JP4552810B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、外部と電気的に接続するためのリードによって、Ｈブリッジ状に接続された複数の半導体素子の放熱を行うようにした半導体装置に関する。

本出願人は、先に出願した特願２００４−２９１３９８号において、図１０に示されるような半導体装置２００を提案している。この半導体装置２００は、パワーウィンドウの駆動モータを駆動するＨＩＣ（混成集積回路）に適用されるものである。

図１０（ａ）は半導体装置２００の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１０（ａ）に示されるように、先願の半導体装置２００は、第１、第２電子素子２１０、２２０と、ヒートシンク２３０と、第１、第２配線基板２４０、２５０と、リード２６１、２６２と、を備えて構成されている。

第１電子素子２１０は、制御素子としてのマイコン２１１および制御ＩＣ２１２を備えている。また、第２電子素子２２０は、第１電子素子２１０よりも大きい電流が流れ、かつ、大きい発熱を行うものであり、例えばパワー素子としての４個のパワーＭＯＳ素子２２１〜２２４を備えている。このパワーＭＯＳ素子２２１〜２２４は、上記制御素子によって制御されるものであるとともに駆動モータを駆動する駆動素子として構成されている。

この半導体装置２００は、矩形板状のヒートシンク２３０を備えている。このヒートシンク２３０は、全体が鉄系金属で構成され、例えば純鉄（Ｆｅ）が用いられる。そして、ヒートシンク２３０の上面には、それぞれ分離された第１配線基板２４０、第２配線基板２５０が搭載されている。これら第１、第２配線基板２４０、２５０として、例えば積層構造のセラミック基板が用いられ、例えば、電気絶縁性を有しかつ熱伝導性に優れた樹脂などからなる接着剤によってヒートシンク２３０の上面に固定されている。これら第１、第２配線基板２４０、２５０は、それぞれ熱的にも分離されている。

そして、第１電子素子２１０としての制御素子は、第１配線基板２４０の上に実装され、第２電子素子２２０としてのパワーＭＯＳ素子２２１〜２２４は、第１配線基板２４０とは分離された第２配線基板２５０の上に実装されている。これら第１、第２電子素子２１０、２２０は、例えばはんだを介して第１、第２配線基板２４０、２５０にそれぞれ固定されている。

また、図１０（ａ）に示されるように、ヒートシンク２３０の外周において制御素子の周囲には、複数本の信号端子としてのリード２６１が設けられており、パワーＭＯＳ素子２２１〜２２４の周囲には、複数本の電流端子としてのリード２６２が設けられている。リード２６１は、制御端子であるマイコン２１１や制御ＩＣ２１２と電気的に接続されるものであり、リード２６２は、パワー素子である各パワーＭＯＳ素子２２１〜２２４と電気的に接続されるものである。

これらリード２６１、２６２と第１、第２電子素子２１０、２２０とは、図１０（ｂ）に示されるように、ボンディングワイヤ２７０により結線され、電気的に接続されている。なお、図１０（ａ）では、このボンディングワイヤ２７０を省略してある。

そして、第１、第２電子素子２１０、２２０、第１、第２配線基板２４０、２５０、ボンディングワイヤ２７０、リード２６１、２６２におけるボンディングワイヤ２７０との接続部、および、ヒートシンク２３０は、樹脂２８０によってモールドされている。

このような構成を有する半導体装置２００において、第１電子素子２１０よりも大きな熱を放出する第２電子素子２２０の熱は、セラミック基板である第１、第２配線基板２４０、２５０およびヒートシンク２３０を介して例えばモータの筐体に放熱されるようになっている。

しかしながら、上記のように第１、第２配線基板２４０、２５０およびヒートシンク２３０を介して放熱する場合、以下のような問題が生じることが本発明者らの検討により明らかとなった。

すなわち、上述のように、第２配線基板２５０はセラミック材料で形成されたセラミック基板で構成され、ヒートシンク２３０は金属で構成されている。このため、セラミック基板としての第２配線基板２５０の熱伝導が金属（Ｆｅ）で構成されるヒートシンク２３０より劣ってしまい、第２電子素子２２０で発生した熱の熱エネルギーは第２配線基板２５０からヒートシンク２３０にスムーズに移動しなくなっている。

また、ヒートシンク２３０と第２配線基板２５０とは材質が異なるものであるため、接着剤を用いて第２配線基板２５０をヒートシンク２３０に固定している。このため、この接着剤による接合部分の熱抵抗が上昇してしまい、第２配線基板２５０からヒートシンク２３０に熱が効率的に伝わらず、放熱性が低下してしまっている。

さらに、放熱のためにヒートシンク２３０を用いているため、半導体装置２００のサイズが大きくなってしまっている。

本発明は、上記点に鑑み、パワー素子を備えた半導体装置において、パワー素子の放熱性を向上させることを第１の目的とし、半導体装置のサイズを小型化することを第２の目的とする。

上記目的を達成するため、本発明では、各半導体素子（１１〜１４）の各第１、第２電極それぞれに金属リード（２１〜２４、３１〜３４、４１〜４４、１０１〜１０５、１１１、１１２、１２１〜１２３、１３１〜１３４）がそれぞれ直接接合されていることを特徴とする。

このように、各半導体素子の上下の面に設けられた各第１、第２電極に、ヒートシンクとしての役割を果たす金属リードを直接接合する。これにより、半導体素子と金属リードとの接合部分の熱抵抗を低減でき、半導体素子と金属リードとの間で熱エネルギーをスムーズに移動させることができる。したがって、半導体素子の上下の各面から金属リードを介して半導体素子で発生した熱を樹脂外部に導くことができ、半導体素子の放熱性を向上させることができる。

また、半導体装置においてヒートシンクを用いずに半導体素子で発生する熱を外部に放出することができ、かつ、各半導体素子を積層状に配置させているので、半導体装置のサイズを小型化することができる。

本発明では、各半導体素子（１１〜１４）と基板（８１）に設けられた電気回路とはワイヤ（５１〜５４、７１〜７４）および中継リード（６１〜６４）を介して電気的に接続されていることを特徴とする。

このように、各半導体素子と電気回路とをワイヤおよび中継リードを介して電気的に接続する形態とする。これにより、電子素子にて各半導体素子を駆動制御することができる。

本発明では、各半導体素子は、ＭＯＳ構造のパワー素子として形成されたものであることを特徴とする。

このように、半導体素子としてＭＯＳ構造のパワー素子を採用する。このような発熱量の大きい素子を半導体装置に採用したとしても、上記のように、各金属リードによって各半導体素子で発生する熱を放熱することができる。

本発明では、各半導体素子の各第１電極にリボンリード（２１〜２４）のうちの一部がそれぞれ直接接合され、リボンリードのうち各半導体素子の各第１電極に接合されていない部分の一部が板状リード（３１〜３４、１１１、１１２、１２３）に接合されている。また、リボンリードが接合された板状リードとは別の板状リード（４１〜４４、１２１、１２２）が各半導体素子の各第２電極にそれぞれ直接接合されていることを特徴とする。

