad-Abschnitt 1341 des zweiten Steueranschlusses 1034 und der zweiten Steuerelektrode 1052 des zweiten Schaltelements 50b angeschlossen bzw. verbunden. Der Draht 76 ist zwischen dem Pad-Abschnitt 1331 des zweiten Steueranschlusses 1033 und der Source-Steuerelektrode 512 des zweiten Schaltelements 50b angeschlossen.
  • Arbeits- bzw. Funktionsweise
  • Die Funktionswiese des Halbleiterbauteils A70 gemäß der sechsten Ausführungsform wird nun beschrieben.
  • Das Halbleiterbauteil A70 gemäß der vorliegenden Ausführungsform weist die ersten Schaltelemente 40a und 40b und die zweiten Schaltelemente 50a und 50b in demselben Einkapselungsharz 900 auf. Die ersten Hauptflächenelektroden 1041 (Source-Hauptelektroden 1411) der ersten Schaltelemente 40a und 40b sind über die ersten Verbindungselemente 1061 mit dem zweiten Die-Pad 12 verbunden, auf dem die zweiten Schaltelemente 50a und 50b montiert sind. Dementsprechend bildet das Halbleiterbauteil A70 gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine Inverterschaltung bzw. Wechselrichterschaltung („inverter circuit“), in der die ersten Schaltelemente 40a und 40b und die zweiten Schaltelemente 50a und 50b in Reihe geschaltet sind.
  • Eine Wechselrichterschaltung kann durch Verbinden zweier Halbleiterbauteile gebildet werden. In diesem Fall wird die Wechselrichterschaltung durch die Montage der beiden Halbleiterbauteile auf einem Montagesubstrat und die Verbindung der Anschlüsse (Source-Anschluss mit hohem Potenzial und Drain-Anschluss mit niedrigem Potenzial) gebildet. In diesem Fall erhöhen die externen Drähte die Induktivität an den Anschlüssen der beiden Halbleiterbauteile.
  • Im Gegensatz dazu verbindet das Halbleiterbauteil A70 gemäß dieser Ausführungsform die ersten Schaltelemente 40a und 40b und die zweiten Schaltelemente 50a und 50b, die eine Inverterschaltung bilden, mit den ersten Verbindungselementen 1061 im Einkapselungsharz 900. Dadurch verkürzt sich der Leiterabstand zwischen dem ersten Ansteueranschluss 1021, dem Ausgangsanschluss 1023 und dem zweiten Ansteueranschluss 1022 im Vergleich zur Verwendung von externen Drähten zur Verbindung. Dadurch wird die Induktivität des Halbleiterbauteils A70 verringert. Auf diese Weise reduziert das Halbleiterbauteil A70 gemäß dieser Ausführungsform die Induktivität.
  • In dem Halbleiterbauteil A70 gemäß der vorliegenden Ausführungsform sind der erste Ansteueranschluss 1021, der zweite Ansteueranschluss 1022 und der Ausgangsanschluss 1023 in Breitenrichtung X in dieser Reihe angeordnet. D.h. der erste Ansteueranschluss 1021 und der zweite Ansteueranschluss 1022 sind nebeneinander angeordnet. Der erste Ansteueranschluss 1021 wird mit einer Spannung mit hohem Potential und der zweite Ansteueranschluss 1022 mit einer Spannung mit niedrigem Potential versorgt.
  • Wenn die ersten Schaltelemente 40a und 40b eingeschaltet sind und die zweiten Schaltelemente 50a und 50b ausgeschaltet sind, fließt der erste Strom 11 vom ersten Ansteueranschluss 1021 zum Ausgangsanschluss 1023. Wenn dagegen die ersten Schaltelemente 40a und 40b ausgeschaltet sind und die zweiten Schaltelemente 50a und 50b eingeschaltet sind, fließt der zweite Strom I2 vom Ausgangsanschluss 1023 zum zweiten Ansteueranschluss 1022. Wird das Halbleiterbauteil A70 mit einem Hochgeschwindigkeitssignal (z.B. 1 MHz) betrieben, fließen in dem ersten Ansteueranschluss 1021 und dem zweiten Ansteueranschluss 1022, die einander benachbart sind, der erste Strom I1 und der zweite Strom I2 abwechselnd in entgegengesetzter Richtung durch das Halbleiterbauteil A70. Der durch den ersten Strom 11 und den zweiten Strom I2 erzeugte magnetische Fluss reduziert die parasitäre Induktivität in dem Halbleiterbauteil A70.
  • Vorteile
  • Wie oben beschrieben, hat die vorliegende Ausführungsform die folgenden Vorteile.
    • (1-1) Das Halbleiterbauteil A70 weist die ersten Schaltelemente 40a und 40b und die zweiten Schaltelemente 50a und 50b in demselben Einkapselungsharz 900 auf. Die ersten Hauptflächenelektroden 1041 (Source-Hauptelektroden 1411) der ersten Schaltelemente 40a und 40b sind über die ersten Verbindungselemente 1061 mit dem zweiten Die-Pad 12 verbunden, auf dem die zweiten Schaltelemente 50a und 50b montiert sind. Dementsprechend wird in dem Halbleiterbauteil A70 der Leiterabstand zwischen dem ersten Ansteueranschluss 1021, dem Ausgangsanschluss 1023 und dem zweiten Ansteueranschluss 1022 verkürzt. Dadurch wird die Induktivität verringert.
    • (1-2) In dem Halbleiterbauteil A70 sind der erste Ansteueranschluss 1021, der zweite Ansteueranschluss 1022 und der Ausgangsanschluss 1023 in Breitenrichtung X in dieser Reihe angeordnet. Gemäß dem Betriebszustand fließt der erste Strom I1 von dem ersten Ansteueranschluss 1021 zu dem Ausgangsanschluss 1023 und der zweite Strom I2 von dem Ausgangsanschluss 1023 zu dem zweiten Ansteueranschluss 1022. Dadurch wird die Induktivität in dem Halbleiterbauteil A70 reduziert.
    • (1-3) Die Dicke des ersten Die-Pads 11 und des zweiten Die-Pads 12 beträgt 1 mm oder mehr und 3 mm oder weniger. Es ist bevorzugt, dass das erste Die-Pad 11 und das zweite Die-Pad 12 dick sind. Die beim Betrieb der ersten Schaltelemente 40a und 40b erzeugte Wärme wird von den ersten Schaltelementen 40a und 40b auf das erste Die-Pad 11 übertragen. Mit zunehmender Dicke des ersten Die-Pads 11 wird die Wärme leichter von den ersten Schaltelementen 40a und 40b auf das erste Die-Pad 11 übertragen. Dadurch wird die Wärmeableitung der ersten Schaltelemente 40a und 40b verbessert und der Wärmewiderstand in den ersten Schaltelementen 40a und 40b verringert. In gleicher Weise wird der Wärmewiderstand der zweiten Schaltelemente 50a und 50b verringert.
    • (1-4) Die ersten Verbindungselemente 1061, die durch plattenartige Elemente gebildet werden, verbinden die ersten Schaltelemente 40a und 40b und das zweite Die-Pad 12. Diese Ausgestaltung kann bei großen Strömen angewendet werden und steht im Gegensatz zu einer Ausgestaltung, die die ersten Schaltelemente 40a und 40b und das zweite Die-Pad 12 miteinander verbindet. Darüber hinaus verringert diese Ausgestaltung die Anzahl der zu verbindenden Elemente und reduziert die Anzahl der Fertigungsschritte im Vergleich zur Verwendung von Drähten als Verbindung zwischen den ersten Schaltelementen 40a und 40b und dem zweiten Die-Pad 12. Da außerdem die Anzahl der Drähte in dem Halbleiterbauteil A70 reduziert werden kann, ist das Auftreten von Drahtbrüchen oder ähnlichem begrenzt.
    • (1-5) Das zweite Verbindungselement 1062, das durch ein plattenförmiges Element gebildet wird, verbindet die zweiten Schaltelemente 50a und 50b und den zweiten Ansteueranschluss 1022. Diese Ausgestaltung kann bei großen Strömen angewendet werden und steht im Gegensatz zu einer Ausgestaltung, die die zweiten Schaltelemente 50a und 50b und den zweiten Ansteueranschluss 1022 verbindet. Darüber hinaus verringert diese Ausgestaltung die Anzahl der verbundenen Elemente und reduziert die Anzahl der Fertigungsschritte im Vergleich zur Verwendung von Drähten zur Verbindung zwischen den zweiten Schaltelementen 50a und 50b und dem zweiten Ansteueranschluss 1022. Da die Anzahl der Drähte in dem Halbleiterbauteil A70 reduziert werden kann, ist außerdem das Auftreten von Drahtbrüchen oder ähnlichem begrenzt.
