DE102012219686A1 - Leistungsmodul mit geringer streuinduktivität - Google Patents
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Abstract
Ein Leistungsmodul umfasst ein Substrat (118) mit einem isolierenden Element (120) und einer auf das isolierende Element (120) aufgebrachten strukturierten Metallisierung (122). Die strukturierten Metallisierung (122) ist zu einer Anzahl von voneinander beabstandeten Metallisierungsbereichen (124) segmentiert, wobei zueinander benachbarte der Metallisierungsbereiche (124) durch eine Fuge (126), die sich durch die strukturierte Metallisierung (122) hindurch bis zu dem isolierenden Element (120) erstreckt, voneinander beabstandet sind. Weiterhin umfasst das Modul einen ersten Leistungstransistorschaltkreis (114), der einen ersten Leistungsschalter (128) umfasst, welcher an einem ersten der Metallisierungsbereiche (124) befestigt ist, sowie einen zweiten Leistungsschalter (130), welcher an einem zweiten der Metallisierungsbereiche (124) befestigt ist. Der zweite der Metallisierungsbereiche (124) ist benachbart zu einer ersten Seite (132) des ersten Metallisierungsbereichs (124) angeordnet. Außerdem enthält das Modul einen zweiten Leistungstransistorschaltkreis (116), der einen dritten Leistungsschalter (134) umfasst, welcher an dem ersten Metallisierungsbereich (124) befestigt ist, sowie einen vierten Leistungsschalter (136), welcher an einem dritten der Metallisierungsbereiche (124) befestigt ist. Der dritte der Metallisierungsbereiche (124) ist benachbart zu einer zweiten Seite (138) des ersten Metallisierungsbereichs (124) angeordnet, die der ersten Seite (132) entgegengesetzt ist, wobei der zweite Leistungstransistorschaltkreis (116) den ersten Leistungstransistorschaltkreis (114) spiegelt.
Description
- TECHNISCHES GEBIET
- Die vorliegende Erfindung betrifft Leistungsmodule, insbesondere Leistungsmodule mit einer geringen Streuinduktivität.
- HINTERGRUND
- Beim Design neuer Leistungsmodule ist ein hoher Wirkungsgrad innerhalb eines IGBT Leistungsmoduls (IGBT = Insulated Gate Bipolar Transistor) eine wesentliche Herausforderung. Ein Faktor, der den Wirkungsgrad eines Leistungsmoduls beeinflusst, ist die Streuinduktivität. Die Streuinduktivität wird unmittelbar beeinflusst durch das Design des Leistungsmoduls und weniger durch die grundsätzliche Physik des Moduls. Die Designs von herkömmlichen IGBT Leistungsmodulen neigen dazu, eine geringe Streuinduktivität zu opfern, um die Leistungsdichte des Moduls zu erhöhen. Dies beinhaltet normalerweise, die positiven (+) und negativen (–) Gleichstrompfade auf dem Substrat zu separieren, in seitlicher Richtung über den Hauptstrompfad hinweg zu Bonden, um das Bonden der Leistungstransistorchips an unterschiedliche Potentiale in dem Leistungsmodul zu erleichtern, und/oder die Verwendung sich wiederholender Layouts zur Vereinfachung der Herstellung wegen der Vielzahl der in dem Modul vorhandenen üblichen Elementen. In jedem Fall besteht das Resultat in einem Anstieg der in dem Leistungsmodul vorliegenden Streuinduktivität und damit einhergehend in einem reduzierten Wirkungsgrad.
- ÜBERBLICK
- Die hierin beschriebenen Ausgestaltungen verringern die Streuinduktivität innerhalb eines Leistungsmoduls, und ebenso außerhalb des Leistungsmoduls für die Leitung von elektrischem Strom aus dem Leistungsmodul heraus und durch das System, in dem das Leistungsmodul verwendet wird. Die Menge an Leistung, die einem Modul entnommen wird, wird durch eine Verringerung der Streuinduktivität erhöht.
- Gemäß einer Ausgestaltung eines Leistungsmoduls umfasst das Leistungsmodul ein Substrat mit einem isolierenden Element und einer strukturierten Metallisierung auf dem isolierenden Element. Die strukturierte Metallisierung ist zu einer Anzahl von voneinander beabstandeten Metallisierungsbereichen segmentiert. Metallisierungsbereiche, die zueinander benachbart sind, sind durch eine Fuge voneinander beabstandet, die sich durch die strukturierte Metallisierung hindurch bis zu dem isolierenden Element erstreckt. Ein erster Leistungstransistorschaltkreis umfasst einen ersten Leistungsschalter, der an einem ersten der Metallisierungsbereiche befestigt ist, sowie einen zweiten Leistungsschalter, der an einem zweiten der Metallisierungsbereiche befestigt ist, welcher zu einer ersten Seite des ersten Metallisierungsbereichs benachbart ist. Ein zweiter Leistungstransistorschaltkreis umfasst einen dritten Leistungsschalter, der an dem ersten Metallisierungsbereich befestigt ist, sowie einen vierten Leistungsschalter, der an einem dritten der Metallisierungsbereiche befestigt ist, welcher zu einer zweiten Seite des ersten Metallisierungsbereichs, die der ersten Seite entgegengesetzt ist, benachbart ist. Der zweite Leistungstransistorschaltkreis spiegelt den ersten Leistungstransistorschaltkreis.
