DE10037533C1 - Induktivitätsarme Schaltungsanordnung - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung beschreibt eine Schaltungsanordnung mit geringen parasitären Induktivitäten, bestehend aus einem keramischen Substrat mit darauf befindlichen gegeneinander isolierten metallischen Verbindungsbahnen darauf befindlichen ersten und zweiten in Reihe geschalteten Leistungsschaltern, bestehend jeweils aus mehreren parallel geschalteten ersten (13) und zweiten Leistungstransistoren (19) sowie Gleich- und Wechselstromanschlussleitern, das in seiner Ausführung auch für Druckkontaktaufbauten geeignet ist. DOLLAR A Die Strom leitenden Stege (23) des Plus- (12), des Minus- (10) sowie des Wechselstromanschlussleiters (11) sind zwischen den ersten und zweiten Leistungstransistoren derart angeordnet, dass sie bis auf die Subtratebene hinabreichen und durch diese nur durch eine Isolationsschicht getrennt sind. Dadurch wird eine Minimierung der stromumflossenen Flächen und damit der parasitären Induktivitäten der Schaltungsanordnung. DOLLAR A Die Summe der parasitären Induktivitäten dieses Halbleiterleistungsmoduls sowohl im Bereich der Anschlussleitungen sowie im Bereich des Subtrates erreichen eine Größenordnung von 1 nH oder kleiner.
Description
Die Erfindung beschreibt eine Schaltungsanordnung, insbesondere in Form von
Stromrichtern der Leistungsklasse, nach dem Oberbegriff des Anspruches 1, die in ihrer
Ausführung auch für Druckkontaktaufbauten geeignet ist.
Eine derartige Schaltungsanordnung ist z. B. aus der DE 39 37 045 A1
bekannt.
Für Stromrichter der
Leistungsklasse wird die Verwendung schnell und verlustarm schaltender Halbleiterschalter
bevorzugt. Geeignet sind daher besonders Schaltungsanordnungen mit MOSFETs oder
Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren (IGBT) und antiparallel dazu geschalteten
Freilaufdioden. Derartige Schaltungsanordnungen und damit aufgebaute Stromrichter
müssen niederinduktiv ausgelegt werden um die Entstehung von Spannungsspitzen
insbesondere bei Abschaltvorgängen zu vermeiden. Dies bedeutet, dass Streuinduktivitäten
im Zwischenkreis, an den Anschlussleitern sowie auf der Substratoberfläche der
Schaltungsanordnung klein sein müssen. Streuinduktivitäten im Bereich von 20 nH können
bei Niedervolt-MOSFET bereits zu Spannungsspitzen führen, welche die Halbleiterschalter
zerstören können.
Zum Stand der Technik zählen Einzelschalter und Leistungshalbleitermodule mit einzelnen
konstruktiven Maßnahmen zur Reduzierung parasitärer Induktivitäten wie sie z. B. bekannt
sind aus EP 0 277 546, DE 39 37 045 oder EP 0 609 528.
In der EP 0 277 546 wird für einen Einzelschalter ein Verfahren zur Reduzierung der
parasitären Induktivitäten in den Gleichstromzuleitungen beschrieben. Hierbei werden die
beiden Gleichstromzuleitungen eng benachbart und zumindest teilweise parallel zueinander
angeordnet. Dies bewirkt eine kleine stromumflossene Fläche in dem Bereich der eng
benachbarten Anordnung der Zuleitungen und damit eine geringe Induktivität dieses
Zuleitungsabschnittes.
In der DE 39 37 045 wird für eine Halbbrücke ein Verfahren zur Reduzierung der parasitären
Induktivitäten in den Gleichstromzuleitungen beschrieben. Hierbei werden die beiden
Gleichstromzuleitungen eng benachbart, allerdings mit der Wechselstromzuleitung zwischen
Plus- und Minuszuleitung, und zumindest teilweise parallel zueinander angeordnet. Dies
bewirkt ebenfalls eine Verkleinerung der stromumflossene Fläche in dem Bereich der eng
benachbarten Anordnung der Zuleitungen und damit eine relativ geringe Induktivität dieses
Zuleitungsabschnittes.
In der EP 0 609 528 wird ebenfalls für einen Einzelschalter ein Verfahren zur Reduzierung
der parasitären Induktivitäten in den parallel und eng benachbarten Gleichstromzuleitungen
beschrieben. Zusätzlich werden hier die Halbleiterbauelemente symmetrisch auf dem
Substrat angeordnet.
