CN115917742A - 半导体装置 - Google Patents

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CN115917742A
CN115917742A CN202180044061.6A CN202180044061A CN115917742A CN 115917742 A CN115917742 A CN 115917742A CN 202180044061 A CN202180044061 A CN 202180044061A CN 115917742 A CN115917742 A CN 115917742A
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CN
China
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lead
main surface
die holder
switching element
electrode
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CN202180044061.6A
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English (en)
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林健二
神田泽水
川本典明
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Abstract

半导体装置(A10、A11、A20、A30、A40、A50、A61~A65)具备具有第一主面(111)的第一模座(11)、具有第二主面(121)的第二模座(12)、连接于第一主面(111)的第一开关元件(20)、连接于第二主面(121)的第二开关元件(30)、连接第一开关元件(20)的第一主面电极(21)和第二模座(12)的第一连接部件(51、53)、密封第一开关元件(20)、第二开关元件(30)、第一模座(11)、第二模座(12)以及第一连接部件(51、53)的密封树脂(70)、从密封树脂(70)的多个树脂侧面(703、704、705、706)中的一个树脂侧面(703)突出的多根引线(41、42、43、44、45)。

Description

半导体装置
技术领域
本发明涉及半导体装置。
背景技术
一直以来,半导体装置具备包含模座以及多根引线的引线框、搭载于模座的一个晶体管、连接晶体管的各电极与引线的金属丝、密封晶体管以及金属丝的密封树脂(例如,参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-174951号公报
发明内容
发明所要解决的课题
该半导体装置例如使用于逆变器电路、DC-DC顺变器电路。这些电路通过安装基板的配线导体相互连接安装于安装基板的2个半导体装置而构成。安装基板的配线导体例如相互电连接搭载于一个半导体装置上的晶体管的漏极电极、搭载于另一半导体装置的晶体管的源极电极。安装于安装基板的多个半导体装置为了安装、散热而以使相互距离为恒定以上的方式配置。因此,电极间的导体(引线以及配线导体)长,寄生电感大。寄生电感会成为快速开关的障碍。因此,要求降低半导体装置中的寄生电感。
本发明的目的在于提供一种能够降低电感的半导体装置。
用于解决课题的方案
本发明的一方案的半导体装置具备具有第一主面的第一模座、在与上述第一主面平行的第一方向上从上述第一模座离开地配置并具有与上述第一主面朝向相同的方向的第二主面的第二模座、安装于上述第一主面并具有与上述第一主面朝向相同方向的第一元件主面、与上述第一元件主面朝向相反侧的第一元件背面、设置于上述第一元件主面的第一主面电极以及第一控制电极、设置于上述第一元件背面的第一背面电极且上述第一背面电极连接于上述第一主面的第一开关元件、安装于上述第二主面并具有与上述第二主面朝向相同方向的第二元件主面、与上述第二元件主面朝向相反侧的第二元件背面、设置于上述第二元件主面的第二主面电极以及第二控制电极、设置于上述第二元件背面的第二背面电极且上述第二背面电极连接于上述第二主面的第二开关元件、连接上述第一开关元件的上述第一主面电极与上述第二模座的第一连接部件、具有朝向与上述第一主面以及上述第二主面平行的方向的多个树脂侧面并密封上述第一开关元件、上述第二开关元件、上述第一模座、上述第二模座、及上述第一连接部件的密封树脂、在上述第一方向排列并从朝向与上述密封树脂的多个树脂侧面中的上述第一方向正交的第二方向的一个上述树脂侧面突出、在上述第二方向上延伸的多根引线。
根据该结构,能连接第一开关元件与第二开关元件。并且,第一开关元件的第一主面电极与连接第二开关元件的第二背面电极的第二模座之间的电路径的距离缩短,能够降低电感。
作为本发明的另一方案的半导体装置具备具有第一主面的第一模座、在与上述第一主面平行的第一方向上从上述第一模座离开地配置并具有与上述第一主面朝向相同方向的第二主面的第二模座、安装于上述第一主面并具有与上述第一主面朝向相同方向的第一元件主面、与上述第一元件主面朝向相反侧的第一元件背面、设置于上述第一元件主面的第一主面电极以及第一控制电极、设置于上述第一元件背面的第一背面电极且上述第一背面电极连接于上述第一主面的第一开关元件、安装于上述第二主面并具有与上述第二主面朝向相同方向的第二元件主面、与上述第二元件主面朝向相反侧的第二元件背面、设置于上述第二元件主面的第二主面电极以及第二控制电极、设置于上述第二元件背面的第二背面电极且上述第二背面电极连接于上述第二主面的第二开关元件、连接于上述第一开关元件的上述第一主面电极的第一连接部件、具有朝向与上述第一主面以及上述第二主面平行的方向的多个树脂侧面并密封上述第一开关元件、上述第二开关元件、上述第一模座、上述第二模座、及上述第一连接部件的密封树脂、包含从多个上述树脂侧面中的朝向与上述第一方向交叉的第二方向的第一树脂侧面突出的多根引线的第一引线组、包含从朝向与上述第一树脂侧面相反方向的第二树脂侧面突出的多根引线的第二引线组,上述第一开关元件的上述第一主面电极通过上述第一连接部件与上述第二模座连接电连接。
根据该结构,第一开关元件的第一主面电极、第二开关元件的第二背面电极通过被密封树脂密封的第一连接部件电连接。并且,第一开关元件的第一主面电极与第二开关元件的第二背面电极之间的电路径的距离变短,能够降低电感。
发明效果
根据本发明的一方案,能够提供一种能降低电感的半导体装置。
附图说明
图1是表示第一实施方式的半导体装置的立体图。
图2是表示第一实施方式的半导体装置的俯视图。
图3是表示第一实施方式的半导体装置的侧视图。
图4是表示相对于第一实施方式的半导体装置的比较例的俯视图。
图5是表示第一实施方式的变形例的半导体装置的立体图。
图6是表示第二实施方式的半导体装置的立体图。
图7是表示第二实施方式的半导体装置的俯视图。
图8是表示第二实施方式的半导体装置的侧视图。
图9是表示第二实施方式的半导体装置的作用的俯视图。
图10是表示第三实施方式的半导体装置的立体图。
图11是表示第三实施方式的半导体装置的俯视图。
图12是表示第三实施方式的半导体装置的侧视图。
图13是图11的13-13线剖视图。
图14是图11的14-14线剖视图。
图15是表示第四实施方式的半导体装置的立体图。
图16是表示第四实施方式的半导体装置的俯视图。
图17是表示第四实施方式的半导体装置的侧视图。
图18是图16的18-18线剖视图。
图19是表示第五实施方式的半导体装置的立体图。
图20是表示第五实施方式的半导体装置的俯视图。
图21是图20的21-21线剖视图。
图22是表示变形例的半导体装置的俯视图。
图23是表示变形例的半导体装置的俯视图。
图24是表示变形例的半导体装置的俯视图。
图25是表示变形例的半导体装置的俯视图。
图26是表示变形例的半导体装置的俯视图。
图27是表示第六实施方式的半导体装置的立体图。
图28是表示第六实施方式的半导体装置的俯视图。
图29是表示第六实施方式的半导体装置的侧视图。
图30是图28的30-30线剖视图。
图31是图28的31-31线剖视图。
图32是表示第六实施方式的变形例的半导体装置的立体图。
图33是表示第六实施方式的变形例的半导体装置的俯视图。
图34是表示第七实施方式的半导体装置的立体图。
图35是表示第七实施方式的半导体装置的俯视图。
图36是表示第七实施方式的半导体装置的侧视图。
图37是图35的35-35线剖视图。
图38是表示第七实施方式的变形例的半导体装置的俯视图。
图39是表示第七实施方式的变形例的半导体装置的俯视图。
图40是表示第七实施方式的变形例的半导体装置的俯视图。
图41是表示第七实施方式的变形例的半导体装置的立体图。
图42是表示第七实施方式的变形例的半导体装置的俯视图。
具体实施方式
以下,关于实施方式以及变形例参照附图进行说明。以下所示的实施方式以及变形例是举例说明用于将技术性思想具体化的结构、方法的内容,在以下的内容中并不限定各构成部件的材质、形状、结构、配置、尺寸等。以下的各实施方式以及变形例能够附加多种变更。另外,以下的实施方式以及变形例在没有技术性矛盾的范围中能够相互组合而实施。
在本说明书中,“部件A与部件B连接”包含物理性且直接地连接部件A与部件B的情况、及部件A以及部件B通过对电力性的连接状态不会施加影响的其他部件间接性地连接的情况。
同样,“部件C设置于部件A与部件B之间”包含直接地连接部件A与部件C、或部件B与部件C的情况、及通过对电力性的连接状态不会施加影响的其他部件间接性地连接部件A与部件C、或部件B与部件C的情况。
(第一实施方式)
参照图1~图3说明第一实施方式的半导体装置A10。
如图1、图2所示,半导体装置A10具有第一模座11、第二模座12、第一开关元件20、第二开关元件30、多根引线41~47、密封树脂70。
[密封树脂]
密封树脂70以覆盖第一模座11以及第二模座12、第一开关元件20以及第二开关元件30的方式形成。另外,密封树脂70以覆盖多根引线41~47的一部分的方式形成。
密封树脂70形成为扁平的长方体状。并且,在本说明书中,在“长方体状”中包括对角部、棱线部进行了倒角的长方体、将角部、棱线部弄圆的长方体。另外,可以是构成面的一部分或全部形成有凹凸等的形状,也可以是构成面由曲面、多个面构成的形状。
密封树脂70由具有电绝缘性的合成树脂形成。在一例中,密封树脂70是环氧树脂。构成密封树脂70的合成树脂例如被着色为黑色。并且,在图1、图2中,用单点划线表示密封树脂70,用实线表示密封树脂70内的部件。在以后的说明中,将密封树脂70的厚度方向作为厚度方向Z,将与厚度方向Z正交的一个方向作为横向X,将与厚度方向Z以及横向X正交的方向作为纵向Y。横向X相当于第一方向,纵向Y相当于第二方向。
密封树脂70具有树脂主面701、树脂背面702、第一树脂侧面703~第四树脂侧面706。树脂主面701与树脂背面702在厚度方向Z上相互朝向相反侧。第一树脂侧面703~第四树脂侧面706朝向与树脂主面701以及树脂背面702平行的方向中的任一方向。第一树脂侧面703与第二树脂侧面704在纵向Y中相互朝向相反侧。第三树脂侧面705与第四树脂侧面706在横向X中相互朝向相反侧。
图2是从密封树脂70的树脂主面701侧观察半导体装置A10的图。如图2所示,从厚度方向Z观察半导体装置A10时,密封树脂70的形状是横向X为长边方向、纵向Y为短边方向的长方形状。第一树脂侧面703以及第二树脂侧面704是沿横向X的侧面,第三树脂侧面705以及第四树脂侧面706是沿纵向Y的侧面。
[第一模座、第二模座]
第一模座11与第二模座12形成为矩形板状。第一模座11以及第二模座12例如由Cu(铜)形成。并且,在本实施方式中,所谓由Cu形成意指由Cu、或含Cu的合金形成的意思。并且,在表面的一部分或整体上形成有镀层也被包含于该由Cu形成的意思中。
第一模座11具有主面111、背面112、第一侧面113~第四侧面116。主面111与背面112在厚度方向Z上相互朝向相反侧。第一模座11的主面111与密封树脂70的树脂主面701朝向相同的一侧。第一侧面113~第四侧面116朝向横向X与纵向Y的任一方向。在本实施方式中,第一侧面113与第二侧面114在纵向Y中相互朝向相反侧,第三侧面115与第四侧面116在横向X中相互朝向相反侧。
第二模座12具有主面121、背面122、第一侧面123~第四侧面126。主面121与背面122在厚度方向Z上相互朝向相反侧。第二模座12的主面121与密封树脂70的树脂主面701朝向相同的一侧。第一侧面123~第四侧面126朝向横向X与纵向Y的任一方向。在本实施方式中,第一侧面123与第二侧面124在纵向Y中相互朝向相反侧,第三侧面125与第四侧面126在横向X中相互朝向相反侧。
第一模座11与第二模座12以在厚度方向Z中使各自的主面111、121为相同位置的方式配置。第一模座11与第二模座12是相同的厚度。第一模座11与第二模座12的厚度是1mm以上且3mm以下。第一模座11与第二模座12的厚度优选例如为2mm以上且3mm以下。第一模座11的背面112与第二模座12的背面122在厚度方向Z上为相同的位置。