- Gemäß einer weiteren Ausgestaltung eines Leistungsmoduls umfasst das Leistungsmodul ein Substrat mit einem isolierenden Element und einer auf dem isolierenden Element befindlichen strukturierten Metallisierung. Die strukturierte Metallisierung ist zu einer Anzahl von voneinander beabstandeten Metallisierungsbereichen segmentiert. Benachbarte der Metallisierungsbereiche sind durch eine Fuge voneinander beabstandet, die sich durch die strukturierte Metallisierung hindurch bis zu dem isolierenden Element erstreckt. Ein erster Halbbrücken-Schaltkreis umfasst einen ersten Leistungsschalter, der an einem ersten der Metallisierungsbereiche befestigt ist, sowie einen zweiten Leistungsschalter, der an einem zweiten der Metallisierungsbereiche befestigt ist, welcher benachbart ist zu einer ersten Seite des ersten Metallisierungsbereichs. Ein zweiter Halbbrücken-Schaltkreis umfasst einen dritten Leistungsschalter, der an dem ersten Metallisierungsbereich befestigt ist, sowie einen vierten Leistungsschalter, der an einem dritten der Metallisierungsbereiche befestigt ist, welcher benachbart zu einer der ersten Seite entgegengesetzten zweiten Seite des ersten Metallisierungsbereichs angeordnet ist. Der zweite Halbbrücken-Schaltkreis ist so aufgebaut, dass der in ihm auftretende Stromfluss spiegelsymmetrisch ist zu dem im ersten Halbbrücken-Schaltkreis auftretenden Stromfluss. Hierzu können der erste Halbbrücken-Schaltkreis und der zweite Halbbrücken-Schaltkreis teilweise oder vollständig spiegelsymmetrisch zueinander aufgebaut sein.
- Beim Studium der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung und der Betrachtung der beigefügten Zeichnungen wird der Fachmann weitere Eigenschaften und Vorteile der Erfindung erkennen.
- KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
- Die in den Figuren gezeigten Elemente sind relativ zueinander nicht notwendigerweise maßstäblich dargestellt. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen einander entsprechende ähnliche Teile. Die bei den verschiedenen Ausführungsbeispielen gezeigten Merkmale können miteinander kombiniert werden, sofern sie einander nicht ausschließen. In den Figuren sind Ausführungsbeispiele gezeigt und in der nachfolgenden Beschreibung ausführlich erläutert.
-
1 zeigt eine Draufsicht auf ein Leistungsmodul. -
2 zeigt eine schematische Schnittansicht des in1 dargestellten Leistungsmoduls. -
3 zeigt eine Draufsicht auf das Leistungsmodul gemäß1 mit hinzugefügten Beschriftungen für die Gleichstrom-Leistungsanschlüsse. -
4 zeigt eine Draufsicht auf das in1 gezeigte Leistungsmodul mit einer darüber gelegten Markierung für eine Stromschleife innerhalb des Moduls. -
5 zeigt eine Draufsicht auf das in1 gezeigte Leistungsmodul mit einer darüber gelegten Markierung für die externen und internen Pfade des Stromflusses. - AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
-
1 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Leistungsmoduls100 , beispielsweise eines IGBT Moduls, eines MOSFET Moduls (MOSFET = Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), oder jedes anderen Typs von Leistungsmodul. Das Leistungsmodul100 umfasst beispielsweise DC Gleichstrom-Leistungsanschlüsse102 ,104 , die sich an einer Seite106 des Moduls100 befinden, sowie AC Wechselstrom-Leistungsanschlüsse108 ,110 , welche sich an der anderen Seite112 des Moduls100 befinden. Die innerhalb des Leistungsmoduls100 auftretende Streuinduktivität kann unter Einbeziehung der hierin beschriebenen Merkmale reduziert werden. Ein Merkmal besteht in der Einbeziehung von zwei Leistungstransistorschaltkreisen114 ,116 , die hinsichtlich Design und Layout zueinander gespiegelt sind. Die Leistungstransistorschaltkreise114 ,116 sind zwischen den DC Leistungsanschlüssen102 ,104 und den AC Leistungsanschlüssen108 ,110 des Moduls100 angeordnet. Während des Betriebs erzeugt ein jeder der Schaltkreise114 ,116 eine Stromschleife. Die Ströme durch die Stromschleifen, die in1 durch darüber gelegte und mit 'A' und 'B' gekennzeichnete Schleifen angedeutet sind, durchlaufen die Stromschleifen A bzw. B betreffenden Leistungstransistorschaltkreise in entgegengesetzten Richtungen. Aufgrund dieser Ströme entstehen entsprechende magnetische Felder, die einander wenigstens teilweise auslöschen. Die einander entgegenwirkenden Magnetfelder reduzieren die mit den Stromschleifen einhergehende Induktivität, was wiederum die in dem Leistungsmodul100 auftretende Streuinduktivität reduziert. -