    • (1-6) Das Halbleiterbauteil A70 weist die Anschlüsse 1021 bis 1023 auf, die aus der ersten Harz-Seitenfläche 903 des Einkapselungsharzes 900 herausragen und die Anschlüsse 1031 bis 1034, die aus der zweiten Harz-Seitenfläche 904 des Einkapselungsharzes 900 herausragen. Dadurch wird der Raum zwischen dem ersten Ansteueranschluss 1021 und dem zweiten Ansteueranschluss 1022 sowie der Raum zwischen dem zweiten Ansteueranschluss 1022 und dem Ausgangsanschluss 1023 vergrößert. Auf diese Weise wird eine Isolierung einfach erreicht.
    • (1-7) Das Einkapselungsharz 900 weist die Ausnehmungen 907 auf, die sich von der ersten Harz-Seitenfläche 903 in Längsrichtung Y zwischen dem ersten Ansteueranschluss 1021 und dem zweiten Ansteueranschluss 1022 und zwischen dem zweiten Ansteueranschluss 1022 und dem Ausgangsanschluss 1023 erstrecken. Die Ausnehmungen 907 verlängern den Abstand der Fläche (Oberflächenabstand) des Einkapselungsharzes 900 zwischen dem ersten Ansteueranschluss 1021 und dem zweiten Ansteueranschluss 1022 sowie zwischen dem zweiten Ansteueranschluss 1022 und dem Ausgangsanschluss 1023. Dadurch wird die Isolierung weiter gewährleistet.
  • Modifizierte Beispiele der sechsten Ausführungsform
  • Die sechste Ausführungsform kann wie nachstehend beschrieben modifiziert werden. In den Zeichnungen zur Darstellung der modifizierten Beispiele sind keine Drähte dargestellt.
  • In einem Halbleiterbauteil A71, das in 32 dargestellt ist, ist ein erstes Verbindungselement 61a, das die ersten Schaltelemente 40a und 40b und das zweite Die-Pad 12 verbindet, ein einzelnes plattenförmiges Element. Das erste Verbindungselement 61a weist einen Die-Verbindungsabschnitt 611 auf, der sich in Längsrichtung Y erstreckt, und zwei Elektrodenverbindungsabschnitte 612, die sich von dem Die-Verbindungsabschnitt 611 in Breitenrichtung X erstrecken. Der Die-Verbindungsabschnitt 611 ist mit dem zweiten Die-Pad 12 verbunden, und die Elektroden-Verbindungsabschnitte 612 sind mit den ersten Hauptflächenelektroden 1041 (Source-Hauptelektroden 1411) der ersten Schaltelemente 40a und 40b verbunden. Die Verwendung des ersten Verbindungselements 61a erleichtert die Herstellung des Halbleiterbauteils A71.
  • Die Anzahl der Halbleiterbauteile, die auf dem ersten Die-Pad 11 und dem zweiten Die-Pad 12 montiert sind, kann geändert werden. 33 zeigt zum Beispiel ein Halbleiterbauteil A72, das drei erste Schaltelemente 40a, 40b und 40c aufweist, die auf dem ersten Die-Pad 11 montiert sind, und drei zweite Schaltelemente 50a, 50b und 50c, die auf dem zweiten Die-Pad 12 montiert sind. Ein Halbleiterbauteil kann ein einzelnes erstes Schaltelement aufweisen, das auf dem ersten Die-Pad 11 montiert ist, und ein einzelnes zweites Schaltelement, das auf dem zweiten Die-Pad 12 montiert ist.
  • Die Anordnung der Anschlüsse 1021 bis 1023 in der ersten Anschlussgruppe 1020 kann geändert werden. Zum Beispiel kann der Ausgangsanschluss 1023 zwischen dem ersten Ansteueranschluss 1021 und dem zweiten Ansteueranschluss 1022 angeordnet sein.
  • Ferner kann die Anordnung der Anschlüsse 1031 bis 1034 in der zweiten Anschlussgruppe 1030 geändert werden. Zum Beispiel kann der erste Source-Anschluss 1032 von dem ersten Steueranschluss 1031 aus nach außen (an einem Abschnitt, der in Richtung der dritten Harz-Seitenfläche 905 des Einkapselungsharzes 900 angeordnet ist) angeordnet sein. Ferner kann der zweite Source-Anschluss 1033 von dem zweiten Steueranschluss 1034 nach außen (an einem Abschnitt, der in Richtung der vierten Harz-Seitenfläche 906 des Einkapselungsharzes 900 angeordnet ist) angeordnet sein.
  • Siebte Ausführungsform
  • Unter Bezugnahme auf die 34 bis 37 wird nun ein Halbleiterbauteil A80 gemäß einer siebten Ausführungsform beschrieben.
  • Das Halbleiterbauteil A80 gemäß der siebten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A70 gemäß der sechsten Ausführungsform durch die Orte der ersten Schaltelemente und der zweiten Schaltelemente.
  • Wie in den 34 bis 37 dargestellt, weist das Halbleiterbauteil A80 eine erste Anschlussgruppe 1020a und eine zweite Anschlussgruppe 1030a auf.
  • Erste Anschlussgruppe
  • Die erste Anschlussgruppe 1020a weist den ersten Ansteueranschluss 1021 und den zweiten Ansteueranschluss 1022 auf. Wie in 35 gezeigt, ist der erste Ansteueranschluss 1021 in Richtung der vierten Seitenfläche 116 des ersten Die-Pads 11 in Breitenrichtung X angeordnet. Der zweite Ansteueranschluss 1022 ist in Richtung der dritten Seitenfläche 125 des zweiten Die-Pads 12 in Breitenrichtung X angeordnet. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind der erste Ansteueranschluss 1021 und der zweite Ansteueranschluss 1022 so angeordnet, dass der mittlere Punkt dazwischen dem zentralen Teil des Einkapselungsharzes 900 entspricht.
  • Zweite Anschlussgruppe
  • Die zweite Anschlussgruppe 1030a weist den ersten Steueranschluss 1031, den ersten Source-Anschluss 1032, den zweiten Source-Anschluss 1033, den zweiten Steueranschluss 1034 und einen Ausgangsanschluss 1035 auf. Der Ausgangsanschluss 1035 ist zwischen dem ersten Source-Anschluss 1032 und dem zweiten Source-Anschluss 1033 angeordnet.
  • Wie in 35 dargestellt, weist der Ausgangsanschluss 1035 einen Verbindungsabschnitt 1351, einen Basisabschnitt 1352 und einen Substrat-Verbindungsabschnitt 1353 auf. Der Verbindungsabschnitt 1351 ist mit der zweiten Seitenfläche 124 des zweiten Die-Pads 12 verbunden. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der Ausgangsanschluss 1035 mit dem zweiten Die-Pad 12 integriert. Der Ausgangsanschluss 1035 und das zweite Die-Pad 12 bilden einen integrierten zweiten Anschlussrahmen 15a.
  • Der Verbindungsabschnitt 1351 weist einen Die-Verbindungsabschnitt 1351a und einen Pad-Abschnitt 1351b auf. Der Die-Verbindungsabschnitt 1351a ist mit einem Abschnitt der zweiten Seitenfläche 124 des zweiten Die-Pads 12 verbunden, der in Richtung der dritten Seitenfläche 125 angeordnet ist. Der Pad-Abschnitt 1351b erstreckt sich in der Breitenrichtung X von dem Die-Verbindungsabschnitt 1351a in Richtung des ersten Source-Anschlusses 1032. Der Pad-Abschnitt 1351b ist an einer Position angeordnet, die den ersten Ansteueranschluss 1021, in Längsrichtung Y gesehen, überlappt.
  • Der Basisabschnitt 1352 erstreckt sich von dem Verbindungsabschnitt 1351 in Längsrichtung Y und ragt aus der zweiten Harz-Seitenfläche 904 des Einkapselungsharzes 900 heraus. Der Substrat-Verbindungsabschnitt 1353 erstreckt sich vom distalen Ende des Basisabschnitts 1352 in Längsrichtung Y Wie in 35 dargestellt, ist der Basisabschnitt 1352 in Breitenrichtung X breiter als der Substrat-Verbindungsabschnitt 1353. Der Basisabschnitt 1352 ist so breit ausgebildet, dass in Längsrichtung Yein Teil des Basisabschnitts 1352 den ersten Ansteueranschluss 1021 und ein anderer Teil den zweiten Ansteueranschluss 1022 überlappt. Der Substrat-Verbindungsabschnitt 1353 ist im zentralen Teil des Basisabschnitts 1352 in Breitenrichtung X angeordnet. Ferner ist der Substrat-Verbindungsabschnitt 1353 im zentralen Teil des Einkapselungsharzes 900 in Breitenrichtung X angeordnet.
  • Erstes Schaltelement, zweites Schaltelement
  • Wie in den 35 und 37 gezeigt, sind die ersten Schaltelemente 40a und 40b und die zweiten Schaltelemente 50a und 50b in Richtung des zentralen Teils des Einkapselungsharzes 900 in der Breitenrichtung X angeordnet.