第一模座11与第二模座12沿横向X排列。并且,第一模座11的第四侧面116与第二模座12的第三侧面125相互对置。第一模座11与第二模座12之间的距离L12比第一模座11、第二模座12的厚度小,例如为1mm以上且3mm以下。第一模座11与第二模座12以在纵向Y中使各自的第一侧面113、123为相同位置的方式配置。
[第一开关元件、第二开关元件]
第一开关元件20搭载于第一模座11的主面111。第二开关元件30搭载于第二模座12的主面121。第一开关元件20以及第二开关元件30是碳化硅(SiC)芯片。本实施方式的第一开关元件20以及第二开关元件30使用SiCMOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)。第一开关元件20以及第二开关元件30是可实现高速开关的元件。
第一开关元件20形成为平板状。具体的说,在俯视中,第一开关元件20的形状例如是正方形形状。如图2、图3所示,第一开关元件20具有元件主面201、元件背面202、第一元件侧面203~第四元件侧面206。元件主面201以及元件背面202在厚度方向Z中相互朝向相反方向。元件主面201朝向与树脂主面701相同的方向。即,元件主面朝向与第一模座11的主面111相同的方向。元件背面202与第一模座11的主面111对置。第一元件侧面203与第二元件侧面204在纵向Y中相互朝向相反侧,第三元件侧面205与第四元件侧面206在横向X中相互朝向相反侧。第一元件侧面203朝向与第一模座11的第一侧面113相同的方向,第二元件侧面204朝向与第一模座11的第二侧面114相同的方向。第三元件侧面205朝向与第一模座11的第三侧面115相同的方向,第四元件侧面206朝向与第一模座11的第四侧面116相同的方向。
第一开关元件20具有元件主面201的第一主面电极21以及第一控制电极22、元件背面202的第一背面电极23。第一主面电极21是源极电极。本实施方式的第一主面电极21包含主源极电极211以及控制用源极电极212、213。第一控制电极22是栅极电极。控制用源极电极212、213例如是相对于驱动第一开关元件20的电路(驱动器)电连接的驱动器源极电极。在本实施方式中,第一控制电极22配置于靠第三元件侧面205的部位。另外,第一控制电极22在靠第三元件侧面205的部位配置于纵向Y的中央。在第一主面电极21的主源极电极211在横向X中以与第一控制电极22排列的方式配置。控制用源极电极212、213在纵向Y中以夹持第一控制电极22的方式配置。第一背面电极23是漏极电极。第一背面电极23通过焊锡81与第一模座11电连接。
如图2所示,第一开关元件20在第一模座11的主面111中,在纵向Y上配置于靠第一侧面113的部位。另外,第一开关元件20在横向X中配置于第一模座11的中央。
第二开关元件30形成为平板状。具体的说,在俯视中,第二开关元件30的形状例如是正方形形状。如图2所示,第二开关元件30具有元件主面301、元件背面302、第一元件侧面303~第四元件侧面306。元件主面301以及元件背面302在厚度方向Z相互朝向相反方向。元件主面301面向树脂主面701。即,元件主面与第二模座12的主面121朝向相同的方向。元件背面302与第二模座12的主面121对置。第一元件侧面303与第二元件侧面304在纵向Y中相互朝向相反侧,第三元件侧面305与第四元件侧面306在横向X中相互朝向相反侧。第一元件侧面303朝向与第二模座12的第一侧面123相同的方向,第二元件侧面304朝向与第二模座12的第二侧面124相同的方向。第三元件侧面305朝向与第二模座12的第三侧面125相同的方向,第四元件侧面306朝向与第二模座12的第四侧面126相同的方向。
第二开关元件30具有元件主面301的第二主面电极31以及第二控制电极32、元件背面302的第二背面电极33。第二主面电极31是源极电极。本实施方式的第二主面电极31包含主源极电极311以及控制用源极电极312、313。第二控制电极32是栅极电极。控制用源极电极312、313例如是相对于驱动第二开关元件30的电路(驱动器)电连接的驱动器源极电极。在本实施方式中,第二控制电极32配置于靠第四元件侧面306的部位。另外,第二控制电极32在靠第四元件侧面306的部位中配置于纵向Y的中央。第二主面电极31的主源极电极311在横向X中以与第二控制电极32排列的方式配置。控制用源极电极312、313在纵向Y中以夹持第二控制电极32的方式配置。第二背面电极33是漏极电极。第二背面电极32通过焊锡82与第二模座12电连接。
如图2所示,第二开关元件30在第二模座12的主面121中,在纵向Y中配置于靠第一侧面123的部位。另外,第二开关元件30在横向X中配置于第二模座12的中央。
[第一连接部件]
第一开关元件20的第一主面电极21(主源极电极211)通过作为第一连接部件的第一金属丝51与第二模座12连接。如图1、图2所示,本实施方式通过5根第一金属丝51连接第一开关元件20的第一主面电极21(主源极电极211)和第二模座12。第一金属丝51的根数根据例如在半导体装置A10中流经的驱动电流而设定。各第一金属丝51在纵向Y上排列,沿横向X延伸。从厚度方向Z观察,各第一金属丝51以相互平行的方式配线。
第一金属丝51例如由Al(铝)构成。由Al构成意指由Al、或含Al的合金形成。第一金属丝51在中央附近与长度方向垂直的截面形状是圆形。第一金属丝51的截面形状能够为任意形状。第一金属丝51的线径在截面形状为圆形的部分中例如是0.1mm以上且0.4mm以下。
[引线]
如图1、图2所示,半导体装置A10具备多根(在本实施方式中为7根)引线41~47。第一引线41~第七引线47沿纵向Y延伸。第一引线41~第七引线47从密封树脂70的第一树脂侧面703突出。
第一引线41~第七引线47沿横向X排列。在本实施方式中,第一引线41~第七引线47以该顺序从密封树脂70的第三树脂侧面705向第四树脂侧面706排列。横向X是第一模座11与第二模座12排列的方向。因此,第一引线41~第七引线47沿第一模座11与第二模座12的排列方向排列。第一引线41~第七引线47由Cu形成。
[第一引线]
如图2所示,第一引线41具有垫部411、基部412、基板连接部413。垫部411在纵向Y中从第一模座11向密封树脂70的第一树脂侧面703离开地配置。垫部411是连接金属丝61的丝接合部。垫部411通过金属丝61连接于第一开关元件20的第一控制电极22。即,第一引线41是连接于第一开关元件20的第一控制电极(栅极电极)22的第一控制引线。在以后的说明中,会存在代替第一引线41使用第一控制引线41说明的情况。金属丝61例如由Al形成。金属丝61的线径例如是0.04mm以上且0.1mm以下。
基部412从垫部411向纵向Y延伸,从密封树脂70的第一树脂侧面703突出。基板连接部413从基板412的前端沿纵向Y延伸。基板连接部413插入安装基板的部件孔中,通过焊锡与安装基板的导体配线连接(都省略图示)。如图2所示,基部412的横向X的宽度比基板连接部413的横向X的宽度形成得大。在横向X中,基部412以在从密封树脂70的第四树脂侧面706向第三树脂侧面705的方向中相比于基板连接部413突出的方式形成。
并且,在第一控制引线41与后述的第二引线42~第七引线47中,基板连接部413、423、433、443、453、463、473的宽度是相互相同的。基板连接部413的宽度例如是1.2mm,基部412的宽度例如是2.6mm。如图1、图3所示,在本实施方式中,第一控制引线41的厚度为第一模座11的厚度以下。第一控制引线41的厚度例如是0.6mm。
[第二引线]
如图2所示,第二引线42具有垫部421、基部422、基板连接部423。垫部421在纵向Y中从第一模座11向密封树脂70的第一树脂侧面703离开地配置。垫部421是连接金属丝62的丝接合部。垫部421通过金属丝62连接于第一开关元件20的控制用源极电极312。即,第二引线42是连接于第一开关元件20的源极电极的第一源极引线。在以后的说明中,会存在代替第二引线42使用第一源极引线42说明的情况。金属丝62例如由Al形成。金属丝62的线径例如是0.04mm以上且0.1mm以下。
基部422从垫部421向纵向Y延伸,从密封树脂70的第一树脂侧面703突出。基板连接部423从基部422的前端向纵向Y延伸。基板连接部423插入安装基板的部件孔,通过焊锡与安装基板的导体配线连接(都省略图示)。如图2所示,在本实施方式中,第一源极引线42的基部422形成为与基板连接部423相同的宽度。第一源极引线42的厚度为第一模座11的厚度以下,例如是0.6mm。
[第三引线]
如图2所示,第三引线43具有连接部431、基部432、基板连接部433。连接部431连接于第一模座11。第一模座11连接于第一开关元件20的第一背面电极(漏极电极)23。即,第三引线43是连接于第一开关元件20的第一背面电极(漏极电极)23的第一驱动引线(漏极引线)。在以后的说明中,会存在代替第三引线43使用第一驱动引线43说明的情况。在本实施方式中,第一驱动引线43与第一模座11为一体。该第一驱动引线43与第一模座11构成一体的第一引线框14。
基部432从连接部431沿纵向Y延伸,从密封树脂70的第一树脂侧面703突出。基板连接部433从基部432的前端沿纵向Y延伸。基板连接部433插入安装基板的部件孔,通过焊锡与安装基板的导体配线连接(都省略图示)。如图2所示,基部432的横向X的宽度比基板连接部433的横向X的宽度形成得大。在横向X中,基部432以相比于基板连接部433向第一源极引线42突出的方式形成。基板连接部433的宽度例如是1.2mm,基部432的宽度是2.6mm。如图1所示,在本实施方式中,第一驱动引线43的厚度为第一模座11的厚度以下,例如是0.6mm。
[第四引线]
如图2所示,第四引线44具有连接部441、基部442、基板连接部443。连接部441连接于第二模座12。第二模座12连接于第二开关元件30的第二背面电极(漏极电极)33。另外,第二模座12连接于第一开关元件20的第一主面电极21(主源极电极211)。即,第四引线44是连接于第一开关元件20的第一主面电极21(主源极电极211)与第二开关元件30的第二背面电极(漏极电极)33的输出引线。在以后的说明中会存在代替第四引线44使用输出引线44说明的情况。在本实施方式中,输出引线44与第二模座12为一体。该输出引线44与第二模座12构成一体的第二引线框15。
基部442从连接部441沿纵向Y延伸,从密封树脂70的第一树脂侧面703突出。基板连接部443从基部442的前端沿纵向Y延伸。如图2所示,基部442的横向X的宽度比基板连接部443的横向X的宽度形成得宽。在横向X中,基部442以相比于基板连接部443向第一驱动引线43突出的方式形成。在本实施方式中,输出引线44的基部442以及基板连接部443的宽度、输出引线44的厚度为第二模座12的厚度以下,例如是0.6mm。
[第五引线]
如图2所示,第五引线45具有垫部451、基部452、基板连接部453。垫部451在纵向Y中从第二模座12向密封树脂70的第一树脂侧面703分离地配置。垫部451沿第二模座12的第一侧面123延伸。垫部451是连接作为第二连接部件的第二金属丝52的丝接合部。垫部451例如通过多根第二金属丝52连接于第二开关元件30的第二主面电极31(主源极电极311)。在图2中,表示五根第二金属丝52。各第二金属丝52在横向X上排列。从厚度方向Z观察,各第二金属丝52以相互平行的方式配线。即,第五引线45是连接于第二开关元件30的第二主面电极31(主源极电极311)的第二驱动引线(源极引线)。在以后的说明中会存在代替第五引线45使用第二驱动引线45说明的情况。第二金属丝52例如由Al形成。第二金属丝52的线径例如是0.1mm以上且0.4mm以下。
如图2所示,基部452从垫部451沿纵向Y延伸,从密封树脂70的第一树脂侧面703突出。基板连接部453从基部452的前端沿纵向延伸。如图2所示,基部452的横向X的宽度比基板连接部453的横向X的宽度形成得大。在横向X中,基部452以相比于基板连接部453向第六引线46突出的方式形成。在本实施方式中,第二驱动引线45的基部452以及基板连接部453的宽度、第二驱动引线45的厚度为第二模座12的厚度以下,例如是0.6mm。
[第六引线]
如图2所示,第六引线46具有垫部461、基部462、基板连接部463。垫部461在纵向Y中从第二模座12向密封树脂70的第一树脂侧面703分离地配置。垫部461是连接金属丝63的丝接合部。垫部461例如通过一根金属丝63连接第二开关元件30的控制用源极电极313。即,第六引线46是连接于第二开关元件30的控制用源极电极313的源极引线。在以后的说明中会存在代替第六引线46使用第二源极引线46说明的情况。金属丝63例如由Al形成。金属丝63的线径例如是0.04mm以上且0.1mm以下。
基部462从垫部461沿纵向Y延伸,从密封树脂70的第一树脂侧面703突出。基板连接部463从基部462的前端沿纵向Y延伸。如图2所示,在本实施方式中,第二源极引线46的基部462形成为与基板连接部463相同的宽度。在本实施方式中,第二源极引线46的基部462以及基板连接部463的宽度、第二源极引线46的厚度为第二模座12的厚度以下,例如是0.6mm。
