KR20150097420A - 저인덕턴스 구성의 모듈-내부 부하 및 보조 연결 장치들을 포함하는 전력 반도체 모듈 - Google Patents

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KR20150097420A
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스팡 마티어스
팔러 에두아르트
레우버 라스
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세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지
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Abstract

와이어 본딩 연결부들로 구현된 내부 부하 및 보조 연결 장치들을 포함하는 전력 반도체 모듈이 제시된다. 기판이 복수의 부하 및 보조 전위 영역들을 구비하되, 전력 스위치가 제1 부하 전위 영역 상에 배치되며, 직렬로 배치되는 복수의 제어 가능한 전력 서브스위치들로 구현된다. 전력 서브스위치들은 제2 부하 전위 영역에 대한 복수의 부하 본딩 와이어들로 구성된 부하 본딩 연결부를 구비하되, 제1 본딩 베이스가 제2 부하 전위 영역 상에 배치되며, 각각의 부하 본딩 와이어의 인접한 제2 본딩 베이스가 전력 서브스위치의 접촉 영역 상에 배치된다. 균일한 저인덕턴스 구성은, a) 제어 본딩 와이어가 2개의 배정된 보조 전위 영역들을 서로 전기적으로 연결하고, 병렬 본딩 와이어가 상기 제어 본딩 와이어에 병렬로 배치되며, 부하 전위 영역들 중 하나에만 전기적으로 연결된다는 점; b) 직렬로 중앙에 배치되지 않은 전력 서브스위치들의 복수의 배정된 부하 본딩 와이어들, 바람직하게는 모든 배정된 부하 본딩 와이어들의 각각의 제1 본딩 베이스들이 배정된 부하 본딩 와이어의 직선형 코스로부터 오프셋된 방식으로 배치되며, 상기 직선형 코스는 일련의 전력 서브스위치들의 중심을 향해 각각의 전력 서브스위치의 가장자리에 수직이라는 점; c) 제2 부하 전위 영역이 전류 유동 방향을 가지며, 제1 본딩 베이스에서 가장 가까운 제2 본딩 베이스까지의 부하 본딩 와이어들의 본딩 와이어 섹션들의 길이가 하나의 전력 서브스위치에서 전류 유동 방향으로 인접한 전력 서브스위치까지 증가한다는 점에 의해 달성된다.

Description

저인덕턴스 구성의 모듈-내부 부하 및 보조 연결 장치들을 포함하는 전력 반도체 모듈{POWER SEMICONDUCTOR MODULE COMPRISING MODULE-INTERNAL LOAD AND AUXILIARY CONNECTION DEVICES OF LOW-INDUCTANCE CONFIGURATION}
본 발명은, 특히 당해 기술분야에서 일반적인 구성의 부하 및 보조 단자 소자들을 포함하며, 또한 저인덕턴스 구성의 모듈-내부 부하 및 보조 연결 장치들을 포함하는, 특히 하프-브리지(half-bridge) 배치의 전력 반도체 모듈을 기재한다.
DE　39　37　045　A1에 예로써 개시된 선행 기술에는, 병렬 전력 트랜지스터들을 연결하기 위한 연결 도체 트랙들이 존재하는 세라믹 기판을 포함하며, 3개의 모듈 주요 단자들과 반도체 스위치들 사이에 전류를 전달하기 위한 3개의 주요 단자 라인들을 포함하는 적어도 하나의 하프-브리지를 포함하는 전력 반도체 모듈이 개시되어 있다. 이 경우, 모듈-내부 인덕턴스를 감소시키기 위해, 3개의 주요 단자 라인들은 서로로부터 가까운 거리에 있는 광폭 스트립들로 구성된다.
또한, DE　100　37　533　A1에는, 낮은 내부 기생 인덕턴스를 가진 하프-브리지 토폴로지의 회로 장치가 개시되어 있다. 이를 위해, 2개의 전력 스위치들의 개별 전력 트랜지스터들을 직렬로 배치하고, 개별 전력 트랜지스터들 사이에 핑거형 접촉 소자들을 배치하는 것이 제안된다. 이러한 압접 배치에 의해, 이 회로 장치에서 매우 낮은 기생 인덕턴스를 달성한다.
