WO2021261508A1 - 半導体装置 - Google Patents

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WO2021261508A1
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die pad
lead
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switching element
semiconductor device
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健二 林
沢水 神田
典明 川本
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ローム株式会社
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    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Definitions

  • This disclosure relates to semiconductor devices.
  • a semiconductor device has been a lead frame including a die pad and a plurality of leads, one transistor mounted on the die pad, a wire connecting each electrode and lead of the transistor, and a sealing resin for sealing the transistor and the wire.
  • a sealing resin for sealing the transistor and the wire.
  • This semiconductor device is used, for example, in an inverter circuit or a DC-DC converter circuit.
  • These circuits are configured by connecting two semiconductor devices mounted on a mounting board to each other by a wiring conductor of the mounting board.
  • the wiring conductor of the mounting substrate for example, electrically connects the drain electrode of a transistor mounted on one semiconductor device and the source electrode of a transistor mounted on another semiconductor device to each other.
  • a plurality of semiconductor devices mounted on a mounting board are arranged so as to keep a certain distance or more from each other for mounting and heat dissipation. Therefore, the conductors (leads and wiring conductors) between the electrodes are long, and the parasitic inductance is large. Parasitic inductance interferes with fast switching. Therefore, it is required to reduce the parasitic inductance in the semiconductor device.
  • An object of the present disclosure is to provide a semiconductor device capable of reducing inductance.
  • the semiconductor device has a first die pad having a first main surface, and is arranged apart from the first die pad in a first direction parallel to the first main surface and with the first main surface.
  • a second die pad having a second main surface facing the same direction, a first element main surface mounted on the first main surface and facing the same direction as the first main surface, and a side opposite to the first element main surface. It has a back surface of a first element facing the surface, a first main surface electrode and a first control electrode provided on the main surface of the first element, and a first back surface electrode provided on the back surface of the first element.
  • a first switching element in which a back surface electrode is connected to the first main surface, a second element main surface mounted on the second main surface and facing the same direction as the second main surface, and the second element main surface. It has a back surface of a second element facing the opposite side of the surface, a second main surface electrode and a second control electrode provided on the main surface of the second element, and a second back surface electrode provided on the back surface of the second element.
  • a plurality of leads, which project from the side surface and extend in the second direction, are provided.
  • the first switching element and the second switching element are connected. Then, the distance of the electrical path between the first main surface electrode of the first switching element and the second die pad to which the second back surface electrode of the second switching element is connected becomes short, and the inductance can be reduced.
  • a semiconductor device is a first die pad having a first main surface, and the first main surface is arranged away from the first die pad in a first direction parallel to the first main surface.
  • a second die pad having a second main surface facing in the same direction as above, a first element main surface mounted on the first main surface and facing the same direction as the first main surface, and the opposite of the first element main surface. It has a back surface of a first element facing side, a first main surface electrode and a first control electrode provided on the main surface of the first element, and a first back surface electrode provided on the back surface of the first element.
  • the back surface of the second element facing the opposite side to the main surface, the second main surface electrode and the second control electrode provided on the main surface of the second element, and the second back surface electrode provided on the back surface of the second element.
  • a second switching element having the second back surface electrode connected to the second main surface, a first connecting member connected to the first main surface electrode of the first switching element, and the first main surface.
  • a first lead group including a sealing resin for sealing the resin, a plurality of leads protruding from the first resin side surface facing the second direction intersecting the first direction among the plurality of the resin side surfaces, and the first resin.
  • a second lead group including a plurality of leads projecting from the side surface of the second resin facing in the direction opposite to the side surface is provided, and the first main surface electrode of the first switching element is said via the first connecting member. It is electrically connected to the second die pad.
  • the first main surface electrode of the first switching element and the second back surface electrode of the second switching element are electrically connected by the first connecting member sealed in the sealing resin. Then, the distance of the electrical path between the first main surface electrode of the first switching element and the second back surface electrode of the second switching element is shortened, and the inductance can be reduced.
  • the perspective view which shows the semiconductor device of 1st Embodiment The plan view which shows the semiconductor device of 1st Embodiment.
  • the perspective view which shows the semiconductor device of 2nd Embodiment. The plan view which shows the semiconductor device of 2nd Embodiment.
  • FIG. 11 is a sectional view taken along line 13-13.
  • FIG. 11 is a sectional view taken along line 14-14.
  • FIG. 16 is a sectional view taken along line 18-18.
  • the plan view which shows the semiconductor device of the modification example The plan view which shows the semiconductor device of the modification example.
  • the plan view which shows the semiconductor device of the modification example The plan view which shows the semiconductor device of the modification example.
  • the plan view which shows the semiconductor device of the modification example The perspective view which shows the semiconductor device of 6th Embodiment.
  • the plan view which shows the semiconductor device of 6th Embodiment The side view which shows the semiconductor device of 6th Embodiment.
  • FIG. 28 is a sectional view taken along line 30-30.
  • FIG. 28 is a sectional view taken along line 31-31.
  • the plan view which shows the semiconductor device of the modification of 6th Embodiment The perspective view which shows the semiconductor device of 7th Embodiment.
  • FIG. 35 is a sectional view taken along line 35-35.
  • member A is connected to member B
  • member A and the member B are physically directly connected, and the member A and the member B are electrically connected. This includes cases where they are indirectly connected via other members that do not affect the state.
  • the member C is provided between the member A and the member B
  • the member A and the member C, or the member B and the member C are directly connected, and the member A and the member A. This includes the case where the member C or the member B and the member C are indirectly connected via another member that does not affect the electrical connection state.
  • the semiconductor device A10 of the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3. As shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor device A10 includes a first die pad 11, a second die pad 12, a first switching element 20, a second switching element 30, a plurality of leads 41 to 47, and a sealing resin 70. is doing.
  • the sealing resin 70 is formed so as to cover the first die pad 11 and the second die pad 12, and the first switching element 20 and the second switching element 30. Further, the sealing resin 70 is formed so as to cover a part of the plurality of leads 41 to 47.
  • the sealing resin 70 is formed in a flat rectangular parallelepiped shape.
  • the "rectangular parallelepiped” includes a rectangular parallelepiped in which the corners and ridges are chamfered and a rectangular parallelepiped in which the corners and ridges are rounded.
  • a part or all of the constituent surfaces may be formed with irregularities or the like, or the constituent surfaces may be formed of a curved surface or a plurality of surfaces.
  • the sealing resin 70 is made of a synthetic resin having electrical insulation.
  • the sealing resin 70 is an epoxy resin.
  • the synthetic resin constituting the sealing resin 70 is colored, for example, black.
  • the sealing resin 70 is shown by a alternate long and short dash line, and the members inside the sealing resin 70 are shown by a solid line.
  • the thickness direction of the sealing resin 70 is defined as the thickness direction Z, one direction orthogonal to the thickness direction Z is the lateral direction X, and the direction orthogonal to the thickness direction Z and the lateral direction X is the vertical direction. Let it be Y.
  • the horizontal direction X corresponds to the first direction
  • the vertical direction Y corresponds to the second direction.
  • the sealing resin 70 has a resin main surface 701, a resin back surface 702, and a first resin side surface 703 to a fourth resin side surface 706.
  • the resin main surface 701 and the resin back surface 702 face opposite to each other in the thickness direction Z.
  • the first resin side surface 703 to the fourth resin side surface 706 face any one of the directions parallel to the resin main surface 701 and the resin back surface 702.
  • the first resin side surface 703 and the second resin side surface 704 face each other in the vertical direction Y.
  • the third resin side surface 705 and the fourth resin side surface 706 face each other in the lateral direction X.
  • FIG. 2 is a view of the semiconductor device A10 as viewed from the side of the resin main surface 701 of the sealing resin 70.
  • the shape of the sealing resin 70 is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the first resin side surface 703 and the second resin side surface 704 are side surfaces along the lateral direction X
  • the third resin side surface 705 and the fourth resin side surface 706 are side surfaces along the vertical direction Y.
  • the first die pad 11 and the second die pad 12 are formed in a rectangular plate shape.
  • the first die pad 11 and the second die pad 12 are made of, for example, Cu (copper).
  • the term "composed of Cu” means that it is made of Cu or an alloy containing Cu. It should be noted that those having a plating layer formed on a part or the whole of the surface are also included in the one made of Cu.
  • the first die pad 11 has a main surface 111, a back surface 112, and a first side surface 113 to a fourth side surface 116.
  • the main surface 111 and the back surface 112 face each other in the thickness direction Z.
  • the main surface 111 of the first die pad 11 faces the same side as the resin main surface 701 of the sealing resin 70.
  • the first side surface 113 to the fourth side surface 116 face either the horizontal direction X or the vertical direction Y.
  • the first side surface 113 and the second side surface 114 face each other in the vertical direction Y, and the third side surface 115 and the fourth side surface 116 face each other in the horizontal direction X.
  • the second die pad 12 has a main surface 121, a back surface 122, and a first side surface 123 to a fourth side surface 126.
  • the main surface 121 and the back surface 122 face each other in the thickness direction Z.
  • the main surface 121 of the second die pad 12 faces the same side as the resin main surface 701 of the sealing resin 70.
  • the first side surface 123 to the fourth side surface 126 face either the horizontal direction X or the vertical direction Y.
  • the first side surface 123 and the second side surface 124 face each other in the vertical direction Y
  • the third side surface 125 and the fourth side surface 126 face each other in the horizontal direction X.
  • the first die pad 11 and the second die pad 12 are arranged so that their main surfaces 111 and 121 are at the same position in the thickness direction Z.
  • the first die pad 11 and the second die pad 12 have the same thickness.
  • the thickness of the first die pad 11 and the second die pad 12 is 1 mm or more and 3 mm or less.
  • the thickness of the first die pad 11 and the second die pad 12 is preferably 2 mm or more and 3 mm or less, for example.
  • the back surface 112 of the first die pad 11 and the back surface 122 of the second die pad 12 are at the same position in the thickness direction Z.
  • the first die pad 11 and the second die pad 12 are arranged along the lateral direction X.
  • the fourth side surface 116 of the first die pad 11 and the third side surface 125 of the second die pad 12 face each other.
  • the distance L12 between the first die pad 11 and the second die pad 12 is smaller than the thickness of the first die pad 11 and the second die pad 12, for example, 1 mm or more and 3 mm or less.
  • the first die pad 11 and the second die pad 12 are arranged so that the first side surfaces 113 and 123 are at the same position in the vertical direction Y.
  • the first switching element 20 is mounted on the main surface 111 of the first die pad 11.
  • the second switching element 30 is mounted on the main surface 121 of the second die pad 12.
  • the first switching element 20 and the second switching element 30 are silicon carbide (SiC) chips.
  • a SiC MOSFET metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
  • the first switching element 20 and the second switching element 30 are elements capable of high-speed switching.
  • the first switching element 20 is formed in a flat plate shape. Specifically, in a plan view, the shape of the first switching element 20 is, for example, a square shape. As shown in FIGS. 2 and 3, the first switching element 20 has an element main surface 201, an element back surface 202, and a first element side surface 203 to a fourth element side surface 206.
  • the element main surface 201 and the element back surface 202 face in opposite directions in the thickness direction Z.
  • the element main surface 201 faces the same direction as the resin main surface 701. That is, the element main surface faces the same direction as the main surface 111 of the first die pad 11.
  • the element back surface 202 faces the main surface 111 of the first die pad 11.
  • the side surface 203 of the first element and the side surface 204 of the second element face each other in the vertical direction Y, and the side surface 205 of the third element and the side surface 206 of the fourth element face each other in the horizontal direction X.
  • the side surface 203 of the first element faces the same direction as the first side surface 113 of the first die pad 11, and the side surface 204 of the second element faces the same direction as the second side surface 114 of the first die pad 11.
  • the third element side surface 205 faces the same direction as the third side surface 115 of the first die pad 11, and the fourth element side surface 206 faces the same direction as the fourth side surface 116 of the first die pad 11.
  • the first switching element 20 has a first main surface electrode 21 and a first control electrode 22 on the element main surface 201, and a first back surface electrode 23 on the element back surface 202.
  • the first main surface electrode 21 is a source electrode.
  • the first main surface electrode 21 of the present embodiment includes a main source electrode 211 and control source electrodes 212 and 213.
  • the first control electrode 22 is a gate electrode.
  • the control source electrodes 212 and 213 are, for example, driver source electrodes that are electrically connected to a circuit (driver) that drives the first switching element 20.
  • the first control electrode 22 is arranged at a portion closer to the side surface 205 of the third element.
  • the first control electrode 22 is arranged at the center of the vertical direction Y at a portion near the side surface 205 of the third element.
  • the main source electrode 211 of the first main surface electrode 21 is arranged so as to be aligned with the first control electrode 22 in the lateral direction X.
  • the control source electrodes 212 and 213 are arranged so as to sandwich the first control electrode 22 in the vertical direction Y.
  • the first back surface electrode 23 is a drain electrode. The first back surface electrode 23 is electrically connected to the first die pad 11 by the solder 81.
  • the first switching element 20 is arranged on the main surface 111 of the first die pad 11 at a portion closer to the first side surface 113 in the vertical direction Y. Further, the first switching element 20 is arranged at the center of the first die pad 11 in the lateral direction X.
  • the second switching element 30 is formed in a flat plate shape. Specifically, in a plan view, the shape of the second switching element 30 is, for example, a square shape. As shown in FIG. 2, the second switching element 30 has an element main surface 301, an element back surface 302, and a first element side surface 303 to a fourth element side surface 306.
  • the element main surface 301 and the element back surface 302 face in opposite directions in the thickness direction Z.
  • the element main surface 301 faces the resin main surface 701. That is, the element main surface faces the same direction as the main surface 121 of the second die pad 12.
  • the element back surface 302 faces the main surface 121 of the second die pad 12.
  • the side surface 303 of the first element and the side surface 304 of the second element face each other in the vertical direction Y, and the side surface 305 of the third element and the side surface 306 of the fourth element face each other in the horizontal direction X.
  • the side surface 303 of the first element faces the same direction as the first side surface 123 of the second die pad 12, and the side surface 304 of the second element faces the same direction as the second side surface 124 of the second die pad 12.
  • the third element side surface 305 faces the same direction as the third side surface 125 of the second die pad 12, and the fourth element side surface 306 faces the same direction as the fourth side surface 126 of the second die pad 12.
  • the second switching element 30 has a second main surface electrode 31 and a second control electrode 32 on the element main surface 301, and a second back surface electrode 33 on the element back surface 302.
  • the second main surface electrode 31 is a source electrode.
  • the second main surface electrode 31 of the present embodiment includes a main source electrode 311 and control source electrodes 312 and 313.
  • the second control electrode 32 is a gate electrode.
  • the control source electrodes 312 and 313 are, for example, driver source electrodes that are electrically connected to a circuit (driver) that drives the second switching element 30.
  • the second control electrode 32 is arranged at a portion near the side surface 306 of the fourth element.
  • the second control electrode 32 is arranged at the center of the vertical direction Y at a portion near the side surface 306 of the fourth element.
  • the main source electrode 311 of the second main surface electrode 31 is arranged so as to be aligned with the second control electrode 32 in the lateral direction X.
  • the control source electrodes 312 and 313 are arranged so as to sandwich the second control electrode 32 in the vertical direction Y.
  • the second back surface electrode 33 is a drain electrode. The second back surface electrode 33 is electrically connected to the second die pad 12 by the solder 82.
  • the second switching element 30 is arranged on the main surface 121 of the second die pad 12 at a portion closer to the first side surface 123 in the vertical direction Y. Further, the second switching element 30 is arranged at the center of the second die pad 12 in the lateral direction X.
  • the first main surface electrode 21 (main source electrode 211) of the first switching element 20 is connected to the second die pad 12 by a first wire 51 as a first connecting member.
  • the first main surface electrode 21 (main source electrode 211) of the first switching element 20 and the second die pad 12 are connected by five first wires 51. ing.
  • the number of the first wires 51 is set according to, for example, the drive current that can be passed through the semiconductor device A10.
  • Each first wire 51 is arranged in the vertical direction Y and extends along the horizontal direction X.
  • the first wires 51 are wired so as to be parallel to each other when viewed from the thickness direction Z.
  • the first wire 51 is made of, for example, Al (aluminum). By being composed of Al, it is intended that it is formed of Al or an alloy containing Al.
  • the first wire 51 has a circular cross-sectional shape perpendicular to the length direction near the center.
  • the cross-sectional shape of the first wire 51 can be arbitrary.
  • the wire diameter of the first wire 51 is, for example, 0.1 mm or more and 0.4 mm or less in the portion where the circular shape has a cross-sectional shape.
  • the semiconductor device A10 includes a plurality of (7 in this embodiment) leads 41 to 47.
  • the first lead 41 to the seventh lead 47 extend along the vertical direction Y.
  • the first leads 41 to the seventh leads 47 project from the first resin side surface 703 of the sealing resin 70.
  • the first lead 41 to the seventh lead 47 are arranged along the lateral direction X.
  • the first leads 41 to the seventh leads 47 are arranged in this order from the third resin side surface 705 of the sealing resin 70 toward the fourth resin side surface 706.
  • the lateral direction X is the direction in which the first die pad 11 and the second die pad 12 are arranged. Therefore, the first lead 41 to the seventh lead 47 are arranged along the arrangement direction of the first die pad 11 and the second die pad 12.
  • the first lead 41 to the seventh lead 47 are made of Cu.
  • the first lead 41 has a pad portion 411, a base portion 412, and a substrate connecting portion 413.
  • the pad portion 411 is arranged apart from the first die pad 11 toward the first resin side surface 703 of the sealing resin 70 in the vertical direction Y.
  • the pad portion 411 is a wire bonding portion to which the wire 61 is connected.
  • the pad portion 411 is connected to the first control electrode 22 of the first switching element 20 by a wire 61. That is, the first lead 41 is the first control lead connected to the first control electrode (gate electrode) 22 of the first switching element 20.
  • the first control lead 41 may be used instead of the first lead 41.
  • the wire 61 is made of, for example, Al.
  • the wire diameter of the wire 61 is, for example, 0.04 mm or more and 0.1 mm or less.
  • the base portion 412 extends in the vertical direction Y from the pad portion 411 and protrudes from the first resin side surface 703 of the sealing resin 70.
  • the board connection portion 413 extends in the vertical direction Y from the tip of the base portion 412.
  • the board connection portion 413 is inserted into a component hole of the mounting board and is connected to the conductor wiring of the mounting board by soldering (both are not shown).
  • the base portion 412 is formed to have a wider width in the lateral direction X than the substrate connecting portion 413. In the lateral direction X, the base portion 412 is formed so as to protrude from the substrate connecting portion 413 in the direction from the fourth resin side surface 706 of the sealing resin 70 toward the third resin side surface 705.
  • the widths of the substrate connecting portions 413,423,433,443,453,463,473 are the same as each other.
  • the width of the substrate connection portion 413 is, for example, 1.2 mm
  • the width of the base portion 412 is, for example, 2.6 mm.
  • the thickness of the first control lead 41 is equal to or less than the thickness of the first die pad 11.
  • the thickness of the first control lead 41 is, for example, 0.6 mm.
  • the second lead 42 has a pad portion 421, a base portion 422, and a substrate connecting portion 423.
  • the pad portion 421 is arranged apart from the first die pad 11 toward the first resin side surface 703 of the sealing resin 70 in the vertical direction Y.
  • the pad portion 421 is a wire bonding portion to which the wire 62 is connected.
  • the pad portion 421 is connected to the control source electrode 312 of the first switching element 20 by a wire 62. That is, the second lead 42 is the first source lead connected to the source electrode of the first switching element 20.
  • the first source lead 42 may be used instead of the second lead 42.
  • the wire 62 is made of, for example, Al.
  • the wire diameter of the wire 62 is, for example, 0.04 mm or more and 0.1 mm or less.
  • the base portion 422 extends in the vertical direction Y from the pad portion 421 and protrudes from the first resin side surface 703 of the sealing resin 70.
  • the board connection portion 423 extends in the vertical direction Y from the tip of the base portion 422.
  • the board connection portion 423 is inserted into a component hole of the mounting board and is connected to the conductor wiring of the mounting board by soldering (both are not shown).
  • the base portion 422 of the first source lead 42 is formed to have the same width as the substrate connection portion 423.
  • the thickness of the first source lead 42 is equal to or less than the thickness of the first die pad 11, and is, for example, 0.6 mm.
  • the third lead 43 has a connection portion 431, a base portion 432, and a substrate connection portion 433.
  • the connection portion 431 is connected to the first die pad 11.
  • the first die pad 11 is connected to the first back surface electrode (drain electrode) 23 of the first switching element 20. That is, the third lead 43 is the first drive lead (drain lead) connected to the first back surface electrode (drain electrode) 23 of the first switching element 20.
  • the first drive lead 43 may be used instead of the third lead 43.
  • the first drive lead 43 is integrated with the first die pad 11.
  • the first drive lead 43 and the first die pad 11 constitute an integrated first lead frame 14.
  • the base portion 432 extends in the vertical direction Y from the connecting portion 431 and protrudes from the first resin side surface 703 of the sealing resin 70.
  • the board connection portion 433 extends in the vertical direction Y from the tip of the base portion 432.
  • the board connection portion 433 is inserted into a component hole of the mounting board, and is connected to the conductor wiring of the mounting board by soldering (both are not shown).
  • the base portion 432 is formed to have a wider width in the lateral direction X than the substrate connecting portion 433. In the lateral direction X, the base portion 432 is formed so as to project toward the first source lead 42 from the substrate connecting portion 433.
  • the width of the substrate connection portion 433 is, for example, 1.2 mm, and the width of the base portion 432 is 2.6 mm.
  • the thickness of the first drive lead 43 is equal to or less than the thickness of the first die pad 11, and is, for example, 0.6 mm.
  • the fourth lead 44 has a connection portion 441, a base portion 442, and a substrate connection portion 443.
  • the connection portion 441 is connected to the second die pad 12.
  • the second die pad 12 is connected to the second back surface electrode (drain electrode) 33 of the second switching element 30.
  • the second die pad 12 is connected to the first main surface electrode 21 (main source electrode 211) of the first switching element 20.
  • the fourth lead 44 is an output lead connected to the first main surface electrode 21 (main source electrode 211) of the first switching element 20 and the second back surface electrode (drain electrode) 33 of the second switching element 30.
  • the output lead 44 may be used instead of the fourth lead 44.
  • the output lead 44 is integrated with the second die pad 12.
  • the output lead 44 and the second die pad 12 constitute an integrated second lead frame 15.
  • the base portion 442 extends in the vertical direction Y from the connecting portion 441 and protrudes from the first resin side surface 703 of the sealing resin 70.
  • the substrate connection portion 443 extends in the vertical direction Y from the tip of the base portion 442.
  • the base portion 442 is formed to have a wider width in the lateral direction X than the substrate connecting portion 443.
  • the base portion 442 is formed so as to project toward the first drive lead 43 from the substrate connecting portion 443.
  • the width of the base portion 442 and the substrate connection portion 443 of the output lead 44 and the thickness of the output lead 44 are equal to or less than the thickness of the second die pad 12, and are, for example, 0.6 mm.
  • the fifth lead 45 has a pad portion 451, a base portion 452, and a substrate connecting portion 453.
  • the pad portion 451 is arranged apart from the second die pad 12 toward the first resin side surface 703 of the sealing resin 70 in the vertical direction Y.
  • the pad portion 451 extends along the first side surface 123 of the second die pad 12.
  • the pad portion 451 is a wire bonding portion to which the second wire 52 as the second connecting member is connected.
  • the pad portion 451 is connected to the second main surface electrode 31 (main source electrode 311) of the second switching element 30 by, for example, a plurality of second wires 52.
  • FIG. 2 shows five second wires 52. Each second wire 52 is arranged in the lateral direction X.
  • the second wires 52 are wired so as to be parallel to each other when viewed from the thickness direction Z. That is, the fifth lead 45 is a second drive lead (source lead) connected to the second main surface electrode 31 (main source electrode 311) of the second switching element 30. In the following description, the second drive lead 45 may be used instead of the fifth lead 45.
  • the second wire 52 is made of, for example, Al.
  • the wire diameter of the second wire 52 is, for example, 0.1 mm or more and 0.4 mm or less.
  • the base portion 452 extends in the vertical direction Y from the pad portion 451 and protrudes from the first resin side surface 703 of the sealing resin 70.
  • the substrate connecting portion 453 extends in the vertical direction Y from the tip of the base portion 452.
  • the base portion 452 is formed to have a wider width in the lateral direction X than the substrate connecting portion 453. In the lateral direction X, the base portion 452 is formed so as to project toward the sixth lead 46 from the substrate connecting portion 453.
  • the width of the base portion 452 and the substrate connecting portion 453 of the second drive lead 45 and the thickness of the second drive lead 45 are equal to or less than the thickness of the second die pad 12, and are, for example, 0.6 mm.
  • the sixth lead 46 has a pad portion 461, a base portion 462, and a substrate connecting portion 463.
  • the pad portion 461 is arranged apart from the second die pad 12 toward the first resin side surface 703 of the sealing resin 70 in the vertical direction Y.
  • the pad portion 461 is a wire bonding portion to which the wire 63 is connected.
  • the pad portion 461 is connected to the control source electrode 313 of the second switching element 30 by, for example, one wire 63. That is, the sixth lead 46 is a source lead connected to the control source electrode 313 of the second switching element 30.
  • the second source lead 46 may be used instead of the sixth lead 46.
  • the wire 63 is made of, for example, Al.
  • the wire diameter of the wire 63 is, for example, 0.04 mm or more and 0.1 mm or less.
  • the base portion 462 extends in the vertical direction Y from the pad portion 461 and protrudes from the first resin side surface 703 of the sealing resin 70.
  • the substrate connection portion 463 extends in the vertical direction Y from the tip of the base portion 462.
  • the base portion 462 of the second source lead 46 is formed to have the same width as the substrate connecting portion 463.
  • the width of the base portion 462 and the substrate connecting portion 463 of the second source lead 46 and the thickness of the second source lead 46 are equal to or less than the thickness of the second die pad 12, and are, for example, 0.6 mm.
  • the seventh lead 47 has a pad portion 471, a base portion 472, and a substrate connecting portion 473.
  • the pad portion 471 is arranged apart from the second die pad 12 toward the first resin side surface 703 of the sealing resin 70 in the vertical direction Y.
  • the pad portion 471 is a wire bonding portion to which the wire 64 is connected.
  • the pad portion 471 is connected to the second control electrode 32 of the second switching element 30 by a wire 64. That is, the seventh lead 47 is a second control lead connected to the second control electrode (gate electrode) 32 of the second switching element 30. In the following description, the second control lead 47 may be used instead of the seventh lead 47.
  • the wire 64 is made of, for example, Al.
  • the wire diameter of the wire 64 is, for example, 0.04 mm or more and 0.1 mm or less.
  • the base portion 472 extends in the vertical direction Y from the pad portion 471 and protrudes from the first resin side surface 703 of the sealing resin 70.
  • the board connection portion 473 extends in the vertical direction Y from the selection of the base portion 472.
  • the base portion 472 is formed to have a wider width in the lateral direction X than the substrate connecting portion 473.
  • the base portion 472 is formed so as to protrude from the substrate connecting portion 473 in the direction from the third resin side surface 705 of the sealing resin 70 toward the fourth resin side surface 706.
  • the width of the base portion 472 and the substrate connecting portion 473 of the second control lead 47 and the thickness of the second control lead 47 are equal to or less than the thickness of the second die pad 12, and are, for example, 0.6 mm.
  • the thicknesses of the first leads 41 to the seventh leads 47 are equal to each other.
  • the distance between the first control lead 41 and the first source lead 42 and the distance between the second source lead 46 and the second control lead 47 are compared with each other in the first source lead 42 to the second source lead 46.