[第七引线]
如图2所示,第七引线47具有垫部471、基部472、基板连接部473。垫部471在纵向Y中从第二模座12向密封树脂70的第一树脂侧面703分离地配置。垫部471是连接金属丝64的丝接合部。垫部471通过金属丝64连接于第二开关元件30的第二控制电极32。即,第七引线47是连接于第二开关元件30的第二控制电极(栅极电极)32的第二控制引线。在以后的说明中会存在代替第七引线47使用第二控制引线47说明的情况。金属丝64例如由Al形成。金属丝64的线径例如为0.04mm以上且0.1mm以下。
基部472从垫部471沿纵向Y延伸,从密封树脂70的第一树脂侧面703突出。基板连接部473从基部472的前端沿纵向延伸。如图2所示,基部472的横向X的宽度比基板连接部473的横向X的宽度形成得大。在横向X中,基部472以在从密封树脂70的第三树脂侧面705向第四树脂侧面706的方向中相比于基板连接部473突出的方式形成。在本实施方式中,第二控制引线47的基部472与基板连接部473的宽度、第二控制引线47的厚度为第二模座12的厚度以下,例如是0.6mm。在本实施方式中,第一引线41~第七引线47的厚度互相相等。
在本实施方式中,以相比较于第一控制引线41与第二源极引线42的间隔、第二源极引线46与第二控制引线47的间隔,在第一源极引线42~第二源极引线46中沿横向X相邻的两根引线间隔变大的方式配置各引线41~47。另外,在本实施方式中,第一源极引线42~第二源极引线46以各基部422、432、442、452、462的间隔相等的方式配置。如图2所示,密封树脂70在第一源极引线42~第二源极引线46之间具有从第一树脂侧面703分别沿纵向Y延伸的凹部707。
(作用)
首先,说明相对于本实施方式的比较例。
图4表示相对于本实施方式的比较例。该比较例使用两个半导体装置90a、90b构成逆变器回路等。半导体装置90a、90b分别具备与一个开关元件91、开关元件91的栅极电极911、控制用源极电极912、主源极电极913、及背面电极(漏极电极)914分别电连接的引线921~924。各电极911~914分别与引线921~924连接。逆变器回路通过外部配线OP电连接一个半导体装置90a的开关元件91的背面电极(漏极电极)914、另一半导体装置90b的开关元件91的主源极电极913而构成。外部配线OP例如是安装半导体装置90a、90b的安装基板的导体配线。图4中表示通过外部配线OP连接引线924、923的前端。
一个半导体装置90b的引线923连接于供给低电位电压的导体配线,另一半导体装置90a的引线924连接于供给高电位电压的导体配线。两个半导体装置90a、90b与外部配线OP介于引线923与引线924之间。通过该外部配线OP的寄生电感,引线924(漏极引线)、引线923(输出引线)、引线923(源极引线)中的电感变大。
本实施方式的半导体装置A10在一个密封树脂70内具备第一开关元件20和第二开关元件30。第一开关元件20的第一主面电极21(主源极电极211)通过作为第一连接部件的第一金属丝51连接于搭载第二开关元件30的第二模座12。因此,在本实施方式的半导体装置A10中,第一驱动引线43(第一驱动引线)、输出引线44(输出引线)、第二驱动引线45(第二驱动引线)之间的导体距离变短,半导体装置A10的电感比上述的比较例小,大致为1/2。如此,在本实施方式的半导体装置A10中能够降低电感。
(效果)
如以上所述,根据本实施方式会起到以下效果。
(1-1)半导体装置A10在一个密封树脂70内具备第一开关元件20和第二开关元件30。第一开关元件20的第一主面电极21(主源极电极211)通过作为第一连接部件的第一金属丝51连接于搭载第二开关元件30的第二模座12。因此,在半导体装置A10中,第一驱动引线43(第一驱动引线)、输出引线44(输出引线)、第二驱动引线45(第二驱动引线)之间的导体距离变短,能够降低电感。
(1-2)第一模座11与第二模座12的厚度是1mm以上且3mm以下。第一模座11与第二模座12优选厚。因第一开关元件20的动作而产生的热量从第一开关元件20向第一模座11传递。第一模座11越厚,热量就越容易从第一开关元件20向第一模座11传递。即,能够提高来自第一开关元件20的散热性,能够降低第一开关元件20中的热电阻。同样,能够降低第二开关元件30中的热电阻。
(1-3)作为第一连接部件的多根第一金属丝51从厚度方向Z观察以相互平行的方式配线。因此,在连接多根第一金属丝51的工序中,不会改变金属丝的角度、金属丝的环高地利用相同的动作就能够连接多根第一金属丝51,制造变得容易。
(1-4)第二开关元件30的主源极电极311通过多根第二金属丝52与第二驱动引线45的垫部451连接。各第二金属丝52从厚度方向Z观察,以相互平行的方式配线。因此,在连接多根第二金属丝52的工序中,不会变更金属丝的角度、金属丝的环高地利用相同的动作就能够连接多根金属丝62,制造变得容易。
(1-5)相比较于第一控制引线41与第一源极引线42的间隔、第二源极引线46与第二控制引线47的间隔,以在第一源极引线42~第二源极引线46中沿横向X相邻的两根引线的间隔变大的方式配置各引线41~47。在本实施方式中,第一源极引线42~第二源极引线46以第一源极引线42~第二源极引线46的各基部422、432、442、452、462的间隔相等的方式配置。因此,在第一源极引线42~第二源极引线46中相邻的引线的间隔变长,能够确保绝缘性。
(1-6)密封树脂70在第一源极引线42~第二源极引线46之间具有从第一树脂侧面703分别沿纵向Y延伸的凹部707。通过凹部707,沿第一源极引线42与第一驱动引线43之间的密封树脂70的表面的距离(沿面距离)变长,能够确保第一源极引线42与第一驱动引线43之间的绝缘性。同样,夹持各凹部707的引线43、44之间、引线44、45之间、引线45、46之间的沿面距离变长,能够确保绝缘性。
(第一实施方式的变形例)
第一实施方式能够如以下进行变更并实施。
·可以适当地变更第一开关元件20与第二开关元件30的结构。例如,在第一开关元件20中,成为被分割为主源极电极211与控制用源极电极212、213的第一主面电极21,但作为第一主面电极也可以使用不被分割的开关元件。该情况下,图1、图2所示的第一金属丝51与金属丝62连接于一个第一主面电极。同样,在第二开关元件30中,成为包含主源极电极311和控制用源极电极312、313的第二主面电极31,但作为第二主面电极可以使用不被分割的开关元件。该情况下,图1、图2所示的第二金属丝52与金属丝63连接于一个第一主面电极。
·可以适当地变更各引线的厚度。例如,图5所示的半导体装置A11具备互相相同厚度的第一引线41~第七引线47。第三引线43~第五引线45的厚度与第一模座11以及第二模座12的厚度相等。并且,在图5中,使第一引线41、第二引线42、第六引线46、及第七引线47的厚度为与第三引线43~第五引线45相同的厚度,但也可以使第一引线41与第二引线42的任一个、第六引线46与第七引线47的任一个为与第三引线43~第五引线45不同的厚度。另外,可以将第三引线43~第五引线45中的至少一个与第一模座11、第二模座12的厚度不同。
·可以使作为连接第一开关元件20和第二模座12的第一连接部件的第一金属丝51的根数为4根以下、或6根以上。
·可以使作为连接第二开关元件30与第五引线45的第二连接部件的第二金属丝52的根数为4根以下、或6根以上。
·可以省略设置于密封树脂70上的多个凹部707中的一部分或全部。
(第二实施方式)
参照图6~图9,说明第二实施方式的半导体装置A20。
第二实施方式的半导体装置A20相比较于上述的第一实施方式的半导体装置A10,主要为第四引线与第五引线的连接不同。并且,在以下的说明中,在与第一实施方式的半导体装置A10的结构共通的结构中标注相同的符号,有时省略其说明。
如图6~图8所示,本实施方式的半导体装置A20具备从密封树脂70的第一树脂侧面703突出的多根引线41、42、43、44a、45a、46、47。
[第四引线]
第四引线44a具有垫部444、基部442、基板连接部443。垫部444在纵向Y中从第二模座12向密封树脂70的第一树脂侧面703离开地配置。垫部444沿第二模座12的第一侧面123延伸。垫部444是连接作为第二连接部件的第二金属丝52的丝接合部。垫部444例如通过多根第二金属丝52连接于第二开关元件30的第二主面电极31(主源极电极311)。在图6、图7中,表示5根第二金属丝52。即,第四引线44a是连接于第二开关元件30的第二主面电极31(主源极电极311)的第二驱动引线(源极引线)。
[第五引线]
第五引线45a具有连接部454、基部452、基板连接部453。连接部454连接于第二模座12。第二模座12连接于第二开关元件30的第二背面电极33(漏极电极)。另外,第二模座12连接于第一开关元件20的第一主面电极21(主源极电极211)。即,第五引线45a是连接于第一开关元件20的第一主面电极21(主源极电极211)与第二开关元件30的第二背面电极33(漏极电极)的输出引线。在本实施方式中,第五引线45a与第二模座12为一体。该第五引线45a与第二模座12构成一体的第二引线框15a。
(作用)
其次,说明第二实施方式的半导体装置A20的作用。
本实施方式的半导体装置A20在横向X中以第一驱动引线43(第三引线)、第二驱动引线44a(第四引线)、输出引线45a(第五引线)的顺序排列。即,排列第一引线43与第二驱动引线44a而配置。在第一驱动引线43中供给高电位电压,在第二驱动引线44a中供给低电位电压。
图9表示使本实施方式的半导体装置A20动作的情况的电流。在接通第一开关元件20、断开第二开关元件30时,第一电流I1从第一驱动引线43向输出引线45a流动。相反,在断开第一开关元件20、接通第二开关元件30时,第二电流I2从输出引线45a向第二驱动引线44a流动。在利用高速的控制信号(例如1MHz)使半导体装置A20动作的情况下,在相邻的第一驱动引线43与第二驱动引线44a中,相对于半导体装置A20交替地流动相反方向的第一电流I1与第二电流I2。由于通过由这些第一电流I1与第二电流I2产生的磁通使相互的电感降低,因此半导体装置A20中的寄生电感进一步降低。
(效果)
如以上所述,根据本实施方式,加上第一实施方式的效果会起到以下的效果。
(2-1)半导体装置A20在横向X中以第一驱动引线43(第三引线)、第二驱动引线44a(第四引线)、输出引线45a(第五引线)的顺序排列。通过从第一驱动引线43向输出引线45a流动的第一电流I1、从输出引线45a向第二驱动引线44a流动的第二电流I2能够进一步降低半导体装置A20中的电感。
(第三实施方式)
参照图10~图14,说明第三实施方式的半导体装置A30。
第三实施方式的半导体装置A30相比较于上述第一实施方式的半导体装置A10,第一连接部件、第二连接部件不同。并且,在以下的说明中,在与第一实施方式的半导体装置A10的结构共通的结构中标注同一符号,有时省略其说明。
如图10~图14所示,本实施方式的半导体装置A30具备作为第一连接部件的第一夹子53。另外,本实施方式的半导体装置A30具备作为第二连接部件的第二夹子54。
第一开关元件20通过第一夹子53连接于第二模座12。第一夹子53是具有导电性的板状部件。第一夹子53将板状的导电板弯曲而形成。本实施方式的第一夹子53是在横向X上延伸的带状。第一夹子53连接第一开关元件20的第一主面电极21(主源极电极211)和第二模座12。如图13所示,第一夹子53的一端通过焊锡83连接于第一开关元件20的主源极电极211,第一夹子53的另一端通过焊锡84连接于第二模座12。第一夹子53由Cu形成。第一夹子53的厚度是0.05mm以上且1.0mm以下,优选0.5mm以上。
如图10、图11、图14所示,第二开关元件30通过第二夹子54连接于第五引线45(第二驱动引线)。第二夹子54是具有导电性的板状部件。第二夹子54将板状的导电板弯曲而形成。本实施方式的第二夹子54是在纵向Y上延伸的带状。第二夹子54连接第二开关元件30的第二主面电极31(主源极电极311)和第五引线45的垫部451。如图14所示,第二夹子54的一端通过焊锡85连接于第二开关元件30的主源极电极311,第二夹子54的另一端通过焊锡86连接于第五引线45的垫部451。第二夹子54由Cu形成。第二夹子54的厚度是0.05mm以上且1.0mm以下,优选0.5mm以上。
(效果)
如以上所述,根据本实施方式,除了第一实施方式的效果还起到以下效果。
(3-1)利用第一夹子53连接第一开关元件20和第二模座12。因此,相比较于利用多根金属丝连接第一开关元件20和第二模座12的情况,能够与大电流对应。
(3-2)相比较于利用多根金属丝连接第一开关元件20和第二模座12的情况,由于能够利用一个夹子53连接第一开关元件20和第二模座12,因此能够减少制造工序。
(3-3)利用第二夹子54连接第二开关元件30和第五引线45。因此,相比较于利用多根金属丝连接第二开关元件30和第五引线45的情况,能够与大电流对应。