2 zeigt eine teilweise Schnittansicht des Leistungsmoduls100 entlang einer in1 dargestellten und mit C-C' bezeichneten Schnittlinie einschließlich einer detailierteren Ansicht des Substrats118 . Das Substrat118 umfasst ein isolierendes Element120 wie beispielsweise ein Keramiksubstrat, sowie eine strukturierte Metallisierung122 , die auf dem isolierenden Element120 angebracht ist. Eine optionale Metallisierung123 kann an der der strukturierten Metallisierung122 entgegengesetzten Seite des isolierenden Elements120 angebracht sein, beispielsweise um die Wärmeübertragungsfähigkeit des Leistungsmoduls100 zu verbessern. Bei dem Substrat118 kann es sich um ein DCB-Substrat (DCB = Direct Copper Bonded), ein DAB-Substrat (DAB = Direct Aluminum Bonded) oder ein AMB-Substrat (AMB = Active Metal Brazed) handeln. Alternativ kann es sich bei dem Substrat118 auch um ein IMS-Substrat (IMS = Insulated Metal Substrate) oder ein ähnliches Substrat handeln, welches eine metallische Grundplatte (z. B. aus Aluminium oder Kupfer) umfasst, die von einer dielektrischen Schicht wie z.B. Epoxidharz, bedeckt ist, und einer Metallschicht wie beispielsweise Kupfer oder Aluminium, die auf der dielektrischen Schicht angeordnet und gegenüber der metallischen Grundplatte elektrisch isoliert ist. In jedem Fall ist die strukturierte Metallisierung122 zu einer Anzahl von voneinander beabstandeten Metallisierungsbereichen124 strukturiert. Benachbarte der Metallisierungsbereiche124 sind voneinander durch eine Fuge126 getrennt, die sich durch die strukturierte Metallisierungsschicht122 hindurch bis zu dem darunter liegenden isolierenden Element120 erstreckt. - Bezugnehmend auf die
1 und2 umfasst der erste Leistungstransistorschaltkreis114 einen ersten Leistungsschalter128 , der an einem ersten der Metallisierungsbereiche124 angebracht ist, sowie einen zweiten Leistungsschalter130 , der an einem zweiten der Metallisierungsbereiche124 angebracht ist, wobei der zweite der Metallisierungsbereiche124 benachbart zu einer ersten Seite132 des ersten Metallisierungsbereichs124 angeordnet ist. In diesem Sinne bedeutet 'benachbart', dass sowohl der erste als auch der zweite der Metallisierungsbereiche124 an dieselbe zwischen ihnen befindliche Fuge126 angrenzen. Der zweite Leistungstransistorschaltkreis116 umfasst einen dritten Leistungsschalter134 , der an demselben Metallisierungsbereich124 angebracht ist wie der erste Leistungsschalter128 des ersten Schaltkreises114 , sowie eine vierten Leistungsschalter136 , der an einem dritten der Metallisierungsbereiche124 angebracht ist, wobei der dritte der Metallisierungsbereiche124 benachbart zu einer zweiten Seite138 des ersten Metallisierungsbereichs124 angeordnet ist, die der ersten Seite132 entgegengesetzt ist. Das Leistungsmodul100 besitzt einen Kollektoranschluss140 , Strom-Sense-Anschlüsse142 ,144 , einen High-Side Emitteranschluss146 , einen High-Side Gateanschluss148 , einen Low-Side Emitteranschluss150 , einen Low-Side Gateanschluss152 , sowie zusätzliche Steueranschlüsse154 ,156 . Verschiedene Verbindungen162 wie beispielsweise Bonddrahtverbindungen bilden elektrisch leitende Verbindungen zwischen den Anschlüssen des Leistungsmoduls100 und den Leistungstransistorschaltkreisen114 ,116 . Das Leistungsmodul100 weist außerdem einen Rahmen160 mit Öffnungen158 auf, die beispielsweise dazu dienen können, das Leistungsmodul100 an einem Kühlkörper zu befestigen. - Der zweite Leistungstransistorschaltkreis