두 문헌은 공통적으로, 전력 반도체 부품들이 배치되는 기판의 구성 및 이들의 연결 장치들의 구성을 추가로 고려함 없이, 부하 단자 소자들의 구성 및 전력 반도체 모듈 내부에서의 이들의 배치와 관련된다.
전술한 조건을 인지한 상태에서, 본 발명은, 특히 부하 및 보조 단자 소자들의 기정의된 표준 치수들 및 기술적으로 일반적인 위치지정의 범위 내에서, 와이어 본딩 연결부들로 구현되는 모듈-내부 연결 장치들이 특히 균일한 저인덕턴스 방식으로 구현되도록 철저히 전력 반도체 모듈을 구성하려는 목적에 기반한다.
상기 목적은 청구항 제1항의 특징부를 포함하는 전력 반도체 모듈에 의해 본 발명에 따라 달성된다. 바람직한 구현 예들이 각각의 종속항들에 기재되어 있다.
외부 접촉 형성을 위한 부하 및 보조 단자 소자들을 포함하는 본 발명에 따른 전력 반도체 모듈의 경우, 모듈-내부 부하 연결 장치들 및 바람직하게는 동시에 또는 대안적으로 보조 연결 장치들은 저인덕턴스 구성으로 이루어진다. 모듈-내부 부하 연결 장치들은 특히, 전력 반도체 부품들의 접촉 영역들, 기판의 도체 트랙들, 및 부하 단자 소자들 사이의 또는 이들에 대한 와이어 본딩 연결부들이다.
이 경우, 기판은 복수의 부하 및 보조 전위 영역들을 구비하되, 보조 전위 영역들은 특히 제어 전위 영역들 또는 센서 전위 영역들로 구현되며, 부하 전위 영역들은 양 또는 음의 DC 전압 전위 또는 AC 전압 전위를 가진다.
전력 스위치가 이러한 제1 부하 전위 영역 상에 배치되며, 직렬로 배치되는 복수의 제어 가능한 전력 서브스위치들로 구현되고, 전력 서브스위치들은 각각의 경우 특히 전계 효과 트랜지스터, 특히 MOS-FET, 또는 바이폴라 트랜지스터, 특히 IGBT로 구현되고, 프리휠링 다이오드가 병렬로 리버스-연결된다.
전력 서브스위치들은 각각의 경우 제2 부하 전위 영역에 대한 복수의 병렬-배치된 부하 본딩 와이어들로 구성된 부하 본딩 연결부를 구비하되, 제1 본딩 베이스가 제2 부하 전위 영역 상에 배치되며, 각각의 부하 본딩 와이어의 인접한 제2 본딩 베이스가 전력 서브스위치의 접촉 영역 상에 배치된다. 모듈-내부의 균일한 저인덕턴스 구성은,
a) 제어 본딩 와이어가 2개의 배정된 보조 전위 영역들을 서로 전기적으로 연결하고, 병렬 본딩 와이어가 상기 제어 본딩 와이어에 병렬로 배치되며, 부하 전위 영역들 중 하나에만 전기적으로 연결된다는 점, 및 대안적으로 또는 추가적으로,
b) 직렬로 중앙에 배치되지 않은 전력 서브스위치들의 복수의 배정된 부하 본딩 와이어들, 바람직하게는 모든 배정된 부하 본딩 와이어들의 각각의 제1 본딩 베이스들이 배정된 부하 본딩 와이어의 직선형 코스로부터 오프셋된 방식으로 배치되며, 상기 직선형 코스는 일련의 전력 서브스위치들의 중심을 향해 각각의 전력 서브스위치의 가장자리에 수직이라는 점, 및 대안적으로 또는 추가적으로,
c) 제2 부하 전위 영역이 전류 유동 방향을 가지며, 제1 본딩 베이스에서 가장 가까운 제2 본딩 베이스까지의 부하 본딩 와이어들의 본딩 와이어 섹션들의 길이가 하나의 전력 서브스위치에서 전류 유동 방향으로 인접한 전력 서브스위치까지 증가한다는 점에 의해 달성된다.