(3-4)相比较于利用多根金属丝连接第二开关元件30和第五引线45的情况,由于能够利用一个第二夹子54连接第二开关元件30和第五引线45,因此能够减少制造工序。
(第四实施方式)
参照图15~图18说明第四实施方式的半导体装置A40。
第四实施方式的半导体装置A40相比较于上述第三实施方式的半导体装置A30,主要第四引线与第五引线的连接不同。并且,在以下的说明中,在与第三实施方式的半导体装置A30的结构共通的结构中标注同一符号,省略其说明。
如图15、图16所示,本实施方式的半导体装置A40具备从密封树脂70的第一树脂侧面703突出的多根引线41、42、43、44a、45a、46、47。
[第四引线]
第四引线44a具有垫部444、基部442、基板连接部443。垫部444在纵向Y中从第二模座12向密封树脂70的第一树脂侧面703分离地配置。垫部444沿第二模座12的第一侧面123延伸。垫部444通过作为第二连接部件的第二夹子54a连接于第二开关元件30的第二主面电极31(主源极电极311)。第四引线44a是连接于第二开关元件30的第二主面电极31(主源极电极311)的第二驱动引线(源极引线)。
第二夹子54a是具有导电性的板状部件。第二夹子54a将板状的导电板弯曲而形成。第二夹子54a具有引线连接部541、电极连接部542、连结部543。引线连接部541与第四引线44a的垫部444相同地在横向X上延伸,通过焊锡86连接于垫部444。电极连接部542形成为与第二开关元件30的第二主面电极31(主源极电极311)相应的长方形形状,通过焊锡85连接于第二主面电极31。连结部543连接引线连接部541和电极连接部542。连结部543从引线连接部541沿纵向Y延伸。并且,连结部543连接于电极连接部542的靠第一模座11的端部。即,电极连接部542从连结部543沿横向X延伸。如图18所示,在本实施方式中,第二夹子54a在第二开关元件30与第二模座12的第三侧面125之间以使连结部543与第二模座12的主面121平行的方式形成。
[第五引线]
第五引线45a具有连接部454、基部452、基板连接部453。连接部454连接于第二模座12。第二模座12连接于第二开关元件30的第二背面电极33(漏极电极)。另外,第二模座12连接于第一开关元件20的第一主面电极21(主源极电极211)。即,第五引线45a是连接于第一开关元件20的第一主面电极21(主源极电极211)与第二开关元件30的第二背面电极33(漏极电极)的输出引线。在本实施方式中,第五引线45a与第二模座12为一体。该第五引线45a与第二模座12构成一体的第二引线框15a。
(效果)
如以上所述,根据本实施方式,除了第三实施方式的效果还起到以下的效果。
(4-1)与第二实施方式相同,在横向X中以第一驱动引线43(第三引线)、第二驱动引线44a(第四引线)、输出引线45a(第五引线)的顺序排列。通过从第一驱动引线43向输出引线45a流动的第一电流I1(参照图9)、从输出引线45a向第二驱动引线44a流动的第二电流I2(参照图9)能够降低半导体装置A40中的电感。
(4-2)连接第二开关元件30和第二驱动引线44a的第二夹子54a具有连接于第四引线44a的引线连接部541、连接于第二开关元件30的电极连接部542、连接引线连接部541和电极连接部542的连结部543。连结部543以与第二模座12平行的方式配置。因此,在第一驱动引线43(第三引线)与输出引线45a(第五引线)之间、输出引线45a与第二驱动引线44a(第四引线)之间相邻的部分变多,能够进一步降低电感。
(第五实施方式)
参照图19~图21说明第五实施方式的半导体装置A50。
第五实施方式的半导体装置A50相比较于上述的第四实施方式的半导体装置A40,开关元件的位置不同。并且,在以下的说明中,在与第四实施方式的半导体装置A40的结构相同的结构中标注同一符号,有时省略其说明。
如图19、图20所示,在本实施方式的半导体装置A50中,第一开关元件20与第二开关元件30配置于靠密封树脂70的中央。关于第一开关元件20和第二开关元件30的配置详细叙述。
如图20所示,第一开关元件20在第一模座11的主面111上,在纵向Y中配置于靠第一侧面113的位置。如图20、图21所示,第一开关元件20在横向X中配置于第一模座11的靠第四侧面116的位置。第四侧面116与第二模座12的第三侧面125对置。即,第一开关元件20在第一模座11中配置于靠第二模座12的位置。由此,能够缩短连接第一开关元件20和第二模座12的第一夹子53的长度。在本实施方式中,从厚度方向Z观察,从第一模座11的第四侧面116至第一开关元件20的第四元件侧面206的距离(第一距离)Lx1为第一模座11的厚度以上。
如图20所示,第二开关元件30在第二模座12的主面121中,在纵向Y中配置于靠第一侧面123的位置。如图20、图21所示,第二开关元件30在横向X中配置于第二模座12的靠第三侧面125的位置。即,第二开关元件30在第二模座12中配置于靠第一模座11的位置。由此,能够缩短从第一开关元件20至第二开关元件30的电路径的长度。在本实施方式中,从厚度方向Z观察,从第二模座12的第三侧面125至第二开关元件30的第三元件侧面305的距离(第二距离)Lx2为第二模座12的厚度以上。
(作用)
其次,说明第五实施方式的半导体装置A50的作用。
第一开关元件20在横向X中配置于第一模座11的靠第四侧面116的位置。第二开关元件30在横向X中配置于第二模座12的靠第三侧面125的位置。由此,能够缩短第一开关元件20至第二开关元件30的电路径的长度,元件之间的电路径中的寄生电感变小。
如图21所示,因第一开关元件20的动作产生的热量从第一开关元件20向第一模座11传递。在第一模座11中,热量如图21中箭头所示从第一模座11的主面111向背面112扩散并传递。并且,热量从第一模座11的各面向密封树脂70传递。同样,因第二开关元件30的动作产生的热量从第二开关元件30向第二模座12传递,从第二模座12的主面121向背面122扩散并传递。并且,热量从第二模座12的各面向密封树脂70传递。
越使第一开关元件20靠近第一模座11的第四侧面116,从第四侧面116向密封树脂70传递的热量越多。同样,越使第二开关元件30靠近第二模座12的第三侧面125,从第三侧面125向密封树脂70传递的热量越多。因此,由于第四侧面116与第三侧面125之间的密封树脂70的树脂部分70a的温度上升,在降低从第四侧面116向树脂部件70a的热传递效率的同时,会降低从第三侧面125向树脂部件70a的热传递效率。即,降低相对于第一开关元件20与第二开关元件30的散热效率。
因此,如上述,在本实施方式的半导体装置A50中,从第一模座11的第四侧面116至第一开关元件20的第四元件侧面206的距离Lx1为第一模座11的厚度以上。并且,从第二模座12的第三侧面125至第二开关元件30的第三元件侧面305的距离Lx2为第二模座12的厚度以上。由此,能够抑制相对于第一开关元件20与第二开关元件30的散热效率的降低。
并且,通过增大第一模座11与第二模座12之间的距离L12、即、使第一模座11与第二模座12相互离开也能够抑制散热效率的降低。可是,通过使第一模座11与第二模座12分离而密封树脂70变大、即半导体装置的外形尺寸变大。另一方面,通过如以上设定第一开关元件20、第二开关元件30的位置,在抑制散热效率降低的同时能够抑制半导体装置A50的大型化。
(效果)
如以上所述,根据本实施方式,除了第四实施方式的效果还起到以下的效果。
(5-1)第一开关元件20在第一模座11中配置于靠第二模座12的位置,第二开关元件30在第二模座12中配置于靠第一模座11的位置。因此,能够缩短从第一开关元件20至第二开关元件30的电路径的长度,能够进一步缩短元件之间的电路径中的寄生电感。
(5-2)从第一模座11的第四侧面116至第一开关元件20的第四元件侧面206的距离Lx1为第一模座11的厚度以上。由此,能够抑制相对于第一开关元件20的第一模座11的散热效率的降低。
(5-3)从第二模座12的第三侧面125至第二开关元件30的第三元件侧面305的距离Lx2为第二模座12的厚度以上。由此,能够抑制相对于第二开关元件30的第二模座12的散热效率的降低。
(变形例)
·上述各实施方式以及变形例能够如以下变更而实施。并且,上述的各实施方式以及变形例、以下的变形例能够在没有技术性矛盾的范围中相互组合的状态下实施。
·如图22所示,半导体装置A61具备搭载于第一模座11且相互并联连接的2个第一开关元件20、搭载于第二模座12且相互并联连接的2个第二开关元件30。通过如该半导体装置A61那样具备2个第一开关元件20以及第二开关元件30,能够增加流经半导体装置A61的电流量。既可以在第一模座11上搭载3个以上的第一开关元件20,也可以在第二模座12上搭载3个以上的第二开关元件30。搭载的开关元件的数量根据流经半导体装置A61的电流量而确定。
·可以适当地变更构成半导体装置的各部件的形状。
图23~图26表示第二连接部件的形状的变形例。
例如,如图23所示的半导体装置A62,可以相比于第三引线43的基部432、第五引线45a的基部452的宽度增大第四引线44a(输出引线)的基部442的宽度。
另外,如图24所示的半导体装置A63,可以相比于第一引线41的基部412、第七引线47的基部472的宽度增大各基部432、442、452的宽度。
另外,如图25所示的半导体装置A64,可以增大第二夹子54a(第二连接部件)的宽度。
另外,如图26所示的半导体装置A65,通过使第一开关元件20、第二开关元件30为如Si元件,能够使第四引线44a的基部442更靠近第三引线43的基部432、第五引线45a的基部452,能够实现电感的降低。
(第六实施方式)
参照图27~图31说明第六实施方式的半导体装置A70。
如图27、图28所示,半导体装置A70具有第一模座11、第二模座12、第一引线组1020(引线1021~1023)、第二引线组1030(引线1031~1034)、第一开关元件40a、40b、第二开关元件50a、50b、第一连接部件1061、第二连接部件1062、金属丝71~76、密封树脂900。
[密封树脂]
密封树脂900以覆盖第一模座11以及第二模座12、第一开关元件40a、40b以及第二开关元件50a、50b、第一连接部件1061、第二连接部件1062、金属丝71~76的方式形成。另外,密封树脂900以第一引线组1020(引线1021~1023)、第二引线组1030(引线1031~1034)的一部分的方式形成。
密封树脂900形成为扁平的长方体形状。并且,在本说明书中,在“长方体状”中含有对角部、棱线部进行了倒角的长方体、将角部、棱线部弄圆的长方体。另外,构成面的一部分或全部可以是形成有凹凸等的形状、构成面由曲面、多个面构成的形状。
密封树脂900由具有电绝缘性的合成树脂形成。在一例中,密封树脂900是环氧树脂。构成密封树脂900的合成树脂例如被着色为黑色。并且,在图27、图28中,用单点划线表示密封树脂900,用实线表示密封树脂900内的部件。在以后的说明中,将密封树脂900的厚度方向作为厚度方向Z,将与厚度方向Z正交的一个方向作为横向X,将与厚度方向Z以及横向X正交的方向作为纵向Y。横向X相当于第一方向,纵向Y相当于第二方向。
密封树脂900具有树脂主面901、树脂背面902、第一树脂侧面903~第四树脂侧面906。树脂主面901与树脂背面902在厚度方向Z中互相朝向相反侧。第一树脂侧面903~第四树脂侧面906朝向与树脂主面901以及树脂背面902平行的方向中的任一个。第一树脂侧面903与第二树脂侧面904在纵向Y中互相朝向相反侧。第三树脂侧面905与第四树脂侧面906在横向X中互相朝向相反侧。
图28是从密封树脂900的树脂主面901一侧观察半导体装置A70的图。如图28所示,从厚度方向Z观察半导体装置A70,密封树脂900的形状为横向X为长边方向、纵向Y为短边方向的长方形形状。第一树脂侧面903以及第二树脂侧面904是沿横向X的侧面,第三树脂侧面905以及第四树脂侧面906是沿纵向Y的侧面。
[第一模座、第二模座]
第一模座11与第二模座12形成为矩形板状。第一模座11以及第二模座12例如由Cu(铜)形成。并且,在本实施方式中,所谓由Cu形成意指由Cu、或含Cu的合金形成。并且,在表面的一部分或整体上形成镀层的结构也包含于该由Cu形成的结构。
第一模座11具有主面111、背面112、第一侧面113~第四侧面116。主面111与背面112在厚度方向Z上相互朝向相反侧。第一模座11的主面111与密封树脂900的树脂主面901朝向相同一侧。第一侧面113~第四侧面116朝向横向X与纵向Y中的任一个。在本实施方式中,第一侧面113与第二侧面114在纵向Y中相互朝向相反侧,第三侧面115与第四侧面116在横向X中相互朝向相反侧。
第二模座12具有主面121、背面122、第一侧面123~第四侧面126。主面121与背面122在厚度方向Z中相互朝向相反侧。第二模座12的主面121与密封树脂900的树脂主面901朝向相同一侧。第一侧面123~第四侧面126朝向横向X与纵向Y的任一个。在本实施方式中,第一侧面123与第二侧面124在纵向Y中相互朝向相反侧,第三侧面125与第四侧面126在横向X中相互朝向相反侧。
