WO2024029249A1

WO2024029249A1 - 半導体装置

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Publication number: WO2024029249A1
Application number: PCT/JP2023/024230
Authority: WO
Inventors: 英俊安部
Original assignee: ローム株式会社
Priority date: 2022-08-01
Filing date: 2023-06-29
Publication date: 2024-02-08

Abstract

半導体装置は、半導体素子と、第３側面５５を有し且つ前記半導体素子を覆う封止樹脂と、第３側面から突き出した第１アウター部を含む第１端子リードと、前記第３側面から突き出した第２アウター部を含む第２端子リードと、前記封止樹脂から離れた第１連結バーとを備える。前記第１連結バーは、第２方向において前記第１アウター部と前記第２アウター部とに挟まれている。前記第１アウター部は、前記第３側面から延びる第１基端部と、前記第１基端部から延びる第１先端部とを含む。前記第２アウター部は、前記第３側面から延びる第２基端部と、前記第２基端部から延びる第２先端部とを含む。前記第１連結バーは、前記第１基端部と前記第２基端部とに繋がる。

Description

半導体装置

　本開示は、半導体装置に関する。

　従来、ダイオードまたはトランジスタなどの半導体素子を樹脂パッケージで覆った半導体装置が知られている（たとえば特許文献１）。特許文献１に記載の半導体装置は、半導体素子と、リードフレームと、樹脂パッケージとを備える。リードフレームは、複数のリードを含んでおり、複数のリードのうちの１つは、ダイボンディングパッドを含む。半導体素子は、ダイボンディングパッドに搭載されている。樹脂パッケージは、半導体素子を覆うとともに、複数のリードの一部ずつを覆っている。各リードにおいて、樹脂パッケージから露出する部分は、半導体装置の端子である。

　このような半導体装置の製造方法では、たとえば複数の半導体装置を同時に製造する場合、その製造過程において、複数のリードは、タイバー（ダムバーとも呼ばれる）で互いに繋がっている。このタイバーは、樹脂パッケージの形成後に、切断される。

特開２０１１－８２５２３号公報

　本開示は、従来よりも改良が施された半導体装置を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記事情に鑑み、タイバーを有効に利用した半導体装置を提供することを一の課題とする。

　本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、半導体素子と、第１方向の一方を向く樹脂側面を有し、且つ前記半導体素子を覆う封止樹脂と、前記樹脂側面から前記第１方向の前記一方に突き出した第１アウター部を含む第１端子リードと、前記樹脂側面から前記第１方向の前記一方に突き出した第２アウター部を含む第２端子リードと、前記封止樹脂から離れた第１連結バーと、を備える。前記第１アウター部と前記第２アウター部とは、前記第１方向に直交する第２方向に互いに隣接する。前記第１連結バーは、前記第２方向において前記第１アウター部と前記第２アウター部とに挟まれ、且つ前記第１アウター部および前記第２アウター部に一体的に繋がっている。前記第１アウター部は、前記樹脂側面から延びる第１基端部と、前記第１基端部から延びる第１先端部とを含む。前記第２アウター部は、前記樹脂側面から延びる第２基端部と、前記第２基端部から延びる第２先端部とを含む。前記第１連結バーは、前記第１基端部と前記第２基端部とに繋がる。

　上記構成によれば、半導体装置においてタイバーを有効に利用することができる。

図１は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す斜視図である。図２は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。図３は、図２の平面図において、封止樹脂を想像線で示した図である。図４は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す底面図である。図５は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す正面図である。図６は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す右側面図である。図７は、図６の一部を拡大した部分拡大図であって、封止樹脂を想像線で示した図である。図８は、図３のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、図８の一部を拡大した図である。図１０は、図８の一部を拡大した図である。図１１は、図３のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。図１２は、図３のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。図１３は、図３の一部を拡大した部分拡大図である。図１４は、図３の一部を拡大した部分拡大図である。図１５は、図３の一部を拡大した部分拡大図である。図１６は、図３の一部を拡大した部分拡大図である。図１７は、第１実施形態にかかる半導体装置の回路構成例を示す図である。図１８は、第１実施形態にかかる半導体装置の製造過程の一工程を示す平面図である。図１９は、第１実施形態の第１変形例にかかる半導体装置を示す平面図であって、封止樹脂を想像線で示した図である。図２０は、第１実施形態の第２変形例にかかる半導体装置を示す平面図であって、封止樹脂を想像線で示した図である。図２１は、第１実施形態の第３変形例にかかる半導体装置を示す平面図であって、封止樹脂を想像線で示した図である。図２２は、第２実施形態にかかる半導体装置を示す平面図であって、封止樹脂を想像線で示した図である。図２３は、図２２のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。図２４は、図２３の一部を拡大した図である。図２５は、第２実施形態にかかる半導体装置の回路構成例を示す図である。図２６は、第３実施形態にかかる半導体装置を示す平面図であって、封止樹脂を想像線で示した図である。図２７は、図２６のＸＸＶＩＩ－ＸＸＶＩＩ線に沿う拡大断面図である。図２８は、第３実施形態にかかる半導体装置の回路構成例を示す図である。図２９は、第４実施形態にかかる半導体装置を示す平面図であって、封止樹脂を想像線で示した図である。図３０は、第４実施形態にかかる半導体装置の回路構成例を示す図である。図３１は、第４実施形態の第１変形例にかかる半導体装置を示す平面図であって、封止樹脂を想像線で示した図である。図３２は、第４実施形態の第２変形例にかかる半導体装置を示す平面図であって、封止樹脂を想像線で示した図である。図３３は、第４実施形態の第３変形例にかかる半導体装置を示す平面図であって、封止樹脂を想像線で示した図である。

　本開示の半導体装置の好ましい実施の形態について、図面を参照して、以下に説明する。以下では、同一あるいは類似の構成要素に、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。

　本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」を含む。また、「ある方向に見てある物Ａがある物Ｂに重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、「ある物Ａ（の材料）がある材料Ｃを含む」とは、「ある物Ａ（の材料）がある材料Ｃからなる場合」、および、「ある物Ａ（の材料）の主成分がある材料Ｃである場合」を含む。

　図１～図１７は、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０を示している。半導体装置Ａ１０は、第１ダイパッド１０Ａ、第２ダイパッド１０Ｂ、複数の端子リード１３、第１連結バー１９１、第２連結バー１９２、第３連結バー１９３、第４連結バー１９４、半導体素子２０、第１導通部３１、第２導通部３２および封止樹脂５０を備える。半導体素子２０は、第１素子２１および第２素子２２を含む。複数の端子リード１３は、第１端子リード１４、第２端子リード１５、第３端子リード１６、第４端子リード１７１、第５端子リード１８１、第６端子リード１７２および第７端子リード１８２を含む。

　説明の便宜上、半導体装置Ａ１０の厚さ方向を「厚さ方向ｚ」という。以下の説明では、厚さ方向ｚの一方を上方といい、他方を下方ということがある。なお、「上」、「下」、「上方」、「下方」、「上面」および「下面」などの記載は、厚さ方向ｚにおける各部品等の相対的位置関係を示すものであり、必ずしも重力方向との関係を規定する用語ではない。また、「平面視」とは、厚さ方向ｚに見たときをいう。厚さ方向ｚに対して直交する１つの方向を「第１方向ｙ」という。厚さ方向ｚおよび第１方向ｙに直交する方向を「第２方向ｘ」という。

　第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂは、図３および図８に示すように、第２方向ｘにおいて互いに離れて位置する。第１ダイパッド１０Ａは、第２ダイパッド１０Ｂ、および複数の端子リード１３とともに、同一のリードフレームから構成されている。当該リードフレームは、銅（Ｃｕ）、または銅合金である。このため、第１ダイパッド１０Ａ、第２ダイパッド１０Ｂ、および複数の端子リード１３の組成は、銅を含む。第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂの各々は、たとえば平面視において矩形状である。

　第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂはそれぞれ、図８に示すように、主面１０１および裏面１０２を有する。以下で説明する主面１０１および裏面１０２は、特段の断りがない限り、第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂで共通する。主面１０１は、厚さ方向ｚ（上方）を向く。主面１０１は、封止樹脂５０に覆われている。第１ダイパッド１０Ａの主面１０１には、第１素子２１が搭載されている。第１ダイパッド１０Ａの裏面１０２は、厚さ方向ｚにおいて第１素子２１が位置する側とは反対側を向く。第２ダイパッド１０Ｂの主面１０１には、第２素子２２が搭載されている。第２ダイパッド１０Ｂの裏面１０２は、厚さ方向ｚにおいて第２素子２２が位置する側とは反対側を向く。図４および図８に示すように、裏面１０２は、封止樹脂５０から露出している。裏面１０２には、たとえば錫（Ｓｎ）めっきが施されている。

　封止樹脂５０は、図３および図８に示すように、第１素子２１と、第２素子２２と、第１導通部３１と、第２導通部３２と、第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂの各々の少なくとも一部ずつとを覆う。さらに封止樹脂５０は、複数の端子リード１３の各々の一部ずつを覆う。封止樹脂５０は、電気絶縁性を有する。封止樹脂５０は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む。図２に示すように、第２方向ｘにおける封止樹脂５０の寸法Ｌ１は、第１方向ｙにおける封止樹脂５０の寸法Ｌ２よりも長い。封止樹脂５０は、樹脂主面５１、樹脂裏面５２、一対の第１側面５３、第２側面５４、第３側面５５、複数の凹部５６、溝部５７および複数の凹部５８１，５８２を有する。

　図８に示すように、樹脂主面５１は、厚さ方向ｚにおいて第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂの各主面１０１と同じ側を向く。図８に示すように、樹脂裏面５２は、厚さ方向ｚにおいて樹脂主面５１とは反対側を向く。図４に示すように、樹脂裏面５２から、第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂの各裏面１０２が露出している。

　図２～図４および図８に示すように、一対の第１側面５３は、第２方向ｘにおいて互いに離れて位置する。一対の第１側面５３は、第２方向ｘを向き、かつ第１方向ｙに延びている。一対の第１側面５３は、樹脂主面５１および樹脂裏面５２に繋がる。

　図２～図４、図６、図７、図１１および図１２に示すように、第２側面５４および第３側面５５は、第１方向ｙにおいて互いに離れて位置する。第２側面５４および第３側面５５は、第１方向ｙにおいて互いに反対側を向き、かつ第２方向ｘに延びている。第２側面５４および第３側面５５は、樹脂主面５１および樹脂裏面５２に繋がる。図３および図７に示すように、第３側面５５から複数の端子リード１３が露出している。第３側面５５は、特許請求の範囲に記載の「樹脂側面」の一例である。

　図２、図４および図５に示すように、複数の凹部５６は、第３側面５５から第１方向ｙに凹むとともに、厚さ方向ｚにおいて樹脂主面５１から樹脂裏面５２に至る。第２方向ｘにおいて、複数の凹部５６は、第７端子リード１８２と第３端子リード１６との間、第３端子リード１６と第１端子リード１４との間、第１端子リード１４と第２端子リード１５との間、および、第２端子リード１５と第５端子リード１８１との間に対して個別に位置する。

　図４、図５および図８に示すように、溝部５７は、樹脂裏面５２から厚さ方向ｚに凹むとともに、第１方向ｙに沿って延びる。溝部５７の第１方向ｙの両側は、第２側面５４および第３側面５５に繋がる。厚さ方向ｚに沿って視て、溝部５７は、第１ダイパッド１０Ａの裏面１０２と、第２ダイパッド１０Ｂの裏面１０２とを分断する。なお、封止樹脂５０は、溝部５７を有していなくてもよい。

　図５、図６、図８、図１１および図１２に示すように、複数の凹部５８１，５８２の各々は、樹脂主面５１から厚さ方向ｚに凹む。複数の凹部５８１，５８２の各平面視形状は、特に限定されないが、図示された例では、円形である。図３に示すように、複数の凹部５８１の各々は、平面視において、第１ダイパッド１０Ａに重なる。図示された例では、複数の凹部５８１は、平面視における第１ダイパッド１０Ａの四隅近傍にそれぞれ個別に位置する。図３に示すように、複数の凹部５８２の各々は、平面視において、第２ダイパッド１０Ｂに重なる。図示された例では、複数の凹部５８２は、平面視における第２ダイパッド１０Ｂの四隅近傍にそれぞれ個別に位置する。複数の凹部５８１，５８２の各々は、平面視において、第１導通部３１および第２導通部３２のいずれにも重ならない。複数の凹部５８１は、半導体装置Ａ１０の製造時において、第１ダイパッド１０Ａを固定するためのピンによって形成されるものである。当該ピンは、封止樹脂５０を形成する前の段階において、第１ダイパッド１０Ａに押し当てられ、第１ダイパッド１０Ａを固定する。この状態で、封止樹脂５０の形成が開始される。そして、当該ピンは、封止樹脂５０の形成が完了する前に引き抜かれる。これにより、当該ピンが配置されていた領域の少なくとも一部に封止樹脂５０が形成されるので、第１ダイパッド１０Ａの主面１０１が封止樹脂５０に覆われる。複数の凹部５８１は、このような封止樹脂５０の成形過程によって形成される痕である。複数の凹部５８２も同様に、半導体装置Ａ１０の製造時において、第２ダイパッド１０Ｂを固定するためのピンによって形成されるものである。複数の凹部５８２は、封止樹脂５０の成形過程によって形成される痕である。

　封止樹脂５０は、図１、図２および図４に示すように、さらに複数の痕跡５８９を有する。複数の痕跡５８９は、たとえば封止樹脂５０の形成時において、封止樹脂５０を金型から取り出すためのエジェクタピンが押し付けられた痕である。複数の痕跡５８９はそれぞれ、樹脂主面５１または樹脂裏面５２のいずれかから窪む。なお、封止樹脂５０に、複数の痕跡５８９のいずれも形成されていなくてもよい。また、図４に示すように、第１ダイパッド１０Ａの裏面１０２および第２ダイパッド１０Ｂの裏面１０２はそれぞれ、痕跡１０９を有する。第１ダイパッド１０Ａに形成された痕跡１０９および第２ダイパッド１０Ｂに形成された痕跡１０９はそれぞれ、先述のエジェクタピンが押し付けられた痕である。第１ダイパッド１０Ａに形成された痕跡１０９は、第１ダイパッド１０Ａの裏面１０２から窪み、第２ダイパッド１０Ｂに形成された痕跡１０９は、第２ダイパッド１０Ｂの裏面１０２から窪む。なお、第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂのいずれにも、痕跡１０９が形成されていなくてもよい。複数の痕跡５８９および複数の痕跡１０９の各深さはそれぞれ、たとえば、複数の凹部５８１の各深さよりも小さいが、反対に大きくてもよいし、同じであってもよい。