이 경우, 부하 본딩 와이어의 코스는 각각의 제2 부하 전위 영역에서 그 단부까지의 전체 코스, 특히 또한 그 접촉 영역들과의 접촉을 포함하는 전력 서브스위치 위의 코스를 의미하는 것으로 이해되어야 한다.
이 경우, 병렬 본딩 와이어가 배정된 제어 본딩 와이어의 80% 내지 120%, 특히 90% 내지 110%의 길이를 가진다면 유리하다. 이 경우, 제1 본딩 베이스에서 인접한 제2 본딩 베이스까지의 길이와 같은 본딩 와이어 또는 본딩 와이어 섹션의 길이는, 본딩 와이어의 코스 상의 제1 본딩 베이스의 중심에서 인접한 제2 본딩 베이스의 중심까지 측정된 본딩 와이어의 섹션의 기하학적 길이를 의미하는 것으로 항상 이해되어야 한다.
하나의 바람직한 구성에서, 병렬 본딩 와이어는 최대로는 배정된 제어 본딩 와이어로부터 최소 안전 거리의 1.5배의 거리에 있다. 이 경우, 안전 거리는 특히 사용자들의 안전 또는 절연 내력에 관한 안전 기준에 의해 한정된 필요 기하학적 거리를 의미하는 것으로 항상 이해되어야 한다. 이와 관련하여, 통상적인 시험 전압은 예컨대 전력 반도체 모듈의 정격 작동 전압의 3배 내지 5배 더 크다. 이 경우, 병렬 본딩 와이어와 제어 본딩 와이어 사이의 메디안의 상대 유전율이 또한 고려됨은 물론이고, 상기 메디안은 기술적으로 일상적인 방식으로 종종 실리콘 겔로 구현된다.
제어 본딩 와이어의 전위와 병렬 본딩 와이어의 전위 사이의 전위차가 낮은 경우(특히, 50V 이하), 양자는 기판의 기계적 경계 조건에 의해 허용되는 한 서로 매우 인접하게 배치되는 것이 바람직하다.
본 발명은, 부하 및 보조 단자 소자들의 기정의된 표준 치수들 및 기술적으로 일반적인 위치지정의 범위 내에서, 와이어 본딩 연결부들로 구현되는 모듈-내부 연결 장치들이 특히 균일한 저인덕턴스 방식으로 구현되는 효과가 있다.
본 발명의 추가 설명, 유리한 상세 및 특징은 도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같은 본 발명에 따른 전력 반도체 모듈 또는 그 부품들의 예시적인 구현예들에 대한 후술하는 설명에서 명백해진다.
도 1 내지 도 3은 본 발명에 따른 전력 반도체 모듈을 도시하되, 도 1은 전체도, 도 2 및 도 3은 상세도이다.
도 4는 본 발명에 따른 전력 반도체 모듈의 3차원 부분도를 개략적으로 도시한다.
도 5는 본 발명에 따른 전력 반도체 모듈의 회로 장치를 도시한다.
도 6은 본 발명과 관련된 특징을 도시하기 위해 전력 반도체 모듈의 상세도를 도시한다.
도 1 내지 도 3은 본 발명에 따른 전력 반도체 모듈(1)을 도시한다. 여기서 도 1은 전체도를 도시하고, 도 5는 그 안에 구현되는 회로 장치를 도시한다. 도 2 및 도 3의 도해는 도 1에 따른 전력 반도체 모듈(1)의 확대 상세도이다.