116 spiegelt den ersten Transistorschaltkreis114 hinsichtlich Design und Layout. Gemäß einer Ausgestaltung handelt es sich bei den Leistungstransistorschaltkreisen114 ,116 um gespiegelte Halbbrücken-Schaltkreise. Die High-Side Schalter128 ,134 der Halbbrücken-Schaltkreise114 ,116 können an dem ersten (mittleren) Metallisierungsbereich124 angebracht sein, der Low-Side Schalter130 des ersten Halbbrücken-Schaltkreises114 kann an dem zweiten (rechten) Metallisierungsbereich124 , und der Low-Side Schalter136 des zweiten Halbbrücken-Schaltkreises116 an dem dritten (linken) Metallisierungsbereich124 , wie dies in1 gezeigt ist. Alternativ können die Low-Side Schalter130 ,136 der Halbbrücken-Schaltkreise114 ,116 an dem ersten (mittleren) Metallisierungsbereich124 angebracht sein, und die betreffenden High-Side Schalter128 ,134 können an den korrespondierenden, benachbarten Metallisierungsbereichen124 angebracht sein. Andere Arten von Leistungstransistorschaltkreisen können jedoch ebenso verwendet werden. Beispielweise kann es sich bei den Leistungstransistorschaltkreisen114 ,116 um gespiegelte H-Brückenschaltkreise handeln. In jedem Fall ist die strukturierte Metallisierung122 des Substrats118 durch Fugen126 zu Bereichen separiert, wobei jede Fuge126 als Isolationsbarriere zwischen benachbarten Metallisierungsbereichen124 dient. - Bezugnehmend auf
2 ist hier in der strukturierten Metallisierungsschicht122 des Substrats118 eine Fugre126 gezeigt. Die Fuge126 , die einander entgegengesetzte Seiten aufweist, die mit den Seiten132 bzw.132' der Metallisierungsbereiche124 zusammen fallen und die deshalb ebenfalls mit den Bezugszeichen132 bzw.132' bezeichnet werden, erstreckt sich bis zu der Oberfläche des isolierenden Elements120 des Substrats118 . Die einander entgegengesetzten Seiten132 ,132' der Fuge126 definieren eine Breite WFUGE der Fuge126 . Der Leistungsschalter128 , der an dem Metallisierungsbereich124 befestigt ist, welcher an die Seite132 der Fuge126 angrenzt, ist von dieser Seite132 der Fuge126 um einen Abstand DT1 beabstandet. Der Leistungsschalter130 , der an dem Metallisierungsbereich124 befestigt ist, der an die andere (der Seite132 entgegengesetzte) Seite132' der Fuge126 angrenzt, ist von dieser Seite132' der Fuge126 um einen Abstand DT2 beabstandet. Die Leistungsschalter128 ,130 können durch ein Lot oder ein anderes Material164 an den betreffenden Metallisierungsbereichen124 befestigt sein. Gemäß einer Ausgestaltung kann der Abstand DT1 kleiner oder gleich 0,5 mm sein, und der Abstand DT2 kann ebenfalls kleiner oder gleich 0,5 mm sein. Dieselben oder ähnliche Abstände können für jedes Paar von Leistungsschaltern verwendet werden (z.B. für jedes Paar von High-Side Schaltern und Low-Side Schaltern) der gespiegelten Leistungstransistorschaltkreise114 ,116 . Allgemein isolieren die Fugen126 (über das isolierende Element120 des Substrats118 ) die benachbarten Metallisierungsbereiche124 der strukturierten Metallisierung128 voneinander. Durch die Ausbildung derartiger Fugen126 in der strukturierten Metallisierungsschicht122 kann ein einziges Substrat118 verwendet werden, um die gespiegelten Leistungstransistorschaltkreise114 ,116 zu montieren. Eine derartige Anordnung verringert die Streuinduktivität innerhalb des Leistungsmoduls100 , während zugleich sichergestellt ist, dass die Leistungsschalter128 ,130 ,134 ,136 eines jeden der Schaltkreise114 ,116 wie vorangehend beschrieben auf geeignete Wiese miteinander verschaltet sind. -
3 zeigt das Leistungsmodul100 gemäß1 mit darüber gelegten Bezeichnungen, um die Positionen der Leistungsanschlüsse hervorzuheben. Gemäß einer Ausgestaltung sind die positiven (+) Gleichstrom-Leistungsanschlüsse102 und die negativen (–) Gleichstrom-Leistungsanschlüsse140 entlang derselben Seite106 des Leistungsmoduls100 angeordnet. Die positiven Gleichstrom-Leistungsanschlüsse102 sind zusammen gruppiert und gemeinsam zwischen einem ersten Satz200 von negativen Gleichstrom-Leistungsanschlüssen104 auf der linken Seite und einem zweiten Satz202 von negativen Gleichstrom-Leistungsanschlüssen104 auf der rechten Seite angeordnet. Die Wechselstrom-Leistungsanschlüsse108 ,110 sind entlang der der Seite106 entgegengesetzten Seite112 des Leistungsmoduls100 angeordnet. - Gemäß einer Ausgestaltung weist das Leistungsmodul