　図３および図４に示すように、第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂは、第１端面１１１、第２端面１１２、第３端面１１３および第４端面１１４を有する。第１端面１１１、第２端面１１２、第３端面１１３および第４端面１１４は、封止樹脂５０に覆われている。第１端面１１１は、第２方向ｘを向き、かつ第１方向ｙに延びている。第１端面１１１は、封止樹脂５０の一対の第１側面５３から最も近くに位置する。第２端面１１２は、第１方向ｙを向き、かつ第２方向ｘに延びている。第２端面１１２は、封止樹脂５０の第２側面５４から最も近くに位置する。第３端面１１３は、第１方向ｙにおいて第２端面１１２とは反対側を向き、かつ第２方向ｘに延びている。第３端面１１３は、封止樹脂５０の第３側面５５から最も近くに位置する。第４端面１１４は、第２方向ｘにおいて第１端面１１１とは反対側を向き、かつ第１方向ｙに延びている。図４および図８に示すように、第１ダイパッド１０Ａの第４端面１１４と、第２ダイパッド１０Ｂの第４端面１１４との間には、溝部５７が位置する。

　図７、図１１および図１２に示すように、第３端面１１３と第３側面５５との間隔Ｐ２は、第２端面１１２と第２側面５４との間隔Ｐ１よりも長い。

　図３および図４に示すように、第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂは、第１隅部端面１２１を有する。第１隅部端面１２１は、第１端面１１１と第２端面１１２との間に位置し、かつ第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂのいずれかの隅部に位置する。第１隅部端面１２１は、封止樹脂５０に覆われ、かつ第１端面１１１および第２端面１１２に対して傾斜した平面である。図１３に示す第１端面１１１に対する第１隅部端面１２１の第１傾斜角α１と、第２端面１１２に対する第１隅部端面１２１の第２傾斜角α２と、のいずれかが６０°以上８５°以下である。なお、図１３においては、第１導通部３１を省略する。複数の凹部５８１のうちの１つは、平面視において、第１ダイパッド１０Ａの第１隅部端面１２１近辺に位置し、複数の凹部５８２のうちの１つは、平面視において、第２ダイパッド１０Ｂの第１隅部端面１２１近辺に位置する。

　さらに図１３に示すように、第１隅部端面１２１の最長法線Ｎｍａｘを設定する。最長法線Ｎｍａｘは、第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂのいずれかの第１隅部端面１２１から、封止樹脂５０の一対の第１側面５３のうち第１隅部端面１２１から最も近くに位置する第１側面５３に至る第１隅部端面１２１の法線の最大値である。最長法線Ｎｍａｘは、第１方向ｙおよび第２方向ｘを面内方向とする仮想平面と、第１隅部端面１２１との交線Ｃ（図１３参照）の長さの１．０倍以上１．５倍以下である。

　図３および図４に示すように、第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂは、第２隅部端面１２２を有する。第２隅部端面１２２は、第１端面１１１と第３端面１１３との間に位置し、かつ第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂのいずれかの隅部に位置する。第２隅部端面１２２は、封止樹脂５０に覆われ、かつ第１端面１１１および第３端面１１３に対して傾斜した平面である。図１４に示す第１端面１１１に対する第２隅部端面１２２の第３傾斜角α３と、第３端面１１３に対する第２隅部端面１２２の第４傾斜角α４と、のいずれかが６０°以上８５°以下である。複数の凹部５８１のうちの１つは、平面視において、第１ダイパッド１０Ａの第２隅部端面１２２近辺に位置し、複数の凹部５８２のうちの１つは、平面視において、第２ダイパッド１０Ｂの第２隅部端面１２２近辺に位置する。

　図３および図４に示すように、第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂは、第３隅部端面１２３を有する。第３隅部端面１２３は、第２端面１１２と第４端面１１４との間に位置し、かつ第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂのいずれかの隅部に位置する。第３隅部端面１２３は、封止樹脂５０に覆われ、かつ第２端面１１２および第４端面１１４に対して傾斜した平面である。図１５に示す第４端面１１４に対する第３隅部端面１２３の第５傾斜角α５と、第２端面１１２に対する第３隅部端面１２３の第６傾斜角α６と、のいずれかが６０°以上８５°以下である。複数の凹部５８１のうちの１つは、平面視において、第１ダイパッド１０Ａの第３隅部端面１２３近辺に位置し、複数の凹部５８２のうちの１つは、平面視において、第２ダイパッド１０Ｂの第３隅部端面１２３近辺に位置する。

　図３および図４に示すように、第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂは、第４隅部端面１２４を有する。第４隅部端面１２４は、第３端面１１３と第４端面１１４との間に位置し、かつ第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂのいずれかの隅部に位置する。第４隅部端面１２４は、封止樹脂５０に覆われ、かつ第３端面１１３および第４端面１１４に対して傾斜した平面である。図１６に示す第４端面１１４に対する第４隅部端面１２４の第７傾斜角α７と、第３端面１１３に対する第４隅部端面１２４の第８傾斜角α８と、のいずれかが６０°以上８５°以下である。複数の凹部５８１のうちの１つは、平面視において、第１ダイパッド１０Ａの第４隅部端面１２４近辺に位置し、複数の凹部５８２のうちの１つは、平面視において、第２ダイパッド１０Ｂの第４隅部端面１２４近辺に位置する。

　半導体素子２０は、半導体装置Ａ１０の機能中枢である。半導体素子２０は、第１素子２１および第２素子２２を含む。第１素子２１および第２素子２２は、個別に形成されたチップである。図１７に示すように、半導体装置Ａ１０では、第１素子２１および第２素子２２は、たとえばダイオードである。第１素子２１および第２素子２２の各々は、化合物半導体基板を含む。当該化合物半導体基板の組成は、ケイ素（Ｓｉ）または炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含む。

　第１素子２１は、図３、図８および図９に示すように、第１ダイパッド１０Ａに搭載される。好ましくは、平面視において、第１素子２１の重心は、第１ダイパッド１０Ａの中心部に重なる。第１ダイパッド１０Ａの中心部とは、第１ダイパッド１０Ａを第２方向ｘにＮｘ（Ｎｘは正の奇数）分割した時の中央であり、かつ第１ダイパッド１０Ａを第１方向ｙにＮｙ（Ｎｙは正の奇数）分割した時の中央に相当する領域である。Ｎｘ，Ｎｙはそれぞれ、何ら限定されないが、たとえば３または５である。

　第１素子２１は、図９に示すように、第１主面２１ａおよび第１裏面２１ｂを有する。第１主面２１ａおよび第１裏面２１ｂは、厚さ方向ｚに互いに離間する。第１主面２１ａは、第１ダイパッド１０Ａの主面１０１と同じ方向を向く。第１裏面２１ｂは、厚さ方向ｚにおいて第１主面２１ａと反対側を向き、第１ダイパッド１０Ａの主面１０１に対向する。

　図９に示すように、第１素子２１は、主面電極２１１および裏面電極２１３を有する。

　主面電極２１１は、図９に示すように、第１主面２１ａに配置される。本実施形態では、主面電極２１１は、たとえばアノード電極である。主面電極２１１は、複数の金属めっき層を含む。主面電極２１１は、ニッケル（Ｎｉ）めっき層と、当該ニッケルめっき層の上に積層された金（Ａｕ）めっき層を含む。この他、主面電極２１１は、ニッケルめっき層と、当該ニッケルめっき層の上に積層されたパラジウム（Ｐｄ）めっき層と、当該パラジウムめっき層の上に積層された金めっき層を含む場合でもよい。

　裏面電極２１３は、図９に示すように、第１裏面２１ｂに配置される。裏面電極２１３は、第１ダイパッド１０Ａの主面１０１に対向して設けられている。本実施形態では、裏面電極２１３は、たとえばカソード電極である。

　第２素子２２は、図３、図８および図１０に示すように、第２ダイパッド１０Ｂの主面１０１に搭載される。好ましくは、平面視において、第２素子２２の重心は、第２ダイパッド１０Ｂの中心部に重なる。第２ダイパッド１０Ｂの中心部とは、第２ダイパッド１０Ｂを第２方向ｘにＬｘ（Ｌｘは正の奇数）分割した時の中央であり、かつ第２ダイパッド１０Ｂを第１方向ｙにＬｙ（Ｌｙは正の奇数）分割した時の中央に相当する領域である。Ｌｘ，Ｌｙはそれぞれ、何ら限定されないが、たとえば３または５である。

　第２素子２２は、図１０に示すように、第２主面２２ａおよび第２裏面２２ｂを有する。第２主面２２ａおよび第２裏面２２ｂは、厚さ方向ｚに互いに離間する。第２主面２２ａは、第２ダイパッド１０Ｂの主面１０１と同じ方向を向く。第２裏面２２ｂは、厚さ方向ｚにおいて第２主面２２ａと反対側を向き、第２ダイパッド１０Ｂの主面１０１に対向する。

　図１０に示すように、第２素子２２は、主面電極２２１および裏面電極２２３を有する。

　主面電極２２１は、図１０に示すように、第２主面２２ａに配置される。本実施形態では、主面電極２２１は、たとえばアノード電極である。主面電極２２１は、主面電極２１１と同様に、複数の金属めっき層を含む。主面電極２２１は、ニッケル（Ｎｉ）めっき層と、当該ニッケルめっき層の上に積層された金（Ａｕ）めっき層を含む。この他、主面電極２２１は、ニッケルめっき層と、当該ニッケルめっき層の上に積層されたパラジウム（Ｐｄ）めっき層と、当該パラジウムめっき層の上に積層された金めっき層を含む場合でもよい。

　裏面電極２２３は、図１０に示すように、第２裏面２２ｂに配置される。裏面電極２２３は、第２ダイパッド１０Ｂの主面１０１に対向して設けられている。本実施形態では、裏面電極２２３は、たとえばカソード電極である。

　半導体装置Ａ１０は、図３および図８～図１０に示すように、２つのダイボンディング層２３１，２３２をさらに備える。２つのダイボンディング層２３１，２３２の各々は、導電性を有する。各ダイボンディング層２３１，２３２は、たとえばはんだである。この他、各ダイボンディング層２３１，２３２は、焼結金属でもよい。

　ダイボンディング層２３１は、図８および図９に示すように、第１ダイパッド１０Ａの主面１０１と第１素子２１の裏面電極２１３との間に介在する。ダイボンディング層２３１は、第１ダイパッド１０Ａの主面１０１と、第１素子２１の裏面電極２１３とを接合する。これにより、第１素子２１の裏面電極２１３は、第１ダイパッド１０Ａに導通する。

　ダイボンディング層２３２は、図８および図１０に示すように、第２ダイパッド１０Ｂの主面１０１と第２素子２２の裏面電極２２３との間に介在する。ダイボンディング層２３２は、第２ダイパッド１０Ｂの主面１０１と第２素子２２の裏面電極２２３とを接合する。これにより、第２素子２２の裏面電極２２３は、第２ダイパッド１０Ｂに導通する。

　複数の端子リード１３は、図３に示すように、第１方向ｙにおいて第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂに対して第２端面１１２が向く側とは反対側に位置する。複数の端子リード１３の少なくともいずれかは、第１素子２１または第２素子２２のいずれかに導通している。複数の端子リード１３は、第２方向ｘに沿って配列されている。複数の端子リード１３は、第１端子リード１４、第２端子リード１５、第３端子リード１６、第４端子リード１７１、第５端子リード１８１、第６端子リード１７２および第７端子リード１８２を含む。

　第１端子リード１４は、図３に示すように、第１方向ｙにおいて第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂから離れている。第１端子リード１４は、第２方向ｘにおいて第２端子リード１５と第３端子リード１６との間に位置する。第１端子リード１４は、第１方向ｙに沿って延びている。第１端子リード１４は、第１素子２１の主面電極２１１（アノード電極）および第２素子２２の主面電極２２１（アノード電極）に導通している。

　第１端子リード１４は、第１インナー部１４Ａおよび第１アウター部１４Ｂを含む。図３に示すように、第１インナー部１４Ａは、封止樹脂５０に覆われている。図３に示すように、第１アウター部１４Ｂは、第１インナー部１４Ａに繋がり、且つ封止樹脂５０の第３側面５５から露出している。第１アウター部１４Ｂは、第１方向ｙにおいて第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂから遠ざかる側に延びている。第１アウター部１４Ｂの表面には、たとえば錫めっきが施されている。

　第１アウター部１４Ｂは、図３に示すように、第１基端部１４１および第１先端部１４２を含む。第１基端部１４１は、第３側面５５から第１方向ｙに延びる。第１先端部１４２は、第１基端部１４１から第１方向ｙに延びる。図示された例では、第１先端部１４２の幅（第２方向ｘに沿う寸法）は、第１基端部１４１の幅（第２方向ｘに沿う寸法）よりも小さい。

　第２端子リード１５は、図３に示すように、第１方向ｙに沿って延びる部分を含むとともに、第１ダイパッド１０Ａに繋がっている。このため、第２端子リード１５は、第１ダイパッド１０Ａを介して、第１素子２１の裏面電極２１３（カソード電極）に導通する。

　第２端子リード１５は、図３に示すように、第２インナー部１５Ａおよび第２アウター部１５Ｂを含む。図３に示すように、第２インナー部１５Ａは、第１ダイパッド１０Ａの第３端面１１３に繋がっており、かつ封止樹脂５０に覆われている。第２方向ｘに沿って見て、第２インナー部１５Ａは、屈曲している。図２、図３、図５および図６に示すように、第２アウター部１５Ｂは、第２インナー部１５Ａに繋がり、かつ封止樹脂５０の第３側面５５から露出している。第２アウター部１５Ｂは、第１方向ｙにおいて第１ダイパッド１０Ａから遠ざかる側に延びている。第２アウター部１５Ｂは、第１アウター部１４Ｂに対して第２方向ｘの一方側に隣接する。第２アウター部１５Ｂの表面には、たとえば錫めっきが施されている。

　第２アウター部１５Ｂは、図３に示すように、第２基端部１５１および第２先端部１５２を含む。第２基端部１５１は、第３側面５５から第１方向ｙに延びる。第２先端部１５２は、第２基端部１５１から第１方向ｙに延びる。図示された例では、第２先端部１５２の幅（第２方向ｘに沿う寸法）は、第２基端部１５１の幅（第２方向ｘに沿う寸法）よりも小さい。

　第３端子リード１６は、図３に示すように、第１方向ｙに沿って延びる部分を含むとともに、第２ダイパッド１０Ｂに繋がっている。このため、第３端子リード１６は、第２ダイパッド１０Ｂを介して第２素子２２の裏面電極２２３（カソード電極）に導通する。

