JP4196001B2 - 半導体パワーモジュール - Google Patents
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Description
図1は本発明の一実施例における半導体パワーモジュール1の平面図である。図1に示すように、金属ベースプリント基板2の一主面に銅材から成る回路パターンが配設され、その上に回路部品を実装した構成となっている。なお図中では主要な部品と回路パターンのみ記入しており、回路パターンも詳細な説明が不要の箇所は途中で省略されている。
+0.224×(w+t)/l) (nH) (式1)
また金属細線(長さl、直径φ)に寄生する自己インダクタンスL’は設計上では次式で計算できる。
上記構成によるインダクタンス低減の効果は実験によって検証する必要がある。金属細線においては、長さ12mm、直径350μmのアルミ線を使用した場合、6本並列接続では寄生インダクタンスは2.6nHであるのに対し、10本並列接続にすることにより1.4nHに低減することができた。また、従来の構成では数十nH以上の寄生インダクタンスが存在するが、図1および図5の構成によりパワー用リード端子10〜11間の寄生インダクタンスの合計値を4.0nHに低減できた。
本発明の第2の実施例における半導体パワーモジュールは第1の実施例における半導体パワーモジュールにおいて、パワー用リード端子構造を変更したものである。
本発明の第3の実施例における半導体パワーモジュールは第1の実施例における半導体パワーモジュールにおいて、パワー用リード端子構造を変更したものである。図7(a)はパワー用リード端子の第3の構造を示す平面図であって、図6の第2の実施例と比較してパワー用リード端子ユニット27が千鳥状に、すなわちジグザグ状配列になっている。図7(b)は図7(a)中の一点鎖線B−B’に沿った側面図である。端子間の縦方向の距離dは5mmであり、横方向の端子間ピッチ、端子厚、端子幅は図6(a)のパワー用リード端子ユニット25と同様である。以上の端子構造により、図6(a)に示すパワー用リード端子ユニット25よりも略倍の端子を並列接続することが可能となり、パワー用リード端子に寄生するインダクタンスを更に低減することができる。
本発明の第4の実施例における半導体パワーモジュールは第1の実施例における半導体パワーモジュールにおいて、パワー用リード端子構造を変更したものである。図8はパワー用リード端子の第4の構造を示す構造図であり、第1〜第3の実施例におけるパワー用リード端子ユニットの構造を示す図5、図6、図7に示す複数のリード端子が並列接続されて構成されたパワー用リード端子ユニットとは構造が異なり、幅広の板状で形成されている。この板状パワー用リード端子28の内部に電流経路を細分化する方向に複数のスリットまたは溝を設ける構成によりパワー用リード端子の電流経路の細分化が可能となり、端子に寄生するインダクタンスを低減する。また、端子が板状に形成されているため、端子強度が強く、モジュールを外部基板に実装する際の位置決めを容易にできる。
図9(a)は本発明の第5の実施例における半導体パワーモジュール30の構造を示す平面図であり、図9(b)は一点鎖線C−C’に沿った断面透過図である。図中で図1に対応する同一部品には同じ符号を記している。図9(a)、(b)において、金属ベースプリント基板2上に配置された回路パターンおよび半導体素子配置は第1の実施例と同様である。第1の実施例において、金属ベースプリント基板2上の回路部品および外部端子は封止樹脂20によって封止されていたが、第5の実施例では回路部品が実装された金属ベースプリント基板2に、当該金属ベースプリント基板2に対して封止空間を形成するインサートケース31が取り付けられた構成である。
2 金属ベースプリント基板
3 ドライバIC
4a、4b パワー半導体
5a、5b パワー半導体
6 制御用リード端子(ドライバIC接地用端子(GND))
7 制御用リード端子(ローサイド側制御入力端子(LIN))
8 制御用リード端子(ハイサイド側制御入力端子(HIN))
9 制御用リード端子(ドライバIC電源端子(VCC))
10 パワー用リード端子(ドレイン端子(D1))
11 パワー用リード端子(ソース端子(S1))
12 パワー用リード端子(ドレイン端子(D2))
13 パワー用リード端子(ソース端子(S2))
14、15、16、17 回路パターン(銅材)
18a、18b、18c、18d 金属細線
19 絶縁層
20 封止樹脂
21 制御信号端子
22 制御信号端子
23、25、26、27、28 パワー用リード端子ユニット
24 リード端子支持部