Zum Stand der Technik zählen ebenso Leistungshalbleitermodule in Druckkontakttechnik wie
beispielhaft in DE 196 30 173 sowie DE 59 30 6 387, veröffentlicht in EP 597 254 A1, beschrieben. Derartige
Leistungshalbleitermodule bestehen aus keramischen Substraten mit darauf aufgebrachten
Kontaktflächen auf denen Halbleiterbauelemente angeordnet sind. Diese
Halbleiterbauelemente sind mittels Löten mit den Kontaktflächen verbunden und weisen
Bondverbindungen zu andern Halbleiterbauelementen oder anderen isoliert zur ersten
Kontaktfläche auf dem Substrat befindlichen zweiten Kontaktflächen auf. Die
Druckkontaktierung bezieht sich hierbei auf zwei verschiedene Arten von Kontaktierungen.
Einerseits die elektrische Kontaktierung der Anschlussleiter auf die entsprechenden
Kontaktflächen des Substrates und andererseits auf die thermische Kontaktierung des
Substrates bzw. des gesamten Moduls auf einen Kühlkörper. Bei derartigen Kontaktierung
werden beispielhaft Druck übertragende Elemente aus Kunststoff eingesetzt, die einen von
aussen auf das Modul einwirkenden Druck auf die Anschlusselemente und 1 oder auf das
Substrat ausüben um einen sicheren elektrischen bzw. thermischen Kontakt herzustellen.
Allen zum Stand der Technik niederinduktiver Schaltungsanordnungen zuordenbaren
Erfindungen ist gemein, dass sie eine gewisse Minderung der parasitären Induktivitäten
ausschließlich in Teilbereichen des Gesamtsystems Zwischenkreis - Wechselrichter erzielen.
Die damit erreichbaren Werte für die Gesamtinduktivität dieses Gesamtsystems liegen
derzeit bestenfalls oberhalb von 20 nH.
In der EP 0 277 546 liegen die den Einzelschalter bildenden Transistoren eng benachbart
zueinander, dennoch kann der Strom auf unterschiedlichen vor allem unterschiedlich langen
Wegen durch die Schaltungsanordnung fließen. Daraus resultieren unterschiedliche vom
Strom umflossene Flächen und auch unterschiedliche Induktivitäten für die verschiedenen
Leitungswege. Der Aufbau einer Halbbrücke mit derartigen Einzelschaltern kann aufgrund
der dafür notwendigen externen Verschaltung keinesfalls niederinduktiv erfolgen. Dies führt
in der Summe der Eigenschaften zu einer gewissen Reduzierung der parasitären
Induktivitäten des Gesamtsystems Zwischenkreis-Wechselrichter. Allerdings sind damit
noch nicht alle Forderungen an eine Minimierung der parasitären Induktivitäten erfüllt.
In der DE 39 37 045 wird das Ziel einer minimalen parasitären Induktivität aus zwei
wesentlichen Gründen verfehlt. Erstens sind die Gleichstromanschlussleiter nicht in
minimalem Abstand zueinander angeordnet, da hier der Wechselstromanschlussleiter
zwischen den beiden Gleichstromanschlussleitern angeordnet ist. Somit ist die
stromumflossene Fläche im Bereich der Gleichstromanschlussleiter nicht minimal und daher
sind auch die Induktivitäten für diesen Bereich nicht minimal. Zweitens sind die
Leistungstransistoren des ersten und zweiten Leistungsschalters relativ weit von einander
angeordnet, was ebenfalls die parasitären Induktivitäten erhöht.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde die parasitären induktivitäten einer
Schaltungsanordnung sowohl im Bereich der Anschlussleitungen als auch im Bereich der
Halbleiterbauelemente, aufgebaut auf einem elektrisch isolierenden Substrat, soweit zu
optimieren, dass die Gesamtinduktivität dieser Anordnung in der Größenordnung von 1 nH
oder kleiner also um mindestens eine Größenordnung unter dem Stand der Technik liegt.
Diese Aufgabe wird durch eine Schaltungsanordnung mit den Merkmalen
des Anspruchs 1 gelöst.
Dabei können folgende Maßnahmen getroffen werden:
- - Die ersten und zweiten Leistungsschalter sind auf dem Substrat eng benachbart angeordnet.
- - Die ersten und zweiten Leistungsschalter liegen in einer Reihe und sind somit möglichst kurz miteinander verbunden.
- - Die Leistungstransistoren, welche die ersten und zweiten Leistungsschalter bilden, sowie etwaige Freilaufdioden liegen ebenfalls eng benachbart in Reihe.
- - Die Anschlussleitungen des Plus- und Minusanschlusses sind als Bänder ausgeführt
- - Die Anschlussleitungen des Plus- und Minusanschlusses sind in ihrem Verlauf bis nahe an das Substrat parallel angeordnet.
- - Die Anschlussleitungen des Plus- und Minusanschlusses sind nur durch eine Isolationsschicht getrennt eng benachbart.