본 발명에 따른 전력 반도체 모듈(1)은 하프-브리지 토폴로지로 구현되고, 그에 따라 기술적으로 일반적인 방식으로 상부 전력 스위치(3) 및 하부 전력 스위치(4)를 구비한다. 양 전력 스위치(3, 4)는 각각의 경우 3개의 전력 서브스위치들(30, 32, 34, 40, 42, 44)에 의해 구현되며, 여기서 전력 서브스위치들은 각각의 경우 배정된 프리휠링 다이오드(302, 322, 342)와 함께 IGBT(300, 320, 340)로 구현된다. 각각 3개의 IGBT들 및 3개의 프리휠링 다이오드들을 구비한 이러한 구성이 또한 보편성을 제한하지 않으면서 기술적으로 일반적인 방식으로 수정될 수 있다는 것은 말할 필요도 없다.
각각의 전력 스위치들(3, 4)은 서로로부터 전기절연된 도체 트랙들의 형태의 복수의 부하 전위 영역들(20, 22, 24) 및 보조 전위 영역들(630, 631)이 배치되어 있는 전기절연 본체로 구성된 제1 기판(2) 상에 배치된다. 상부 전력 스위치(3)에 배정된 기판(2)은 양의 DC 전압 전위를 가진 제1 부하 전위 영역(20)을 구비하고, 그 위에 전력 스위치(3) 자체가 또한 배치된다. 부하 본딩 연결부들(9)이 기판(2)을 등지는 상부 전력 스위치(3)의 전력 서브스위치들(30, 32, 34)의 접촉 영역들로부터 AC 전압 전위를 가진 제2 부하 전위 영역(22)으로 연장된다. 아울러, 기판(2)은 또한 음의 DC 전압 전위를 가진 부하 전위 영역(24)을 구비한다.
제2 기판, 즉 하부 전력 스위치(4)의 기판은 원칙적으로 상부 전력 스위치(3)의 기판에 상응하는 방식으로 구현된다. 여기서 하부 전력 스위치(4)의 전력 서브스위치들(40, 42, 44)은 AC 전압 전위를 가진 부하 전위 영역(22) 상에 배치되며, 부하 전위 영역(22)은 제1 기판의 AC 전압 전위를 가진 부하 전위 영역(22)에 전기전도적으로 연결된다. 부하 본딩 연결부들이 기판(2)을 등지는 하부 전력 스위치(4)의 전력 서브스위치의 접촉 영역들로부터 음의 DC 전압 전위를 가진 제2 부하 전위 영역(24)으로 연장되고, 제2 부하 전위 영역(24)은 제1 기판의 음의 DC 전압 전위를 가진 부하 전위 영역(24)에 연결된다. DC 전압 부하 단자 소자들(10, 14)이 제1 기판의 배정된 부하 전위 영역들(20, 24)에 전기전도적으로 연결되는 동안, 이중 구현된 AC 전압 부하 단자 소자(12)는 제2 기판의 배정된 부하 전위 영역(22)에 전기전도적으로 연결된다.
따라서, 상부 및 하부 전력 스위치들(3, 4)의 각각의 전력 서브스위치들(30, 32, 34, 40, 42, 44)은 제1 부하 전위 영역(20, 22) 상에 직렬로 배치되며, 부하 본딩 연결부(9)에 의해 제2 부하 전위 영역(22, 24)에 연결된다. 이후, 상기 제2 부하 전위 영역(22, 24)은 일련의 전력 서브스위치들에 평행하게 진행되는 전류 유동 방향(220, 240)을 가진다. 이러한 구성은 각각의 전력 서브스위치(30, 32, 34, 40, 42, 44)를 위한 전류가 주위에 흐르는 상이한 영역을 가져오며, 상기 영역은 그 결과로 발생한 기생 인덕턴스의 직접적인 척도이다. 이러한 각각의 기생 인덕턴스들의 값들이 가능한 한 서로 비슷해지도록, 전력 반도체 모듈(1)의 2가지 구성이 본 발명에 따라 이에 제시되는데, 이 구성들은 바람직하게는 공동으로 실현되도록 의도된 것이다.
