DE4138665A1 - Halbleitereinrichtung und gehaeuse - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitereinrich­ tung und ein Gehäuse für eine Halbleitereinrichtung und im beson­ deren auf eine in verbesserter Weise lichtgeschützte Halbleiter­ einrichtung.

In den letzten Jahren ist es üblich, Halbleiterchips im allgemei­ nen direkt mit einem Gießharzmaterial zu verkapseln, um sie in ei­ ner Halbleitereinrichtung einzusetzen. Der Halbleiterchip wird hauptsächlich mit einem Epoxidharzmaterial bedeckt, das mit einem Farbstoff wie Graphitschwarz, einem Füller und ähnlichem - je nach Notwendigkeit - gemischt ist. Bei einer herkömmlichen Halbleiter­ einrichtung schützt ein solches Harzmaterial den Halbleiterchip gegen Lichteinwirkung.

Mit Bezug auf Halbleitereinrichtungen, die Fotodetektoren aufwei­ sen, wurde über verschiedene Lichtabschirmeinrichtungen berichtet, die so ausgebildet sind, daß sie die anderen Teile als die Fotodetektoren vor Lichteinfluß schützen. Beispielsweise be­ schreibt die japanische Patentoffenlegungsschrift 62-2 05 649 (1987) eine Halbleitereinrichtung, die einen Fotodetektor und einen damit verbundenen integrierten Schaltkreis aufweist, die mit einem lichtdurchlässigen Harzmaterial verkapselt sind. Das Harzmaterial ist mit einem lichtabschirmenden Ummantelungsmaterial unter Aus­ sparung eines Fensters zum Eintritt von Licht in den Fotodetektor bedeckt. Die japanische Patentoffenlegungsschrift No. 1-1 47 853 (1989) beschreibt ein Lichtnachweismodul, das eine integrierte Schaltung mit einem Fotodetektor wie einer Fotodiode und einer auf dem gleichen Substrat angeordneten Verstärkerschaltung und einem diese bedeckenden lichtabweisenden Material aufweist, die in einem klaren Gußgehäuse untergebracht sind. In einem solchen Modul be­ deckt ein Rahmen den IC, so daß kein Licht auf andere Teile als den Fotodetektor einwirkt, während dieser mit einem Fenster zum Eintritt von Licht versehen ist. Die japanische Patentoffenle­ gungsschrift 1-1 52 64 (1989) beschreibt eine Halbleitereinrichtung mit einer integrierten Schaltung, die einen Fotodetektor enthält, und die in einem lichtdurchlässigen Quarzgehäuse untergebracht ist. Bei dieser Halbleitereinrichtung ist eine Platte mit einem Durchgangsloch in einer der Lage des Fotodetektors entsprechenden Lage in engen Kontakt mit der Oberfläche des Harzgehäuses ge­ bracht. Diese Platte wird beispiels weise aus Aluminium herge­ stellt, um das Licht abzuweisen. Damit ist es möglich, daß durch diese Platte Licht nur auf den Fotodetektor fällt.

Mit der weiten Verbreitung tragbarer Personalcomputer und elektro­ nischer Notebooks ging eine zunehmende Verringerung der Größe und Dicke von integrierten Schaltungen einher. Auch die Gehäuse für dynamische RAMs, OTP-ROMs (One Time Programmable ROMs = einmal programmierbaren Nur-Lese-Speichern) und ähnliche werden ebenso mit zunehmend verringerter Dicke und verringertem Gewicht ausge­ führt. Infolgedessen kommen TSOP (Thin Small Outline Packages = dünne Gehäuse mit kleinem Umfang) die nur etwa 1 mm dick sind, im Gebrauch.

Jedoch ist, während ein herkömmliches Harzgehäuse für eine Halb­ leitereinrichtung eine hinreichende Dicke zum Ausschalten von Licht hat, die Dicke des ein TSOP bildenden Harzmaterials so ge­ ring, daß Licht bis zum Halbleiterchip vordringen kann. Wenn Licht durch die Harzschicht hindurchdringt und auf den Halbleiterchip fällt, können im Falle eines OTP-ROM die Speicherinhalte unbeab­ sichtigt gelöscht werden, während durch das unbeabsichtigte Ab­ fließen (Lecken) von Zelladungen oder das Auftreten eines Leck­ stroms im Schaltungsteil Fehlfunktionen im Falle eines dynamischen RAM verursacht werden können. Der Umfang solcher Fehlfunktionen kann von der Intensität des Lichts und der Dicke des Harzmaterials abhängen.

