DE102014102018B3 - Leistungshalbleitermodul mit niederinduktiv ausgestalteten modulinternen Last- und Hilfsverbindungseinrichtungen - Google Patents

Leistungshalbleitermodul mit niederinduktiv ausgestalteten modulinternen Last- und Hilfsverbindungseinrichtungen Download PDF

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Matthias Spang
Eduard Faller
Lars Reusser
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Semikron Elektronik GmbH and Co KG
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Abstract

Es wird ein Leistungshalbleitermodul mit internen Last- und Hilfsverbindungseinrichtungen vorgestellt, die als Drahtbondverbindungen ausgebildet sind. Ein Substrat weist eine Mehrzahl von Last- und Hilfspotentialflächen auf, wobei auf einer ersten Lastpotentialfläche ein Leistungsschalter angeordnet ist, der ausgebildet ist als eine Mehrzahl von in Reihe angeordneten steuerbaren Leistungsteilschaltern. Die Leistungsteilschalter weisen eine Lastbondverbindung bestehend aus einer Mehrzahl Lastbonddrähten, mit einer zweiten Lastpotentialfläche, auf, wobei auf der zweiten Lastpotentialfläche ein erster Bondfuß und auf einer Kontaktfläche des Leistungsteilschalters ein benachbarter zweiter Bondfuß des jeweiligen Lastbonddrahts angeordnet ist. Die gleichmäßige, niederinduktive Ausgestaltung ergibt sich indem a) ein Steuerbonddraht zwei zugeordnete Hilfspotentialflächen miteinander elektrisch verbindet und parallel zu diesem Steuerbonddraht ein Parallelbonddraht angeordnet ist, der elektrisch nur mit einer der Lastpotentialflächen verbunden ist; b) die jeweiligen ersten Bondfüße einer Mehrzahl der zugeordneten Lastbonddrähte, vorzugsweise aller, der nicht mittig in der Reihe angeordneten Leistungsteilschalter von einem zum Rand des jeweiligen Leistungsteilschalters lotrechten und geraden Verlauf des zugeordneten Bonddrahts hin zur Mitte der Reihe der Leistungsteilschalter versetzt angeordnet sind; c) die zweite Lastpotentialfläche eine Stromflussrichtung aufweist und die Länge derjenigen Bonddrahtabschnitte der Lastbonddrähte vom ersten zum nächsten, zweiten Bondfuß von einem Leistungsteilschalter zum in Stromflussrichtung benachbarten Leistungsteilschalter zunimmt.

Description

  • Die Erfindung beschreibt ein Leistungshalbleitermodul, insbesondere in Halbbrückenanordnung, mit Last- und Hilfsanschlusselementen, insbesondere in fachüblicher Ausgestaltung, sowie mit niederinduktiv ausgestalteten modulinternen Last- und Hilfsverbindungseinrichtungen.
  • Aus dem Stand der Technik, beispielhaft offenbart in der DE 39 37 045 A1 , ist ein Leistungshalbleitermodul mit mindestens einer Halbbrücke mit drei Hauptanschlussleitungen zur Stromführung zwischen drei Modul-Hauptanschlüssen und den Halbleiterschaltern und mit einem keramischen Substrat, auf welchem Verbindungsleiterbahnen zur Verbindung der parallelen Leistungstransistoren vorhanden sind, bekannt. Hierbei bestehen zur Verringerung modulinterner Induktivitäten die drei Hauptanschlussleitungen aus breiten Bändern mit geringem Abstand zueinander.
  • Weiterhin offenbart die DE 100 37 533 C1 eine Schaltungsanordnung in Halbbrückentopologie mit geringen internen parasitären Induktivitäten. Hierzu wird vorgeschlagen, die einzelnen Leistungstransistoren der beiden Leistungsschalter in Reihe anzuordnen und fingerartige Kontaktelemente zwischen den einzelnen Leistungstransistoren anzuordnen. Mit dieser druckkontaktierten Anordnung werden sehr geringe parasitäre Induktivitäten in derartigen Schaltungsanordnungen erreicht.
  • Beiden Druckschriften gemein ist das Abstellen auf die Ausgestaltung der Lastanschlusselemente und deren Anordnung im Inneren des Leistungshalbleitermoduls ohne weiter auf die Ausgestaltung des Substrats mit hierauf angeordneten Leistungshalbleiterbauelementen und deren Verbindungseinrichtungen einzugehen.