  • the leads 41 to 47 are arranged so that the distance between the two leads adjacent to each other in the direction X is wide.
  • the first source lead 42 to the second source lead 46 are arranged so that the intervals between the bases 422, 432, 442, 452, 462 are equal.
  • the sealing resin 70 has recesses 707 extending from the side surface 703 of the first resin along the vertical direction Y between the first source lead 42 and the second source lead 46.
  • FIG. 4 shows a comparative example with respect to the present embodiment.
  • an inverter circuit or the like is configured by using two semiconductor devices 90a and 90b.
  • the semiconductor devices 90a and 90b are electrically connected to one switching element 91, the gate electrode 911 of the switching element 91, the control source electrode 912, the main source electrode 913, and the back surface electrode (drain electrode) 914, respectively. It has leads 921 to 924.
  • Each of the electrodes 911 to 914 is connected to leads 921 to 924, respectively.
  • the inverter circuit is configured by electrically connecting the back electrode (drain electrode) 914 of the switching element 91 of one semiconductor device 90a and the main source electrode 913 of the switching element 91 of the other semiconductor device 90b by an external wiring OP.
  • the external wiring OP is, for example, a conductor wiring of a mounting board on which semiconductor devices 90a and 90b are mounted. In FIG. 4, the tips of the leads 924 and 923 are shown to be connected by the external wiring OP.
  • the lead 923 of one semiconductor device 90b is connected to the conductor wiring that supplies a low potential voltage
  • the lead 924 of the other semiconductor device 90a is connected to the conductor wiring that supplies a high potential voltage.
  • Two semiconductor devices 90a and 90b and an external wiring OP are interposed between the lead 923 and the lead 924. Due to the parasitic inductance of the external wiring OP, the inductances in the lead 924 (drain lead), the lead 923 (output lead), and the lead 923 (source lead) become large.
  • the semiconductor device A10 of the present embodiment includes a first switching element 20 and a second switching element 30 in one sealing resin 70.
  • the first main surface electrode 21 (main source electrode 211) of the first switching element 20 is connected to the second die pad 12 on which the second switching element 30 is mounted by the first wire 51 as the first connecting member. Therefore, in the semiconductor device A10 of the present embodiment, the conductor distance between the first drive lead 43 (first drive lead), the output lead 44 (output lead), and the second drive lead 45 (second drive lead) is shortened.
  • the inductance of the semiconductor device A10 is smaller than that of the above comparative example, and is approximately 1 ⁇ 2. As described above, in the semiconductor device A10 of the present embodiment, the inductance can be reduced.
  • the semiconductor device A10 includes a first switching element 20 and a second switching element 30 in one sealing resin 70.
  • the first main surface electrode 21 (main source electrode 211) of the first switching element 20 is connected to the second die pad 12 on which the second switching element 30 is mounted by the first wire 51 as the first connecting member. Therefore, in the semiconductor device A10, the conductor distance between the first drive lead 43 (first drive lead), the output lead 44 (output lead), and the second drive lead 45 (second drive lead) is shortened, and the inductance is reduced. can.
  • the thickness of the first die pad 11 and the second die pad 12 is 1 mm or more and 3 mm or less. It is preferable that the first die pad 11 and the second die pad are thick.
  • the heat generated by the operation of the first switching element 20 is transferred from the first switching element 20 to the first die pad 11.
  • the thermal resistance in the second switching element 30 can be reduced.
  • the plurality of first wires 51 as the first connecting member are wired so as to be parallel to each other when viewed from the thickness direction Z. Therefore, in the step of connecting the plurality of first wires 51, the plurality of first wires 51 can be connected by the same operation without changing the angle of the wire or the loop height of the wire, and the manufacturing becomes easy.
  • the main source electrode 311 of the second switching element 30 is connected to the pad portion 451 of the second drive lead 45 by a plurality of second wires 52.
  • the second wires 52 are wired so as to be parallel to each other when viewed from the thickness direction Z. Therefore, in the step of connecting the plurality of second wires 52, the plurality of wires 62 can be connected by the same operation without changing the angle of the wires or the loop height of the wires, which facilitates manufacturing.
  • the first source lead 42 to the second source lead 46 are lateral.
  • the leads 41 to 47 are arranged so that the distance between the two leads adjacent to each other in the direction X is wide.
  • the first source lead 42 to the second source lead 46 are arranged so that the intervals of the bases 422, 432, 442, 452, 462 of the first source lead 42 to the second source lead 46 are equal to each other. ing. Therefore, in the first source lead 42 to the second source lead 46, the distance between adjacent leads becomes long, and insulation can be ensured.
  • the sealing resin 70 has recesses 707 extending along the vertical direction Y from the side surface 703 of the first resin between the first source lead 42 and the second source lead 46.
  • the recess 707 increases the distance (creeping distance) along the surface of the sealing resin 70 between the first source lead 42 and the first drive lead 43, so that the first source lead 42 and the first drive lead 43 are separated from each other. Insulation between can be secured.
  • the creepage distance between the leads 43, 44, the leads 44, 45, and the leads 45, 46 sandwiching each recess 707 becomes long, and insulation can be ensured.
  • the first embodiment can be modified and implemented as follows.
  • the configurations of the first switching element 20 and the second switching element 30 may be appropriately changed.
  • the first switching element 20 the first main surface electrode 21 is divided into the main source electrode 211 and the control source electrodes 212 and 213, but a switching element that is not divided is used as the first main surface electrode. You may.
  • the first wire 51 and the wire 62 shown in FIGS. 1 and 2 are connected to one first main surface electrode.
  • the second main surface electrode 31 including the main source electrode 311 and the control source electrodes 312 and 313 is used, but the switching element which is not divided is used as the second main surface electrode. May be good.
  • the second wire 52 and the wire 63 shown in FIGS. 1 and 2 are connected to one first main surface electrode.
  • each lead may be changed as appropriate.
  • the semiconductor device A11 shown in FIG. 5 includes first leads 41 to seventh leads 47 having the same thickness as each other.
  • the thickness of the third reed 43 to the fifth reed is equal to the thickness of the first die pad 11 and the second die pad 12.
  • the thickness of the first lead 41, the second lead 42, the sixth lead 46, and the seventh lead 47 is the same as the thickness of the third lead 43 to the fifth lead 45, but the first lead.
  • Either one of 41 and the second lead 42, and one of the sixth lead 46 and the seventh lead 47 may have a thickness different from that of the third lead 43 to the fifth lead 45.
  • at least one of the third lead 43 to the fifth lead 45 may be different from the thickness of the first die pad 11 and the second die pad 12.
  • the number of the first wire 51 as the first connecting member connecting the first switching element 20 and the second die pad 12 may be 4 or less, or 6 or more.
  • the number of the second wire 52 as the second connecting member connecting the second switching element 30 and the fifth lead 45 may be 4 or less, or 6 or more.
  • the semiconductor device A20 of the second embodiment is different from the semiconductor device A10 of the first embodiment described above in that the connection between the fourth lead and the fifth lead is mainly different.
  • the same reference numerals may be given to the configurations common to the configurations of the semiconductor device A10 of the first embodiment, and the description thereof may be omitted.
  • the semiconductor device A20 of the present embodiment includes a plurality of leads 41, 42, 43, 44a, 45a, 46, 47 protruding from the first resin side surface 703 of the sealing resin 70. ing.
  • the fourth lead 44a has a pad portion 444, a base portion 442, and a substrate connecting portion 443.
  • the pad portion 444 is arranged apart from the second die pad 12 toward the first resin side surface 703 of the sealing resin 70 in the vertical direction Y.
  • the pad portion 444 extends along the first side surface 123 of the second die pad 12.
  • the pad portion 444 is a wire bonding portion to which the second wire 52 as the second connecting member is connected.
  • the pad portion 444 is connected to the second main surface electrode 31 (main source electrode 311) of the second switching element 30 by, for example, a plurality of second wires 52. 6 and 7 show five second wires 52. That is, the fourth lead 44a is a second drive lead (source lead) connected to the second main surface electrode 31 (main source electrode 311) of the second switching element 30.
  • the fifth lead 45a has a connection portion 454, a base portion 452, and a substrate connection portion 453.
  • the connection portion 454 is connected to the second die pad 12.
  • the second die pad 12 is connected to the second back surface electrode 33 (drain electrode) of the second switching element 30. Further, the second die pad 12 is connected to the first main surface electrode 21 (main source electrode 211) of the first switching element 20. That is, the fifth lead 45a is an output lead connected to the first main surface electrode 21 (main source electrode 211) of the first switching element 20 and the second back surface electrode 33 (drain electrode) of the second switching element 30. be.
  • the fifth lead 45a is integrated with the second die pad 12.
  • the fifth lead 45a and the second die pad 12 constitute an integrated second lead frame 15a.
  • the semiconductor device A20 of the present embodiment is arranged in the order of the first drive lead 43 (third lead), the second drive lead 44a (fourth lead), and the output lead 45a (fifth lead) in the lateral direction X. There is. That is, the first drive lead 43 and the second drive lead 44a are arranged side by side. A high potential voltage is supplied to the first drive lead 43, and a low potential voltage is supplied to the second drive lead 44a.
  • FIG. 9 shows the current when the semiconductor device A20 of this embodiment is operated.
  • the first switching element 20 is turned on and the second switching element 30 is turned off
  • the first current I1 flows from the first drive lead 43 toward the output lead 45a.
  • the second current I2 flows from the output lead 45a toward the second drive lead 44a.
  • the semiconductor device A20 is operated with a high-speed control signal (for example, 1 MHz)
  • the first current I1 and the second current I1 and the second current in the opposite directions to the semiconductor device A20 are used in the adjacent first drive lead 43 and second drive lead 44a.
  • the current I2 and the current I2 flow alternately.
  • the magnetic flux generated by the first current I1 and the second current I2 lowers the mutual inductance, so that the parasitic inductance in the semiconductor device A20 is further lowered.
  • the semiconductor device A20 is arranged in the order of the first drive lead 43 (third lead), the second drive lead 44a (fourth lead), and the output lead 45a (fifth lead) in the lateral direction X. ing.
  • the inductance in the semiconductor device A20 can be further reduced by the first current I1 flowing from the first drive lead 43 toward the output lead 45a and the second current I2 flowing from the output lead 45a toward the second drive lead 44a.
  • the semiconductor device A30 of the third embodiment will be described with reference to FIGS. 10 to 14.
  • the semiconductor device A30 of the third embodiment is different from the semiconductor device A10 of the first embodiment described above in that the first connecting member and the second connecting member are different.
  • the same reference numerals may be given to the configurations common to the configurations of the semiconductor device A10 of the first embodiment, and the description thereof may be omitted.
  • the semiconductor device A30 of the present embodiment includes a first clip 53 as a first connecting member. Further, the semiconductor device A30 of the present embodiment includes a second clip 54 as a second connecting member.
  • the first switching element 20 is connected to the second die pad 12 by the first clip 53.
  • the first clip 53 is a plate-shaped member having conductivity.
  • the first clip 53 is formed by bending a plate-shaped conductive plate.
  • the first clip 53 of the present embodiment has a strip shape extending in the lateral direction X.
  • the first clip 53 connects the first main surface electrode 21 (main source electrode 211) of the first switching element 20 and the second die pad 12. As shown in FIG. 13, one end of the first clip 53 is connected to the main source electrode 211 of the first switching element 20 by the solder 83, and the other end of the first clip 53 is connected to the second die pad 12 by the solder 84. Has been done.
  • the first clip 53 is made of Cu.
  • the thickness of the first clip 53 is 0.05 mm or more and 1.0 mm or less, preferably 0.5 mm or more.
  • the second switching element 30 is connected to the fifth lead 45 (second drive lead) by the second clip 54.
  • the second clip 54 is a plate-shaped member having conductivity.
  • the second clip 54 is formed by bending a plate-shaped conductive plate.
  • the second clip 54 of the present embodiment has a strip shape extending in the vertical direction Y.
  • the second clip 54 connects the second main surface electrode 31 (main source electrode 311) of the second switching element 30 and the pad portion 451 of the fifth lead 45.
  • one end of the second clip 54 is connected to the main source electrode 311 of the second switching element 30 by the solder 85, and the other end of the second clip 54 is connected to the pad of the fifth lead 45 by the solder 86. It is connected to the unit 451.
  • the second clip 54 is made of Cu.
  • the thickness of the second clip 54 is 0.05 mm or more and 1.0 mm or less, preferably 0.5 mm or more.
  • the first switching element 20 and the second die pad 12 were connected by the first clip 53. Therefore, it is possible to cope with a large current as compared with the case where the first switching element 20 and the second die pad 12 are connected by a plurality of wires.
  • the semiconductor device A40 of the fourth embodiment will be described with reference to FIGS. 15 to 18.
  • the semiconductor device A40 of the fourth embodiment is different from the semiconductor device A30 of the third embodiment described above in that the connection between the fourth lead and the fifth lead is mainly different.
  • the same reference numerals may be given to the configurations common to the configurations of the semiconductor device A30 of the third embodiment, and the description thereof may be omitted.
  • the semiconductor device A40 of the present embodiment includes a plurality of leads 41, 42, 43, 44a, 45a, 46, 47 protruding from the first resin side surface 703 of the sealing resin 70. ing.
  • the fourth lead 44a has a pad portion 444, a base portion 442, and a substrate connecting portion 443.
  • the pad portion 444 is arranged apart from the second die pad 12 toward the first resin side surface 703 of the sealing resin 70 in the vertical direction Y.
  • the pad portion 444 extends along the first side surface 123 of the second die pad 12.
  • the pad portion 444 is connected to the second main surface electrode 31 (main source electrode 311) of the second switching element 30 by the second clip 54a as the second connecting member.
  • the fourth lead 44a is a second drive lead (source lead) connected to the second main surface electrode 31 (main source electrode 311) of the second switching element 30.
  • the second clip 54a is a plate-shaped member having conductivity.
  • the second clip 54a is formed by bending a plate-shaped conductive plate.
  • the second clip 54a has a lead connecting portion 541, an electrode connecting portion 542, and a connecting portion 543.
  • the lead connection portion 541 extends in the lateral direction X in the same manner as the pad portion 444 of the fourth lead 44a, and is connected to the pad portion 444 by the solder 86.
  • the electrode connecting portion 542 is formed in a rectangular shape corresponding to the second main surface electrode 31 (main source electrode 311) of the second switching element 30, and is connected to the second main surface electrode 31 by the solder 85.
  • the connecting portion 543 connects the lead connecting portion 541 and the electrode connecting portion 542.
  • the connecting portion 543 extends in the vertical direction Y from the lead connecting portion 541.
  • the connecting portion 543 is connected to the end portion of the electrode connecting portion 542 near the first die pad 11. That is, the electrode connecting portion 542 extends in the lateral direction X from the connecting portion 543.
  • the second clip 54a connects the connecting portion 543 between the second switching element 30 and the third side surface 125 of the second die pad 12 to the main surface 121 of the second die pad 12. It is formed so as to be parallel to.
  • the fifth lead 45a has a connection portion 454, a base portion 452, and a substrate connection portion 453.
  • the connection portion 454 is connected to the second die pad 12.
  • the second die pad 12 is connected to the second back surface electrode 33 (drain electrode) of the second switching element 30. Further, the second die pad 12 is connected to the first main surface electrode 21 (main source electrode 211) of the first switching element 20. That is, the fifth lead 45a is an output lead connected to the first main surface electrode 21 (main source electrode 211) of the first switching element 20 and the second back surface electrode 33 (drain electrode) of the second switching element 30. be.
  • the fifth lead 45a is integrated with the second die pad 12.
  • the fifth lead 45a and the second die pad 12 constitute an integrated second lead frame 15a.
  • a semiconductor is provided by a first current I1 (see FIG. 9) flowing from the first drive lead 43 toward the output lead 45a and a second current I2 (see FIG. 9) flowing from the output lead 45a toward the second drive lead 44a.
  • the inductance in the device A40 can be reduced.
  • the second clip 54a connecting the second switching element 30 and the second drive lead 44a has a lead connecting portion 541 connected to the fourth lead 44a and an electrode connected to the second switching element 30. It has a connecting portion 542 and a connecting portion 543 that connects the lead connecting portion 541 and the electrode connecting portion 542.
  • the connecting portion 543 is arranged so as to be parallel to the second die pad 12. Therefore, there are many adjacent portions between the first drive lead 43 (third lead) and the output lead 45a (fifth lead), and between the output lead 45a and the second drive lead 44a (fourth lead). , Inductance can be further reduced.
  • the semiconductor device A50 of the fifth embodiment will be described with reference to FIGS. 19 to 21.
  • the semiconductor device A50 of the fifth embodiment has a different position of the switching element from the semiconductor device A40 of the fourth embodiment described above.
  • the same reference numerals may be given to the configurations common to the configurations of the semiconductor device A40 of the fourth embodiment, and the description thereof may be omitted.
  • the first switching element 20 and the second switching element 30 are arranged near the center of the sealing resin 70.
  • the arrangement of the first switching element 20 and the second switching element 30 will be described in detail.
  • the first switching element 20 is arranged on the main surface 111 of the first die pad 11 in the vertical direction Y closer to the first side surface 113. As shown in FIGS. 20 and 21, the first switching element 20 is arranged closer to the fourth side surface 116 of the first die pad 11 in the lateral direction X. The fourth side surface 116 faces the third side surface 125 of the second die pad 12. That is, the first switching element 20 is arranged closer to the second die pad 12 in the first die pad 11. As a result, the length of the first clip 53 connecting the first switching element 20 and the second die pad 12 can be shortened.
  • the distance (first distance) Lx1 from the fourth side surface 116 of the first die pad 11 to the fourth element side surface 206 of the first switching element 20 when viewed from the thickness direction Z is the distance (first distance) Lx1 of the first die pad 11. It is thicker than the thickness.
  • the second switching element 30 is arranged on the main surface 121 of the second die pad 12 near the first side surface 123 in the vertical direction Y. As shown in FIGS. 20 and 21, the second switching element 30 is arranged closer to the third side surface 125 of the second die pad 12 in the lateral direction X. That is, the second switching element 30 is arranged closer to the first die pad 11 in the second die pad 12. As a result, the length of the electrical path from the first switching element 20 to the second switching element 30 can be shortened.
  • the distance (second distance) Lx2 from the third side surface 125 of the second die pad 12 to the third element side surface 305 of the second switching element 30 when viewed from the thickness direction Z is the distance (second distance) Lx2 of the second die pad 12. It is thicker than the thickness.
  • the first switching element 20 is arranged near the fourth side surface 116 of the first die pad 11 in the lateral direction X.
  • the second switching element 30 is arranged closer to the third side surface 125 of the second die pad 12 in the lateral direction X.
  • the heat generated by the operation of the first switching element 20 is transferred from the first switching element 20 to the first die pad 11.
  • heat is transferred while diffusing from the main surface 111 of the first die pad 11 toward the back surface 112, as shown by an arrow in FIG. 21.
  • heat is transferred from each surface of the first die pad 11 to the sealing resin 70.
  • the heat generated by the operation of the second switching element 30 is transferred from the second switching element 30 to the second die pad 12, and is transmitted while diffusing from the main surface 121 of the second die pad 12 toward the back surface 122. Then, heat is transferred from each surface of the second die pad 12 to the sealing resin 70.
  • the heat transfer efficiency from 125 to the resin portion 70a is reduced. That is, the heat dissipation efficiency for the first switching element 20 and the second switching element 30 is lowered.
  • the distance Lx1 from the fourth side surface 116 of the first die pad 11 to the fourth element side surface 206 of the first switching element 20 is the thickness of the first die pad 11. That is all.
  • the distance Lx2 from the third side surface 125 of the second die pad 12 to the third element side surface 305 of the second switching element 30 is equal to or larger than the thickness of the second die pad 12.
  • the first switching element 20 is arranged closer to the second die pad 12 in the first die pad 11, and the second switching element 30 is arranged closer to the first die pad 11 in the second die pad 12. .. Therefore, the length of the electric path from the first switching element 20 to the second switching element 30 can be shortened, and the parasitic inductance in the electric path between the elements can be made smaller.
  • the distance Lx1 from the fourth side surface 116 of the first die pad 11 to the fourth element side surface 206 of the first switching element 20 is equal to or larger than the thickness of the first die pad 11. As a result, it is possible to suppress a decrease in heat dissipation efficiency of the first die pad 11 with respect to the first switching element 20.
  • the distance Lx2 from the third side surface 125 of the second die pad 12 to the third element side surface 305 of the second switching element 30 is equal to or larger than the thickness of the second die pad 12. As a result, it is possible to suppress a decrease in heat dissipation efficiency of the second die pad 12 with respect to the second switching element 30.
  • the semiconductor device A61 is mounted on the first die pad 11 and connected in parallel to the two first switching elements 20, and mounted on the second die pad 12 and connected in parallel to each other. It includes two second switching elements 30.
  • the amount of current flowing through the semiconductor device A61 can be increased.
  • Three or more first switching elements 20 may be mounted on the first die pad 11, and three or more second switching elements 30 may be mounted on the second die pad 12. The number of switching elements to be mounted is determined according to the amount of current flowing through the semiconductor device A61.
  • each member constituting the semiconductor device may be changed as appropriate.
  • 23 to 26 show an example of changing the shapes of the lead and the second connecting member.
  • the width of the base 442 of the fourth lead 44a is made wider than the width of the base 432 of the third lead 43 and the base 452 of the fifth lead 45a. May be good.
  • each base 432,442,452 may be wider than the width of the base 412 of the first lead 41 and the base 472 of the seventh lead 47.
  • the width of the second clip 54a may be widened as in the semiconductor device A64 shown in FIG. Further, as in the semiconductor device A65 shown in FIG. 26, by using the first switching element 20 and the second switching element 30 as, for example, a Si element, the base 442 of the fourth lead 44a can be replaced with the base 432 of the third lead 43. It can be brought closer to the base 452 of the fifth lead 45a to reduce the inductance.
  • the semiconductor device A70 of the sixth embodiment will be described with reference to FIGS. 27 to 31.
  • the semiconductor device A70 includes a first die pad 11, a second die pad 12, a first lead group 1020 (leads 1021 to 1023), a second lead group 1030 (leads 1031 to 1034), and a first. It has one switching element 40a, 40b, a second switching element 50a, 50b, a first connecting member 1061, a second connecting member 1062, wires 71 to 76, and a sealing resin 900.
  • the sealing resin 900 covers the first die pad 11, the second die pad 12, the first switching elements 40a and 40b and the second switching elements 50a and 50b, the first connecting member 1061, the second connecting member 1062, and the wires 71 to 76. It is formed like this. Further, the sealing resin 900 is formed so as to cover a part of the first lead group 1020 (leads 1021 to 1023) and the second lead group 1030 (leads 1031 to 1034).
  • the sealing resin 900 is formed in a flat rectangular parallelepiped shape.
  • the "rectangular parallelepiped” includes a rectangular parallelepiped in which the corners and ridges are chamfered and a rectangular parallelepiped in which the corners and ridges are rounded.
  • a part or all of the constituent surfaces may be formed with irregularities or the like, or the constituent surfaces may be formed of a curved surface or a plurality of surfaces.
  • the sealing resin 900 is made of a synthetic resin having electrical insulation.
  • the sealing resin 900 is an epoxy resin.
  • the synthetic resin constituting the sealing resin 900 is colored, for example, black.
  • the sealing resin 900 is shown by a alternate long and short dash line, and the members inside the sealing resin 900 are shown by a solid line.
  • the thickness direction of the sealing resin 900 is defined as the thickness direction Z, one direction orthogonal to the thickness direction Z is the lateral direction X, and the direction orthogonal to the thickness direction Z and the lateral direction X is the vertical direction. Let it be Y.
  • the horizontal direction X corresponds to the first direction
  • the vertical direction Y corresponds to the second direction.
  • the sealing resin 900 has a resin main surface 901, a resin back surface 902, and a first resin side surface 903 to a fourth resin side surface 906.
  • the resin main surface 901 and the resin back surface 902 face opposite to each other in the thickness direction Z.
  • the first resin side surface 903 to the fourth resin side surface 906 face any one of the directions parallel to the resin main surface 901 and the resin back surface 902.
  • the first resin side surface 903 and the second resin side surface 904 face opposite to each other in the vertical direction Y.
  • the third resin side surface 905 and the fourth resin side surface 906 face each other in the lateral direction X.
  • FIG. 28 is a view of the semiconductor device A70 from the side of the resin main surface 901 of the sealing resin 900.
  • the shape of the sealing resin 900 is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the first resin side surface 903 and the second resin side surface 904 are side surfaces along the lateral direction X
  • the third resin side surface 905 and the fourth resin side surface 906 are side surfaces along the vertical direction Y.
  • the first die pad 11 and the second die pad 12 are formed in a rectangular plate shape.
  • the first die pad 11 and the second die pad 12 are made of, for example, Cu (copper).
  • the term "composed of Cu” means that it is made of Cu or an alloy containing Cu. It should be noted that those having a plating layer formed on a part or the whole of the surface are also included in the one made of Cu.
  • the first die pad 11 has a main surface 111, a back surface 112, and a first side surface 113 to a fourth side surface 116.
  • the main surface 111 and the back surface 112 face each other in the thickness direction Z.
  • the main surface 111 of the first die pad 11 faces the same side as the resin main surface 901 of the sealing resin 900.
  • the first side surface 113 to the fourth side surface 116 face either the horizontal direction X or the vertical direction Y.
  • the first side surface 113 and the second side surface 114 face each other in the vertical direction Y
  • the third side surface 115 and the fourth side surface 116 face each other in the horizontal direction X.
  • the second die pad 12 has a main surface 121, a back surface 122, and a first side surface 123 to a fourth side surface 126.
  • the main surface 121 and the back surface 122 face each other in the thickness direction Z.
  • the main surface 121 of the second die pad 12 faces the same side as the resin main surface 901 of the sealing resin 900.
  • the first side surface 123 to the fourth side surface 126 face either the horizontal direction X or the vertical direction Y.
  • the first side surface 123 and the second side surface 124 face each other in the vertical direction Y
  • the third side surface 125 and the fourth side surface 126 face each other in the horizontal direction X.
  • the first die pad 11 and the second die pad 12 are arranged so that their main surfaces 111 and 121 are at the same position in the thickness direction Z.
  • the first die pad 11 and the second die pad 12 have the same thickness.
  • the thickness of the first die pad 11 and the second die pad 12 is 1 mm or more and 3 mm or less.
  • the thickness of the first die pad 11 and the second die pad 12 is preferably 2 mm or more and 3 mm or less, for example.
  • the back surface 112 of the first die pad 11 and the back surface 122 of the second die pad 12 are at the same position in the thickness direction Z.
  • the first die pad 11 and the second die pad 12 are arranged along the lateral direction X.
  • the fourth side surface 116 of the first die pad 11 and the third side surface 125 of the second die pad 12 face each other.
  • the distance L12 between the first die pad 11 and the second die pad 12 is smaller than the thickness of the first die pad 11 and the second die pad 12, for example, 1 mm or more and 3 mm or less.
  • the first die pad 11 and the second die pad 12 are arranged so that the first side surfaces 113 and 123 are at the same position in the vertical direction Y.
  • the semiconductor device A70 has a first lead group 1020 and a second lead group 1030.
  • the first lead group 1020 is composed of a plurality of (three in this embodiment) leads 1021 to 1023 protruding from the first resin side surface 903 of the sealing resin 900.
  • the second lead group 1030 is composed of a plurality of (four in this embodiment) leads 1031 to 1034 from the second resin side surface 904 of the sealing resin 900.
  • the leads 1021 to 1023 of the first lead group 1020 are arranged along the horizontal direction X and extend along the vertical direction Y.