第一模座11与第二模座12以在厚度方向Z中使各自的主面111、121为相同位置的方式配置。第一模座11与第二模座12是相同的厚度。第一模座11与第二模座12的厚度是1mm以上且3mm以下。第一模座11与第二模座12的厚度优选如2mm以上且3mm以下。第一模座11的背面112与第二模座12的背面122在厚度方向Z中为相同位置。
第一模座11与第二模座12沿横向X排列。并且,第一模座11的第四侧面116与第二模座12的第三侧面125互相对置。第一模座11与第二模座12之间的距离L12比第一模座11与第二模座12的厚度小,例如是1mm以上且3mm以下。第一模座11与第二模座12在纵向Y中以使各自的第一侧面113、123为相同位置的方式配置。
[引线]
如图27、图28所示,半导体装置A70具有第一引线组1020与第二引线组1030。第一引线组1020由从密封树脂900的第一树脂侧面903突出的多根(本实施方式中为3根)引线1021~1023构成。第二引线组1030由从密封树脂900的第二树脂侧面904突出的多根(本实施方式中为4根)引线1031~1034构成。第一引线组1020的引线1021~1023沿横向X排列,沿纵向Y延伸。第二引线组1030的引线1031~1034沿横向排列,沿纵向Y延伸。引线1021~1023、1031~1034由Cu形成。
[第一引线组]
第一引线组1020由第一驱动引线1021、第二驱动引线1022、输出引线1023构成。
如图28所示,第一驱动引线1021在横向X中配置于第一模座11的中央。第一驱动引线1021具有连接部1211、基部1212、基板连接部1213。连接部1211连接于第一模座11的第一侧面113。在本实施方式中,第一驱动引线1021与第一模座11为一体。该第一驱动引线1021与第一模座11构成一体的第一引线框14。
基部1212从连接部1211向纵向Y延伸,从密封树脂900的第一树脂侧面903突出。基板连接部1213从基部1212的前端沿纵向Y延伸。基板连接部1213插入安装基板的部件孔中,通过焊锡与安装基板的导体配线连接(都省略图示)。如图28所示,基部1212的横向X的宽度比基板连接部1213的横向X的宽度形成得大。在横向X中,基部1212以在从密封树脂900的第四树脂侧面906向第三树脂侧面905的方向中相比于基板连接部1213突出的方式形成。
如图28所示,第二驱动引线1022在横向X中配置于密封树脂900的中央。第二驱动引线1022具有垫部1221、基部1222、基板连接部1223。垫部1221在纵向Y中从第二模座12向密封树脂900的第一树脂侧面903分离地配置。垫部1221沿第一模座11的第一侧面113与第二模座12的第一侧面123延伸。即,垫部1221以从第一模座11的第一侧面113跨过第二模座12的侧面123的方式配置。垫部1221是连接第二连接部件1062的连接部。
基部1222从垫部1221沿纵向Y延伸,从密封树脂900的第一树脂侧面903突出。基板连接部1223从基部1222的前端沿纵向Y延伸。如图28所示,基部1222的横向X的宽度比基板连接部1223的横向X的宽度形成得大。在横向X中,基部1222以在从密封树脂900的第三树脂侧面905向第四树脂侧面906的方向中相比于基板连接部1223突出的方式形成。
如图28所示,输出引线1023在横向X中配置于第二模座12的中央。输出引线1023具有连接部1231、基部1232、基板连接部1233。连接部1231连接于第二模座12的第一侧面123。在本实施方式中,输出引线1023与第二模座12为一体。该输出引线1023与第二模座12构成一体的第二引线框15。基部1232从连接部1231沿纵向Y延伸,从密封树脂900的第一树脂侧面903突出。基板连接部1233从基部1232的前端沿纵向Y延伸。如图28所示,基部1232的横向X的宽度比基板连接部1233的横向X的宽度形成得大。在横向X中,基部1232以在从密封树脂900的第三树脂侧面905向第四树脂侧面906的方向中相比于基板连接部1233突出的方式形成。
[第二引线组]
第二引线组1030由第一控制引线1031、第一源极引线1032、第二源极引线1033、第二控制引线1034构成。
如图28所示,第一控制引线1031具有垫部1311、基部1312、基板连接部1313。垫部1311在纵向Y中从第一模座11向密封树脂900的第二密封树脂904分离地配置。垫部1311是连接金属丝71、72的丝接合部。基部1312从垫部1311沿纵向Y延伸,从密封树脂900的第二树脂侧面904突出。基板连接部1313从基部1312的前端沿纵向Y延伸。如图28所示,基部1312的横向X的宽度比基板连接部1313的横向X的宽度形成得大。在横向X中,基部1312以在从第四树脂侧面906向第三树脂侧面905的方向中相比于基板连接部1313突出的方式形成。
如图28所示,第一源极引线1032具有垫部1321、基部1322、基板连接部1323。垫部1321在纵向Y中从第一模座11向密封树脂900的第二树脂侧面904分离地配置。垫部1321是连接金属丝73的丝接合部。基部1322从垫部1321沿纵向Y延伸,从密封树脂900的第二树脂侧面904突出。基板连接部1323从基部1322的前端沿纵向Y延伸。
如图28所示,第二源极引线1033具有垫部1331、基部1332、基板连接部1333。垫部1331在纵向Y中从第二模座12向密封树脂900的第二树脂侧面904分离地配置。垫部1331是连接金属丝76的丝接合部。基部1332从垫部1331沿纵向Y延伸,从密封树脂900的第二树脂侧面904突出。基板连接部1333从基部1332的前端沿纵向Y延伸。
如图28所示,第二控制引线1034具有垫部1341、基部1342、基板连接部1343。垫部1341在纵向Y中从第二模座12向密封树脂900的第二树脂侧面904分离地配置。垫部1341是连接金属丝74、75的丝接合部。基部1342从垫部1341沿纵向Y延伸,从密封树脂900的第二树脂侧面904突出。基板1342的横向X的宽度比基板连接部1343的横向X的宽度形成得大。在横向X中,基部1342以在从第三树脂侧面905向第四树脂侧面906的方向中相比于基板连接部1343突出的方式形成。
如图27、图29所示,在本实施方式中,各引线1021~1023、1031~1033的厚度为第一模座11、第二模座12的厚度以下。各引线1021~1023、1031~1034的厚度例如是0.6mm。
如图29所示,第一引线组1020的各引线1021~1023与第二引线组1030的各引线1031~1034如单点划线所示,向密封树脂900的树脂主面901弯曲形成。如此形成有各引线1021~1023、1031~1034的半导体装置A70是相对于安装基板表面安装的半导体封装件。
如图28所示,密封树脂900在第一驱动引线1021与第二驱动引线1022之间、第二驱动引线1022与输出引线1023之间具有从第一树脂侧面903分别沿纵向Y延伸的凹部907。
[第一开关元件、第二开关元件]
2个第一开关元件40a、40b搭载于第一模座11的主面111。2个第二开关元件50a、50b搭载于第二模座12的主面121。第一开关元件40a、40b以及第二开关元件50a、50b是碳化硅(SiC)芯片。本实施方式的第一开关元件40a、40b以及第二开关元件50a、50b使用SiC-MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)。第一开关元件40a、40b以及第二开关元件50a、50b是可实现高速开关的元件。
如图28所示,2个第一开关元件40a、40b在横向X中配置于第一模座11的主面111的中央。另外,2个第一开关元件40a、40b在第一模座11的主面111上沿纵向Y排列而配置。
第一开关元件40a、40b形成为平板状。在本实施方式中,第一开关元件40a、40b的形状是从厚度方向Z观察横向X长的长方形形状。如图28、29所示,第一开关元件40a、40b具有元件主面401、元件背面402、多个元件侧面403。元件主面401以及元件背面402在厚度方向Z中互相朝向相反方向。元件主面401与树脂主面901朝向相同的方向。即,元件主面与第一模座11的主面111朝向相同的方向。元件背面402与第一模座11的主面111对置。多个元件侧面403朝向横向X与纵向Y的任一个。
第一开关元件40a、40b具有元件主面401的第一主面电极1041以及第一控制电极1042、元件背面402的第一背面电极1043。第一主面电极1041是源极电极。本实施方式的第一主面电极1041包含主源极电极1411以及控制用源极电极1412、1413。第一控制电极1042是栅极电极。控制用源极电极1412、1413例如是相对于驱动第一开关元件40a、40b的电路(驱动器)电连接的驱动器源极电极。在本实施方式中,第一控制电极1042配置于第一模座11的靠第三侧面115(密封树脂900的第三树脂侧面905)的部位上。另外,第一控制电极1042在纵向Y上配置于第一主面电极1041的中央。第一主面电极1041的主源极电极1411在横向X中以与第一控制电极1042并列的方式配置。控制用源极电极1412、1413在纵向Y中以夹持第一控制电极1042的方式配置。第一背面电极1043是漏极电极。第一背面电极1043通过焊锡81与第一模座11电连接。
如图28所示,2个第二开关元件50a、50b在横向X中配置于第二模座12的主面121的中央。另外,2个第二开关元件50a、50b在第二模座12的主面121中沿纵向Y排列而配置。
第二开关元件50a、50b形成为平板状。在本实施方式中,第二开关元件50a、50b的形状是从厚度方向Z观察横向X长的长方形形状。如图28所示,第二开关元件50a、50b具有元件主面501、元件背面502、多个元件侧面503。元件主面501以及元件背面502在厚度方向Z中相互朝向相反方向。元件主面501面向树脂主面901。即,元件主面与第二模座12的主面121朝向相同的方向。元件背面502与第二模座12的主面121对置。多个元件侧面503朝向横向X与纵向Y的任一个。
第二开关元件50a、50b具有元件主面501的第二主面电极1051以及第二控制电极1052、元件背面502的第二背面电极1053。第二主面电极1051是源极电极。本实施方式的第二主面电极1051包含主源极电极511以及控制用源极电极512、513。第二控制电极1052是栅极电极。控制用源极电极512、513例如是电连接于驱动第二开关元件50a、50b的电路(驱动器)的驱动器源极电极。在本实施方式中,第二控制电极1052配置于第二模座12的靠第四侧面126(密封树脂900的第四树脂侧面906)的部位。另外,第二控制电极1052在纵向Y中配置于第二主面电极1051的中央。第二主面电极1051的主源极电极511在横向X中以与第二控制电极1052并列的方式配置。控制用源极电极512、513在纵向Y中以夹持第二控制电极1052的方式配置。第二背面电极1053是漏极电极。第二背面电极1053通过焊锡82与第二模座12电连接。
[第一连接部件、第二连接部件]
第一开关元件40a、40b的第一主面电极1041(主源极电极1411)分别通过第一连接部件1061与第二模座12连接。第一连接部件1061是具有导电性的板状部件,被称为夹子。第一连接部件1061通过弯曲板状的导电板而形成。本实施方式的第一连接部件1061是在横向X上延伸的带状。第一连接部件1061连接第一开关元件40a、40b的第一主面电极1041(主源极电极1411)和第二模座12。如图31所示,第一连接部件1061的一端通过焊锡83连接于第一开关元件40a、40b的主源极电极1411,第一连接部件1061的另一端通过焊锡84连接于第二模座12。第一连接部件1061由Cu形成。第一连接部件1061的厚度是0.05mm以上且1.0mm以下,优选0.5mm以上。
并且,可以代替第一连接部件1061通过多根金属丝连接第一开关元件40a、40b的第一主面电极1041(主源极电极1411)和第二模座12。金属丝的根数优选例如根据在半导体装置A70中流经的驱动电流而设定。
第二开关元件50a、50b通过第二连接部件1062连接于第二驱动引线1022。第二连接部件1062是具有导电性的板状部件,被称为夹子。第二连接部件1062通过弯曲板状的导电板而形成。
第二连接部件1062具有引线连接部621、电极连接部622、连结部623。引线连接部621与第二驱动引线1022的垫部1221同样地在横向X上延伸。如图28所示,引线连接部621通过焊锡86连接于垫部1221。电极连接部622形成为与第二开关元件50a、50b的第二主面电极1051(主源极电极511)相应的长方形形状,通过焊锡85连接于第二主面电极1051。连结部623连接引线连接部621和电极连接部622。连接部623从引线连接部621沿纵向Y延伸。并且,连结部623在电极连接部622连接于靠第一模座11的端部。即,各电极连接部622从连结部623沿横向X延伸。如图31所示,在本实施方式中,第二连接部件1062在第二开关元件50a、50b与第二模座12的第三侧面125之间以使连结部623与第二模座12的主面121平行的方式形成。第二连接部件1062由Cu形成。第二连接部件1062的厚度是0.05mm以上且1.0mm以下,优选0.5mm以上。