　第３端子リード１６は、図３に示すように、第３インナー部１６Ａおよび第３アウター部１６Ｂを含む。第３インナー部１６Ａは、第２ダイパッド１０Ｂの第３端面１１３に繋がり、かつ封止樹脂５０に覆われている。第２方向ｘに沿って見て、第３インナー部１６Ａは、第２端子リード１５の第２インナー部１５Ａと同様に屈曲している。図３に示すように、第３アウター部１６Ｂは、第３インナー部１６Ａに繋がり、かつ封止樹脂５０の第３側面５５から露出している。第３アウター部１６Ｂは、第１方向ｙにおいて第２ダイパッド１０Ｂから遠ざかる側に延びている。第３アウター部１６Ｂは、第１アウター部１４Ｂに対して第２方向ｘの他方側に隣接する。第３アウター部１６Ｂの表面には、たとえば錫めっきが施されている。

　第３アウター部１６Ｂは、図３に示すように、第３基端部１６１および第３先端部１６２を含む。第３基端部１６１は、第３側面５５から第１方向ｙに延びる。第３先端部１６２は、第３基端部１６１から第１方向ｙに延びる。図示された例では、第３先端部１６２の幅（第２方向ｘに沿う寸法）は、第３基端部１６１の幅（第２方向ｘに沿う寸法）よりも小さい。

　第４端子リード１７１は、図３に示すように、第１方向ｙにおいて第１ダイパッド１０Ａから離れている。第４端子リード１７１は、複数の端子リード１３のうち、最も第２方向ｘの一方側に位置する。第４端子リード１７１は、第１素子２１の主面電極２１１（アノード電極）に導通している。

　第４端子リード１７１は、図３に示すように、第４インナー部１７１Ａおよび第４アウター部１７１Ｂを含む。第４インナー部１７１Ａは、封止樹脂５０に覆われている。図３に示すように、第４アウター部１７１Ｂは、第４インナー部１７１Ａに繋がり、かつ封止樹脂５０の第３側面５５から露出している。第４アウター部１７１Ｂは、第１方向ｙにおいて第１ダイパッド１０Ａから遠ざかる側に延びている。第４アウター部１７１Ｂの表面には、たとえば錫めっきが施されている。

　第４アウター部１７１Ｂは、図３に示すように、第４基端部１７１１および第４先端部１７１２を含む。第４基端部１７１１は、第３側面５５から第１方向ｙに延びる。第４先端部１７１２は、第４基端部１７１１から第１方向ｙに延びる。図示された例では、第４先端部１７１２の幅（第２方向ｘに沿う寸法）は、第４基端部１７１１の幅（第２方向ｘに沿う寸法）よりも小さい。

　第５端子リード１８１は、図３に示すように、第１方向ｙにおいて第１ダイパッド１０Ａから離れている。第５端子リード１８１は、第２方向ｘにおいて第２端子リード１５と第４端子リード１７１との間に位置する。第５端子リード１８１は、第１素子２１の主面電極２１１（アノード電極）に導通している。

　第５端子リード１８１は、図３に示すように、第５インナー部１８１Ａおよび第５アウター部１８１Ｂを含む。第５インナー部１８１Ａは、封止樹脂５０に覆われている。図３に示すように、第５アウター部１８１Ｂは、第５インナー部１８１Ａに繋がり、かつ封止樹脂５０の第３側面５５から露出している。第５アウター部１８１Ｂは、第１方向ｙにおいて第１ダイパッド１０Ａから遠ざかる側に延びている。第５アウター部１８１Ｂの表面には、たとえば錫めっきが施されている。

　第５端子リード１８１は、図３に示すように、第５基端部１８１１および第５先端部１８１２を含む。第５基端部１８１１は、第３側面５５から第１方向ｙに延びる。第５先端部１８１２は、第５基端部１８１１から第１方向ｙに延びる。図示された例では、第５先端部１８１２の幅（第２方向ｘに沿う寸法）は、第５基端部１８１１の幅（第２方向ｘに沿う寸法）と同じ（あるいは略同じ）である。この例とは異なり、第５基端部１８１１の幅と第５先端部１８１２の幅とは、異なっていてもよい。

　第６端子リード１７２は、図３に示すように、第１方向ｙにおいて第２ダイパッド１０Ｂから離れている。第６端子リード１７２は、複数の端子リード１３のうち、最も第２方向ｘの他方側に位置する。第６端子リード１７２は、第２素子２２の主面電極２２２（アノード電極）に導通している。

　第６端子リード１７２は、図３に示すように、第６インナー部１７２Ａおよび第６アウター部１７２Ｂを含む。第６インナー部１７２Ａは、封止樹脂５０に覆われている。図３に示すように、第６アウター部１７２Ｂは、第６インナー部１７２Ａに繋がり、かつ封止樹脂５０から露出している。第６アウター部１７２Ｂは、第１方向ｙにおいて第２ダイパッド１０Ｂから遠ざかる側に延びている。第６アウター部１７２Ｂの表面には、たとえば錫めっきが施されている。

　第６端子リード１７２は、図３に示すように、第６基端部１７２１および第６先端部１７２２を含む。第６基端部１７２１は、第３側面５５から第１方向ｙに延びる。第６先端部１７２２は、第６基端部１７２１から第１方向ｙに延びる。図示された例では、第６先端部１７２２の幅（第２方向ｘに沿う寸法）は、第６基端部１７２１の幅（第２方向ｘに沿う寸法）よりも小さい。

　第７端子リード１８２は、図３に示すように、第１方向ｙにおいて第２ダイパッド１０Ｂから離れている。第７端子リード１８２は、第２方向ｘにおいて第３端子リード１６と第６端子リード１７２との間に位置する。第７端子リード１８２は、第２素子２２の主面電極２２１（アノード電極）に導通している。

　第７端子リード１８２は、図３に示すように、第７インナー部１８２Ａおよび第７アウター部１８２Ｂを含む。第７インナー部１８２Ａは、封止樹脂５０に覆われている。図３に示すように、第７アウター部１８２Ｂは、第７インナー部１８２Ａに繋がり、かつ封止樹脂５０の第３側面５５から露出している。第７アウター部１８２Ｂは、第１方向ｙにおいて第２ダイパッド１０Ｂから遠ざかる側に延びている。第７アウター部１８２Ｂの表面には、たとえば錫めっきが施されている。

　第７端子リード１８２は、図３に示すように、第７基端部１８２１および第７先端部１８２２を含む。第７基端部１８２１は、第３側面５５から第１方向ｙに延びる。第７先端部１８２２は、第７基端部１８２１から第１方向ｙに延びる。図示された例では、第７先端部１８２２の幅（第２方向ｘに沿う寸法）は、第７基端部１８２１の幅（第２方向ｘに沿う寸法）と同じ（あるいは略同じ）である。この例とは異なり、第７基端部１８２１の幅と第７先端部１８２２の幅とは、異なっていてもよい。

　図５に示すように、半導体装置Ａ１０において、第１アウター部１４Ｂ、第２アウター部１５Ｂ、第３アウター部１６Ｂ、第４アウター部１７１Ｂ、第５アウター部１８１Ｂ、第６アウター部１７２Ｂおよび第７アウター部１８２Ｂの各高さｈは、いずれも同一である。さらに、これらの各厚さは、いずれも同一である。このため、第２方向ｘに沿って視て、第１アウター部１４Ｂ、第２アウター部１５Ｂ、第３アウター部１６Ｂ、第４アウター部１７１Ｂ、第５アウター部１８１Ｂ、第６アウター部１７２Ｂおよび第７アウター部１８２Ｂが、互いに重なる（図６参照）。

　第１連結バー１９１は、図２および図３に示すように、封止樹脂５０から離れている。第１連結バー１９１は、第２方向ｘにおいて第１アウター部１４Ｂと第２アウター部１５Ｂとに挟まれている。第１連結バー１９１は、第１アウター部１４Ｂおよび第２アウター部１５Ｂと一体的に形成されている。図３に示すように、第１連結バー１９１は、第１アウター部１４Ｂのうちの第１基端部１４１に繋がり、且つ第２アウター部１５Ｂのうちの第２基端部１５１に繋がる。このような構成により、第１先端部１４２と第２先端部１５２とは、第１連結バー１９１よりも第１方向ｙの一方側に延びる。

　第２連結バー１９２は、図２および図３に示すように、封止樹脂５０から離れている。第２連結バー１９２は、第２方向ｘにおいて第１アウター部１４Ｂと第３アウター部１６Ｂとに挟まれている。第２連結バー１９２は、第１アウター部１４Ｂおよび第３アウター部１６Ｂと一体的に形成されている。図３に示すように、第２連結バー１９２は、第１アウター部１４Ｂのうちの第１基端部１４１に繋がり、且つ第３アウター部１６Ｂのうちの第３基端部１６１に繋がる。このような構成により、第１先端部１４２と第３先端部１６２とは、第２連結バー１９２よりも第１方向ｙの一方側に延びる。第２連結バー１９２は、第２方向ｘに沿って見て、第１連結バー１９１に重なる。

　第３連結バー１９３は、図２および図３に示すように、封止樹脂５０から離れている。第３連結バー１９３は、第２方向ｘにおいて第４アウター部１７１Ｂと第５アウター部１８１Ｂとに挟まれている。第３連結バー１９３は、第４アウター部１７１Ｂおよび第５アウター部１８１Ｂと一体的に形成されている。図３に示すように、第３連結バー１９３は、第４アウター部１７１Ｂのうちの第４基端部１７１１に繋がり、且つ、第５アウター部１８１Ｂの第５基端部１８１１に繋がる。このような構成により、第４先端部１７１２と第５先端部１８１２とは、第３連結バー１９３よりも第１方向ｙの一方側に延びる。第３連結バー１９３は、第２方向ｘに沿って見て、第１連結バー１９１および第２連結バー１９２の各々に重なる。

　第４連結バー１９４は、図３に示すように、封止樹脂５０から離れている。第４連結バー１９４は、第２方向ｘにおいて、第６アウター部１７２Ｂと第７アウター部１８２Ｂとに挟まれている。第４連結バー１９４は、第６アウター部１７２Ｂおよび第７アウター部１８２Ｂと一体的に形成されている。図３に示すように、第４連結バー１９４は、第６アウター部１７２Ｂのうちの第６基端部１７２１に繋がり、且つ、第７アウター部１８２Ｂの第７基端部１８２１に繋がる。このような構成により、第６先端部１７２２と第７先端部１８２２とは、第４連結バー１９４よりも第１方向ｙの一方側に延びる。第４連結バー１９４は、第２方向ｘに沿って見て、第１連結バー１９１、第２連結バー１９２および第３連結バー１９３の各々に重なる。

　第１導通部３１は、図３に示すように、第１素子２１の主面電極２１１と、第４端子リード１７１と、第５端子リード１８１とを互いに導通させる。第１導通部３１は、金属製の板材である。第１導通部３１は、金属クリップである。第１導通部３１の組成は、たとえば銅を含む。第１導通部３１は、封止樹脂５０に覆われている。第１導通部３１は、３つの接合部３１１，３１２，３１３および２つの連結部３１４，３１５を含む。

　接合部３１１は、図３、図８および図９に示すように、第１素子２１の主面電極２１１に接合されている。図示された例では、接合部３１１は、平面視矩形状である。平面視における接合部３１１の面積は、たとえば、平面視における主面電極２１１の面積の１０％以上１００％以下である。

　接合部３１２は、図３に示すように、第４端子リード１７１の第４インナー部１７１Ａに接合されている。図示された例では、接合部３１２は、平面視矩形状である。

　接合部３１３は、図３および図１１に示すように、第５端子リード１８１の第５インナー部１８１Ａに接合されている。図示された例では、接合部３１３は、平面視矩形状である。

　連結部３１４は、図３に示すように、接合部３１１と接合部３１２とに繋がる。連結部３１４は、平面視において帯状である。連結部３１４は、平面視において、接合部３１１から接合部３１２まで直線状に延びる。連結部３１４のうち、接合部３１１に繋がる側の端部および接合部３１２に繋がる側の端部はそれぞれ、厚さ方向ｚ下方に屈曲する。

　連結部３１５は、図３および図１１に示すように、接合部３１１と接合部３１３とに繋がる。連結部３１５は、平面視において帯状である。連結部３１５は、接合部３１１から接合部３１３まで直線状に延びる。連結部３１５のうち、接合部３１１に繋がる側の端部および接合部３１３に繋がる側の端部はそれぞれ、厚さ方向ｚ下方に屈曲する。

　本実施形態では、主面電極２１１の上面と第４インナー部１７１Ａの上面および第５インナー部１８１Ａの上面とが厚さ方向ｚにおいて異なる高さに配置されているため、２つの連結部３１４，３１５はそれぞれ、先述の通り、屈曲した部位を有している。この構成とは異なり、次のような場合において、２つの連結部３１４，３１５の各々は、厚さ方向ｚに屈曲した部位を有していなくてもよい。第１に、３つの接合部３１１，３１２，３１３の各厚さ（厚さ方向ｚ寸法）を調整すれば、２つの連結部３１４，３１５はそれぞれ、厚さ方向ｚに屈曲した部位を有していなくてもよい。第２に、主面電極２１１と第４インナー部１７１Ａおよび第５インナー部１８１Ａとが厚さ方向ｚにおいて同じ高さに配置されていれば、２つの連結部３１４，３１５はそれぞれ、厚さ方向ｚに屈曲した部位を有していなくてもよい。第２の例においては、第１導通部３１は、平板となる。

　第２導通部３２は、図３に示すように、第２素子２２の主面電極２２１と、第６端子リード１７２と、第７端子リード１８２とを互いに導通させる。第２導通部３２は、金属製の板材である。第２導通部３２は、金属クリップである。第２導通部３２の組成は、たとえば銅を含む。第２導通部３２は、封止樹脂５０に覆われている。第２導通部３２は、３つの接合部３２１，３２２，３２３および２つの連結部３２４，３２５を含む。

　接合部３２１は、図３、図８および図１０に示すように、第２素子２２の主面電極２２１に接合されている。図示された例では、接合部３２１は、平面視矩形状である。平面視における接合部３２１の面積は、たとえば、平面視における主面電極２２２の面積の１０％以上１００％以下である。

　接合部３２２は、図３に示すように、第６端子リード１７２の第６インナー部１７２Ａに接合されている。図示された例では、接合部３２２は、平面視矩形状である。

　接合部３２３は、図３および図１２に示すように、第７端子リード１８２の第７インナー部１８２Ａに接合されている。図示された例では、接合部３２３は、平面視矩形状である。

　連結部３２４は、図３に示すように、接合部３２１と接合部３２２とに繋がる。連結部３２４は、平面視において帯状である。連結部３２４は、平面視において接合部３２１から接合部３２２まで直線状に延びる。連結部３２４のうち、接合部３２１に繋がる側の端部および接合部３２２に繋がる側の端部はそれぞれ、厚さ方向ｚ下方に屈曲する。

　連結部３２５は、図３および図１２に示すように、接合部３２１と接合部３２３とに繋がる。連結部３２５は、平面視において帯状である。連結部３２５は、平面視において、接合部３２１から接合部３２３まで直線状に延びる。連結部３２５のうち、接合部３２１に繋がる側の端部および接合部３２３に繋がる側の端部はそれぞれ、厚さ方向ｚ下方に屈曲する。