  • Wie in den 35 und 37 gezeigt, sind die ersten Schaltelemente 40a und 40b in Richtung der vierten Seitenfläche 116 in der Breitenrichtung X auf dem ersten Die-Pad 11 angeordnet. Die vierte Seitenfläche 116 ist der dritten Seitenfläche 125 des zweiten Die-Pads 12 zugewandt. Somit sind die ersten Schaltelemente 40a und 40b in Richtung des zweiten Die-Pads 12 auf dem ersten Die-Pad 11 angeordnet. Die ersten Schaltelemente 40a und 40b sind so angeordnet, dass die Source-Hauptelektrode 1411 der ersten Hauptflächenelektrode 1041 den Pad-Abschnitt 1351b des Ausgangsanschlusses 1035 in Längsrichtung Y überlappt. Bei dieser Ausführungsform ist der Abstand (erster Abstand) Lx1 von der vierten Seitenfläche 116 des ersten Die-Pads 11 zu den Element-Seitenflächen 403 der ersten Schaltelemente 40a und 40b in Dickenrichtung Z gesehen größer als oder gleich dem ersten Die-Pad 11.
  • Wie in den 35 und 37 gezeigt, sind die zweiten Schaltelemente 50a und 50b in Richtung der dritten Seitenfläche 125 in Breitenrichtung X auf dem zweiten Die-Pad 12 angeordnet. Somit sind die zweiten Schaltelemente 50a und 50b auf dem zweiten Die-Pad 12 in einem Abschnitt angeordnet, der dem ersten Die-Pad 11 zugewandt ist. Die zweiten Schaltelemente 50a und 50b sind so angeordnet, dass die Source-Hauptelektroden 511 der zweiten Hauptflächenelektroden 1051 den Pad-Abschnitt 1221 des zweiten Ansteueranschlusses 1022 in Längsrichtung Y überlappen. Bei dieser Ausführungsform ist der Abstand (zweiter Abstand) Lx2 von der dritten Seitenfläche 125 des zweiten Die-Pads 12 zu den Element-Seitenflächen 503 der zweiten Schaltelemente 50a und 50b in Dickenrichtung Z gesehen größer als oder gleich der Dicke des zweiten Die-Pads 12.
  • Erstes Verbindungselement, zweites Verbindungselement
  • In der vorliegenden Ausführungsform verbindet ein erstes Verbindungselement 61b, das gurtförmig ist und sich in Längsrichtung Y erstreckt, die Source-Hauptelektroden 1411 der ersten Schaltelemente 40a und 40b mit dem Pad-Abschnitt 1351b des Ausgangsanschlusses 1035. Der Ausgangsanschluss 1035 ist mit dem zweiten Die-Pad 12 verbunden. Entsprechend sind die ersten Hauptflächenelektroden 1041 (Source-Hauptelektroden 1411) der ersten Schaltelemente 40a und 40b über den Ausgangsanschluss 1035 mit dem zweiten Die-Pad 12 verbunden. Ein zweites Verbindungselement 62b, das gurtförmig ist und sich in Längsrichtung Y erstreckt, verbindet die Source-Hauptelektroden 511 der zweiten Schaltelemente 50a und 50b mit dem Pad-Abschnitt 1221 des zweiten Ansteueranschlusses 1022.
  • Arbeits- bzw. Funktionsweise
  • Die Arbeitsweise des Halbleiterbauteils A80 gemäß der siebten Ausführungsform wird nun beschrieben.
  • Die ersten Schaltelemente 40a und 40b sind in Richtung der vierten Seitenfläche 116 in der Breitenrichtung X auf dem ersten Die-Pad 11 angeordnet. Die ersten Schaltelemente 40a und 40b sind so angeordnet, dass die Source-Hauptelektroden 1411 den Pad-Abschnitt 1351b des Ausgangsanschlusses 1035 in Längsrichtung Yüberlappen. Der Pad-Abschnitt 1351b ist so angeordnet, dass er den ersten Ansteueranschluss 1021 in Längsrichtung Y überlappt. Dementsprechend überlappen sich der erste Ansteueranschluss 1021, die ersten Schaltelemente 40a und 40b und der Pad-Abschnitt 1351b des Ausgangsanschlusses 1035 in Längsrichtung Y Somit fließt der Strom in dem Halbleiterbauteil A80 linear zwischen dem ersten Ansteueranschluss 1021 und dem Ausgangsanschluss 1035.
  • Die zweiten Schaltelemente 50a und 50b sind in Richtung der dritten Seitenfläche 125 in Breitenrichtung X auf dem zweiten Die-Pad 12 angeordnet. Die zweiten Schaltelemente 50a und 50b sind so angeordnet, dass sie den zweiten Ansteueranschluss 1022 in Längsrichtung Y überlappen. Ein Teil des Ausgangsanschlusses 1035 überlappt den zweiten Ansteueranschluss 1022 in Längsrichtung Y Somit fließt der Strom in dem Halbleiterbauteil A80 linear zwischen dem zweiten Ansteueranschluss 1022 und dem Ausgangsanschluss 1035.
  • Wie in 35 gezeigt, sind der erste Ansteueranschluss 1021 und der zweite Ansteueranschluss 1022 in Breitenrichtung X nebeneinander angeordnet. Wenn das Halbleiterbauteil A80 als Wechselrichter arbeitet, fließt Strom, gerichtet vom ersten Ansteueranschluss 1021 zum Ausgangsanschluss 1035, durch den ersten Ansteueranschluss 1021. Außerdem fließt Strom, gerichtet vom Ausgangsanschluss 1035 zum zweiten Ansteueranschluss 1022, fließt durch den zweiten Ansteueranschluss 1022. Dementsprechend reduziert der magnetische Fluss, der durch den Strom erzeugt wird, der in entgegengesetzter Richtung durch den ersten Ansteueranschluss 1021 und den zweiten Ansteueranschluss 1022 fließt, die einander benachbart sind, die gegenseitige Induktivität. Dies reduziert die parasitäre Induktivität in dem Halbleiterbauteil A80.
  • Die bei der Funktion der ersten Schaltelemente 40a und 40b erzeugte Wärme wird von den ersten Schaltelementen 40a und 40b auf das erste Die-Pad 11 übertragen. Im ersten Die-Pad 11, wie durch die Pfeile in 37 dargestellt, breitet sich die Wärme aus, wenn sie von der Hauptfläche 111 des ersten Die-Pads 11 auf die Rückfläche 112 übertragen wird. Die Wärme wird dann von jeder Fläche des ersten Die-Pads 11 auf das Einkapselungsharz 900 übertragen. Auf die gleiche Weise wird die bei der Funktion der zweiten Schaltelemente 50a und 50b erzeugte Wärme von den zweiten Schaltelementen 50a und 50b auf das zweite Die-Pad 12 übertragen und breitet sich aus, wenn sie von der Hauptfläche 121 des zweiten Die-Pads 12 auf die Rückfläche 122 übertragen wird. Die Wärme wird dann von jeder Fläche des zweiten Die-Pads 12 auf das Einkapselungsharz 900 übertragen.
  • Je näher die ersten Schaltelemente 40a und 40b an die vierte Seitenfläche 116 des ersten Die-Pads 11 herankommen, desto mehr Wärme wird von der vierten Seitenfläche 116 auf das Einkapselungsharz 900 übertragen. In gleicher Weise wird mehr Wärme von der dritten Seitenfläche 125 des zweiten Die-Pads 12 auf das Einkapselungsharz 900 übertragen, wenn sich die zweiten Schaltelemente 50a und 50b der dritten Seitenfläche 125 des zweiten Die-Pads 12 nähern. Dadurch erhöht sich die Temperatur in einem Harz-Abschnitt 900a des Einkapselungsharzes 900 zwischen der vierten Seitenfläche 116 und der dritten Seitenfläche 125. Folglich sinkt die Übertragungseffizienz von Wärme von der vierten Seitenfläche 116 auf den Harz-Abschnitt 900a des Harzes und die Übertragungseffizienz von Wärme von der dritten Seitenfläche 125 auf den Harz-Abschnitt 900a des Harzes sinkt. Somit sinkt der Wärmeableitungs-Effizienz in den ersten Schaltelementen 40a und 40b und den zweiten Schaltelementen 50a und 50b.
  • Wie oben beschrieben, ist jedoch in dem Halbleiterbauteil A80 gemäß der vorliegenden Ausführungsform der Abstand Lx1 von der vierten Seitenfläche 116 des ersten Die-Pads 11 zu den Element-Seitenflächen 403 der ersten Schaltelemente 40a und 40b größer oder gleich der Dicke des ersten Die-Pads 11. Ferner ist der Abstand Lx2 von der dritten Seitenfläche 125 des zweiten Die-Pads 12 zu den Element-Seitenflächen 503 der zweiten Schaltelemente 50a und 50b größer oder gleich der Dicke des zweiten Die-Pads 12. Dadurch wird eine Verringerung der Wärmeableitungseffizienz der ersten Schaltelemente 40a und 40b und der zweiten Schaltelemente 50a und 50b begrenzt.