먼저, 부하 본딩 와이어들(90, 92, 94)의 제1 본딩 베이스들(950)이 일련의 전력 서브스위치들(30, 32, 34, 40, 42, 44)의 중심을 향해 변위된 방식으로 배치된다. 이 경우, 각각의 부하 본딩 와이어(90, 92, 94)는 제2 부하 전위 영역(22, 24) 상에 배치되는 제1 본딩 베이스(950)를 구비한다. 부하 본딩 와이어(90, 92, 94), 더 정확하게는 그 본딩 와이어 섹션(900, 920, 940)은 상기 제1 본딩 베이스(950)에서 배정된 전력 서브스위치(30, 32, 34, 40, 42, 44)의 접촉 영역 상의 제2 본딩 베이스(951)까지 연장된다. 여기서 각각의 전력 서브스위치들은 각각의 경우 IGBT(300, 320, 340, 400, 420, 440) 및 배정된 프리휠링 다이오드(302, 322, 342, 402, 422, 442)로 구현되고, 제1 부하 전위 영역(20, 22) 상의 배치 내에서 이들의 순서는 원칙적으로 임의적이다. 그 결과, 제2 본딩 베이스(951)는 IGBT의 접촉 영역 또는 프리휠링 다이오드의 접촉 영역 상에 배치될 수 있다.
기술적으로 일반적인 방식으로, 각각의 부하 본딩 와이어(90, 92, 94)는 그 코스 내에서 제2 본딩 베이스(951) 다음에 예컨대 IGBT의 동일한 접촉 영역 상에 다른 추가 본딩 베이스들을 구비하며, 다른 코스에서도 프리휠링 다이오드의 접촉 영역 상에 다른 본딩 베이스들을 구비한다. 전술한 바와 같이, 이 경우, IGBT 및 프리휠링 다이오드의 순서 역시 서로 바뀔 수 있다.
이러한 방안의 결과로, 전류 유동 방향(220, 240)에서 첫 번째인 전력 서브스위치(34, 44)의 경우 전류 경로가 줄어드는 반면, 전류 유동 방향(220, 240)에서 마지막(여기서, 세 번째)인 전력 서브스위치(30, 40)의 경우 전류 경로가 늘어난다는 사실 때문에, 각각의 기생 인덕턴스들이 서로 매칭되어, 균일한 저인덕턴스 구성을 가져온다. 도 2에서는, 각각의 전력 서브스위치(30, 32, 34)를 위한 부하 본딩 와이어(90, 92, 94)의 제1 본딩 베이스(950)에서 제2 본딩 베이스(951)까지의 본딩 와이어 섹션(900, 920, 940)의 코스가 각각의 경우 예로써 강조되어 있다.
다음으로, 제1 본딩 베이스(950)에서 가장 가까운 제2 본딩 베이스(951)까지 연장되는 부하 본딩 와이어들(90, 92, 94)의 본딩 와이어 섹션들(900, 920, 940)의 길이는 전력 서브스위치들 중 하나에서 전류 유동 방향으로 인접한 전력 서브스위치까지 증가한다. 각각의 제2 본딩 베이스(951)로부터 진행되는 코스에서 부하 본딩 와이어들(90, 92, 94)의 본딩 와이어 섹션들(900, 920, 940)의 길이는 일반적으로 기술적으로 조절되고, 그 결과 제1 및 제2 본딩 베이스(950, 951) 사이에서만 부하 본딩 와이어들의 길이에 영향을 미칠 수 있다. 그러므로, 전력 반도체 모듈(1)의 제2 구성, 즉 전류 유동 방향(220, 240)으로 전력 서브스위치 사이의 전류 경로의 증가는 더 균일한 구성의 측면에서 각각의 전술한 기생 인덕턴스들의 서로에 대한 순응을 초래한다.
전력 반도체 모듈(1)은 추가로 보조 단자 소자들을 포함하고, 여기서 보조 단자 소자들은 보조 에미터 단자들(50), 온도 센서 단자들(51), 및 제어 단자들(53, 54)로 구현되어, 전력 서브스위치의 부품으로서 IGBT들(300, 320, 340, 400, 420, 440)을 구동하기 위해, 여기서 제어 가능한 전력 서브스위치들(30, 32, 34, 40, 42, 44)을 구동한다. 특히, 제어 단자들(53, 54)에는 기판(2) 상의 복수의 보조 전위 영역들(630, 631)이 배정된다. 상기 보조 전위 영역들은 제어 본딩 와이어(70)에 의해 각각의 경우 서로 연결된다.