  • In Kenntnis der genannten Gegebenheiten liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Leistungshalbleitermodul durchgängig derart auszugestalten, dass insbesondere im Rahmen vorgegebenen Standardabmessungen und fachüblicher Positionierung von Last- und Hilfsanschlusselementen die als Drahtbondverbindungen ausgebildeten modulinternen Verbindungseinrichtungen besonders gleichmäßig, niederinduktiv ausgebildet sind.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Leistungshalbleitermodul mit den Merkmalen des Anspruchs 1. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den jeweiligen abhängigen Ansprüchen beschrieben.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermodul mit Last- und Hilfsanschlusselementen zur externen Kontaktierung sind die modulinternen Last- und bevorzugt gleichzeitig oder aber alternativ die Hilfsverbindungseinrichtungen niederinduktiv ausgestaltet. Modulinterne Lastverbindungseinrichtungen sind insbesondere Drahtbondverbindungen zwischen oder zu Lastanschlusselementen, Leiterbahnen des Substrats und den Kontaktflächen der Leistungshalbleiterbauelemente.
  • Das Substrat weist hierbei eine Mehrzahl von Last- und Hilfspotentialflächen auf, wobei Hilfspotentialflächen insbesondere als Steuerpotentialflächen oder als Sensorpotentialflächen ausgebildet sind und Lastpotentialflächen positives oder negatives Gleichspannungspotential oder Wechselspannungspotential aufweisen.
  • Auf einer derartigen ersten Lastpotentialfläche ist ein Leistungsschalter angeordnet, der ausgebildet ist als eine Mehrzahl von in Reihe angeordneten steuerbaren Leistungsteilschaltern, die jeweils insbesondere als ein Feldeffekttransistor, insbesondere als ein MOS-FET, oder als ein bipolarer Transistor, insbesondere als ein IGBT, mit antiparallel geschalteter Freilaufdiode ausgebildet sind.
  • Die Leistungsteilschalter weisen jeweils eine Lastbondverbindung bestehend aus einer Mehrzahl von parallel angeordneten Lastbonddrähten, mit einer zweiten Lastpotentialfläche, auf, wobei auf der zweiten Lastpotentialfläche ein erster Bondfuß und auf einer Kontaktfläche des Leistungsteilschalters ein benachbarter zweiter Bondfuß des jeweiligen Lastbonddrahts angeordnet ist. Die modulinterne gleichmäßige, niederinduktive Ausgestaltung ergibt sich indem
    • a) ein Steuerbonddraht zwei zugeordnete Hilfspotentialflächen miteinander elektrisch verbindet und parallel zu diesem Steuerbonddraht ein Parallelbonddraht angeordnet ist, der elektrisch nur mit einer der Lastpotentialflächen verbunden ist und alternativ oder zusätzlich
    • b) die jeweiligen ersten Bondfüße einer Mehrzahl der zugeordneten Lastbonddrähte, vorzugsweise aller, der nicht mittig in der Reihe angeordneten Leistungsteilschalter von einem zum Rand des jeweiligen Leistungsteilschalters lotrechten und geraden Verlauf des zugeordneten Bonddrahts hin zur Mitte der Reihe der Leistungsteilschalter versetzt angeordnet sind und alternativ oder zusätzlich
    • c) die zweite Lastpotentialfläche eine Stromflussrichtung aufweist und die Länge derjenigen Bonddrahtabschnitte der Lastbonddrähte vom ersten zum nächsten, zweiten Bondfuß von einem Leistungsteilschalter zum in Stromflussrichtung benachbarten Leistungsteilschalter zunimmt.
  • Unter dem Verlauf eines Lastbonddrahtes soll hierbei sein gesamter Verlauf von der jeweiligen zweiten Lastpotentialfläche bis zu seinem Ende, insbesondere auch der Verlauf oberhalb eines Leistungsteilschalters einschließlich des Kontakts zu seinen Kontaktflächen verstanden werden.
  • Hierbei ist es vorteilhaft, wenn ein Parallelbonddraht eine Länge von 80% bis 120%, insbesondere von 90% bis 110%, des zugeordneten Steuerbonddrahtes aufweist. Unter der Länge eines derartigen Bonddrahts oder eines Bonddrahtabschnittes als der Länge von einem ersten Bondfuß zum benachbarten zweiten Bondfuß soll hierbei immer die geometrische Länge des Abschnittes eines Bonddrahtes gemessen von der Mitte des ersten Bondfußes über den Verlauf des Bonddrahtes zur Mitte des benachbarten zweiten Bondfußes verstanden werden.
