DE102011075731A1 - Elektronisches Leistungsteil - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit mindestens zwei Leistungshalbleitern (1, 2), die einem Modulgehäuse angeordnet sind. Um eine kompaktere Bauweise von Stromrichtern zu ermöglichen und Störströme gegen Erde in Stromrichtern zu reduzieren umfasst das Modul – mindestens einen ersten und einen zweiten Leistungshalbleiter (1, 2) mit jeweils zwei Leistungsanschlüssen, – mindestens einen ersten und einen zweiten Kühlkörper (7, 8) – wobei der erste Kühlkörper (7) zur Abfuhr der Wärme des ersten Leistungshalbleiters (1) und der zweite Kühlkörper (8) zur Abfuhr der Wärme des zweiten Leistungshalbleiters (2) vorgesehen ist, – wobei die Kühlkörper (7, 8) galvanisch voneinander getrennt sind, – wobei ein erster Leistungsanschluss des ersten Leistungshalbleiters (1) mit dem ersten Kühlkörper (7) elektrisch leitend verbunden ist und ein zweiter Leistungsanschluss des zweiten Leistungshalbleiters (2) mit dem zweiten Kühlkörper (8) elektrisch leitend verbunden ist und – wobei der erste Kühlkörper (7) einen ersten Anschluss (9) zur Verbindung des ersten Kühlkörpers (7) mit einem ersten Potenzial und der zweite Kühlkörper (8) einen zweiten Anschluss (10) zur Verbindung des zweiten Kühlkörpers (8) mit einem zweiten, vom ersten unterschiedlichen Potenzial aufweist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit mindestens zwei Leistungshalbleitern. Die Erfindung kommt insbesondere bei Stromrichtern zum Einsatz, bei denen Halbleiterbauelemente in Chipbauweise eingesetzt werden. Beispielhaft seien hier IGBT's (Insulated Gate Bipolar Transistor) und Power-MOSFET's genannt. Diese Bauelemente werden in der Leistungselektronik üblicherweise in Form von Chips in einem Modulgehäuse verbaut.
  • Leistungselektronische Halbleitermodule umfassen ein Gehäuse mit einem im inneren befindlichen elektrisch isolierenden Substrat, auf dem Halbleiterchips aufgelötet sind. Das Substrat besteht in der Regel aus einer gut thermisch leitenden und elektrisch isolierenden Keramik. Oberseitige Anschlüsse der Chips sind üblicherweise über Bonddrähte mit Kupferbahnen verbunden, die sich auf dem Substrat befinden. Ein derartiges Substrat wird auch als DBC (Direct Bonded Copper) bezeichnet.
  • Die DBC ist ihrerseits auf der den Chips gegenüber liegenden Seite mit einer Bodenplatte verlötet. Die Bodenplatte wird wiederum auf einen Kühlkörper montiert. Somit kann die von den Halbleiterschaltern erzeugte Wärme über die wärmeleitende Keramik an die Bodenplatte und von dort auf den Kühlkörper abgegeben werden, während die Bodenplatte und somit auch der Kühlkörper elektrisch von den Halbleiterchips isoliert ist.
  • Auf der von der Bodenplatte abgewandten Seite des IGBT Modul Gehäuses befinden sich die elektrischen Anschlüsse. In einem Spannungszwischenkreisumrichter werden die Leistungsanschlüsse des IGBT Moduls über eine Zwischenkreisverschienung mit einem Zwischenkreiskondensator kontaktiert. Bei einem Stromzwischenkreisumrichter wäre hier entsprechend eine Kontaktierung mit einer Zwischenkreisdrossel vorzusehen.
  • Innerhalb eines IGBT Moduls können sich mehrere IGBT Chips befinden und somit einzelne Brücken oder Halbbrücken einer Stromrichterschaltung aufgebaut werden. Auch Freilaufdioden werden in der Regel mit in das IGBT Modul Gehäuse integriert.