[金属丝]
半导体装置A70具备多根金属丝71~76。金属丝71~76是具有导电性的线状部件。金属丝71~76例如由Al形成。金属丝71~76的线径例如是0.04mm以上且0.1mm以下。
金属丝71连接于第一控制引线1031的垫部1311与第一开关元件40a的第一控制电极1042之间。金属丝72连接于第一控制引线1031的垫部1311与第一开关元件40b的第一控制电极1042之间。金属丝73连接于第一源极引线1032的垫部1321与第一开关元件40b的控制用源极电极1413之间。
金属丝74连接于第二控制引线1034的垫部1341与第二开关元件50a的第二控制电极1052之间。金属丝75连接于第二控制引线1034的垫部1341与第二开关元件50b的第二控制电极1052之间。金属丝76连接于第二源极引线1033的垫部1331与第二开关元件50b的控制用源极电极512之间。
(作用)
其次,说明第六实施方式的半导体装置A70的作用。
本实施方式的半导体装置A70在一个密封树脂900内配置第一开关元件40a、40b与第二开关元件50a、50b。第一开关元件40a、40b的第一主面电极1041(主源极电极1411)通过第一连接部件1061连接于搭载第二开关元件50a、50b的第二模座12。因此,本实施方式的半导体装置A70构成串联地连接第一开关元件40a、40b和第二开关元件50a、50b的逆变器电路。
逆变器电路能够连接2个半导体装置而构成。该情况下,逆变器电路通过在安装2个半导体装置的安装基板上利用配线连接2根半导体装置的引线(高电位侧的源极引线、低电位侧的漏极引线)而构成。该情况下,因外部配线而2根半导体装置的引线中的电感变大。
相对于此,本实施方式的半导体装置A70通过密封树脂900内的第一连接部件1061连接构成逆变器电路的第一开关元件40a、40b与第二开关元件50a、50b。因此,相比较于由外部配线连接的情况,第一驱动引线1021、输出引线1023、第二驱动引线1022之间的导体距离变短,半导体装置A70的电感变小。如此,在本实施方式的半导体装置A70中能够降低电感。
本实施方式的半导体装置A70在横向X中以第一驱动引线1021、第二驱动引线1022、输出引线1023的顺序排列。即,第一驱动引线1021与第二驱动引线1022以互相相邻的方式配置。向第一驱动引线1021中供给高电位电压,向第二驱动引线1022中供给低电位电压。
在接通第一开关元件40a、40b、断开第二开关元件50a、50b时,第一电流I1从第一驱动引线1021向输出引线1023流动。相反,在断开第一开关元件40a、40b、接通第二开关元件50a、50b时,第二电流I2从输出引线1023向第二驱动引线1022流动。在利用高速的控制信号(如1MHz)使半导体装置A70动作的情况下,在相邻的第一驱动引线1021与第二驱动引线1022中,相反方向的第一电流I1与第二电流I2相对于半导体装置A70交替地流动。由于通过由这些第一电流I1与第二电流I2产生的磁通相互降低电感,因此进一步降低半导体装置A70中的寄生电感。
(效果)
如以上所述,根据本实施方式,起到以下的效果。
(1-1)半导体装置A70在一个密封树脂900内配置第一开关元件40a、40b和第二开关元件50a、50b。第一开关元件40a、40b的第一主面电极1041(主源极电极1411)通过第一连接部件1061连接于搭载第二开关元件50a、50b的第二模座12。因此,在半导体装置A70中,第一驱动引线1021、输出引线1023、第二驱动引线1022之间的导体距离变短,能够降低电感。
(1-2)半导体装置A70在横向X中以第一驱动引线1021、第二驱动引线1022、输出引线1023的顺序排列。根据动作状态,能够通过从第一驱动引线1021向输出引线1023流动的第一电流I1、从输出引线1023向第二驱动引线1022流动的第二电流I2进一步降低半导体装置A70中的电感。
(1-3)第一模座11与第二模座12的厚度是1mm以上且3mm以下。第一模座11与第二模座12优选厚的一方。由第一开关元件40a、40b的动作产生的热量从第一开关元件40a、40b向第一模座11传递。第一模座11越厚,热量越容易从第一开关元件40a、40b向第一模座11传递。即,能够提高来自第一开关元件40a、40b的散热性,能够降低第一开关元件40a、40b中的热电阻。同样,能够降低第二开关元件50a、50b中的热电阻。
(1-4)通过由板状部件形成的第一连接部件1061连接第一开关元件40a、40b和第二模座12。因此,相比较于利用多根金属丝连接第一开关元件40a、40b和第二模座12的情况,能够与大电流对应。另外,相比较于利用多根金属丝连接第一开关元件40a、40b和第二模座12的情况,连接的部件变少,能够减少制造工序。另外,由于能够降低半导体装置A70中的金属丝的根数,因此能够抑制金属丝的断线等的产生。
(1-5)通过由板状部件形成的第二连接部件1062连接第二开关元件50a、50b和第二驱动引线1022。因此,相比较于利用多根金属丝连接第二开关元件50a、50b和第二驱动引线1022的情况,能够与大电流对应。另外,相比较于利用多根金属丝连接第二开关元件50a、50b和第二驱动引线1022的情况,连接的部件变少,能够减少制造工序。另外,由于能够减少半导体装置A70中的金属丝的根数,因此能够抑制金属丝断线等的发生。
(1-6)半导体装置A70具备从密封树脂900的第一树脂侧面903突出的引线1021~1023、从密封树脂900的第二密封树脂904突出的引线1031~1034。因此,能够分别扩大第一驱动引线1021与第二驱动引线1022之间、第二驱动引线1022与输出引线1023之间。因此,能够容易地确保绝缘性。
(1-7)密封树脂900在第一驱动引线1021与第二驱动引线1022之间、第二驱动引线1022与输出引线1023之间具有分别从第一树脂侧面903沿纵向Y延伸的凹部907。在第一驱动引线1021与第二驱动引线1022之间、第二驱动引线1022与输出引线1023之间,沿密封树脂900表面的距离(沿面距离)因凹部907而变长。因此,能够进一步确保绝缘性。
(第六实施方式的变形例)
上述第六实施方式能够如以下进行变更并实施。并且,在表示变形例的附图中省略金属丝。
·在图32所示的半导体装置A71中,连接第一开关元件40a、40b与第二模座12的第一连接部件61a是一个板状部件。第一连接部件61a配置在纵向Y上延伸的模具连接部611、从模具连接部611在横向X上延伸的2个电极连接部612。模具连接部611连接于第二模座12,电极连接部612连接于第一开关元件40a、40b的第一主面电极1041(主源极电极1411)。通过使用该第一连接部件61a,能够容易地进行半导体装置A71中的制造。
·可以适当地变更搭载于第一模座11与第二模座12的半导体元件的个数。例如,图33所示的半导体装置A72具备安装于第一模座11的3个第一开关元件40a、40b、40c、安装于第二模座12的3个第二开关元件50a、50b、50c。并且,可以为在第一模座11上搭载一个第一开关元件、在第二模座12上搭载一个第二开关元件的半导体装置。
·可以变更构成第一引线组1020的各引线1021~1023的配置。例如,可以将输出引线1023配置于第一驱动引线1021与第二驱动引线1022之间。
另外,可以适当地变更构成第二引线组1030的各引线1031~1034的配置。例如,相比于第一控制引线1031将第一源极引线1032配置于外侧(密封树脂900的靠第三树脂侧面905的部位)。另外,可以将第二源极引线1033相比于第二控制引线1034配置于外侧(密封树脂900的靠第四树脂侧面906的部位)。
(第七实施方式)
参照图34~图37说明第七实施方式的半导体装置A80。
并且,第七实施方式的半导体装置A80相比较于第六实施方式的半导体装置A70,第一开关元件、第二开关元件与引线的配置不同。
如图34~图37所示,半导体装置A80具有第一引线组1020a、第二引线组1030a。
[第一引线组]
第一引线组1020a由第一驱动引线1021、第二驱动引线1022构成。如图35所示,第一驱动引线1021在横向X中配置于第一模座11的靠第四侧面116的位置。第二驱动引线1022在横向X中配置于第二模座12的靠第三侧面125的位置。在本实施方式中,第一驱动引线1021与第二驱动引线1022以将这些的中间点作为密封树脂900的中央的方式配置。
[第二引线组]
第二引线组1030a由第一控制引线1031、第一源极引线1032、第二源极引线1033、第二控制引线1034、输出引线1035构成。输出引线1035配置于第一源极引线1032与第二源极引线1033之间。
如图35所示,输出引线1035具有连接部1351、基部1352、基板连接部1353。连接部1351连接于第二模座12的第二侧面124。在本实施方式中,输出引线1035与第二模座12为一体。该输出引线1035与第二模座12构成一体的第二引线框15a。
连接部1351具备模具连接部1351a和垫部1351b。模具连接部1351a在第二模座12的第二侧面124中连接于靠第三侧面125的部分。垫部1351b沿横向X从模具连接部1351a向第一源极引线1032延伸。垫部1351b从纵向Y观察配置于与第一驱动引线1021重合的位置。
基部1352从连接部1351沿纵向Y延伸,从密封树脂900的第二树脂侧面904突出。基板连接部1353从基部1352的前端沿纵向延伸。如图35所示,基部1352的横向X的宽度比基板连接部1353的横向X的宽度形成得大。基部1352以在纵向Y中,基部1352的一部分与第一驱动引线1021重合,另一部分与第二驱动引线1022重合的方式形成为宽泛。基板连接部1353配置于横向X中的基部1352的中央。另外,基板连接部1353配置于横向X中的密封树脂900的中央。
[第一开关元件、第二开关元件]
如图35、图37所示,第一开关元件40a、40b与第二开关元件50a、50b在横向X中配置于靠密封树脂900的中央的位置。
如图35、图37所示,第一开关元件40a、40b在横向X中配置于第一模座11的靠第四侧面116的部位。第四侧面116与第二模座12的第三侧面125对置。即,第一开关元件40a、40b配置于第一模座11的靠第二模座12的位置。第一开关元件40a、40b以在纵向Y中第一主面电极1041的主源极电极1411与输出引线1035的垫部1351b相互重合的方式配置。在本实施方式中,从厚度方向Z观察,从第一模座11的第四侧面116至第一开关元件40a、40b的元件侧面403的距离(第一距离)Lx1为第一模座11的厚度以上。
如图35、图37所示,第二开关元件50a、50b在横向X中配置于第二模座12的靠第三侧面125的部位。即,第二开关元件50a、50b配置于第二模座12的靠近第一模座11的部位。第二开关元件50a、50b在纵向Y中以第二主面电极1051的主源极电极511与第二驱动引线1022的垫部1221重合的方式配置。在本实施方式中,从厚度方向Z观察,从第二模座12的第三侧面125至第二开关元件50a、50b的元件侧面503的距离(第二距离)Lx2为第二模座12的厚度以上。
[第一连接部件、第二连接部件]
在本实施方式中,第一连接部件61b是在纵向Y上延伸的带状,连接第一开关元件40a、40b的主源极电极1411与输出引线1035的垫部1351b。输出引线1035连接于第二模座12。因此,可以说第一开关元件40a、40b的第一主面电极1041(主源极电极1411)通过输出引线1035连接于第二模座12。第二连接部件62b是在纵向Y上延伸的带状,连接第二开关元件50a、50b的主源极电极511和第二驱动引线1022的垫部1221。
(作用)
其次,说明第七实施方式的半导体装置A80的作用。
第一开关元件40a、40b在横向X中配置于第一模座11的靠近第四侧面116的部位上。第一开关元件40a、40b以在纵向Y中主源极电极1411与输出引线1035的垫部1351b重合的方式配置。其垫部1351b以在纵向Y中与第一驱动引线1021重合的方式配置。因此,第一驱动引线1021、第一开关元件40a、40b、输出引线1035的垫部1351b在纵向Y上重合。由此,在半导体装置A80中,能够在第一驱动引线1021与输出引线1035之间几乎直线性流经电流。
第二开关元件50a、50b在横向X中配置于第二模座12的靠近第三侧面125的部位。第二开关元件50a、50b以在纵向Y上与第二驱动引线1022重合的方式配置。输出引线1035的一部分在纵向Y中与第二驱动引线1022重合。由此,在半导体装置A80中,能够在第二驱动引线1022与输出引线1035之间几乎直线性地流经电流。
如图35所示,第一驱动引线1021与第二驱动引线1022以在横向X中互相相邻的方式配置。在半导体装置A80的逆变器动作时,在第一驱动引线1021中电流从第一驱动引线1021向输出引线1035流动。另一方面,在第二驱动引线1022中,电流从输出引线1035向第二驱动引线1022流动。因此,在互相相邻的第一驱动引线1021与第二驱动引线1022中,由于通过互相流向相反方向的电流而生成的磁通量会降低相互电感,因此半导体装置A80中的寄生电感进一步降低。