このように、金属リードを板状リード、リボンリードとして用意し、半導体素子の第１、第２電極にそれぞれ接合する。これにより、半導体素子で発生した熱を、半導体素子にそれぞれ直接接合された板状リードおよびリボンリードを介して放熱することができる。

本発明では、リボンリード（２１、２３）を介して第１および第３半導体素子（１１、１３）の各第１電極にそれぞれ各板状リード（３１、３３）が接続され、これら板状リードが互いに張り合わされる。また、第１〜第４半導体素子の各第２電極にそれぞれ接合された各板状リード（４１〜４４）のうち、第１および第２半導体素子（１１、１２）が接合された板状リード（４１、４２）が互いに張り合わされ、第３および第４半導体素子（１３、１４）が接合された板状リード（４３、４４）が互いに張り合わされる。そして、リボンリード（２２、２４）を介して第２および第４半導体素子（１２、１４）の各第１電極に各板状リード（３２、３４）がそれぞれ接続されていることを特徴とする。

このようにして、各半導体素子それぞれにリボンリードや板状リードを接合する。これにより、各半導体素子で発生する熱をリボンリードおよび板状リードを介して放熱することができる。

本発明では、第１および第２半導体素子（１１、１２）の組と、前記第３および第４半導体素子（１３、１４）の組と、が横並びで配置された状態で、リボンリード（２１、２３）を介して第１および第３半導体素子（１１、１３）の各第１電極にそれぞれ共通の板状リード（１１２）が接続されていると共に、リボンリード（２２、２４）を介して第２および第４半導体素子（１２、１４）の各第１電極にそれぞれ共通の板状リード（１１１）が接続されていることを特徴とする。

このように、各半導体素子に接続する板状リードの共通化を図る。これにより、使用する板状リードの数を削減することができ、各半導体素子に対する板状リードの組み付けを容易に行うことができる。

本発明では、第１および第３半導体素子に接続される板状リード（１１２）と、第２および第４半導体素子に接続される板状リード（１１１）とは、それぞれＴ字形状になっていることを特徴とする。

このように、各板状リード（１１１、１１２）がそれぞれＴ字形状になっている。これにより、横並びにされた各半導体素子（例えば第１半導体素子（１１）と第３半導体素子（１３））にＴ字形状の板状リードを容易に接続でき、各半導体素子に共通の端子として用いることができる。

本発明では、リボンリード（２２）を介して第２半導体素子（１２）の第１電極に板状リード（３２、１０３）が接続され、第２半導体素子の第２電極に板状リード（１０２、１２１）が直接接合され、この板状リードの裏面に第１半導体素子（１１）の第２電極が直接接合されている。また、第１半導体素子の第１電極にリボンリード（２１）を介して板状リード（１０１、１２３）が接続され、この板状リードの裏面にリボンリード（２３）を介して第３半導体素子（１３）の第１電極が接続されている。さらに、第３半導体素子の第２電極に板状リード（１０４、１２２）が直接接合され、この板状リードの裏面に第４半導体素子（１４）の第２電極が直接接合される。そして、第４半導体素子の第１電極にリボンリード（２４）を介して板状リード（３４、１０５）が接続されていることを特徴とする。

このように、半導体装置を構成する。これにより、第１、第２負荷接続用端子としての板状リード（１０２、１０４、１２１、１２２）および電源端子としての板状リード（１０１、１２３）を共通化することができ、半導体装置の構成を簡略化することができる。

本発明では、金属リードは、金属板の一端側が薄肉化されたリボンリード部（１３１ａ〜１３４ａ）が半導体素子の第１電極に直接接合されると共に、板状リード（４１〜４４）の一端側が第２電極に直接接合されていることを特徴とする。

このように、金属リードを板状リード、加工リードとして用意し、半導体素子の第１、第２電極にそれぞれ接合する。これにより、半導体素子で発生した熱を、半導体素子にそれぞれ直接接合された板状リードおよび加工リードを介して放熱することができる。

本発明では、第１および第３半導体素子（１１、１３）の各第１電極にリボンリード部（１３３ａ、１３４ａ）がそれぞれ直接接合された各加工リード（１３３、１３４）が互いに張り合わされると共に、第１、第２半導体素子（１１、１２）の各第２電極にそれぞれ直接接合された各板状リード（４１、４２）、および第３、第４半導体素子（１３、１４）の各第２電極にそれぞれ直接接合された各板状リード（４３、４４）が互いに張り合わされる。また、第２および第４半導体素子（１２、１４）の各第１電極に各加工リード（１３１、１３２）のリボンリード部（１３１ａ、１３２ａ）がそれぞれ直接接合されていることを特徴とする。

このように、各半導体素子それぞれに各加工リードのリボンリード部や板状リードを直接接合する。これにより、各半導体素子で発生する熱をリボンリード部および板状リードを介して放熱することができる。

本発明では、互いに張り合わされる板状リード（３１、３３、４１〜４４）もしくは加工リード（１３３、１３４）において、互いに張り合わされる面のうち一方に凹部が設けられ、他方に前記凹部と対応する凸部が設けられている。そして、板状リードもしくは加工リードが張り合わされたとき、一方の板状リードもしくは加工リードに設けられた凹部に他方の板状リードもしくは加工リードに設けられた凸部が嵌合することを特徴とする。

このように、互いに張り合わされる板状リードもしくは加工リードの表面に凹凸形状を設けて嵌合する。これにより、各板状リードもしくは加工リードを張り合わせたときに互いの板状リードもしくは加工リードを密着させやすくすることができる。

本発明では、板状リード（３１〜３４、４１〜４４、１０１〜１０５、１１１、１１２、１２１〜１２３）もしくは加工リード（１３１〜１３４）は、樹脂から露出した部分が同一平面上にそれぞれ配置されるように、樹脂内で曲げ加工が施されていることを特徴とする。

このように、樹脂から露出する部分が同一平面上に配置されるように板状リードもしくは加工リードにそれぞれ曲げ加工を施す。これにより、半導体装置を外部回路に接続しやすい形態とすることができる。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態で示される半導体装置は、パワーウィンドウの駆動モータを駆動するＨＩＣに適用される。

図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。この図に示されるように、半導体装置１は、第１〜第４半導体素子１１〜１４を備えている。これら各半導体素子１１〜１４は、矩形板状をなすものであり、例えばシリコン半導体などの半導体基板に発熱量が大きいＭＯＳ構造を有するパワー素子が形成されている。