100 einen Kunststoffrahmen160 auf, in dem das Substrat118 und die gespiegelten Leistungstransistorschaltkreise114 ,116 untergebracht sind. Die positiven und negativen Gleichstrom-Leistungsanschlüsse102 ,104 sind entlang derselben Seite106 des Kunststoffrahmens160 angeordnet und durch einen Minimalabstand D voneinander beabstandet, der der erforderlichen Kriechstrecke des Kunststoffrahmens160 entspricht. Die Kriechstrecke ist definiert als der kürzeste Abstand an der Oberfläche eines isolierenden Materials (in diesem Fall des Kunststoffrahmens160 ) zwischen zwei elektrisch leitenden Elementen (in diesem Fall der positive und der negative Gleichspannungs-Leistungsanschluss). Der lichte Abstand ('clearance distance') ist definiert als der kürzeste Abstand von zwei elektrisch leitenden Elementen (in diesem Fall der positive und der negative Gleichstrom-Leistungsanschluss) durch Luft. Bei den Gleichstrom-Leistungsanschlüssen102 ,104 kann es sich um Einpressverbinder ('Press-Fit' Verbinder) handeln, oder um jede andere geeignete Art von Verbinder wie beispielsweise Schraub-, Pin- oder Kabelverbinder. - Da die Streuinduktivität auf der Gleichstromseite des Leistungsmoduls
100 eine kritische Größe darstellt, sind die positiven und negativen Gleichstrom-Leistungsanschlüsse102 und104 so nahe wie möglich nebeneinander positioniert. Gemäß einer Ausgestaltung ist der Abstand zwischen dem positiven und dem negativen Gleichstrom-Leistungsanschluss102 ,104 durch die Toleranzen der Kriechstrecke und des Sicherheitsabstandes des Moduls100 begrenzt. Theoretisch kann eine noch niedrigere Induktivität dadurch erreicht werden, dass die Leistungsverbindungen voreinander platziert werden. Allerdings erfordert eine derartige Anordnung, dass der nachfolgende Stromfluss der vorderen Verbindung um die untere Verbindung herum geleitet wird, was dazu führt, dass der mögliche Leiterquerschnitt der Anschlüsse beschränkt und die Streuinduktivität erhöht wird. -
4 zeigt das in1 dargestellte Leistungsmodul100 mit einer Stromflussschleife durch den Leistungstransistorschaltkreis114 auf der rechten Seite, der durch eine überlagerte Schleife hervorgehoben ist. Während des Betriebs erzeugt der auf der rechten Seite befindliche Leistungstransistorschaltkreis114 eine Stromschleife, entlang der ein Strom durch den ersten und den zweiten Leistungsschalter128 ,130 fließt. Beispielsweise kann es ich bei dem ersten Schalter128 um den High-Side Schalter eines Halbbrückenschaltkreises handeln, bei dem zweiten Schalter130 um den Low-Side Schalter des Halbbrückenschaltkreises. Der Stromfluss durch den Leistungstransistorschaltkreis114 bildet vorzugsweise eine Schleife, die zur Minimierung der Streuinduktivität so eng wie möglich sein soll. In praktischer Hinsicht bedeutet dies, dass der Strom entlang eines ersten Pfades hin und entlang eines zweiten Pfades zurück so erfolgen soll, dass beide Pfade so nahe wie möglich nebeneinander liegen sollen. - Die in
4 gezeigte Stromschleife4 besitzt eine Breite WSCHLEIFE, welche mit einer Breite WT1 des ersten Leistungsschalters128 und einer Breite WT2 des zweiten Leistungsschalters130 korrespondiert, sowie mit der Breite WFUGE der Fuge126 , welche die Metallisierungsabschnitte124 separiert, an denen die betreffenden Leistungsschalter128 ,130 befestigt sind. Die Breite WSCHLEIFE der Stromschleife korrespondiert außerdem mit einem Abstand DT1 zwischen einer ersten Kante132 der Fuge126 und einer Seite des ersten Leistungsschalters128 , die der Fuge126 zugewandt ist, sowie mit einem Abstand DT2 zwischen einer zweiten, entgegengesetzten