Die vorgenannten Techniken, die in bezug auf Fotodetektoren be­ kannt sind, können angewandt werden, um dieses Problem zu lösen. Keine dieser Lösungen kann jedoch eine hinreichende Lichtabschir­ mung bei gleichzeitig verringerter Dicke und verringertem Gewicht des Gehäuses garantieren.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleitereinrich­ tung mit einem Harzgehäuse verringerter Dicke und verringerten Ge­ wichts bereitzustellen, bei der der Ausschluß von Lichteinwirkung hinreichend garantiert ist. Insbesondere soll ein TSOP mit hinrei­ chenden Lichtabschirmeigenschaften bereitgestellt werden.

Nach einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Halbleiter­ einrichtung bereitgestellt, die einen Halbleiterchip aufweist, der direkt mit einem eine Lichtabschirmwirkung aufweisenden Harzmate­ rial bedeckt ist, wobei die Halbleitereinrichtung desweiteren eine auf dem Harzmaterial angeordnete Lichtabschirmschicht aufweist. Das Harzmaterial kann beispielsweise Epoxidharz sein. Bei Bedarf kann dem Harzmaterial ein Farbstoff wie Graphitschwarz, ein Füller oder ähnliches zugesetzt sein.

Die erwähnte Schicht kann durch eine Versiegelung gebildet sein, deren Oberfläche mit einem Metall bedeckt ist und deren rücksei­ tige Oberfläche schwarz gefärbt ist. Das Metall kann beispiels­ weise Aluminium oder Silber sein. Diese Versiegelung wird vorzugs­ weise mit der Oberfläche der Harzschicht, die den Halbleiterchip verkapselt, verbunden, um den Halbleiterchip hinreichend effektiv zu bedecken. Die Versiegelung kann die gesamte Oberfläche der Harzschicht oder einen Teil dieser bedecken. Wenn die Dicke der auf den Halbleiterchip aufgebrachten Harzschicht nicht größer als 200 µm oder die Dicke der Halbleitereinrichtung selbst nicht grö­ ßer als 1 mm ist, hat diese Versiegelung einen merklichen Einfluß bezüglich der Lichtabschirmwirkung. Die Versiegelung reflektiert mit ihrer Oberfläche Licht, während ihre rückseitige Oberfläche Licht absorbiert. Infolge dieser doppelten Wirkung ist es möglich, auch bei kleiner Schichtdicke das Licht hinreichend abzuhalten. Da die Versiegelung nicht sehr voluminös ist, erhöht sich das Gewicht der Halbleitereinrichtung nicht wesentlich.

Die oben erwähnte Schicht kann durch eine Metallschicht oder eine keramische Schicht, die in der Gasphase abgeschieden wird, gebil­ det sein. In diesem Falle ist es vorteilhaft, wenn die Dicke des auf den Halbleiterchip aufgebrachten Harzmaterials nicht größer als 200 µm oder die Halbleitereinrichtung insgesamt nicht dicker als 1 mm ist. Die Metallschicht kann beispielsweise aus Aluminium oder Silber gebildet sein. Die Keramikschicht andererseits kann im wesentlichen bespielsweise aus Aluminiumoxid oder Siliziumdioxid gebildet sein. Die Metall- oder Keramikschicht kann auf der ge­ samten Oberfläche des Harzmaterials oder einem Teil davon ausge­ bildet sein, auf dem sie den Halbleiterchip hinreichend bedeckt. Eine solche in der Gasphase abgeschiedene Metall- oder Keramik­ schicht hält, obwohl sie extrem dünn ist, das Licht hinreichend ab. Diese Schicht erlaubt es, die verringerte Größe der Halblei­ tereinrichtung beizubehalten und erhöht deren Gewicht nicht erheb­ lich.