具体的に、各半導体素子１１〜１４のうち第１、第３半導体素子１１、１３にはＰｃｈ（Ｐチャンネル）型ＤＭＯＳ素子が形成され、第２、第４半導体素子１２、１４にはＮｃｈ（Ｎチャンネル）型ＤＭＯＳ素子が形成されている。これら各半導体素子１１〜１４は、Ｈブリッジ回路を構成するように電気的接続がなされている。

なお、Ｐｃｈ型ＤＭＯＳ素子はゲート電圧がソース電圧よりも低いときに電流が流れるタイプのものであり、Ｎｃｈ型ＤＭＯＳ素子はゲート電圧がソース電圧よりも高いときに電流が流れるタイプのものである。

これら各半導体素子１１〜１４に設けられた図示しないソースパッド（本発明の第１電極）には、例えばはんだ付けによってそれぞれリボンリード２１〜２４が接合されている。このリボンリード２１〜２４は例えばＡｌ（アルミニウム）などの熱伝導性の良い金属板で構成されており、例えば厚さが０．１ｍｍ程度もしくはそれ以下のものが用いられる。

そして、各リボンリード２１〜２４のうちの一部が各半導体素子１１〜１４の各ソースパッドにはんだ付けによって接合され、リボンリード２１〜２４のうち各ソースパッドに接合されていない部分の一部がそれぞれリード３１〜３４に接合されている。これらリード３１〜３４は、例えばＣｕ（銅）などの熱伝導性の良い金属板で構成されており、例えば厚さが０．３〜１．０ｍｍのものが用いられる。

また、各半導体素子１１〜１４のうちソースパッドが設けられた面とは反対側の面に図示しないドレインパッド（本発明の第２電極）がそれぞれ設けられており、これらドレインパッドにそれぞれリード４１〜４４が接合されている。

上記第１、第２半導体素子１１、１２の各ドレインパッドにそれぞれ接続されたリード４１、４２のうち各半導体素子１１、１２が接合された面とは反対側の面がそれぞれ張り合わされて密着した状態になっている。具体的には、各リード４１、４２において互いに張り合わされる面のうち一方に凹部が設けられ、他方に前記凹部と対応する凸部が設けられており、これらリード４１、４２が張り合わされたとき、一方に設けられた凹部に他方に設けられた凸部が嵌合するようになっている。このように、互いに張り合わせるリード４１、４２の表面それぞれに凹凸形状を設けることで、各リード４１、４２を張り合わせたときに互いのリード４１、４２を密着させやすくすることができる。

同様に、リボンリード２１、２３を介して第１、第３半導体素子１１、１３のソースパッドにそれぞれ電気的に接続されたリード３１、３３のうち、リボンリード２１、２３が接合された面とは反対側の面がそれぞれ張り合わされた状態になっている。さらに、第３、第４半導体素子１３、１４の各ドレインパッドにそれぞれ接続されたリード４３、４４のうち各半導体素子１３、１４が接合された面とは反対側の面がそれぞれ張り合わされて密着した状態になっている。このようにして張り合わされた各リード３１、３３４３、４４には、上述のように凹凸が設けられ、張り合わされた各リード３１、３３、４３、４４同士がそれぞれ密着しやすくなっている。

本実施形態では、リボンリード２２、２４を介して第２、第４半導体素子１２、１４のソースパッドにそれぞれ電気的に接続されたリード３２、３４をそれぞれＧＮＤ（グランド）端子とする。また、第１、第２半導体素子１１、１２の各ドレインパッドにそれぞれ接合された各リード４１、４２をＭ１端子とし、第３、第４半導体素子１３、１４の各ドレインパッドにそれぞれ接合された各リード４３、４４をＭ２端子とする。そして、リボンリード２１、２３を介して第１、第３半導体素子１１、１３の各ドレインパッドにそれぞれ電気的に接続された各リード３１、３３をＶｄｄ端子とする。

上記のようにして各半導体素子１１〜１４に電気的に接続されたリボンリード２１〜２４およびリード３１〜３４、４１〜４４は、上述のように熱伝導性の良い、すなわち放熱性が高い金属板で構成されているため、各半導体素子１１〜１４で発生した熱を外部に放出するためのヒートシンクとしての役割も果たすようになっている。

したがって、各半導体素子１１〜１４の各ソースパッドに各リボンリード２１〜２４が接合されていると共に、各リボンリード２１〜２４が各リード３１〜３４に接合され、かつ、各半導体素子１１〜１４の各ドレインパッドに各リード４１〜４４が接合されていることで、各半導体素子１１〜１４で発生した熱を各ソースパッド面および各ドレインパッド面の両面から直接リボンリード２１〜２４およびリード３１〜３４、４１〜４４を介して外部に放熱できるようになっている。

また、各半導体素子１１〜１４において、それぞれソースパッドが設けられた面と同じ面に図示しないゲートパッドがそれぞれ設けられている。これら各半導体素子１１〜１４の各ゲートパッドにはそれぞれワイヤ５１〜５４が接合されており、これらワイヤ５１〜５４はそれぞれ中継リード６１〜６４に接続されている。さらに、各中継リード６１〜６４にはそれぞれワイヤ７１〜７４が接続され、各ワイヤ７１〜７４はそれぞれ積層基板８１に電気的に接続されている。

上記積層基板８１は、積層構造をなしており、その内部に電気回路を備えたものとして構成されているものである。この積層基板８１には、上記各半導体素子１１〜１４を駆動するための駆動用チップ８２が設置されている。この駆動用チップ８２は、ワイヤ８３、８４を介して積層基板８１内の電気回路に接続されている。なお、積層基板８１は図示しないフレームに搭載された状態になっている。

また、積層基板８１において、駆動用チップ８２が設置された面とは反対側の面に駆動用チップ８２を制御駆動するためのマイクロコンピュータチップ（以下、マイコンチップという）８５が設置されている。このマイコンチップ８５は、ワイヤ８６、８７を介して積層基板８１内の電気回路に接続されている。上記駆動用チップ８２およびマイコンチップ８５は例えばＡｇペーストにより積層基板８１に搭載されている。

さらに、積層基板８１内の電気回路は、ワイヤ８８を介してリード８９に電気的に接続されている。これにより、外部からの信号が、積層基板８１内の電気回路を介してマイコンチップ８５および駆動用チップ８２に入力されるようになっている。なお、リード８９は、紙面垂直方向に複数配置されている。

本実施形態では、ワイヤ５１〜５４、７１〜７４、８３、８４、８６〜８８として例えばＡｕワイヤが採用される。

そして、各リード３１〜３４、４１〜４４、８９の端部が露出するように積層基板８１や中継リード６１〜６４、そして各半導体素子１１〜１４が樹脂９０にてモールドされている。なお、図１において、樹脂９０の外壁部分は破線で示されており、この破線の内部に樹脂９０が充填されている。以上が、本実施形態に係る半導体装置１の構成である。