  • Die Bodenplatte des IGBT Moduls ist mit dem Kühlkörper elektrisch und thermisch leitend verbunden. Die Kühlkörper sind häufig geerdet.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine kompaktere Bauweise von Stromrichtern zu ermöglichen.
  • Ferner liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, Störströme in Stromrichtern gegen Erde zu reduzieren.
  • Diese Aufgaben werden durch ein Leistungshalbleitermodul mit den Merkmalen gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Ein solches Leistungshalbleitermodul umfasst:
    • – mindestens einen ersten und einen zweiten Leistungshalbleiter mit jeweils zwei Leistungsanschlüssen,
    • – mindestens einen ersten und einen zweiten Kühlkörper,
    • – wobei der erste Kühlkörper zur Abfuhr der Wärme des ersten Leistungshalbleiters und der zweite Kühlkörper zur Abfuhr der Wärme des zweiten Leistungshalbleiters vorgesehen ist,
    • – wobei die Kühlkörper galvanisch voneinander getrennt sind,
    • – wobei ein erster Leistungsanschluss des ersten Leistungshalbleiters mit dem ersten Kühlkörper elektrisch leitend verbunden ist und ein zweiter Leistungsanschluss des zweiten Leistungshalbleiters mit dem zweiten Kühlkörper elektrisch leitend verbunden ist und
    • – wobei der erste Kühlkörper einen ersten Anschluss zur Verbindung des ersten Kühlkörpers mit einem ersten Potenzial und der zweite Kühlkörper einen zweiten Anschluss zur Verbindung des zweiten Kühlkörpers mit einem zweiten, vom ersten unterschiedlichen Potenzial aufweist.
  • Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind den abhängigen Patentansprüchen zu entnehmen.
  • Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass Stromrichter deutlich kompakter realisiert werden können, wenn die zur Kühlung der Halbeiterschalter ohnehin benötigten Kühlkörper auch zur Stromführung verwendet werden. Die Kühlkörper bestehen in der Regel aus Aluminium, welches einen vergleichsweise guten Leitwert hat. Dieser prinzipiell gute Leiter wird jedoch im Stand der Technik nicht zur Stromführung verwendet. Ebenso wenig werden gemäß Stand der Technik die hier normalerweise vorhandenen Kupferschienen oder Bleche, die zur Kontaktierung der Leistungsanschlüsse der Halbleitermodule vorgesehen sind, zur Kühlung ausgenutzt, obwohl diese sehr gute thermische Eigenschaften aufweisen.
  • Der Kerngedanke der Erfindung liegt nun darin, den über die Leistungshalbleiter fließenden Strom über die Kühlkörper zu leiten. Hierzu wird der erste Leistungsanschluss des ersten Leistungshalbleiters mit dem ersten Kühlkörper elektrisch kontaktiert. Ferner wird der zweite Leistungsanschluss des zweiten Leistungshalbleiters mit dem zweiten Kühlkörper elektrisch leitend verbunden. Verbindet man nun den ersten Kühlkörper mit einem ersten Potential und den zweiten Kühlkörper mit einem zweiten, vom ersten verschiedenen Potential, lässt sich z.B. mit Hilfe der beiden Leistungshalbleitern eine Halbbrücke aufbauen, die über die Kühlkörper mit einem Zwischenkreiskondensator kontaktiert werden kann. Die massiven, gut leitenden Kühlkörper werden hierbei nicht nur zur Kühlung der Leistungshalbleiter verwendet sondern zusätzlich auch zur Führung des über den Umrichter fließenden Stromes. Hierdurch lässt sich der Stromrichter im Vergleich zum Stand der Technik deutlich kompakter realisieren.
  • Dadurch, dass der erste Leistungsanschluss mit dem ersten Kühlkörper elektrisch leitend verbunden ist, können sich die kapazitiven Störströme schon im Zwischenkreis schließen und somit nicht mehr wie im Stand der Technik gegen Erde abfließen.