  • the leads 1031 to 1034 of the second lead group 1030 are arranged along the horizontal direction X and extend along the vertical direction Y. Leads 1021 to 1023 and 1031 to 1034 are made of Cu.
  • the first lead group 1020 is composed of a first drive lead 1021, a second drive lead 1022, and an output lead 1023.
  • the first drive lead 1021 is arranged at the center of the first die pad 11 in the lateral direction X.
  • the first drive lead 1021 has a connection portion 1211, a base portion 1212, and a substrate connection portion 1213.
  • the connecting portion 1211 is connected to the first side surface 113 of the first die pad 11.
  • the first drive lead 1021 is integrated with the first die pad 11.
  • the first drive lead 1021 and the first die pad 11 constitute an integrated first lead frame 14.
  • the base portion 1212 extends in the vertical direction Y from the connecting portion 1211 and protrudes from the first resin side surface 903 of the sealing resin 900.
  • the substrate connection portion 1213 extends in the vertical direction Y from the tip of the base portion 1212.
  • the board connection portion 1213 is inserted into a component hole of the mounting board and is connected to the conductor wiring of the mounting board by soldering (both are not shown).
  • the base portion 1212 is formed to have a wider width in the lateral direction X than the substrate connecting portion 1213. In the lateral direction X, the base portion 1212 is formed so as to protrude from the substrate connecting portion 1213 in the direction from the fourth resin side surface 906 of the sealing resin 900 toward the third resin side surface 905.
  • the second drive lead 1022 is arranged at the center of the sealing resin 900 in the lateral direction X.
  • the second drive lead 1022 has a pad portion 1221, a base portion 1222, and a substrate connecting portion 1223.
  • the pad portion 1221 is arranged apart from the second die pad 12 toward the first resin side surface 903 of the sealing resin 900 in the vertical direction Y.
  • the pad portion 1221 extends along the first side surface 113 of the first die pad 11 and the first side surface 123 of the second die pad 12. That is, the pad portion 1221 is arranged so as to straddle the first side surface 123 of the second die pad 12 from the first side surface 113 of the first die pad 11.
  • the pad portion 1221 is a connecting portion to which the second connecting member 1062 is connected.
  • the base portion 1222 extends in the vertical direction Y from the pad portion 1221 and protrudes from the first resin side surface 903 of the sealing resin 900.
  • the substrate connection portion 1223 extends in the vertical direction Y from the tip of the base portion 1222.
  • the base portion 1222 is formed to have a wider width in the lateral direction X than the substrate connecting portion 1223.
  • the base portion 1222 is formed so as to protrude from the substrate connecting portion 1223 in the direction from the third resin side surface 905 to the fourth resin side surface 906 of the sealing resin 900.
  • the output lead 1023 is arranged at the center of the second die pad 12 in the lateral direction X.
  • the output lead 1023 has a connection portion 1231, a base portion 1232, and a substrate connection portion 1233.
  • the connecting portion 1231 is connected to the first side surface 123 of the second die pad 12.
  • the output lead 1023 is integrated with the second die pad 12.
  • the output lead 1023 and the second die pad 12 constitute an integrated second lead frame 15.
  • the base portion 1232 extends in the vertical direction Y from the connecting portion 1231 and protrudes from the first resin side surface 903 of the sealing resin 900.
  • the substrate connection portion 1233 extends in the vertical direction Y from the tip of the base portion 1232. As shown in FIG.
  • the base portion 1232 is formed to have a wider width in the lateral direction X than the substrate connecting portion 1233. In the lateral direction X, the base portion 1232 is formed so as to protrude from the substrate connecting portion 1233 in the direction from the third resin side surface 905 to the fourth resin side surface 906 of the sealing resin 900.
  • the second read group 1030 is composed of a first control lead 1031, a first source lead 1032, a second source lead 1033, and a second control lead 1034.
  • the first control lead 1031 has a pad portion 1311, a base portion 1312, and a substrate connecting portion 1313.
  • the pad portion 1311 is arranged apart from the first die pad 11 toward the second resin side surface 904 of the sealing resin 900 in the vertical direction Y.
  • the pad portion 1311 is a wire bonding portion to which the wires 71 and 72 are connected.
  • the base portion 1312 extends in the vertical direction Y from the pad portion 1311 and protrudes from the second resin side surface 904 of the sealing resin 900.
  • the substrate connection portion 1313 extends in the vertical direction Y from the tip of the base portion 1312.
  • the base portion 1312 is formed to have a wider width in the lateral direction X than the substrate connecting portion 1313. In the lateral direction X, the base portion 1312 is formed so as to protrude from the substrate connecting portion 1313 in the direction from the fourth resin side surface 906 to the third resin side surface 905.
  • the first source lead 1032 has a pad portion 1321, a base portion 1322, and a substrate connection portion 1323.
  • the pad portion 1321 is arranged apart from the first die pad 11 toward the second resin side surface 904 of the sealing resin 900 in the vertical direction Y.
  • the pad portion 1321 is a wire bonding portion to which the wire 73 is connected.
  • the base portion 1322 extends in the vertical direction Y from the pad portion 1321 and protrudes from the second resin side surface 904 of the sealing resin 900.
  • the substrate connection portion 1323 extends in the vertical direction Y from the tip of the base portion 1322.
  • the second source lead 1033 has a pad portion 1331, a base portion 1332, and a substrate connection portion 1333.
  • the pad portion 1331 is arranged apart from the second die pad 12 toward the second resin side surface 904 of the sealing resin 900 in the vertical direction Y.
  • the pad portion 1331 is a wire bonding portion to which the wire 76 is connected.
  • the base portion 1332 extends in the vertical direction Y from the pad portion 1331 and protrudes from the second resin side surface 904 of the sealing resin 900.
  • the substrate connection portion 1333 extends in the vertical direction Y from the tip of the base portion 1332.
  • the second control lead 1034 has a pad portion 1341, a base portion 1342, and a substrate connection portion 1343.
  • the pad portion 1341 is arranged apart from the second die pad 12 toward the second resin side surface 904 of the sealing resin 900 in the vertical direction Y.
  • the pad portion 1341 is a wire bonding portion to which the wires 74 and 75 are connected.
  • the base portion 1342 extends in the vertical direction Y from the pad portion 1341 and protrudes from the second resin side surface 904 of the sealing resin 900.
  • the board connection portion 1343 extends in the vertical direction Y from the selection of the base portion 1342.
  • the base portion 1342 is formed to have a wider width in the lateral direction X than the substrate connecting portion 1343. In the lateral direction X, the base portion 1342 is formed so as to protrude from the substrate connecting portion 1343 in the direction from the third resin side surface 905 to the fourth resin side surface 906.
  • each lead 1021 to 1023, 1031 to 1033 is equal to or less than the thickness of the first die pad 11 and the second die pad 12.
  • the thickness of each lead 1021 to 1023, 1031 to 1034 is, for example, 0.6 mm.
  • the leads 1021 to 1023 of the first lead group 1020 and the leads 1031 to 1034 of the second lead group 1030 are formed on the resin main surface 901 of the sealing resin 900 as shown by the alternate long and short dash line. It is bent toward it.
  • the semiconductor device A70 in which the leads 1021 to 1023 and 1031 to 1034 are formed in this way is a semiconductor package surface-mounted on a mounting substrate.
  • the sealing resin 900 is placed between the first drive lead 1021 and the second drive lead 1022 and between the second drive lead 1022 and the output lead 1023 in the vertical direction from the first resin side surface 903. It has a recess 907 that extends along Y.
  • the two first switching elements 40a and 40b are mounted on the main surface 111 of the first die pad 11.
  • the two second switching elements 50a and 50b are mounted on the main surface 121 of the second die pad 12.
  • the first switching elements 40a and 40b and the second switching elements 50a and 50b are silicon carbide (SiC) chips.
  • SiC- MOSFETs metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
  • the first switching elements 40a and 40b and the second switching elements 50a and 50b are elements capable of high-speed switching.
  • the two first switching elements 40a and 40b are arranged at the center of the main surface 111 of the first die pad 11 in the lateral direction X. Further, the two first switching elements 40a and 40b are arranged side by side in the vertical direction Y on the main surface 111 of the first die pad 11.
  • the first switching elements 40a and 40b are formed in a flat plate shape.
  • the shapes of the first switching elements 40a and 40b are rectangular shapes that are long in the lateral direction X when viewed from the thickness direction Z.
  • the first switching elements 40a and 40b have an element main surface 401, an element back surface 402, and a plurality of element side surfaces 403.
  • the element main surface 401 and the element back surface 402 face in opposite directions in the thickness direction Z.
  • the element main surface 401 faces in the same direction as the resin main surface 901. That is, the element main surface faces the same direction as the main surface 111 of the first die pad 11.
  • the element back surface 402 faces the main surface 111 of the first die pad 11.
  • the plurality of element side surfaces 403 face either the horizontal direction X or the vertical direction Y.
  • the first switching elements 40a and 40b have a first main surface electrode 1041 and a first control electrode 1042 on the element main surface 401, and a first back surface electrode 1043 on the element back surface 402.
  • the first main surface electrode 1041 is a source electrode.
  • the first main surface electrode 1041 of the present embodiment includes a main source electrode 1411 and control source electrodes 1412 and 1413.
  • the first control electrode 1042 is a gate electrode.
  • the control source electrodes 1412 and 1413 are, for example, driver source electrodes electrically connected to a circuit (driver) for driving the first switching elements 40a and 40b.
  • the first control electrode 1042 is arranged at a portion closer to the third side surface 115 of the first die pad 11 (the third resin side surface 905 of the sealing resin 900). Further, the first control electrode 1042 is arranged at the center of the first main surface electrode 1041 in the vertical direction Y.
  • the main source electrode 1411 of the first main surface electrode 1041 is arranged so as to be aligned with the first control electrode 1042 in the lateral direction X.
  • the control source electrodes 1412 and 1413 are arranged so as to sandwich the first control electrode 1042 in the vertical direction Y.
  • the first back surface electrode 1043 is a drain electrode. The first back surface electrode 1043 is electrically connected to the first die pad 11 by the solder 81.
  • the two second switching elements 50a and 50b are arranged in the center of the main surface 121 of the second die pad 12 in the lateral direction X. Further, the two second switching elements 50a and 50b are arranged side by side in the vertical direction Y on the main surface 121 of the second die pad 12.
  • the second switching elements 50a and 50b are formed in a flat plate shape.
  • the shapes of the second switching elements 50a and 50b are rectangular shapes that are long in the lateral direction X when viewed from the thickness direction Z.
  • the second switching elements 50a and 50b have an element main surface 501, an element back surface 502, and a plurality of element side surfaces 503.
  • the element main surface 501 and the element back surface 502 face in opposite directions in the thickness direction Z.
  • the element main surface 501 faces the resin main surface 901. That is, the element main surface faces the same direction as the main surface 121 of the second die pad 12.
  • the element back surface 502 faces the main surface 121 of the second die pad 12.
  • the plurality of element side surfaces 503 face either the horizontal direction X or the vertical direction Y.
  • the second switching elements 50a and 50b have a second main surface electrode 1051 and a second control electrode 1052 on the element main surface 501, and a second back surface electrode 1053 on the element back surface 502.
  • the second main surface electrode 1051 is a source electrode.
  • the second main surface electrode 1051 of the present embodiment includes a main source electrode 511 and a control source electrode 512, 513.
  • the second control electrode 1052 is a gate electrode.
  • the control source electrodes 512 and 513 are, for example, driver source electrodes that are electrically connected to a circuit (driver) that drives the second switching elements 50a and 50b.
  • the second control electrode 1052 is arranged at a portion closer to the fourth side surface 126 (fourth resin side surface 906 of the sealing resin 900) of the second die pad 12. Further, the second control electrode 1052 is arranged at the center of the second main surface electrode 1051 in the vertical direction Y.
  • the main source electrode 511 of the second main surface electrode 1051 is arranged so as to be aligned with the second control electrode 1052 in the lateral direction X.
  • the control source electrodes 512 and 513 are arranged so as to sandwich the second control electrode 1052 in the vertical direction Y.
  • the second back surface electrode 1053 is a drain electrode. The second back surface electrode 1053 is electrically connected to the second die pad 12 by the solder 82.
  • the first main surface electrodes 1041 (main source electrodes 1411) of the first switching elements 40a and 40b are each connected to the second die pad 12 by the first connecting member 1061.
  • the first connecting member 1061 is a plate-shaped member having conductivity, and is called a clip.
  • the first connecting member 1061 is formed by bending a plate-shaped conductive plate.
  • the first connecting member 1061 of the present embodiment has a strip shape extending in the lateral direction X.
  • the first connecting member 1061 connects the first main surface electrode 1041 (main source electrode 1411) of the first switching elements 40a and 40b to the second die pad 12. As shown in FIG.
  • the first connecting member 1061 is made of Cu.
  • the thickness of the first connecting member 1061 is 0.05 mm or more and 1.0 mm or less, preferably 0.5 mm or more.
  • the first main surface electrode 1041 (main source electrode 1411) of the first switching elements 40a and 40b and the second die pad 12 may be connected by a plurality of wires.
  • the number of wires is preferably set according to, for example, the drive current that can be passed through the semiconductor device A70.
  • the second switching elements 50a and 50b are connected to the second drive lead 1022 by the second connecting member 1062.
  • the second connecting member 1062 is a plate-shaped member having conductivity and is called a clip.
  • the second connecting member 1062 is formed by bending a plate-shaped conductive plate.
  • the second connecting member 1062 has a lead connecting portion 621, an electrode connecting portion 622, and a connecting portion 623.
  • the lead connection portion 621 extends in the lateral direction X in the same manner as the pad portion 1221 of the second drive lead 1022. As shown in FIG. 28, the lead connection portion 621 is connected to the pad portion 1221 by the solder 86.
  • the electrode connecting portion 622 is formed in a rectangular shape corresponding to the second main surface electrode 1051 (main source electrode 511) of the second switching elements 50a and 50b, and is connected to the second main surface electrode 1051 by the solder 85.
  • the connecting portion 623 connects the lead connecting portion 621 and the electrode connecting portion 622.
  • the connecting portion 623 extends in the vertical direction Y from the lead connecting portion 621.
  • the connecting portion 623 is connected to the end portion of the electrode connecting portion 622 near the first die pad 11. That is, each electrode connecting portion 622 extends in the lateral direction X from the connecting portion 623.
  • the second connecting member 1062 has a connecting portion 623 of the second die pad 12 between the second switching elements 50a and 50b and the third side surface 125 of the second die pad 12. It is formed so as to be parallel to the main surface 121.
  • the second connecting member 1062 is made of Cu.
  • the thickness of the second connecting member 1062 is 0.05 mm or more and 1.0 mm or less, preferably 0.5 mm or more.
  • the semiconductor device A70 includes a plurality of wires 71 to 76.
  • the wires 71 to 76 are conductive linear members.
  • the wires 71 to 76 are made of, for example, Al.
  • the wire diameters of the wires 71 to 76 are, for example, 0.04 mm or more and 0.1 mm or less.
  • the wire 71 is connected between the pad portion 1311 of the first control lead 1031 and the first control electrode 1042 of the first switching element 40a.
  • the wire 72 is connected between the pad portion 1311 of the first control lead 1031 and the first control electrode 1042 of the first switching element 40b.
  • the wire 73 is connected between the pad portion 1321 of the first source lead 1032 and the control source electrode 1413 of the first switching element 40b.
  • the wire 74 is connected between the pad portion 1341 of the second control lead 1034 and the second control electrode 1052 of the second switching element 50a.
  • the wire 75 is connected between the pad portion 1341 of the second control lead 1034 and the second control electrode 1052 of the second switching element 50b.
  • the wire 76 is connected between the pad portion 1331 of the second source lead 1033 and the control source electrode 512 of the second switching element 50b.
  • the semiconductor device A70 of the present embodiment includes first switching elements 40a and 40b and second switching elements 50a and 50b in one sealing resin 900.
  • the first main surface electrode 1041 (main source electrode 1411) of the first switching elements 40a and 40b is connected to the second die pad 12 on which the second switching elements 50a and 50b are mounted by the first connecting member 1061. Therefore, the semiconductor device A70 of the present embodiment constitutes an inverter circuit in which the first switching elements 40a and 40b and the second switching elements 50a and 50b are connected in series.
  • the inverter circuit can be configured by connecting two semiconductor devices.
  • the inverter circuit is configured by connecting the leads (source lead on the high potential side and drain lead on the low potential side) of the two semiconductor devices by wiring on the mounting board on which the two semiconductor devices are mounted.
  • the external wiring increases the inductance in the leads of the two semiconductor devices.
  • the semiconductor device A70 of the present embodiment is arranged in the order of the first drive lead 1021, the second drive lead 1022, and the output lead 1023 in the lateral direction X. That is, the first drive lead 1021 and the second drive lead 1022 are arranged so as to be adjacent to each other. A high potential voltage is supplied to the first drive lead 1021, and a low potential voltage is supplied to the second drive lead 1022.
  • the semiconductor device A70 When the first switching elements 40a and 40b are turned on and the second switching elements 50a and 50b are turned off, the first current I1 flows from the first drive lead 1021 toward the output lead 1023. On the contrary, when the first switching elements 40a and 40b are turned off and the second switching elements 50a and 50b are turned on, the second current I2 flows from the output lead 1023 toward the second drive lead 1022.
  • the semiconductor device A70 is operated with a high-speed control signal (for example, 1 MHz)
  • the first current I1 and the second current I1 and the second current in the opposite directions to the semiconductor device A70 are used in the adjacent first drive lead 1021 and second drive lead 1022.
  • the current I2 and the current I2 flow alternately.
  • the magnetic flux generated by the first current I1 and the second current I2 lowers the mutual inductance, so that the parasitic inductance in the semiconductor device A70 is further lowered.
  • the semiconductor device A70 includes first switching elements 40a and 40b and second switching elements 50a and 50b in one sealing resin 900.
  • the first main surface electrode 1041 (main source electrode 1411) of the first switching elements 40a and 40b is connected to the second die pad 12 on which the second switching elements 50a and 50b are mounted by the first connecting member 1061. Therefore, in the semiconductor device A70, the conductor distance between the first drive lead 1021, the output lead 1023, and the second drive lead 1022 is shortened, and the inductance can be reduced.
  • the semiconductor device A70 is arranged in the order of the first drive lead 1021, the second drive lead 1022, and the output lead 1023 in the lateral direction X.
  • the inductance in the semiconductor device A70 is due to the first current I1 flowing from the first drive lead 1021 toward the output lead 1023 and the second current I2 flowing from the output lead 1023 toward the second drive lead 1022. Can be further reduced.
  • the thickness of the first die pad 11 and the second die pad 12 is 1 mm or more and 3 mm or less. It is preferable that the first die pad 11 and the second die pad 12 are thick.
  • the heat generated by the operation of the first switching elements 40a and 40b is transferred from the first switching elements 40a and 40b to the first die pad 11.
  • the thermal resistance in the second switching elements 50a and 50b can be reduced.
  • the first switching elements 40a and 40b and the second die pad 12 were connected by the first connecting member 1061 made of a plate-shaped member. Therefore, it is possible to cope with a large current as compared with the case where the first switching elements 40a and 40b and the second die pad 12 are connected by a plurality of wires. Further, as compared with the case where the first switching elements 40a and 40b and the second die pad 12 are connected by a plurality of wires, the number of members to be connected is reduced, and the manufacturing man-hours can be reduced. Further, since the number of wires in the semiconductor device A70 can be reduced, the occurrence of wire breakage or the like can be suppressed.
  • the second switching elements 50a and 50b and the second drive lead 1022 are connected by a second connecting member 1062 made of a plate-shaped member. Therefore, it is possible to cope with a large current as compared with the case where the second switching elements 50a and 50b and the second drive lead 1022 are connected by a plurality of wires. Further, as compared with the case where the second switching elements 50a and 50b and the second drive lead 1022 are connected by a plurality of wires, the number of members to be connected is reduced, and the manufacturing man-hours can be reduced. Further, since the number of wires in the semiconductor device A70 can be reduced, the occurrence of wire breakage or the like can be suppressed.
  • the semiconductor device A70 includes leads 1021 to 1023 protruding from the first resin side surface 903 of the sealing resin 900, and leads 1031 to 1034 protruding from the second resin side surface 904 of the sealing resin 900. Therefore, the space between the first drive lead 1021 and the second drive lead 1022 and the space between the second drive lead 1022 and the output lead 1023 can be widened. Therefore, insulation can be easily ensured.
  • the sealing resin 900 is vertically Y from the first resin side surface 903 between the first drive lead 1021 and the second drive lead 1022 and between the second drive lead 1022 and the output lead 1023. It has a recess 907 that extends along. The recess 907 increases the distance (creeping distance) along the surface of the sealing resin 900 between the first drive lead 1021 and the second drive lead 1022, and between the second drive lead 1022 and the output lead 1023. .. Therefore, the insulating property can be further secured.
  • the sixth embodiment can be modified and implemented as follows. In the drawing showing the modified example, the wire is omitted.
  • the first connecting member 61a connecting the first switching elements 40a and 40b and the second die pad 12 is one plate-shaped member.
  • the first connecting member 61a includes a die connecting portion 611 extending in the vertical direction Y and two electrode connecting portions 612 extending in the horizontal direction X from the die connecting portion 611.
  • the die connecting portion 611 is connected to the second die pad 12, and the electrode connecting portion 612 is connected to the first main surface electrode 1041 (main source electrode 1411) of the first switching elements 40a and 40b.
  • the number of semiconductor elements mounted on the first die pad 11 and the second die pad 12 may be appropriately changed.
  • the semiconductor device A72 shown in FIG. 33 three first switching elements 40a, 40b, 40c mounted on the first die pad 11 and three second switching elements 50a, 50b mounted on the second die pad 12 It is equipped with 50c.
  • a semiconductor device in which one first switching element is mounted on the first die pad 11 and one second switching element is mounted on the second die pad 12 may be used.
  • the arrangement of the leads 1021 to 1023 constituting the first lead group 1020 may be changed.
  • the output lead 1023 may be arranged between the first drive lead 1021 and the second drive lead 1022.
  • the arrangement of the leads 1031 to 1034 constituting the second lead group 1030 may be appropriately changed.
  • the first source lead 1032 may be arranged outside the first control lead 1031 (a portion of the sealing resin 900 closer to the third resin side surface 905).
  • the second source lead 1033 may be arranged outside the second control lead 1034 (a portion of the sealing resin 900 near the side surface 906 of the fourth resin).
  • the semiconductor device A80 of the seventh embodiment will be described with reference to FIGS. 34 to 37.
  • the semiconductor device A80 of the seventh embodiment has a different lead arrangement from the first switching element and the second switching element as compared with the semiconductor device A70 of the sixth embodiment.
  • the semiconductor device A80 has a first lead group 1020a and a second lead group 1030a.
  • the first lead group 1020a is composed of a first drive lead 1021 and a second drive lead 1022.
  • the first drive lead 1021 is arranged near the fourth side surface 116 of the first die pad 11 in the lateral direction X.
  • the second drive lead 1022 is arranged closer to the third side surface 125 of the second die pad 12 in the lateral direction X.
  • the first drive lead 1021 and the second drive lead 1022 are arranged so that the intermediate point between them is the center of the sealing resin 900.
  • the second lead group 1030a is composed of a first control lead 1031, a first source lead 1032, a second source lead 1033, a second control lead 1034, and an output lead 1035.
  • the output lead 1035 is arranged between the first source lead 1032 and the second source lead 1033.
  • the output lead 1035 has a connection portion 1351, a base portion 1352, and a board connection portion 1353.
  • the connecting portion 1351 is connected to the second side surface 124 of the second die pad 12.
  • the output lead 1035 is integrated with the second die pad 12.
  • the output lead 1035 and the second die pad 12 form an integrated second lead frame 15a.
  • the connection portion 1351 includes a die connection portion 1351a and a pad portion 1351b.
  • the die connection portion 1351a is connected to a portion closer to the third side surface 125 on the second side surface 124 of the second die pad 12.
  • the pad portion 1351b extends from the die connecting portion 1351a toward the first source lead 1032 along the lateral direction X.
  • the pad portion 1351b is arranged at a position overlapping with the first drive lead 1021 when viewed from the vertical direction Y.
  • the base portion 1352 extends in the vertical direction Y from the connection portion 1351 and protrudes from the second resin side surface 904 of the sealing resin 900.
  • the substrate connection portion 1353 extends in the vertical direction Y from the tip of the base portion 1352. As shown in FIG. 35, the base portion 1352 is formed to have a wider width in the lateral direction X than the substrate connecting portion 1353.
  • the base portion 1352 is formed to be wide so that a part of the base portion 1352 overlaps with the first drive lead 1021 and the other part overlaps with the second drive lead 1022 in the vertical direction Y.
  • the board connection portion 1353 is arranged at the center of the base portion 1352 in the lateral direction X. Further, the substrate connecting portion 1353 is arranged at the center of the sealing resin 900 in the lateral direction X.
  • the first switching elements 40a and 40b are arranged at a portion of the first die pad 11 near the fourth side surface 116 in the lateral direction X.
  • the fourth side surface 116 faces the third side surface 125 of the second die pad 12. That is, the first switching elements 40a and 40b are arranged closer to the second die pad 12 of the first die pad 11.
  • the first switching elements 40a and 40b are arranged so that the main source electrode 1411 of the first main surface electrode 1041 overlaps with the pad portion 1351b of the output lead 1035 in the vertical direction Y.
  • the distance (first distance) Lx1 from the fourth side surface 116 of the first die pad 11 to the element side surface 403 of the first switching elements 40a and 40b when viewed from the thickness direction Z is the distance (first distance) Lx1 of the first die pad 11. It is thicker than the thickness.
  • the second switching elements 50a and 50b are arranged at a portion closer to the third side surface 125 of the second die pad 12 in the lateral direction X. That is, the second switching elements 50a and 50b are arranged at a portion of the second die pad 12 near the first die pad 11.
  • the second switching elements 50a and 50b are arranged so that the main source electrode 511 of the second main surface electrode 1051 overlaps with the pad portion 1221 of the second drive lead 1022 in the vertical direction Y.
  • the distance (second distance) Lx2 from the third side surface 125 of the second die pad 12 to the element side surface 503 of the second switching elements 50a and 50b when viewed from the thickness direction Z is the distance (second distance) Lx2 of the second die pad 12. It is thicker than the thickness.
  • the first connecting member 61b has a strip shape extending in the vertical direction Y, and connects the main source electrodes 1411 of the first switching elements 40a and 40b to the pad portion 1351b of the output lead 1035.
  • the output lead 1035 is connected to the second die pad 12. Therefore, it can be said that the first main surface electrode 1041 (main source electrode 1411) of the first switching elements 40a and 40b is connected to the second die pad 12 via the output lead 1035.
  • the second connecting member 62b has a strip shape extending in the vertical direction Y, and connects the main source electrodes 511 of the second switching elements 50a and 50b to the pad portion 1221 of the second drive lead 1022.
  • the first switching elements 40a and 40b are arranged at a portion of the first die pad 11 near the fourth side surface 116 in the lateral direction X.
  • the first switching elements 40a and 40b are arranged so that the main source electrode 1411 overlaps with the pad portion 1351b of the output lead 1035 in the vertical direction Y.
  • the pad portion 1351b is arranged so as to overlap with the first drive lead 1021 in the vertical direction Y. Therefore, the first drive lead 1021, the first switching elements 40a and 40b, and the pad portion 1351b of the output lead 1035 overlap in the vertical direction Y.
  • a current can flow substantially linearly between the first drive lead 1021 and the output lead 1035.
  • the second switching elements 50a and 50b are arranged at a portion closer to the third side surface 125 of the second die pad 12 in the lateral direction X.
  • the second switching elements 50a and 50b are arranged so as to overlap with the second drive lead 1022 in the vertical direction Y.