なお、本実施形態のリード３１〜３４、４１〜４４およびリボンリード２１〜２４は本発明の金属リードに相当し、さらにリード３１〜３４、４１〜４４は本発明の板状リードに相当する。また、駆動用チップ８２およびマイコンチップ８５は本発明の電子素子に相当する。さらに、Ｍ１、Ｍ２端子は本発明の第１、第２負荷接続用端子に相当し、Ｖｄｄ端子は本発明の電源端子、ＧＮＤ端子は本発明の接地用端子に相当する。

続いて、上記半導体装置１の製造方法について図を参照して説明する。図２は、図１に示される半導体装置１の製造工程を示した図である。

まず、中継リード６２とリード４２が外部ダイバーで繋がっている図示しないフレームを用意する。そして、図２（ａ）に示す工程では、リード４２に第２半導体素子１２をはんだ付けによって接合する。具体的には、リード４２の所定箇所にあらかじめくぼみを設け、このくぼみに第２半導体素子１２のドレインパッドをはんだ付けする。

なお、リード４２の表面にＮｉメッキ等を施しておくことで、第２半導体素子１２をリード４２にはんだ付けしやすくすることができる。また、リード４２として例えば厚さ０．３〜１．０ｍｍのＣｕの金属板を用いる。

この後、ボンディング装置で、第２半導体素子１２のゲートパッドと中継リード６２との間をワイヤ５２でワイヤボンドすると共に、第２半導体素子１２のソースパッド上にリボンリード２２をはんだ付けする。上述のように、リボンリード２２として例えば厚さが０．１ｍｍ以下のＡｌの金属板を用いる。

そして、図２（ａ）に示されるものを、第１〜第４半導体素子１１〜１４それぞれについて用意する。

図２（ｂ）に示す工程では、Ｍ１端子を構成する。すなわち、第１、第２半導体素子１１、１２にそれぞれ接合されたリード４１、４２を張り合わせる。具体的には、各リード４１、４２のうち第１、第２半導体素子１１、１２が接合された面とは反対側の面をそれぞれ張り合わせる。

この際、各リード４１、４２のうち第１、第２半導体素子１１、１２が接合された面とは反対側の面にあらかじめ凹凸を設けておくことで各リード４１、４２を密着させやすくすることができる。このようにして、Ｍ１端子を構成する。同様に、第３、第４半導体素子１３、１４においても各リード４３、４４をそれぞれ張り合わせてＭ２端子を構成する。

図２（ｃ）に示す工程では、ＧＮＤ端子およびＶｄｄ端子を構成する。具体的には、第１、第２半導体素子１１、１２が用いられて形成された図２（ｂ）に示されるものをスペーサ治具で固定し、例えば各リード４１、４２と各リード３１、３２との位置関係を決め、各リボンリード２１、２２にリード３１、３２をそれぞれはんだ付けまたは溶接で接合する。これにより、ＧＮＤ端子およびＶｄｄ端子を形成できる。

同様に、第３、第４半導体素子１３、１４が用いられて形成された図２（ｂ）に示されるものを用意し、各リボンリード２３、２４に各リード３３、３４を接合して図２（ｃ）に示されるものを形成する。

この後、図示しないが、リボンリード２１を介して第１半導体素子１１に電気的に接続されたＶｄｄ端子としてのリード３１と、リボンリード２３を介して第３半導体素子１３に電気的に接続されたＶｄｄ端子としてのリード３３と、をリボンリード２１、２３が接合された面とは反対側の面をそれぞれ張り合わせることにより、１つのＶｄｄ端子を構成する。以上のようにして、図１に示されるＨブリッジ回路部分が完成する。

そして、積層基板８１に駆動用チップ８２およびマイコンチップ８５を搭載してワイヤボンドしたものを用意し、Ｈブリッジ回路部分と積層基板８１との位置関係をボンディング装置の冶具で固定して決定する。この後、ボンディング装置で、各中継リード６１〜６４と積層基板８１内の電気回路との間を各ワイヤ７１〜７４でワイヤボンドする。こうして、Ｈブリッジ回路部分と積層基板８１とを中継リード６１〜６４およびワイヤ５１〜５４、７１〜７４を介して電気的に接続することができる。

次に、外部から信号を入力するためのリード８９と積層基板８１内の電気回路とをワイヤ８８でワイヤボンドし、リード３１〜３４、４１〜４４、８９の端部が露出するように積層基板８１、中継リード６１〜６４、そしてＨブリッジ回路部分を樹脂９０にてモールドする。こうして、図１に示される半導体装置１が完成する。

上記半導体装置１の構成において、第１〜第４半導体素子１１〜１４によって構成される回路について説明する。図３は、第１〜第４半導体素子１１〜１４にて構成されるＨブリッジ回路部分の回路図を示したものである。

図３に示されるように、各半導体素子１１〜１４は、Ｈブリッジ回路を構成している。また、本半導体装置１には、車の窓ガラスを駆動させるための上記モータＭＯや図示しない装置の電源が設けられている。

Ｈブリッジ回路において、Ｐｃｈ型の第１、第３半導体素子１１、１３の各ソースにそれぞれＶｄｄ電圧が入力される。また、第１、第２半導体素子１１、１２の各ドレインによって構成されるＭ１端子と、第３、第４半導体素子１３、１４の各ドレインによって構成されるＭ２端子と、の間に車の窓ガラスを開閉するためのモータＭＯが接続されている。そして、Ｎｃｈ型の第２、第４半導体素子１２、１４の各ソースにＧＮＤ電圧が入力される。

上記回路構成において、以下のようにしてモータＭＯを駆動することができる。まず、各半導体素子１１〜１４は、ゲートに電流が入力されることでソース−ドレイン間に電流が流れる。したがって、各半導体素子１１〜１４の各ゲートに、それぞれワイヤ５１〜５４を介して信号を入力することにより、各半導体素子１１〜１４、ひいてはモータＭＯを駆動する。

具体的には、図示しない外部マイコンから通信によってリード８９およびワイヤ８８、そして積層基板８１内の電気回路を通じてマイコンチップ８５に信号を入力する。マイコンチップ８５は、入力された信号に応じて積層基板８１内の電気回路と駆動用チップ８２を介して、各半導体素子１１〜１４を制御する。駆動用チップ８２は、積層基板８１内の電気回路や中継リード６１〜６４、そしてワイヤ５１〜５４、７１〜７４を介して各半導体素子１１〜１４のゲートに信号をそれぞれ入力する。

そして、車の窓ガラスを上昇・下降させるのがモータＭＯである。このモータＭＯは、ドアの内張に設置された窓ガラスを上昇または下降させる周知の機構に設置されている。

モータＭＯの停止時では、各半導体素子１１〜１４のすべてがＯＦＦ状態であり、窓ガラスの上昇時では、Ｈブリッジにおける一方の対角線上に位置する例えば２個の半導体素子１１、１４の各ゲートに駆動用チップ８２から電流が入力されてＯＮ状態となり、第１半導体素子１１、モータＭＯ、第４半導体素子１４の順に電流が流れてモータＭＯが回転する。このとき、他方の対角線上に位置する２個の半導体素子１２、１３の各ゲートに電流は入力されず、ＯＦＦ状態となっている。