  • Die Grundidee, die Kühlkörper zur Führung des Stromes zu verwenden, lässt sich durch verschiedene Bauweisen umsetzen. Beispielsweise ist eine vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass der erste Leistungshalbleiter auf einer ersten Bodenplatte angeordnet ist und der zweite Leistungshalbleiter auf einer zweiten Bodenplatte und die Leistungshalbleiter und Bodenplatten in einem gemeinsamen Modulgehäuse angeordnet sind, wobei die Bodenplatten galvanisch voneinander getrennt sind. Die Anordnung der jeweiligen Leistungshalbleiter auf der zugehörigen Bodenplatte muss derart gestaltet sein, dass neben der rein mechanischen Befestigung des Leistungshalbleiterchips auch ein Wärmeübergang vom Chip auf die zugehörige Bodenplatte gewährleistet ist. So kann beispielsweise zwischen Chip und Bodeplatte wie aus dem Stand der Technik bekannt eine wärmeleitende Keramik vorgesehen werden.
  • Zur Kontaktierung des ersten und zweiten Leistungsanschlusses kann jeweils ein flexibler Anschluss von der Anschlussklemme des Leistungshalbleitermoduls zum Kühlkörper gelegt werden. Alternativ kann jedoch in weiterer vorteilhafter Ausgestaltung der Erfindung der erste Leistungsanschluss über die erste Bodenplatte mit dem ersten Kühlkörper elektrisch und thermisch leitend verbunden werden und der zweite Leistungsanschluss über die zweiten Bodenplatte mit dem zweiten Kühlkörper elektrisch und thermisch leitend verbunden werden. Auf diese Art und Weise lassen sich sogar besagte flexible Zwischenkreisanschlüsse zwischen den Anschlussklemmen des Modulgehäuses und den Kühlkörpern einsparen. Die elektrische Verbindung zwischen Leistungsanschluss und Bodenplatte kann innerhalb des Modulgehäuses verwirklicht werden.
  • Eine Verbindung zwischen den Bodenplatten und dem Kühlkörper kann hierbei in weiterer vorteilhafter Ausgestaltung der Erfindung dadurch realisiert werden, dass die Bodenplatten zur elektrischen Kontaktierung mit den zugehörigen Kühlkörpern verschraubt sind. Innerhalb des Moduls werden hierbei Verbindungen von den Chipanschlüssen zur Bodenplatte beispielsweise mittels Bonddrähten realisiert. Die elektrische Verbindung zwischen der Bodenplatte und dem Kühlkörper geschieht durch die Verschraubung.
  • Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung kann ein herkömmliches handelsübliches Bodenplatten-Modul zum Einsatz kommen. Denn hierbei sind die Leistungshalbleiter auf einer gemeinsamen Bodenplatte angeordnet, und diese gemeinsame Bodenplatte ist lediglich mit dem ersten Kühlkörper elektrisch leitend verbunden.
  • Besonders kompakt wird eine derartige Anordnung in weiterer vorteilhafter Ausgestaltung dadurch, dass die Kühlkörper Kühlrippen aufweisen und die Kühlrippen des ersten Kühlkörpers mäanderförmig in die Kühlrippen des zweiten Kühlkörpers eingreifen.
  • Das erfindungsgemäße Leistungshalbleitermodul bzw. eine der zuvor angesprochenen vorteilhaften Ausführungsformen lassen sich besonders gewinnbringend in einem Zwischenkreisumrichter integrieren. Besonders kompakt lässt sich demnach ein Umrichter mit einem Leistungshalbleitermodul nach einer der zuvor genannten Ausführungsformen und einem Zwischenkreisenergiespeicher gestalten, der einen ersten Pol aufweist, der mit dem ersten Anschluss des ersten Kühlkörpers elektrisch leitend verbunden ist und einen zweiten Pol, der mit dem zweiten Anschluss des zweiten Kühlkörpers elektrisch leitend verbunden ist.
  • Der besagte Zwischenkreisenergiespeicher kann hierbei als Kondensator ausgebildet sein. Jedoch ist auch eine Anwendung der Erfindung denkbar, bei der der Zwischenkreisenergiespeicher als Drossel ausgebildet ist und die Erfindung somit in einem Stromzwischenkreisumrichter eingesetzt wird.