- - Ein Abschnitt des Anschlussband mindesten eines der beiden Gleichstromanschlüsse ist nahe des Substrates parallel zu diesem angeordnet und befindet sich in möglichst geringem Abstand oberhalb der Leistungstransistoren.
- - Der jeweilige parallel zum Substrat gelegene Abschnitt des mindestens einen Gleichstromanschlusses ist mit Stegen versehen. Diese Stege reichen im Bereich zwischen den Leistungstransistoren der Leistungsschalter bis auf die Grundplatte hinab und sind von dieser nur durch eine zur Isolation notwendige Schicht getrennt.
- - Die Stege können durch die beschriebenen Anordnung auch als Druckkontaktierung des Substrates auf einem Kühlkörper dienen. Dadurch können sie zumindest teilweise Druckelemente nach dem Stand der Technik ersetzen.
Durch diese Maßnahmen wird sowohl in der Substratebene, als auch in allen dazu
senkrechten durch die Anschlussleitungen definierten Ebenen, die Induktivität minimiert.
Die Erfindung wird anhand eines Ausführungsbeispiels in Verbindung mit den Fig. 1 bis 7
näher erläutert Spezielle Ausgestaltungen finden sich in den Ansprüchen 1 bis 7. Es zeigen:
Fig. 1 zeigt schematisch eine dem Stand der Technik entsprechende Halbbrücke sowie
deren stromumflossenen Bereich.
Fig. 2 zeigt eine Halbbrücke nach Fig. 1 mit mehreren Leistungstransistoren, sowie den
maximalen stromumflossenen Bereich dieser Anordnung.
Fig. 3 zeigt einen Aufbau des Substrates sowie der Leistungsschalter einer Halbbrücke nach
dem Stand der Technik, sowie den in dieser Anordnung maximalen stromumflossenen
Bereich.
Fig. 4 zeigt einen Ausschnitt einer erfindungsgemäße Schaltungsanordnung.
Fig. 5 zeigt den stromumflossenen Bereich der Anschlussleitungen nach dem Stand der
Technik.
Fig. 6 zeigt den stromumflossenen Bereich der erfindungsgemäßen Anordnung der
Anschlussleitungen.
Fig. 7 zeigt eine dreidimensionalen Ausschnitt der erfindungsgemäßen
Schaltungsanordnung.
Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung einer Halbbrücke. Der typische Aufbau nach dem
Stand der Technik besteht aus einem Zwischenkreis mit Kondensator (1) mit den Plus- (2)
und Minusanschlüssen (3), sowie den Leistungsschaltern (4). Diese Leistungsschalter
können als MOSFET oder IGBT realisiert sein. Im Falle der Realisierung mit IGBTs sind
zusätzliche Freilaufdioden (5) notwendig. Der Wechselstromanschluss ist mit (6) bezeichnet.
Der Pfeil (7) symbolisiert den Stromfluß von Plus nach Minus während eines
Kommutierungsvorganges, der schraffierte Bereich die dabei stromumflossene Fläche (8).
Die Größe der stromumflossenen Fläche ist ein direktes Maß für die auftretenden
parasitären Induktivitäten, sie bildet anschaulich den Querschnitt einer Spule mit einer
Wicklung.
Fig. 2 verdeutlicht den realistischen Fall der Schaltungsanordnung nach Fig. 1 wobei die
ersten und zweiten Leistungsschalter jeweils durch mehrere parallel geschaltete
Leistungstransistoren realisiert werden. In diesem Fall symbolisierte der schraffierte Bereich
(8) die maximale vom Strom umflossene Fläche. Hier zeigt sich, dass diese Flächen und
damit die entsprechenden Induktivitäten für die jeweiligen Leistungstransistoren
unterschiedlich sind.
Fig. 3 zeigt den Stand der Technik der Realisierung des Substrates einer Halbbrücke. Der
Übersichtlichkeit halber sind Hilfsanschlüsse, wie Gate-, Basis- oder Hilfsemitter nicht
berücksichtigt. Auf einem Keramiksubstrat (9) sind die kupferkaschierten Flächen für die
Plus- (11), die Minus- (10) sowie den Wechselstromanschluss (12) angeordnet. Auf der
Plusfläche befinden sich hierbei erste Leistungstransistoren (13), die einen ersten
Leistungsschalter realisieren, sowie eine Freilaufdiode (14). Die Emitter der
Leistungstransistoren sind mittels Bonddrähten (15) mit der kupferkaschierten Fläche (12)
des Wechselstromanschlusses verbunden. Auf dieser Fläche sind zweite
Leistungstransistoren angeordnet, sowie ebenfalls eine Freilaufdiode. Diese zweiten
Leistungstransistoren sind mittels Bonddrähten mit der kupferkaschierten Fläche (10) des
Minusanschlusses verbunden. Die zum Zwischenkreis führenden Plus- (17) und Minus- (16)
sowie der Wechselstromanschlussleiter (18) sind ebenfalls auf den ihrer Polarität
entsprechenden kupferkaschierten Flächen angeordnet. Typisch für derartige Anordnungen
nach dem Stand der Technik ist bereits eine eng benachbarte Anordnung der Plus- und
Minusanschlussleiter, zumindest bis zu einem geringen Abstand oberhalb des Substrates.