因第一开关元件40a、40b的动作产生的热量从第一开关元件40a、40b向第一模座11传递。在第一模座11中,热量如图37中箭头所示从第一模座11的主面111向背面112扩散并传递。并且,热量从第一模座11的各面向密封树脂900传递。同样,因第二开关元件50a、50b的动作产生的热量从第二开关元件50a、50b向第二模座12传递,从第二模座12的主面121向背面122扩散并传递。并且,热量从第二模座12的各面向密封树脂900传递。
越使第一开关元件40a、40b靠近第一模座11的第四侧面116,从第四侧面116向密封树脂900传递的热量就越多。同样,越使第二开关元件50a、50b靠近第二模座12的第三侧面125,从第三侧面125向密封树脂900传递的热量就越多。因此,由于第四侧面116与第三侧面125之间的密封树脂900的树脂部件900a的温度上升,在从第四侧面116向树脂部件900a的热传递效率降低的同时,从第三侧面125向树脂部件900a的热传递效率也降低。即,相对于第一开关元件40a、40b与第二开关元件50a、50b的散热效率降低。
可是,如上述,在本实施方式的半导体装置A80中,从第一模座11的第四侧面116至第一开关元件40a、40b的元件侧面403的距离Lx1为第一模座11的厚度以上。并且,从第二模座12的第三侧面125至第二开关元件50a、50b的元件侧面503的距离Lx2为第二模座12的厚度以上。由此,能够抑制相对于第一开关元件40a、40b与第二开关元件50a、50b的散热效率的降低。
并且,通过增大第一模座11与第二模座12之间的距离L12、即、使第一模座11与第二模座12相互脱离也能够抑制散热效率的降低。可是,通过使第一模座11与第二模座12分离而密封树脂900变大、即半导体装置的外形尺寸变大。另一方面,由于如上述设定第一开关元件40a、40b、第二开关元件50a、50b的位置,从而在抑制散热效率降低的同时也能够抑制半导体装置A80的大型化。
(效果)
如上述,根据本实施方式起到以下效果。
(2-1)半导体装置A80具有从密封树脂900的第一树脂侧面903突出的第一驱动引线1021以及第二驱动引线1022、从密封树脂900的第二树脂侧面904突出的输出引线1035。因此,能够容易地确保第一驱动引线1021与输出引线1035之间、第二驱动引线1022与输出引线1035之间的绝缘性。
(2-2)在半导体装置A80中,仅第一驱动引线1021与第二驱动引线1022从密封树脂900的第一树脂侧面903突出。因此,能够容易地扩大第一驱动引线1021与第二驱动引线1022的间隔,能够容易地确保第一驱动引线1021与第二驱动引线1022之间的沿面距离。
(2-3)从第一模座11的第四侧面116至第一开关元件40a、40b的元件侧面403的距离Lx1为第一模座11的厚度以上。由此,能够抑制相对于第一开关元件40a、40b的第一模座11的散热效率的降低。
(2-4)从第二模座12的第三侧面125至第二开关元件50a、50b的元件侧面503的距离Lx2为第二模座12的厚度以上。由此,能够抑制相对于第二开关元件50a、50b的第二模座12的散热效率的降低。
(第七实施方式的变形例)
上述第七实施方式能够如以下变更并实施。并且,在表示变形例的附图中省略金属丝。
·可以适当地变更第一连接部件1061与第二连接部件1062的形状。
例如,如图38所示的半导体装置A81,可以增大第一连接部件61c的宽度。另外,可以增大第二连接部件62c的宽度。在如此形成的第一连接部件61c以及第二连接部件62c中,从第一驱动引线1021向输出引线1035的电流的路径、从输出引线1035向第二驱动引线1022的电流的路径变得更近,通过相互电感能够进一步降低电感。
另外,如图39所示的半导体装置A82,通过为具有在厚度方向Z上延伸的板状部分的第一连接部件61d以及第二连接部件62d,能够进一步降低电感。
·可以适当地变更第一驱动引线1021、第二驱动引线1022、输出引线1035的形状。
例如,如图40所示的半导体装置A83,可以缩短各引线1021、1022、1035的基部1212、1222、352的纵向Y的长度。
而且,如图41所示的半导体装置A84,各基部1212、1222、352可以不从密封树脂900突出。
·如图42所示的半导体装置A85,可以沿横向配置第一开关元件40a、40b与第二开关元件50a、50b。该情况下,在第一模座11的靠第二侧面114的部位上配置第一开关元件40a、40b,在第二模座12的靠第一侧面123的部位上配置第二开关元件50a、50b。由此,即使缩短第一开关元件40a与第一模座11的第四侧面116之间的距离、第二开关元件50a与第二模座12的第三侧面125之间的距离,能够从第一模座11的第四侧面116以及第二模座12的第三侧面125散热,能够抑制散热效率的降低。
·可以使安装于第一模座11上的第一开关元件的数量为1个或3个以上。还可以使安装于第二模座12的第二开关元件的数量为1个或3个以上。
(其他变形例)
·上述各实施方式以及变形例能够如以下变形并实施。并且,上述各实施方式以及变形例、以下的变形例能够在没有技术性矛盾的范围中相互组合的状态下实施。
·作为第一开关元件以及第二开关元件可以使用Si元件等。
·使用作为第一主面电极1041由主源极电极1411与控制用源极电极1412、1413构成的第一开关元件,但也可以使用具备1个、2个、或4个以上的源极电极的开关元件。另外,使用作为第二主面电极1051由主源极电极511与控制用源极电极512、513构成的第二开关元件,但也可以使用具备1个、2个、或4个以上的源极电极的开关元件。
(附记)
在以下记载能够从上述各实施方式以及变形例中掌握的技术性思想。
(附记1)一种半导体装置,具备:
具有第一主面的第一模座;
第二模座,其在与上述第一主面平行的第一方向上从上述第一模座分离地配置,具有与上述第一主面朝向相同的方向的第二主面;
第一开关元件,其安装于上述第一主面,具有与上述第一主面朝向相同方向的第一元件主面、与上述第一元件主面朝向相反侧的第一元件背面、设置于上述第一元件主面的第一主面电极以及第一控制电极、设置于上述第一元件背面的第一背面电极,上述第一背面电极连接于上述第一主面;
第二开关元件,其安装于上述第二主面,具有与上述第二主面朝向相同方向的第二元件主面、与上述第二元件主面朝向相反侧的第二元件背面、设置于上述第二元件主面的第二主面电极以及第二控制电极、设置于上述第二元件背面的第二背面电极,上述第二背面电极连接于上述第二主面;
连接上述第一开关元件的上述第一主面电极和上述第二模座的第一连接部件;
密封树脂,其具有朝向与上述第一主面以及上述第二主面平行的方向的多个树脂侧面,密封上述第一开关元件、上述第二开关元件、上述第一模座、上述第二模座以及上述第一连接部件;
多根引线,其在上述第一方向上排列,从上述密封树脂的多个上述密封树脂侧面中的朝向与上述第一方向交叉的第二方向的一个上述树脂侧面突出,包含在上述第二方向上延伸的第一驱动引线以及第二驱动引线;以及
连接上述第二开关元件的上述第二主面电极和上述第二驱动引线的第二连接部件,
上述第二连接部件具备连接于上述第二驱动引线的引线连接部、连接于上述第二开关元件的上述第二主面电极的电极连接部以及连接上述引线连接部和上述电极连接部的连结部。
(附记2)根据附记1所述的半导体装置,上述连结部从上述引线连接部在上述第二方向上延伸。
(附记3)根据附记2所述的半导体装置,上述电极连接部从上述连结部在上述第一方向上延伸。
(附记4)根据附记1至附记3任一项所述的半导体装置,上述第二连接部件以使上述连结部与上述第二模座的上述第二主面平行的方式形成。
(附记5)根据附记1至附记4任一项所述的半导体装置,在上述第一模座上安装有多个上述第一开关元件,在上述第二模座上安装有多个上述第二开关元件。
(附记6)根据附记5所述的半导体装置,多个上述第一开关元件与多个上述第二开关元件在上述第二方向上排列。
(附记7)根据附记6所述的半导体装置,上述第一连接部件从多个上述第一开关元件的上述主面电极分别在上述第一方向延伸并连接于上述第二模座。
(附记8)根据附记1至附记7任一项所述的半导体装置,多根上述引线包含第一控制引线以及第二控制引线,
上述半导体装置还具备连接上述第一控制引线和上述第一控制电极的第一金属丝、连接上述第二控制引线和上述第二控制电极的第二金属丝。
(附记9)根据附记1至附记8任一项所述的半导体装置,多根上述引线包含第一源极引线以及第二源极引线,
上述第一源极引线连接于安装于上述第一模座的多个上述第一开关元件中的一个上述第一开关元件的上述第一主面电极,上述第二源极引线连接于安装于上述第二模座的多个上述第二开关元件中的一个上述第二开关元件的上述第二主面电极。
(附记10)根据附记9所述的半导体装置,具备连接上述第一源极引线和上述第一主面电极的第三金属丝、连接上述第二源极引线和上述第二主面电极的第四金属丝。
(附记11)根据附记1至附记10任一项所述的半导体装置,上述第一主面电极具有主源极电极和控制用源极电极,上述第一连接部件连接上述第一主面电极的上述主源极电极和上述第二模座。
(附记12)根据附记1至附记11任一项所述的半导体装置,上述第二主面电极具有主源极电极和控制用源极电极,上述第二连接部件连接上述第二主面电极的上述主源极电极和上述第二驱动引线。
(附记13)一种半导体装置,具备:
具有第一主面的第一模座;
第二模座,其在与上述第一主面平行的第一方向上从上述第一模座分离地配置,具有与上述第一主面朝向相同的方向的第二主面;
第一开关元件,其安装于上述第一主面,具有与上述第一主面朝向相同方向的第一元件主面、与上述第一元件主面朝向相反侧的第一元件背面、设置于上述第一元件主面的第一主面电极以及第一控制电极、设置于上述第一元件背面的第一背面电极,上述第一背面电极连接于上述第一主面;
第二开关元件,其安装于上述第二主面,具有与上述第二主面朝向相同方向的第二元件主面、与上述第二元件主面朝向相反侧的第二元件背面、设置于上述第二元件主面的第二主面电极以及第二控制电极、设置于上述第二元件背面的第二背面电极,上述第二背面电极连接于上述第二主面;
连接上述第一开关元件的上述第一主面电极和上述第二模座的上述第二主面的第一连接部件;
密封树脂,其具有朝向与上述第一主面以及上述第二主面平行的方向的多个树脂侧面,密封上述第一开关元件、上述第二开关元件、上述第一模座、上述第二模座以及上述第一连接部件;
第一引线组,其包含从多个上述树脂侧面中的朝向与上述第一方向交叉的第二方向的第一树脂侧面突出的第一驱动引线以及第二驱动引线;
第二引线组,其包含从朝向与上述第一树脂侧面相反方向的第二树脂侧面突出的第一控制引线以及第二控制引线;以及
连接上述第二开关元件的上述第二主面电极和上述第二驱动引线的第二连接部件,
上述第二连接部件具备连接于上述第二驱动引线的引线连接部、连接于多个上述第二开关元件的上述第二主面电极的多个电极连接部以及连接上述引线连接部和多个上述电极连接部的连结部。
(附记14)根据附记13所述的半导体装置,上述连结部从上述引线连接部在上述第二方向上延伸。
(附记15)根据附记14所述的半导体装置,多个上述电极连接部从上述连接部在上述第一方向上延伸。
(附记16)根据附记13至附记15任一项所述的半导体装置,上述第二连接部件以使上述连结部与上述第二模座的上述第二主面平行的方式形成。
(附记17)根据附记13至附记16任一项所述的半导体装置,上述第一引线组包含连接于上述第二模座的输出引线,
从上述第二方向观察时,上述输出引线配置于上述第一驱动引线与上述第二驱动引线之间。
(附记18)根据附记13至附记17任一项所述的半导体装置,上述第一主面电极具有主源极电极和控制用源极电极,上述第一连接部件连接上述第一主面电极的上述主源极电极和上述第二模座。
(附记19)根据附记13至附记18任一项所述的半导体装置,上述第二主面电极具有主源极电极和控制用源极电极,上述第二连接部件连接上述第二主面电极的上述主源极电极和上述第二驱动引线。
(附记20)根据附记13至附记19任一项所述的半导体装置,具备连接上述第一控制引线和上述第一控制电极的第一金属丝、连接上述第二控制引线和上述第二控制电极的第二金属丝。
(附记21)根据附记13至附记20任一项所述的半导体装置,上述第二引线组包含第一源极引线以及第二源极引线,
上述第一源极引线连接于安装于上述第一模座的多个上述第一开关元件中的一个上述第一开关元件的上述第一主面电极,上述第二源极引线连接于安装于上述第二模座的多个上述第二开关元件中的一个上述第二开关元件的上述第二主面电极。
(附记22)根据附记21所述的半导体装置,具备连接上述第一源极引线和上述第一主面电极的第三金属丝、连接上述第二源极引线和上述第二主面电极的第四金属丝。
符号说明