　本実施形態では、主面電極２２１の上面と第６インナー部１７２Ａの上面および第７インナー部１８２Ａの上面とが、厚さ方向ｚにおいて異なる高さに配置されているため、２つの連結部３２４，３２５はそれぞれ、先述の通り、屈曲した部位を有している。この構成とは異なり、次のような場合において、２つの連結部３２４，３２５はそれぞれ、厚さ方向ｚに屈曲した部位を有しない構成となる。第１に、３つの接合部３２１，３２２，３２３の厚さ（厚さ方向ｚ寸法）を調整すれば、２つの連結部３２４，３２５はそれぞれ、厚さ方向ｚに屈曲した部位を有していなくてもよい。第２に、主面電極２２１の上面と第６インナー部１７２Ａの上面および第７インナー部１８２Ａの上面とが厚さ方向ｚにおいて同じ高さに配置されていれば、２つの連結部３２４，３２５はそれぞれ、厚さ方向ｚに屈曲した部位を有していなくてもよい。当該第２の例においては、第２導通部３２は、平板となる。

　半導体装置Ａ１０は、図３および図８～図１２に示すように、複数の接合層３９１，３９２，３９３，３９４をさらに備える。複数の接合層３９１，３９２，３９３，３９４はそれぞれ、導電性である。複数の接合層３９１，３９２，３９３，３９４はそれぞれ、たとえばはんだであるが、焼結金属でもよい。

　図３、図８および図９に示すように、接合層３９１は、第１素子２１の主面電極２１１と、第１導通部３１の接合部３１１との間に介在する。接合層３９１は、主面電極２１１と接合部３１１とを導通接合する。

　図３、図８および図１０に示すように、接合層３９２は、第２素子２２の主面電極２２１と、第２導通部３２の接合部３２１との間に介在する。接合層３９２は、主面電極２２１と接合部３２１とを導通接合する。

　図３に示すように、２つの接合層３９３の一方は、第１導通部３１の接合部３１２と第４インナー部１７１Ａとの間に介在する。当該接合層３９３は、接合部３１２と第４インナー部１７１Ａとを導通接合する。図３および図１１に示すように、２つの接合層３９３の他方は、第１導通部３１の接合部３１３と第５インナー部１８１Ａとの間に介在する。当該接合層３９３は、接合部３１３と第５インナー部１８１Ａとを導通接合する。

　図３に示すように、２つの接合層３９４の一方は、第２導通部３２の接合部３２２と第６インナー部１７２Ａとの間に介在する。当該接合層３９４は、接合部３２２と第６インナー部１７２Ａとを導通接合する。図３および図１２に示すように、２つの接合層３９４の他方は、第２導通部３２の接合部３２３と第７インナー部１８２Ａとの間に介在する。当該接合層３９４は、接合部３２３と第７インナー部１８２Ａとを導通接合する。

　本実施形態では、接合部３１１の厚さｔ１（図９参照）は、０．１ｍｍ以上、かつ接合層３９１の最大厚さＴ１max（図９参照）の２倍以下である。接合層３９１の最大厚さＴ１maxは、第１素子２１の厚さよりも大きい。また、接合部３２１の厚さｔ２（図１０参照）は、０．１ｍｍ以上、かつ接合層３９２の最大厚さＴ２max（図１０参照）の２倍以下である。接合層３９２の最大厚さＴ２maxは、第２素子２２の厚さよりも大きい。なお、たとえば、接合部３１１の厚さｔ１および接合部３２１の厚さｔ２は、同じ値である。

　半導体装置Ａ１０では、第１アウター部１４Ｂ、第２アウター部１５Ｂ、第３アウター部１６Ｂ、第４アウター部１７１Ｂ、第５アウター部１８１Ｂ、第６アウター部１７２Ｂおよび第７アウター部１８２Ｂはそれぞれ、半導体装置Ａ１０を回路基板に実装するための実装端子である。第１アウター部１４Ｂ、第２アウター部１５Ｂおよび第３アウター部１６Ｂは、第１素子２１の裏面電極２１３および第２素子２２の裏面電極２２３の両方に導通する実装端子である。第４アウター部１７１Ｂおよび第５アウター部１８１Ｂはそれぞれ、第１素子２１の主面電極２１１に導通する実装端子である。第６アウター部１７２Ｂおよび第７アウター部１８２Ｂはそれぞれ、第２素子２２の主面電極２２１に導通する実装端子である。

　図３に示すように、第１インナー部１４Ａは、第１素子２１の裏面電極２１３および第２素子２２の裏面電極２２３との導通において、第１アウター部１４Ｂを介する。すなわち、第１インナー部１４Ａは、第１アウター部１４Ｂを介して、裏面電極２１３および裏面電極２２３の各々に導通する。具体的には、第１インナー部１４Ａは、第１アウター部１４Ｂ、第１連結バー１９１、第２アウター部１５Ｂ、第２インナー部１５Ａ、および、第１ダイパッド１０Ａを介して、第１素子２１の裏面電極２１３に導通する。また、第１インナー部１４Ａは、第１アウター部１４Ｂ、第２連結バー１９２、第３アウター部１６Ｂ、第３インナー部１６Ａ、および、第２ダイパッド１０Ｂを介して、第２素子２２の裏面電極２２３に導通する。この構成では、第１インナー部１４Ａから裏面電極２１３および裏面電極２２３の各々に至る導通経路は、封止樹脂５０の内方だけでは繋がっておらず、封止樹脂５０の外方を通る。

　図３に示すように、第２インナー部１５Ａは、第１素子２１の裏面電極２１３との導通において、第２アウター部１５Ｂを介さない。すなわち、第２インナー部１５Ａは、第２アウター部１５Ｂを介することなく、第１素子２１の裏面電極２１３に導通する。具体的には、第２インナー部１５Ａは、第１ダイパッド１０Ａを介して、第１素子２１の裏面電極２１３に導通する。一方で、第２インナー部１５Ａは、第２素子２２の裏面電極２２３との導通において、第２アウター部１５Ｂを介する。すなわち、第２インナー部１５Ａは、第２アウター部１５Ｂを介して、第２素子２２の裏面電極２２３に導通する。具体的には、第２インナー部１５Ａは、第２アウター部１５Ｂ、第１連結バー１９１、第１アウター部１４Ｂ、第２連結バー１９２、第３アウター部１６Ｂ、第３インナー部１６Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂを介して、第２素子２２の裏面電極２２３に導通する。この構成では、第２インナー部１５Ａから裏面電極２１３に至る導通経路は、封止樹脂５０の内方だけで繋がる。一方で、第２インナー部１５Ａから裏面電極２２３に至る導通経路は、封止樹脂５０の内方だけで繋がっておらず、封止樹脂５０の外方を通る。

　図３に示すように、第３インナー部１６Ａは、第２素子２２の裏面電極２２３との導通において、第３アウター部１６Ｂを介さない。すなわち、第３インナー部１６Ａは、第３アウター部１６Ｂを介することなく、第２素子２２の裏面電極２２３に導通する。具体的には、第３インナー部１６Ａは、第２ダイパッド１０Ｂを介して、第２素子２２の裏面電極２２３に導通する。一方で、第３インナー部１６Ａは、第１素子２１の裏面電極２１３との導通において、第３アウター部１６Ｂを介する。すなわち、第３インナー部１６Ａは、第３アウター部１６Ｂを介して、第１素子２１の裏面電極２１３に導通する。具体的には、第３インナー部１６Ａは、第３アウター部１６Ｂ、第２連結バー１９２、第１アウター部１４Ｂ、第１連結バー１９１、第２アウター部１５Ｂ、第２インナー部１５Ａおよび第１ダイパッド１０Ａを介して、第１素子２１の裏面電極２１３に導通する。この構成では、第３インナー部１６Ａから裏面電極２１３に至る導通経路は、封止樹脂５０の内方だけで繋がっておらず、封止樹脂５０の外方を通る。一方で、第３インナー部１６Ａから裏面電極２２３に至る導通経路は、封止樹脂５０の内方だけで繋がる。

　図３に示すように、第４インナー部１７１Ａと第１素子２１の主面電極２１１との導通において、半導体装置Ａ１０は、第４アウター部１７１Ｂを介さない経路を有する。この経路において、第４インナー部１７１Ａは、第１導通部３１の一部（接合部３１２、連結部３１４および接合部３１１）を介して、主面電極２１１に導通する。さらに、図３に示すように、第４インナー部１７１Ａと第１素子２１の主面電極２１１との導通において、半導体装置Ａ１０は、第４アウター部１７１Ｂを介する経路も有する。この経路において、第４インナー部１７１Ａは、第４アウター部１７１Ｂ、第３連結バー１９３、第５アウター部１８１Ｂ、第５インナー部１８１Ａ、および、第１導通部３１の一部（接合部３１３、連結部３１５および接合部３１１）を介して、主面電極２１１に導通する。

　図３に示すように、第５インナー部１８１Ａと第１素子２１の主面電極２１１との導通において、半導体装置Ａ１０は、第５アウター部１８１Ｂを介さない経路を有する。この経路において、第５インナー部１８１Ａは、第１導通部３１の一部（接合部３１３、連結部３１５および接合部３１１）を介して、主面電極２１１に導通する。さらに、図３に示すように、第５インナー部１８１Ａと第１素子２１の主面電極２１１との導通において、半導体装置Ａ１０は、第５アウター部１８１Ｂを介する経路も有する。この経路において、第５インナー部１８１Ａは、第５アウター部１８１Ｂ、第３連結バー１９３、第４アウター部１７１Ｂ、第４インナー部１７１Ａ、および、第１導通部３１の一部（接合部３１２、連結部３１４および接合部３１１）を介して、主面電極２１１に導通する。

　図３に示すように、第６インナー部１７２Ａと第２素子２２の主面電極２２１との導通において、半導体装置Ａ１０は、第６アウター部１７２Ｂを介さない経路を有する。この経路において、第６インナー部１７２Ａは、第２導通部３２の一部（接合部３２２、連結部３２４および接合部３２１）を介して、主面電極２２１に導通する。さらに、図３に示すように、第６インナー部１７２Ａと第２素子２２の主面電極２２１との導通において、半導体装置Ａ１０は、第６アウター部１７２Ｂを介する経路も有する。この経路において、第６インナー部１７２Ａは、第６アウター部１７２Ｂ、第４連結バー１９４、第７アウター部１８２Ｂ、第７インナー部１８２Ａ、および、第２導通部３２の一部（接合部３２３、連結部３２５および接合部３２１）を介して、主面電極２２１に導通する。

　図３に示すように、第７インナー部１８２Ａと第２素子２２の主面電極２２１との導通において、半導体装置Ａ１０は、第７アウター部１８２Ｂを介さない経路を有する。この経路において、第７インナー部１８２Ａは、第２導通部３２の一部（接合部３２３、連結部３２５および接合部３２１）を介して、主面電極２２１に導通する。さらに、図３に示すように、第７インナー部１８２Ａと第２素子２２の主面電極２２１との導通において、半導体装置Ａ１０は、第７アウター部１８２Ｂを介する経路も有する。この経路において、第７インナー部１８２Ａは、第７アウター部１８２Ｂ、第４連結バー１９４、第６アウター部１７２Ｂ、第６インナー部１７２Ａ、および、第２導通部３２の一部（接合部３２２、連結部３２４および接合部３２１）を介して、主面電極２２１に導通する。

　以上のように構成された半導体装置Ａ１０では、図１７に示すように、第１素子２１の裏面電極２１３と第２素子２２の裏面電極２２３とが、互いに電気的に接続されている。よって、本実施形態では、半導体装置Ａ１０は、２つのダイオードのカソード電極が共通に接続された回路（カソードコモン接続された回路）を構成する。

　第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０の作用および効果は、次の通りである。

　半導体装置Ａ１０は、第１端子リード１４、第２端子リード１５、第１連結バー１９１および封止樹脂５０を備える。封止樹脂５０は、第３側面５５を有する。第１端子リード１４は、第３側面５５から突き出した第１アウター部１４Ｂを含み、第２端子リード１５は、第３側面５５から突き出した第２アウター部１５Ｂを含む。第１連結バー１９１は、第１アウター部１４Ｂと第２アウター部１５Ｂとに一体的に繋がっている。図１８は、半導体装置Ａ１０の製造過程の一工程を示している。図１８に示す状態では、製造途中の複数の半導体装置Ａ１０が、タイバー９９で互いに繋がっている。図１８に示す状態において、タイバー９９のうち、ハッチング（ドット描画）で示した部分を切断することで、半導体装置Ａ１０が製造される。よって、第１連結バー１９１は、タイバー９９の一部が残存したものである。したがって、半導体装置Ａ１０は、第１端子リード１４と第２端子リード１５とを電気的に接続する上で、タイバー９９を有効に利用することができる。

　半導体装置Ａ１０は、さらに、第３端子リード１６および第２連結バー１９２を備える。第３端子リード１６は、第３側面５５から突き出した第３アウター部１６Ｂを含む。第２連結バー１９２は、第１アウター部１４Ｂと第３アウター部１６Ｂとに一体的に繋がっている。図１８から理解されるように、第２連結バー１９２は、タイバー９９の一部が残存したものである。したがって、半導体装置Ａ１０は、第１端子リード１４と第３端子リード１６とを電気的に接続する上で、タイバー９９を有効に利用することができる。

　半導体装置Ａ１０は、第４端子リード１７１、第５端子リード１８１および第３連結バー１９３を備える。第４端子リード１７１は、第３側面５５から突き出した第４アウター部１７１Ｂを含み、第５端子リード１８１は、第３側面５５から突き出した第５アウター部１８１Ｂを含む。第３連結バー１９３は、第４アウター部１７１Ｂと第５アウター部１８１Ｂとに一体的に繋がっている。図１８から理解されるように、第３連結バー１９３は、タイバー９９の一部が残存したものである。したがって、半導体装置Ａ１０は、第４端子リード１７１と第５端子リード１８１とを電気的に接続する上で、タイバー９９を有効に利用することができる。

　半導体装置Ａ１０は、第６端子リード１７２、第７端子リード１８２および第４連結バー１９４を備える。第６端子リード１７２は、第３側面５５から突き出した第６アウター部１７２Ｂを含み、第７端子リード１８２は、第３側面５５から突き出した第７アウター部１８２Ｂを含む。第４連結バー１９４は、第６アウター部１７２Ｂと第７アウター部１８２Ｂとに一体的に繋がっている。図１８から理解されるように、第４連結バー１９４は、タイバー９９の一部が残存したものである。したがって、半導体装置Ａ１０は、第６端子リード１７２と第７端子リード１８２とを電気的に接続する上で、タイバー９９を有効に利用することができる。