  • Die Verringerung der Wärmeableitungseffizienz kann auch durch Vergrößerung des Abstands L12 zwischen dem ersten Die-Pad 11 und dem zweiten Die-Pad 12 begrenzt werden, d.h. durch Trennung des ersten Die-Pads 11 und des zweiten Die-Pads 12 voneinander. Die Trennung des ersten Die-Pads 11 und des zweiten Die-Pads 12 führt jedoch zu einer Vergrößerung des Einkapselungsharzes 900, d. h. zu einer Vergrößerung der äu-ßeren Abmessungen des Halbleiterbauteils. Im Gegensatz dazu wird bei der oben beschriebenen Einstellung der Positionen der ersten Schaltelemente 40a und 40b und der zweiten Schaltelemente 50a und 50b die Verringerung der Wärmeableitungseffizienz begrenzt und gleichzeitig eine Vergrößerung des Halbleiterbauteils A80 vermieden.
  • Vorteile
  • Wie oben beschrieben, hat die vorliegende Ausführungsform die folgenden Vorteile.
    • (2-1) Das Halbleiterbauteil A80 weist den ersten Ansteueranschluss 1021 und den zweiten Ansteueranschluss 1022 auf, die aus der ersten Harz-Seitenfläche 903 des Einkapselungsharzes 900 herausragen, sowie den Ausgangsanschluss 1035, der aus der zweiten Harz-Seitenfläche 904 des Einkapselungsharzes 900 herausragt. Auf diese Weise kann eine Isolierung zwischen dem ersten Ansteueranschluss 1021 und dem Ausgangsanschluss 1035 und zwischen dem zweiten Ansteueranschluss 1022 und dem Ausgangsanschluss 1035 leicht erreicht werden.
    • (2-2) In dem Halbleiterbauteil A80 ragen nur der erste Ansteueranschluss 1021 und der zweite Ansteueranschluss 1022 aus der ersten Harz-Seitenfläche 903 des Einkapselungsharzes 900 heraus. Dadurch kann der Abstand zwischen dem ersten Ansteueranschluss 1021 und dem zweiten Ansteueranschluss 1022 leicht vergrößert werden. Auf diese Weise kann der Flächenabstand zwischen dem ersten Ansteueranschluss 1021 und dem zweiten Ansteueranschluss 1022 leicht erreicht werden.
    • (2-3) Der Abstand Lx1 von der vierten Seitenfläche 116 des ersten Die-Pads 11 zu den Element-Seitenflächen 403 der ersten Schaltelemente 40a und 40b ist größer oder gleich der Dicke des ersten Die-Pads 11. Dies begrenzt die Verringerung der Wärmeableitung des ersten Die-Pads 11 in Bezug auf die ersten Schaltelemente 40a und 40b.
    • (2-4) Der Abstand Lx2 von der dritten Seitenfläche 125 des zweiten Die-Pads 12 zu den Element-Seitenflächen 503 der zweiten Schaltelemente 50a und 50b ist größer oder gleich der Dicke des zweiten Die-Pads 12. Dies begrenzt die Verringerung der Wärmeableitung des zweiten Die-Pads 12 in Bezug auf die zweiten Schaltelemente 50a und 50b.
  • Modifizierte Beispiele der siebten Ausführungsform
  • Die siebte Ausführungsform kann wie unten beschrieben modifiziert werden. Drähte sind in den Zeichnungen zur Darstellung der modifizierten Beispiele nicht dargestellt.
  • Die Formen der ersten Verbindungselemente 1061 und des zweiten Verbindungselements 1062 können geändert werden.
  • Beispielsweise kann ein Halbleiterbauteil A81, wie in 38 gezeigt, ein erstes Verbindungselement 61c aufweisen, das verbreitert ist. Ferner kann ein zweites Verbindungselement 62c verbreitert sein. Das erste Verbindungselement 61c und das zweite Verbindungselement 62c, die so ausgebildet sind, verkürzen den Pfad des Stroms, der vom ersten Ansteueranschluss 1021 zum Ausgangsanschluss 1035 fließt, und den Pfad des Stroms, der vom Ausgangsanschluss 1035 zum zweiten Ansteueranschluss 1022 fließt. Dies reduziert die gegenseitige Induktivität.
  • Wie ferner in 39 gezeigt, kann ein Halbleiterbauteil A82 ein erstes Verbindungselement 61d und ein zweites Verbindungselement 62d aufweisen, die einen plattenförmigen Abschnitt aufweisen, der sich in Dickenrichtung Z erstreckt, um die Induktivität zu verringern.
  • Die Formen des ersten Ansteueranschlusses 1021, des zweiten Ansteueranschlusses 1022 und des Ausgangsanschlusses 1035 können geändert werden.
  • Wie in 40 gezeigt, weist ein Halbleiterbauteil A83 beispielsweise Anschlüsse 1021, 1022 und 1035 auf, die jeweils Basisabschnitte 1212, 1222 und 352 aufweisen, deren Länge in Längsrichtung Y verkürzt ist.
  • Ferner kann ein Halbleiterbauteil A84, wie in 41 gezeigt, Basisabschnitte 1212, 1222 und 352 aufweisen, die nicht aus dem Einkapselungsharz 900 herausragen.
  • Wie in 42 gezeigt, können in einem Halbleiterbauteil A85 die ersten Schaltelemente 40a und 40b und die zweiten Schaltelemente 50a und 50b in Breitenrichtung X angeordnet sein. In diesem Fall können die ersten Schaltelemente 40a und 40b an einem Ort angeordnet sein, der in Richtung der zweiten Seitenfläche 114 des ersten Die-Pads 11 liegt, und die zweiten Schaltelemente 50a und 50b können an einem Ort angeordnet sein, der in Richtung der ersten Seitenfläche 123 des zweiten Die-Pads 12 liegt. Folglich kann selbst bei Verkürzung des Abstands zwischen dem ersten Schaltelement 40a und der vierten Seitenfläche 116 des ersten Die-Pads 11 und des Abstands zwischen dem zweiten Schaltelement 50a und der dritten Seitenfläche 125 des zweiten Die-Pads 12 Wärme von der vierten Seitenfläche 116 des ersten Die-Pads 11 und der dritten Seitenfläche 125 des zweiten Die-Pads 12 abgeleitet werden. Auf diese Weise wird die Verringerung der Wärmeableitungseffizienz begrenzt.
  • Die Anzahl der ersten Schaltelemente, die auf dem ersten Die-Pad 11 montiert sind, kann eins, drei oder mehr sein. Die Anzahl der zweiten Schaltelemente, die auf dem zweiten Die-Pad 12 montiert sind, kann eins, drei oder mehr sein.
  • Andere modifizierte Beispiele
  • Die obigen Ausführungsformen und modifizierten Beispiele können wie unten beschrieben modifiziert werden. Die oben beschriebenen Ausführungsformen und modifizierten Beispiele können mit den unten beschriebenen modifizierten Beispielen kombiniert werden, solange es keine technischen Widersprüche gibt.
  • Als erstes Schaltelement und als zweites Schaltelement können Si-Elemente oder dergleichen verwendet werden.
  • Das erste Schaltelement weist die Source-Hauptelektrode 1411 und die Source-Steuerelektroden 1412 und 1413 als erste Hauptflächenelektrode 1041 auf. Stattdessen kann ein Schaltelement eine, zwei oder vier oder mehr Source-Elektroden aufweisen. Ferner weist das zweite Schaltelement die Source-Hauptelektrode 511 und die Source-Steuerelektroden 512 und 513 als zweite Hauptflächenelektrode 1051 auf. Stattdessen kann ein Schaltelement eine, zwei oder vier oder mehr Source-Elektroden aufweisen.
  • Ausführungsformen
  • Im Folgenden werden technische Konzepte beschrieben, die sich aus den oben genannten Ausführungsformen und modifizierten Beispielen ergeben.