30 半導体パワーモジュール
31 インサートケース
32 周壁
101 絶縁金属基板
102 金属板
103 絶縁層
104 銅箔パターン(回路パターン)
105 パワー用リード端子
106 制御用リード端子
107 収納ケース
120 パワー半導体素子
121 制御半導体素子
122、123、124 接続線
Claims (10)
- 金属基板の一主面に配設された電気的絶縁層の上に導電性の回路パターンを形成した金属ベースプリント基板と、
前記回路パターン上に固着された少なくとも1つ以上のパワー半導体と、
前記パワー半導体を駆動するためのドライバICを有し、
前記パワー半導体素子の上部電極と前記回路パターンとを金属細線によって電気的に接続する半導体パワーモジュールであって、
前記半導体パワーモジュールと外部とを電気的接続するための同電位の金属リード端子群のうち少なくとも1つは、リード端子支持部を介して前記金属ベースプリント基板側に接続される内部リード端子と、外部に接続される外部リード端子を有する構造であり、
前記内部リード端子の端子間ピッチは前記外部リード端子の端子間ピッチよりも小さく、前記内部リード端子の端子数は前記外部リード端子の端子数よりも多く、
前記金属リード端子群における外部と接続する部分の端子間ピッチは同一であることを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 前記パワー半導体と外部とを電気的に接続するためのパワー用リード端子が設置された回路パターンを有し、
前記パワー半導体が固着された回路パターン、前記パワー半導体の上部電極と金属配線を介して接続された回路パターンおよび、前記パワー用リード端子が設置された回路パターンにおいて、それぞれの回路パターンに電流経路を細分化するスリットまたは溝を形成したことを特徴とする請求項1記載の半導体パワーモジュール。 - 前記同電位の金属リード端子群は、前記金属ベース基板側と接続する少なくとも3本以上
の金属リード端子数と、外部と接続する少なくとも2本以上の金属リード端子で構成され、
前記金属端子の中央部にリード端子ピッチを変更する1本以上のリード端子支持部を有す
ることを特徴とする請求項1または2記載の半導体パワーモジュール。 - 前記金属ベースプリント基板上には、前記金属リード端子群が複数箇所に取り付けられた
ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体パワーモジュール。 - 金属基板の一主面に配設された電気的絶縁層の上に導電性の回路パターンを形成した金属ベースプリント基板と、
前記回路パターン上に固着された少なくとも1つ以上のパワー半導体と、
前記パワー半導体を駆動するためのドライバICを有し、
前記パワー半導体素子の上部電極と前記回路パターンとを金属細線によって電気的に接続する半導体パワーモジュールであって、
前記パワー半導体の主電極を外部と接続するためのパワー用リード端子は、ドライバICの電極を外部と接続するための制御用リード端子よりも端子間ピッチが狭く、かつ電流経路を細分化する複数の同電位の金属リード端子が並列接続されてなることを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 前記パワー用リード端子は、各リード端子が離間して2段以上に配列され、かつ前記リード端子の延びる方向から見たとき、千鳥格子状に配列されていることを特徴とする請求項5記載の半導体パワーモジュール。
- 前記パワー用リード端子は板状に形成され、電流経路を細分化するスリットまたは溝が設けられたことを特徴とする請求項5記載の半導体パワーモジュール。
- 前記パワー用リード端子における内部リード端子のうち、少なくとも1本以上の内部リード端子は、他に比べてリード長が長いことを特徴とする請求項5記載の半導体パワーモジュール。
- 前記金属ベースプリント基板、前記パワー半導体および、前記ドライバICを内部に収納するために前記金属リード端子と一体成形されたインナーケースと、
前記インナーケース内に充填され、前記パワー半導体およびドライバICを封止する封止樹脂を備えたことを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載の半導体パワーモジュール。 - 前記複数のパワー半導体でハーフブリッジ回路を形成し、さらに大電流パルスを出力する出力端子を備えたことを特徴とする請求項1ないし9のいずれかに記載の半導体パワーモジュール。
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