Der Pfeil (7) kennzeichnet hier ebenfalls die maximale vom Strom umflossene Fläche. Diese
Fläche bestimmt die parasitäre Induktivität dieser Schaltungsanordnung. Mit derartigen
Schaltungsanordnungen lassen sich bezogen auf die Ebene des Substrates typische
Induktivitäten im Bereich von 20 bis 50 nH erreichen.
Fig. 4 zeigt einen Ausschnitt der erfinderische Lösung der Schaltungsanordnung, wobei hier
die Anschlussleiter integraler Bestandteil der Anordnung zur Erzielung minimaler
Induktivitäten im Bereich des Substrates sind. Hier wurde ebenfalls im Hinblick auf eine
übersichtliche Darstellung auf die notwendigen Hilfsanschlüsse verzichtet. Auf dem Substrat
(9) sind nach dem Stand der Technik kupferkaschierten Flächen für den Plus- (12), den
Minus- (10) sowie den Wechselstromanschluss (11) angeordnet. Der erfinderische Gedanke
besteht in der Kombination zweier Merkmale.
Erstens müssen für minimale parasitäre Induktivitäten die ersten Leistungstransistoren (13)
(beispielhaft MOSFET) möglichst eng benachbart an den zweiten Leistungstransistoren (19)
und die ersten und zweiten Leistungstransistoren in Reihe angeordnet sein.
Zweitens werden die Plus- (20) und Minusanschlussleitungen (21) in bandartiger Ausführung
in die Stromführung mit einbezogen. Zur Beschreibung werden diese beiden
Anschlussleitungen in Abschnitte (dargestellt in Fig. 6) eingeteilt:
Abschnitt "A" reicht vom Zwischenkreisanschluss bis nahe an die Substratoberfläche.
Abschnitt "B" verläuft parallel zur Substratoberfläche, sowie
Abschnitt "C", der sich an den parallel verlaufenden Bereich anschließt und die typischerweise senkrechte Kontaktierung auf die entsprechende kupferkaschierte Fläche der Substratoberfläche darstellt. Wenigstens eine der beiden Gleichstromanschlussleitungen wird derart ausgeführt. Der Abschnitt B weist die für den erfinderischen Gedanken entscheidende Charakteristik auf, indem er nicht ausschließlich als Band parallel zur Substratoberfläche angeordnet ist, sondern in jedem Bereich zwischen den in Reihe angeordneten ersten und zweiten Leistungstransistoren zu diesen wenigstens einen parallel verlaufenden Steg aufweist. Diese Stege reichen bis auf die Substratoberfläche hinab und sind von den kupferkaschierten Flächen der jeweils anderen Leitungstypen nur durch eine dünne Isolationsschicht getrennt.
Abschnitt "A" reicht vom Zwischenkreisanschluss bis nahe an die Substratoberfläche.
Abschnitt "B" verläuft parallel zur Substratoberfläche, sowie
Abschnitt "C", der sich an den parallel verlaufenden Bereich anschließt und die typischerweise senkrechte Kontaktierung auf die entsprechende kupferkaschierte Fläche der Substratoberfläche darstellt. Wenigstens eine der beiden Gleichstromanschlussleitungen wird derart ausgeführt. Der Abschnitt B weist die für den erfinderischen Gedanken entscheidende Charakteristik auf, indem er nicht ausschließlich als Band parallel zur Substratoberfläche angeordnet ist, sondern in jedem Bereich zwischen den in Reihe angeordneten ersten und zweiten Leistungstransistoren zu diesen wenigstens einen parallel verlaufenden Steg aufweist. Diese Stege reichen bis auf die Substratoberfläche hinab und sind von den kupferkaschierten Flächen der jeweils anderen Leitungstypen nur durch eine dünne Isolationsschicht getrennt.