  • In einer bevorzugten Ausgestaltung weist ein Parallelbonddraht maximal einen Abstand von dem 1,5-fachen des minimalen Sicherheitsabstandes zum zugeordneten Steuerbonddraht auf. Unter dem Sicherheitsabstand soll hierbei immer der notwendige geometrische Abstand verstanden werden, der durch Sicherheitsnormen insbesondere bezüglich der Isolationsfestigkeit oder der Personensicherheit, definiert ist. Typische Prüfspannungen hierfür liegen beispielhaft um den Faktor drei bis fünf über der Nenn-Betriebsspannung des Leistungshalbleitermoduls. Berücksichtigt hierbei wird natürlich auch die relative Dielektrizitätskonstante des Mediums zwischen dem Parallelbonddraht und dem Steuerbonddraht, das fachüblich, häufig als Silikongel, ausgebildet ist.
  • Bei geringen Potentialunterschieden, insbesondere bis zu 50V, zwischen dem Potential des Steuerbonddrahtes und demjenigen des Parallelbonddrahtes ist es bevorzugt beide so eng wie es die mechanischen Randbedingungen des Substrats gestattet benachbart zueinander anzuordnen.
  • Weitere Erläuterung der Erfindung, vorteilhafte Einzelheiten und Merkmale, ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung der in den 1 bis 6 dargestellten Ausführungsbeispiele des erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls oder von Teilen hiervon.
  • 1 bis 3 zeigen ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul in der Gesamtansicht, 1, sowie in Detailansichten, 2 und 3.
  • 4 zeigt schematisch eine dreidimensionale Teilansicht eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls.
  • 5 zeigt eine Schaltungsanordnung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls.
  • 6 zeigt eine Detailansicht eines Leistungshalbleitermoduls zur Verdeutlichung eines erfindungsrelevanten Merkmals.
  • 1 bis 3 zeigt ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul 1. 1 zeigt hierbei eine Gesamtansicht, während 5 die darin realisierte Schaltungsanordnung zeigt. Die Darstellungen in den 2 und 3 sind Detailvergrößerungen des Leistungshalbleitermoduls 1 gemäß 1.
  • Das erfindungsgemäße Leistungshalbleitermodul 1 ist ausgebildet in Halbbrückentopologie und weist somit fachüblich einen oberen Leistungsschalter 3 und einen unteren Leistungsschalter 4 auf. Beide Leistungsschalter 3, 4 sind jeweils ausgebildet mittels drei Leistungsteilschaltern 30, 32, 34, 40, 42, 44, die hier wiederum jeweils als ein IGBT 300, 320, 340 mit zugeordneter Freilaufdiode 302, 322, 342 ausgebildet sind. Diese Konfiguration mit je drei IGBTs und drei Freilaufdioden kann selbstverständlich auch ohne Beschränkung der Allgemeinheit in fachüblicher Weise abgewandelt werden.
  • Die jeweiligen Leistungsschalter 3, 4 sind auf einem ersten Substrat 2 angeordnet, das aus einem elektrisch isolierenden Grundkörper besteht auf dem eine Mehrzahl von Last- 20, 22, 24 und Hilfspotentialflächen 630, 631, in Form von elektrisch gegeneinander isolierten Leiterbahnen, angeordnet sind. Das dem oberen Leistungsschalter 3 zugeordnete Substrat 2 weist eine erste Lastpotentialfläche 20 mit positivem Gleichspannungspotential auf, auf dem auch der Leistungsschalter 3 selbst angeordnet ist. Von den dem Substrat 2 abgewandten Kontaktflächen der Leistungsteilschalter 30, 32, 34 des oberen Leistungsschalter 3 reichen Lastbondverbindungen 9 zu einer zweiten Lastpotentialfläche 22, die hier Wechselspannungspotential aufweist. Zusätzlich weist das Substrat 2 noch eine Lastpotentialfläche 24 mit negativem Gleichspannungspotential auf.