Die oben erwähnte Schicht kann desweiteren aus einem isolierenden Material, dessen Brechungsindex sich von dem des Harzmaterials un­ terscheidet, gebildet sein. Das isolierende Material kann bei­ spielsweise dasselbe wie das Harzmaterial sein, wobei ein Oberflä­ chenabschnitt im Unterschied zu anderen Abschnitten dahingehend behandelt ist, daß ein Gelieren gefördert wird, oder wobei sich ein solcher Abschnitt in der Verteilung des Molekulargewichts oder dem Polymerisationsgrad vom Harzmaterial unterscheidet, oder es kann ein sich vom Harzmaterial unterscheidendes und im wesentli­ chen aus Tetrahydrofuran oder einem warmhärtenden Harz zusammen­ gesetztes Material verwendet werden. In dem Falle, daß dasselbe Material verwendet wird, kann eine solche Schicht beispielsweise durch teilweises Aufheizen der Oberfläche der Harzschicht zum Be­ wirken des Gelierens gebildet werden. In dem Falle, daß unter­ schiedliches Material eingesetzt wird, kann die Schicht durch Ein­ tauchen des Gußharzes in geschmolzenes Isoliermaterial und einen anschließenden Trocknungs- oder Fotohärtungsschritt oder aber durch ein Verfahren des Aufbringens des Isoliermaterials auf das Gießharz o. ä. gebildet werden. Das Isolier- bzw. Trennmaterial kann die gesamte Oberfläche des Harzmaterials oder einen Teil die­ ser bedecken. Des weiteren können eine einzelne Schicht aus einem Trenn- bzw. Isoliermaterial oder mindestens zwei Schichten unter­ schiedlicher Trenn- bzw. Isoliermaterialien auf das Gießharz auf­ gebracht sein. Das Trenn- bzw. Isoliermaterial und das Gießharz werden so ausgewählt, daß von außen einfallendes Licht so gebro­ chen wird, daß ein Durchgang des Lichts verhindert wird. Des weite­ ren ist es möglich, die Durchlässigkeit für solches Licht durch Übereinanderschichten von Materialien mit unterschiedlichen Bre­ chungsindizes zu vermindern. Zusätzlich kann das Trenn- bzw. Iso­ liermaterial ein lichtabsorbierendes Material enthalten. Dies kann aus einem Oxid, einem Sulfid oder einem Salz eines Metalls, einem anorganischen Pigment wie etwa einer Ferrozyan-Verbindung oder ei­ nem organischen Pigment, etwa auf einer Azo- oder einer Phtha­ locyanin-Grundlage, hergestellt sein.

Nach einem weiteren Aspekt der Erfindung ist eine Halbleiterein­ richtung vorgesehen, die einen Halbleiterchip aufweist, der direkt mit einem Harzmaterial mit Lichtabschirmeigenschaften bedeckt ist, wobei dieses Harzmaterial mit einem lichtabsorbierenden Material gemischt ist. Das lichtabsorbierende Material kann aus einem Oxid, einem Sulfid oder einem Salz eines Metalls, einem anorganischen Pigment wie etwa einer Ferrozyan-Verbindung oder einem organischen Pigment, etwa auf einer Azo- oder einer Phthalocyanin-Grundlage, hergestellt sein. Wenn die Dicke des auf dem Halbleiterchip aufge­ brachten Harzmaterials nicht größer als 200 µm oder die Dicke der Halbleitereinrichtung nicht größer als 1 mm ist, erfüllt das lichtabsorbierende Material eine wichtige Funktion in bezug auf die Lichtabschirmungseigenschaften. Die Lichtabschirmungseigen­ schaften eines Gießharzes werden durch Hinzufügen eines solchen lichtabsorbierenden Materials weiter verbessert.

Nach einem weiteren Aspekt der Erfindung ist eine Halbleiterein­ richtung vorgesehen, die aus einem Halbleiterchip besteht, der mit einem Harzmaterial mit Lichtabschirmeigenschaft bedeckt ist, wobei die Oberfläche des Halbleiterchips mit einer mit einer schwarzen Substanz gemischten Polyimid-Schicht bedeckt ist. Eine solche schwarze Substanz wird beispielsweise aus Kohlenstoff (Graphit) o. ä. hergestellt. Die schwarze Polyimid-Schicht schützt den Halb­ leiterchip vor Licht.