Die Plusanschlussleitung (20) ist im Abschnitt "A" parallel zur Minusanschlussleitung (21)
angeordnet und in diesem Bereich von jener nur durch eine Isolationsschicht getrennt. Vom
Abschnitt "B" sind nur die Stege (23) gezeichnet, der bandartige oberhalb diese Stege
verlaufende und die Stege verbindende Teil ist nicht gezeichnet. Die parallelen Stege sind im
Bereich der Schraffur von der Oberfläche des Substrates und den dort lokalisierten
kupferkaschierten Minus- (10) und Wechselstromflächen (11) durch eine dünne Isolierschicht
getrennt. Im flächig gezeichnet Bereich ist sind die Stege stoffbündig oder stoffschlüssig mit
der Kupferkaschierung verbunden. In analoger Weise gilt dies auch für die
Wechselstromanschlussleitung. Der Pfeil (7) skizziert hier ebenfalls die maximale vom Strom
umflossene Fläche. Die stromumflossene Fläche bezogen auf die Ebene des Substrates
wird durch diese Anordnung minimiert. Weiterhin ergibt sich durch die Symmetrie dieser
Anordnung für alle Leistungstransistoren eine gleichmäßige Strombelastung und gleiche
parasitäre Induktivitäten.
Mit derartigen Schaltungsanordnungen lassen sich bezogen auf die Ebene des Substrates
Induktivitäten in der Größenordnung von 1 nH und kleiner erreichen.
Die Wechselstromanschlussleitung (22) ist in gleicher Weise realisiert wie die
Plusanschlussleitung (20), also bandartig mit Stegen bis auf die DCB-Keramik
hinabreichend.
Fig. 5 zeigt nach dem Stand der Technik eine durch die Anschlussleitungen definierte Ebene
senkrecht zum Substrat (9). Auf diesem Substrat (9) sind die kupferkaschierten Flächen für
den Plus- (12), den Minus- (10) sowie den Wechselstromanschluss (11) angeordnet. Auf der
Plusfläche (12) befindet sich hier ein erster Leistungstransistor (13). Ein zweiter
Leistungstransistor (19) befindet sich auf der Wechselstromfläche (11). Der Emitter des
ersten Leistungstransistors (13) ist mittels Bonddrähten (15) mit der kupferkaschierten
Fläche (11) des Wechselstromanschlusses verbunden. Der Emitter des zweiten
Leistungstransistors ist ebenfalls mittels Bonddrähten (15) mit der kupferkaschierten Fläche
(10) des Minusanschlusses verbunden. Die in dieser Ebene vom Strom umflossene Fläche
(24) erstreckt sich unterhalb des Plusanschlussleiters bis zur Oberfläche des Substrates,
bzw. im Bereich der Bondverbindungen bis zu diesen.
Fig. 6 zeigt den erfinderischen Gedanken ebenfalls in der durch die Anschlussleitungen
definierte Ebene senkrecht zum Substrat (9). Die drei Abschnitte "A", "B" und "C" einer
Anschlussleitung sind hier ebenfalls dargestellt. Durch die erfinderischen Stege (23), die bis
zur Oberfläche des Substrates herabreichen, unterhalb des bandartigen Teiles des
Plusanschlussleiters wird dieser Bereich nicht mehr von Strom umflossen. Der Stromfluss
zur kupferkaschierten Fläche (12) findet nun direkt oberhalb des Substrates, der weitere
Stromfluss zum Minusanschlussleiter findet im Substrat bzw. in den Abschnitten mit
Bondverbindungen durch diese statt. Damit ergeben sich drei signifikante stromumflossene
Flächen. Der Bereich (26) zwischen der Minus- und dem Plusanschlussleitung, sowie die
Bereiche (25) nach oben begrenzt durch die Bonddrähte, nach unten durch die Unterseite
der erfinderischen Stege (23). Ein Vergleich mit Fig. 5 zeigt deutlich die Reduzierung der
stromumflossenen Fläche und damit eine Reduzierung der parasitären Induktivitäten der
erfinderischen Schaltungsanordnung. Um eine vollständig niederinduktive
Schaltungsanordnung zu erzielen müssen die Zwischenkreiskondensatoren direkt an den
Gleichstromzuleitungen angeordnet werden.
Fig. 7 zeigt in einer dreidimensionale Skizze einen Ausschnitt der erfinderischen Idee. Es
sind hier jeweils ein erster (13) sowie ein zweiter (19) Leistungstransistor dargestellt. In
dieser Abbildung nicht gezeichnet sind wiederum alle Hilfsanschlüsse, sowie der
geschlossene bandartige Teil der Anschlussleitungen, welcher sich oberhalb des Substrates
über den Stegen befindet und im Bedarfsfall nur unterbrochen ist um Anschlussleitungen für
Hilfsanschlüsse hindurch zu führen. Die Stege (23) des Plus- (12), des Minus- (10) sowie
des Wechselstromanschlussleiters (11) können zusätzlich zu ihrer Aufgabe die Induktivitäten
in den Anschlussleitungen minimal zu halten ebenfalls als Druck weiterleitende Element für
druckkontaktierte Aufbauten dienen. Jeder der genannten Anschlussleiter hat über die Stege
direkten Kontakt zu der ihm zugeordneten kupferkaschierten Fläche und kann in
Druckkontaktaufbauten sowohl zur elektrischen Druckkontaktierung des Anschlusses selbst
als auch zur thermischen Druckkontaktierung des Substrats auf einen Kühlkörper dienen.