  • Das zweite Substrat, dasjenige des unteren Leistungsschalters 4 ist grundsätzlich entsprechend demjenigen des oberen Leistungsschalter 3 ausgebildet. Die Leistungsteilschalter 40, 42, 44 des unteren Leistungsschalters 4 sind hier auf einer Lastpotentialfläche 22 mit Wechselspannungspotential angeordnet, die mit der Lastpotentialfläche 22 mit Wechselspannungspotential des ersten Substrats elektrisch leitend verbunden ist. Von den dem Substrat 2 abgewandten Kontaktflächen der Leistungsteilschalter des unteren Leistungsschalters 4 reichen Lastbondverbindungen zu einer zweiten Lastpotentialfläche 24, derjenigen mit negativem Gleichspannungspotential, die mit der Lastpotentialfläche 24 mit negativem Gleichspannungspotential des ersten Substrats verbunden ist. Die Gleichspannungs-Lastanschlusselemente 10, 14 sind mit den zugeordneten Lastpotentialflächen 20, 24 des ersten Substrats elektrisch leitend verbunden, während das doppelt ausgeführte Wechselspannungs-Lastanschlusselement 12 mit der zugeordneten Lastpotentialfläche 22 des zweiten Substrats elektrisch leitend verbunden ist.
  • Die jeweiligen Leistungsteilschalter 30, 32, 34, 40, 42, 44 des oberen und unteren Leistungsschalters 3, 4 sind somit in Reihe auf einer ersten Lastpotentialfläche 20, 22 angeordnet und mit einer zweiten Lastpotentialfläche 22, 24 mittels einer Lastbondverbindung 9 verbunden. Diese zweite Lastpotentialfläche 22, 24 weist nun eine Stromflussrichtung 220, 240 auf die parallel zur Reihe der Leistungsteilschalter verläuft. Durch diese Ausgestaltung ergibt sich für jeden Leistungsteilschalter 30, 32, 34, 40, 42, 44 eine unterschiedliche stromumflossene Fläche, die direkt ein Maß für die hierdurch entstehende parasitäre Induktivität ist. Um die Werte dieser jeweiligen parasitären Induktivitäten möglichst gut aneinander anzunähern sind hier erfindungsgemäß zwei Ausgestaltungen des Leistungshalbleitermoduls 1 dargestellt, die vorzugsweise gemeinsam realisiert sein sollen.
  • Einerseits sind die ersten Bondfüße 950 der Lastbonddrähte 90, 92, 94 zur Mitte der Reihe der Leistungsteilschalter 30, 32, 34 40, 42, 44 hin verschoben angeordnet. Hierbei weist jeder Lastbonddraht 90, 92, 94 einen ersten Bondfuß 950 auf, der auf der zweiten Lastpotentialfläche 22, 24 angeordnet ist. Der Lastbonddraht 90, 92, 94, genauer sein Bonddrahtabschnitt 900, 920, 940 reicht von diesem ersten Bondfuß 950 zu einem zweiten Bondfuß 951 auf einer Kontaktfläche des zugeordneten Leistungsteilschalter 30, 32, 34, 40, 42, 44. Die jeweiligen Leistungsteilschalter sind hier als jeweils ein IGBT 300, 320, 340, 400, 420, 440 und eine zugeordnete Freilaufdiode 302, 322, 342, 402, 422, 442 ausgebildet, wobei deren Reihenfolge in der Anordnung auf der ersten Lastpotentialfläche 20, 22 grundsätzlich beliebig ist. Es kann der zweite Bondfuß 951 somit auf einer Kontaktfläche eines IGBTs oder einer Kontaktfläche einer Freilaufdiode angeordnet sein.
  • Fachüblich weist jeder Lastbonddraht 90, 92, 94 in seinem Verlauf nach dem zweiten Bondfuß 951 noch weitere Bondfüße auf der gleichen Kontaktfläche beispielhaft des IGBTs und im weiteren Verlauf auch weitere Bondfüße auf der Kontaktfläche der Freilaufdiode auf. Wie bereits erwähnt kann die Reihenfolge von IGBT und Freilaufdiode hierbei auch vertauscht sein.
  • Dadurch dass bei demjenigen in Stromflussrichtung 220, 240 ersten Leistungsteilschalter 34, 44 durch diese Maßnahme der Strompfad verkürzt wird, während bei dem in Stromflussrichtung letzten, hier dritten, Leistungsteilschalter 30, 40 der Strompfad 220, 240 verlängert wird, werden die jeweiligen parasitären Induktivitäten aneinander angeglichen, wodurch sich eine gleichmäßige, niederinduktiver Ausgestaltung ergibt. In 2 ist exemplarisch jeweils der Verlauf des Bonddrahtabschnittes 900, 920, 940 vom ersten zum zweiten Bondfuß 950, 951 eines Lastbonddrahtes 90, 92, 94 je Leistungsteilschalter 30, 32, 34 hervorgehoben.