Nach einem weiteren Aspekt der Erfindung ist ein Gehäuse zur Be­ deckung einer Halbleitereinrichtung, die einen mit einem Harzmate­ rial bedeckten Halbleiterchip enthält, zum Schutz desselben vor Licht vorgesehen. Dieses Gehäuse ist so gestaltet, daß es eine oder mindestens zwei Halbleitereinrichtungen, welche auf einer Verdrahtungsplatte montiert sind, bedeckt. Das Gehäuse ist beson­ ders effektiv, wenn die Dicke der auf die Halbleiterchip aufge­ brachten Harzschicht nicht größer als 200 µm oder die Dicke der Halbleitereinrichtung selbst nicht größer als 1 mm ist. Das Ge­ häuse kann beispielsweise aus Harz, Keramik der einem Metall her­ gestellt sein. Das Gehäuse bedeckt eine oder mindestens zwei Halb­ leitereinrichtungen, welche auf einer Verdrahtungsplatte montiert sind, um sie vor Licht zu schützen.

Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Erläuterung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren.

Von den Figuren zeigen:

Fig. 1 eine Querschnittsdarstellung, die schematisch eine Halb­ leitereinrichtung nach einer ersten Ausführungsform zeigt,

Fig. 2 eine Querschnittsdarstellung, die den Aufbau einer Lichtabschirm-Versiegelung zeigt, die in der ersten Aus­ führungsform verwendet wird,

Fig. 3 eine Querschnittsdarstellung, die schematisch eine Halb­ leitereinrichtung nach einer zweiten Ausführungsform zeigt,

Fig. 4 eine Querschnittsdarstellung, die schematisch eine Halb­ leitereinrichtung nach einer dritten Ausführungsform zeigt,

Fig. 5 eine Querschnittsdarstellung, die schematisch eine Halb­ leitereinrichtung nach einer vierten Ausführungsform zeigt,

Fig. 6 eine Querschnittsdarstellung, die schematisch eine Halb­ leitereinrichtung nach einer fünften Ausführungsform zeigt,

Fig 7 eine Querschnittsdarstellung, die schematisch den Aufbau eines Halbleiterchips zeigt, der bei der fünften Ausfüh­ rungsform vorhanden ist,

Fig. 8 eine Querschnittsdarstellung, die ein Gehäuse für eine Halbleitereinrichtung nach einer sechsten Ausführungs­ form zeigt, und

Fig. 9 eine Draufsicht, die einen Ausschnitt des Gehäuses, das die Halbleitereinrichtung bedeckt, nach der sechsten Ausführungsform zeigt.

Fig. 1 zeigt eine Halbleitereinrichtung 10 nach einer ersten Aus­ führungsform. Ein Halbleiterchip 2, der auf einem Substrat 7 ange­ ordnet ist, ist über Drähte 4 mit Leitungsanschlüssen 3 verbunden und in einem Gießharzgehäuse 1 untergebracht. Das Harzgehäuse 1 ist aus Epoxidharz hergestellt, das mit Graphitschwarz und einem Füllstoff gemischt ist. Weiterhin ist eine Lichtabschirm- Versiegelung 5 auf die obere Oberfläche des Harzgehäuses 1 aufgebracht. Bei dieser Halbleitereinrichtung 10 hat der Halbleiterchip 2 eine Dicke d₁ von etwa 450 µm, das Substrat 7 hat eine Dicke d₂ von 150 µm und der Teil des Harzgehäuses 1, der auf dem Halbleiterchip 2 aufgebracht ist, hat eine Dicke d₃ von etwa 200 µm. Das Harzgehäuse 1 hat eine Dicke D von etwa 1 mm.

Wie Fig. 2 zeigt, ist die Lichtabschirm-Versiegelung 5 durch Auf­ einanderstapeln einer (abgeschiedenen) Metallschicht 11 aus Alumi­ nium o. ä., einer schwarz gefärbten Klebeschicht 12 auf Silikonbasis und einer Schutzschicht 13 aus Polyester o. ä. auf einem Träger 14 gebildet. Die abgeschiedene Metallschicht 11 reflektiert Licht, während die Klebeschicht 12 Licht absorbiert.