이른바 병렬 본딩 와이어들(80)이 상기 제어 본딩 와이어들(70)에 병렬로 배치되며, 시뮬레이션에 의해 입증된 방식으로, 제어 본딩 와이어들(70)에 발생하는 기생 인덕턴스들을 현저히 감소시킨다. 병렬 본딩 와이어들(80)은 부하 전위 영역(22) 상의 제1 본딩 베이스(850), 코스(730)에 배정된 제어 본딩 와이어(70)에 평행한 코스(830), 및 제1 본딩 베이스(850)도 배치되어 있는 동일 부하 전위 영역(22) 상의 제2 본딩 베이스(851)를 구비한다. 도 4에 3차원적으로 도시된 바와 같이, 거리(800)는 제어 본딩 와이어(70) 및 병렬 본딩 와이어(80)의 전체 코스에 걸쳐 동일하다. 거리는 최소여야 하지만, 상이한 전위로 인해 최소 안전 거리를 가져야 하고, 상기 안전 거리는 전력 반도체 모듈(1)의 전기 파라미터들에 의해 한정된다. 도 3에서는, 제어 본딩 와이어(70) 및 배정된 병렬 본딩 와이어(80)의 제1 본딩 베이스(750)에서 제2 본딩 베이스(751)까지의 코스가 각각의 경우 예로써 강조되어 있다.
도 4는 본 발명에 따른 전력 반도체 모듈(1)의 대응하는 3차원 부분도를 개략적으로 도시하되, 제어 본딩 와이어(70) 및 배정된 병렬 본딩 와이어(80) 및 또한 본딩 베이스들(750, 751, 850, 851)이 이에 도시되어 있다.
도 6은 본 발명과 관련된 특징을 도시하기 위해 전력 반도체 모듈의 개략적인 상세도를 도시한다. 4개의 전력 반도체 서브스위치들(30, 32, 34, 36), 및 제2 부하 전위 영역에 대한 각각 배정된 부하 본딩 와이어들(90, 92, 94, 96)이 이에 도시되어 있다. 본 발명의 하나의 구성에 따르면, 제1 본딩 베이스(950)에서 가장 가까운 제2 본딩 베이스(951)까지의 부하 본딩 와이어들(90, 92, 94, 96)의 본딩 와이어 섹션들(900, 920, 940, 960)의 길이는 하나의 전력 서브스위치에서 전류 유동 방향(220)으로 인접한 전력 서브스위치까지 증가한다.
1 : 전력 반도체 모듈 2 : 기판
3,4 : 전력 스위치 7 : 보조 연결 장치
9 : 부하 본딩 연결부 10, 12, 14 : 부하 단자 소자
20,22,24 : 부하 전위 영역 30,32,34,36,40,42,44 : 전력 서브스위치
50, 51, 53, 54 : 보조 단자 소자 70 : 제어 본딩 와이어
80 : 병렬 본딩 와이어 90,92,94,96 : 부하 본딩 와이어
220,240 : 전류 유동 방향 300,320,340 : IGBT
302,322,342 : 프리휠링 다이오드 630,631 : 보조 전위 영역
900,920,940,960 : 본딩 와이어 섹션
950 : 제1 본딩 베이스 951 : 제2 본딩 베이스

Claims (8)

  1. 부하 단자 소자들(10, 12, 14) 및 보조 단자 소자들(50, 51, 53, 54)을 포함하고, 저인덕턴스 구성의 모듈-내부 부하 연결 장치들(9) 및 보조 연결 장치들(7)을 포함하며, 복수의 부하 전위 영역들(20, 22, 24) 및 보조 전위 영역들(630, 631)을 구비한 기판(2)을 포함하는 전력 반도체 모듈(1)에 있어서,
    전력 스위치(3, 4)가 제1 부하 전위 영역(20, 22) 상에 배치되고, 직렬로 배치되는 복수의 제어 가능한 전력 서브스위치들(30, 32, 34, 36, 40, 42, 44)로 구현되며, 상기 전력 서브스위치들은 복수의 병렬-배치된 부하 본딩 와이어들(90, 92, 94, 96)로 구성되는 배정된 부하 본딩 연결부(9)에 의해 각각의 경우 제2 부하 전위 영역(22, 24)에 연결되고, 제1 본딩 베이스(950)가 제2 부하 전위 영역(22, 24) 상에 배치되며, 각각의 부하 본딩 와이어(90, 92, 94, 96)의 인접한 제2 본딩 베이스(951)가 전력 서브스위치의 접촉 영역 상에 배치되고,