  • Anderseits nimmt die Länge der Bonddrahtabschnitte 900, 920, 940 der Lastbonddrähte 90, 92, 94 die vom ersten zu einem nächsten zweiten Bondfuß 950, 951 reichen von einem der Leistungsteilschalter zum in Stromflussrichtung benachbarten Leistungsteilschalter zu. Die Länge der Bonddrahtabschnitte 900, 920, 940 der Lastbonddrähte 90, 92, 94 im Verlauf ab dem jeweiligen zweiten Bondfuß 951 ist in der Regel technisch bedingt, wodurch ein Einfluss auf die Länge der Lastbonddrähte nur zwischen dem ersten und zweiten Bondfuß 950, 951 möglich ist. Die zweite Ausgestaltung des Leistungshalbleitermoduls 1, also die Verlängerung des Stromweges von Leistungsteilschalter zu Leistungsteilschalter in Stromflussrichtung 200, 220, bewirkt somit die der Anpassung, im Sinne eine gleichmäßigeren Ausgestaltung, der jeweiligen genannten parasitären Induktivitäten zueinander.
  • Das Leistungshalbleitermodul 1 weist weiterhin Hilfsanschlusselemente auf, die hier ausgebildet sind als Hilfsemitteranschlüsse 50, als Temperatursensoranschlüsse 51 und als Steueranschlüsse 53, 54 zur Ansteuerung der steuerbaren Leistungsteilschalter 30, 32, 34 40, 42, 44, hier zur Ansteuerung der IGBTs 300, 320, 340, 400, 420, 440 als eine Komponente des Leistungsteilschalters. Insbesondere den Steueranschlüssen 53, 54 sind mehrere Hilfspotentialflächen 630, 631 auf dem Substrat 2 zugeordnet. Diese Hilfspotentialflächen sind jeweils mittels eines Steuerbonddrahtes 70 miteinander verbunden.
  • Parallel zu diesen Steuerbonddrähten 70 sind sog. Parallelbonddrähte 80 angeordnet, die, durch Simulationen nachgewiesen, die in den Steuerbonddrähten 70 auftretenden parasitären Induktivitäten signifikant verringern. Die Parallelbonddrähte 80 weisen einen ersten Bondfuß 850 auf einer Lastpotentialfläche 22 einen Verlauf 830 parallel zum Verlauf 730 zugeordneten Steuerbonddraht 70 und einen zweiten Bondfuß 851 auf der gleichen Lastpotentialfläche 22 auf, der auch der erst Bondfuß 850 angeordnet ist. Der Abstand 800 ist, wie in 4 dreidimensional dargestellt über den gesamten Verlauf von Steuer- 70 und Parallelbonddraht 80 gleich. Der Abstand sollte minimal sein, muss allerdings aufgrund der unterschiedlichen Potentiale einen minimalen Sicherheitsabstand aufweisen, der durch die elektrischen Parameter des Leistungshalbleitermoduls 1 festgelegt ist. In 3 ist exemplarisch jeweils der Verlauf vom ersten 750 zum zweiten Bondfuß 751 eines Steuerbonddrahtes 70 und eines zugeordneten Parallelbonddrahtes 80 hervorgehoben.
  • 4 zeigt schematisch eine entsprechende dreidimensionale Teilansicht eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls 1, wobei hier ein Steuerbonddraht 70 und ein zugeordnete Parallelbonddraht 80, wie auch deren Bondfüße 750, 751, 850, 851 dargestellt sind.
  • 6 zeigt eine schematische Detailansicht eines Leistungshalbleitermoduls zur Verdeutlichung eines erfindungsrelevanten Merkmals. Hierbei sind vier Leistungshalbleiterteilschalter 30, 32, 34, 36, sowie jeweils zugeordnete Lastbonddrähte 90, 92, 94, 96 zu einer zweiten Lastpotentialfläche dargestellt. Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung nimmt die Länge derjenigen Bonddrahtabschnitte 900, 920, 940, 960 der Lastbonddrähte 90, 92, 94, 96 vom ersten 950 zum nächsten, zweiten Bondfuß 951 von einem Leistungsteilschalter zum in Stromflussrichtung 220 benachbarten Leistungsteilschalter zu.