　半導体装置Ａ１０では、半導体素子２０は、第１素子２１および第２素子２２を含む。第１素子２１および第２素子２２は、封止樹脂５０に覆われている。この構成によれば、半導体装置Ａ１０は、第１素子２１および第２素子２２が１つの封止樹脂５０により１パッケージ化されている。したがって、半導体装置Ａ１０は、当該半導体装置Ａ１０を実装する回路基板への実装面積を削減することが可能となる。

　半導体装置Ａ１０では、第１端子リード１４、第２端子リード１５および第３端子リード１６は、第１素子２１の裏面電極２１３と第２素子２２の裏面電極２２３とに導通する。この構成によれば、第１端子リード１４、第２端子リード１５および第３端子リード１６は、第１素子２１の裏面電極２１３と第２素子２２の裏面電極２２３との共通の端子となる。たとえば、第１素子２１および第２素子２２がそれぞれダイオードであり、裏面電極２１３および裏面電極２２３がそれぞれカソード電極である構成において、半導体装置Ａ１０は、カソードコモン接続された回路を構成する。つまり、半導体装置Ａ１０は、２つのダイオードがカソードコモン接続された回路を、１パッケージ化することができる。

　半導体装置Ａ１０では、第４インナー部１７１Ａは、第１導通部３１の一部（接合部３１１、接合部３１２および連結部３１４）により、第１素子２１の主面電極２１１に導通し、第５インナー部１８１Ａは、第１導通部３１の一部（接合部３１１、接合部３１３および連結部３１５）により、第１素子２１の主面電極２１１に導通する。また、第４アウター部１７１Ｂと第５アウター部１８１Ｂとが、第３連結バー１９３によって一体的に形成されている。この構成によれば、接合部３１２または接合部３１３のいずれかが剥離した場合であっても、主面電極２１１と第４端子リード１７１または第５端子リード１８１との導通経路を確保できる。つまり、半導体装置Ａ１０は、導通不良に対する信頼性を向上できる。また、このような構成によれば、第４アウター部１７１Ｂおよび第５アウター部１８１Ｂが、第１素子２１の主面電極２１１に導通する実装端子として利用される。このため、第４アウター部１７１Ｂまたは第５アウター部１８１Ｂのいずれか一方だけが主面電極２１１に導通する実装端子である場合と比較して、半導体装置Ａ１０を回路基板に実装した際に、当該回路基板への接地面積を拡大化できる。したがって、半導体装置Ａ１０は、回路基板への熱の伝達を良好にでき、且つ、回路基板への接合強度を高めることができる。

　半導体装置Ａ１０では、第６インナー部１７２Ａは、第２導通部３２の一部（接合部３２１、接合部３２２および連結部３２４）により、第２素子２２の主面電極２２１に導通し、第７インナー部１８２Ａは、第２導通部３２の一部（接合部３２１、接合部３２３および連結部３２５）により、第２素子２２の主面電極２２１に導通する。また、第６アウター部１７２Ｂと第７アウター部１８２Ｂとが、第４連結バー１９４によって一体的に形成されている。この構成によれば、接合部３２２または接合部３２３のいずれかが剥離した場合であっても、主面電極２２１と第６端子リード１７２または第７端子リード１８２との導通経路を確保できる。つまり、半導体装置Ａ１０は、導通不良に対する信頼性を向上できる。また、このような構成によれば、第６アウター部１７２Ｂおよび第７アウター部１８２Ｂが、第２素子２２の主面電極２２１に導通する実装端子として利用される。このため、第６アウター部１７２Ｂまたは第７アウター部１８２Ｂのいずれか一方だけが主面電極２２１に導通する実装端子である場合と比較して、半導体装置Ａ１０を回路基板に実装した際に、当該回路基板への接地面積を拡大化できる。したがって、半導体装置Ａ１０は、回路基板への熱の伝達を良好にでき、且つ、回路基板への接合強度を高めることができる。

　半導体装置Ａ１０では、封止樹脂５０は、複数の凹部５８１を有する。複数の凹部５８１の各々は、樹脂主面５１から厚さ方向ｚに凹む。複数の凹部５８１は、平面視において、第１ダイパッド１０Ａに重なる。複数の凹部５８１は、上述の通り、半導体装置Ａ１０の製造時において、第１ダイパッド１０Ａを複数のピンで固定することによって形成される痕である。したがって、半導体装置Ａ１０の製造時において、複数のピンで第１ダイパッド１０Ａが押さえられているので、当該製造時に第１ダイパッド１０Ａが揺動することを抑制できる。これにより、第１ダイパッド１０Ａの裏面１０２と封止樹脂５０を形成するための金型との間に隙間が発生することを抑制できるので、封止樹脂５０に樹脂バリが発生することを抑制できる。

　半導体装置Ａ１０では、封止樹脂５０は、複数の凹部５８２を有する。複数の凹部５８２の各々は、樹脂主面５１から厚さ方向ｚに凹む。複数の凹部５８２は、平面視において、第２ダイパッド１０Ｂに重なる。複数の凹部５８２は、上述の通り、半導体装置Ａ１０の製造時において、第２ダイパッド１０Ｂを複数のピンで固定することによって形成される痕である。したがって、半導体装置Ａ１０の製造時において、複数のピンで第２ダイパッド１０Ｂが押さえられているので、当該製造時に第２ダイパッド１０Ｂが揺動することを抑制できる。これにより、第２ダイパッド１０Ｂの裏面１０２と封止樹脂５０を形成するための金型との間に隙間が発生することを抑制できるので、封止樹脂５０に樹脂バリが発生することを抑制できる。

　半導体装置Ａ１０では、平面視における接合部３１１の面積は、平面視における主面電極２１１の面積のたとえば１０％以上１００％以下である。この構成によると、接合部３１１の平面視サイズを、第１素子２１の平面視サイズに応じた適度な大きさにすることができる。したがって、第１素子２１の平面視サイズを変えた場合であっても、接合部３１１と主面電極２１１とを適切に導通させることができる。また、このような構成によると、２つの半導体装置Ａ１０において、第１素子２１の平面視サイズが異なる場合であっても、第１導通部３１の連結部３１４および連結部３１５の各幅を同じにすることが可能となる。この場合、第１導通部３１を搬送する際に、連結部３１４または連結部３１５を搬送用ハンドなどで挟持すれば、搬送用ハンドの調整などが不要となる。つまり、２つの半導体装置Ａ１０において、第１素子２１の平面視サイズが異なる場合であっても、搬送用ハンドなどの搬送装置を共通化することができるので、生産性の向上において好ましい。

　同様に、半導体装置Ａ１０においては、平面視における接合部３２１の面積は、平面視における主面電極２２１の面積のたとえば１０％以上１００％以下である。この構成によると、接合部３２１の平面視サイズを、第２素子２２の平面視サイズに応じた適度な大きさにすることができる。したがって、第２素子２２の平面視サイズを変えた場合であっても、接合部３２１と主面電極２２１とを適切に導通させることができる。また、このような構成によると、２つの半導体装置Ａ１０において第２素子２２の平面視サイズが異なる場合であっても、第２導通部３２の連結部３２４および連結部３２５の各幅を同じにすることが可能となる。この場合、第２導通部３２を搬送する際に、連結部３２４または連結部３２５を搬送用ハンドなどで挟持すれば、搬送用ハンドの調整などが不要となる。つまり、２つの半導体装置Ａ１０において、第２素子２２の平面視サイズが異なる場合であっても、搬送用ハンドなどの搬送装置を共通化することができるので、生産性の向上において好ましい。

　以下に、本開示の半導体装置の他の実施形態および変形例について、説明する。各実施形態および各変形例における各部の構成は、技術的な矛盾が生じない範囲において相互に組み合わせ可能である。

　図１９は、第１実施形態の第１変形例にかかる半導体装置Ａ１１を示している。半導体装置Ａ１１は、半導体装置Ａ１０と比較して、次の点で異なる。第１に、第１導通部３１の形状が異なる。第２に、第２導通部３２の形状が異なる。

　半導体装置Ａ１１の第１導通部３１は、２つの連結部３１４，３１５の代わりに、連結部３１６を含む。連結部３１６は、３つの接合部３１１，３１２，３１３に繋がる。

　図１９に示すように、連結部３１６は、２つの帯状部３１６ａ，３１６ｂを含む。帯状部３１６ａは、第１方向ｙに沿って延びる。帯状部３１６ａは、接合部３１１に繋がる。帯状部３１６ｂは、第２方向ｘに沿って延びる。帯状部３１６ｂは、帯状部３１６ａに繋がる。帯状部３１６ｂは、接合部３１２に繋がるとともに、接合部３１３に繋がる。

　半導体装置Ａ１１の第２導通部３２は、２つの連結部３２４，３２５の代わりに、連結部３２６を含む。連結部３２６は、３つの接合部３２１，３２２，３２３に繋がる。

　図１９に示すように、連結部３２６は、２つの帯状部３２６ａ，３２６ｂを含む。帯状部３２６ａは、第１方向ｙに沿って延びる。帯状部３２６ａは、接合部３２１に繋がる。帯状部３２６ｂは、第２方向ｘに沿って延びる。帯状部３２６ｂは、帯状部３２６ａに繋がる。帯状部３２６ｂは、接合部３２２に繋がるとともに、接合部３２３に繋がる。

　半導体装置Ａ１１は、半導体装置Ａ１０と次の構成で共通する。すなわち、半導体装置Ａ１１においても、第１連結バー１９１は、第１端子リード１４と第２端子リード１５とに一体的に繋がっている。したがって、半導体装置Ａ１１は、タイバーを有効に利用することができる。その他、半導体装置Ａ１１は、半導体装置Ａ１０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同様の効果を奏する。

　また、本変形例から理解されるように、本開示の半導体装置において、第１導通部３１は、第１素子２１の主面電極２１１、第４インナー部１７１Ａおよび第５インナー部１８１Ａを互いに導通させるものであれば、その形状は、何ら限定されない。同様に、第２導通部３２は、第２素子２２の主面電極２２１、第６インナー部１７２Ａおよび第７インナー部１８２Ａを互いに導通させるものであれば、その形状は、何ら限定されない。

　図２０は、第１実施形態の第２変形例にかかる半導体装置Ａ１２を示している。半導体装置Ａ１２は、半導体装置Ａ１０と比較して、次の点で異なる。第１に、半導体装置Ａ１２の第１導通部３１は、接合部３１３および連結部３１５を含んでいない。第２に、半導体装置Ａ１２の第２導通部３２は、接合部３２３および連結部３２５を含んでいない。

　半導体装置Ａ１２の第１導通部３１は、接合部３１３および連結部３１５を含んでいない。この構成では、半導体装置Ａ１２は、第５インナー部１８１Ａと第１素子２１の主面電極２１１との導通において、第５アウター部１８１Ｂを介する経路のみを有する。つまり、第５インナー部１８１Ａから主面電極２１１に至る導通経路は、封止樹脂５０の内方だけで繋がっておらず、封止樹脂５０の外方を通る。

　同様に、半導体装置Ａ１２の第２導通部３２は、接合部３２３および連結部３２５を含んでいない。この構成では、半導体装置Ａ１２は、第７インナー部１８２Ａと第２素子２２の主面電極２２１との導通において、第７アウター部１８２Ｂを介する経路のみを有する。つまり、第７インナー部１８２Ａから主面電極２２１に至る導通経路は、封止樹脂５０の内方だけで繋がっておらず、封止樹脂５０の外方を通る。

　半導体装置Ａ１２は、半導体装置Ａ１０と次の構成で共通する。すなわち、半導体装置Ａ１２においても、第１連結バー１９１は、第１端子リード１４と第２端子リード１５とに一体的に繋がっている。したがって、半導体装置Ａ１１は、タイバーを有効に利用することができる。その他、半導体装置Ａ１２は、各半導体装置Ａ１０，Ａ１１と共通する構成により、当該半導体装置Ａ１０，Ａ１１と同様の効果を奏する。

　また、本変形例から理解されるように、本開示の半導体装置は、次の構成に限定されない。第１に、第４インナー部１７１Ａおよび第５インナー部１８１Ａの両方ともが、封止樹脂５０の内方のみで、第１素子２１の主面電極２１１に導通していなくてもよい。たとえば、主面電極２１１に入力（または出力）される電流に対して、第１導通部３１の許容電流量が十分に確保できる場合には、半導体装置Ａ１２のように、第１導通部３１によって、第４インナー部１７１Ａのみを主面電極２１１に導通させることができる。第２に、第６インナー部１７２Ａおよび第７インナー部１８２Ａの両方ともが、封止樹脂５０の内方のみで、第２素子２２の主面電極２２１に導通していなくてもよい。

　半導体装置Ａ１２では、第１導通部３１は、接合部３１３および連結部３１５を含んでいない例を示した。この例とは異なり、第１導通部３１は、２つの接合部３１１，３１３および連結部３１５を含み、接合部３１２および連結部３１４を含んでいなくてもよい。この場合、第４インナー部１７１Ａから主面電極２１１に至る導通経路は、封止樹脂５０の内方だけで繋がっておらず、封止樹脂５０の外方を通る。また、第２導通部３２は、接合部３２３および連結部３２５を含んでいない例を示した。この例とは異なり、第２導通部３２は、２つの接合部３２１，３２３および連結部３２５を含み、接合部３２２および連結部３２４を含んでいなくてもよい。この場合、第６インナー部１７２Ａから主面電極２２１に至る導通経路は、封止樹脂５０の内方だけで繋がっておらず、封止樹脂５０の外方を通る。

　図２１は、第１実施形態の第３変形例にかかる半導体装置Ａ１３を示している。半導体装置Ａ１３は、半導体装置Ａ１０と比較して、次の点で異なる。第１に、半導体装置Ａ１３は、第１導通部３１の代わりに、第１接続部材４１Ａおよび第２接続部材４２Ａを備える。第２に、半導体装置Ａ１３は、第２導通部３２の代わりに、第１接続部材４１Ｂおよび第２接続部材４２Ｂを備える。

　一対の第１接続部材４１Ａ，４１Ｂおよび一対の第２接続部材４２Ａ，４２Ｂの各々は、たとえばボンディングワイヤである。一対の第１接続部材４１Ａ，４１Ｂおよび一対の第２接続部材４２Ａ，４２Ｂの各組成は、金を含む。この他、一対の第１接続部材４１Ａ，４１Ｂおよび一対の第２接続部材４２Ａ，４２Ｂの各組成は、銅を含む場合でもよいし、アルミニウム（Ａｌ）を含む場合でもよいし、銀を含む場合でもよい。一対の第１接続部材４１Ａ，４１Ｂおよび一対の第２接続部材４２Ａ，４２Ｂの各々はいずれも、ボンディングワイヤではなく、金属クリップ（金属製の板状部材）であってもよい。

　第１接続部材４１Ａは、図２１に示すように、第１素子２１の主面電極２１１と、第４端子リード１７１の第４インナー部１７１Ａとに接合されている。これにより、第４端子リード１７１は、第１素子２１の主面電極２１１に導通する。第２接続部材４２Ａは、図２１に示すように、第１素子２１の主面電極２１１と、第５端子リード１８１の第５インナー部１８１Ａとに接合されている。これにより、第５端子リード１８１は、第１素子２１の主面電極２１１に導通する。