Kante132' der Fuge126 und einer Seite des zweiten Leistungsschalters130 , die der Fuge126 zugewandt ist. Die Parameter WFUGE, DT1 und DT2 sind in2 dargestellt. Für eine vorgegebene Transistorbreite kann die Breite der Stromschleife verringert und dadurch die Streuinduktivität erniedrigt werden, indem die Breite WFUGE der Fuge126 minimiert wird und indem die Abstände DT1 und DT2 zwischen den Kanten132 ,132' der Fuge126 und den betreffenden Leistungsschaltern128 ,130 auf jeder Seite der Fuge126 minimiert werden. Die Chipabstände DT1 und DT2 sind begrenzt durch Herstellungsparameter wie beispielsweise Löttoleranzen, die mit der Montage der Leistungsschalter128 ,130 auf der strukturierten Metallisierung122 des Substrats118 einhergehen (z.B. muss ausreichend Abstand bereitgehalten werden, um eine Bewegung der Schalter128 ,130 während des Befestigungsprozesses zu ermöglichen). Zusätzlich müssen die Abschnitte der strukturierten Metallisierung122 , auf denen die Leistungsschalter128 ,130 befestigt sind, durch eine ausreichend breite Fuge126 voneinander getrennt sein, um eine ausreichende Isolierung zu gewährleisten, was die Möglichkeit, die Fuge126 so schmal wie möglich zu machen, begrenzt. Dieselben Abstandsbetrachtungen gelten für die Leistungsschalter134 ,136 des gespiegelten Leistungstransistorschaltkreises116 . -
5 zeigt das in1 dargestellte Leistungsmodul100 , wobei sämtliche Gleichstrompfade, die sich im Inneren und außerhalb des Leistungsmoduls100 befinden, durch entsprechende, überlagerte Pfeile hervorgehoben sind. Eine Reduktion der Streuinduktivität außerhalb des Leistungsmoduls100 erhöht außerdem die Menge an Leistung, die dem Modul100 entnommen werden kann. Die positiven (+) Gleichstrom-Leistungsanschlüsse102 und die negativen (–) Gleichstrom-Leistungsanschlüsse104 können entlang derselben Seite106 des Leistungsmoduls100 angeordnet werden, und die positiven Gleichstrom-Leistungsanschlüsse102 können miteinander gruppiert und gemeinsam zwischen einen ersten Satz200 von negativen Gleichstrom-Leistungsanschlüssen104 auf der linken Seite und einem zweiten Satz202 von negativen Gleichstrom-Leistungsanschlüssen104 auf der rechten Seite angeordnet werden, wie dies vorangehend z.B. unter Bezugnahme auf3 beschrieben wurde. Eine derartige Anordnung von Gleichstrom-Leistungsanschlüssen102 ,104 ergibt ein paralleles Band des Stromflusses, das sich von dem Leistungsmodul100 zu dem externen System erstreckt, mit dem das Modul100 verwendet wird. Dieses parallele Band von Stromflüssen ist in5 durch entsprechende Pfeile markiert und es reduziert die Streuinduktivität außerhalb des Leistungsmoduls100 . - Die vorliegend verwendetet richtungsgebundene Terminologie wie etwa "oben", "unten", "Vorderseite", "Rückseite", "vorderer", "hinterer" usw. dient dazu, die Beschreibung der Positionierung eines Elementes relativ zu einem zweiten Element zu vereinfachen. Diese Begriffe sind so zu verstehen, dass sie auch andere als die in den Figuren gezeigten Ausrichtungen der Anordnungen umfassen. Weiterhin werden Begriffe wie "erster", "zweiter" und dergleichen dazu verwendet, verschiedene Elemente, Bereiche, Abschnitte und so weiter zu bezeichnen. Weiterhin bezeichnen gleiche Begriffe in der gesamten Beschreibung gleiche Elemente.
- Es versteht sich, dass Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht im Besonderen etwas anderes angemerkt ist.
- Wenngleich vorangehend bestimmte Ausgestaltungen dargestellt und beschrieben worden sind, versteht es sich für den Fachmann, dass eine Vielzahl von alternativen und/oder äquivalenten Implementierungen die gezeigten und beschriebenen spezifischen Ausführungsformen ersetzen kann, ohne dadurch den Schutzbereich der vorliegenden Erfindung zu verlassen. Diese Anmeldung soll alle Anpassungen und Variationen der hierin erörterten spezifischen Ausgestaltungen abdecken. Deshalb soll die vorliegende Erfindung nur durch die Ansprüche und die Äquivalente davon begrenzt werden.