  • the output lead 1035 partially overlaps with the second drive lead 1022 in the vertical direction Y.
  • the first drive lead 1021 and the second drive lead 1022 are arranged so as to be adjacent to each other in the lateral direction X.
  • a current flows from the first drive lead 1021 toward the output lead 1035 in the first drive lead 1021.
  • the second drive lead 1022 a current flows from the output lead 1035 toward the second drive lead 1022. Therefore, in the first drive lead 1021 and the second drive lead 1022 that are adjacent to each other, the mutual inductance is reduced by the magnetic flux generated by the currents flowing in opposite directions, so that the parasitic inductance in the semiconductor device A80 is further reduced.
  • the heat generated by the operation of the first switching elements 40a and 40b is transferred from the first switching elements 40a and 40b to the first die pad 11.
  • heat is transferred while diffusing from the main surface 111 of the first die pad 11 toward the back surface 112, as shown by an arrow in FIG. 37.
  • heat is transferred from each surface of the first die pad 11 to the sealing resin 900.
  • the heat generated by the operation of the second switching elements 50a and 50b is transferred from the second switching elements 50a and 50b to the second die pad 12, and diffuses from the main surface 121 of the second die pad 12 toward the back surface 122. Be transmitted.
  • heat is transferred from each surface of the second die pad 12 to the sealing resin 900.
  • the heat transfer efficiency from 125 to the resin portion 900a is reduced. That is, the heat dissipation efficiency for the first switching elements 40a and 40b and the second switching elements 50a and 50b is lowered.
  • the distance Lx1 from the fourth side surface 116 of the first die pad 11 to the element side surface 403 of the first switching elements 40a and 40b is the thickness of the first die pad 11. That is all.
  • the distance Lx2 from the third side surface 125 of the second die pad 12 to the element side surface 503 of the second switching elements 50a and 50b is equal to or larger than the thickness of the second die pad 12.
  • the decrease in heat dissipation efficiency can also be suppressed by increasing the distance L12 between the first die pad 11 and the second die pad 12, that is, by separating the first die pad 11 and the second die pad 12 from each other.
  • the sealing resin 900 becomes large, that is, the external dimensions of the semiconductor device become large.
  • the positions of the first switching elements 40a and 40b and the second switching elements 50a and 50b as described above, it is possible to suppress a decrease in heat dissipation efficiency and suppress an increase in the size of the semiconductor device A80.
  • the semiconductor device A80 has a first drive lead 1021 and a second drive lead 1022 protruding from the first resin side surface 903 of the sealing resin 900, and an output protruding from the second resin side surface 904 of the sealing resin 900. It has a lead 1035. Therefore, it is possible to easily secure the insulation between the first drive lead 1021 and the output lead 1035, and between the second drive lead 1022 and the output lead 1035.
  • the distance Lx1 from the fourth side surface 116 of the first die pad 11 to the element side surface 403 of the first switching elements 40a and 40b is equal to or larger than the thickness of the first die pad 11. As a result, it is possible to suppress a decrease in heat dissipation efficiency of the first die pad 11 with respect to the first switching elements 40a and 40b.
  • the distance Lx2 from the third side surface 125 of the second die pad 12 to the element side surface 503 of the second switching elements 50a and 50b is equal to or larger than the thickness of the second die pad 12. As a result, it is possible to suppress a decrease in heat dissipation efficiency of the second die pad 12 with respect to the second switching elements 50a and 50b.
  • the seventh embodiment can be modified and implemented as follows. In the drawing showing the modified example, the wire is omitted.
  • first connecting member 1061 and the second connecting member 1062 may be changed as appropriate.
  • the width of the first connecting member 61c may be widened.
  • the width of the second connecting member 62c may be widened.
  • the inductance can be further reduced.
  • the shapes of the first drive lead 1021, the second drive lead 1022, and the output lead 1035 may be appropriately changed.
  • the length of the base portion 1212, 1222, 352 of each lead 1021, 1022, 1035 in the vertical direction Y may be shortened.
  • each base portion 1212, 1222, 352 may be prevented from protruding from the sealing resin 900.
  • the first switching elements 40a and 40b and the second switching elements 50a and 50b may be arranged along the lateral direction X as in the semiconductor device A85 shown in FIG. 42. In this case, the first switching elements 40a and 40b are arranged at a portion of the first die pad 11 near the second side surface 114, and the second switching elements 50a and 50b are arranged at a portion of the second die pad 12 near the first side surface 123. ..
  • the number of first switching elements mounted on the first die pad 11 may be one or three or more. Further, the number of the second switching elements mounted on the second die pad 12 may be one or three or more.
  • a Si element or the like may be used as the first switching element and the second switching element.
  • a first switching element composed of a main source electrode 1411 and control source electrodes 1412 and 1413 was used as the first main surface electrode 1041, but one, two, or four or more source electrodes were provided.
  • a switching element may be used.
  • a second switching element composed of a main source electrode 511 and a control source electrode 512, 513 was used as the second main surface electrode 1051, but one, two, or four or more source electrodes are provided.
  • a switching element may be used.
  • a first main surface electrode and a first control electrode provided, and a first back surface electrode provided on the back surface of the first element, and the first back surface electrode is connected to the first main surface.
  • a second main surface electrode and a second control electrode provided, and a second back surface electrode provided on the back surface of the second element, and the second back surface electrode is connected to the second main surface.
  • Switching element and A first connection member that connects the first main surface electrode of the first switching element and the second die pad, and The first main surface and a plurality of resin side surfaces facing in a direction parallel to the second main surface, the first switching element, the second switching element, the first die pad, and the second die pad, and the said.
  • a sealing resin that seals the first connecting member A first drive that is arranged in the first direction, projects from one of the resin side surfaces of the sealing resin and faces the second direction intersecting with the first direction, and extends in the second direction.
  • Multiple leads including leads and second drive leads,
  • a second connecting member that connects the second main surface electrode of the second switching element and the second drive lead, and Equipped with The second connection member includes a lead connection portion connected to the second drive lead, an electrode connection portion connected to the second main surface electrode of the second switching element, and a lead connection portion and the electrode connection.
  • a semiconductor device including a connecting portion for connecting the portions.
  • the plurality of leads include a first control lead and a second control lead.
  • the semiconductor device further Any of Appendix 1 to Appendix 7 comprising a first wire connecting the first control lead and the first control electrode and a second wire connecting the second control lead and the second control electrode.
  • the plurality of leads include a first source lead and a second source lead.
  • the first source lead is connected to the first main surface electrode of the first switching element of one of the plurality of first switching elements mounted on the first die pad
  • the second source lead is The description in any one of Supplementary note 1 to Supplementary note 8, which is connected to the second main surface electrode of the second switching element, which is one of the plurality of the second switching elements mounted on the second die pad.
  • the first main surface electrode has a main source electrode and a control source electrode, and the first connecting member comprises the main source electrode of the first main surface electrode and the second die pad.
  • the semiconductor device according to any one of Supplementary note 1 to Supplementary note 10 to be connected.
  • the second main surface electrode has a main source electrode and a control source electrode, and the second connecting member includes the main source electrode of the second main surface electrode and the second drive lead.
  • the semiconductor device according to any one of Supplementary note 1 to Supplementary note 11, wherein the semiconductor device is connected to the above-mentioned one.
  • a first die pad having a first main surface and A second die pad arranged away from the first die pad in a first direction parallel to the first main surface and having a second main surface facing the same direction as the first main surface.
  • a first main surface electrode and a first control electrode provided, and a first back surface electrode provided on the back surface of the first element, and the first back surface electrode is connected to the first main surface.
  • a second main surface electrode and a second control electrode provided, and a second back surface electrode provided on the back surface of the second element, and the second back surface electrode is connected to the second main surface.
  • Switching element and A first connecting member that connects the first main surface electrode of the first switching element and the second main surface of the second die pad.
  • a sealing resin that seals the first connecting member A first lead group including a first drive lead and a second drive lead protruding from the first resin side surface facing the second direction intersecting the first direction among the plurality of resin side surfaces.
  • a second lead group including a first control lead and a second control lead protruding from the second resin side surface facing in the direction opposite to the first resin side surface,
  • a second connecting member that connects the second main surface electrode of the second switching element and the second drive lead, and Equipped with
  • the second connection member includes a lead connection portion connected to the second drive lead, a plurality of electrode connection portions connected to the second main surface electrodes of the plurality of second switching elements, and a lead connection portion.
  • the first lead group includes an output lead connected to the second die pad.
  • the semiconductor device according to any one of Supplementary note 13 to Supplementary note 16, wherein the output lead is arranged between the first drive lead and the second drive lead when viewed from the second direction.
  • the first main surface electrode has a main source electrode and a control source electrode, and the first connecting member includes the main source electrode of the first main surface electrode and the second die pad.
  • the semiconductor device according to any one of Supplementary note 13 to Supplementary note 17 to be connected.
  • the second main surface electrode has a main source electrode and a control source electrode, and the second connecting member includes the main source electrode of the second main surface electrode and the second drive lead.
  • the semiconductor device according to any one of Supplementary note 13 to Supplementary note 18, which connects the above.
  • Appendix 20 From Appendix 13 including a first wire connecting the first control lead and the first control electrode, and a second wire connecting the second control lead and the second control electrode.
  • the semiconductor device according to any one of Supplementary note 19.
  • the second read group includes a first source read and a second source read.
  • the first source lead is connected to the first main surface electrode of the first switching element of one of the plurality of first switching elements mounted on the first die pad, and the second source lead is It is described in any one of Supplementary note 13 to Supplementary note 20, which is connected to the second main surface electrode of the second switching element, which is one of the plurality of the second switching elements mounted on the second die pad.
  • Semiconductor device is described in any one of Supplementary note 13 to Supplementary note 20, which is connected to the second main surface electrode of the second switching element, which is one of the plurality of the second switching elements mounted on the second die pad.

Abstract

半導体装置（Ａ１０，Ａ１１，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０，Ａ５０，Ａ６１～Ａ６５）は、第１主面（１１１）を有する第１ダイパッド（１１）と、第２主面（１２１）を有する第２ダイパッド（１２）と、第１主面（１１１）に接続された第１スイッチング素子（２０）と、第２主面（１２１）に接続された第２スイッチング素子（３０）と、第１スイッチング素子（２０）の第１主面電極（２１）と第２ダイパッド（１２）とを接続する第１接続部材（５１，５３）と、第１スイッチング素子（２０）、第２スイッチング素子（３０）、第１ダイパッド（１１）、第２ダイパッド（１２）、及び第１接続部材（５１，５３）を封止する封止樹脂（７０）と、封止樹脂（７０）の複数の樹脂側面（７０３，７０４，７０５，７０６）のうちの１つの樹脂側面（７０３）から突出する複数のリード（４１，４２，４３，４４，４５）と、を備える。

Description

半導体装置
　本開示は、半導体装置に関する。
　従来、半導体装置は、ダイパッド及び複数のリードを含むリードフレームと、ダイパッドに搭載された１つのトランジスタと、トランジスタの各電極とリードとを接続するワイヤと、トランジスタ及びワイヤを封止する封止樹脂とを備える（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１７－１７４９５１号公報
　この半導体装置は、例えば、インバータ回路やＤＣ－ＤＣコンバータ回路に用いられる。これらの回路は、実装基板に実装された２つの半導体装置を、実装基板の配線導体により互いに接続して構成される。実装基板の配線導体は、例えば１つの半導体装置に搭載されたトランジスタのドレイン電極と、他の半導体装置に搭載されたトランジスタのソース電極とを互いに電気的に接続する。実装基板に実装される複数の半導体装置は、取り付けや放熱のため互いの距離を一定以上とするように配置される。このため、電極間の導体（リード及び配線導体）が長く、寄生インダクタンスが大きい。寄生インダクタンスは、速いスイッチングの妨げとなる。このため、半導体装置における寄生インダクタンスの低減が要求されている。
　本開示の目的は、インダクタンスを低減できる半導体装置を提供することにある。
　本開示の一態様である半導体装置は、第１主面を有する第１ダイパッドと、前記第１主面と平行な第１方向に前記第１ダイパッドから離れて配置され、前記第１主面と同じ方向を向く第２主面を有する第２ダイパッドと、前記第１主面に実装され、前記第１主面と同じ方向を向く第１素子主面と、前記第１素子主面と反対側を向く第１素子裏面と、前記第１素子主面に設けられた第１主面電極及び第１制御電極と、前記第１素子裏面に設けられた第１裏面電極とを有し、前記第１裏面電極が前記第１主面に接続された第１スイッチング素子と、前記第２主面に実装され、前記第２主面と同じ方向を向く第２素子主面と、前記第２素子主面と反対側を向く第２素子裏面と、前記第２素子主面に設けられた第２主面電極及び第２制御電極と、前記第２素子裏面に設けられた第２裏面電極とを有し、前記第２裏面電極が前記第２主面に接続された第２スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子の前記第１主面電極と前記第２ダイパッドとを接続する第１接続部材と、前記第１主面及び前記第２主面と平行な方向を向く複数の樹脂側面を有し、前記第１スイッチング素子、前記第２スイッチング素子、前記第１ダイパッド、及び前記第２ダイパッド、及び前記第１接続部材を封止する封止樹脂と、前記第１方向に配列され、前記封止樹脂の複数の前記樹脂側面のうちの前記第１方向と交差する第２方向を向く１つの前記樹脂側面から突出し、前記第２方向に延びる複数のリードと、を備えた。
　この構成によれば、第１スイッチング素子と第２スイッチング素子とが接続される。そして、第１スイッチング素子の第１主面電極と、第２スイッチング素子の第２裏面電極が接続された第２ダイパッドとの間の電気的経路の距離が短くなり、インダクタンスを低減できる。