　第１接続部材４１Ｂは、図２１に示すように、第２素子２２の主面電極２２１と、第６端子リード１７２の第６インナー部１７２Ａとに接合されている。これにより、第６端子リード１７２は、第２素子２２の主面電極２２１に導通する。第２接続部材４２Ｂは、図２１に示すように、第２素子２２の主面電極２２１と、第７端子リード１８２の第７インナー部１８２Ａとに接合されている。これにより、第７端子リード１８２は、第２素子２２の主面電極２２１に導通する。

　半導体装置Ａ１３は、半導体装置Ａ１０と次の構成で共通する。すなわち、半導体装置Ａ１３においても、第１連結バー１９１は、第１端子リード１４と第２端子リード１５とに一体的に繋がっている。したがって、半導体装置Ａ１３は、タイバーを有効に利用することができる。その他、半導体装置Ａ１３は、各半導体装置Ａ１０～Ａ１２と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同様の効果を奏する。

　また、本変形例から理解されるように、本開示の半導体装置において、次の構成に限定されない。第１に、第１素子２１の主面電極２１１と、第４インナー部１７１Ａまたは第５インナー部１８１Ａとの導通は、金属クリップ（第１導通部３１）に限定されず、ボンディングワイヤ（第１接続部材４１Ａおよび第２接続部材４２Ａ）であってもよい。第２に、第２素子２２の主面電極２２１と、第６インナー部１７２Ａまたは第７インナー部１８２Ａとの導通は、金属クリップ（第２導通部３２）に限定されず、ボンディングワイヤ（第１接続部材４１Ｂおよび第２接続部材４２Ｂ）であってもよい。

　各半導体装置Ａ１０～Ａ１３では、第１素子２１の主面電極２１１がアノード電極であり、第１素子２１の裏面電極２１３がカソード電極である例を示したが、反対に、主面電極２１１がカソード電極であり、裏面電極２１３がアノード電極であってもよい。同様に、各半導体装置Ａ１０～Ａ１２では、第２素子２２の主面電極２２１がアノード電極であり、第２素子２２の裏面電極２２３がカソード電極である例を示したが、反対に、主面電極２２１がカソード電極であり、裏面電極２２３がアノード電極であってもよい。つまり、第１素子２１および第２素子２２のそれぞれがダイオードである例において、本開示の半導体装置は、カソードコモン接続された回路に限定されず、アノード電極が共通に接続された回路（アノードコモン接続された回路）であってもよいし、２つのダイオードが直列に接続された回路（一方のダイオードのカソード電極と他方のダイオードのアノード電極とが接続された回路）であってもよい。

　図２２～図２５は、第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０を示している。半導体装置Ａ２０は、半導体装置Ａ１０と比較して、次の点で異なる。第１に、半導体装置Ａ２０の第２素子２２は、ダイオードでなくトランジスタである。第２に、半導体装置Ａ２０は、第１導通部３１および第２導通部３２の代わりに、導通部３３を備える。第３に、半導体装置Ａ２０は、第１接続部材４１Ｂおよび第２接続部材４２Ｂをさらに備える。第４に、半導体装置Ａ２０は、第４連結バー１９４を備えていない。

　図示された例では、第２素子２２は、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）であるが、この他、バイポーラトランジスタおよびＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などであってもよい。なお、図２５の回路図においては、第２素子２２の寄生ダイオード成分も図示している。

　半導体装置Ａ２０の第２素子２２は、図２２および図２４に示すように、主面電極２２１および裏面電極２２３の他、主面電極２２２を有する。

　主面電極２２２は、図２４に示すように、主面電極２２１とともに第２主面２２ａに配置される。主面電極２２２には、第２素子２２を駆動するための駆動信号が印加される。第２素子２２がＭＯＳＥＦＴである例において、主面電極２２２は、たとえばゲート電極であり、第２素子２２を駆動するための駆動信号は、ゲート電圧である。平面視において、主面電極２２２の面積は、主面電極２２１の面積よりも小である。主面電極２２１は、複数の金属めっき層を含む。主面電極２２１は、ニッケル（Ｎｉ）めっき層と、当該ニッケルめっき層の上に積層された金（Ａｕ）めっき層を含む。この他、主面電極２２１は、ニッケルめっき層と、当該ニッケルめっき層の上に積層されたパラジウム（Ｐｄ）めっき層と、当該パラジウムめっき層の上に積層された金めっき層を含む場合でもよい。

　本実施形態では、主面電極２２１には、第２素子２２により変換された後の電力に対応する電流が流れ、裏面電極２２３には、第２素子２２により変換される前の電力に対応する電流が流れる。第２素子２２がＭＯＳＦＥＴである例において、主面電極２２１は、たとえばソース電極であり、裏面電極２２３は、たとえばドレイン電極である。

　導通部３３は、図２２に示すように、第１素子２１の主面電極２１１と、第２素子２２の主面電極２２１と、第４端子リード１７１と、第５端子リード１８１とを互いに導通させる。導通部３３は、金属製の板材である。導通部３３は、金属クリップである。導通部３３の組成は、たとえば銅を含む。導通部３３は、封止樹脂５０に覆われている。導通部３３は、４つの接合部３３１，３３２，３３３，３３４および３つの連結部３３５，３３６，３３７を含む。

　接合部３３１は、図２２および図２３に示すように、接合層３９１により、第１素子２１の主面電極２１１に接合されている。図示された例では、接合部３３１は、平面視矩形状である。平面視における接合部３３１の面積は、たとえば、平面視における主面電極２１１の面積の１０％以上１００％以下である。

　接合部３３２は、図２２～図２４に示すように、接合層３９２により、第２素子２２の主面電極２２１に接合されている。図示された例では、接合部３３２は、平面視矩形状である。平面視における接合部３３２の面積は、たとえば、平面視における主面電極２２１の面積の１０％以上１００％以下である。

　接合部３３３は、図２２に示すように、接合層３９３により、第４端子リード１７１の第４インナー部１７１Ａに接合されている。図示された例では、接合部３３３は、平面視矩形状である。

　接合部３３４は、図２２に示すように、接合層３９３により、第５端子リード１８１の第５インナー部１８１Ａに接合されている。図示された例では、接合部３３４は、平面視矩形状である。

　連結部３３５は、図２２および図２３に示すように、接合部３３１と接合部３３２とに繋がる。連結部３３５は、平面視において帯状である。連結部３３５は、平面視において、接合部３３１から接合部３３２まで直線状に延びる。連結部３３５のうち、接合部３３１に繋がる側の端部および接合部３３２に繋がる側の端部はそれぞれ、厚さ方向ｚ下方に屈曲する。

　連結部３３６は、図２２に示すように、接合部３３１と接合部３３３とに繋がる。連結部３３６は、平面視において帯状である。連結部３３６は、接合部３３１から接合部３３３まで直線状に延びる。連結部３３６のうち、接合部３３１に繋がる側の端部および接合部３３３に繋がる側の端部はそれぞれ、厚さ方向ｚ下方に屈曲する。

　連結部３３７は、図２２に示すように、接合部３３１と接合部３３４とに繋がる。連結部３３７は、平面視において帯状である。連結部３３７は、接合部３３１から接合部３３４まで直線状に延びる。連結部３３７のうち、接合部３３１に繋がる側の端部および接合部３３４に繋がる側の端部はそれぞれ、厚さ方向ｚ下方に屈曲する。

　第１接続部材４１Ｂは、図２２に示すように、第２素子２２の主面電極２２２と、第６端子リード１７２の第６インナー部１７２Ａとに接合されている。これにより、第６端子リード１７２は、第２素子２２の主面電極２２２に導通する。半導体装置Ａ２０の第６アウター部１７２Ｂは、たとえば、第２素子２２の駆動信号（ゲート電圧）を入力するための実装端子である。

　第２接続部材４２Ｂは、図２２に示すように、第２素子２２の主面電極２２１と、第７端子リード１８２の第７インナー部１８２Ａとに接合されている。これにより、第７端子リード１８２は、第２素子２２の主面電極２２１に導通する。半導体装置Ａ２０の第７アウター部１８２Ｂは、たとえば、第２素子２２の主面電極２２１に流れる電流（または印加される電圧）を検出するための実装端子である。

　半導体装置Ａ２０では、先述の通り、第６端子リード１７２と第７端子リード１８２とには、異なる電気信号が流れる。つまり、第６端子リード１７２と第７端子リード１８２とは、異なる電位となる。このため、先述の通り、半導体装置Ａ２０は、第４連結バー１９４を備えていない。これにより、第６端子リード１７２と第７端子リード１８２とは、互いに電気的に絶縁されている。

　以上のように構成された半導体装置Ａ２０は、図２５に示すように、第１素子２１の主面電極２１１（アノード電極）と、第２素子２２の主面電極２２１（ソース電極）とが電気的に接続され、且つ、第１素子２１の裏面電極２１３（カソード電極）と、第２素子２２の裏面電極２２３（ドレイン電極）とが、電気的に接続されている。つまり、半導体装置Ａ２０は、ダイオードとＭＯＳＦＥＴとが並列に接続された回路構成となる。

　半導体装置Ａ２０は、半導体装置Ａ１０と次の点で共通する。半導体装置Ａ２０は、第１連結バー１９１を備える。したがって、半導体装置Ａ２０は、タイバーを有効に活用することができる。その他、半導体装置Ａ２０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同様の効果を奏する。なお、半導体装置Ａ２０では、ダイオードとＭＯＳＦＥＴとが並列に接続された回路を、１パッケージ化することができる。

　図２６～図２８は、第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０を示している。半導体装置Ａ３０は、半導体装置Ａ１０と比較して、次の点で異なる。第１に、半導体装置Ａ３０の第１素子２１は、ダイオードではなくトランジスタである。第２に、半導体装置Ａ３０は、第１導通部３１および第２導通部３２の代わりに、導通部３３を備える。第３に、半導体装置Ａ３０は、第１接続部材４１Ａおよび第２接続部材４２Ａをさらに備える。第４に、半導体装置Ａ３０は、第３連結バー１９３を備えていない。

　図示された例では、第１素子２１は、ＭＯＳＦＥＴである。この構成と異なり、第１素子２１は、バイポーラトランジスタおよびＩＧＢＴなどであってもよい。なお、図２８の回路図においては、第１素子２１の寄生ダイオード成分も図示している。

　半導体装置Ａ３０の第１素子２１は、図２６および図２７に示すように、主面電極２１１および裏面電極２１３の他、主面電極２１２を有する。

　主面電極２１２は、図２６および図２７に示すように、主面電極２１１とともに第１主面２１ａに配置される。主面電極２１２には、第１素子２１を駆動するための駆動信号が印加される。第１素子２１がＭＯＳＥＦＴである例において、主面電極２１２は、たとえばゲート電極であり、第１素子２１を駆動するための駆動信号は、ゲート電圧である。平面視において、主面電極２１２の面積は、主面電極２１１の面積よりも小である。主面電極２１１は、複数の金属めっき層を含む。主面電極２１１は、ニッケル（Ｎｉ）めっき層と、当該ニッケルめっき層の上に積層された金（Ａｕ）めっき層を含む。この他、主面電極２２１は、ニッケルめっき層と、当該ニッケルめっき層の上に積層されたパラジウム（Ｐｄ）めっき層と、当該パラジウムめっき層の上に積層された金めっき層を含む場合でもよい。

　本実施形態では、主面電極２１１には、第１素子２１により変換された後の電力に対応する電流が流れ、裏面電極２１３には、第１素子２１により変換される前の電力に対応する電流が流れる。第１素子２１がＭＯＳＦＥＴである例において、主面電極２１１は、たとえばソース電極であり、裏面電極２１３は、たとえばドレイン電極である。

　半導体装置Ａ３０の導通部３３は、図２６に示すように、第１素子２１の主面電極２１１と、第２素子２２の主面電極２２１と、第６端子リード１７２と、第７端子リード１８２とを互いに導通させる。図２６に示すように、当該導通部３３では、接合部３３３は、接合層３９４により、第６端子リード１７２の第６インナー部１７２Ａに接合され、接合部３３４は、接合層３９４により、第７端子リード１８２の第７インナー部１８２Ａに接合されている。

　第１接続部材４１Ａは、図２６に示すように、第１素子２１の主面電極２１２と、第４端子リード１７１の第４インナー部１７１Ａとに接合されている。これにより、第４端子リード１７１は、第１素子２１の主面電極２１２に導通する。半導体装置Ａ３０の第４アウター部１７１Ｂは、第１素子２１の駆動信号（ゲート電圧）を入力するための実装端子である。

　第２接続部材４２Ａは、図２６に示すように、第１素子２１の主面電極２１１と、第５端子リード１８１の第５インナー部１８１Ａとに接合されている。これにより、第５端子リード１８１は、第１素子２１の主面電極２１１に導通する。半導体装置Ａ３０の第５アウター部１８１Ｂは、第１素子２１の主面電極２１１に流れる電流（または印加される電圧）を検出するための実装端子である。

　半導体装置Ａ３０では、先述の通り、第４端子リード１７１と第５端子リード１８１とには、異なる電気信号が流れる。つまり、第４端子リード１７１と第５端子リード１８１とは、異なる電位となる。このため、先述の通り、半導体装置Ａ３０は、第３連結バー１９３を備えていない。これにより、第４端子リード１７１と第５端子リード１８１とは、互いに電気的に絶縁されている。

　以上のように構成された半導体装置Ａ３０は、図２８に示すように、第１素子２１の主面電極２１１（ソース電極）と、第２素子２２の主面電極２２１（アノード電極）とが電気的に接続され、且つ、第１素子２１の裏面電極２１３（ドレイン電極）と、第２素子２２の裏面電極２２３（カソード電極）とが、電気的に接続されている。つまり、半導体装置Ａ３０は、半導体装置Ａ２０と同様に、ダイオードとＭＯＳＦＥＴとが並列に接続された回路構成となる。

　半導体装置Ａ３０は、半導体装置Ａ１０と次の点で共通する。半導体装置Ａ３０は、第１連結バー１９１を備える。したがって、半導体装置Ａ３０は、タイバーを有効に活用することができる。その他、半導体装置Ａ３０は、各半導体装置Ａ１０，Ａ２０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同様の効果を奏する。なお、半導体装置Ａ３０では、半導体装置Ａ２０と同様に、ダイオードとＭＯＳＦＥＴとが並列に接続された回路を、１パッケージ化することができる。