また、窓ガラスの下降時では、Ｈブリッジにおける一方の対角線上に位置する２個の半導体素子１１、１４がＯＦＦ状態になる。一方、他方の対角線上に位置する２個の半導体素子１２、１３の各ゲートに駆動用チップ８２から電流が入力されてＯＮ状態となり、第３半導体素子１３、モータＭＯ、第２半導体素子１２の順に電流が流れてモータＭＯが回転する。

つまり、窓ガラスの上昇時と下降時とでは、Ｈブリッジ回路によってモータＭＯへ流れる電流の向きが逆転し、これに応じてモータＭＯの回転も逆転する。このように、Ｈブリッジ回路によってモータＭＯに流れる電流の向きを制御することで、車の窓ガラスを開け閉めすることができる。

以上のように、各半導体素子１１〜１４によってモータＭＯを駆動する際、各半導体素子１１〜１４では大電流が流れることによって熱が発生する。この熱は、各半導体素子１１〜１４の各ドレインパッドに接合されたリード４１〜４４、各ソースパッドに接合されたリボンリード２１〜２４、および各リボンリード２１〜２４に接合された各リード３１〜３４を介して外部に放出される。これらリード３１〜３４、４１〜４４、リボンリード２１〜２４は上述のようにヒートシンクとしての役割も果たすため、放熱が可能になっている。

特に、Ｍ１、Ｍ２端子を構成する各リード４１〜４４においては、各半導体素子１１〜１４で発生した熱を直接各リード４１〜４４を介して、例えばモータＭＯの筐体に繋がるバスバー（図示しない）へ放熱することができる。本実施形態では、各半導体素子１１〜１４を各リード４１〜４４に接着剤を用いずにはんだ付けによって直接接合しているため、熱抵抗を低減でき、各半導体素子１１〜１４の放熱性を向上させることができる。

同様に、各半導体素子１１〜１４の各ソースパッドに各リボンリード２１〜２４が直接接合されているため、各半導体素子１１〜１４とリボンリード２１〜２４との間の熱抵抗を低減させることができ、放熱性を向上させることができる。

なお、本実施形態では、駆動用チップ８２およびマイコンチップ８５のためのヒートシンクを設けていないが、駆動用チップ８２およびマイコンチップ８５で発生する熱はそれぞれ積層基板８１に放熱されることとなる。このため、半導体装置１に駆動用チップ８２およびマイコンチップ８５の放熱のためのヒートシンクを設けなくても差し支えない。

以上説明したように、本実施形態では、各半導体素子１１〜１４の上下の面、すなわちソースパッドおよびドレインパッドが設けられた各面に、ヒートシンクとしての役割を果たすリード４１〜４４およびリボンリード２１〜２４を直接接合することを特徴としている。これにより、各半導体素子１１〜１４とリード４１〜４４との接合部分、および各半導体素子１１〜１４とリボンリード２１〜２４との接合部分の熱抵抗を低減させることができる。したがって、各半導体素子１１〜１４とリード４１〜４４およびリボンリード２１〜２４との間で熱エネルギーをスムーズに移動させることができ、リード３１〜３４、４１〜４４およびリボンリード２１〜２４を介して樹脂９０の外部に熱を導くことができる。このようにして、各半導体素子１１〜１４の放熱性を向上させることができる。

以上のことから、半導体装置１においてヒートシンクを用いない構成としても、配線としてのリード３１〜３４、４１〜４４（およびリボンリード２１〜２４）をヒートシンクとして兼用させることで発熱量の大きいパワー素子の放熱性を確保することができる。

また、半導体装置１においてヒートシンクを用いずに各半導体素子１１〜１４で発生する熱を外部に放出することができるので、半導体装置１のサイズを小型化することができる。すなわち、本実施形態では、図１に示されるように、各半導体素子１１〜１４およびリード３１〜３４、４１〜４４を多段に配置させているため、半導体装置１を平面から見たときの面積を小さくすることができ、ひいては半導体装置１を小型化することができる。

また、本実施形態のように、半導体装置１は放熱のためのヒートシンクを用いない構成となっているので、半導体装置１を製造するためのコストや製造工程を削減できる。

（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、各リード３１〜３４、４１〜４４、８９を同一平面上にインライン形式で配置させていることが第１実施形態と異なる。

図４は、本実施形態に係る半導体装置を示した図である。図４（ａ）は、半導体装置２の平面図、図４（ｂ）は半導体装置２の概略断面図である。また、図５は、図４（ａ）において各半導体素子１１〜１４の配置を模式的に示したものである。なお、図５では各リード１０１〜１０６を省略してある。また、図４（ｂ）において、樹脂９０の外壁部分は破線で示されており、この破線の内部に樹脂９０が充填されている。

図４（ａ）に示されるように、本実施形態では、ＧＮＤ端子、Ｍ１、Ｍ２端子、そしてＶｄｄ端子、すなわち各リード１０１〜１０６が、同一平面上に配置された状態になっている。これら各リード１０１〜１０６は、図４（ｂ）に示されるように、モールドパッケージ内で曲げ加工が施されている。これにより、樹脂９０から露出した各リード１０１〜１０６の端部が同一平面上に配置されることとなる。

具体的には、図４（ｂ）、図５に示されるように、Ｖｄｄ端子としてのリード１０１に第１半導体素子１１のソースパッドが接合されている。また、リード１０１において第１半導体素子１１が接合された面とは反対側の面に第３半導体素子１３のソースパッド１３ａが接合されている。

上記第１半導体素子１１のドレインパッドにＭ１端子としてのリード１０２が接合されており、リード１０２において第１半導体素子１１が接合された面とは反対側の面に第２半導体素子１２のドレインパッドが接合されている。このリード１０２において、第１、第２半導体素子１１、１２が接合された側とは反対側は、Ｖｄｄ端子としてのリード１０１に対して多段構造にならないように曲げ加工が施されている。

そして、第２半導体素子１２のソースパッド１２ａにＧＮＤ端子としてのリード１０３が接合されている。このリード１０３においても、リード１０１、１０２に対して多段構造にならならないように曲げ加工が施されている。

同様に、第３半導体素子１３のドレインパッドにＭ２端子としてのリード１０４が接合されており、リード１０４において第３半導体素子１３が接合された面とは反対側の面に第４半導体素子１４のドレインパッドが接合されている。そして、第４半導体素子１４のソースパッドにＧＮＤ端子としてのリード１０５が接合されている。これらリード１０４、１０５においても、上記と同様に、第３、第４半導体素子１３、１４が接合された側とは反対側がＶｄｄ端子としてのリード１０１に対してそれぞれ多段構造にならないように曲げ加工が施されている。