  • Ausführungsform 1
  • Halbleiterbauteil, das Folgendes aufweist:
    • ein erstes Die-Pad, das eine erste Hauptfläche aufweist;
    • ein zweites Die-Pad, das von dem ersten Die-Pad in einer ersten Richtung beabstandet ist, die sich parallel zu der ersten Hauptfläche erstreckt, wobei das zweite Die-Pad eine zweite Hauptfläche aufweist, die in die gleiche Richtung wie die erste Hauptfläche weist;
    • ein erstes Schaltelement, das auf der ersten Hauptfläche montiert ist und eine erste Element-Hauptfläche aufweist, die in die gleiche Richtung wie die erste Hauptfläche weist, eine erste Element-Rückfläche, die in die entgegengesetzte Richtung der ersten Element-Hauptfläche weist, eine erste Hauptflächenelektrode und eine erste Steuerelektrode, die auf der ersten Element- Hauptfläche angeordnet sind, und eine erste Rückflächenelektrode, die auf der ersten Element- Rückfläche angeordnet ist, wobei die erste Rückflächenelektrode mit der ersten Hauptfläche verbunden ist;
    • ein zweites Schaltelement, das auf der zweiten Hauptfläche montiert ist und eine zweite Element-Hauptfläche aufweist, die in die gleiche Richtung wie die zweite Hauptfläche weist, eine zweite Element-Rückfläche, die in die entgegengesetzte Richtung der zweiten Element-Hauptfläche weist, eine zweite Hauptflächenelektrode und eine zweite Steuerelektrode, die auf der zweiten Element-Hauptfläche angeordnet sind, und eine zweite Rückflächenelektrode, die auf der zweiten Element-Rückfläche angeordnet ist, wobei die zweite Rückflächenelektrode mit der zweiten Hauptfläche verbunden ist;
    • ein erstes Verbindungselement, das die erste Hauptflächenelektrode des ersten Schaltelements mit dem zweiten Die-Pad verbindet;
    • ein Einkapselungsharz, das Harz-Seitenflächen aufweist, die in eine Richtung weisen, die sich parallel zu der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche erstreckt, wobei das Einkapselungsharz das erste Schaltelement, das zweite Schaltelement, das erste Die-Pad, das zweite Die-Pad und das erste Verbindungselement einkapselt;
  • Anschlüsse („leads“), die in der ersten Richtung angeordnet sind, wobei die Anschlüsse aus einer der Harz-Seitenflächen des Einkapselungsharzes in einer zweiten Richtung herausragen, die die erste Richtung kreuzt bzw. schneidet, und die Anschlüsse einen ersten Ansteueranschluss und einen zweiten Ansteueranschluss aufweisen, die sich in der zweiten Richtung erstrecken; und
    ein zweites Verbindungselement, das die zweite Hauptflächenelektrode des zweiten Schaltelements mit dem zweiten Ansteueranschluss verbindet,
    wobei das zweite Verbindungselement einen mit dem zweiten Ansteueranschluss verbundenen Anschlussverbindungsabschnitt, einen mit der zweiten Hauptflächenelektrode des zweiten Schaltelements verbundenen Elektrodenverbindungsabschnitt und einen den Anschlussverbindungsabschnitt und den Elektrodenverbindungsabschnitt verbindenden Kopplungsabschnitt aufweist.
  • Ausführungsform 2
  • Das Halbleiterbauteil gemäß Ausführungsform 1, wobei sich der Kopplungsabschnitt von dem Anschlussverbindungsabschnitt in die zweite Richtung erstreckt.
  • Ausführungsform 3
  • Das Halbleiterbauteil gemäß Ausführungsform 2, wobei sich der Elektrodenverbindungsabschnitt vom Kopplungsabschnitt in die erste Richtung erstreckt.
  • Ausführungsform 4
  • Das Halbleiterbauteil gemäß einer der Ausführungsformen 1 bis 3, wobei das Zweite Verbindungselement so ausgebildet ist, dass der Kopplungsabschnitt parallel zur zweiten Hauptfläche des zweiten Die-Pads ist.
  • Ausführungsform 5
  • Das Halbleiterbauteil gemäß einer der Ausführungsformen 1 bis 4, wobei das erste Schaltelement, das auf dem ersten Die-Pad montiert ist, eines aus einer Vielzahl von ersten Schaltelementen ist, und das zweite Schaltelement, das auf dem zweiten Die-Pad angebracht ist, eines aus einer Vielzahl von zweiten Schaltelementen ist.
  • Ausführungsform 6
  • Das Halbleiterbauteil gemäß Ausführungsform 5, wobei die ersten Schaltelemente und die zweiten Schaltelemente in der zweiten Richtung angeordnet sind.
  • Ausführungsform 7
  • Das Halbleiterbauteil gemäß Ausführungsform 6, wobei sich das erste Verbindungselement in der ersten Richtung von der Hauptflächenelektrode jedes der ersten Schaltelemente erstreckt und mit dem zweiten Die-Pad verbunden ist.
  • Ausführungsform 8
  • Das Halbleiterbauteil nach einer der Ausführungsformen 1 bis 7, wobei die Anschlüsse einen ersten Steueranschluss und einen zweiten Steueranschluss aufweisen, wobei das Halbleiterbauteil ferner aufweist:
    • einen ersten Draht, der den ersten Steueranschluss mit der ersten Steuerelektrode verbindet, und einen zweiten Draht, der den zweiten Steueranschluss mit der zweiten Steuerelektrode verbindet.
  • Ausführungsform 9
  • Das Halbleiterbauteil gemäß einer der Ausführungsformen 1 bis 8, wobei:
    • die Anschlüsse einen ersten Source-Anschluss und einen zweiten Source-Anschluss aufweisen; und
    • der erste Source-Anschluss mit der ersten Hauptflächenelektrode eines der ersten Schaltelemente verbunden ist, die auf dem ersten Die-Pad montiert sind, und der zweite Source-Anschluss mit der zweiten Hauptflächenelektrode eines der zweiten Schaltelemente verbunden ist, die auf dem zweiten Die-Pad montiert sind.
  • Ausführungsform 10
  • Das Halbleiterbauteil gemäß Ausführungsform 9, das einen dritten Draht aufweist, der den ersten Source-Anschluss mit der ersten Hauptflächenelektrode verbindet, und einen vierten Draht, der den zweiten Source-Anschluss mit der zweiten Hauptflächenelektrode verbindet.
  • Ausführungsform 11
  • Das Halbleiterbauteil gemäß einer der Ausführungsformen 1 bis 10, wobei die erste Hauptflächenelektrode eine Source-Hauptelektrode und eine Source-Steuerelektrode aufweist, und das erste Verbindungselement die Source-Hauptelektrode der ersten Hauptflächenelektrode mit dem zweiten Die-Pad verbindet.
  • Ausführungsform 12
  • Das Halbleiterbauteil gemäß einer der Ausführungsformen 1 bis 11, wobei die zweite Hauptflächenelektrode eine Source-Hauptelektrode und eine Source-Steuerelektrode aufweist, und das zweite Verbindungselement die Source-Hauptelektrode der zweiten Hauptflächenelektrode mit dem zweiten Ansteueranschluss verbindet.
  • Ausführungsform 13
  • Ein Halbleiterbauteil, das Folgendes aufweist:
    • ein erstes Die-Pad, das eine erste Hauptfläche aufweist;
    • ein zweites Die-Pad, das von dem ersten Die-Pad in einer ersten Richtung beabstandet ist, die sich parallel zu der ersten Hauptfläche erstreckt, wobei das zweite Die-Pad eine zweite Hauptfläche aufweist, die in die gleiche Richtung wie die erste Hauptfläche weist;
    • ein erstes Schaltelement, das auf der ersten Hauptfläche montiert ist und eine erste Element-Hauptfläche aufweist, die in die gleiche Richtung wie die erste Hauptfläche weist, eine erste Element-Rückfläche, die in die entgegengesetzte Richtung der ersten Element-Hauptfläche weist, eine erste Hauptflächenelektrode und eine erste Steuerelektrode, die auf der ersten Element-Hauptfläche angeordnet sind, und eine erste Rückflächenelektrode, die auf der ersten Element-Rückfläche angeordnet ist, wobei die erste Rückflächenelektrode mit der ersten Hauptfläche verbunden ist;
    • ein zweites Schaltelement, das auf der zweiten Hauptfläche montiert ist und eine zweite Element-Hauptfläche aufweist, die in die gleiche Richtung wie die zweite Hauptfläche weist, eine zweite Element-Rückfläche, die in die entgegengesetzte Richtung der zweiten Element-Hauptfläche weist, eine zweite Hauptflächenelektrode und eine zweite Steuerelektrode, die auf der zweiten Element-Hauptfläche angeordnet sind, und eine zweite Rückflächenelektrode, die auf der zweiten Element-Rückfläche angeordnet ist, wobei die zweite Rückflächenelektrode mit der zweiten Hauptfläche verbunden ist;
    • ein erstes Verbindungselement, das die erste Hauptflächenelektrode des ersten Schaltelements mit der zweiten Hauptfläche des zweiten Die-Pads verbindet;
    • ein Einkapselungsharz, das Harz-Seitenflächen aufweist, die in eine Richtung weisen, die sich parallel zu der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche erstreckt, wobei das Einkapselungsharz das erste Schaltelement, das zweite Schaltelement, das erste Die-Pad, das zweite Die-Pad und das erste Verbindungselement einkapselt;
    • eine erste Anschlussgruppe, die einen ersten Ansteueranschluss und einen zweiten Ansteueranschluss aufweist, die, von den Harz-Seitenflächen, aus einer ersten Harz-seitenfläche herausragen, die einer zweiten Richtung zugewandt ist, die die erste Richtung kreuzt;
    • eine zweite Anschlussgruppe, die einen ersten Steueranschluss und einen zweiten Steueranschluss aufweist, die aus einer zweiten Harz-Seitenfläche herausragen, die in die entgegengesetzte Richtung der ersten Harz-Seitenfläche weist; und
    • ein zweites Verbindungselement, das die zweite Hauptflächenelektrode des zweiten Schaltelements mit dem zweiten Ansteueranschluss verbindet,
    • wobei das zweite Verbindungselement einen mit dem zweiten Ansteueranschluss verbundenen Anschlussverbindungsabschnitt, mit den zweiten Hauptflächenelektroden der zweiten Schaltelemente verbundene Elektrodenverbindungsabschnitte und einen den Anschlussverbindungsabschnitt und die Elektrodenverbindungsabschnitte verbindenden Kopplungsabschnitt aufweist.