Claims (15)
- Leistungsmodul umfassend: ein Substrat (
118 ) mit einem isolierenden Element (120 ) und einer auf das isolierende Element (120 ) aufgebrachten strukturierten Metallisierung (122 ), wobei die strukturierten Metallisierung (122 ) zu einer Anzahl von voneinander beabstandeten Metallisierungsbereichen (124 ) segmentiert ist, wobei zueinander benachbarte der Metallisierungsbereiche (124 ) durch eine Fuge (126 ), die sich durch die strukturierte Metallisierung (122 ) hindurch bis zu dem isolierenden Element (120 ) erstreckt, voneinander beabstandet sind; einen ersten Leistungstransistorschaltkreis (114 ), der einen ersten Leistungsschalter (128 ) umfasst, der an einem ersten der Metallisierungsbereiche (124 ) befestigt ist, sowie einen zweiten Leistungsschalter (130 ), der an einem zweiten der Metallisierungsbereiche (124 ) befestigt ist, welcher zu einer ersten Seite (132 ) des ersten Metallisierungsbereichs (124 ) benachbart ist; und einen zweiten Leistungstransistorschaltkreis (116 ), der einen dritten Leistungsschalter (134 ) umfasst, der an dem ersten Metallisierungsbereich (124 ) befestigt ist, sowie einen vierten Leistungsschalter (136 ), der an einem dritten der Metallisierungsbereiche (124 ) befestigt ist, welcher benachbart zu einer zweiten Seite (138 ) des ersten Metallisierungsbereichs (124 ), die der ersten Seite (132 ) entgegengesetzt ist, angeordnet ist, wobei der zweite Leistungstransistorschaltkreis (116 ) so aufgebaut ist, dass der in ihm auftretende Stromfluss spiegelsymmetrisch ist zu einem im ersten Leitungstransistorschaltkreis (114 ) auftretenden Stromfluss. - Leistungsmodul nach Anspruch 1, bei dem der erste Leitungstransistorschaltkreis (
114 ) und der zweite Leitungstransistorschaltkreis (116 ) teilweise oder vollständig spiegelsymmetrisch zueinander aufgebaut sind. - Leistungsmodul umfassend: ein Substrat (
118 ) mit einem isolierenden Element (120 ) und einer auf das isolierende Element (120 ) aufgebrachten strukturierten Metallisierung (122 ), wobei die strukturierten Metallisierung (122 ) zu einer Anzahl von voneinander beabstandeten Metallisierungsbereichen (124 ) segmentiert ist, wobei zueinander benachbarte der Metallisierungsbereiche (124 ) durch eine Fuge (126 ), die sich durch die strukturierte Metallisierung (122 ) hindurch bis zu dem isolierenden Element (120 ) erstreckt, voneinander beabstandet sind; einen ersten Leistungstransistorschaltkreis (114 ), der einen ersten Leistungsschalter (128 ) umfasst, der an einem ersten der Metallisierungsbereiche (124 ) befestigt ist, sowie einen zweiten Leistungsschalter (130 ), der an einem zweiten der Metallisierungsbereiche (124 ) befestigt ist, welcher zu einer ersten Seite (132 ) des ersten Metallisierungsbereichs (124 ) benachbart ist; und einen zweiten Leistungstransistorschaltkreis (116 ), der einen dritten Leistungsschalter (134 ) umfasst, der an dem ersten Metallisierungsbereich (124 ) befestigt ist, sowie einen vierten Leistungsschalter (136 ), der an einem dritten der Metallisierungsbereiche (124 ) befestigt ist, welcher benachbart zu einer zweiten Seite (138 ) des ersten Metallisierungsbereichs (124 ), die der ersten Seite (132 ) entgegengesetzt ist, angeordnet ist, wobei der zweite Leistungstransistorschaltkreis (116 ) den ersten Leistungstransistorschaltkreis (114 ) spiegelt. - Leistungsmodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der erste Leistungstransistorschaltkreis (
114 ) so betrieben werden kann, dass er einen ersten Stromfluss in einer ersten Richtung erzeugt, und bei dem der zweite Leistungstransistorschaltkreis (116 ) so betrieben werden kann, dass er einen zweiten Stromfluss in einer zweiten Richtung erzeugt, die der ersten Richtung entgegengesetzt ist, so dass ein magnetisches Feld, das als Folge des ersten Stromflusses entsteht, wenigstens teilweise einem magnetischen Feld entgegenwirkt, das als Folge des zweiten Stromflusses entsteht. - Leistungsmodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der erste Leistungstransistorschaltkreis (
114 ) so betrieben werden kann, dass er eine Stromschleife durch den ersten Leistungsschalter (128 ) und den zweiten Leistungsschalter (130 ) erzeugt, wobei die Stromschleife eine Breite (WSCHLEIFE) besitzt, die mit einer Breite (WT1, WT2) des ersten Leistungsschalters (128 ) und des zweiten Leistungsschalters (130 ) korrespondiert, sowie mit einer Breite der Fuge (126 ), die den ersten Metallisierungsbereich (124 ) und den zweiten Metallisierungsbereich (124 ) trennt; einem Abstand (DT1) zwischen der ersten Kante (132 ) der Fuge (126 ) und einer Seite des ersten Leistungsschalters (128 ), die der Fuge (126 ) zugewandt ist; und einem Abstand (DT2) zwischen einer entgegengesetzten zweiten Kante (132') der Fuge (126 ) und einer Seite des zweiten Leistungsschalters (130 ), die der Fuge (126 ) zugewandt ist. - Leistungsmodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das Substrat (