  • Im Folgenden wird die Erfindung anhand der in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiele näher beschrieben und erläutert. Es zeigen:
  • 1 einen aus dem Stand der Technik bekanntem Aufbau eines Umrichters,
  • 2 einen Umrichteraufbau gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung,
  • 3 einen Umrichteraufbau gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung,
  • 4 einen Umrichteraufbau gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung, und
  • 5 einen Schaltskizze einer Ausführungsform eines Umrichters nach der vorliegenden Erfindung
  • 1 zeigt einen aus dem Stand der Technik bekannten Aufbau eines Umrichters. Dargestellt ist hier ein IGBT Modul 20 und dessen Anbindung an einen Zwischenkreiskondensator 22 des Umrichters. Innerhalb des IGBT Moduls 20 ist eine Halbbrücke realisiert. Somit befinden sich in einem IGBT Modulgehäuse zwei IGBT Chips und zugehörige Freilaufdioden. Das IGBT Modul 20 ist über eine nicht dargestellte Wärmeleitpaste bodenplattenseitig auf einem Kühlkörper 30 montiert. Die Leistungsanschlüsse des IGBT Moduls 20 sind an der dem Kühlkörper 30 gegenüberliegenden Seite des Modulgehäuses angeordnet.
  • Ein erster Leistungsanschluss des IGBT Moduls 20 ist über ein Kontaktstück 21 mit einer ersten Zwischenkreischiene 23 verbunden, die einen elektrischen Kontakt zu einem ersten Pol des Zwischenkreiskondensators 22 herstellt. Ein weiterer Leistungsanschluss des IGBT Moduls 20 ist über eine zweite Zwischenkreisverschiene 29 angebunden. Die beiden Schienen 23, 29 der Zwischenkreisverschienung sind durch eine Isolation 24 voneinander getrennt.
  • Innerhalb des IGBT Moduls 20 befinden sich die IGBT Chips und die Freilaufdioden auf einer elektrisch isolierenden thermische jedoch sehr gut leitenden Keramik. Diese bildet eine elektrische Isolation der IGBT Chips gegenüber der hier nicht explizit dargestellten Bodenplatte des IGBT Moduls 20, die über die Wärmeleitpaste mit dem Kühlkörper 30 elektrisch und thermisch in Verbindung steht. Bodenplatte und Kühlkörper 30 sind bei diesem aus dem Stand der Technik bekannten IGBT Modul 20 häufig mit Erdpotential verbunden.
  • Die Aufgabenverteilung der dargestellten Elemente in diesem Stromrichteraufbau ist klar getrennt. Der Kühlkörper 30 dient lediglich zur Wärmeabfuhr der in den IGBT Chips und Freilaufdioden entstehenden Verlustwärme. Die Zwischenkreisschienen 23, 29 dienen zur Führung der u.U. sehr hohen Ströme.
  • Zwischen den Leistungskontakten des IGBT Moduls 20 und dem Kühlkörper 30 können sehr hohe Potentialunterschiede auftreten, die mit der Schaltfrequenz des IGBT Moduls alternieren. Dies hat parasitäre Ströme über die Koppelkapazität zwischen den IGBT Chips und dem Kühlkörper 30 zur Folge.
  • 2 zeigt einen Umrichteraufbau gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Der Aufbau enthält ein erstes Modulgehäuse 14 und ein zweites Modulgehäuse 15, wobei das erste Modulgehäuse 14 auf einem ersten Kühlkörper 7 montiert ist und das zweite Modulgehäuse 15 auf einem zweiten Kühlkörper 8 montiert ist. Der erste Kühlkörper 7 ist über ein Verbindungsstück 9 mit dem Pluspol 34 eines Zwischenkreiskondensators kontaktiert. Der zweite Kühlkörper 8 ist über ein zweites Zwischenstück 10 mit dem Minuspol 35 des Zwischenkreiskondensators elektrisch leitend verbunden.