Diesen Zweck des thermischen Druckkontakts kann jeder Steg eines Anschlussleiters
ebenfalls auf die ihm nicht zugeordneten kupferkaschierten Flächen ausüben, da er von
dieser nur durch eine isolierende Schicht, typischerweise eine Kunststofffolie, getrennt ist.
Claims (5)
1. Schaltungsanordnung mit geringen parasitären Induktivitäten bestehend aus einem
elektrisch isolierenden Substrat (9) mit darauf befindlichen gegeneinander isolierten
metallischen Verbindungsbahnen, darauf befindlichen ersten und zweiten in Reihe
geschalteten Leistungsschaltern, bestehend jeweils aus mehreren parallel geschalteten
ersten (13) und zweiten (19) Leistungstransistoren sowie Gleich- (20, 21) und
Wechselstromanschlussleitern (22)
dadurch gekennzeichnet, dass
die jeweiligen ersten (13) und zweiten (19) Leistungstransistoren eng benachbart und in
einer Reihe angeordnet sind, die Gleichstromanschlussleiter (20, 21) in einem ersten
Abschnitt bandartig, eng benachbart und parallel bis nahe an die Substratoberfläche (9)
oder diese kontaktierend angeordnet sind sowie mindestens ein
Gleichstromanschlussleiter (20) einen zweiten bandartigen Abschnitt parallel zur
Substratoberfläche (9) mit daran angeordneten Stegen (23) aufweist, wobei diese
Stege (23) teilweise durch eine Isolationsschicht vom Substrat getrennt sind sowie
mindestens eine Kontaktstelle (12) mit der Substratoberfläche (9) aufweisen.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass
die Stege (23) zwischen den Leistungstransistoren (13, 19) angeordnet sind und
mindestens ein Gleichstromanschlussleiter (20) als druckübertragende Elemente für einen
druckkontaktierten Aufbau des Moduls ausgebildet ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass
die ersten und zweiten Leistungsschalter durch zwei Reihen von Leistungstransistoren gebildet sind
und symmetrisch zur Mittenachse des Substrats plaziert sind.
4. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass
die Leistungstransistoren IGBTs oder MOS-FETs sind.
5. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass
die Leistungsschalter neben den Leistungstransistoren auch eine oder mehrere
Freilaufdioden aufweisen und die Freilaufdioden
mit den jeweils zugehörigen Leistungstransistoren in einer Reihe angeordnet sind.
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10037533A DE10037533C1 (de) | 2000-08-01 | 2000-08-01 | Induktivitätsarme Schaltungsanordnung |
AT01115975T ATE339798T1 (de) | 2000-08-01 | 2001-06-30 | Induktivitätsarme schaltungsanordnung |
PT01115975T PT1178595E (pt) | 2000-08-01 | 2001-06-30 | Dispositivo de baixa indutância para circuito |
DE50110990T DE50110990D1 (de) | 2000-08-01 | 2001-06-30 | Induktivitätsarme Schaltungsanordnung |
ES01115975T ES2270928T3 (es) | 2000-08-01 | 2001-06-30 | Disposicion de circuito de baja inductancia. |
DK01115975T DK1178595T3 (da) | 2000-08-01 | 2001-06-30 | Kredslöbsindretning med lav induktivitet |
EP01115975A EP1178595B1 (de) | 2000-08-01 | 2001-06-30 | Induktivitätsarme Schaltungsanordnung |
JP2001226095A JP3796529B2 (ja) | 2000-08-01 | 2001-07-26 | 低インダクタンスの回路装置 |
US09/919,376 US6381161B2 (en) | 2000-08-01 | 2001-07-31 | Low-inductance circuit arrangement |
CNB011250410A CN100397769C (zh) | 2000-08-01 | 2001-08-01 | 小电感的电路结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10037533A DE10037533C1 (de) | 2000-08-01 | 2000-08-01 | Induktivitätsarme Schaltungsanordnung |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (9)
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---|---|
US (1) | US6381161B2 (de) |
EP (1) | EP1178595B1 (de) |
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CN (1) | CN100397769C (de) |
AT (1) | ATE339798T1 (de) |
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DK (1) | DK1178595T3 (de) |
ES (1) | ES2270928T3 (de) |
PT (1) | PT1178595E (de) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10110100A1 (de) * | 2001-03-02 | 2002-09-26 | Semikron Elektronik Gmbh | Schaltungsanordnung für einen Treiber für Leistungsableitermodule |
DE10127947C1 (de) * | 2001-08-22 | 2002-10-17 | Semikron Elektronik Gmbh | Schaltungsanordnung |