さらに、リード１０２〜１０５の端部がリード１０１と同一平面内に配置されるようにリード１０２〜１０５がモールドパッケージ内で曲げ加工されている。これにより、各リード１０１〜１０６において樹脂９０から露出する部分がそれぞれ同一平面上に配置される。また、上記のようにして各リード１０２〜１０５が曲げ加工される際、各リード１０１〜１０５がオーバーラップしないように、各半導体チップ１１〜１４から引き出され、樹脂９０の外部まで引き伸ばされている。

また、各半導体素子１１〜１４のゲートパッド１１ｂ〜１４ｂにそれぞれワイヤ５１〜５４が接合されている。本実施形態では、図５に示されるように、各半導体素子１１〜１４が各リード１０１〜１０５の長手方向に垂直な方向にそれぞれ移動して配置されている。これにより、各半導体素子１１〜１４の各ゲートパッド１１ｂ〜１４ｂから容易にワイヤ５１〜５４を引き伸ばすことができる。

なお、リード１０６は、Ｍ１、Ｍ２端子に接続されたモータＭＯによって駆動される窓ガラスの位置を検出するための位置検出用端子として用いられるものである。

以上のように、各半導体素子１１〜１４の配置のずれ、および各リード１０２〜１０５の曲げ加工によって、各リード１０１〜１０５が同一平面上に配置されるようにしても構わない。これにより、半導体装置２を外部に接続しやすい形態とすることができる。

（第３実施形態）
本実施形態では、上記実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、各半導体素子１１〜１４に接合するＶｄｄ端子およびＧＮＤ端子としての各リードの形状が上記実施形態と異なる。

図６は、本実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。また、図７は、図６のＡ矢視図である。なお、図６において、樹脂９０の外壁部分は破線で示されており、この破線の内部に樹脂９０が充填されている。また、図７では、リボンリード２２、２４、Ｍ１、Ｍ２端子（リード４１〜４４）、およびＶｄｄ端子（リード１１２）を省略してあるので、ＧＮＤ端子としてのリード１１１のみが描かれている。

図６に示されるように、本実施形態に係る半導体装置３では、紙面垂直方向、すなわちＭ１端子としてのリード４１、４２の長手方向に垂直な方向に各半導体素子１１〜１４がそれぞれ配置されている。図６では、第１、第２半導体素子１１、１２のみが描かれているが、上述のように、紙面垂直方向に図示されない第３、第４半導体素子１３、１４が配置されている。このような配置は、第２、第４半導体素子１２、１４に共通のＧＮＤ端子と、第１、第３半導体素子１１、１３の共通のＶｄｄ端子と、を採用することで可能となる。

具体的には、図７に示されるように、リード１１１は、第２、第４半導体素子１２、１４が長手方向にそれぞれ接続される直線部位とその直線部位に垂直に配置された直線部位とで構成されるＴ字形状になっている。同様に、第１、第３半導体素子１１、１３が長手方向にそれぞれ接続される直線部位とその直線部位に垂直に配置された直線部位とで構成されるＴ字形状のリード１１２になっている。

そして、図６および図７に示されるように、ＧＮＤ端子としてのリード１１１に対して、リボンリード２２、２４を介して第２、第４半導体素子１２、１４の各ソースパッドが接続されている。また、ＧＮＤ端子と同じＴ字形状のＶｄｄ端子としてのリード１１２に対して、リボンリード２１、２３を介して第１、第３半導体素子１１、１３の各ソースパッドが接続されている。

さらに、図６に示されるように、第１、第２半導体素子１１、１２の各ドレインパッドに接合された各リード４１、４２によってＭ１端子が構成されている。そして、図示しないが、第３、第４半導体素子１３、１４の各ドレインパッドに接合された各リード４３、４４によってＭ２端子が構成されている。

なお、各半導体素子１１〜１４の各ゲートパッド１１ｂ〜１４ｂには、上記実施形態と同様に、ワイヤ５１〜５４が接続された状態になっている。

以上のように、ＧＮＤ端子およびＶｄｄ端子としてのリード１１１、１１２をＴ字型にすることで、リード１１１、１１２の共通化を図るようにしても構わない。これにより、使用するリードの数を削減することができ、各半導体素子１１〜１４に対するリード４１〜４４、１１１、１１２の組み付けを容易に行うことができる。

（第４実施形態）
本実施形態では、上記実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、Ｍ１端子としてのリード４１、４２、Ｍ２端子としてのリード４３、４４、およびＶｄｄ端子としてのリード３１、３３をそれぞれ１つのリードで構成したことが上記実施形態と異なる。

図８は、本実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。なお、図８において、樹脂９０の外壁部分は破線で示されており、この破線の内部に樹脂９０が充填されている。

図８に示されるように、本実施形態に係る半導体装置４では、Ｈブリッジ回路部分において、第２半導体素子１２のドレインパッドにＭ１端子としてのリード１２１が接合されている。そして、リード１２１において第２半導体素子１２が接合された面とは反対側の面に第１半導体素子１１のドレインパッドが接合されている。

同様に、第４半導体素子１４のドレインパッドにＭ２端子としてのリード１２２が接合されている。そして、リード１２２において第４半導体素子１４が接合された面とは反対側の面に第３半導体素子１３のドレインパッドが接合されている。また、第１、第３半導体素子１１、１３の各ソースパッドにリボンリード２１、２３を介してＶｄｄ端子としてのリード１２３がそれぞれ接続されている。

以上のように、Ｍ１、Ｍ２端子およびＶｄｄ端子を共通のリード１２１〜１２３で構成することで、リード１２１〜１２３の構造を単純化させるようにしても構わない。これにより、Ｍ１、Ｍ２端子およびＶｄｄ端子を共通化することができ、半導体装置４の構成を簡略化することができる。

（第５実施形態）
本実施形態では、上記実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、リボンリード２１〜２４を用いずに各半導体素子１１〜１４にＧＮＤ端子、Ｍ１、Ｍ２端子、そしてＶｄｄ端子を接合していることが上記実施形態と異なる。また、第１、第３半導体素子１１、１３の各ゲートパッドと各中継リード６１、６３との間をリボンリードで接続していることが上記実施形態と異なる。

図９は、本実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。なお、図９において、樹脂９０の外壁部分は破線で示されており、この破線の内部に樹脂９０が充填されている。

図９に示されるように、本実施形態に係る半導体装置５では、第２、第４半導体素子１２、１４の各ソースパッドにリード１３１、１３２の一端がそれぞれ接合されている。これらリード１３１、１３２の一端は、金属板の一端がリボンリードのように、圧延によって薄く引き伸ばされて曲げ加工されたリボンリード部１３１ａ、１３２ａとされている。すなわち、第２、第４半導体素子の各ソースパッドに各リード１３１、１３２の各リボンリード部１３１ａ、１３２ａが直接接合されている。また、各リード１３１、１３２の他端は、それぞれＧＮＤ端子として樹脂９０から露出した状態になっている。