  • Innerhalb des ersten Modulgehäuses 14 befinden sich ein erster Leistungshalbleiter und ein zweiter Leistungshalbleiter in Chipbauweise. Neben diesen Leistungshalbleitern können sich selbstverständlich auch noch weitere Chips in dem Modul befinden, die jedoch zum Verständnis der Erfindung nicht wesentlich sind. Die beiden Leistungshalbleiter sind in Reihe zueinander verschaltet um eine Halbbrücke eines 2-phasigen Brückenumrichters auszubilden. Es handelt sich bei den Leistungshalbleitern um IGBT-Chips, deren Leistungsanschlüsse als Emitter und Kollektor bezeichnet werden.
  • Ein erster Leistungsanschluss des ersten Leistungshalbleiters, der Kollektor, ist im Innern des Leistungshalbleitermoduls mit einer ersten Anschlussklemme 31 des Moduls verbunden. Über einen ersten flexiblen Anschluss 25 ist diese erste Anschlussklemme 31 mit dem ersten Kühlkörper 7 elektrisch leitend verbunden. Somit kann ein Strom vom ersten Leistungsanschluss des ersten Leistungshalbleiters über den ersten flexiblen Anschluss 25, den ersten Kühlkörper 7, das erste Verbindungsstück 9 zum Pluspol 34 des Zwischenkreiskondensators geführt werden.
  • Ein zweiter Leistungsanschluss des zweiten Leistungshalbleiters, nämlich dessen Emitter, ist im Innern des Leistungshalbleitermoduls mit einer zweiten Anschlussklemme 32 des Moduls verbunden. Über einen zweiten flexiblen Anschluss 33 ist diese zweite Anschlussklemme 32 mit dem zweiten Kühlkörper 8 elektrisch leitend verbunden. Somit kann ein Strom vom zweiten Leistungsanschluss des zweiten Leistungshalbleiters über den zweiten flexiblen Anschluss 33, den zweiten Kühlkörper 8, das zweite Verbindungsstück 10 zum Minuspol 35 des Zwischenkreiskondensators 22 geführt werden.
  • Der Kollektor des zweiten Leistungshalbleiters ist mit dem Emitter des ersten Leistungshalbleiters im Innern des Moduls beispielsweise über Bonddrähte verbunden.
  • Ähnlich verhält es sich mit dem zweiten Leistungshalbleitermodul, welches ein zweites Modulgehäuse 15 umfasst. Dieses bildet die zweite Halbbrücke des B2-Brückenumrichters. Die Verschaltung der hierin enthaltenen Chips und deren Anschlüsse sind analog zu der des ersten Leistungshalbleitermoduls. Auch hier werden die Anschlussklemmen des Moduls mittels weiterer flexibler Anschlüsse 26, 27 mit den Kühlkörpern 7, 8 verbunden.
  • Erster und zweiter Kühlkörper 7, 8 sind mäanderförmig ineinander geschachtelt, um einen kompakten Aufbau zu realisieren. Die dargestellten Leistungshalbleitermodule können handelsübliche Bodenplatten aufweisen, da sie jeweils nur mit einem der Kühlkörper 7, 8 elektrisch verbunden sind.
  • 3 zeigt einen Umrichteraufbau gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Hier wird der Pluspol des Zwischenkreiskondensators 22 über den ersten Kühlkörper 7 kontaktiert. Auch hierzu ist eine flexible Verbindung zwischen einer ersten Anschlussklemme 31 des IGBT Moduls 13 und dem ersten Kühlkörper 7 vorgesehen, um vom Leistungshalbleiter Strom über den Kühlkörper zum Zwischenkreiskondensator leiten zu können.
  • Analog ist der zweite Kühlkörper 8 über einen zweiten flexiblen Anschluss 33 mit einem zweiten Leistungsanschluss eines zweiten IGBT Chips innerhalb des Leistungshalbleitermoduls 13 in Verbindung. Über den zweiten Kühlkörper 8 wird ein Kontakt zum Minuspol des Zwischenkreiskondensators 22 hergestellt.