EP1389820A2 (de) | 2002-08-16 | 2004-02-18 | Semikron Elektronik GmbH | Induktivitätsarme Schaltungsanordnung für Leistungshalbleitermodule |
WO2006013177A2 (de) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Planare verbindungstechnik für stromführung im fehlerfall |
DE102004059313B3 (de) * | 2004-12-09 | 2006-05-04 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit verringerten parasitären Induktivitäten |
DE102006039975A1 (de) * | 2006-08-25 | 2008-03-27 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Niederinduktives Leistungshalbleitermodul für stromeingeprägte Leistungsschaltungen |
DE102014102018B3 (de) * | 2014-02-18 | 2015-02-19 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit niederinduktiv ausgestalteten modulinternen Last- und Hilfsverbindungseinrichtungen |
DE102014111931A1 (de) * | 2014-08-20 | 2016-02-25 | Infineon Technologies Ag | Niederinduktive Schaltungsanordnung mit Laststromsammelleiterbahn |
DE112009001638B4 (de) | 2008-07-10 | 2020-07-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Leistungshalbleitermodul |
DE102022209806A1 (de) | 2022-09-19 | 2024-03-21 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Kondensatorbauelement und Bauteilanordnung |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10141114C1 (de) | 2001-06-08 | 2002-11-21 | Semikron Elektronik Gmbh | Schaltungsanordnung |
JP3862980B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2006-12-27 | Tdk株式会社 | 整流回路及びこれを備えるスイッチング電源装置 |
DE10344633A1 (de) * | 2003-09-25 | 2005-06-09 | Robert Bosch Gmbh | Umrichter für eine elektrische Maschine, insbesondere für einen Starter oder einen Starter-Generator für ein Kraftfahrzeug |
US7327024B2 (en) * | 2004-11-24 | 2008-02-05 | General Electric Company | Power module, and phase leg assembly |
US8622754B2 (en) * | 2011-07-31 | 2014-01-07 | General Electric Company | Flexible power connector |
US8637964B2 (en) * | 2011-10-26 | 2014-01-28 | Infineon Technologies Ag | Low stray inductance power module |
JP5876970B2 (ja) * | 2012-06-19 | 2016-03-02 | アーベーベー・テクノロジー・アーゲー | 複数のパワートランジスタを搭載するための基板、およびパワー半導体モジュール |
CN103022022A (zh) * | 2012-12-25 | 2013-04-03 | 浙江大学 | 一种低寄生电感的igbt功率模块 |
KR102034717B1 (ko) * | 2013-02-07 | 2019-10-21 | 삼성전자주식회사 | 파워모듈용 기판, 파워모듈용 터미널 및 이들을 포함하는 파워모듈 |
DE102013104522B3 (de) * | 2013-05-03 | 2014-06-26 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit Subeinheiten und Anordnung hiermit |
DE102016102744B4 (de) * | 2015-11-12 | 2017-11-16 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleiteranordnung mit einer Mehrzahl von Leistungshalbleiter-Schaltelementen und verringerter Induktivitätsasymmetrie und Verwendung derselben |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3937045A1 (de) * | 1989-11-07 | 1991-05-08 | Abb Ixys Semiconductor Gmbh | Leistungshalbleitermodul |
EP0609528A1 (de) * | 1993-02-01 | 1994-08-10 | Motorola, Inc. | Halbleiterpackung von niedriger Induktanz |
DE19612514A1 (de) * | 1995-11-24 | 1997-05-28 | Asea Brown Boveri | Leistungshalbleitermodul mit einer Mehrzahl von Submodulen |
DE19630173A1 (de) * | 1996-07-26 | 1998-01-29 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungsmodul mit Halbleiterbauelementen |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4907068A (en) * | 1987-01-21 | 1990-03-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor arrangement having at least one semiconductor body |
US5537074A (en) * | 1993-08-24 | 1996-07-16 | Iversen; Arthur H. | Power semiconductor packaging |
DE4130160A1 (de) * | 1991-09-11 | 1993-03-25 | Export Contor Aussenhandel | Elektronische schaltung |
JP2725952B2 (ja) * | 1992-06-30 | 1998-03-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体パワーモジュール |
DE59304797D1 (de) * | 1992-08-26 | 1997-01-30 | Eupec Gmbh & Co Kg | Leistungshalbleiter-Modul |
DE4421319A1 (de) * | 1994-06-17 | 1995-12-21 | Abb Management Ag | Niederinduktives Leistungshalbleitermodul |
US5550436A (en) * | 1994-09-01 | 1996-08-27 | International Rectifier Corporation | MOS gate driver integrated circuit for ballast circuits |
DE59509057D1 (de) * | 1994-11-07 | 2001-04-05 | Eupec Gmbh & Co Kg | Brücken-Modul |