  • Ausführungsform 14
  • Das Halbleiterbauteil gemäß Ausführungsform 13, wobei sich der Kopplungsabschnitt vom Anschlussverbindungsabschnitt in die zweite Richtung erstreckt.
  • Ausführungsform 15
  • Das Halbleiterbauteil gemäß Ausführungsform 14, wobei sich die Elektrodenverbindungsabschnitte von dem Kopplungsabschnitt in die erste Richtung erstrecken.
  • Ausführungsform 16
  • Das Halbleiterbauteil gemäß einer der Ausführungsformen 13 bis 15, wobei das zweite Verbindungselement so ausgebildet ist, dass der Kopplungsabschnitt parallel zur zweiten Hauptfläche des zweiten Die-Pads verläuft.
  • Ausführungsform 17
  • Das Halbleiterbauteil gemäß einer der Ausführungsformen 13 bis 16, die folgendes aufweist:
    • die erste Anschlussgruppe weist einen Ausgangsanschluss auf, der mit dem zweiten Die-Pad verbunden ist,
    • wobei der Ausgangsanschluss zwischen dem ersten Ansteueranschluss und dem zweiten Ansteueranschluss angeordnet ist, gesehen in der zweiten Richtung.
  • Ausführungsform 18
  • Das Halbleiterbauteil gemäß einer der Ausführungsformen 13 bis 17, wobei die erste Hauptflächenelektrode eine Source-Hauptelektrode und eine Source-Steuerelektrode mit einschließt, und das erste Verbindungselement die Source-Hauptelektrode der ersten Hauptflächenelektrode mit dem zweiten Die-Pad verbindet.
  • Ausführungsform 19
  • Das Halbleiterbauteil gemäß einer der Ausführungsformen 13 bis 18, wobei die zweite Hauptflächenelektrode eine Source-Hauptelektrode und eine Source-Steuerelektrode mit einschließt und das zweite Verbindungselement die Source-Hauptelektrode der zweiten Hauptflächenelektrode mit dem zweiten Ansteueranschluss verbindet.
  • Ausführungsform 20
  • Das Halbleiterbauteil gemäß einer der Ausführungsformen 13 bis 19, das einen ersten Draht aufweist, der den ersten Steueranschluss mit der ersten Steuerelektrode verbindet, und einen zweiten Draht, der den zweiten Steueranschluss mit der zweiten Steuerelektrode verbindet.
  • Ausführungsform 21
  • Das Halbleiterbauteil gemäß einer der Ausführungsformen 13 bis 20, wobei:
    • die zweite Anschlussgruppe einen ersten Source-Anschluss und einen zweiten Source-Anschluss aufweist; und
    • der erste Source-Anschluss mit der ersten Hauptflächenelektrode eines der ersten Schaltelemente verbunden ist, die auf dem ersten Die-Pad montiert sind, und der zweite Source-Anschluss mit der zweiten Hauptflächenelektrode eines der zweiten Schaltelemente verbunden ist, die auf dem zweiten Die-Pad montiert sind.
  • Ausführungsform 22
  • Das Halbleiterbauteil gemäß Ausführungsform 21, das einen dritten Draht aufweist, der den ersten Source-Anschluss mit der ersten Hauptflächenelektrode verbindet, und einen vierten Draht, der den zweiten Source-Anschluss mit der zweiten Hauptflächenelektrode verbindet.
  • Bezugszeichenliste
    • A10, A11, A20, A30, A40, A50, A61-A65, A70-A72, A80-A85
    Halbleiterbauteil
    11
    erstes Die-Pad
    111
    Hauptfläche (erste Hauptfläche)
    112
    Rückfläche (erste Rückfläche)
    113-116
    erste Seitenfläche bis vierte Seitenfläche
    12
    zweites Die-Pad
    121
    Hauptfläche (zweite Hauptfläche)
    122
    Rückfläche (zweite Rückfläche)
    123-126
    erste Seitenfläche bis vierte Seitenfläche
    14
    erster Anschlussrahmen
    15, 15a
    Zweiter Anschlussrahmen
    20
    erstes Schaltelement
    201
    Element-Hauptfläche (erste Element-Hauptfläche)
    202
    Element-Seitenfläche (erste Element-Rückfläche)
    203-206
    erste Element-Seitenfläche bis vierte Element-Seitenfläche
    21
    erste Hauptflächenelektrode
    211
    Source-Hauptelektrode
    212, 213
    Source-Steuerelektrode
    22
    erste Steuerelektrode
    23
    erste Rückflächenelektrode
    30
    zweites Schaltelement
    301
    Element-Hauptfläche (zweite Element-Hauptfläche)
    302
    Element-Seitenfläche (zweite Element-Rückfläche)
    303-306
    erste Element-Seitenfläche bis vierte Element-Seitenfläche
    31
    zweite Hauptflächenelektrode
    311
    Source-Hauptelektrode
    312, 313
    Source-Steuerelektrode
    32
    zweite Steuerelektrode
    33
    zweite Rückflächenelektrode
    40a, 40b, 40c
    erstes Schaltelement
    401
    Element-Hauptfläche
    402
    Element-Rückfläche
    403
    Element-Seitenfläche
    41
    erster Anschluss (erster Steueranschluss)
    411
    Pad-Abschnitt
    412
    Basisabschnitt
    413
    Substrat-Verbindungsabschnitt
    42
    Zweiter Anschluss (erster Source-Anschluss)
    421
    Pad-Abschnitt
    422
    Basisabschnitt
    423
    Abschnitt für den Anschluss des Substrats
    43
    dritter Anschluss (erster Ansteueranschluss)
    431
    Verbinder bzw. Verbindungsabschnitt
    432
    Basisabschnitt
    433
    Substrat-Verbindungsabschnitt
    44
    Vierter Anschluss (Ausgangsanschluss)
    441
    Verbinder bzw. Verbindungsabschnitt
    442
    Basisabschnitt
    443
    Substrat-Verbindungsabschnitt
    45
    fünfter Anschluss (zweiter Ansteueranschluss)
    451
    Pad-Abschnitt
    452
    Basisabschnitt
    453
    Substrat-Verbindungsabschnitt
    46
    Sechster Anschluss (zweiter Source-Anschluss)
    461
    Pad-Abschnitt
    462
    Basisabschnitt
    463
    Substrat-Verbindungsabschnitt
    47
    siebter Anschluss (zweiter Steueranschluss)
    471
    Pad-Abschnitt
    472
    Basisabschnitt
    473
    Substrat-Verbindungsabschnitt
    44a
    Vierter Anschluss (zweiter Ansteueranschluss)
    444
    Pad-Abschnitt
    45a
    fünfter Anschluss (Ausgangsanschluss)
    454
    Verbinder
    50a, 50b, 50c
    zweites Schaltelement
    51
    Draht (erstes Verbindungselement)
    52
    Draht (zweites Verbindungselement)
    53
    erster Clip (erstes Verbindungselement)
    54, 54a
    zweiter Clip (zweites Verbindungselement)
    501
    Element-Hauptfläche
    502
    Element-Rückfläche
    503
    Element-Seitenfläche
    51
    zweite Hauptflächenelektrode
    511
    Source-Hauptelektrode
    512
    Source-Steuerelektrode
    513
    Source-Steuerelektrode
    541
    Anschlussverbindungsabschnitt
    542
    Elektrodenverbindungsabschnitt
    543
    Kopplungsabschnitt
    61
    Draht (erster Draht)
    62
    Draht (dritter Draht)
    63
    Draht (zweiter Draht)
    64
    Draht (vierter Draht)
    61a, 61b, 61c, 61d
    erstes Verbindungselement
    611
    Die-Verbindungsabschnitt
    612
    Elektrodenverbindungsabschnitt
    62b, 62c, 62d
    zweites Verbindungselement
    621
    Anschlussverbindungsabschnitt
    622
    Elektrodenverbindungsabschnitt
    623
    Kopplungsabschnitt
    70
    Einkapselungsharz
    70a
    Harz-Abschnitt
    701
    Harz-Hauptfläche
    702
    Harz-Rückfläche
    703
    erste Harz-Seitenfläche
    704
    zweite Harz-Seitenfläche
    705
    dritte Harz-Seitenfläche
    706
    vierte Harz-Seitenfläche
    707
    Ausnehmung
    71, 72
    Draht (erster Draht)
    73
    Draht (dritter Draht)
    74, 75
    Draht (zweiter Draht)
    76
    Draht (vierter Draht)
    81-86
    Lötmittel
    90a, 90b
    Halbleiterbauteil
    900