118 ) ein direkt Kupfer gebondetes Substrat ist. - Leistungsmodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, das weiterhin umfasst: eine erste Anzahl von Gleichstromleistungsanschlüssen (
102 ), die zur Zuführung eines ersten Versorgungspotentials (DC+) einer ersten Polarität (+) dienen und eine zweite Anzahl von Gleichstromleistungsanschlüssen (104 ), die zur Zuführung eines zweiten Versorgungspotentials (DC–) einer zweiten Polarität (–) dienen, wobei die erste Anzahl von Gleichstromleistungsanschlüssen (102 ) und die zweite Anzahl von Gleichstromleistungsanschlüssen (104 ) entlang derselben Seite (106 ) des Leistungsmoduls (100 ) angeordnet sind, so dass die erste Anzahl von Gleichstromleistungsanschlüssen (102 ) miteinander gruppiert und gemeinsam zwischen einem ersten Satz (200 ) der zweiten Anzahl von Gleichstromleistungsanschlüssen (104 ) und einem zweiten Satz (202 ) der zweiten Anzahl von Gleichstromleistungsanschlüssen (104 ) angeordnet ist. - Leistungsmodul nach Anspruch 7, das weiterhin ein Gehäuse mit einem Kunststoffrahmen (
160 ) umfasst, in dem das Substrat (118 ), der erste Leistungstransistorschaltkreis (114 ) und der zweite Leistungstransistorschaltkreis (116 ) untergebracht sind, wobei die erste Anzahl von Gleichstromleistungsanschlüssen (102 ) und die zweite Anzahl von Gleichstromleistungsanschlüssen (104 ) entlang derselben Seite (106 ) des Kunststoffrahmens (160 ) angeordnet und in einem minimalen Abstand voneinander angeordnet sind, der einer erforderlichen Kriechstrecke des Kunststoffrahmens (160 ) entspricht. - Leistungsmodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Fuge (
126 ), die den ersten der Metallisierungsbereiche (124 ) von dem zweiten der Metallisierungsbereiche (124 ) trennt, eine erste Kante (132 ) und eine der ersten Kante (132 ) entgegengesetzte zweite Kante (132' ) aufweist, und wobei der erste Leistungsschalter (128 ) benachbart zu der ersten Kante (132 ) angeordnet und der zweite Leistungsschalter (130 ) benachbart zu der zweiten Kante (132' ) angeordnet ist. - Leistungsmodul nach Anspruch 9, bei dem ein Abstand (DT1) zwischen der ersten Kante (
132 ) der Fuge (126 ) und einer der Fuge (126 ) zugewandten Seite des ersten Leistungsschalters (128 ) kleiner oder gleich 0,5 mm ist, und bei dem ein Abstand (DT2) zwischen der zweiten Kante (132' ) der Fuge (126 ) und einer der Fuge (126 ) zugewandten Seite des zweiten Leistungsschalters (130 ) kleiner oder gleich 0,5 mm ist. - Leistungsmodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem eine Fuge, die den ersten der Metallisierungsbereiche (
124 ) und den dritten der Metallisierungsbereiche (124 ) trennt, eine erste Kante aufweist und eine der erste Kante entgegengesetzte zweite Kante, und wobei der dritte Leistungsschalter (134 ) benachbart zu der ersten Kante und der vierte Leistungsschalter (136 ) benachbart zu der zweiten Kante angeordnet sind. - Leistungsmodul nach Anspruch 11, bei dem ein Abstand zwischen der ersten Kante der Fuge und einer der Fuge zugewandten Seite des dritten Leistungsschalters (
134 ) kleiner oder gleich 0,5 mm ist, und bei dem ein Abstand zwischen der zweiten Kante der Fuge und einer der Fuge zugewandten Seite des vierte Leistungsschalters (136 ) kleiner oder gleich 0,5 mm ist. - Leistungsmodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der erste Leitungstransistorschaltkreis (
114 ) und der zweite Leitungstransistorschaltkreis (116 ) jeweils als Halbbrückenschaltkreis ausgebildet sind. - Leistungsmodul nach Anspruch 13, bei dem der erste Leistungsschalter (
128 ) ein erster High-Side Schalter ist, der zweite Leistungsschalter (130 ) ein erster Low-Side Schalter, der dritte Leistungsschalter (134 ) ein zweiter High-Side Schalter und der vierte Leistungsschalter (136 ) ein zweiter Low-Side Schalter. - Leistungsmodul nach Anspruch 13, bei dem der erste Leistungsschalter (
128 ) ein erster Low-Side Schalter ist, der zweite Leistungsschalter (130 ) ein erster High-Side Schalter, der dritte Leistungsschalter (134 ) ein zweiter Low-Side Schalter und der vierte Leistungsschalter (136 ) ein zweiter High-Side Schalter.
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