Damit reflektiert die Lichtabschirm-Versiegelung 5 durch die abge­ schiedene Metallschicht Licht, und durch die schwarz gefärbte Sub­ stanz, die auf ihre rückseitige Oberfläche aufgebracht ist, absor­ biert sie Licht. Diese Versiegelung 5 ist so ausgebildet, daß sie das Eindringen von Außenlicht in das Harzgehäuse 1 verhindert.

Fig. 3 zeigt eine zweite Ausführungsform der Erfindung. Wie Fig. 3 zeigt, sind Aufbau- und Abmessungen der Halbleitereinrichtung 20 bei dieser Ausführungsform ähnlich zu denen der Halbleitereinrich­ tung 10 nach der ersten Ausführungsform, ausgenommen die Lichtab­ schirm-Versiegelung 5. Das Harzgehäuse 10 dieser Halbleiterein­ richtung 20 ist aus Epoxidharz hergestellt, welches ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform mit Graphitschwarz und einem Füll­ stoff gemischt ist.

Eine Aluminiumoxidschicht 21 ist auf der oberen Oberfläche des Harzgehäuses 1 durch CVD gebildet. Diese Aluminiumoxidschicht 21 hat eine Dicke von etwa 100 µm. Vorzugsweise ist die Dicke der Aluminiumoxidschicht 21 nicht größer als 100 µm, so daß die Dicke der Halbleitereinrichtung 20 durch diese Schicht 21 nicht wesent­ lich vergrößert wird. Die Aluminiumoxidschicht 21 ist so ausge­ bildet, daß sie äußeres Licht abschirmt. Anstelle von Aluminiumoxid können Keramik wie SiO₂ oder ein Metall wie Al, Ag oder W auf das Harzgehäuse 1 abgeschieden sein. Wenn ein Metall abgeschieden ist, ist es erforderlich, die Metallschicht sorgfältig so auszubilden, daß sie nicht in Kontakt mit den Leitungsanschlüssen kommt.

Fig. 4 zeigt eine dritte Ausführungsform der Erfindung. Wie Fig. 4 zeigt, sind Aufbau und Abmessungen der Halbleitereinrichtungen 30 bei dieser Ausführungsform ähnlich zu denen der Halbleitereinrich­ tung 10 nach der ersten Ausführungsform, ausgenommen die Lichtab­ schirm-Versiegelung 5. Das Harzgehäuse 10 dieser Halbleiterein­ richtung 30 ist aus einem ähnlichen Material wie bei der ersten Ausführungsform hergestellt. Andererseits ist die Oberfläche des Harzgehäuses 10 im wesentlichen ganzflächig mit einer Schicht 31 bedeckt, die aus dem gleichen Material wie das Harzgehäuse 1 be­ steht. Diese Schicht ist so präpariert, daß ein Gelieren minde­ stens auf ihrer Oberfläche gefördert wird. Die Schicht 31 kann al­ ternativ aus einem Material wie beispielsweise Polyesterharz her­ gestellt sein, das sich von dem des Harzgehäuses 1 unterscheidet. In diesem Falle wird das Gehäuse 1 etwa in eine Polyesterlösung getaucht, gehärtet und getrocknet, wodurch die Schicht 31 gebildet wird. Diese Schicht 31 hat einen Brechungsindex, der sich von dem des Harzgehäuses 1 unterscheidet, wodurch der Durchgang von Licht verhindert wird.

Fig. 5 zeigt eine Halbleitereinrichtung 40 nach einer vierten Aus­ führungsform der Erfindung. Wie Fig. 5 zeigt, ist ein auf einem Substrat 7 angeordneter Halbleiterchip 2 über Drähte 4 mit Lei­ tungsanschlüssen 3 verbunden und in einem Gießharzgehäuse 41 un­ tergebracht. Das gesamte Gießharzgehäuse 41 enthält homogen Gra­ phitschwarz oder schwarzes Eisenoxid oder Anilinschwarz, die über einen weiten Bereich vom Ultraviolett-Bereich bis zum Infrarot-Be­ reich hin Licht absorbieren. Weiterhin kann das Harzgehäuse 1 min­ destens ein Oxid, Sulfid oder Salz eines Metalls, ein anorgani­ sches Pigment wie etwa eine Ferrozyan-Verbindung oder ein organi­ sches Pigment, wie etwa auf einer Azo- oder Phthalocyanin-Grund­ lage, enthalten.