    Einkapselungsharz
    900a
    Harz-Abschnitt
    901
    Harz-Hauptfläche
    902
    Harz-Rückfläche
    903-906
    erste Harz-Seitenfläche bis vierte Harz-Seitenfläche
    907
    Ausnehmung
    91
    Schaltelement
    911
    Gate-Elektrode
    912
    Source-Steuerelektrode
    913
    Source-Hauptelektrode
    914
    Rückflächenelektrode (Drain-Elektrode)
    921-924
    Anschluss
    1020, 1020a
    erste Anschlussgruppe
    1021
    erster Ansteueranschluss
    1211
    Verbinder
    1212
    Basisabschnitt
    1213
    Substrat-Verbindungsabschnitt
    1215
    dritte Seitenfläche
    1022
    zweiter Ansteueranschluss
    1221
    Pad-Abschnitt
    1222
    Basisabschnitt
    1223
    Substrat-Verbindungsabschnitt
    1023
    Ausgangsanschluss
    1231
    Verbinder
    1232
    Basisabschnitt
    1233
    Substrat-Verbindungsabschnitt
    1030, 1030a
    zweite Anschlussgruppe
    1031
    erster Steueranschluss
    1311
    Pad-Abschnitt
    1312
    Basisabschnitt
    1313
    Substrat-Verbindungsabschnitt
    1032
    erster Source-Anschluss
    1321
    Pad-Abschnitt
    1322
    Basisabschnitt
    1323
    Sub strat-Verbindungsab schnitt
    1033
    Zweiter Source-Anschluss
    1331
    Pad-Abschnitt
    1332
    Basisabschnitt
    1333
    Substrat-Verbindungsabschnitt
    1034
    zweiter Steueranschluss
    1341
    Pad-Abschnitt
    1342
    Basisabschnitt
    1343
    Sub strat-Verbindungsab schnitt
    1035
    Ausgangsanschluss
    1351
    Verbinder
    1351a
    Die-Verbindungsabschnitt
    1351b
    Pad-Abschnitt
    1352
    Basisabschnitt
    1353
    Substrat-Verbindungsabschnitt
    1041
    erste Hauptflächenelektrode
    1042
    erste Steuerelektrode
    1043
    erste Rückflächenelektrode
    1411
    Source-Hauptelektrode
    1412
    Source-Steuerelektrode
    1413
    Source-Steuerelektrode
    1052
    zweite Steuerelektrode
    1053
    zweite Rückflächenelektrode
    1061
    erstes Verbindungselement
    1062
    zweites Verbindungselement
    OP
    externe Verdrahtung
    L12
    Abstand
    Lx1, Lx2
    Abstand
    X
    Breitenrichtung (erste Richtung)
    Y
    Längsrichtung (zweite Richtung)
    Z
    Dickenrichtung

Claims (26)

  1. Halbleiterbauteil, aufweisend: ein erstes Die-Pad, das eine erste Hauptfläche aufweist; ein zweites Die-Pad, das von dem ersten Die-Pad in einer ersten Richtung beabstandet ist, die sich parallel zu der ersten Hauptfläche erstreckt, wobei das zweite Die-Pad eine zweite Hauptfläche aufweist, die in die gleiche Richtung wie die erste Hauptfläche weist; ein erstes Schaltelement, das auf der ersten Hauptfläche angebracht ist und eine erste Element-Hauptfläche aufweist, die in die gleiche Richtung wie die erste Hauptfläche weist, eine erste Element-Rückfläche, die in die entgegengesetzte Richtung der ersten Element-Hauptfläche weist, eine erste Hauptflächenelektrode und eine erste Steuerelektrode, die auf der ersten Element-Hauptfläche angeordnet sind, und eine erste Rückflächenelektrode, die auf der ersten Element-Rückfläche angeordnet ist, wobei die erste Rückflächenelektrode mit der ersten Hauptfläche verbunden ist; ein zweites Schaltelement, das auf der zweiten Hauptfläche montiert ist und eine zweite Element-Hauptfläche aufweist, die in die gleiche Richtung wie die zweite Hauptfläche weist, eine zweiten Element-Rückfläche, die in die entgegengesetzte Richtung der zweiten Element-Hauptfläche weist, eine zweite Hauptflächenelektrode und eine zweite Steuerelektrode, die auf der zweiten Element-Hauptfläche angeordnet sind, und eine zweite Rückflächenelektrode, die auf der zweiten Element-Rückfläche angeordnet ist, wobei die zweite Rückflächenelektrode mit der zweiten Hauptfläche verbunden ist; ein erstes Verbindungselement, das die erste Hauptflächenelektrode des ersten Schaltelements mit dem zweiten Die-Pad verbindet; ein Einkapselungsharz, das Harz-Seitenflächen aufweist, die einer Richtung zugewandt sind, die sich parallel zu der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche erstreckt, wobei das Einkapselungsharz das erste Schaltelement, das zweite Schaltelement, das erste Die-Pad, das zweite Die-Pad und das erste Verbindungselement einkapselt; und Anschlüsse, die in der ersten Richtung angeordnet sind, wobei die Anschlüsse aus einer der Harz-Seitenflächen des Einkapselungsharzes in einer zweiten Richtung herausragen, die die erste Richtung schneidet, und die Anschlüsse sich in der zweiten Richtung erstrecken.
  2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei das erste Verbindungselement eine leitende Platte oder leitende Drähte aufweist.
  3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1 oder 2, wobei das erste Schaltelement, in der zweiten Richtung gesehen, in Richtung des zweiten Die-Pads von einem zentralen Teil des ersten Die-Pads angeordnet ist.
  4. Halbleiterbauteil nach Anspruch 3, wobei ein erster Abstand von einer Seite des ersten Die-Pads, die dem zweiten Die-Pad zugewandt ist, zu einer Seite des ersten Schaltelements, die dem zweiten Die-Pad zugewandt ist, in einer Richtung orthogonal zur ersten Hauptoberfläche gesehen, größer oder gleich einer Dicke des ersten Die-Pads ist.
  5. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das zweite Schaltelement, in der zweiten Richtung gesehen, in Richtung des ersten Die-Pads von einem zentralen Teil des zweiten Die-Pads angeordnet ist.
  6. Halbleiterbauteil nach Anspruch 5, wobei ein zweiter Abstand von einer Seite des zweiten Die-Pads, die dem ersten Die-Pad zugewandt ist, zu einer Seite des zweiten Schaltelements, die dem ersten Die-Pad zugewandt ist, in einer Richtung senkrecht zur zweiten Hauptoberfläche gesehen, größer oder gleich einer Dicke des zweiten Die-Pads ist.
  7. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei: die Anschlüsse aufweisen: einen ersten Steueranschluss, der mit der ersten Steuerelektrode des ersten Schaltelements verbunden ist und an einem Ende des Einkapselungsharzes an einer Stelle angeordnet ist, an der sich das erste Die-Pad befindet, einen zweiten Steueranschluss, der mit der zweiten Steuerelektrode des zweiten Schaltelements verbunden ist und an einem Ende des Einkapselungsharzes an einer Seite angeordnet ist, an der sich das zweite Die-Pad befindet, einen ersten Ansteueranschluss, der mit der ersten Rückflächenelektrode des ersten Schaltelements verbunden ist, einen zweiten Ansteueranschluss, der mit der zweiten Hauptflächenelektrode des zweiten Schaltelements verbunden ist, und einen Ausgangsanschluss, der mit dem zweiten Die-Pad verbunden ist; und der erste Ansteueranschluss, der zweite Ansteueranschluss und der Ausgangsanschluss zwischen dem ersten Steueranschluss und dem zweiten Steueranschluss angeordnet sind.
  8. Halbleiterbauteil nach Anspruch 7, wobei der Ausgangsanschluss zwischen dem ersten Ansteueranschluss und dem zweiten Ansteueranschluss angeordnet ist.
  9. Halbleiterbauteil nach Anspruch 7, wobei der zweite Ansteueranschluss zwischen dem ersten Ansteueranschluss und dem Ausgangsanschluss angeordnet ist.