　図２９および図３０は、第４実施形態にかかる半導体装置Ａ４０を示している。半導体装置Ａ４０は、半導体装置Ａ１０と比較して、次の点で異なる。第１に、半導体装置Ａ４０の第１素子２１および第２素子２２はそれぞれ、ダイオードではなくトランジスタである。第２に、半導体装置Ａ４０は、第１導通部３１および第２導通部３２のいずれも備えず、一対の第１接続部材４１Ａ，４１Ｂおよび一対の第２接続部材４２Ａ，４２Ｂを備える。第３に、半導体装置Ａ４０は、第３連結バー１９３および第４連結バー１９４のいずれも備えていない。

　図示された例では、第１素子２１および第２素子２２はそれぞれ、ＭＯＳＦＥＴである。この構成と異なり、第１素子２１および第２素子２２はそれぞれ、バイポーラトランジスタおよびＩＧＢＴなどであってもよい。なお、図３０の回路図においては、第１素子２１および第２素子２２の各寄生ダイオード成分も図示している。

　半導体装置Ａ４０の第５アウター部１８１Ｂには、第１素子２１により変換された後の電力に対応する電流が流れる。第１素子２１がＭＯＳＦＥＴである例において、半導体装置Ａ４０の第５アウター部１８１Ｂは、第１素子２１のソース電極に導通する実装端子である。このため、第２接続部材４２Ａには、第１接続部材４１Ａよりも、相対的に大きな電流が流れる。したがって、図２９から理解されるように、第２接続部材４２Ａは、第１接続部材４１Ａよりも線径の太いワイヤを用いることが好ましい。あるいは、第２接続部材４２Ａは、ボンディングワイヤではなく金属クリップを用いることが好ましい。

　半導体装置Ａ４０の第７アウター部１８２Ｂには、第２素子２２により変換された後の電力に対応する電流が流れる。第２素子２２がＭＯＳＦＥＴである例において、半導体装置Ａ４０の第７アウター部１８２Ｂは、第２素子２２のソース電極に導通する実装端子である。このため、第２接続部材４２Ｂには、第１接続部材４１Ｂよりも、相対的に大きな電流が流れる。したがって、図２９から理解されるように、第２接続部材４２Ｂは、第１接続部材４１Ｂよりも線径の太いワイヤを用いることが好ましい。あるいは、第２接続部材４２Ｂは、ボンディングワイヤではなく金属クリップを用いることが好ましい。

　以上のように構成された半導体装置Ａ４０は、図３０に示すように、第１素子２１の裏面電極２１３（ドレイン電極）と、第２素子２２の裏面電極２２３（ドレイン電極）とが、電気的に接続されている。つまり、半導体装置Ａ４０は、２つのＭＯＳＦＥＴのドレイン電極が共通に接続された回路（ドレインコモン接続された回路）を構成する。

　半導体装置Ａ４０は、半導体装置Ａ１０と次の点で共通する。半導体装置Ａ４０は、第１連結バー１９１を備える。したがって、半導体装置Ａ４０は、タイバーを有効に活用することができる。その他、半導体装置Ａ４０は、各半導体装置Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同様の効果を奏する。なお、半導体装置Ａ４０では、第１素子２１および第２素子２２がそれぞれＭＯＳＦＥＴであり、裏面電極２１３および裏面電極２２３がそれぞれドレイン電極である構成において、２つのＭＯＳＦＥＴがドレインコモン接続された回路を、１パッケージ化することができる。

　上記半導体装置Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０から理解されるように、本開示の半導体装置は、第１素子２１と第２素子２２と組み合わせにより、３種類の回路（２つのＭＯＳＦＥＴがドレインコモン接続された回路、ＭＯＳＦＥＴとダイオードとが並列接続された回路、および、２つのダイオードがカソードコモン（またはアノードコモン）接続された回路）を構成できる。一方で、各端子リード１３および封止樹脂５０の構成は、各半導体装置Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０で共通する。したがって、本開示の半導体装置は、パッケージの外観が略同じまま、３種類の回路のいずれかを構成することが可能である。また、本開示の半導体装置は、第１素子２１および第２素子２２の各々がトランジスタであるかダイオードであるかで異なっていても、各端子リード１３および封止樹脂５０の構成をそのまま活用できる。これにより、本開示の半導体装置は、先述の３種類の回路のいずれであっても、パッケージ構造を共通化することができるので、生産性の向上において、好ましい。さらに、本開示の半導体装置は、タイバーの切断部分を調整することで、第１連結バー１９１、第２連結バー１９２、第３連結バー１９３および第４連結バー１９４を適宜形成することができるので、タイバーを切断するまでの工程において、一部共通化を図ることができる。

　図３１は、第４実施形態の第１変形例にかかる半導体装置Ａ４１を示している。半導体装置Ａ４１は、半導体装置Ａ４０と比較して、次の点で異なる。それは、半導体装置Ａ４１は、導通部３４をさらに備える。

　導通部３４は、第１素子２１の主面電極２１１と第２素子２２の主面電極２２１とを互いに導通させる。これにより、第１素子２１の主面電極２１１（ソース電極）と、第２素子２２の主面電極２２１（ソース電極）とが、封止樹脂５０の内方で導通する。図３１に示すように、導通部３４は、平面視において帯状である。導通部３４の一端は、第１素子２１の主面電極２１１に接合され、導通部３４の他端は、第２素子２２の主面電極２２１に接合される。

　半導体装置Ａ４１は、半導体装置Ａ４０と次の構成で共通する。すなわち、半導体装置Ａ４１においても、第１連結バー１９１は、第１端子リード１４と第２端子リード１５とに一体的に繋がっている。したがって、半導体装置Ａ４１は、タイバーを有効に利用することができる。その他、半導体装置Ａ４１は、半導体装置Ａ４０と共通する構成により、半導体装置Ａ４０と同様の効果を奏する。

　半導体装置Ａ４１では、第１素子２１の主面電極２１１と第２素子２２の主面電極２２１とが、導通部３４を介して電気的に接続されている。したがって、半導体装置Ａ４１は、２つのＭＯＳＦＥＴが並列に接続された回路を、１パッケージ化することができる。

　図３２は、第４実施形態の第２変形例にかかる半導体装置Ａ４２を示している。半導体装置Ａ４２は、半導体装置Ａ４０と比較して、次の点で異なる。第１に、半導体装置Ａ４２の封止樹脂５０は、互いに離間する第１樹脂部材５０Ａおよび第２樹脂部材５０Ｂを含む。第２に、第１端子リード１４が第１ダイパッド１０Ａに繋がり、第２端子リード１５が第２端子リード１５に繋がる。第３に、複数の端子リード１３は、第３端子リード１６を含んでいない。

　第１樹脂部材５０Ａと第２樹脂部材５０Ｂとは、第２方向ｘに沿って配置される。第１樹脂部材５０Ａは、第１ダイパッド１０Ａおよび第１素子２１を覆う。第２樹脂部材５０Ｂは、第２ダイパッド１０Ｂおよび第２素子２２を覆う。第１樹脂部材５０Ａは、側面５５Ａを含み、第２樹脂部材５０Ｂは、側面５５Ｂを含む。側面５５Ａおよび側面５５Ｂはそれぞれ、第１方向ｙの一方側を向く。この例では、第１アウター部１４Ｂ、第４端子リード１７１および第５端子リード１８１はそれぞれ、第１樹脂部材５０Ａの側面５５Ａから突き出している。また、第２アウター部１５Ｂ、第６端子リード１７２および第７端子リード１８２はそれぞれ、第２樹脂部材５０Ｂの側面５５Ｂから突き出している。本変形例では、側面５５Ａおよび側面５５Ｂが、特許請求の範囲に記載の「樹脂側面」の一例である。

　半導体装置Ａ４２では、第１端子リード１４は、第１ダイパッド１０Ａに繋がっている。この構成では、第１アウター部１４Ｂは、第１インナー部１４Ａおよび第１ダイパッド１０Ａを介して、第１素子２１の裏面電極２１３（ドレイン電極）に導通する。また、半導体装置Ａ４２では、第２端子リード１５は、第２ダイパッド１０Ｂに繋がっている。この構成では、第２アウター部１５Ｂは、第２インナー部１５Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂを介して、第２素子２２の裏面電極２２３（ドレイン電極）に導通する。

　半導体装置Ａ４２は、半導体装置Ａ４０と次の構成で共通する。すなわち、半導体装置Ａ４２においても、第１連結バー１９１は、第１端子リード１４と第２端子リード１５とに一体的に繋がっている。したがって、半導体装置Ａ４２は、タイバーを有効に利用することができる。その他、半導体装置Ａ４２は、各半導体装置Ａ４０，Ａ４１と共通する構成により、各半導体装置Ａ４０，Ａ４１と同様の効果を奏する。

　本変形例から理解されるように、本開示の半導体装置において、封止樹脂５０は、第１素子２１を覆う第１樹脂部材５０Ａと、第２素子２２を覆う第２樹脂部材５０Ｂとに、分離されていてもよい。このような構成においては、２つのパッケージが、第１連結バー１９１によって連結させることができる。

　図３３は、第４実施形態の第３変形例にかかる半導体装置Ａ４３を示している。半導体装置Ａ４３は、半導体装置Ａ４２と比較して、次の点で異なる。第１に、第１ダイパッド１０Ａには、第１端子リード１４ではなく第５端子リード１８１が繋がる。第２に、第２ダイパッド１０Ｂには、第２端子リード１５ではなく第７端子リード１８２が繋がる。

　半導体装置Ａ４３では、第５端子リード１８１は、第１ダイパッド１０Ａに繋がっている。この構成では、第５アウター部１８１Ｂは、第５インナー部１８１Ａおよび第１ダイパッド１０Ａを介して、第１素子２１の裏面電極２１３（ドレイン電極）に導通する。また、半導体装置Ａ４３では、第７端子リード１８２は、第２ダイパッド１０Ｂに繋がっている。この構成では、第７アウター部１８２Ｂは、第７インナー部１８２Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂを介して、第２素子２２の裏面電極２２３（ドレイン電極）に導通する。

　半導体装置Ａ４３では、第１インナー部１４Ａは、第２接続部材４２Ａを介して、第１素子２１の主面電極２１１（ソース電極）に導通する。また、第２インナー部１５Ａは、第２接続部材４２Ｂを介して、第２素子２２の主面電極２２１（ソース電極）に導通する。したがって、第１アウター部１４Ｂと第２アウター部１５Ｂとが第１連結バー１９１によって連結されているので、半導体装置Ａ４３は、第１素子２１の主面電極２１１と第２素子２２の主面電極２２１とが電気的に接続されている。

　半導体装置Ａ４３は、半導体装置Ａ４２と次の構成で共通する。すなわち、半導体装置Ａ４３においても、第１連結バー１９１は、第１端子リード１４と第２端子リード１５とに一体的に繋がっている。したがって、半導体装置Ａ４３は、タイバーを有効に利用することができる。その他、半導体装置Ａ４３は、各半導体装置Ａ４０～４２と共通する構成により、各半導体装置Ａ４０～４２と同様の効果を奏する。なお、半導体装置Ａ４３は、２つのＭＯＳＦＥＴがソースコモン接続された回路（ソース電極が共通に接続された回路）を、１パッケージ化することができる。

　本開示の半導体装置において、半導体素子２０は、第１素子２１および第２素子２２の両方を含む構成に限定されず、第１素子２１および第２素子２２のいずれか一方のみを含む構成でもよい。つまり、半導体素子２０は、第１素子２１のみで構成されていてもよいし、第２素子２２のみで構成されていてもよい。この例では、第１ダイパッド１０Ａと第２ダイパッド１０Ｂとが互いに繋がり、一体的に形成されていてもよい。また、この例では、複数の端子リード１３のいずれかは、半導体素子２０に導通しないノンコネクト端子であってもよい。

　本開示の半導体装置において、半導体素子２０は、１つの第１素子２１を含む構成に限定されず、複数の第１素子２１を含む構成でもよい。複数の第１素子２１は、いずれも第１ダイパッド１０Ａに搭載される。同様に、半導体素子２０は、１つの第２素子２２を含む構成に限定されず、複数の第２素子２２を含む構成でもよい。複数の第２素子２２は、いずれも第２ダイパッド１０Ｂに搭載される。

　本開示の半導体装置は、上記第１実施形態ないし上記第４実施形態（これらの変形例も含む）で例示したＴＯ（Transistor Outline）パッケージと異なる他のＴＯパッケージに対して、適用することも可能である。具体的には、第１実施形態ないし第４実施形態にかかる各半導体装置Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０は、ＴＯ－２４７と呼ばれるパッケージ構造を拡張したものであるが、ＴＯ－２２０、ＴＯ－２５２、ＴＯ２６３などと呼ばれる他のパッケージ構造を拡張したものでもよい。つまり、本開示の半導体装置は、従来のＴＯパッケージと類似の外観を持ったまま、半導体素子２０（第１素子２１および第２素子２２）を１つの封止樹脂５０によりパッケージすることを可能にする。