  • Bei dieser Ausführungsform müssen die im Modulgehäuse 13 untergebrachten ersten und zweiten Leistungshalbleiter auf galvanisch voneinander getrennten Bodenplatten angeordnet sein. Der erste Leistungshalbleiter muss sich auf einer ersten Bodenplatte befinden, die auf dem ersten Kühlkörper 7 montiert ist und der zweite Leistungshalbleiter muss sich auf einer zweiten Bodenplatte befinden, die auf dem zweiten Kühlkörper 8 montiert ist.
  • 4 zeigt einen Umrichteraufbau gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung. Bei dieser Ausführungsform kann auf die zuvor erwähnten flexiblen Anschlüsse zwischen den äußeren Klemmen des Modulgehäuses und den Kühlkörpern verzichtet werden. Das dargestellte gemeinsame Modulgehäuse 13 enthält sowohl den ersten Leistungshalbleiter 1 als auch den zweiten Leistungshalbleiter 2. Auch hier sei angenommen, dass es sich bei den beiden Leistungshalbleitern 1, 2 um IGBT Chips handelt. Die IGBT Chips sind zunächst auf einer Isolation 28 aufgebondet. Hierbei handelt es sich in der Regel um eine DBC (Direct Bonded Copper). Diese ist wiederum jeweils auf einer Bodenplatte 11, 12 angebracht. Auf der Isolationskeramik befinden sich Kupferleiter. Diese werden mit Hilfe von Bonddrähten 3, ..., 6 mit den Leistungs- und Steueranschlüssen der IGBT Chips verbunden. Ein erster Bonddraht 3 verbindet den Kollektor des ersten IGBT-Chips mit der DBC während ein zweiter Bonddraht 6 den Emitter des zweiten IGBT Chips mit der DBC verbindet. Weiterhin sind Bonddrähte 37 zwischen den Kupferleitungen der DBC und den Bodenplatten 11, 12 vorgesehen. Auf diese Art und Weise wird der erste Leistungsanschluss des ersten IGBT Chips (Kollektor) mit der ersten Bodenplatte 11 verbunden und der zweite Leistungsanschluss (Emitter) des zweiten IGBT Chips mit der zweiten Bodenplatte 12. Die beiden Bodenplatten 11, 12 sind jeweils mit einem ersten bzw. zweiten Kühlkörper 7, 8 elektrisch und thermisch verbunden. Eine solche elektrische Verbindung kann beispielsweise durch eine Verschraubung der Bodenplatten 11, 12 mit den Kühlkörpern 7, 8 realisiert werden.
  • Nicht dargestellt ist eine elektrische Verbindung des ersten Kühlkörpers 7 mit dem Pluspol eines Zwischenkreiskondensators und des zweiten Kühlkörpers 8 mit einem Minuspol des Zwischenkreiskondensators.
  • 5 zeigt eine Schaltskizze einer Ausführungsform eines Umrichters nach der vorliegenden Erfindung. Dargestellt ist der ausgangsseitige Wechselrichter eines Frequenzumrichters mit Gleichspannungszwischenkreis. Der eingangsseitige Gleichrichter ist hier zur Vereinfachung nicht dargestellt. Innerhalb eines Moduls kann beispielsweise ein erster Leistungshalbleiter 1 und ein zweiter Leistungshalbleiter 2 angeordnet sein. Die hier wiederum als IGBT Chips ausgeführten Leistungshalbleiterbauelemente bilden eine Halbbrücke des ausgangsseitigen Wechselrichters. Ein erster Leistungsanschluss (Kollektor) des ersten IGBT 1 ist mit dem Pluspol 34 des Zwischenkreiskondensators 22 verbunden. Der Emitteranschluss des zweiten IGBT Chips 2 ist wiederum mit dem Minuspol 35 des Zwischenkreiskondensators 22 verbunden. Die Verbindung zwischen dem ersten Leistungsanschluss 9 des ersten Leistungsbauelementes 1 und dem Pluspol 34 des Kondensators 22 geschieht über den ersten Kühlkörper. Während die Verbindung zwischen dem Minuspol 35 des Zwischenkreiskondensators 22 und dem Emitter des zweiten IGBT Chips 2 über den zweiten Kühlkörper realisiert ist. Zusätzlich zu den beiden IGBTs der Halbbrücke sind auch antiparallele Freilaufdioden mit in dem Modul angeordnet.