　本開示の別の態様である半導体装置は、第１主面を有する第１ダイパッドと、前記第１主面と平行な第１方向に前記第１ダイパッドから離れて配置され、前記第１主面と同じ方向を向く第２主面を有する第２ダイパッドと、前記第１主面に実装され、前記第１主面と同じ方向を向く第１素子主面と、前記第１素子主面と反対側を向く第１素子裏面と、前記第１素子主面に設けられた第１主面電極及び第１制御電極と、前記第１素子裏面に設けられた第１裏面電極とを有し、前記第１裏面電極が前記第１主面に接続された第１スイッチング素子と、前記第２主面に実装され、前記第２主面と同じ方向を向く第２素子主面と、前記第２素子主面と反対側を向く第２素子裏面と、前記第２素子主面に設けられた第２主面電極及び第２制御電極と、前記第２素子裏面に設けられた第２裏面電極とを有し、前記第２裏面電極が前記第２主面に接続された第２スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子の前記第１主面電極に接続された第１接続部材と、前記第１主面及び前記第２主面と平行な方向を向く複数の樹脂側面を有し、前記第１スイッチング素子、前記第２スイッチング素子、前記第１ダイパッド、及び前記第２ダイパッド、及び前記第１接続部材を封止する封止樹脂と、複数の前記樹脂側面のうち前記第１方向と交差する第２方向を向く第１樹脂側面から突出する複数のリードを含む第１リード群と、前記第１樹脂側面と反対方向を向く第２樹脂側面から突出する複数のリードを含む第２リード群と、を備え、前記第１スイッチング素子の前記第１主面電極は、前記第１接続部材を介して前記第２ダイパッドと電気的に接続されている。
　この構成によれば、第１スイッチング素子の第１主面電極と、第２スイッチング素子の第２裏面電極とが封止樹脂に封止された第１接続部材により電気的に接続される。そして、第１スイッチング素子の第１主面電極と第２スイッチング素子の第２裏面電極との間の電気的経路の距離が短くなり、インダクタンスを低減できる。
　本開示の一態様によれば、インダクタンスを低減できる半導体装置を提供できる。
第１実施形態の半導体装置を示す斜視図。 第１実施形態の半導体装置を示す平面図。 第１実施形態の半導体装置を示す側面図。 第１実施形態の半導体装置に対する比較例を示す平面図。 第１実施形態の変更例の半導体装置を示す斜視図。 第２実施形態の半導体装置を示す斜視図。 第２実施形態の半導体装置を示す平面図。 第２実施形態の半導体装置を示す側面図。 第２実施形態の半導体装置の作用を示す平面図。 第３実施形態の半導体装置を示す斜視図。 第３実施形態の半導体装置を示す平面図。 第３実施形態の半導体装置を示す側面図。 図１１の１３－１３線断面図。 図１１の１４－１４線断面図。 第４実施形態の半導体装置を示す斜視図。 第４実施形態の半導体装置を示す平面図。 第４実施形態の半導体装置を示す側面図。 図１６の１８－１８線断面図。 第５実施形態の半導体装置を示す斜視図。 第５実施形態の半導体装置を示す平面図。 図２０の２１－２１線断面図。 変更例の半導体装置を示す平面図。 変更例の半導体装置を示す平面図。 変更例の半導体装置を示す平面図。 変更例の半導体装置を示す平面図。 変更例の半導体装置を示す平面図。 第６実施形態の半導体装置を示す斜視図。 第６実施形態の半導体装置を示す平面図。 第６実施形態の半導体装置を示す側面図。 図２８の３０－３０線断面図。 図２８の３１－３１線断面図。 第６実施形態の変更例の半導体装置を示す斜視図。 第６実施形態の変更例の半導体装置を示す平面図。 第７実施形態の半導体装置を示す斜視図。 第７実施形態の半導体装置を示す平面図。 第７実施形態の半導体装置を示す側面図。 図３５の３５－３５線断面図。 第７実施形態の変更例の半導体装置を示す平面図。 第７実施形態の変更例の半導体装置を示す平面図。 第７実施形態の変更例の半導体装置を示す平面図。 第７実施形態の変更例の半導体装置を示す斜視図。 第７実施形態の変更例の半導体装置を示す平面図。
　以下、実施形態及び変更例について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態及び変更例は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであって、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の各実施形態及び変更例は、種々の変更を加えることができる。また、以下の実施形態及び変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
　本明細書において、「部材Ａが部材Ｂと接続された」とは、部材Ａと部材Ｂとが物理的に直接的に接続される場合、並びに、部材Ａ及び部材Ｂが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合を含む。
　同様に、「部材Ｃが部材Ａと部材Ｂとの間に設けられた」とは、部材Ａと部材Ｃ、あるいは部材Ｂと部材Ｃとが直接的に接続される場合、並びに、部材Ａと部材Ｃ、あるいは部材Ｂと部材Ｃとが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合を含む。
　（第一実施形態）
　図１～図３を参照して、第１実施形態の半導体装置Ａ１０を説明する。
　図１、図２に示すように、半導体装置Ａ１０は、第１ダイパッド１１、第２ダイパッド１２、第１スイッチング素子２０、第２スイッチング素子３０、複数のリード４１～４７、封止樹脂７０を有している。
　［封止樹脂］
　封止樹脂７０は、第１ダイパッド１１及び第２ダイパッド１２と、第１スイッチング素子２０及び第２スイッチング素子３０とを覆うように形成されている。また、封止樹脂７０は、複数のリード４１～４７の一部を覆うように形成されている。
　封止樹脂７０は、扁平な直方体状に形成されている。なお、本明細書において、「直方体状」には、角部や稜線部が面取りされた直方体や、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。また、構成面の一部又は全部は、凹凸などが形成されているもの、構成面が曲面や複数の面から構成されているものであってもよい。
　封止樹脂７０は、電気絶縁性を有する合成樹脂よりなる。一例では、封止樹脂７０は、エポキシ樹脂である。封止樹脂７０を構成する合成樹脂は、例えば黒色に着色されている。なお、図１、図２では、封止樹脂７０を一点鎖線にて示し、封止樹脂７０内の部材を実線で示している。以後の説明において、封止樹脂７０の厚さ方向を厚さ方向Ｚとし、厚さ方向Ｚと直交する１つの方向を横方向Ｘ、厚さ方向Ｚ及び横方向Ｘと直交する方向を縦方向Ｙとする。横方向Ｘは第１方向に相当し、縦方向Ｙは第２方向に相当する。
　封止樹脂７０は、樹脂主面７０１、樹脂裏面７０２、第１樹脂側面７０３～第４樹脂側面７０６を有している。樹脂主面７０１と樹脂裏面７０２は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向いている。第１樹脂側面７０３～第４樹脂側面７０６は、樹脂主面７０１及び樹脂裏面７０２と平行な方向のうちのいずれかを向いている。第１樹脂側面７０３と第２樹脂側面７０４は、縦方向Ｙにおいて互いに反対側を向いている。第３樹脂側面７０５と第４樹脂側面７０６は、横方向Ｘにおいて互いに反対側を向いている。
　図２は、封止樹脂７０の樹脂主面７０１の側から半導体装置Ａ１０を視た図である。図２に示すように、半導体装置Ａ１０を厚さ方向Ｚから視て、封止樹脂７０の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる長方形状である。第１樹脂側面７０３及び第２樹脂側面７０４は、横方向Ｘに沿う側面であり、第３樹脂側面７０５及び第４樹脂側面７０６は、縦方向Ｙに沿う側面である。
　［第１ダイパッド、第２ダイパッド］
　第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２は、矩形板状に形成されている。第１ダイパッド１１及び第２ダイパッド１２は、例えばＣｕ（銅）よりなる。なお、本実施形態において、Ｃｕよりなるとは、Ｃｕ、又はＣｕを含む合金により形成されていることを意図している。なお、表面の一部又は全体にめっき層が形成されているものも、このＣｕよりなるものに含まれる。
　第１ダイパッド１１は、主面１１１、裏面１１２、第１側面１１３～第４側面１１６を有している。主面１１１と裏面１１２は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向いている。第１ダイパッド１１の主面１１１は、封止樹脂７０の樹脂主面７０１と同じ側を向いている。第１側面１１３～第４側面１１６は、横方向Ｘと縦方向Ｙのいずれかを向いている。本実施形態において、第１側面１１３と第２側面１１４は、縦方向Ｙにおいて互いに反対側を向き、第３側面１１５と第４側面１１６は、横方向Ｘにおいて互いに反対側を向いている。
　第２ダイパッド１２は、主面１２１、裏面１２２、第１側面１２３～第４側面１２６を有している。主面１２１と裏面１２２は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向いている。第２ダイパッド１２の主面１２１は、封止樹脂７０の樹脂主面７０１と同じ側を向いている。第１側面１２３～第４側面１２６は、横方向Ｘと縦方向Ｙのいずれかを向いている。本実施形態において、第１側面１２３と第２側面１２４は、縦方向Ｙにおいて互いに反対側を向き、第３側面１２５と第４側面１２６は、横方向Ｘにおいて互いに反対側を向いている。
　第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２は、厚さ方向Ｚにおいてそれぞれの主面１１１，１２１を同じ位置とするように配置されている。第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２は、同じ厚さである。第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２の厚さは、１ｍｍ以上３ｍｍ以下である。第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２の厚さは、例えば２ｍｍ以上３ｍｍ以下であることが好ましい。第１ダイパッド１１の裏面１１２と第２ダイパッド１２の裏面１２２は、厚さ方向Ｚにおいて同じ位置となる。
　第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２は、横方向Ｘに沿って配列されている。そして、第１ダイパッド１１の第４側面１１６と第２ダイパッド１２の第３側面１２５は、互いに対向している。第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２との間の距離Ｌ１２は、第１ダイパッド１１、第２ダイパッド１２の厚さよりも小さく、例えば１ｍｍ以上３ｍｍ以下である。第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２は、縦方向Ｙにおいて、それぞれの第１側面１１３，１２３を同じ位置とするように配置されている。
　［第１スイッチング素子、第２スイッチング素子］
　第１スイッチング素子２０は、第１ダイパッド１１の主面１１１に搭載されている。第２スイッチング素子３０は、第２ダイパッド１２の主面１２１に搭載されている。第１スイッチング素子２０及び第２スイッチング素子３０は、炭化シリコン（ＳｉＣ）チップである。本実施形態の第１スイッチング素子２０及び第２スイッチング素子３０はＳｉＣＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）が用いられている。第１スイッチング素子２０及び第２スイッチング素子３０は、高速スイッチングが可能な素子である。
　第１スイッチング素子２０は、平板状に形成されている。具体的には、平面視において、第１スイッチング素子２０の形状は、例えば正方形状である。図２、図３に示すように、第１スイッチング素子２０は、素子主面２０１、素子裏面２０２、第１素子側面２０３～第４素子側面２０６を有している。素子主面２０１及び素子裏面２０２は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対方向を向いている。素子主面２０１は、樹脂主面７０１と同じ方向を向く。すなわち、素子主面は、第１ダイパッド１１の主面１１１と同じ方向を向いている。素子裏面２０２は、第１ダイパッド１１の主面１１１に対向している。第１素子側面２０３と第２素子側面２０４は、縦方向Ｙにおいて互いに反対側を向き、第３素子側面２０５と第４素子側面２０６は、横方向Ｘにおいて互いに反対側を向いている。第１素子側面２０３は、第１ダイパッド１１の第１側面１１３と同じ方向を向き、第２素子側面２０４は、第１ダイパッド１１の第２側面１１４と同じ方向を向いている。第３素子側面２０５は、第１ダイパッド１１の第３側面１１５と同じ方向を向き、第４素子側面２０６は、第１ダイパッド１１の第４側面１１６と同じ方向を向いている。
　第１スイッチング素子２０は、素子主面２０１の第１主面電極２１及び第１制御電極２２と、素子裏面２０２の第１裏面電極２３とを有している。第１主面電極２１はソース電極である。本実施形態の第１主面電極２１は、主ソース電極２１１及び制御用ソース電極２１２，２１３を含む。第１制御電極２２はゲート電極である。制御用ソース電極２１２，２１３は、例えば、第１スイッチング素子２０を駆動する回路（ドライバ）に対して電気的に接続されるドライバソース電極である。本実施形態において、第１制御電極２２は、第３素子側面２０５寄りの部位に配置されている。また、第１制御電極２２は、第３素子側面２０５寄りの部位において、縦方向Ｙの中央に配置されている。第１主面電極２１の主ソース電極２１１は横方向Ｘにおいて、第１制御電極２２と並ぶように配置されている。制御用ソース電極２１２，２１３は、縦方向Ｙにおいて、第１制御電極２２を挟むように配置されている。第１裏面電極２３はドレイン電極である。第１裏面電極２３は、はんだ８１によって第１ダイパッド１１と電気的に接続されている。
　図２に示すように、第１スイッチング素子２０は、第１ダイパッド１１の主面１１１において、縦方向Ｙにおいて、第１側面１１３寄りの部位に配置されている。また、第１スイッチング素子２０は、横方向Ｘにおいて、第１ダイパッド１１の中央に配置されている。
　第２スイッチング素子３０は、平板状に形成されている。具体的には、平面視において、第２スイッチング素子３０の形状は、例えば正方形状である。図２に示すように、第２スイッチング素子３０は、素子主面３０１、素子裏面３０２、第１素子側面３０３～第４素子側面３０６を有している。素子主面３０１及び素子裏面３０２は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対方向を向いている。素子主面３０１は、樹脂主面７０１に面している。すなわち、素子主面は、第２ダイパッド１２の主面１２１と同じ方向を向いている。素子裏面３０２は、第２ダイパッド１２の主面１２１に対向している。第１素子側面３０３と第２素子側面３０４は、縦方向Ｙにおいて互いに反対側を向き、第３素子側面３０５と第４素子側面３０６は、横方向Ｘにおいて互いに反対側を向いている。第１素子側面３０３は、第２ダイパッド１２の第１側面１２３と同じ方向を向き、第２素子側面３０４は、第２ダイパッド１２の第２側面１２４と同じ方向を向いている。第３素子側面３０５は、第２ダイパッド１２の第３側面１２５と同じ方向を向き、第４素子側面３０６は、第２ダイパッド１２の第４側面１２６と同じ方向を向いている。
　第２スイッチング素子３０は、素子主面３０１の第２主面電極３１及び第２制御電極３２と、素子裏面３０２の第２裏面電極３３とを有している。第２主面電極３１はソース電極である。本実施形態の第２主面電極３１は、主ソース電極３１１及び制御用ソース電極３１２，３１３を含む。第２制御電極３２はゲート電極である。制御用ソース電極３１２，３１３は、例えば、第２スイッチング素子３０を駆動する回路（ドライバ）に対して電気的に接続されるドライバソース電極である。本実施形態において、第２制御電極３２は、第４素子側面３０６寄りの部位に配置されている。また、第２制御電極３２は、第４素子側面３０６寄りの部位において、縦方向Ｙの中央に配置されている。第２主面電極３１の主ソース電極３１１は横方向Ｘにおいて、第２制御電極３２と並ぶように配置されている。制御用ソース電極３１２，３１３は、縦方向Ｙにおいて、第２制御電極３２を挟むように配置されている。第２裏面電極３３はドレイン電極である。第２裏面電極３３は、はんだ８２によって第２ダイパッド１２と電気的に接続されている。
　図２に示すように、第２スイッチング素子３０は、第２ダイパッド１２の主面１２１において、縦方向Ｙにおいて、第１側面１２３寄りの部位に配置されている。また、第２スイッチング素子３０は、横方向Ｘにおいて、第２ダイパッド１２の中央に配置されている。
　［第１接続部材］
　第１スイッチング素子２０の第１主面電極２１（主ソース電極２１１）は、第１接続部材としての第１ワイヤ５１により第２ダイパッド１２と接続されている。本実施形態は、図１、図２に示すように、５本の第１ワイヤ５１によって第１スイッチング素子２０の第１主面電極２１（主ソース電極２１１）と第２ダイパッド１２とが接続されている。第１ワイヤ５１の本数は、例えば半導体装置Ａ１０において流しうる駆動電流に応じて設定される。各第１ワイヤ５１は、縦方向Ｙに配列され、横方向Ｘに沿って延びている。厚さ方向Ｚから視て、各第１ワイヤ５１は、互いに平行となるように配線されている。
　第１ワイヤ５１は、例えばＡｌ（アルミニウム）からなる。Ａｌからなるとは、Ａｌ、又はＡｌを含む合金により形成されていることを意図している。第１ワイヤ５１は、中央付近において、長さ方向に垂直な断面形状が円形である。第１ワイヤ５１の断面形状は任意とすることができる。第１ワイヤ５１の線径は、円形が断面形状の部分において、例えば０．１ｍｍ以上０．４ｍｍ以下である。
　［リード］
　図１、図２に示すように、半導体装置Ａ１０は、複数（本実施形態では７本）のリード４１～４７を備えている。第１リード４１～第７リード４７は、縦方向Ｙに沿って延びている。第１リード４１～第７リード４７は、封止樹脂７０の第１樹脂側面７０３から突出している。
　第１リード４１～第７リード４７は、横方向Ｘに沿って配列されている。本実施形態において、第１リード４１～第７リード４７は、封止樹脂７０の第３樹脂側面７０５から、第４樹脂側面７０６に向けて、この順番で配列されている。横方向Ｘは、第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２とが配列された方向である。したがって、第１リード４１～第７リード４７は、第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２の配列方向に沿って、配列されている。第１リード４１～第７リード４７は、Ｃｕよりなる。
　［第１リード］
　図２に示すように、第１リード４１は、パッド部４１１、基部４１２、基板接続部４１３を有している。パッド部４１１は、縦方向Ｙにおいて、第１ダイパッド１１から封止樹脂７０の第１樹脂側面７０３に向けて離れて配置されている。パッド部４１１は、ワイヤ６１が接続されるワイヤボンディング部である。パッド部４１１は、ワイヤ６１により第１スイッチング素子２０の第１制御電極２２に接続されている。つまり、第１リード４１は、第１スイッチング素子２０の第１制御電極（ゲート電極）２２に接続された第１制御リードである。以降の説明において、第１リード４１に代えて第１制御リード４１を用いて説明する場合がある。ワイヤ６１は、例えばＡｌよりなる。ワイヤ６１の線径は、例えば０．０４ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である。
　基部４１２は、パッド部４１１から縦方向Ｙに延び、封止樹脂７０の第１樹脂側面７０３から突出している。基板接続部４１３は、基部４１２の先端から縦方向Ｙに延びている。基板接続部４１３は、実装基板の部品穴に挿入され、実装基板の導体配線とはんだにより接続される（いずれも図示略）。図２に示すように、基部４１２は、基板接続部４１３よりも横方向Ｘの幅が広く形成されている。横方向Ｘにおいて、基部４１２は、封止樹脂７０の第４樹脂側面７０６から第３樹脂側面７０５に向かう方向において基板接続部４１３よりも突出するように形成されている。
　なお、第１制御リード４１と後述する第２リード４２～第７リード４７において、基板接続部４１３，４２３，４３３，４４３，４５３，４６３，４７３の幅は、互いに同一である。基板接続部４１３の幅は例えば１．２ｍｍであり、基部４１２の幅は例えば２．６ｍｍである。図１、図３に示すように、本実施形態において、第１制御リード４１の厚さは、第１ダイパッド１１の厚さ以下である。第１制御リード４１の厚さは、例えば０．６ｍｍである。
　［第２リード］
　図２に示すように、第２リード４２は、パッド部４２１、基部４２２、基板接続部４２３を有している。パッド部４２１は、縦方向Ｙにおいて、第１ダイパッド１１から封止樹脂７０の第１樹脂側面７０３に向けて離れて配置されている。パッド部４２１は、ワイヤ６２が接続されるワイヤボンディング部である。パッド部４２１は、ワイヤ６２により第１スイッチング素子２０の制御用ソース電極３１２に接続されている。つまり、第２リード４２は、第１スイッチング素子２０のソース電極に接続された第１ソースリードである。以降の説明において、第２リード４２に代えて第１ソースリード４２を用いて説明する場合がある。ワイヤ６２は、例えばＡｌよりなる。ワイヤ６２の線径は、例えば０．０４ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である。
　基部４２２は、パッド部４２１から縦方向Ｙに延び、封止樹脂７０の第１樹脂側面７０３から突出している。基板接続部４２３は、基部４２２の先端から縦方向Ｙに延びている。基板接続部４２３は、実装基板の部品穴に挿入され、実装基板の導体配線とはんだにより接続される（いずれも図示略）。図２に示すように、本実施形態において、第１ソースリード４２の基部４２２は、基板接続部４２３と同じ幅に形成されている。第１ソースリード４２の厚さは、第１ダイパッド１１の厚さ以下であり、例えば０．６ｍｍである。
　［第３リード］
　図２に示すように、第３リード４３は、接続部４３１、基部４３２、基板接続部４３３を有している。接続部４３１は、第１ダイパッド１１に接続されている。第１ダイパッド１１は、第１スイッチング素子２０の第１裏面電極（ドレイン電極）２３に接続されている。つまり、第３リード４３は、第１スイッチング素子２０の第１裏面電極（ドレイン電極）２３に接続された第１駆動リード（ドレインリード）である。以降の説明において、第３リード４３に代えて第１駆動リード４３を用いて説明する場合がある。本実施形態において、第１駆動リード４３は、第１ダイパッド１１と一体である。この第１駆動リード４３と第１ダイパッド１１は、一体の第１リードフレーム１４を構成する。
　基部４３２は、接続部４３１から縦方向Ｙに延び、封止樹脂７０の第１樹脂側面７０３から突出している。基板接続部４３３は、基部４３２の先端から縦方向Ｙに延びている。基板接続部４３３は、実装基板の部品穴に挿入され、実装基板の導体配線とはんだにより接続される（いずれも図示略）。図２に示すように、基部４３２は、基板接続部４３３よりも横方向Ｘの幅が広く形成されている。横方向Ｘにおいて、基部４３２は、基板接続部４３３よりも第１ソースリード４２にむけて突出するように形成されている。基板接続部４３３の幅は例えば１．２ｍｍであり、基部４３２の幅は２．６ｍｍである。図１に示すように、本実施形態において、第１駆動リード４３の厚さは、第１ダイパッド１１の厚さ以下であり、例えば０．６ｍｍである。
　［第４リード］
　図２に示すように、第４リード４４は、接続部４４１、基部４４２、基板接続部４４３を有している。接続部４４１は、第２ダイパッド１２に接続されている。第２ダイパッド１２は、第２スイッチング素子３０の第２裏面電極（ドレイン電極）３３に接続されている。また、第２ダイパッド１２は、第１スイッチング素子２０の第１主面電極２１（主ソース電極２１１）に接続されている。つまり、第４リード４４は、第１スイッチング素子２０の第１主面電極２１（主ソース電極２１１）と第２スイッチング素子３０の第２裏面電極（ドレイン電極）３３とに接続された出力リードである。以降の説明において、第４リード４４に代えて出力リード４４を用いて説明する場合がある。本実施形態において、出力リード４４は、第２ダイパッド１２と一体である。この出力リード４４と第２ダイパッド１２は、一体の第２リードフレーム１５を構成する。
　基部４４２は、接続部４４１から縦方向Ｙに延び、封止樹脂７０の第１樹脂側面７０３から突出している。基板接続部４４３は、基部４４２の先端から縦方向Ｙに延びている。図２に示すように、基部４４２は、基板接続部４４３よりも横方向Ｘの幅が広く形成されている。横方向Ｘにおいて、基部４４２は、基板接続部４４３よりも第１駆動リード４３にむけて突出するように形成されている。本実施形態において、出力リード４４の基部４４２及び基板接続部４４３の幅、出力リード４４の厚さは、第２ダイパッド１２の厚さ以下であり、例えば０．６ｍｍである。
　［第５リード］
　図２に示すように、第５リード４５は、パッド部４５１、基部４５２、基板接続部４５３を有している。パッド部４５１は、縦方向Ｙにおいて、第２ダイパッド１２から封止樹脂７０の第１樹脂側面７０３に向けて離れて配置されている。パッド部４５１は、第２ダイパッド１２の第１側面１２３に沿って延びている。パッド部４５１は、第２接続部材としての第２ワイヤ５２が接続されるワイヤボンディング部である。パッド部４５１は、例えば複数の第２ワイヤ５２により第２スイッチング素子３０の第２主面電極３１（主ソース電極３１１）に接続されている。図２では、５本の第２ワイヤ５２を示している。各第２ワイヤ５２は、横方向Ｘに配列されている。厚さ方向Ｚから視て、各第２ワイヤ５２は、互いに平行となるように配線されている。つまり、第５リード４５は、第２スイッチング素子３０の第２主面電極３１（主ソース電極３１１）に接続された第２駆動リード（ソースリード）である。以降の説明において、第５リード４５に代えて第２駆動リード４５を用いて説明する場合がある。第２ワイヤ５２は、例えばＡｌよりなる。第２ワイヤ５２の線径は、例えば０．１ｍｍ以上０．４ｍｍ以下である。
　図２に示すように、基部４５２は、パッド部４５１から縦方向Ｙに延び、封止樹脂７０の第１樹脂側面７０３から突出している。基板接続部４５３は、基部４５２の先端から縦方向Ｙに延びている。図２に示すように、基部４５２は、基板接続部４５３よりも横方向Ｘの幅が広く形成されている。横方向Ｘにおいて、基部４５２は、基板接続部４５３よりも第６リード４６にむけて突出するように形成されている。本実施形態において、第２駆動リード４５の基部４５２及び基板接続部４５３の幅、第２駆動リード４５の厚さは、第２ダイパッド１２の厚さ以下であり、例えば０．６ｍｍである。
　［第６リード］
　図２に示すように、第６リード４６は、パッド部４６１、基部４６２、基板接続部４６３を有している。パッド部４６１は、縦方向Ｙにおいて、第２ダイパッド１２から封止樹脂７０の第１樹脂側面７０３に向けて離れて配置されている。パッド部４６１は、ワイヤ６３が接続されるワイヤボンディング部である。パッド部４６１は、例えば１本のワイヤ６３により第２スイッチング素子３０の制御用ソース電極３１３に接続されている。つまり、第６リード４６は、第２スイッチング素子３０の制御用ソース電極３１３に接続されたソースリードである。以降の説明において、第６リード４６に代えて第２ソースリード４６を用いて説明する場合がある。ワイヤ６３は、例えばＡｌよりなる。ワイヤ６３の線径は、例えば０．０４ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である。
　基部４６２は、パッド部４６１から縦方向Ｙに延び、封止樹脂７０の第１樹脂側面７０３から突出している。基板接続部４６３は、基部４６２の先端から縦方向Ｙに延びている。図２に示すように、本実施形態において、第２ソースリード４６の基部４６２は、基板接続部４６３と同じ幅に形成されている。本実施形態において、第２ソースリード４６の基部４６２及び基板接続部４６３の幅、第２ソースリード４６の厚さは、第２ダイパッド１２の厚さ以下であり、例えば０．６ｍｍである。
　［第７リード］
　図２に示すように、第７リード４７は、パッド部４７１、基部４７２、基板接続部４７３を有している。パッド部４７１は、縦方向Ｙにおいて、第２ダイパッド１２から封止樹脂７０の第１樹脂側面７０３に向けて離れて配置されている。パッド部４７１は、ワイヤ６４が接続されるワイヤボンディング部である。パッド部４７１は、ワイヤ６４により第２スイッチング素子３０の第２制御電極３２に接続されている。つまり、第７リード４７は、第２スイッチング素子３０の第２制御電極（ゲート電極）３２に接続された第２制御リードである。以降の説明において、第７リード４７に代えて第２制御リード４７を用いて説明する場合がある。ワイヤ６４は、例えばＡｌよりなる。ワイヤ６４の線径は、例えば０．０４ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である。
　基部４７２は、パッド部４７１から縦方向Ｙに延び、封止樹脂７０の第１樹脂側面７０３から突出している。基板接続部４７３は、基部４７２の選択から縦方向Ｙに延びている。図２に示すように、基部４７２は、基板接続部４７３よりも横方向Ｘの幅が広く形成されている。横方向Ｘにおいて、基部４７２は、封止樹脂７０の第３樹脂側面７０５から第４樹脂側面７０６に向かう方向において基板接続部４７３よりも突出するように形成されている。本実施形態において、第２制御リード４７の基部４７２と基板接続部４７３の幅、第２制御リード４７の厚さは、第２ダイパッド１２の厚さ以下であり、例えば０．６ｍｍである。本実施形態において、第１リード４１～第７リード４７の厚さは互いに等しい。
　本実施形態において、第１制御リード４１と第１ソースリード４２との間隔、第２ソースリード４６と第２制御リード４７との間隔と比べ、第１ソースリード４２～第２ソースリード４６において横方向Ｘに隣り合う２つのリードの間隔は広くなるように、各リード４１～４７が配置されている。また、本実施形態において、第１ソースリード４２～第２ソースリード４６は、各基部４２２，４３２，４４２，４５２，４６２の間隔が等しくなるように配置されている。図２に示すように、封止樹脂７０は、第１ソースリード４２～第２ソースリード４６の間において、第１樹脂側面７０３からそれぞれ縦方向Ｙに沿って延びる凹部７０７を有している。
　（作用）
　先ず、本実施形態に対する比較例を説明する。
　図４は、本実施形態に対する比較例を示す。この比較例は、２つの半導体装置９０ａ，９０ｂを用いてインバータ回路等を構成する。半導体装置９０ａ，９０ｂはそれぞれ、１つのスイッチング素子９１と、スイッチング素子９１のゲート電極９１１、制御用ソース電極９１２、主ソース電極９１３、及び裏面電極（ドレイン電極）９１４とそれぞれ電気的に接続されたリード９２１～９２４とを備えている。各電極９１１～９１４はそれぞれリード９２１～９２４と接続されている。インバータ回路は、一方の半導体装置９０ａのスイッチング素子９１の裏面電極（ドレイン電極）９１４と、他方の半導体装置９０ｂのスイッチング素子９１の主ソース電極９１３とを外部配線ＯＰにより電気的に接続して構成される。外部配線ＯＰは、例えば、半導体装置９０ａ，９０ｂが実装された実装基板の導体配線である。図４では、リード９２４，９２３の先端を外部配線ＯＰにより接続するように示している。
　一方の半導体装置９０ｂのリード９２３は、低電位電圧を供給する導体配線に接続され、他方の半導体装置９０ａのリード９２４は高電位電圧を供給する導体配線に接続される。リード９２３とリード９２４との間には、２つの半導体装置９０ａ，９０ｂと外部配線ＯＰとが介在する。この外部配線ＯＰの寄生インダクタンスにより、リード９２４（ドレインリード），リード９２３（出力リード）、リード９２３（ソースリード）におけるインダクタンスが大きくなる。
　本実施形態の半導体装置Ａ１０は、１つの封止樹脂７０内に第１スイッチング素子２０と第２スイッチング素子３０とを備えている。第１スイッチング素子２０の第１主面電極２１（主ソース電極２１１）は、第１接続部材としての第１ワイヤ５１により第２スイッチング素子３０が搭載された第２ダイパッド１２に接続されている。したがって、本実施形態の半導体装置Ａ１０では、第１駆動リード４３（第１駆動リード）、出力リード４４（出力リード）、第２駆動リード４５（第２駆動リード）の間の導体距離が短くなり、半導体装置Ａ１０のインダクタンスは、上記の比較例よりも小さく、略１／２となる。このように、本実施形態の半導体装置Ａ１０において、インダクタンスを低減できる。
　（効果）
　以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
　（１－１）半導体装置Ａ１０は、１つの封止樹脂７０内に第１スイッチング素子２０と第２スイッチング素子３０とを備えている。第１スイッチング素子２０の第１主面電極２１（主ソース電極２１１）は、第１接続部材としての第１ワイヤ５１により第２スイッチング素子３０が搭載された第２ダイパッド１２に接続されている。したがって、半導体装置Ａ１０では、第１駆動リード４３（第１駆動リード）、出力リード４４（出力リード）、第２駆動リード４５（第２駆動リード）の間の導体距離が短くなり、インダクタンスを低減できる。
　（１－２）第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２の厚さは、１ｍｍ以上３ｍｍ以下である。第１ダイパッド１１と第２ダイパッドは厚い方が好ましい。第１スイッチング素子２０の動作によって生じる熱は、第１スイッチング素子２０から第１ダイパッド１１へと伝わる。第１ダイパッド１１が厚いほど、第１スイッチング素子２０から第１ダイパッド１１へと熱が伝わりやすくなる。つまり第１スイッチング素子２０からの放熱性を向上でき、第１スイッチング素子２０における熱抵抗を低減できる。同様に、第２スイッチング素子３０における熱抵抗を低減できる。
　（１－３）第１接続部材としての複数本の第１ワイヤ５１は、厚さ方向Ｚから視て、互いに平行となるように配線されている。したがって、複数の第１ワイヤ５１を接続する工程において、ワイヤの角度やワイヤのループ高さを変更することなく同じ動作で複数の第１ワイヤ５１を接続でき、製造が容易となる。
　（１－４）第２スイッチング素子３０の主ソース電極３１１は、複数の第２ワイヤ５２により第２駆動リード４５のパッド部４５１と接続されている。各第２ワイヤ５２は、厚さ方向Ｚから視て、互いに平行となるように配線されている。したがって、複数の第２ワイヤ５２を接続する工程において、ワイヤの角度やワイヤのループ高さを変更することなく同じ動作で複数のワイヤ６２を接続でき、製造が容易となる。