Claims (8)

  1. Leistungshalbleitermodul (1) mit Last- (10, 12, 14) und Hilfsanschlusselementen (50, 51, 53, 54), mit niederinduktiv ausgestalteten modulinternen Last- (9) und Hilfsverbindungseinrichtungen (7), mit einem Substrat (2) mit einer Mehrzahl von Last- (20, 22, 24) und Hilfspotentialflächen (630, 631), wobei auf einer ersten Lastpotentialfläche (20, 22) ein Leistungsschalter (3, 4) angeordnet ist, der ausgebildet ist als eine Mehrzahl von in Reihe angeordneten steuerbaren Leistungsteilschaltern (30, 32, 34, 36, 40, 42, 44), die jeweils mittels einer zugeordneten Lastbondverbindung (9) bestehend aus einer Mehrzahl von parallel angeordneten Lastbonddrähten (90, 92, 94, 96), mit einer zweiten Lastpotentialfläche (22, 24) verbunden sind, wobei auf der zweiten Lastpotentialfläche (22, 24) ein erster Bondfuß (950) und auf einer Kontaktfläche des Leistungsteilschalters ein benachbarter, zweiter Bondfuß (951) des jeweiligen Lastbonddrahts (90, 92, 94, 96) angeordnet sind, wobei a) ein Steuerbonddraht (70) zwei zugeordnete Hilfspotentialflächen (630, 631) miteinander elektrisch verbindet und parallel zu diesem Steuerbonddraht (70) ein Parallelbonddraht (80) angeordnet ist, der elektrisch nur mit einer der Lastpotentialflächen (22) verbunden ist und alternativ oder zusätzlich b) die jeweiligen ersten Bondfüße (950) einer Mehrzahl der zugeordneten Lastbonddrähte (90, 92, 94, 96) der nicht mittig in der Reihe angeordneten Leistungsteilschalter (30, 34) von einem zum Rand des jeweiligen Leistungsteilschalters (30, 34) lotrechten und geraden Verlauf des zugeordneten Lastbonddrahts (90, 92, 94, 96) hin zur Mitte der Reihe der Leistungsteilschalter (30, 32, 34, 36) versetzt angeordnet sind und alternativ oder zusätzlich c) die zweite Lastpotentialfläche (22, 24) eine Stromflussrichtung (220, 240) aufweist und die Länge derjenigen Bonddrahtabschnitte (900, 920, 940, 960) der Lastbonddrähte (90, 92, 94, 96) vom ersten (950) zum nächsten, zweiten Bondfuß (951) von einem Leistungsteilschalter zum in Stromflussrichtung (220, 240) benachbarten Leistungsteilschalter zunimmt.
  2. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei alle ersten Bondfüße (950) der zugeordneten Lastbonddrähte (90, 92, 94, 96) zur Mitte der Reihe der Leistungsteilschalter (30, 32, 34) hin versetzt angeordnet sind.
  3. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein steuerbarer Leistungsteilschalter (30, 32, 34, 36, 40, 42, 44) als ein Feldeffekttransistor, insbesondere als ein MOS-FET, oder als ein bipolarer Transistor, insbesondere als eine IGBT (300, 320, 340), mit antiparallel geschalteter Freilaufdiode (302, 322, 342) ausgebildet ist.
  4. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Lastpotentialfläche (20, 22, 24) ein positives oder negatives Gleichspannungspotential oder ein Wechselspannungspotential aufweist.
  5. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Hilfspotentialfläche (630, 631) ein Ansteuerpotential aufweist.
  6. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Parallelbonddraht (80) eine Länge von 80% bis 120%, insbesondere von 90% bis 110%, des zugeordneten Steuerbonddrahtes (70) aufweist.
  7. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei bei geringen Potentialunterschieden, insbesondere bis zu 50V, zwischen dem Potential des Steuerbonddrahtes (70) und demjenigen des Parallelbonddrahtes (80) beide so eng wie es die mechanischen Randbedingungen des Substrats (2) gestattet benachbart zueinander angeordnet sind.
  8. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Parallelbonddraht (80) maximal einen Abstand (800) von dem 1,5-fachen des minimalen Sicherheitsabstandes zum zugeordneten Steuerbonddraht (70) aufweist.
DE201410102018 2014-02-18 2014-02-18 Leistungshalbleitermodul mit niederinduktiv ausgestalteten modulinternen Last- und Hilfsverbindungseinrichtungen Active DE102014102018B3 (de)

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