US5773320A (en) * | 1995-11-13 | 1998-06-30 | Asea Brown Boveri Ag | Method for producing a power semiconductor module |
WO1998004029A1 (en) * | 1996-07-22 | 1998-01-29 | Hydro-Quebec | Low stray interconnection inductance power converting module for converting a dc voltage into an ac voltage, and a method therefor |
DE19826731C2 (de) * | 1998-06-16 | 2000-10-26 | Gruendl & Hoffmann | Halbbrückenbaugruppe |
-
2000
- 2000-08-01 DE DE10037533A patent/DE10037533C1/de not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-06-30 DE DE50110990T patent/DE50110990D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-30 EP EP01115975A patent/EP1178595B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-30 ES ES01115975T patent/ES2270928T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-30 PT PT01115975T patent/PT1178595E/pt unknown
- 2001-06-30 AT AT01115975T patent/ATE339798T1/de active
- 2001-06-30 DK DK01115975T patent/DK1178595T3/da active
- 2001-07-26 JP JP2001226095A patent/JP3796529B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-31 US US09/919,376 patent/US6381161B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-01 CN CNB011250410A patent/CN100397769C/zh not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3937045A1 (de) * | 1989-11-07 | 1991-05-08 | Abb Ixys Semiconductor Gmbh | Leistungshalbleitermodul |
EP0609528A1 (de) * | 1993-02-01 | 1994-08-10 | Motorola, Inc. | Halbleiterpackung von niedriger Induktanz |
DE19612514A1 (de) * | 1995-11-24 | 1997-05-28 | Asea Brown Boveri | Leistungshalbleitermodul mit einer Mehrzahl von Submodulen |
DE19630173A1 (de) * | 1996-07-26 | 1998-01-29 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungsmodul mit Halbleiterbauelementen |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10110100A1 (de) * | 2001-03-02 | 2002-09-26 | Semikron Elektronik Gmbh | Schaltungsanordnung für einen Treiber für Leistungsableitermodule |
DE10110100B4 (de) * | 2001-03-02 | 2008-03-13 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Schaltungsanordnung für einen Treiber für Leistungsableitermodule |
DE10127947C1 (de) * | 2001-08-22 | 2002-10-17 | Semikron Elektronik Gmbh | Schaltungsanordnung |
EP1389820A2 (de) | 2002-08-16 | 2004-02-18 | Semikron Elektronik GmbH | Induktivitätsarme Schaltungsanordnung für Leistungshalbleitermodule |
WO2006013177A3 (de) * | 2004-07-30 | 2006-07-27 | Siemens Ag | Planare verbindungstechnik für stromführung im fehlerfall |
WO2006013177A2 (de) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Planare verbindungstechnik für stromführung im fehlerfall |
DE102004037078A1 (de) * | 2004-07-30 | 2006-03-23 | Siemens Ag | Planare Verbindungstechnik für Stromführung im Fehlerfall |
US7751207B2 (en) | 2004-12-09 | 2010-07-06 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Power semiconductor module with reduced parasitic inductance |
EP1670131A2 (de) | 2004-12-09 | 2006-06-14 | Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung | Leistungshalbleitermodul mit verringerten parasitären Induktivitäten |
DE102004059313B3 (de) * | 2004-12-09 | 2006-05-04 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit verringerten parasitären Induktivitäten |
DE102006039975A1 (de) * | 2006-08-25 | 2008-03-27 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Niederinduktives Leistungshalbleitermodul für stromeingeprägte Leistungsschaltungen |
EP1892761A3 (de) * | 2006-08-25 | 2011-04-20 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Niederinduktives Leistungshalbleitermodul für stromeingeprägte Leistungsschaltungen |
DE102006039975B4 (de) * | 2006-08-25 | 2012-01-12 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Niederinduktives Leistungshalbleitermodul für stromeingeprägte Leistungsschaltungen |
DE112009001638B4 (de) | 2008-07-10 | 2020-07-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Leistungshalbleitermodul |
DE102014102018B3 (de) * | 2014-02-18 | 2015-02-19 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit niederinduktiv ausgestalteten modulinternen Last- und Hilfsverbindungseinrichtungen |
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