A10、A11、A20、A30、A40、A50、A61~A65、A70~A72、A80~A85—半导体装置,11—第一模座,111—主面(第一主面),112—背面(第一背面),113~116—第一侧面~第四侧面,12—第二模座,121—主面(第二主面),122—背面(第二背面),123~126—第一侧面~第四侧面,14—第一引线框,15、15a—第二引线框,20—第一开关元件,201—元件主面(第一元件主面),202—元件侧面(第一元件背面),203~206—第一元件侧面~第四元件侧面,21—第一主面电极,211—主源极电极,212、213—控制用源极电极,22—第一控制电极,23—第一背面电极,30—第二开关元件,301—元件主面(第二元件主面),302—元件侧面(第二元件背面),303~306—第一元件侧面~第四元件侧面,31—第二主面电极,311—主源极电极,312、313—控制用源极电极,32—第二控制电极,33—第二背面电极,40a、40b、40c—第一开关元件,401—元件主面,402—元件背面,403—元件侧面,41—第一引线(第一控制引线),411—垫部,412—基部,413—基板连接部,42—第二引线(第一源极引线),421—垫部,422—基部,423—基板连接部,43—第三引线(第一驱动引线),431—连接部,432—基部,433—基板连接部,44—第四引线(输出引线),441—连接部,442—基部,443—基板连接部,45—第五引线(第二驱动引线),451—垫部,452—基部,453—基板连接部,46—第六引线(第二源极引线),461—垫部,462—基部,463—基板连接部,47—第七引线(第二控制引线),471—垫部,472—基部,473—基板连接部,44a—第四引线(第二驱动引线),444—垫部,45a—第五引线(输出引线),454—连接部,50a、50b、50c—第二开关元件,51—金属丝(第一连接部件),52—金属丝(第二连接部件),53—第一夹子(第一连接部件),54、54a—第二夹子(第二连接部件),501—元件主面,502—元件背面,503—元件侧面,51—第二主面电极,511—主源极电极,512—控制用源极电极,513—控制用源极电极,541—引线连接部,542—电极连接部,543—连结部,61—金属丝(第一金属丝),62—金属丝(第三金属丝),63—金属丝(第二金属丝),64—金属丝(第四金属丝),61a、61b、61c、61d—第一连接部件,611—模具连接部,612—电极连接部,62b、62c、62d—第二连接部件,621—引线连接部,622—电极连接部,623—连结部,70—密封树脂,70a—树脂部分,701—树脂主面,702—树脂背面,703—第一树脂侧面,704—第二树脂侧面,705—第三树脂侧面,706—第四树脂侧面,707—凹部,71、72—金属丝(第一金属丝),73—金属丝(第三金属丝),74、75—金属丝(第二金属丝),76—金属丝(第四金属丝),81~86—焊锡,90a、90b—半导体装置,900—密封树脂,900a—树脂部分,901—树脂主面,902—树脂背面,903~906—第一树脂侧面~第四树脂侧面,907—凹部,91—开关元件,911—栅极电极,912—控制用源极电极,913—主源极电极,914—背面电极(漏极电极),921~924—引线,1020、1020a—第一引线组,1021—第一驱动引线,1211—连接部,1212—基部,1213—基板连接部,1215—第三侧面,1022—第二驱动引线,1221—垫部,1222—基部,1223—基板连接部,1023—输出引线,1231—连接部,1232—基部,1233—基板连接部,1030、1030a—第二引线组,1031—第一控制引线,1311—垫部,1312—基部,1313—基板连接部,1032—第一源极引线,1321—垫部,1322—基部,1323—基板连接部,1033—第二源极引线,1331—垫部,1332—基部,1333—基板连接部,1034—第二控制引线,1341—垫部,1342—基部,1343—基板连接部,1035—输出引线,1351—连接部,1351a—模具连接部,1351b—垫部,1352—基部,1353—基板连接部,1041—第一主面电极,1042—第一控制电极,1043—第一背面电极,1411—主源极电极,1412—控制用源极电极,1413—控制用源极电极,1052—第二控制电极,1053—第二背面电极,1061—第一连接部件,1062—第二连接部件,OP—外部配线,L12—距离,Lx1、Lx2—距离,X—横向(第一方向),Y—纵向(第二方向),Z—厚度方向。

Claims (26)

1.一种半导体装置,其特征在于,
具备:
第一模座,其具有第一主面;
第二模座,其在与上述第一主面平行的第一方向上从上述第一模座离开地配置,并具有与上述第一主面朝向相同方向的第二主面;
第一开关元件,其安装于上述第一主面,并具有与上述第一主面朝向相同方向的第一元件主面、与上述第一元件主面朝向相反侧的第一元件背面、设置于上述第一元件主面的第一主面电极以及第一控制电极、以及设置于上述第一元件背面的第一背面电极,上述第一背面电极连接于上述第一主面;
第二开关元件,其安装于上述第二主面,并具有朝向与上述第二主面相同方向的第二元件主面、朝向与上述第二元件主面相反侧的第二元件背面、设置于上述第二元件主面的第二主面电极以及第二控制电极、设置于上述第二元件背面的第二背面电极,上述第二背面电极连接于上述第二主面;
第一连接部件,其连接上述第一开关元件的上述第一主面电极和上述第二模座;
密封树脂,其具有朝向与上述第一主面以及上述第二主面平行的方向的多个树脂侧面,密封上述第一开关元件、上述第二开关元件、上述第一模座、上述第二模座以及上述第一连接部件;
多根引线,其在上述第一方向上排列,从上述密封树脂的多个上述树脂侧面中的朝向与上述第一方向交叉的第二方向的一个上述树脂侧面突出,并在上述第二方向上延伸。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
上述第一连接部件是具有导电性的板状部件、或者具有导电性的多根金属丝。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,
从上述第二方向观察,上述第一开关元件从上述第一模座的中央靠近上述第二模座地配置。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,
从与上述第一主面正交的方向观察,从上述第一模座的靠近上述第二模座的边至上述第一开关元件的靠近上述第二模座的边的第一距离为上述第一模座的厚度以上。
5.根据权利要求1~4任一项所述的半导体装置,其特征在于,
从上述第二方向观察,上述第二开关元件从上述第二模座的中央靠近上述第一模座地配置。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,
从与上述第二主面正交的方向观察,从上述第二模座的靠近上述第一模座的边至上述第二开关元件的靠近上述第一模座的边的第二距离为上述第二模座的厚度以上。
7.根据权利要求1~6任一项所述的半导体装置,其特征在于,
上述多根引线包含:
第一控制引线,其配置于上述密封树脂中的配置有上述第一模座侧的端部,连接于上述第一开关元件的上述第一控制电极;
第二控制引线,其配置于上述密封树脂中的配置有上述第二模座侧的端部,连接于上述第二开关元件的上述第二控制电极;
第一驱动引线,其连接于上述第一开关元件的上述第一背面电极;
第二驱动引线,其连接于上述第二开关元件的上述第二主面电极;以及
输出引线,其连接于上述第二模座,
上述第一驱动引线、上述第二驱动引线及上述输出引线配置于上述第一控制引线与上述第二控制引线之间。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,
上述输出引线配置于上述第一驱动引线与上述第二驱动引线之间。
9.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,
上述第二驱动引线配置于上述第一驱动引线与上述输出引线之间。
10.根据权利要求7~9任一项所述的半导体装置,其特征在于,
上述多根引线包含:
第一源极引线,其配置于比上述第一控制引线靠近上述第二模座,连接于上述第一开关元件的上述第一主面电极;以及
第二源极引线,其配置于比上述第二控制引线靠近上述第一模座,连接于上述第二开关元件的上述第二主面电极。
11.根据权利要求7~10任一项所述的半导体装置,其特征在于,
上述第一驱动引线、上述第二驱动引线以及上述输出引线的厚度与上述第一模座以及上述第二模座的厚度相等。
12.根据权利要求7~11任一项所述的半导体装置,其特征在于,
具备连接上述第二开关元件的上述第二主面电极和上述第二驱动引线的第二连接部件,
13.一种半导体装置,其特征在于,
具备:
第一模座,其具有第一主面;
第二模座,其在与上述第一主面平行的第一方向上从上述第一模座离开地配置,并具有与上述第一主面朝向相同方向的第二主面;
第一开关元件,其安装于上述第一主面,并具有与上述第一主面朝向相同方向的第一元件主面、与上述第一元件主面朝向相反侧的第一元件背面、设置于上述第一元件主面的第一主面电极以及第一控制电极、以及设置于上述元件背面的第一背面电极,上述第一背面电极连接于上述第一主面;
第二开关元件,其安装于上述第二主面,并具有与上述第二主面朝向相同方向的第二元件主面、与上述第二元件主面朝向相反侧的第二元件背面、设置于上述第二元件主面的第二主面电极以及第二控制电极、以及设置于上述第二元件背面的第二背面电极,上述第二背面电极连接于上述第二主面;
第一连接部件,其连接于上述第一开关元件的上述第一主面电极;
密封树脂,其具有朝向与上述第一主面以及上述第二主面平行的方向的多个树脂侧面,密封上述第一开关元件、上述第二开关元件、上述第一模座、上述第二模座以及上述第一连接部件;
第一引线组,其包含从多个上述树脂侧面中的朝向与上述第一方向交叉的第二方向的第一树脂侧面突出的多根引线;以及
第二引线组,其包含从朝向与上述第一树脂侧面相反方向的第二树脂侧面突出的多根引线,
上述第一开关元件的上述第一主面电极通过上述第一连接部件与上述第二模座电连接。
14.根据权利要求13所述的半导体装置,其特征在于,
构成上述第一引线组的多根引线包含:
连接于上述第一开关元件的上述第一背面电极的第一驱动引线;
连接于上述第二开关元件的上述第二主面电极的第二驱动引线;以及
连接于上述第二模座的输出引线,
构成上述第二引线组的多根引线包含:
连接于上述第一开关元件的上述第一控制电极的第一控制引线;以及
连接于上述第二开关元件的上述第二控制电极的第二控制引线。
15.根据权利要求13所述的半导体装置,其特征在于,
构成上述第一引线组的多根引线包含:
连接于上述第一开关元件的上述第一背面电极的第一驱动引线;以及
连接于上述第二开关元件的上述第二主面电极的第二驱动引线,
构成上述第二引线组的多根引线包含:
连接于上述第一开关元件的上述第一控制电极的第一控制引线;
连接于上述第二开关元件的上述第二控制电极的第二控制引线;以及
连接于上述第二模座的输出引线,
上述第一开关元件的上述第一主面电极通过上述第一连接部件和上述输出引线连接于上述第二模座。
16.根据权利要求14或15所述的半导体装置,其特征在于,
上述第一驱动引线与上述第二驱动引线以相邻的方式配置。
17.根据权利要求14~16任一项所述的半导体装置,其特征在于,
上述第二引线组包含:
第一源极引线,其配置于比上述第一控制引线靠上述密封树脂的中央侧,并连接于上述第一开关元件的上述第一主面电极;以及
第二源极引线,其位于比上述第二控制引线靠上述密封树脂的中央侧,并连接于上述第二开关元件的上述第二主面电极。
18.根据权利要求14~17任一项所述的半导体装置,其特征在于,
具备连接上述第二开关元件的上述第二主面电极和上述第二驱动引线的第二连接部件。
19.根据权利要求13~18任一项所述的半导体装置,其特征在于,
在上述第一模座上安装有多个上述第一开关元件,
在上述第二模座上安装有多个上述第二开关元件。
20.根据权利要求19所述的半导体装置,其特征在于,
多个上述第一开关元件与多个上述第二开关元件在上述第二方向上排列。
21.根据权利要求19或20所述的半导体装置,其特征在于,
多个上述第一开关元件的上述第一主面电极分别通过上述第一连接部件连接于上述第二模座。
22.根据权利要求13~21任一项所述的半导体装置,其特征在于,
从上述第二方向观察,上述第一开关元件从上述第一模座的中央靠近上述第二模座地配置。
23.根据权利要求22所述的半导体装置,其特征在于,
从与上述第一主面正交的方向观察,从上述第一模座的靠近上述第二模座的边至上述第一开关元件的靠近上述第二模座的边的第一距离为上述第一模座的厚度以上。
24.根据权利要求13~23任一项所述的半导体装置,其特征在于,
从上述第二方向观察,上述第二开关元件从上述第二模座的中央靠近上述第一模座地配置。
25.根据权利要求24所述的半导体装置,其特征在于
从与上述第二主面正交的方向观察,从上述第二模座的靠近上述第一模座的边至上述第二开关元件的靠近上述第一模座的边的第二距离为上述第二模座的厚度以上。
26.根据权利要求19所述的半导体装置,其特征在于,
多个上述第一开关元件在上述第一方向上排列,并配置于靠近上述第二树脂侧面,
多个上述第二开关元件在上述第一方向上排列,并配置于靠近上述第一树脂侧面。
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