    a) 제어 본딩 와이어(70)가 2개의 배정된 보조 전위 영역들(630, 631)을 서로 전기적으로 연결하고, 병렬 본딩 와이어(80)가 상기 제어 본딩 와이어(70)에 병렬로 배치되며, 부하 전위 영역들(22) 중 하나에만 전기적으로 연결되고,
    대안적으로 또는 추가적으로,
    b) 직렬로 중앙에 배치되지 않은 전력 서브스위치들(30, 34)의 복수의 배정된 부하 본딩 와이어들(90, 92, 94, 96)의 각각의 제1 본딩 베이스들(950)이 배정된 부하 본딩 와이어(90, 92, 94, 96)의 직선형 코스로부터 오프셋된 방식으로 배치되며, 상기 직선형 코스는 일련의 전력 서브스위치들(30, 32, 34, 36)의 중심을 향해 각각의 전력 서브스위치(30, 34)의 가장자리에 수직이고,
    대안적으로 또는 추가적으로,
    c) 제2 부하 전위 영역(22, 24)이 전류 유동 방향(220, 240)을 가지며, 제1 본딩 베이스(950)에서 가장 가까운 제2 본딩 베이스(951)까지의 부하 본딩 와이어들(90, 92, 94, 96)의 본딩 와이어 섹션들(900, 920, 940, 960)의 길이가 하나의 전력 서브스위치에서 전류 유동 방향(220, 240)으로 인접한 전력 서브스위치까지 증가하는, 전력 반도체 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    배정된 부하 본딩 와이어들(90, 92, 94, 96)의 모든 제1 본딩 베이스들(950)은 일련의 전력 서브스위치들(30, 32, 34)의 중심을 향해 오프셋되는 방식으로 배치되는, 전력 반도체 모듈.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    제어 가능한 전력 서브스위치(30, 32, 34, 36, 40, 42, 44)는 전계 효과 트랜지스터, 특히 MOS-FET, 또는 바이폴라 트랜지스터, 특히 IGBT(300, 320, 340)로 구현되고, 프리휠링 다이오드(302, 322, 342)가 병렬로 리버스-연결되는, 전력 반도체 모듈.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    부하 전위 영역(20, 22, 24)은 양 또는 음의 DC 전압 전위 또는 AC 전압 전위를 가지는, 전력 반도체 모듈.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    보조 전위 영역(630, 631)은 구동 전위를 가지는, 전력 반도체 모듈.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    병렬 본딩 와이어(80)는 배정된 제어 본딩 와이어(70)의 80% 내지 120%, 특히 90% 내지 110%의 길이를 가지는, 전력 반도체 모듈.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    제어 본딩 와이어(70)의 전위와 병렬 본딩 와이어(80)의 전위 사이의 전위차가 낮은 경우(특히, 50V 이하), 양자는 기판(2)의 기계적 경계 조건에 의해 허용되는 한 서로 매우 인접하게 배치되는, 전력 반도체 모듈.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    병렬 본딩 와이어(80)는 최대로는 배정된 제어 본딩 와이어(70)로부터 최소 안전 거리의 1.5배의 거리(800)에 있는, 전력 반도체 모듈.
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