Claims (9)

  1. Leistungshalbleitermodul umfassend – mindestens einen ersten und einen zweiten Leistungshalbleiter (1, 2) mit jeweils zwei Leistungsanschlüssen, – mindestens einen ersten und einen zweiten Kühlkörper (7, 8) – wobei der erste Kühlkörper (7) zur Abfuhr der Wärme des ersten Leistungshalbleiters (1) und der zweite Kühlkörper (8) zur Abfuhr der Wärme des zweiten Leistungshalbleiters (2) vorgesehen ist, – wobei die Kühlkörper (7, 8) galvanisch voneinander getrennt sind, – wobei ein erster Leistungsanschluss des ersten Leistungshalbleiters (1) mit dem ersten Kühlkörper (7) elektrisch leitend verbunden ist und ein zweiter Leistungsanschluss des zweiten Leistungshalbleiters (2) mit dem zweiten Kühlkörper (8) elektrisch leitend verbunden ist und – wobei der erste Kühlkörper (7) einen ersten Anschluss (9) zur Verbindung des ersten Kühlkörpers (7) mit einem ersten Potenzial und der zweite Kühlkörper (8) einen zweiten Anschluss (10) zur Verbindung des zweiten Kühlkörpers (8) mit einem zweiten, vom ersten unterschiedlichen Potenzial aufweist.
  2. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei die Leistungshalbleiter (1, 2) als IGBTs ausgebildet sind.
  3. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2, wobei der erste Leistungshalbleiter (1) auf einer ersten Bodenplatte (11) angeordnet ist und der zweite Leistungshalbleiter (2) auf einer zweiten Bodenplatte (12) angeordnet ist und die Leistungshalbleiter (1, 2) und Bodenplatten (11, 12) in einem gemeinsamen Modulgehäuse (13) angeordnet sind, wobei die Bodenplatten (7, 8) galvanisch voneinander getrennt sind.
  4. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 3, wobei der erste Leistungsanschluss (3) über die erste Bodenplatte (11) mit dem ersten Kühlkörper (7) elektrisch und thermisch leitend verbunden ist und der zweite Leistungsanschluss (6) über die zweite Bodenplatte (12) mit dem zweiten Kühlkörper (8) elektrisch und thermisch leitend verbunden ist.
  5. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 4, wobei die Bodenplatten (11, 12) zur elektrischen Kontaktierung mit den zugehörigen Kühlkörpern (7, 8) verschraubt sind.
  6. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Leistungshalbleiter (1, 2) auf einer gemeinsamen Bodenplatte angeordnet sind und diese gemeinsame Bodenplatte lediglich mit dem ersten Kühlkörper (7) elektrisch leitend verbunden ist.
  7. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Kühlkörper (7, 8) Kühlrippen aufweisen und die Kühlrippen des ersten Kühlkörpers (7) mäanderförmig in die Kühlrippen des zweiten Kühlkörpers (8) eingreifen. (2)
  8. Umrichter (19) mit einem Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche und einem Zwischenkreisenergiespeicher, der einen ersten Pol (34) aufweist, der mit dem ersten Anschluss (9) des ersten Kühlkörpers (7) elektrisch leitend verbunden ist und einen zweiten Pol (35), der mit dem zweiten Anschluss (10) des zweiten Kühlkörpers (8) elektrisch leitend verbunden ist.
  9. Umrichter (19) nach Anspruch 8, wobei der Zwischenkreisenergiespeicher als Kondensator (22) ausgebildet ist.
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