　本開示にかかる半導体装置は、上記した実施形態に限定されるものではない。本開示の半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。本開示は、以下の付記に記載した実施形態を含む。
　付記１．
　半導体素子と、
　第１方向の一方を向く樹脂側面を有し、且つ前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
　前記樹脂側面から前記第１方向の前記一方に突き出した第１アウター部を含む第１端子リードと、
　前記樹脂側面から前記第１方向の前記一方に突き出した第２アウター部を含む第２端子リードと、
　前記封止樹脂から離れた第１連結バーと、
を備え、
　前記第１アウター部と前記第２アウター部とは、前記第１方向に直交する第２方向に互いに隣接し、
　前記第１連結バーは、前記第２方向において前記第１アウター部と前記第２アウター部とに挟まれ、且つ前記第１アウター部および前記第２アウター部に一体的に繋がっており、
　前記第１アウター部は、前記樹脂側面から延びる第１基端部と、前記第１基端部から延びる第１先端部とを含み、
　前記第２アウター部は、前記樹脂側面から延びる第２基端部と、前記第２基端部から延びる第２先端部とを含み、
　前記第１連結バーは、前記第１基端部と前記第２基端部とに繋がる、半導体装置。
　付記２．
　前記半導体素子は、第１素子と第２素子とを含む、付記１に記載の半導体装置。
　付記３．
　前記第１素子は、トランジスタまたはダイオードのいずれかであり、
　前記第２素子は、トランジスタまたはダイオードのいずれかである、付記２に記載の半導体装置。
　付記４．
　前記封止樹脂は、前記第１素子および前記第２素子の両方を覆う、付記２または付記３に記載の半導体装置。
　付記５．
　前記樹脂側面から前記第１方向の前記一方に突き出した第３アウター部を含む第３端子リードをさらに備え、
　前記第２アウター部は、前記第１アウター部に対して前記第２方向の一方側に隣接し、
　前記第３アウター部は、前記第１アウター部に対して前記第２方向の他方側に隣接する、付記２ないし付記４のいずれかに記載の半導体装置。
　付記６．
　前記封止樹脂から離れた第２連結バーをさらに備え、
　前記第２連結バーは、前記第２方向において前記第２アウター部と前記第３アウター部とに挟まれ、且つ前記第２アウター部および前記第３アウター部に一体的に繋がっている、付記５に記載の半導体装置。
　付記７．
　前記第３アウター部は、前記樹脂側面から延びる第３基端部と、前記第３基端部から延びる第３先端部とを含み、
　前記第２連結バーは、前記第１基端部と前記第３基端部とに繋がる、付記６に記載の半導体装置。
　付記８．
　前記第１連結バーと前記第２連結バーとは、前記第２方向に見て互いに重なる、付記６または付記７に記載の半導体装置。
　付記９．
　前記第１端子リードは、前記封止樹脂に覆われた第１インナー部を含み、
　前記第２端子リードは、前記封止樹脂に覆われた第２インナー部を含み、
　前記第３端子リードは、前記封止樹脂に覆われた第３インナー部を含み、
　前記第２インナー部は、前記第２アウター部に繋がり、且つ前記第２アウター部を介することなく前記第１素子に導通し、
　前記第３インナー部は、前記第３アウター部に繋がり、且つ前記第３アウター部を介することなく前記第２素子に導通し、
　前記第１インナー部は、前記第１アウター部に繋がり、且つ前記第１アウター部を介して前記第１素子および前記第２素子の各々に導通する、付記５ないし付記８のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１０．
　前記樹脂側面から前記第１方向の前記一方に突き出した第４アウター部を含む第４端子リードと、
　前記樹脂側面から前記第１方向の前記一方に突き出した第５アウター部を含む第５端子リードと、をさらに備え、
　前記第４アウター部および前記第５アウター部の各々は、前記第２アウター部に対して、前記第２方向の前記一方側に位置する、付記５ないし付記９のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１１．
　前記封止樹脂から離れた第３連結バーをさらに備え、
　前記第３連結バーは、前記第２方向において前記第４アウター部と前記第５アウター部とに挟まれ、且つ前記第４アウター部および前記第５アウター部に一体的に繋がっている、付記１０に記載の半導体装置。
　付記１２．
　前記第４アウター部は、前記樹脂側面から延びる第４基端部と、前記第４基端部から延びる第４先端部とを含み、
　前記第５アウター部は、前記樹脂側面から延びる第５基端部と、前記第５基端部から延びる第５先端部とを含み、
　前記第３連結バーは、前記第４基端部と前記第５基端部とに繋がる、付記１１に記載の半導体装置。
　付記１３．
　前記第４端子リードは、前記封止樹脂に覆われた第４インナー部を含み、
　前記第５端子リードは、前記封止樹脂に覆われた第５インナー部を含み、
　前記第４インナー部は、前記第４アウター部に繋がり、且つ前記第４アウター部を介することなく前記第１素子に導通し、
　前記第５インナー部は、前記第５アウター部に繋がり、且つ前記第５アウター部を介することなく前記第１素子に導通する、付記１０ないし付記１２のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１４．
　前記樹脂側面から前記第１方向の前記一方に突き出した第６アウター部を含む第６端子リードと、
　前記樹脂側面から前記第１方向の前記一方に突き出した第７アウター部を含む第７端子リードと、をさらに備え、
　前記第６アウター部および前記第７アウター部の各々は、前記第３アウター部に対して、前記第２方向の前記他方側に位置する、
付記１０ないし付記１３のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１５．
　前記封止樹脂から離れた第４連結バーをさらに備え、
　前記第４連結バーは、前記第２方向において前記第６アウター部と前記第７アウター部とに挟まれ、且つ前記第６アウター部および前記第７アウター部に一体的に繋がっている、付記１４に記載の半導体装置。
　付記１６．
　前記第６アウター部は、前記樹脂側面から延びる第６基端部と、前記第６基端部から延びる第６先端部とを含み、
　前記第７アウター部は、前記樹脂側面から延びる第７基端部と、前記第７基端部から延びる第７先端部とを含み、
　前記第４連結バーは、前記第６基端部と前記第７基端部とに繋がる、付記１５に記載の半導体装置。
　付記１７．
　前記第６端子リードは、前記封止樹脂に覆われた第６インナー部を含み、
　前記第７端子リードは、前記封止樹脂に覆われた第７インナー部を含み、
　前記第６インナー部は、前記第６アウター部に繋がり、且つ前記第６アウター部を介することなく前記第２素子に導通し、
　前記第７インナー部は、前記第７アウター部に繋がり、且つ前記第７アウター部を介することなく前記第２素子に導通する、付記１４ないし付記１６のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１８．
　前記第２端子リードは、前記封止樹脂に覆われた第１ダイパッドを含み、
　前記第１ダイパッドには、前記第１素子が搭載されており、
　前記第３端子リードは、前記封止樹脂に覆われた第２ダイパッドを含み、
　前記第２ダイパッドには、前記第２素子が搭載されている、付記５ないし付記１７のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１９．
　前記第１ダイパッドと前記第２ダイパッドとは、前記第２方向に配列されている、付記１８に記載の半導体装置。

Ａ１０～Ａ１３，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０～Ａ４３：半導体装置
１０Ａ：第１ダイパッド　　　　１０Ｂ：第２ダイパッド
１０１：主面　　　　１０２：裏面
１０９：痕跡　　　　１１１：第１端面
１１２：第２端面　　　　１１３：第３端面
１１４：第４端面　　　　１２１：第１隅部端面
１２２：第２隅部端面　　　　１２３：第３隅部端面
１２４：第４隅部端面　　　　１３：端子リード
１４：第１端子リード　　　　１４Ａ：第１インナー部
１４Ｂ：第１アウター部　　　　１４１：第１基端部
１４２：第１先端部　　　　１５：第２端子リード
１５Ａ：第２インナー部　　　　１５Ｂ：第２アウター部
１５１：第２基端部　　　　１５２：第２先端部
１６：第３端子リード　　　　１６Ａ：第３インナー部
１６Ｂ：第３アウター部　　　　１６１：第３基端部
１６２：第３先端部　　　　１７１：第４端子リード
１７１Ａ：第４インナー部　　　　１７１Ｂ：第４アウター部
１７１１：第４基端部　　　　１７１２：第４先端部
１７２：第６端子リード　　　　１７２Ａ：第６インナー部
１７２Ｂ：第６アウター部　　　　１７２１：第６基端部
１７２２：第６先端部　　　　１８１：第５端子リード
１８１Ａ：第５インナー部　　　　１８１Ｂ：第５アウター部
１８１１：第５基端部　　　　１８１２：第５先端部
１８２：第７端子リード　　　　１８２Ａ：第７インナー部
１８２Ｂ：第７アウター部　　　　１８２１：第７基端部
１８２２：第７先端部　　　　１９１：第１連結バー
１９２：第２連結バー　　　　１９３：第３連結バー
１９４：第４連結バー　　　　２０：半導体素子
２１：第１素子　　　　２１ａ：第１主面
２１ｂ：第１裏面　　　　２１１，２１２：主面電極
２１３：裏面電極　　　　２２：第２素子
２２ａ：第２主面　　　　２２ｂ：第２裏面
２２１，２２２：主面電極　　　　２２３：裏面電極
２３１，２３２：ダイボンディング層　　　　３１：第１導通部
３１１，３１２，３１３：接合部　　　　３１４，３１５，３１６：連結部
３１６ａ，３１６ｂ：帯状部　　　　３２：第２導通部
３２１，３２２，３２３：接合部　　　　３２４，３２５，３２６：連結部
３２６ａ，３２６ｂ：帯状部　　　　３３：導通部
３３１，３３２，３３３，３３４：接合部
３３５，３３６，３３７：連結部　　　　３４：導通部
３９１，３９２，３９３，３９４：接合層
４１Ａ，４１Ｂ：第１接続部材　　　　４２Ａ，４２Ｂ：第２接続部材
５０：封止樹脂　　　　　５０Ａ：第１樹脂部材
５０Ｂ：第２樹脂部材　　　　５１：樹脂主面
５２：樹脂裏面　　　　５３：第１側面
５４：第２側面　　　　５５：第３側面
５５Ａ：側面　　　　５５Ｂ：側面
５６：凹部　　　　５７：溝部
５８１：凹部　　　　５８２：凹部
５８９：痕跡　　　　９９：タイバー

Claims

　半導体素子と、
　第１方向の一方を向く樹脂側面を有し、且つ前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
　前記樹脂側面から前記第１方向の前記一方に突き出した第１アウター部を含む第１端子リードと、
　前記樹脂側面から前記第１方向の前記一方に突き出した第２アウター部を含む第２端子リードと、
　前記封止樹脂から離れた第１連結バーと、
を備え、
　前記第１アウター部と前記第２アウター部とは、前記第１方向に直交する第２方向に互いに隣接し、
　前記第１連結バーは、前記第２方向において前記第１アウター部と前記第２アウター部とに挟まれ、且つ前記第１アウター部および前記第２アウター部に一体的に繋がっており、
　前記第１アウター部は、前記樹脂側面から延びる第１基端部と、前記第１基端部から延びる第１先端部とを含み、
　前記第２アウター部は、前記樹脂側面から延びる第２基端部と、前記第２基端部から延びる第２先端部とを含み、
　前記第１連結バーは、前記第１基端部と前記第２基端部とに繋がる、半導体装置。
　前記半導体素子は、第１素子と第２素子とを含む、請求項１に記載の半導体装置。
　前記第１素子は、トランジスタまたはダイオードのいずれかであり、
　前記第２素子は、トランジスタまたはダイオードのいずれかである、請求項２に記載の半導体装置。
　前記封止樹脂は、前記第１素子および前記第２素子の両方を覆う、請求項２または請求項３に記載の半導体装置。
　前記樹脂側面から前記第１方向の前記一方に突き出した第３アウター部を含む第３端子リードをさらに備え、
　前記第２アウター部は、前記第１アウター部に対して前記第２方向の一方側に隣接し、
　前記第３アウター部は、前記第１アウター部に対して前記第２方向の他方側に隣接する、請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
　前記封止樹脂から離れた第２連結バーをさらに備え、
　前記第２連結バーは、前記第２方向において前記第２アウター部と前記第３アウター部とに挟まれ、且つ前記第２アウター部および前記第３アウター部に一体的に繋がっている、請求項５に記載の半導体装置。
　前記第３アウター部は、前記樹脂側面から延びる第３基端部と、前記第３基端部から延びる第３先端部とを含み、
　前記第２連結バーは、前記第１基端部と前記第３基端部とに繋がる、請求項６に記載の半導体装置。
　前記第１連結バーと前記第２連結バーとは、前記第２方向に見て互いに重なる、請求項６または請求項７に記載の半導体装置。
　前記第１端子リードは、前記封止樹脂に覆われた第１インナー部を含み、
　前記第２端子リードは、前記封止樹脂に覆われた第２インナー部を含み、
　前記第３端子リードは、前記封止樹脂に覆われた第３インナー部を含み、
　前記第２インナー部は、前記第２アウター部に繋がり、且つ前記第２アウター部を介することなく前記第１素子に導通し、
　前記第３インナー部は、前記第３アウター部に繋がり、且つ前記第３アウター部を介することなく前記第２素子に導通し、
　前記第１インナー部は、前記第１アウター部に繋がり、且つ前記第１アウター部を介して前記第１素子および前記第２素子の各々に導通する、請求項５ないし請求項８のいずれかに記載の半導体装置。
　前記樹脂側面から前記第１方向の前記一方に突き出した第４アウター部を含む第４端子リードと、
　前記樹脂側面から前記第１方向の前記一方に突き出した第５アウター部を含む第５端子リードと、をさらに備え、
　前記第４アウター部および前記第５アウター部の各々は、前記第２アウター部に対して、前記第２方向の前記一方側に位置する、請求項５ないし請求項９のいずれかに記載の半導体装置。
　前記封止樹脂から離れた第３連結バーをさらに備え、
　前記第３連結バーは、前記第２方向において前記第４アウター部と前記第５アウター部とに挟まれ、且つ前記第４アウター部および前記第５アウター部に一体的に繋がっている、請求項１０に記載の半導体装置。
　前記第４アウター部は、前記樹脂側面から延びる第４基端部と、前記第４基端部から延びる第４先端部とを含み、
　前記第５アウター部は、前記樹脂側面から延びる第５基端部と、前記第５基端部から延びる第５先端部とを含み、
　前記第３連結バーは、前記第４基端部と前記第５基端部とに繋がる、請求項１１に記載の半導体装置。
　前記第４端子リードは、前記封止樹脂に覆われた第４インナー部を含み、
　前記第５端子リードは、前記封止樹脂に覆われた第５インナー部を含み、
　前記第４インナー部は、前記第４アウター部に繋がり、且つ前記第４アウター部を介することなく前記第１素子に導通し、
　前記第５インナー部は、前記第５アウター部に繋がり、且つ前記第５アウター部を介することなく前記第１素子に導通する、請求項１０ないし請求項１２のいずれかに記載の半導体装置。
　前記樹脂側面から前記第１方向の前記一方に突き出した第６アウター部を含む第６端子リードと、
　前記樹脂側面から前記第１方向の前記一方に突き出した第７アウター部を含む第７端子リードと、をさらに備え、
　前記第６アウター部および前記第７アウター部の各々は、前記第３アウター部に対して、前記第２方向の前記他方側に位置する、請求項１０ないし請求項１３のいずれかに記載の半導体装置。
　前記封止樹脂から離れた第４連結バーをさらに備え、
　前記第４連結バーは、前記第２方向において前記第６アウター部と前記第７アウター部とに挟まれ、且つ前記第６アウター部および前記第７アウター部に一体的に繋がっている、請求項１４に記載の半導体装置。
　前記第６アウター部は、前記樹脂側面から延びる第６基端部と、前記第６基端部から延びる第６先端部とを含み、
　前記第７アウター部は、前記樹脂側面から延びる第７基端部と、前記第７基端部から延びる第７先端部とを含み、
　前記第４連結バーは、前記第６基端部と前記第７基端部とに繋がる、請求項１５に記載の半導体装置。
　前記第６端子リードは、前記封止樹脂に覆われた第６インナー部を含み、
　前記第７端子リードは、前記封止樹脂に覆われた第７インナー部を含み、
　前記第６インナー部は、前記第６アウター部に繋がり、且つ前記第６アウター部を介することなく前記第２素子に導通し、
　前記第７インナー部は、前記第７アウター部に繋がり、且つ前記第７アウター部を介することなく前記第２素子に導通する、請求項１４ないし請求項１６のいずれかに記載の半導体装置。
　前記第２端子リードは、前記封止樹脂に覆われた第１ダイパッドを含み、
　前記第１ダイパッドには、前記第１素子が搭載されており、
　前記第３端子リードは、前記封止樹脂に覆われた第２ダイパッドを含み、
　前記第２ダイパッドには、前記第２素子が搭載されている、請求項５ないし請求項１７のいずれかに記載の半導体装置。
　前記第１ダイパッドと前記第２ダイパッドとは、前記第２方向に配列されている、請求項１８に記載の半導体装置。