　（１－５）第１制御リード４１と第１ソースリード４２との間隔、第２ソースリード４６と第２制御リード４７との間隔と比べ、第１ソースリード４２～第２ソースリード４６において横方向Ｘに隣り合う２つのリードの間隔は広くなるように、各リード４１～４７が配置されている。本実施形態において、第１ソースリード４２～第２ソースリード４６は、第１ソースリード４２～第２ソースリード４６の各基部４２２，４３２，４４２，４５２，４６２の間隔が等しくなるように配置されている。したがって、第１ソースリード４２～第２ソースリード４６において隣り合うリードの間隔が長くなり、絶縁性を確保できる。
　（１－６）封止樹脂７０は、第１ソースリード４２～第２ソースリード４６の間において、第１樹脂側面７０３からそれぞれ縦方向Ｙに沿って延びる凹部７０７を有している。凹部７０７により、第１ソースリード４２と第１駆動リード４３との間の封止樹脂７０の表面に沿った距離（沿面距離）が長くなり、第１ソースリード４２と第１駆動リード４３との間の絶縁性を確保できる。同様に、各凹部７０７を挟むリード４３，４４の間、リード４４，４５の間、リード４５，４６の間の沿面距離が長くなり、絶縁性を確保できる。
　（第１実施形態の変更例）
　第１実施形態は、以下のように変更して実施することができる。
　・第１スイッチング素子２０と第２スイッチング素子３０の構成を適宜変更してもよい。例えば、第１スイッチング素子２０において、主ソース電極２１１と制御用ソース電極２１２，２１３とに分割された第１主面電極２１としたが、第１主面電極として分割されていないスイッチング素子を用いてもよい。この場合、図１、図２に示す第１ワイヤ５１とワイヤ６２が１つの第１主面電極に接続される。同様に、第２スイッチング素子３０において、主ソース電極３１１と制御用ソース電極３１２，３１３とを含む第２主面電極３１としたが、第２主面電極として分割されていないスイッチング素子を用いてもよい。この場合、図１、図２に示す第２ワイヤ５２とワイヤ６３が１つの第１主面電極に接続される。
　・各リードの厚さを適宜変更してもよい。例えば、図５に示す半導体装置Ａ１１は、互いに同じ厚さの第１リード４１～第７リード４７を備えている。第３リード４３～第５リードの厚さは、第１ダイパッド１１及び第２ダイパッド１２の厚さと等しい。なお、図５では、第１リード４１、第２リード４２、第６リード４６、及び第７リード４７の厚さを、第３リード４３～第５リード４５と同じ厚さとしたが、第１リード４１と第２リード４２のいずれか一方、第６リード４６と第７リード４７の何れか一方を第３リード４３～第５リード４５と異なる厚さとしてもよい。また、第３リード４３～第５リード４５のうちの少なくとも１つを第１ダイパッド１１、第２ダイパッド１２の厚さと異なるようにしてもよい。
　・第１スイッチング素子２０と第２ダイパッド１２とを接続する第１接続部材としての第１ワイヤ５１の本数を４本以下、又は６本以上としてもよい。
　・第２スイッチング素子３０と第５リード４５とを接続する第２接続部材としての第２ワイヤ５２の本数を４本以下、又は６本以上としてもよい。
　・封止樹脂７０に設けられた複数の凹部７０７のうちの一部又は全てを省略してもよい。
　（第２実施形態）
　図６～図９を参照して、第２実施形態の半導体装置Ａ２０を説明する。
　第２実施形態の半導体装置Ａ２０は、上述した第１実施形態の半導体装置Ａ１０と比べ、主として第４リードと第５リードの接続が異なる。なお、以下の説明において、第１実施形態の半導体装置Ａ１０の構成と共通する構成には同一の符号を付し、その説明を省略することがある。
　図６～図８に示すように、本実施形態の半導体装置Ａ２０は、封止樹脂７０の第１樹脂側面７０３から突出する複数のリード４１，４２，４３，４４ａ，４５ａ，４６，４７を備えている。
　［第４リード］
　第４リード４４ａは、パッド部４４４、基部４４２、基板接続部４４３を有している。パッド部４４４は、縦方向Ｙにおいて、第２ダイパッド１２から封止樹脂７０の第１樹脂側面７０３に向けて離れて配置されている。パッド部４４４は、第２ダイパッド１２の第１側面１２３に沿って延びている。パッド部４４４は、第２接続部材としての第２ワイヤ５２が接続されるワイヤボンディング部である。パッド部４４４は、例えば複数の第２ワイヤ５２により第２スイッチング素子３０の第２主面電極３１（主ソース電極３１１）に接続されている。図６、図７では、５本の第２ワイヤ５２を示している。つまり、第４リード４４ａは、第２スイッチング素子３０の第２主面電極３１（主ソース電極３１１）に接続された第２駆動リード（ソースリード）である。
　［第５リード］
　第５リード４５ａは、接続部４５４、基部４５２、基板接続部４５３を有している。接続部４５４は、第２ダイパッド１２に接続されている。第２ダイパッド１２は、第２スイッチング素子３０の第２裏面電極３３（ドレイン電極）に接続されている。また、第２ダイパッド１２は、第１スイッチング素子２０の第１主面電極２１（主ソース電極２１１）に接続されている。つまり、第５リード４５ａは、第１スイッチング素子２０の第１主面電極２１（主ソース電極２１１）と第２スイッチング素子３０の第２裏面電極３３（ドレイン電極）とに接続された出力リードである。本実施形態において、第５リード４５ａは、第２ダイパッド１２と一体である。この第５リード４５ａと第２ダイパッド１２は、一体の第２リードフレーム１５ａを構成する。
　（作用）
　次に、第２実施形態の半導体装置Ａ２０の作用を説明する。
　本実施形態の半導体装置Ａ２０は、横方向Ｘにおいて、第１駆動リード４３（第３リード）、第２駆動リード４４ａ（第４リード）、出力リード４５ａ（第５リード）の順番で配列されている。つまり、第１駆動リード４３と第２駆動リード４４ａとが並んで配置されている。第１駆動リード４３には高電位電圧が供給され、第２駆動リード４４ａには低電位電圧が供給される。
　図９は、本実施形態の半導体装置Ａ２０を動作させた場合の電流を示す。第１スイッチング素子２０をオンし、第２スイッチング素子３０をオフしたとき、第１駆動リード４３から出力リード４５ａに向かって第１電流Ｉ１が流れる。逆に、第１スイッチング素子２０をオフし、第２スイッチング素子３０をオンしたとき、出力リード４５ａから第２駆動リード４４ａに向かって第２電流Ｉ２が流れる。半導体装置Ａ２０を高速な制御信号（例えば１ＭＨｚ）で動作させた場合、隣り合う第１駆動リード４３と第２駆動リード４４ａとにおいて、半導体装置Ａ２０に対して逆方向の第１電流Ｉ１と第２電流Ｉ２とが交互に流れる。これらの第１電流Ｉ１と第２電流Ｉ２とにより生じる磁束によって、相互インダクタンスを低下するため、半導体装置Ａ２０における寄生インダクタンスがより低下する。
　（効果）
　以上記述したように、本実施形態によれば、第１実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
　（２－１）半導体装置Ａ２０は、横方向Ｘにおいて、第１駆動リード４３（第３リード）、第２駆動リード４４ａ（第４リード）、出力リード４５ａ（第５リード）の順番で配列されている。第１駆動リード４３から出力リード４５ａに向かって流れる第１電流Ｉ１と、出力リード４５ａから第２駆動リード４４ａに向かって流れる第２電流Ｉ２とによって、半導体装置Ａ２０におけるインダクタンスをより低減できる。
　（第３実施形態）
　図１０～図１４を参照して、第３実施形態の半導体装置Ａ３０を説明する。
　第３実施形態の半導体装置Ａ３０は、上述した第１実施形態の半導体装置Ａ１０と比べ、第１接続部材、第２接続部材が異なる。なお、以下の説明において、第１実施形態の半導体装置Ａ１０の構成と共通する構成には同一の符号を付し、その説明を省略することがある。
　図１０～図１４に示すように、本実施形態の半導体装置Ａ３０は、第１接続部材としての第１クリップ５３を備えている。また、本実施形態の半導体装置Ａ３０は、第２接続部材としての第２クリップ５４を備えている。
　第１スイッチング素子２０は、第１クリップ５３によって第２ダイパッド１２に接続されている。第１クリップ５３は、導電性を有する板状部材である。第１クリップ５３は、板状の導電板を屈曲して形成される。本実施形態の第１クリップ５３は、横方向Ｘに延びる帯状である。第１クリップ５３は、第１スイッチング素子２０の第１主面電極２１（主ソース電極２１１）と第２ダイパッド１２とを接続する。図１３に示すように、第１クリップ５３の一端は、はんだ８３により第１スイッチング素子２０の主ソース電極２１１に接続され、第１クリップ５３の他端は、はんだ８４により第２ダイパッド１２に接続されている。第１クリップ５３は、Ｃｕよりなる。第１クリップ５３の厚さは、０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であり、０．５ｍｍ以上であることが好ましい。
　図１０、図１１、図１４に示すように、第２スイッチング素子３０は、第２クリップ５４によって第５リード４５（第２駆動リード）に接続されている。第２クリップ５４は、導電性を有する板状部材である。第２クリップ５４は、板状の導電板を屈曲して形成される。本実施形態の第２クリップ５４は、縦方向Ｙに延びる帯状である。第２クリップ５４は、第２スイッチング素子３０の第２主面電極３１（主ソース電極３１１）と第５リード４５のパッド部４５１とを接続する。図１４に示すように、第２クリップ５４の一端は、はんだ８５により第２スイッチング素子３０の主ソース電極３１１に接続され、第２クリップ５４の他端は、はんだ８６により第５リード４５のパッド部４５１に接続されている。第２クリップ５４は、Ｃｕよりなる。第２クリップ５４の厚さは、０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であり、０．５ｍｍ以上であることが好ましい。
　（効果）
　以上記述したように、本実施形態によれば、第１実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
　（３－１）第１クリップ５３にて第１スイッチング素子２０と第２ダイパッド１２とを接続した。したがって、複数本のワイヤにて第１スイッチング素子２０と第２ダイパッド１２とを接続する場合と比べ、大電流に対応することができる。
　（３－２）複数本のワイヤにて第１スイッチング素子２０と第２ダイパッド１２とを接続する場合と比べ、１つの第１クリップ５３にて第１スイッチング素子２０と第２ダイパッド１２とを接続できるため、製造工数を低減できる。
　（３－３）第２クリップ５４にて第２スイッチング素子３０と第５リード４５とを接続した。したがって、複数本のワイヤにて第２スイッチング素子３０と第５リード４５とを接続する場合と比べ、大電流に対応することができる。
　（３－４）複数本のワイヤにて第２スイッチング素子３０と第５リード４５とを接続する場合と比べ、１つの第２クリップ５４にて第２スイッチング素子３０と第５リード４５とを接続できるため、製造工数を低減できる。
　（第４実施形態）
　図１５～図１８を参照して、第４実施形態の半導体装置Ａ４０を説明する。
　第４実施形態の半導体装置Ａ４０は、上述した第３実施形態の半導体装置Ａ３０と比べ、主として第４リードと第５リードの接続が異なる。なお、以下の説明において、第３実施形態の半導体装置Ａ３０の構成と共通する構成には同一の符号を付し、その説明を省略することがある。
　図１５、図１６に示すように、本実施形態の半導体装置Ａ４０は、封止樹脂７０の第１樹脂側面７０３から突出する複数のリード４１，４２，４３，４４ａ，４５ａ，４６，４７を備えている。
　［第４リード］
　第４リード４４ａは、パッド部４４４、基部４４２、基板接続部４４３を有している。パッド部４４４は、縦方向Ｙにおいて、第２ダイパッド１２から封止樹脂７０の第１樹脂側面７０３に向けて離れて配置されている。パッド部４４４は、第２ダイパッド１２の第１側面１２３に沿って延びている。パッド部４４４は、第２接続部材としての第２クリップ５４ａにより、第２スイッチング素子３０の第２主面電極３１（主ソース電極３１１）に接続されている。第４リード４４ａは、第２スイッチング素子３０の第２主面電極３１（主ソース電極３１１）に接続された第２駆動リード（ソースリード）である。
　第２クリップ５４ａは、導電性を有する板状部材である。第２クリップ５４ａは、板状の導電板を屈曲して形成される。第２クリップ５４ａは、リード接続部５４１、電極接続部５４２、連結部５４３を有している。リード接続部５４１は、第４リード４４ａのパッド部４４４と同様に横方向Ｘに延び、はんだ８６によりパッド部４４４に接続されている。電極接続部５４２は、第２スイッチング素子３０の第２主面電極３１（主ソース電極３１１）に応じた長方形状に形成され、はんだ８５により第２主面電極３１に接続されている。連結部５４３は、リード接続部５４１と電極接続部５４２とを接続する。連結部５４３は、リード接続部５４１から縦方向Ｙに延びている。そして、連結部５４３は、電極接続部５４２の第１ダイパッド１１寄りの端部に接続されている。つまり電極接続部５４２は、連結部５４３から横方向Ｘに延びている。図１８に示すように、本実施形態において、第２クリップ５４ａは、第２スイッチング素子３０と第２ダイパッド１２の第３側面１２５との間において、連結部５４３を第２ダイパッド１２の主面１２１と平行とするように形成されている。
　［第５リード］
　第５リード４５ａは、接続部４５４、基部４５２、基板接続部４５３を有している。接続部４５４は、第２ダイパッド１２に接続されている。第２ダイパッド１２は、第２スイッチング素子３０の第２裏面電極３３（ドレイン電極）に接続されている。また、第２ダイパッド１２は、第１スイッチング素子２０の第１主面電極２１（主ソース電極２１１）に接続されている。つまり、第５リード４５ａは、第１スイッチング素子２０の第１主面電極２１（主ソース電極２１１）と第２スイッチング素子３０の第２裏面電極３３（ドレイン電極）とに接続された出力リードである。本実施形態において、第５リード４５ａは、第２ダイパッド１２と一体である。この第５リード４５ａと第２ダイパッド１２は、一体の第２リードフレーム１５ａを構成する。
　（効果）
　以上記述したように、本実施形態によれば、第３実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
　（４－１）第２実施形態と同様に、横方向Ｘにおいて、第１駆動リード４３（第３リード）、第２駆動リード４４ａ（第４リード）、出力リード４５ａ（第５リード）の順番で配列されている。第１駆動リード４３から出力リード４５ａに向かって流れる第１電流Ｉ１（図９参照）と、出力リード４５ａから第２駆動リード４４ａに向かって流れる第２電流Ｉ２（図９参照）とにより、半導体装置Ａ４０におけるインダクタンスを低減できる。
　（４－２）第２スイッチング素子３０と第２駆動リード４４ａとを接続する第２クリップ５４ａは、第４リード４４ａに接続されたリード接続部５４１と、第２スイッチング素子３０に接続された電極接続部５４２と、リード接続部５４１と電極接続部５４２とを接続する連結部５４３とを有している。連結部５４３は、第２ダイパッド１２と平行となるように配置されている。したがって、第１駆動リード４３（第３リード）と出力リード４５ａ（第５リード）との間と、出力リード４５ａと第２駆動リード４４ａ（第４リード）との間において隣り合う部分が多くなり、よりインダクタンスを低減できる。
　（第５実施形態）
　図１９～図２１を参照して、第５実施形態の半導体装置Ａ５０を説明する。
　第５実施形態の半導体装置Ａ５０は、上述した第４実施形態の半導体装置Ａ４０と比べ、スイッチング素子の位置が異なる。なお、以下の説明において、第４実施形態の半導体装置Ａ４０の構成と共通する構成には同一の符号を付し、その説明を省略することがある。
　図１９、図２０に示すように、本実施形態の半導体装置Ａ５０において、第１スイッチング素子２０と第２スイッチング素子３０は、封止樹脂７０の中央寄りに配置されている。第１スイッチング素子２０と第２スイッチング素子３０の配置について詳述する。
　図２０に示すように、第１スイッチング素子２０は、第１ダイパッド１１の主面１１１において、縦方向Ｙにおいて、第１側面１１３寄りに配置されている。図２０、図２１に示すように、第１スイッチング素子２０は、横方向Ｘにおいて、第１ダイパッド１１の第４側面１１６寄りに配置されている。第４側面１１６は、第２ダイパッド１２の第３側面１２５と対向する。つまり、第１スイッチング素子２０は、第１ダイパッド１１において、第２ダイパッド１２寄りに配置されている。これにより、第１スイッチング素子２０と第２ダイパッド１２とを接続する第１クリップ５３の長さを短くできる。本実施形態において、厚さ方向Ｚから視て、第１ダイパッド１１の第４側面１１６から第１スイッチング素子２０の第４素子側面２０６までの距離（第１距離）Ｌｘ１は、第１ダイパッド１１の厚さ以上である。
　図２０に示すように、第２スイッチング素子３０は、第２ダイパッド１２の主面１２１において、縦方向Ｙにおいて、第１側面１２３寄りに配置されている。図２０、図２１に示すように、第２スイッチング素子３０は、横方向Ｘにおいて、第２ダイパッド１２の第３側面１２５寄りに配置されている。つまり、第２スイッチング素子３０は、第２ダイパッド１２において、第１ダイパッド１１寄りに配置されている。これにより、第１スイッチング素子２０から第２スイッチング素子３０までの電気的経路の長さを短くできる。本実施形態において、厚さ方向Ｚから視て、第２ダイパッド１２の第３側面１２５から第２スイッチング素子３０の第３素子側面３０５までの距離（第２距離）Ｌｘ２は、第２ダイパッド１２の厚さ以上である。
　（作用）
　次に、第５実施形態の半導体装置Ａ５０の作用を説明する。
　第１スイッチング素子２０は、横方向Ｘにおいて、第１ダイパッド１１の第４側面１１６寄りに配置されている。第２スイッチング素子３０は、横方向Ｘにおいて、第２ダイパッド１２の第３側面１２５寄りに配置されている。これにより、第１スイッチング素子２０から第２スイッチング素子３０までの電気的経路の長さを短くでき、素子間の電気的経路における寄生インダクタンスが小さくなる。
　図２１に示すように、第１スイッチング素子２０の動作によって生じる熱は、第１スイッチング素子２０から第１ダイパッド１１へと伝わる。第１ダイパッド１１において、熱は、図２１において矢印にて示すように、第１ダイパッド１１の主面１１１から裏面１１２に向けて拡散しながら伝達される。そして、熱は、第１ダイパッド１１の各面から封止樹脂７０へと伝達される。同様に、第２スイッチング素子３０の動作によって生じる熱は、第２スイッチング素子３０から第２ダイパッド１２へと伝わり、第２ダイパッド１２の主面１２１から裏面１２２に向けて拡散しながら伝達される。そして、熱は、第２ダイパッド１２の各面から封止樹脂７０へと伝達される。
　第１スイッチング素子２０を第１ダイパッド１１の第４側面１１６に近づけるほど、第４側面１１６から封止樹脂７０へと伝達される熱が多くなる。同様に、第２スイッチング素子３０を第２ダイパッド１２の第３側面１２５に近づけるほど、第３側面１２５から封止樹脂７０へと伝達される熱が多くなる。このため、第４側面１１６と第３側面１２５との間の封止樹脂７０の樹脂部分７０ａの温度上昇によって、第４側面１１６から樹脂部分７０ａへの熱伝達効率が低下するとともに、第３側面１２５から樹脂部分７０ａへの熱伝達効率が低下する。つまり、第１スイッチング素子２０と第２スイッチング素子３０とに対する放熱効率が低下する。
　しかしながら、上述したように、本実施形態の半導体装置Ａ５０において、第１ダイパッド１１の第４側面１１６から第１スイッチング素子２０の第４素子側面２０６までの距離Ｌｘ１は、第１ダイパッド１１の厚さ以上である。そして、第２ダイパッド１２の第３側面１２５から第２スイッチング素子３０の第３素子側面３０５までの距離Ｌｘ２は、第２ダイパッド１２の厚さ以上である。これにより、第１スイッチング素子２０と第２スイッチング素子３０とに対する放熱効率の低下を抑制できる。
　なお、第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２との間の距離Ｌ１２を大きくする、つまり第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２とを互いに離すことによっても、放熱効率の低下を抑制可能となる。しかし、第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２とを離すことにより、封止樹脂７０が大きくなる、つまり半導体装置の外形寸法が大きくなる。一方、第１スイッチング素子２０、第２スイッチング素子３０の位置を上記のように設定することで、放熱効率の低下を抑制するとともに半導体装置Ａ５０の大型化を抑制できる。
　（効果）
　以上記述したように、本実施形態によれば、第４実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
　（５－１）第１スイッチング素子２０は、第１ダイパッド１１において、第２ダイパッド１２寄りに配置され、第２スイッチング素子３０は、第２ダイパッド１２において、第１ダイパッド１１寄りに配置されている。したがって、第１スイッチング素子２０から第２スイッチング素子３０までの電気的経路の長さを短くでき、素子間の電気的経路における寄生インダクタンスをより小さくできる。
　（５－２）第１ダイパッド１１の第４側面１１６から第１スイッチング素子２０の第４素子側面２０６までの距離Ｌｘ１は、第１ダイパッド１１の厚さ以上である。これにより、第１スイッチング素子２０に対する第１ダイパッド１１の放熱効率の低下を抑制できる。
　（５－３）第２ダイパッド１２の第３側面１２５から第２スイッチング素子３０の第３素子側面３０５までの距離Ｌｘ２は、第２ダイパッド１２の厚さ以上である。これにより、第２スイッチング素子３０に対する第２ダイパッド１２の放熱効率の低下を抑制できる。
　（変更例）
　・上記各実施形態及び変更例は、以下のように変更して実施することができる。なお、上述の各実施形態及び変更例と、以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲でお互いに組み合わせた状態で実施することができる。
　・図２２に示すように、半導体装置Ａ６１は、第１ダイパッド１１に搭載され、互いに並列に接続された２つの第１スイッチング素子２０と、第２ダイパッド１２に搭載され、互いに並列に接続された２つの第２スイッチング素子３０とを備えている。この半導体装置Ａ６１のように２つの第１スイッチング素子２０及び第２スイッチング素子３０を備えることで、半導体装置Ａ６１が流す電流量を増加できる。第１ダイパッド１１に３つ以上の第１スイッチング素子２０を搭載してもよく、第２ダイパッド１２に３つ以上の第２スイッチング素子３０を搭載してもよい。搭載するスイッチング素子の数は、半導体装置Ａ６１が流す電流量に応じて決定される。
　・半導体装置を構成する各部材の形状を適宜変更してもよい。
　図２３～図２６は、リード、第２接続部材の形状の変更例を示す。
　例えば、図２３に示す半導体装置Ａ６２のように、第４リード４４ａ（出力リード）の基部４４２の幅を、第３リード４３の基部４３２や第５リード４５ａの基部４５２の幅よりも広くしてもよい。
　また、図２４に示す半導体装置Ａ６３のように、各基部４３２，４４２，４５２の幅を、第１リード４１の基部４１２や第７リード４７の基部４７２の幅よりも広くしてもよい。
　また、図２５に示す半導体装置Ａ６４のように、第２クリップ５４ａ（第２接続部材）の幅を広くしてもよい。
　また、図２６に示す半導体装置Ａ６５のように、第１スイッチング素子２０、第２スイッチング素子３０を例えばＳｉ素子とすることにより、第４リード４４ａの基部４４２を、第３リード４３の基部４３２、第５リード４５ａの基部４５２により近づけ、インダクタンスの低減を図ることができる。
　（第６実施形態）
　図２７～図３１を参照して第６実施形態の半導体装置Ａ７０を説明する。
　図２７、図２８に示すように、半導体装置Ａ７０は、第１ダイパッド１１、第２ダイパッド１２、第１リード群１０２０（リード１０２１～１０２３）、第２リード群１０３０（リード１０３１～１０３４）、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂ、第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂ、第１接続部材１０６１、第２接続部材１０６２、ワイヤ７１～７６、封止樹脂９００を有している。
　［封止樹脂］
　封止樹脂９００は、第１ダイパッド１１及び第２ダイパッド１２、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂ及び第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂ、第１接続部材１０６１、第２接続部材１０６２、ワイヤ７１～７６を覆うように形成されている。また、封止樹脂９００は、第１リード群１０２０（リード１０２１～１０２３）、第２リード群１０３０（リード１０３１～１０３４）の一部を覆うように形成されている。
　封止樹脂９００は、扁平な直方体状に形成されている。なお、本明細書において、「直方体状」には、角部や稜線部が面取りされた直方体や、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。また、構成面の一部又は全部は、凹凸などが形成されているもの、構成面が曲面や複数の面から構成されているものであってもよい。
　封止樹脂９００は、電気絶縁性を有する合成樹脂よりなる。一例では、封止樹脂９００は、エポキシ樹脂である。封止樹脂９００を構成する合成樹脂は、例えば黒色に着色されている。なお、図２７、図２８では、封止樹脂９００を一点鎖線にて示し、封止樹脂９００内の部材を実線で示している。以後の説明において、封止樹脂９００の厚さ方向を厚さ方向Ｚとし、厚さ方向Ｚと直交する１つの方向を横方向Ｘ、厚さ方向Ｚ及び横方向Ｘと直交する方向を縦方向Ｙとする。横方向Ｘは第１方向に相当し、縦方向Ｙは第２方向に相当する。
　封止樹脂９００は、樹脂主面９０１、樹脂裏面９０２、第１樹脂側面９０３～第４樹脂側面９０６を有している。樹脂主面９０１と樹脂裏面９０２は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向いている。第１樹脂側面９０３～第４樹脂側面９０６は、樹脂主面９０１及び樹脂裏面９０２と平行な方向のうちのいずれかを向いている。第１樹脂側面９０３と第２樹脂側面９０４は、縦方向Ｙにおいて互いに反対側を向いている。第３樹脂側面９０５と第４樹脂側面９０６は、横方向Ｘにおいて互いに反対側を向いている。
　図２８は、封止樹脂９００の樹脂主面９０１の側から半導体装置Ａ７０を視た図である。図２８に示すように、半導体装置Ａ７０を厚さ方向Ｚから視て、封止樹脂９００の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる長方形状である。第１樹脂側面９０３及び第２樹脂側面９０４は、横方向Ｘに沿う側面であり、第３樹脂側面９０５及び第４樹脂側面９０６は、縦方向Ｙに沿う側面である。
　［第１ダイパッド、第２ダイパッド］
　第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２は、矩形板状に形成されている。第１ダイパッド１１及び第２ダイパッド１２は、例えばＣｕ（銅）よりなる。なお、本実施形態において、Ｃｕよりなるとは、Ｃｕ、又はＣｕを含む合金により形成されていることを意図している。なお、表面の一部又は全体にめっき層が形成されているものも、このＣｕよりなるものに含まれる。
　第１ダイパッド１１は、主面１１１、裏面１１２、第１側面１１３～第４側面１１６を有している。主面１１１と裏面１１２は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向いている。第１ダイパッド１１の主面１１１は、封止樹脂９００の樹脂主面９０１と同じ側を向いている。第１側面１１３～第４側面１１６は、横方向Ｘと縦方向Ｙのいずれかを向いている。本実施形態において、第１側面１１３と第２側面１１４は、縦方向Ｙにおいて互いに反対側を向き、第３側面１１５と第４側面１１６は、横方向Ｘにおいて互いに反対側を向いている。
　第２ダイパッド１２は、主面１２１、裏面１２２、第１側面１２３～第４側面１２６を有している。主面１２１と裏面１２２は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向いている。第２ダイパッド１２の主面１２１は、封止樹脂９００の樹脂主面９０１と同じ側を向いている。第１側面１２３～第４側面１２６は、横方向Ｘと縦方向Ｙのいずれかを向いている。本実施形態において、第１側面１２３と第２側面１２４は、縦方向Ｙにおいて互いに反対側を向き、第３側面１２５と第４側面１２６は、横方向Ｘにおいて互いに反対側を向いている。
　第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２は、厚さ方向Ｚにおいてそれぞれの主面１１１，１２１を同じ位置とするように配置されている。第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２は、同じ厚さである。第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２の厚さは、１ｍｍ以上３ｍｍ以下である。第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２の厚さは、例えば２ｍｍ以上３ｍｍ以下であることが好ましい。第１ダイパッド１１の裏面１１２と第２ダイパッド１２の裏面１２２は、厚さ方向Ｚにおいて同じ位置となる。
　第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２は、横方向Ｘに沿って配列されている。そして、第１ダイパッド１１の第４側面１１６と第２ダイパッド１２の第３側面１２５は、互いに対向している。第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２との間の距離Ｌ１２は、第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２の厚さよりも小さく、例えば１ｍｍ以上３ｍｍ以下である。第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２は、縦方向Ｙにおいて、それぞれの第１側面１１３，１２３を同じ位置とするように配置されている。
　［リード］
　図２７、図２８に示すように、半導体装置Ａ７０は、第１リード群１０２０と第２リード群１０３０とを有している。第１リード群１０２０は、封止樹脂９００の第１樹脂側面９０３から突出する複数（本実施形態では３本）のリード１０２１～１０２３から構成されている。第２リード群１０３０は、封止樹脂９００の第２樹脂側面９０４から複数本（本実施形態では４本）のリード１０３１～１０３４から構成されている。第１リード群１０２０のリード１０２１～１０２３は、横方向Ｘに沿って配列され、縦方向Ｙに沿って延びている。第２リード群１０３０のリード１０３１～１０３４は、横方向Ｘに沿って配列され、縦方向Ｙに沿って延びている。リード１０２１～１０２３、１０３１～１０３４は、Ｃｕからなる。
　［第１リード群］
　第１リード群１０２０は、第１駆動リード１０２１、第２駆動リード１０２２、出力リード１０２３により構成されている。
　図２８に示すように、第１駆動リード１０２１は、横方向Ｘにおいて、第１ダイパッド１１の中央に配置されている。第１駆動リード１０２１は、接続部１２１１、基部１２１２、基板接続部１２１３を有している。接続部１２１１は、第１ダイパッド１１の第１側面１１３に接続されている。本実施形態において、第１駆動リード１０２１は、第１ダイパッド１１と一体である。この第１駆動リード１０２１と第１ダイパッド１１は、一体の第１リードフレーム１４を構成する。
　基部１２１２は、接続部１２１１から縦方向Ｙに延び、封止樹脂９００の第１樹脂側面９０３から突出している。基板接続部１２１３は、基部１２１２の先端から縦方向Ｙに延びている。基板接続部１２１３は、実装基板の部品穴に挿入され、実装基板の導体配線とはんだにより接続される（いずれも図示略）。図２８に示すように、基部１２１２は、基板接続部１２１３よりも横方向Ｘの幅が広く形成されている。横方向Ｘにおいて、基部１２１２は、封止樹脂９００の第４樹脂側面９０６から第３樹脂側面９０５に向かう方向において基板接続部１２１３よりも突出するように形成されている。
　図２８に示すように、第２駆動リード１０２２は、横方向Ｘにおいて、封止樹脂９００の中央に配置されている。第２駆動リード１０２２は、パッド部１２２１、基部１２２２、基板接続部１２２３を有している。パッド部１２２１は、縦方向Ｙにおいて、第２ダイパッド１２から封止樹脂９００の第１樹脂側面９０３に向けて離れて配置されている。パッド部１２２１は、第１ダイパッド１１の第１側面１１３と第２ダイパッド１２の第１側面１２３に沿って延びている。つまり、パッド部１２２１は、第１ダイパッド１１の第１側面１１３から第２ダイパッド１２の第１側面１２３に跨がるように配置されている。パッド部１２２１は、第２接続部材１０６２が接続される接続部である。
　基部１２２２は、パッド部１２２１から縦方向Ｙに延び、封止樹脂９００の第１樹脂側面９０３から突出している。基板接続部１２２３は、基部１２２２の先端から縦方向Ｙに延びている。図２８に示すように、基部１２２２は、基板接続部１２２３よりも横方向Ｘの幅が広く形成されている。横方向Ｘにおいて、基部１２２２は、封止樹脂９００の第３樹脂側面９０５から第４樹脂側面９０６に向かう方向において基板接続部１２２３よりも突出するように形成されている。
　図２８に示すように、出力リード１０２３は、横方向Ｘにおいて、第２ダイパッド１２の中央に配置されている。出力リード１０２３は、接続部１２３１、基部１２３２、基板接続部１２３３を有している。接続部１２３１は、第２ダイパッド１２の第１側面１２３に接続されている。本実施形態において、出力リード１０２３は、第２ダイパッド１２と一体である。この出力リード１０２３と第２ダイパッド１２は、一体の第２リードフレーム１５を構成する。基部１２３２は、接続部１２３１から縦方向Ｙに延び、封止樹脂９００の第１樹脂側面９０３から突出している。基板接続部１２３３は、基部１２３２の先端から縦方向Ｙに延びている。図２８に示すように、基部１２３２は、基板接続部１２３３よりも横方向Ｘの幅が広く形成されている。横方向Ｘにおいて、基部１２３２は、封止樹脂９００の第３樹脂側面９０５から第４樹脂側面９０６に向かう方向において基板接続部１２３３よりも突出するように形成されている。
　［第２リード群］
　第２リード群１０３０は、第１制御リード１０３１、第１ソースリード１０３２、第２ソースリード１０３３、第２制御リード１０３４により構成されている。