同様に、第１、第３半導体素子１１、１３の各ソースパッドにリード１３３、１３４のリボンリード部１３３ａ、１３４ａがそれぞれ直接接合されている。これらリード１３３、１３４は上記各リード１３１、１３２と同様の形状をなしている。そして、各リード１３３、１３４の他端がそれぞれ張り合わされてＶｄｄ端子として樹脂９０から露出した状態になっている。

また、第１、第３半導体素子１１、１３の各ゲートパッドと中継リード６１、６２との間は、リボンリード１５１、１５２でそれぞれ接続されている。これにより、リード１３３、１３４を第１、第３半導体素子１１、１３にそれぞれ接合する際に、上記リボンリード１５１、１５２をそれぞれ各ゲートパッドと中継リード６１、６２との間に接続できる。このため、第２、第４半導体素子１２、１４と各中継リード６２、６４との間をワイヤボンドすれば良いので、半導体装置５の製造を容易にすることができる。

以上のように、各半導体素子１１〜１４の各ソースパッドに各リード１３１〜１３４の各リボンリード部１３１ａ〜１３４ａを直接接合させるようにしても構わない。これにより、各半導体素子１１〜１４で発生した熱を、各半導体素子１１〜１４にそれぞれ直接接合されたリード４１〜４４、１３１〜１３４を介して放熱することができる。

なお、本実施形態で用いられたリード１３１〜１３４は、本発明の加工リードに相当する。

（他の実施形態）
上記各実施形態で示された構造、形態は一例を示すものであって、各実施形態で示された内容をそれぞれ組み合わせて実施しても構わない。

上記各実施形態では、各半導体素子１１〜１４と積層基板８１内の電気回路との間をそれぞれ１つの中継リード６１〜６４を介して電気的に接続しているが、それぞれ複数の中継リードを介すようにしても構わない。

上記各実施形態において、各半導体装置１〜５の各ＧＮＤ端子をモータＭＯの筐体へ接続し、ＧＮＤ端子からモータＭＯの筐体へ直接放熱するようにしても構わない。これにより、リード平面から放熱できるので効率がよい。

上記第３実施形態において、Ｍ１端子を構成する各リード４１、４２を共通化させて１本のリードで構成しても構わない。同様に、第５実施形態において、Ｍ１、Ｍ２端子およびＶｄｄ端子を構成する各リード４１〜４４、１３３、１３４をそれぞれ共通のリードで構成するようにしても構わない。

また、第５実施形態のように第１、第３半導体チップ１１、１３と中継リード６１、６３とをリボンリード１５１、１５２で接続する形態を、例えば第１、２、４実施形態にそれぞれ適用させても構わない。

上記第２実施形態と同様に、第１、第３〜第５実施形態においても、各リード３１〜３４、４１〜４４、１１１、１１２、１２１〜１２３、１３１〜１３４を樹脂９０内でそれぞれ曲げ加工することにより、樹脂９０から露出する部分をそれぞれ同一平面上に配置させるようにしても構わない。

上記各実施形態では、各半導体素子１１〜１４としてパワー素子を用いているが、他の例としてＩＧＢＴやバイポーラパワー素子を用いても構わない。

また、放熱性向上のため、図１および図８に示される各リード３２、３４、図４（ｂ）に示される各リード１０３、１０５、そして図６に示される各リード１１１、１１２を樹脂９０からそれぞれ露出させるようにしても良い。

本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。 図１に示される半導体装置の製造工程を示した図である。 第１〜第４半導体素子にて構成されるＨブリッジ回路部分の回路図である。 本発明の第２実施形態に係る半導体装置を示した図であり、（ａ）は半導体装置の平面図、（ｂ）は半導体装置の概略断面図である。 図４（ａ）において各半導体素子の配置を模式的に示した図である。 本発明の第３実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。 図６のＡ矢視図である。 本発明の第４実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。 本発明の第５実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。 （ａ）は従来の半導体装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。

符号の説明

１１〜１４…第１〜第４半導体素子、２１〜２４…リボンリード、３１〜３４、４１〜４４、１０１〜１０５、１１１、１１２、１２１〜１２３、１３１〜１３４…リード、１３１ａ〜１３４ａ…リボンリード部、５１〜５４、７１〜７４…ワイヤ、６１〜６４…中継リード、８１…積層基板、８２…電子素子としての駆動用チップ、８５…電子素子としてのマイコンチップ、９０…樹脂。

Claims (14)