Fig. 6 zeigt eine Halbleitereinrichtung 50 nach einer fünften Aus­ führungsform der Erfindung. Wie Fig. 6 zeigt, ist die Oberfläche eines auf einem Substrat 7 angeordneten Halbleiterchips 62 mit ei­ ner Absorptionsschicht 61 aus einem mit Graphitschwarz gemischten Polyimid bedeckt. Der Halbleiterchip 62 hat beispielsweise einen Aufbau wie nach Fig. 7. Eine N⁺-Diffusionsschicht 52 ist in einem P-Siliziumsubstrat 51 gebildet, während auf dem Substrat 51 eine Oxidschicht 53, eine Zellplatte 54, eine Einebnungs-Schicht 55, eine Bitleitung 56, eine Nitridschicht 57 und Wortleitungen 59 ge­ bildet sind. Die Absorptionsschicht 61 ist auf der Nitridschicht 57 gebildet. Die Absorptionsschicht 61 kann effektiv Licht absor­ bieren, dessen Wellenlänge unterhalb des Infrarot-Bereiches liegt. Damit wird durch die Absorptionsschicht 61 Außenlicht abgehalten.

Fig. 8 zeigt eine sechste Ausführungsform der Erfindung. Wie Fig. 8 zeigt, ist eine Halbleitereinrichtung 80, die auf einer Verdrah­ tungsplatte 87 montiert ist, mit einem Gehäuse 80 bedeckt. Das Ge­ häuse 80, das aus Epoxidharz besteht, ist mit der Verdrahtungs­ platte (Platine) 87 verbunden. Der Aufbau und die Abmessungen der Halbleitereinrichtung 80 sind ähnlich wie die der Halbleiterein­ richtung 10 bei der ersten Ausführungsform, ausgenommen die Lichtabschirm-Versiegelung 5.

Wie in Fig. 9 gezeigt, kann eine einzelne Halbleitereinrichtung mit einem Gehäuse 91a versehen sein, oder eine Mehrzahl von Halb­ leitereinrichtungen kann mit einem gemeinsamen Gehäuse 91b verse­ hen sein. Als Material für ein solches Gehäuse kommt nicht nur das oben erwähnte Epoxidharz in Frage, sondern es kann alternativ aus einem anderen Harz, wie etwa Silikonharz, einer Keramik wie Alumi­ niumoxid, einem Metall o. ä. hergestellt sein. Wenn das Gehäuse aus Harz hergestellt ist, ist es möglich, das Harz mit einem Material zu vermischen, das Licht absorbiert und/oder reflektiert.

Bei jeder der erwähnten Ausführungsformen kann das Harzgehäuse un­ ter Hinzufügung von Quarzglas, das mit anorganischen oder organi­ schen Pigmenten gefärbt ist, ausgeführt sein, um das Lichtab­ schirmvermögen zu verbessern.

Wie oben beschrieben, ist es gemäß der vorliegenden Erfindung mög­ lich, eine hochgradig zuverlässige Halbleitereinrichtung mit ver­ besserten Lichtabschirmeigenschaften bereitzustellen, ohne daß sich das verringerte Gewicht und die verringerte Größe der Halb­ leitereinrichtung wesentlich verändert. Gemäß der Erfindung kann weiter eine Halbleitereinrichtung, die auf einer Verdrahtungs­ platte (Platine) konfektioniert ist, effektiv gegen Licht ge­ schützt werden, wodurch sich die Zuverlässigkeit verbessert.

Damit ist es möglich, etwa Fehlfunktionen eines dynamischen RAM, die durch Licht verursacht werden, oder unbeabsichtigtes Löschen des Speicherinhalts bei einem ROM, das durch Licht verursacht sein kann, zu verhindern.