　図２８に示すように、第１制御リード１０３１は、パッド部１３１１、基部１３１２、基板接続部１３１３を有している。パッド部１３１１は、縦方向Ｙにおいて、第１ダイパッド１１から封止樹脂９００の第２樹脂側面９０４に向けて離れて配置されている。パッド部１３１１は、ワイヤ７１，７２が接続されるワイヤボンディング部である。基部１３１２は、パッド部１３１１から縦方向Ｙに延び、封止樹脂９００の第２樹脂側面９０４から突出している。基板接続部１３１３は、基部１３１２の先端から縦方向Ｙに延びている。図２８に示すように、基部１３１２は、基板接続部１３１３よりも横方向Ｘの幅が広く形成されている。横方向Ｘにおいて、基部１３１２は、第４樹脂側面９０６から第３樹脂側面９０５に向かう方向において基板接続部１３１３よりも突出するように形成されている。
　図２８に示すように、第１ソースリード１０３２は、パッド部１３２１、基部１３２２、基板接続部１３２３を有している。パッド部１３２１は、縦方向Ｙにおいて、第１ダイパッド１１から封止樹脂９００の第２樹脂側面９０４に向けて離れて配置されている。パッド部１３２１は、ワイヤ７３が接続されるワイヤボンディング部である。基部１３２２は、パッド部１３２１から縦方向Ｙに延び、封止樹脂９００の第２樹脂側面９０４から突出している。基板接続部１３２３は、基部１３２２の先端から縦方向Ｙに延びている。
　図２８に示すように、第２ソースリード１０３３は、パッド部１３３１、基部１３３２、基板接続部１３３３を有している。パッド部１３３１は、縦方向Ｙにおいて、第２ダイパッド１２から封止樹脂９００の第２樹脂側面９０４に向けて離れて配置されている。パッド部１３３１は、ワイヤ７６が接続されるワイヤボンディング部である。基部１３３２は、パッド部１３３１から縦方向Ｙに延び、封止樹脂９００の第２樹脂側面９０４から突出している。基板接続部１３３３は、基部１３３２の先端から縦方向Ｙに延びている。
　図２８に示すように、第２制御リード１０３４は、パッド部１３４１、基部１３４２、基板接続部１３４３を有している。パッド部１３４１は、縦方向Ｙにおいて、第２ダイパッド１２から封止樹脂９００の第２樹脂側面９０４に向けて離れて配置されている。パッド部１３４１は、ワイヤ７４，７５が接続されるワイヤボンディング部である。基部１３４２は、パッド部１３４１から縦方向Ｙに延び、封止樹脂９００の第２樹脂側面９０４から突出している。基板接続部１３４３は、基部１３４２の選択から縦方向Ｙに延びている。基部１３４２は、基板接続部１３４３よりも横方向Ｘの幅が広く形成されている。横方向Ｘにおいて、基部１３４２は、第３樹脂側面９０５から第４樹脂側面９０６に向かう方向において基板接続部１３４３よりも突出するように形成されている。
　図２７、図２９に示すように、本実施形態において、各リード１０２１～１０２３，１０３１～１０３３の厚さは、第１ダイパッド１１，第２ダイパッド１２の厚さ以下である。各リード１０２１～１０２３，１０３１～１０３４の厚さは、例えば０．６ｍｍである。
　図２９に示すように、第１リード群１０２０の各リード１０２１～１０２３と第２リード群１０３０の各リード１０３１～１０３４は、一点鎖線にて示すように、封止樹脂９００の樹脂主面９０１に向けて屈曲形成される。このように各リード１０２１～１０２３，１０３１～１０３４が形成された半導体装置Ａ７０は、実装基板に対して表面実装される半導体パッケージである。
　図２８に示すように、封止樹脂９００は、第１駆動リード１０２１と第２駆動リード１０２２との間、第２駆動リード１０２２と出力リード１０２３との間に第１樹脂側面９０３からそれぞれ縦方向Ｙに沿って延びる凹部９０７を有している。
　［第１スイッチング素子、第２スイッチング素子］
　２つの第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂは、第１ダイパッド１１の主面１１１に搭載されている。２つの第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂは、第２ダイパッド１２の主面１２１に搭載されている。第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂ及び第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂは、炭化シリコン（ＳｉＣ）チップである。本実施形態の第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂ及び第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂはＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）が用いられている。第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂ及び第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂは、高速スイッチングが可能な素子である。
　図２８に示すように、２つの第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂは、横方向Ｘにおいて、第１ダイパッド１１の主面１１１の中央に配置されている。また、２つの第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂは、第１ダイパッド１１の主面１１１において、縦方向Ｙに並んで配置されている。
　第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂは、平板状に形成されている。本実施形態において、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂの形状は、厚さ方向Ｚから視て横方向Ｘに長い長方形状である。図２８、図２９に示すように、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂは、素子主面４０１、素子裏面４０２、複数の素子側面４０３を有している。素子主面４０１及び素子裏面４０２は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対方向を向いている。素子主面４０１は、樹脂主面９０１と同じ方向を向く。すなわち、素子主面は、第１ダイパッド１１の主面１１１と同じ方向を向いている。素子裏面４０２は、第１ダイパッド１１の主面１１１に対向している。複数の素子側面４０３は、横方向Ｘと縦方向Ｙの何れかを向く。
　第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂは、素子主面４０１の第１主面電極１０４１及び第１制御電極１０４２と、素子裏面４０２の第１裏面電極１０４３とを有している。第１主面電極１０４１はソース電極である。本実施形態の第１主面電極１０４１は、主ソース電極１４１１及び制御用ソース電極１４１２，１４１３を含む。第１制御電極１０４２はゲート電極である。制御用ソース電極１４１２，１４１３は、例えば、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂを駆動する回路（ドライバ）に対して電気的に接続されるドライバソース電極である。本実施形態において、第１制御電極１０４２は、第１ダイパッド１１の第３側面１１５（封止樹脂９００の第３樹脂側面９０５）寄りの部位に配置されている。また、第１制御電極１０４２は、縦方向Ｙにおいて第１主面電極１０４１の中央に配置されている。第１主面電極１０４１の主ソース電極１４１１は横方向Ｘにおいて、第１制御電極１０４２と並ぶように配置されている。制御用ソース電極１４１２，１４１３は、縦方向Ｙにおいて、第１制御電極１０４２を挟むように配置されている。第１裏面電極１０４３はドレイン電極である。第１裏面電極１０４３は、はんだ８１によって第１ダイパッド１１と電気的に接続されている。
　図２８に示すように、２つの第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂは、横方向Ｘにおいて、第２ダイパッド１２の主面１２１の中央に配置されている。また、２つの第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂは、第２ダイパッド１２の主面１２１において、縦方向Ｙに並んで配置されている。
　第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂは、平板状に形成されている。本実施形態において、第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂの形状は、厚さ方向Ｚから視て横方向Ｘに長い長方形状である。図２８に示すように、第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂは、素子主面５０１、素子裏面５０２、複数の素子側面５０３を有している。素子主面５０１及び素子裏面５０２は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対方向を向いている。素子主面５０１は、樹脂主面９０１に面している。すなわち、素子主面は、第２ダイパッド１２の主面１２１と同じ方向を向いている。素子裏面５０２は、第２ダイパッド１２の主面１２１に対向している。複数の素子側面５０３は、横方向Ｘと縦方向Ｙの何れかを向く。
　第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂは、素子主面５０１の第２主面電極１０５１及び第２制御電極１０５２と、素子裏面５０２の第２裏面電極１０５３とを有している。第２主面電極１０５１はソース電極である。本実施形態の第２主面電極１０５１は、主ソース電極５１１及び制御用ソース電極５１２，５１３を含む。第２制御電極１０５２はゲート電極である。制御用ソース電極５１２，５１３は、例えば、第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂを駆動する回路（ドライバ）に電気的に接続されるドライバソース電極である。本実施形態において、第２制御電極１０５２は、第２ダイパッド１２の第４側面１２６（封止樹脂９００の第４樹脂側面９０６）寄りの部位に配置されている。また、第２制御電極１０５２は、縦方向Ｙにおいて第２主面電極１０５１の中央に配置されている。第２主面電極１０５１の主ソース電極５１１は横方向Ｘにおいて、第２制御電極１０５２と並ぶように配置されている。制御用ソース電極５１２，５１３は、縦方向Ｙにおいて、第２制御電極１０５２を挟むように配置されている。第２裏面電極１０５３はドレイン電極である。第２裏面電極１０５３は、はんだ８２によって第２ダイパッド１２と電気的に接続されている。
　［第１接続部材、第２接続部材］
　第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂの第１主面電極１０４１（主ソース電極１４１１）は、それぞれ第１接続部材１０６１により第２ダイパッド１２と接続されている。第１接続部材１０６１は、導電性を有する板状部材であり、クリップと呼ばれる。第１接続部材１０６１は、板状の導電板を屈曲して形成される。本実施形態の第１接続部材１０６１は、横方向Ｘに延びる帯状である。第１接続部材１０６１は、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂの第１主面電極１０４１（主ソース電極１４１１）と第２ダイパッド１２とを接続する。図３１に示すように、第１接続部材１０６１の一端は、はんだ８３により第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂの主ソース電極１４１１に接続され、第１接続部材１０６１の他端は、はんだ８４により第２ダイパッド１２に接続されている。第１接続部材１０６１は、Ｃｕよりなる。第１接続部材１０６１の厚さは、０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であり、０．５ｍｍ以上であることが好ましい。
　なお、第１接続部材１０６１に代えて複数のワイヤによって第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂの第１主面電極１０４１（主ソース電極１４１１）と第２ダイパッド１２とを接続してもよい。ワイヤの本数は、例えば半導体装置Ａ７０において流しうる駆動電流に応じて設定することが好ましい。
　第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂは、第２接続部材１０６２によって第２駆動リード１０２２に接続されている。第２接続部材１０６２は、導電性を有する板状部材であり、クリップと呼ばれる。第２接続部材１０６２は、板状の導電板を屈曲して形成される。
　第２接続部材１０６２は、リード接続部６２１、電極接続部６２２、連結部６２３を有している。リード接続部６２１は、第２駆動リード１０２２のパッド部１２２１と同様に横方向Ｘに延びている。図２８に示すように、リード接続部６２１は、はんだ８６によりパッド部１２２１に接続されている。電極接続部６２２は、第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂの第２主面電極１０５１（主ソース電極５１１）に応じた長方形状に形成され、はんだ８５により第２主面電極１０５１に接続されている。連結部６２３は、リード接続部６２１と電極接続部６２２とを接続する。連結部６２３は、リード接続部６２１から縦方向Ｙに延びている。そして、連結部６２３は、電極接続部６２２において第１ダイパッド１１寄りの端部に接続されている。つまり各電極接続部６２２は、連結部６２３から横方向Ｘに延びている。図３１に示すように、本実施形態において、第２接続部材１０６２は、第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂと第２ダイパッド１２の第３側面１２５との間において、連結部６２３を第２ダイパッド１２の主面１２１と平行とするように形成されている。第２接続部材１０６２は、Ｃｕよりなる。第２接続部材１０６２の厚さは、０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であり、０．５ｍｍ以上であることが好ましい。
　［ワイヤ］
　半導体装置Ａ７０は、複数本のワイヤ７１～７６を備えている。ワイヤ７１～７６は、導電性を有する線状部材である。ワイヤ７１～７６は、例えばＡｌよりなる。ワイヤ７１～７６の線径は、例えば０．０４ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である。
　ワイヤ７１は、第１制御リード１０３１のパッド部１３１１と第１スイッチング素子４０ａの第１制御電極１０４２との間に接続されている。ワイヤ７２は、第１制御リード１０３１のパッド部１３１１と第１スイッチング素子４０ｂの第１制御電極１０４２との間に接続されている。ワイヤ７３は、第１ソースリード１０３２のパッド部１３２１と第１スイッチング素子４０ｂの制御用ソース電極１４１３との間に接続されている。
　ワイヤ７４は、第２制御リード１０３４のパッド部１３４１と第２スイッチング素子５０ａの第２制御電極１０５２との間に接続されている。ワイヤ７５は、第２制御リード１０３４のパッド部１３４１と第２スイッチング素子５０ｂの第２制御電極１０５２との間に接続されている。ワイヤ７６は、第２ソースリード１０３３のパッド部１３３１と第２スイッチング素子５０ｂの制御用ソース電極５１２との間に接続されている。
　（作用）
　次に、第６実施形態の半導体装置Ａ７０の作用を説明する。
　本実施形態の半導体装置Ａ７０は、１つの封止樹脂９００内に第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂと第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂを備えている。第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂの第１主面電極１０４１（主ソース電極１４１１）は、第１接続部材１０６１により第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂが搭載された第２ダイパッド１２に接続されている。したがって、本実施形態の半導体装置Ａ７０は、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂと第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂとを直列に接続したインバータ回路を構成する。
　インバータ回路は、２つの半導体装置を接続して構成することができる。この場合、インバータ回路は、２つの半導体装置を実装した実装基板において、２つの半導体装置のリード（高電位側のソースリード、低電位側のドレインリード）を配線により接続することにより構成される。この場合、外部配線により、２つの半導体装置のリードにおけるインダクタンスが大きくなる。
　これに対し、本実施形態の半導体装置Ａ７０は、インバータ回路を構成する第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂと第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂとが、封止樹脂９００内の第１接続部材１０６１により接続されている。このため、外部配線により接続する場合と比べ、第１駆動リード１０２１、出力リード１０２３、第２駆動リード１０２２の間の導体距離が短くなり、半導体装置Ａ７０のインダクタンスは、小さくなる。このように、本実施形態の半導体装置Ａ７０において、インダクタンスを低減できる。
　本実施形態の半導体装置Ａ７０は、横方向Ｘにおいて、第１駆動リード１０２１、第２駆動リード１０２２、出力リード１０２３の順番で配列されている。つまり、第１駆動リード１０２１と第２駆動リード１０２２とは、互いに隣り合うように配置されている。第１駆動リード１０２１には高電位電圧が供給され、第２駆動リード１０２２には低電位電圧が供給される。
　第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂをオンし、第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂをオフしたとき、第１駆動リード１０２１から出力リード１０２３に向かって第１電流Ｉ１が流れる。逆に、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂをオフし、第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂをオンしたとき、出力リード１０２３から第２駆動リード１０２２に向かって第２電流Ｉ２が流れる。半導体装置Ａ７０を高速な制御信号（例えば１ＭＨｚ）で動作させた場合、隣り合う第１駆動リード１０２１と第２駆動リード１０２２とにおいて、半導体装置Ａ７０に対して逆方向の第１電流Ｉ１と第２電流Ｉ２とが交互に流れる。これらの第１電流Ｉ１と第２電流Ｉ２とにより生じる磁束によって、相互インダクタンスを低下するため、半導体装置Ａ７０における寄生インダクタンスがより低下する。
　（効果）
　以上記述したように、本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
　（１－１）半導体装置Ａ７０は、１つの封止樹脂９００内に第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂと第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂを備えている。第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂの第１主面電極１０４１（主ソース電極１４１１）は、第１接続部材１０６１により第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂが搭載された第２ダイパッド１２に接続されている。したがって、半導体装置Ａ７０では、第１駆動リード１０２１、出力リード１０２３、第２駆動リード１０２２の間の導体距離が短くなり、インダクタンスを低減できる。
　（１－２）半導体装置Ａ７０は、横方向Ｘにおいて、第１駆動リード１０２１、第２駆動リード１０２２、出力リード１０２３の順番で配列されている。動作状態に応じて、第１駆動リード１０２１から出力リード１０２３に向かって流れる第１電流Ｉ１と、出力リード１０２３から第２駆動リード１０２２に向かって流れる第２電流Ｉ２とによって、半導体装置Ａ７０におけるインダクタンスをより低減できる。
　（１－３）第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２の厚さは、１ｍｍ以上３ｍｍ以下である。第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２は厚い方が好ましい。第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂの動作によって生じる熱は、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂから第１ダイパッド１１へと伝わる。第１ダイパッド１１が厚いほど、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂから第１ダイパッド１１へと熱が伝わりやすくなる。つまり第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂからの放熱性を向上でき、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂにおける熱抵抗を低減できる。同様に、第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂにおける熱抵抗を低減できる。
　（１－４）板状部材からなる第１接続部材１０６１により第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂと第２ダイパッド１２とを接続した。したがって、複数本のワイヤにて第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂと第２ダイパッド１２とを接続する場合と比べ、大電流に対応することができる。また、複数本のワイヤにて第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂと第２ダイパッド１２とを接続する場合と比べ、接続する部材が少なくなり、製造工数を低減できる。また、半導体装置Ａ７０におけるワイヤの本数を低減できるため、ワイヤの断線等の発生を抑制できる。
　（１－５）板状部材からなる第２接続部材１０６２により第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂと第２駆動リード１０２２とを接続した。したがって、複数本のワイヤにて第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂと第２駆動リード１０２２とを接続する場合と比べ、大電流に対応することができる。また、複数本のワイヤにて第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂと第２駆動リード１０２２とを接続する場合と比べ、接続する部材が少なくなり、製造工数を低減できる。また、半導体装置Ａ７０におけるワイヤの本数を低減できるため、ワイヤの断線等の発生を抑制できる。
　（１－６）半導体装置Ａ７０は、封止樹脂９００の第１樹脂側面９０３から突出するリード１０２１～１０２３と、封止樹脂９００の第２樹脂側面９０４から突出するリード１０３１～１０３４とを備える。したがって、第１駆動リード１０２１と第２駆動リード１０２２との間、第２駆動リード１０２２と出力リード１０２３との間をそれぞれ広くすることができる。このため、絶縁性を容易に確保できる。
　（１－７）封止樹脂９００は、第１駆動リード１０２１と第２駆動リード１０２２との間、第２駆動リード１０２２と出力リード１０２３との間において、第１樹脂側面９０３からそれぞれ縦方向Ｙに沿って延びる凹部９０７を有している。凹部９０７により、第１駆動リード１０２１と第２駆動リード１０２２との間、第２駆動リード１０２２と出力リード１０２３との間において、封止樹脂９００の表面に沿った距離（沿面距離）が長くなる。このため、絶縁性をより確保できる。
　（第６実施形態の変更例）
　上記第６実施形態は、以下のように変更して実施することができる。なお、変更例を示す図面では、ワイヤが省略されている。
　・図３２に示す半導体装置Ａ７１において、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂと第２ダイパッド１２とを接続する第１接続部材６１ａは、１つの板状部材である。第１接続部材６１ａは、縦方向Ｙに延びるダイ接続部６１１と、ダイ接続部６１１から横方向Ｘに延びる２つの電極接続部６１２と、を備える。ダイ接続部６１１は第２ダイパッド１２に接続され、電極接続部６１２は第１スイッチング素子４０ａ、４０ｂの第１主面電極１０４１（主ソース電極１４１１）に接続される。この第１接続部材６１ａを用いることにより、半導体装置Ａ７１における製造を容易とすることができる。
　・第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２とに搭載する半導体素子の個数を適宜変更してもよい。例えば、図３３に示す半導体装置Ａ７２は、第１ダイパッド１１に実装された３つの第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃと、第２ダイパッド１２に実装された３つの第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂ，５０ｃと、を備えている。なお、第１ダイパッド１１に１つの第１スイッチング素子を搭載し、第２ダイパッド１２に１つの第２スイッチング素子を搭載した半導体装置としてもよい。
　・第１リード群１０２０を構成する各リード１０２１～１０２３の配置を変更してもよい。例えば、出力リード１０２３を第１駆動リード１０２１と第２駆動リード１０２２との間に配置してもよい。
　また、第２リード群１０３０を構成する各リード１０３１～１０３４の配置を適宜変更してもよい。例えば、第１ソースリード１０３２を第１制御リード１０３１よりも外側（封止樹脂９００の第３樹脂側面９０５寄りの部位）に配置してもよい。また、第２ソースリード１０３３を第２制御リード１０３４よりも外側（封止樹脂９００の第４樹脂側面９０６寄りの部位）に配置してもよい。
　（第７実施形態）
　図３４～図３７を参照して第７実施形態の半導体装置Ａ８０を説明する。
　なお、第７実施形態の半導体装置Ａ８０は、第６実施形態の半導体装置Ａ７０と比べ、第１スイッチング素子、第２スイッチング素子とリードの配置が異なる。
　図３４～図３７に示すように、半導体装置Ａ８０は、第１リード群１０２０ａ、第２リード群１０３０ａを有している。
　［第１リード群］
　第１リード群１０２０ａは、第１駆動リード１０２１、第２駆動リード１０２２により構成されている。図３５に示すように、第１駆動リード１０２１は、横方向Ｘにおいて、第１ダイパッド１１の第４側面１１６寄りに配置されている。第２駆動リード１０２２は、横方向Ｘにおいて、第２ダイパッド１２の第３側面１２５寄りに配置されている。本実施形態において、第１駆動リード１０２１と第２駆動リード１０２２は、それらの中間点を封止樹脂９００の中央とするように配置されている。
　［第２リード群］
　第２リード群１０３０ａは、第１制御リード１０３１、第１ソースリード１０３２、第２ソースリード１０３３、第２制御リード１０３４、出力リード１０３５により構成されている。出力リード１０３５は、第１ソースリード１０３２と第２ソースリード１０３３との間に配置されている。
　図３５に示すように、出力リード１０３５は、接続部１３５１、基部１３５２、基板接続部１３５３を有している。接続部１３５１は、第２ダイパッド１２の第２側面１２４に接続されている。本実施形態において、出力リード１０３５は、第２ダイパッド１２と一体である。この出力リード１０３５と第２ダイパッド１２は、一体の第２リードフレーム１５ａを構成する。
　接続部１３５１は、ダイ接続部１３５１ａとパッド部１３５１ｂとを備えている。ダイ接続部１３５１ａは、第２ダイパッド１２の第２側面１２４において、第３側面１２５寄りの部分に接続されている。パッド部１３５１ｂは、横方向Ｘに沿って、ダイ接続部１３５１ａから第１ソースリード１０３２に向けて延びている。パッド部１３５１ｂは、縦方向Ｙから視て、第１駆動リード１０２１と重なる位置に配置されている。
　基部１３５２は、接続部１３５１から縦方向Ｙに延び、封止樹脂９００の第２樹脂側面９０４から突出している。基板接続部１３５３は、基部１３５２の先端から縦方向Ｙに延びている。図３５に示すように、基部１３５２は、基板接続部１３５３よりも横方向Ｘの幅が広く形成されている。基部１３５２は、縦方向Ｙにおいて、基部１３５２の一部が第１駆動リード１０２１と重なり、他の一部が第２駆動リード１０２２と重なるように幅広に形成されている。基板接続部１３５３は、横方向Ｘにおける基部１３５２の中央に配置されている。また、基板接続部１３５３は、横方向Ｘにおける封止樹脂９００の中央に配置されている。
　［第１スイッチング素子、第２スイッチング素子］
　図３５、図３７に示すように、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂと第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂは、横方向Ｘにおいて、封止樹脂９００の中央寄りに配置されている。
　図３５、図３７に示すように、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂは、横方向Ｘにおいて、第１ダイパッド１１の第４側面１１６寄りの部位に配置されている。第４側面１１６は、第２ダイパッド１２の第３側面１２５と対向する。つまり、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂは、第１ダイパッド１１の第２ダイパッド１２寄りに配置されている。第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂは、縦方向Ｙにおいて第１主面電極１０４１の主ソース電極１４１１が出力リード１０３５のパッド部１３５１ｂと互いに重なるように配置されている。本実施形態において、厚さ方向Ｚから視て、第１ダイパッド１１の第４側面１１６から第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂの素子側面４０３までの距離（第１距離）Ｌｘ１は、第１ダイパッド１１の厚さ以上である。
　図３５、図３７に示すように、第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂは、横方向Ｘにおいて、第２ダイパッド１２の第３側面１２５寄りの部位に配置されている。つまり、第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂは、第２ダイパッド１２の第１ダイパッド１１寄りの部位に配置されている。第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂは、縦方向Ｙにおいて、第２主面電極１０５１の主ソース電極５１１が第２駆動リード１０２２のパッド部１２２１と重なるように配置されている。本実施形態において、厚さ方向Ｚから視て、第２ダイパッド１２の第３側面１２５から第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂの素子側面５０３までの距離（第２距離）Ｌｘ２は、第２ダイパッド１２の厚さ以上である。
　［第１接続部材、第２接続部材］
　本実施形態において、第１接続部材６１ｂは、縦方向Ｙに延びる帯状であり、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂの主ソース電極１４１１と出力リード１０３５のパッド部１３５１ｂとを接続する。出力リード１０３５は第２ダイパッド１２に接続されている。したがって、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂの第１主面電極１０４１（主ソース電極１４１１）は、出力リード１０３５を介して第２ダイパッド１２に接続されているといえる。第２接続部材６２ｂは、縦方向Ｙに延びる帯状であり、第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂの主ソース電極５１１と第２駆動リード１０２２のパッド部１２２１とを接続する。
　（作用）
　次に、第７実施形態の半導体装置Ａ８０の作用を説明する。
　第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂは、横方向Ｘにおいて、第１ダイパッド１１の第４側面１１６寄りの部位に配置されている。第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂは、縦方向Ｙにおいて主ソース電極１４１１が出力リード１０３５のパッド部１３５１ｂと重なるように配置されている。そのパッド部１３５１ｂは、縦方向Ｙにおいて第１駆動リード１０２１と重なるように配置されている。したがって、第１駆動リード１０２１、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂ、出力リード１０３５のパッド部１３５１ｂが縦方向Ｙにおいて重なる。これにより、半導体装置Ａ８０において、第１駆動リード１０２１と出力リード１０３５との間でほぼ直線的に電流を流すことができる。
　第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂは、横方向Ｘにおいて、第２ダイパッド１２の第３側面１２５寄りの部位に配置されている。第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂは、縦方向Ｙにおいて、第２駆動リード１０２２と重なるように配置されている。出力リード１０３５は、一部が縦方向Ｙにおいて第２駆動リード１０２２と重なる。これにより、半導体装置Ａ８０において、第２駆動リード１０２２と出力リード１０３５との間でほぼ直線的に電流を流すことができる。