1. 半導体基板の表面側に形成された第１電極と裏面に形成された第２電極との間に電流を流すように構成された縦型の４つの第１〜第４半導体素子（１１〜１４）と、
   電気回路が形成された基板（８１）上に設けられると共に、前記電気回路を介して前記各半導体素子を駆動制御する電子素子（８２、８５）と、
   配線およびヒートシンクとしての金属リード（２１〜２４、３１〜３４、４１〜４４、１０１〜１０５、１１１、１１２、１２１〜１２３、１３１〜１３４）と、
   前記各半導体素子および前記金属リードの一端側を封止した樹脂（９０）と、を備えた半導体装置であって、
   前記各半導体素子は積層状に配置されると共に、Ｈブリッジ状に接続された構成とされており、
   前記各半導体素子の各第１電極および各第２電極それぞれに前記金属リードがそれぞれ直接接合されており、前記各半導体素子で発生した熱は、前記金属リードを介してそれぞれ放熱されるようになっていることを特徴とする半導体装置。
2. 前記各半導体素子と前記電気回路とはワイヤ（５１〜５４、７１〜７４）および中継リード（６１〜６４）を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記各半導体素子は、ＭＯＳ構造のパワー素子として形成されたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記金属リードは、複数の板状リード（３１〜３４、４１〜４４、１１１、１１２、１２１〜１２３）と、前記板状リードよりも薄いリボンリード（２１〜２４）と、で構成されており、
   前記各半導体素子の各第１電極に前記リボンリード（２１〜２４）のうちの一部がそれぞれ直接接合されると共に、前記リボンリードのうち前記各半導体素子の各第１電極に接合されていない部分の一部が板状リード（３１〜３４、１１１、１１２、１２３）に接合され、前記リボンリードが接合された前記板状リードとは別の板状リード（４１〜４４、１２１、１２２）が前記各半導体素子の各第２電極にそれぞれ直接接合されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
5. 前記リボンリード（２１、２３）を介して前記第１および第３半導体素子（１１、１３）の各第１電極にそれぞれ接続された前記各板状リード（３１、３３）が、前記第１および第３半導体素子が接合された面とは反対側の面が互いに張り合わされることで電源端子（Ｖｄｄ）が構成され、
   前記第１〜第４半導体素子の各第２電極にそれぞれ接合された前記各板状リード（４１〜４４）のうち、前記第１および第２半導体素子（１１、１２）が接合された各板状リード（４１、４２）が、前記第１および第２半導体素子が接合された面とは反対側の面が互いに張り合わされると共に、前記第３および第４半導体素子（１３、１４）が接合された板状リード（４３、４４）が、前記第３および第４半導体素子が接合された面とは反対側の面が互いに張り合わされることでそれぞれ負荷接続用端子（Ｍ１、Ｍ２）が構成され、
   前記リボンリード（２２、２４）を介して前記第２および第４半導体素子（１２、１４）の各第１電極にそれぞれ接続された前記各板状リード（３２、３４）がそれぞれ接地用端子（ＧＮＤ）として構成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
6. 前記各半導体素子の各第２電極にそれぞれ接合された各板状リード（４１〜４４）のうち、前記第１および第２半導体素子（１１、１２）が接合された各板状リード（４１、４２）が、前記第１および第２半導体素子が接合された面とは反対側の面が互いに張り合わされると共に、前記第３および第４半導体素子（１３、１４）が接合された各板状リード（４３、４４）が、前記第３および第４半導体素子が接合された面とは反対側の面が互いに張り合わされることでそれぞれ負荷接続用端子（Ｍ１、Ｍ２）が構成され、
   前記リボンリード（２１、２３）を介して前記第１および第３半導体素子（１１、１３）の各第１電極にそれぞれ共通の板状リード（１１２）が接続されることで、前記第１および第３半導体素子が横並びに配置されており、
   前記第１および第３半導体素子それぞれに対応した前記第２および第４半導体素子の各第１電極に前記リボンリード（２２、２４）を介してそれぞれ共通の板状リード（１１１）が接続されることで、前記第２および第４半導体素子が横並びに配置されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
7. 前記第１および第３半導体素子がそれぞれ接続される共通の板状リード（１１２）は、前記第１および第３半導体素子が長手方向にそれぞれ接続される直線部位とその直線部位に垂直に配置された直線部位とで構成されるＴ字形状になっており、
   前記第２および第４半導体素子がそれぞれ接続される共通の板状リード（１１１）は、前記第２および第４半導体素子が長手方向にそれぞれ接続される直線部位とその直線部位に垂直に配置された直線部位とで構成されるＴ字形状になっていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
8. 前記互いに張り合わされる板状リード（３１、３３、４１〜４４）において、互いに張り合わされる面のうち一方に凹部が設けられ、他方に前記凹部と対応する凸部が設けられており、
   前記板状リードが張り合わされたとき、一方の板状リードに設けられた凹部に他方の板状リードに設けられた凸部が嵌合するようになっていることを特徴とする請求項５ないし７のいずれか１つに記載の半導体装置。
9. 前記リボンリード（２２）を介して前記第２半導体素子（１２）の第１電極に接続された板状リード（３２、１０３）が接地用端子（ＧＮＤ）として構成され、
   前記第２半導体素子の第２電極に直接接合された板状リード（１０２、１２１）が第１負荷接続用端子（Ｍ１）として構成されると共に、前記第２半導体素子が接合された板状リード（１０２、１２１）が、前記第２半導体素子が接合された面とは反対側の面に第１半導体素子（１１）の第２電極が直接接合されており、
   前記第１半導体素子の第１電極にリボンリード（２１）を介して接続された板状リード（１０１、１２３）が電源端子（Ｖｄｄ）として構成されると共に、前記第１半導体素子が接続された板状リード（１０１、１２３）が、前記第１半導体素子が接続された面とは反対側の面にリボンリード（２３）を介して第３半導体素子（１３）の第１電極が接続され、前記第３半導体素子の第２電極に直接接合された板状リード（１０４、１２２）が第２負荷接続用端子（Ｍ２）として構成されており、
   前記第３半導体素子の第２電極が接合された板状リード（１０４、１２２）が、前記第３半導体素子が接合された面とは反対側の面に第４半導体素子（１４）の第２電極が直接接合されると共に、前記第４半導体素子の第１電極にリボンリード（２４）を介して接続された板状リード（３４、１０５）が接地用端子（ＧＮＤ）として構成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
10. 前記板状リード（３１〜３４、４１〜４４、１０１〜１０５、１１１、１１２、１２１〜１２３）は、前記樹脂から露出した部分が同一平面上にそれぞれ配置されるように、前記樹脂内で曲げ加工が施されていることを特徴とする請求項５ないし９のいずれか１つに記載の半導体装置。
11. 前記金属リードは、金属板の一端側が薄肉化されたリボンリード部（１３１ａ〜１３４ａ）を備えた加工リード（１３１〜１３４）と板状リード（４１〜４４）とで構成されており、
    前記各半導体素子の各第１電極に前記加工リードのリボンリード部がそれぞれ直接接合されると共に、前記各板状リードが前記各半導体素子の各第２電極にそれぞれ直接接合されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
12. 前記第１および第３半導体素子（１１、１３）の各第１電極にリボンリード部（１３３ａ、１３４ａ）がそれぞれ直接接合された各加工リード（１３３、１３４）が、前記第１および第３半導体素子が接合された面とは反対側の面が互いに張り合わされることで電源端子（Ｖｄｄ）が構成され、
    前記第１〜第４半導体素子の各第２電極にそれぞれ接合された各板状リード（４１〜４４）のうち、前記第１および第２半導体素子（１１、１２）が接合された板状リード（４１、４２）が、前記第１および第２半導体素子が接合された面とは反対側の面が互いに張り合わされ、
    前記第３および第４半導体素子（１３、１４）が接合された板状リード（４３、４４）が、前記第３および第４半導体素子が接合された面とは反対側の面が互いに張り合わされることでそれぞれ負荷接続用端子（Ｍ１、Ｍ２）が構成されており、
    前記第２および第４半導体素子（１２、１４）の各第１電極にリボンリード部（１３１ａ、１３２ａ）がそれぞれ直接接合された各加工リード（１３１、１３２）が、それぞれ接地用端子（ＧＮＤ）として構成されていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
13. 前記板状リード（４１〜４４）および前記加工リード（１３１〜１３４）は、前記樹脂から露出した部分が同一平面上にそれぞれ配置されるように、前記樹脂内で曲げ加工が施されていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
14. 前記互いに張り合わされる板状リード（４１〜４４）および加工リード（１３３、１３４）において、互いに張り合わされる面のうち一方に凹部が設けられ、他方に前記凹部と対応する凸部が設けられており、
    前記板状リードが張り合わされたとき、一方の板状リードに設けられた凹部に他方の板状リードに設けられた凸部が嵌合するようになっていることを特徴とする請求項１２または１３に記載の半導体装置。

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