Claims (16)

1. Halbleitereinrichtung (10, 20, 30) mit einem Halbleiterchip (2), der direkt mit einem Harzmaterial (1) mit lichtabschirmenden Eigenschaften bedeckt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Halb­ leitereinrichtung eine Lichtabschirmschicht (5, 21, 31), die auf dem Harzmaterial angeordnet ist, aufweist.

2. Halbleitereinrichtung (10) nach Anspruch 1 dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Lichtabschirmschicht durch eine Versiegelung (5) mit einer äußeren Schicht (11), die mit einem Metall bedeckt ist, und einer schwarz gefärbten inneren Schicht (12) gebildet ist.

3. Halbleitereinrichtung (10) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall Aluminium oder Silber ist.

4. Halbleitereinrichtung (10) nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Versiegelung (5) mit der Oberfläche des Harzmaterials (1) verbunden ist.

5. Halbleitereinrichtung (20) nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Lichtabschirmschicht durch eine Metallschicht (21) oder eine Keramikschicht (21), die in der Gasphase auf das Harzmaterial (1) abgeschieden ist, gebildet ist.

6. Halbleitereinrichtung (20) nach Anspruch 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Keramikschicht (21) im wesentlichen aus Alumi­ niumoxid besteht.

7. Halbleitereinrichtungen (30) nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Lichtabschirmschicht durch mindestens eine Deck­ schicht (31) aus einem Abschirm- bzw. Isoliermaterial, dessen Bre­ chungsindex sich von dem des Harzmaterials (1) unterscheidet, ge­ bildet ist.

8. Halbleitereinrichtungen (30) nach Anspruch 7, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Deckschicht (31) aus dem gleichen Material wie dem Harzmaterial (1) besteht, und so behandelt ist, daß ein Gelie­ ren mindestens auf ihrer Oberfläche gefördert wird.

9. Halbleitereinrichtung (30) nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Trenn- bzw. Isoliermaterial Polyesterharz ist.

10. Halbleitereinrichtung (40) mit einem Halbleiterchip (2), der direkt mit einem Harzmaterial (41) mit Lichtabschirmeigenschaften bedeckt ist, wobei das Harzmaterial (41) mit einem lichtabsorbie­ renden Material gemischt ist.

11. Halbleitereinrichtung (50) nach Anspruch 10, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das lichtabsorbierende Material aus der aus Oxiden, Sulfiden oder Salzen eines Metalls, einem ferrozyanischen, anorga­ nischen Material, einem organischen Azo-Pigment und einem organi­ schen Phthalocyanin-Pigment bestehenden Gruppe ausgewählt ist.

12. Halbleitereinrichtung (50) mit einem Halbleiterchip (62), der mit einem Harzmaterial (1) mit Lichtabschirmungseigenschaften be­ deckt ist, wobei die Oberfläche des Halbleiterchips (62) mit einem mit einer schwarzen Substanz gemischten Polyimidmaterial (61) be­ deckt ist.

13. Halbleitereinrichtung (50) nach Anspruch 12, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die schwarze Substanz Kohlenstoff ist.

14. Halbleitereinrichtung (10, 20, 30, 40) nach einem der Ansprüche 1-13, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Harzmaterials (1, 41), das auf den Halbleiterchip (2, 62) abgeschieden ist, nicht größer als 200 µm ist, oder daß die Dicke der Halbleitereinrich­ tung (10, 20, 30, 40) selbst nicht mehr als 1 mm beträgt.

15. Gehäuse (81, 91a, 91b) zur Bedeckung einer Halbleitereinrich­ tung (80), die einen mit einem Harzmaterial bedeckten Halbleiter­ chip aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse (81, 91a, 91b) eine oder mehrere auf einem Verdrahtungssubstrat (87) ange­ brachte Halbleitereinrichtungen bedeckt und diese vor Licht schützt.

16. Gehäuse (81, 91a, 91b) nach Anspruch 15, dadurch gekennzeich­ net, daß die Dicke der auf dem Halbleiterchip aufgebrachten Harz­ schicht nicht mehr als 200 µm beträgt, oder daß die Dicke der Halbleitereinrichtung (80) selbst nicht mehr als 1 mm beträgt.