  10. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei die Anschlüsse aufweisen: einen ersten Source-Anschluss, der mit der ersten Hauptflächenelektrode des ersten Schaltelements verbunden ist und vom ersten Steueranschluss in Richtung des zweiten Die-Pads angeordnet ist; und einen zweiten Source-Anschluss, der mit der zweiten Hauptflächenelektrode des zweiten Schaltelements verbunden ist und vom zweiten Steueranschluss in Richtung des ersten Die-Pads angeordnet ist.
  11. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 7 bis 10, wobei der erste Ansteueranschluss, der zweite Ansteueranschluss und der Ausgangsanschluss jeweils eine Dicke aufweisen, die gleich der des ersten Die-Pads und des zweiten Die-Pads ist.
  12. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 7 bis 11, ferner aufweisend ein zweites Verbindungselement, das die zweite Hauptflächenelektrode des zweiten Schaltelements mit dem zweiten Ansteueranschluss verbindet.
  13. Halbleiterbauteil, aufweisend: ein erstes Die-Pad, das eine erste Hauptfläche aufweist; ein zweites Die-Pad, das von dem ersten Die-Pad in einer ersten Richtung beabstandet ist, die sich parallel zu der ersten Hauptfläche erstreckt, wobei das zweite Die-Pad eine zweite Hauptfläche aufweist, die in die gleiche Richtung wie die erste Hauptfläche weist; ein erstes Schaltelement, das auf der ersten Hauptfläche montiert ist und eine erste Element-Hauptfläche aufweist, die in die gleiche Richtung wie die erste Hauptfläche weist, eine erste Element-Rückfläche, die in die entgegengesetzte Richtung der ersten Element-Hauptfläche weist, eine erste Hauptflächenelektrode und eine erste Steuerelektrode, die auf der ersten Element-Hauptfläche angeordnet sind, und eine erste Rückflächenelektrode, die auf der ersten Element-Rückfläche angeordnet ist, wobei die erste Rückflächenelektrode mit der ersten Hauptfläche verbunden ist; ein zweites Schaltelement, das auf der zweiten Hauptfläche montiert ist und eine zweite Element-Hauptfläche aufweist, die in die gleiche Richtung wie die zweite Hauptfläche weist, eine zweite Element-Rückfläche, die in die entgegengesetzte Richtung der zweiten Element-Hauptfläche weist, eine zweite Hauptflächenelektrode und eine zweite Steuerelektrode, die auf der zweiten Element-Hauptfläche angeordnet sind, und eine zweite Rückflächenelektrode aufweist, die auf der zweiten Element-Rückfläche angeordnet ist, wobei die zweite Rückflächenelektrode mit der zweiten Hauptfläche verbunden ist; ein erstes Verbindungselement, das mit der ersten Hauptflächenelektrode des ersten Schaltelements verbunden ist; ein Einkapselungsharz, das Harz-Seitenflächen aufweist, die einer Richtung zugewandt sind, die sich parallel zu der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche erstreckt, wobei das Einkapselungsharz das erste Schaltelement, das zweite Schaltelement, das erste Die-Pad, das zweite Die-Pad und das erste Verbindungselement einkapselt; eine erste Anschlussgruppe mit Anschlüssen, die, von den Harz-Seitenflächen, aus einer ersten Harz-Seitenfläche herausragen, die einer zweiten Richtung zugewandt ist, die die erste Richtung kreuzt; und eine zweite Anschlussgruppe mit Anschlüssen, die aus einer zweiten Harz-Seitenfläche herausragen, die in die entgegengesetzte Richtung der ersten Harz-Seitenfläche weist, wobei die erste Hauptflächenelektrode des ersten Schaltelements durch das erste Verbindungselement mit dem zweiten Die-Pad elektrisch verbunden ist.
  14. Halbleiterbauteil nach Anspruch 13, wobei: die Anschlüsse der ersten Anschlussgruppe aufweisen: einen ersten Ansteueranschluss, der mit der ersten Rückflächenelektrode des ersten Schaltelements verbunden ist, einen zweiten Ansteueranschluss, der mit der zweiten Hauptflächenelektrode des zweiten Schaltelements verbunden ist, und einen Ausgangsanschluss, der mit dem zweiten Die-Pad verbunden ist; und die Anschlüsse der zweiten Anschlussgruppe aufweisen: einen ersten Steueranschluss, der mit der ersten Steuerelektrode des ersten Schaltelementes verbunden ist, und einen zweiten Steueranschluss, der mit der zweiten Steuerelektrode des zweiten Schaltelementes verbunden ist.
  15. Halbleiterbauteil nach Anspruch 13, wobei: die Anschlüsse der ersten Anschlussgruppe aufweisen: einen ersten Ansteueranschluss, der mit der ersten Rückflächenelektrode des ersten Schaltelements verbunden ist, und einen zweiten Ansteueranschluss, der mit der zweiten Hauptflächenelektrode des zweiten Schaltelements verbunden ist; die Anschlüsse der zweiten Anschlussgruppe aufweisen: einen ersten Steueranschluss, der mit der ersten Steuerelektrode des ersten Schaltelements verbunden ist, einen zweiten Steueranschluss, der mit der zweiten Steuerelektrode des zweiten Schaltelements verbunden ist, und einen Ausgangsanschluss, der mit dem zweiten Die-Pad verbunden ist; und die erste Hauptflächenelektrode des ersten Schaltelements über das erste Verbindungselement und den Ausgangsanschluss mit dem zweiten Die-Pad verbunden ist.
  16. Halbleiterbauteil nach Anspruch 14 oder 15, wobei der erste Ansteueranschluss und der zweite Ansteueranschluss benachbart zueinander sind.
  17. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei die zweite Anschlussgruppe Folgendes aufweist: einen ersten Source-Anschluss, der mit der ersten Hauptflächenelektrode des ersten Schaltelements verbunden ist und in Richtung eines zentralen Teils des Einkapselungsharzes von dem ersten Steueranschluss aus angeordnet ist; und einen zweiten Source-Anschluss, der mit der zweiten Hauptflächenelektrode des zweiten Schaltelements verbunden ist und in Richtung eines zentralen Teils des Einkapselungsharzes von dem zweiten Steueranschluss aus angeordnet ist.
  18. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 14 bis 17, ferner aufweisend ein zweites Verbindungselement, das die zweite Hauptflächenelektrode des zweiten Schaltelements mit dem zweiten Ansteueranschluss verbindet.
  19. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 13 bis 18, wobei: das erste Schaltelement, das auf dem ersten Die-Pad montiert ist, eines aus einer Vielzahl von ersten Schaltelementen ist; und das zweite Schaltelement, das auf dem zweiten Die-Pad montiert ist, eines einer Vielzahl von zweiten Schaltelementen ist.
  20. Halbleiterbauteil nach Anspruch 19, wobei die ersten Schaltelemente und die zweiten Schaltelemente in der zweiten Richtung angeordnet sind.
  21. Halbleiterbauteil nach Anspruch 19 oder 20, wobei die erste Hauptflächenelektrode jedes der ersten Schaltelemente durch das erste Verbindungselement mit dem zweiten Die-Pad verbunden ist.
  22. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 13 bis 21, wobei das erste Schaltelement, gesehen in der zweiten Richtung, in Richtung des zweiten Die-Pads von einem zentralen Teil des ersten Die-Pads aus angeordnet ist.
  23. Halbleiterbauteil nach Anspruch 22, wobei ein erster Abstand von einer Seite des ersten Die-Pads, die in Richtung des zweiten Die-Pads angeordnet ist, zu einer Seite des ersten Schaltelements, die in Richtung des zweiten Die-Pads angeordnet ist, in einer Richtung orthogonal zu der ersten Hauptfläche gesehen, größer als oder gleich einer Dicke des ersten Die-Pads ist.
  24. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 13 bis 23, wobei das zweite Schaltelement in Richtung des ersten Die-Pads von einem zentralen Teil des zweiten Die-Pads aus angeordnet ist, gesehen in der zweiten Richtung.
  25. Halbleiterbauteil nach Anspruch 24, wobei ein zweiter Abstand von einer Seite des zweiten Die-Pads, die in Richtung des ersten Die-Pads angeordnet ist, zu einer Seite des zweiten Schaltelements, die in Richtung des ersten Die-Pads angeordnet ist, in einer Richtung orthogonal zu der zweiten Hauptfläche gesehen, größer als oder gleich einer Dicke des zweiten Die-Pads ist.
  26. Halbleiterbauteil nach Anspruch 19, wobei: die ersten Schaltelemente in der ersten Richtung angeordnet sind und in Richtung der zweiten Harz-Seitenfläche angeordnet sind; und die zweiten Schaltelemente in der ersten Richtung angeordnet sind und in Richtung der ersten Harz-Seitenfläche angeordnet sind.
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