　図３５に示すように、第１駆動リード１０２１と第２駆動リード１０２２は、横方向Ｘにおいて互いに隣り合うように配置されている。半導体装置Ａ８０のインバータ動作時において、第１駆動リード１０２１では、第１駆動リード１０２１から出力リード１０３５に向けて電流が流れる。一方、第２駆動リード１０２２では、出力リード１０３５から第２駆動リード１０２２に向けて電流が流れる。したがって、互いに隣り合う第１駆動リード１０２１と第２駆動リード１０２２とにおいて、互いに逆方向に流れる電流にて生じる磁束によって、相互インダクタンスを低下するため、半導体装置Ａ８０における寄生インダクタンスがより低下する。
　第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂの動作によって生じる熱は、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂから第１ダイパッド１１へと伝わる。第１ダイパッド１１において、熱は、図３７において矢印にて示すように、第１ダイパッド１１の主面１１１から裏面１１２に向けて拡散しながら伝達される。そして、熱は、第１ダイパッド１１の各面から封止樹脂９００へと伝達される。同様に、第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂの動作によって生じる熱は、第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂから第２ダイパッド１２へと伝わり、第２ダイパッド１２の主面１２１から裏面１２２に向けて拡散しながら伝達される。そして、熱は、第２ダイパッド１２の各面から封止樹脂９００へと伝達される。
　第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂを第１ダイパッド１１の第４側面１１６に近づけるほど、第４側面１１６から封止樹脂９００へと伝達される熱が多くなる。同様に、第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂを第２ダイパッド１２の第３側面１２５に近づけるほど、第３側面１２５から封止樹脂９００へと伝達される熱が多くなる。このため、第４側面１１６と第３側面１２５との間の封止樹脂９００の樹脂部分９００ａの温度上昇によって、第４側面１１６から樹脂部分９００ａへの熱伝達効率が低下するとともに、第３側面１２５から樹脂部分９００ａへの熱伝達効率が低下する。つまり、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂと第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂとに対する放熱効率が低下する。
　しかしながら、上述したように、本実施形態の半導体装置Ａ８０において、第１ダイパッド１１の第４側面１１６から第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂの素子側面４０３までの距離Ｌｘ１は、第１ダイパッド１１の厚さ以上である。そして、第２ダイパッド１２の第３側面１２５から第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂの素子側面５０３までの距離Ｌｘ２は、第２ダイパッド１２の厚さ以上である。これにより、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂと第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂとに対する放熱効率の低下を抑制できる。
　なお、第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２との間の距離Ｌ１２を大きくする、つまり第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２とを互いに離すことによっても、放熱効率の低下を抑制できる。しかし、第１ダイパッド１１と第２ダイパッド１２とを離すことにより、封止樹脂９００が大きくなる、つまり半導体装置の外形寸法が大きくなる。一方、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂ、第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂの位置を上記のように設定することで、放熱効率の低下を抑制するとともに半導体装置Ａ８０の大型化を抑制できる。
　（効果）
　以上記述したように、本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
　（２－１）半導体装置Ａ８０は、封止樹脂９００の第１樹脂側面９０３から突出する第１駆動リード１０２１及び第２駆動リード１０２２と、封止樹脂９００の第２樹脂側面９０４から突出する出力リード１０３５とを有している。したがって、第１駆動リード１０２１と出力リード１０３５との間、第２駆動リード１０２２と出力リード１０３５との間の絶縁性を容易に確保できる。
　（２－２）半導体装置Ａ８０において、封止樹脂９００の第１樹脂側面９０３から第１駆動リード１０２１と第２駆動リード１０２２のみが突出する。したがって、第１駆動リード１０２１と第２駆動リード１０２２との間隔を容易に広げることができ、第１駆動リード１０２１と第２駆動リード１０２２との間の沿面距離を容易に確保できる。
　（２－３）第１ダイパッド１１の第４側面１１６から第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂの素子側面４０３までの距離Ｌｘ１は、第１ダイパッド１１の厚さ以上である。これにより、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂに対する第１ダイパッド１１の放熱効率の低下を抑制できる。
　（２－４）第２ダイパッド１２の第３側面１２５から第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂの素子側面５０３までの距離Ｌｘ２は、第２ダイパッド１２の厚さ以上である。これにより、第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂに対する第２ダイパッド１２の放熱効率の低下を抑制できる。
　（第７実施形態の変更例）
　上記第７実施形態は、以下のように変更して実施することができる。なお、変更例を示す図面では、ワイヤが省略されている。
　・第１接続部材１０６１と第２接続部材１０６２の形状を適宜変更してもよい。
　例えば、図３８に示す半導体装置Ａ８１のように、第１接続部材６１ｃの幅を広くしてもよい。また、第２接続部材６２ｃの幅を広くしてもよい。このように形成された第１接続部材６１ｃ及び第２接続部材６２ｃでは、第１駆動リード１０２１から出力リード１０３５へ向かう電流の経路と、出力リード１０３５から第２駆動リード１０２２へ向かう電流の経路とがより近くなり、相互インダクタンスによってよりインダクタンスを低減できる。
　また、図３９に示す半導体装置Ａ８２のように、厚さ方向Ｚに延びる板状部分を有する第１接続部材６１ｄ及び第２接続部材６２ｄとすることで、よりインダクタンスを低減できる。
　・第１駆動リード１０２１、第２駆動リード１０２２、出力リード１０３５の形状を適宜変更してもよい。
　例えば、図４０に示す半導体装置Ａ８３のように、各リード１０２１，１０２２，１０３５の基部１２１２，１２２２，３５２の縦方向Ｙの長さを短くしてもよい。
　更に、図４１に示す半導体装置Ａ８４のように、各基部１２１２，１２２２，３５２が封止樹脂９００から突出しないようにしてもよい。
　・図４２に示す半導体装置Ａ８５のように、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂと第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂとを横方向Ｘに沿って配置してもよい。この場合、第１スイッチング素子４０ａ，４０ｂを第１ダイパッド１１の第２側面１１４寄りの部位に配置し、第２スイッチング素子５０ａ，５０ｂを第２ダイパッド１２の第１側面１２３寄りの部位に配置する。これにより、第１スイッチング素子４０ａと第１ダイパッド１１の第４側面１１６との間の距離、第２スイッチング素子５０ａと第２ダイパッド１２の第３側面１２５との間の距離を短くしても、第１ダイパッド１１の第４側面１１６及び第２ダイパッド１２の第３側面１２５から放熱することができ、放熱効率の低下を抑制できる。
　・第１ダイパッド１１に実装する第１スイッチング素子の数を１つ又は３つ以上としてもよい。また、第２ダイパッド１２に実装する第２スイッチング素子の数を１つ又は３つ以上としてもよい。
　（その他の変更例）
　・上記各実施形態及び変更例は、以下のように変更して実施することができる。なお、上述の各実施形態及び変更例と、以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲でお互いに組み合わせた状態で実施することができる。
　・第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子として、Ｓｉ素子等を用いてもよい。
　・第１主面電極１０４１として主ソース電極１４１１と制御用ソース電極１４１２，１４１３とから構成された第１スイッチング素子を用いたが、１つ、２つ、又は４つ以上のソース電極を備えたスイッチング素子を用いてもよい。また、第２主面電極１０５１として主ソース電極５１１と制御用ソース電極５１２，５１３とから構成された第２スイッチング素子を用いたが、１つ、２つ、又は４つ以上のソース電極を備えたスイッチング素子を用いてもよい。
　（付記）
　上記各実施形態及び変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。
　（付記１）第１主面を有する第１ダイパッドと、
　前記第１主面と平行な第１方向に前記第１ダイパッドから離れて配置され、前記第１主面と同じ方向を向く第２主面を有する第２ダイパッドと、
　前記第１主面に実装され、前記第１主面と同じ方向を向く第１素子主面と、前記第１素子主面と反対側を向く第１素子裏面と、前記第１素子主面に設けられた第１主面電極及び第１制御電極と、前記第１素子裏面に設けられた第１裏面電極とを有し、前記第１裏面電極が前記第１主面に接続された第１スイッチング素子と、
　前記第２主面に実装され、前記第２主面と同じ方向を向く第２素子主面と、前記第２素子主面と反対側を向く第２素子裏面と、前記第２素子主面に設けられた第２主面電極及び第２制御電極と、前記第２素子裏面に設けられた第２裏面電極とを有し、前記第２裏面電極が前記第２主面に接続された第２スイッチング素子と、
　前記第１スイッチング素子の前記第１主面電極と前記第２ダイパッドとを接続する第１接続部材と、
　前記第１主面及び前記第２主面と平行な方向を向く複数の樹脂側面を有し、前記第１スイッチング素子、前記第２スイッチング素子、前記第１ダイパッド、及び前記第２ダイパッド、及び前記第１接続部材を封止する封止樹脂と、
　前記第１方向に配列され、前記封止樹脂の複数の前記樹脂側面のうちの前記第１方向と交差する第２方向を向く１つの前記樹脂側面から突出し、前記第２方向に延びる第１駆動リード及び第２駆動リードを含む複数のリードと、
　前記第２スイッチング素子の前記第２主面電極と前記第２駆動リードとを接続する第２接続部材と、
　を備え、
　前記第２接続部材は、前記第２駆動リードに接続されたリード接続部と、前記第２スイッチング素子の前記第２主面電極に接続された電極接続部と、前記リード接続部と前記電極接続部とを接続する連結部と、を備えた半導体装置。
　（付記２）前記連結部は、前記リード接続部から前記第２方向に延びている、付記１に記載の半導体装置。
　（付記３）前記電極接続部は、前記連結部から前記第１方向に延びている、付記２に記載の半導体装置。
　（付記４）前記第２接続部材は、前記連結部を前記第２ダイパッドの前記第２主面と平行とするように形成されている、付記１から付記３のいずれか一つに記載の半導体装置。
　（付記５）前記第１ダイパッドには複数の前記第１スイッチング素子が実装され、前記第２ダイパッドには複数の前記第２スイッチング素子が実装されている、付記１から付記４の何れか一つに記載の半導体装置。
　（付記６）複数の前記第１スイッチング素子と複数の前記第２スイッチング素子は、前記第２方向に配列されている、付記５に記載の半導体装置。
　（付記７）前記第１接続部材は、複数の前記第１スイッチング素子の前記主面電極からそれぞれ前記第１方向に延びて前記第２ダイパッドに接続されている、付記６に記載の半導体装置。
　（付記８）複数の前記リードは第１制御リード及び第２制御リードを含み、
　前記半導体装置はさらに、
　前記第１制御リードと前記第１制御電極とを接続する第１ワイヤと、前記第２制御リードと前記第２制御電極とを接続する第２ワイヤと、を備えた付記１から付記７のいずれか一つに記載の半導体装置。
　（付記９）複数の前記リードは第１ソースリード及び第２ソースリードを含み、
　前記第１ソースリードは、前記第１ダイパッドに実装された複数の前記第１スイッチング素子のうちの１つの前記第１スイッチング素子の前記第１主面電極に接続され、前記第２ソースリードは、前記第２ダイパッドに実装された複数の前記第２スイッチング素子のうちの１つの前記第２スイッチング素子の前記第２主面電極に接続されている、付記１から付記８のいずれか一つに記載の半導体装置。
　（付記１０）前記第１ソースリードと前記第１主面電極とを接続する第３ワイヤと、前記第２ソースリードと前記第２主面電極とを接続する第４ワイヤとを備えた、付記９に記載の半導体装置。
　（付記１１）前記第１主面電極は、主ソース電極と制御用ソース電極とを有し、前記第１接続部材は、前記第１主面電極の前記主ソース電極と前記第２ダイパッドとを接続する、付記１から付記１０のいずれか一つに記載の半導体装置。
　（付記１２）前記第２主面電極は、主ソース電極と制御用ソース電極とを有し、前記第２接続部材は、前記第２主面電極の前記主ソース電極と前記第２駆動リードとを接続する、付記１から付記１１のいずれか一つに記載の半導体装置。
　（付記１３）第１主面を有する第１ダイパッドと、
　前記第１主面と平行な第１方向に前記第１ダイパッドから離れて配置され、前記第１主面と同じ方向を向く第２主面を有する第２ダイパッドと、
　前記第１主面に実装され、前記第１主面と同じ方向を向く第１素子主面と、前記第１素子主面と反対側を向く第１素子裏面と、前記第１素子主面に設けられた第１主面電極及び第１制御電極と、前記第１素子裏面に設けられた第１裏面電極とを有し、前記第１裏面電極が前記第１主面に接続された第１スイッチング素子と、
　前記第２主面に実装され、前記第２主面と同じ方向を向く第２素子主面と、前記第２素子主面と反対側を向く第２素子裏面と、前記第２素子主面に設けられた第２主面電極及び第２制御電極と、前記第２素子裏面に設けられた第２裏面電極とを有し、前記第２裏面電極が前記第２主面に接続された第２スイッチング素子と、
　前記第１スイッチング素子の前記第１主面電極と前記第２ダイパッドの前記第２主面とを接続する第１接続部材と、
　前記第１主面及び前記第２主面と平行な方向を向く複数の樹脂側面を有し、前記第１スイッチング素子、前記第２スイッチング素子、前記第１ダイパッド、及び前記第２ダイパッド、及び前記第１接続部材を封止する封止樹脂と、
　複数の前記樹脂側面のうち前記第１方向と交差する第２方向を向く第１樹脂側面から突出する第１駆動リード及び第２駆動リードを含む第１リード群と、
　前記第１樹脂側面と反対方向を向く第２樹脂側面から突出する第１制御リード及び第２制御リードを含む第２リード群と、
　前記第２スイッチング素子の前記第２主面電極と前記第２駆動リードとを接続する第２接続部材と、
　を備え、
　前記第２接続部材は、前記第２駆動リードに接続されたリード接続部と、複数の前記第２スイッチング素子の前記第２主面電極に接続された複数の電極接続部と、前記リード接続部と複数の前記電極接続部とを接続する連結部と、を備えた記載の半導体装置。
　（付記１４）前記連結部は、前記リード接続部から前記第２方向に延びている、付記１３に記載の半導体装置。
　（付記１５）複数の前記電極接続部は、前記連結部から前記第１方向に延びている、付記１４に記載の半導体装置。
　（付記１６）前記第２接続部材は、前記連結部を前記第２ダイパッドの前記第２主面と平行とするように形成されている、付記１３から付記１５のいずれか一つに記載の半導体装置。
　（付記１７）前記第１リード群は、前記第２ダイパッドに接続された出力リードを含み、
　前記出力リードは、前記第２方向から視て、前記第１駆動リードと前記第２駆動リードとの間に配置されている、付記１３から付記１６のいずれか一つに記載の半導体装置。
　（付記１８）前記第１主面電極は、主ソース電極と制御用ソース電極とを有し、前記第１接続部材は、前記第１主面電極の前記主ソース電極と前記第２ダイパッドとを接続する、付記１３から付記１７のいずれか一つに記載の半導体装置。
　（付記１９）前記第２主面電極は、主ソース電極と制御用ソース電極とを有し、前記第２接続部材は、前記第２主面電極の前記主ソース電極と前記第２駆動リードとを接続する、付記１３から付記１８のいずれか一つに記載の半導体装置。
　（付記２０）前記第１制御リードと前記第１制御電極とを接続する第１ワイヤと、前記第２制御リードと前記第２制御電極とを接続する第２ワイヤと、を備えた付記１３から付記１９のいずれか一つに記載の半導体装置。
　（付記２１）前記第２リード群は、第１ソースリード及び第２ソースリードを含み、
　前記第１ソースリードは、前記第１ダイパッドに実装された複数の前記第１スイッチング素子のうちの１つの前記第１スイッチング素子の前記第１主面電極に接続され、前記第２ソースリードは、前記第２ダイパッドに実装された複数の前記第２スイッチング素子のうちの１つの前記第２スイッチング素子の前記第２主面電極に接続されている、付記１３から付記２０のいずれか一つに記載の半導体装置。
　（付記２２）前記第１ソースリードと前記第１主面電極とを接続する第３ワイヤと、前記第２ソースリードと前記第２主面電極とを接続する第４ワイヤとを備えた、付記２１に記載の半導体装置。
　Ａ１０，Ａ１１，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０，Ａ５０，Ａ６１～Ａ６５，Ａ７０～Ａ７２，Ａ８０～Ａ８５　半導体装置
　１１　第１ダイパッド
　１１１　主面（第１主面）
　１１２　裏面（第１裏面）
　１１３～１１６　第１側面～第４側面
　１２　第２ダイパッド
　１２１　主面（第２主面）
　１２２　裏面（第２裏面）
　１２３～１２６　第１側面～第４側面
　１４　第１リードフレーム
　１５，１５ａ　第２リードフレーム
　２０　第１スイッチング素子
　２０１　素子主面（第１素子主面）
　２０２　素子側面（第１素子裏面）
　２０３～２０６　第１素子側面～第４素子側面
　２１　第１主面電極
　２１１　主ソース電極
　２１２，２１３　制御用ソース電極
　２２　第１制御電極
　２３　第１裏面電極
　３０　第２スイッチング素子
　３０１　素子主面（第２素子主面）
　３０２　素子側面（第２素子裏面）
　３０３～３０６　第１素子側面～第４素子側面
　３１　第２主面電極
　３１１　主ソース電極
　３１２，３１３　制御用ソース電極
　３２　第２制御電極
　３３　第２裏面電極
　４０ａ，４０ｂ，４０ｃ　第１スイッチング素子
　４０１　素子主面
　４０２　素子裏面
　４０３　素子側面
　４１　第１リード（第１制御リード）
　４１１　パッド部
　４１２　基部
　４１３　基板接続部
　４２　第２リード（第１ソースリード）
　４２１　パッド部
　４２２　基部
　４２３　基板接続部
　４３　第３リード（第１駆動リード）
　４３１　接続部
　４３２　基部
　４３３　基板接続部
　４４　第４リード（出力リード）
　４４１　接続部
　４４２　基部
　４４３　基板接続部
　４５　第５リード（第２駆動リード）
　４５１　パッド部
　４５２　基部
　４５３　基板接続部
　４６　第６リード（第２ソースリード）
　４６１　パッド部
　４６２　基部
　４６３　基板接続部
　４７　第７リード（第２制御リード）
　４７１　パッド部
　４７２　基部
　４７３　基板接続部
　４４ａ　第４リード（第２駆動リード）
　４４４　パッド部
　４５ａ　第５リード（出力リード）
　４５４　接続部
　５０ａ，５０ｂ，５０ｃ　第２スイッチング素子
　５１　ワイヤ（第１接続部材）
　５２　ワイヤ（第２接続部材）
　５３　第１クリップ（第１接続部材）
　５４，５４ａ　第２クリップ（第２接続部材）
　５０１　素子主面
　５０２　素子裏面
　５０３　素子側面
　５１　第２主面電極
　５１１　主ソース電極
　５１２　制御用ソース電極
　５１３　制御用ソース電極
　５４１　リード接続部
　５４２　電極接続部
　５４３　連結部
　６１　ワイヤ（第１ワイヤ）
　６２　ワイヤ（第３ワイヤ）
　６３　ワイヤ（第２ワイヤ）
　６４　ワイヤ（第４ワイヤ）
　６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄ　第１接続部材
　６１１　ダイ接続部
　６１２　電極接続部
　６２ｂ，６２ｃ，６２ｄ　第２接続部材
　６２１　リード接続部
　６２２　電極接続部
　６２３　連結部
　７０　封止樹脂
　７０ａ　樹脂部分
　７０１　樹脂主面
　７０２　樹脂裏面
　７０３　第１樹脂側面
　７０４　第２樹脂側面
　７０５　第３樹脂側面
　７０６　第４樹脂側面
　７０７　凹部
　７１，７２　ワイヤ（第１ワイヤ）
　７３　ワイヤ（第３ワイヤ）
　７４，７５　ワイヤ（第２ワイヤ）
　７６　ワイヤ（第４ワイヤ）
　８１～８６　はんだ
　９０ａ，９０ｂ　半導体装置
　９００　封止樹脂
　９００ａ　樹脂部分
　９０１　樹脂主面
　９０２　樹脂裏面
　９０３～９０６　第１樹脂側面～第４樹脂側面
　９０７　凹部
　９１　スイッチング素子
　９１１　ゲート電極
　９１２　制御用ソース電極
　９１３　主ソース電極
　９１４　裏面電極（ドレイン電極）
　９２１～９２４　リード
　１０２０，１０２０ａ　第１リード群
　１０２１　第１駆動リード
　１２１１　接続部
　１２１２　基部
　１２１３　基板接続部
　１２１５　第３側面
　１０２２　第２駆動リード
　１２２１　パッド部
　１２２２　基部
　１２２３　基板接続部
　１０２３　出力リード
　１２３１　接続部
　１２３２　基部
　１２３３　基板接続部
　１０３０，１０３０ａ　第２リード群
　１０３１　第１制御リード
　１３１１　パッド部
　１３１２　基部
　１３１３　基板接続部
　１０３２　第１ソースリード
　１３２１　パッド部
　１３２２　基部
　１３２３　基板接続部
　１０３３　第２ソースリード
　１３３１　パッド部
　１３３２　基部
　１３３３　基板接続部
　１０３４　第２制御リード
　１３４１　パッド部
　１３４２　基部
　１３４３　基板接続部
　１０３５　出力リード
　１３５１　接続部
　１３５１ａ　ダイ接続部
　１３５１ｂ　パッド部
　１３５２　基部
　１３５３　基板接続部
　１０４１　第１主面電極
　１０４２　第１制御電極
　１０４３　第１裏面電極
　１４１１　主ソース電極
　１４１２　制御用ソース電極
　１４１３　制御用ソース電極
　１０５２　第２制御電極
　１０５３　第２裏面電極
　１０６１　第１接続部材
　１０６２　第２接続部材
　ＯＰ　外部配線
　Ｌ１２　距離
　Ｌｘ１，Ｌｘ２　距離
　Ｘ　横方向（第１方向）
　Ｙ　縦方向（第２方向）
　Ｚ　厚さ方向

Claims (26)

  1. 　第１主面を有する第１ダイパッドと、
    　前記第１主面と平行な第１方向に前記第１ダイパッドから離れて配置され、前記第１主面と同じ方向を向く第２主面を有する第２ダイパッドと、
    　前記第１主面に実装され、前記第１主面と同じ方向を向く第１素子主面と、前記第１素子主面と反対側を向く第１素子裏面と、前記第１素子主面に設けられた第１主面電極及び第１制御電極と、前記第１素子裏面に設けられた第１裏面電極とを有し、前記第１裏面電極が前記第１主面に接続された第１スイッチング素子と、
    　前記第２主面に実装され、前記第２主面と同じ方向を向く第２素子主面と、前記第２素子主面と反対側を向く第２素子裏面と、前記第２素子主面に設けられた第２主面電極及び第２制御電極と、前記第２素子裏面に設けられた第２裏面電極とを有し、前記第２裏面電極が前記第２主面に接続された第２スイッチング素子と、
    　前記第１スイッチング素子の前記第１主面電極と前記第２ダイパッドとを接続する第１接続部材と、
    　前記第１主面及び前記第２主面と平行な方向を向く複数の樹脂側面を有し、前記第１スイッチング素子、前記第２スイッチング素子、前記第１ダイパッド、及び前記第２ダイパッド、及び前記第１接続部材を封止する封止樹脂と、
    　前記第１方向に配列され、前記封止樹脂の複数の前記樹脂側面のうちの前記第１方向と交差する第２方向を向く１つの前記樹脂側面から突出し、前記第２方向に延びる複数のリードと、
    　を備えた半導体装置。
  2. 　前記第１接続部材は、導電性を有する板状部材、又は導電性を有する複数のワイヤである、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記第１スイッチング素子は、前記第２方向から視て前記第１ダイパッドの中央から前記第２ダイパッドに寄せて配置されている、請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
  4. 　前記第１主面と直交する方向から視て、前記第１ダイパッドの前記第２ダイパッド寄りの辺から前記第１スイッチング素子の前記第２ダイパッド寄りの辺までの第１距離は、前記第１ダイパッドの厚さ以上である、請求項３に記載の半導体装置。
  5. 　前記第２スイッチング素子は、前記第２方向から視て前記第２ダイパッドの中央から前記第１ダイパッドに寄せて配置されている、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置。
  6. 　前記第２主面と直交する方向から視て、前記第２ダイパッドの前記第１ダイパッド寄りの辺から前記第２スイッチング素子の前記第１ダイパッド寄りの辺までの第２距離は、前記第２ダイパッドの厚さ以上である、請求項５に記載の半導体装置。
  7. 　前記複数のリードは、
    　前記封止樹脂のうち前記第１ダイパッドが配置された側の端部に配置され、前記第１スイッチング素子の前記第１制御電極に接続された第１制御リードと、
    　前記封止樹脂のうち前記第２ダイパッドが配置された側の端部に配置され、前記第２スイッチング素子の前記第２制御電極に接続された第２制御リードと、
    　前記第１スイッチング素子の前記第１裏面電極に接続された第１駆動リードと、
    　前記第２スイッチング素子の前記第２主面電極に接続された第２駆動リードと、
    　前記第２ダイパッドに接続された出力リードと、
    　を含み、
    　前記第１駆動リードと前記第２駆動リードと前記出力リードは、前記第１制御リードと前記第２制御リードとの間に配置されている、
    　請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の半導体装置。
  8. 　前記出力リードは、前記第１駆動リードと前記第２駆動リードとの間に配置されている、請求項７に記載の半導体装置。
  9. 　前記第２駆動リードは、前記第１駆動リードと前記出力リードとの間に配置されている、請求項７に記載の半導体装置。
  10. 　前記複数のリードは、
    　前記第１制御リードより前記第２ダイパッド寄りに配置され、前記第１スイッチング素子の前記第１主面電極に接続された第１ソースリードと、
    　前記第２制御リードより前記第１ダイパッド寄りに配置され、前記第２スイッチング素子の前記第２主面電極に接続された第２ソースリードと、
    　を含む、請求項７から請求項９のいずれか一項に記載の半導体装置。
  11. 　前記第１駆動リード、前記第２駆動リード、及び前記出力リードの厚さは、前記第１ダイパッド及び前記第２ダイパッドの厚さと等しい、請求項７から請求項１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
  12. 　前記第２スイッチング素子の前記第２主面電極と前記第２駆動リードとを接続する第２接続部材を備えた、
    　請求項７から請求項１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
  13. 　第１主面を有する第１ダイパッドと、
    　前記第１主面と平行な第１方向に前記第１ダイパッドから離れて配置され、前記第１主面と同じ方向を向く第２主面を有する第２ダイパッドと、
    　前記第１主面に実装され、前記第１主面と同じ方向を向く第１素子主面と、前記第１素子主面と反対側を向く第１素子裏面と、前記第１素子主面に設けられた第１主面電極及び第１制御電極と、前記第１素子裏面に設けられた第１裏面電極とを有し、前記第１裏面電極が前記第１主面に接続された第１スイッチング素子と、
    　前記第２主面に実装され、前記第２主面と同じ方向を向く第２素子主面と、前記第２素子主面と反対側を向く第２素子裏面と、前記第２素子主面に設けられた第２主面電極及び第２制御電極と、前記第２素子裏面に設けられた第２裏面電極とを有し、前記第２裏面電極が前記第２主面に接続された第２スイッチング素子と、
    　前記第１スイッチング素子の前記第１主面電極に接続された第１接続部材と、
    　前記第１主面及び前記第２主面と平行な方向を向く複数の樹脂側面を有し、前記第１スイッチング素子、前記第２スイッチング素子、前記第１ダイパッド、及び前記第２ダイパッド、及び前記第１接続部材を封止する封止樹脂と、
    　複数の前記樹脂側面のうち前記第１方向と交差する第２方向を向く第１樹脂側面から突出する複数のリードを含む第１リード群と、
    　前記第１樹脂側面と反対方向を向く第２樹脂側面から突出する複数のリードを含む第２リード群と、
    　を備え、
    　前記第１スイッチング素子の前記第１主面電極は、前記第１接続部材を介して前記第２ダイパッドと電気的に接続されている、半導体装置。
  14. 　前記第１リード群を構成する複数のリードは、
    　前記第１スイッチング素子の前記第１裏面電極に接続された第１駆動リードと、
    　前記第２スイッチング素子の前記第２主面電極に接続された第２駆動リードと、
    　前記第２ダイパッドに接続された出力リードと、
    　を含み、
    　前記第２リード群を構成する複数のリードは、
    　前記第１スイッチング素子の前記第１制御電極に接続された第１制御リードと、
    　前記第２スイッチング素子の前記第２制御電極に接続された第２制御リードと、
    　を含む、請求項１３に記載の半導体装置。
  15. 　前記第１リード群を構成する複数のリードは、
    　前記第１スイッチング素子の前記第１裏面電極に接続された第１駆動リードと、
    　前記第２スイッチング素子の前記第２主面電極に接続された第２駆動リードと、
    　を含み、
    　前記第２リード群を構成する複数のリードは、
    　前記第１スイッチング素子の前記第１制御電極に接続された第１制御リードと、
    　前記第２スイッチング素子の前記第２制御電極に接続された第２制御リードと、
    　前記第２ダイパッドに接続された出力リードと、
    　を含み、
    　前記第１スイッチング素子の前記第１主面電極は、前記第１接続部材と前記出力リードとを介して前記第２ダイパッドに接続されている、請求項１３に記載の半導体装置。
  16. 　前記第１駆動リードと前記第２駆動リードは、隣り合うように配置されている、請求項１４又は請求項１５に記載の半導体装置。
  17. 　前記第２リード群は、
    　前記第１制御リードよりも前記封止樹脂の中央側に配置され、前記第１スイッチング素子の前記第１主面電極に接続された第１ソースリードと、
    　前記第２制御リードよりも前記封止樹脂の中央側に配置され、前記第２スイッチング素子の前記第２主面電極に接続された第２ソースリードと、
    　を含む、請求項１４から請求項１６のいずれか一項に記載の半導体装置。
  18. 　前記第２スイッチング素子の前記第２主面電極と前記第２駆動リードとを接続する第２接続部材を備えた、
    　請求項１４から請求項１７のいずれか一項に記載の半導体装置。
  19. 　前記第１ダイパッドには複数の前記第１スイッチング素子が実装され、
    　前記第２ダイパッドには複数の前記第２スイッチング素子が実装されている、
    　請求項１３から請求項１８のいずれか一項に記載の半導体装置。
  20. 　複数の前記第１スイッチング素子と複数の前記第２スイッチング素子は、前記第２方向に配列されている、請求項１９に記載の半導体装置。
  21. 　複数の前記第１スイッチング素子の前記第１主面電極は、それぞれ前記第１接続部材により前記第２ダイパッドに接続されている、請求項１９又は請求項２０に記載の半導体装置。
  22. 　前記第１スイッチング素子は、前記第２方向から視て前記第１ダイパッドの中央から前記第２ダイパッドに寄せて配置されている、請求項１３から請求項２１のいずれか一項に記載の半導体装置。
  23. 　前記第１主面と直交する方向から視て、前記第１ダイパッドの前記第２ダイパッド寄りの辺から前記第１スイッチング素子の前記第２ダイパッド寄りの辺までの第１距離は、前記第１ダイパッドの厚さ以上である、請求項２２に記載の半導体装置。
  24. 　前記第２スイッチング素子は、前記第２方向から視て前記第２ダイパッドの中央から前記第１ダイパッドに寄せて配置されている、請求項１３から請求項２３のいずれか一項に記載の半導体装置。
  25. 　前記第２主面と直交する方向から視て、前記第２ダイパッドの前記第１ダイパッド寄りの辺から前記第２スイッチング素子の前記第１ダイパッド寄りの辺までの第２距離は、前記第２ダイパッドの厚さ以上である、請求項２４に記載の半導体装置。
  26. 　複数の前記第１スイッチング素子は、前記第１方向に配列され、前記第２樹脂側面寄りに配置され、
    　複数の前記第２スイッチング素子は、前記第１方向に配列され、前記第１樹脂側面寄りに配置されている、
    　請求項１９に記載の半導体装置。
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