JPH01152664A - 受光素子内蔵集積回路 - Google Patents
受光素子内蔵集積回路Info
- Publication number
- JPH01152664A JPH01152664A JP62312854A JP31285487A JPH01152664A JP H01152664 A JPH01152664 A JP H01152664A JP 62312854 A JP62312854 A JP 62312854A JP 31285487 A JP31285487 A JP 31285487A JP H01152664 A JPH01152664 A JP H01152664A
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- JP
- Japan
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- light
- pellet
- receiving element
- resin package
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- Pending
Links
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 21
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は受光ダイオード等の受光素子とその出力である
光電流を増幅等の信号処理を行なう集積回路（以下ＩＣ
と略す）とが同一ペレット上に形成された受光素子内蔵
集積回路（以下受光ＩＣと略す）に関し、特にＩＣ部分
に光が当たらない様な措置の施された受光ＩＣに関する
。
光電流を増幅等の信号処理を行なう集積回路（以下ＩＣ
と略す）とが同一ペレット上に形成された受光素子内蔵
集積回路（以下受光ＩＣと略す）に関し、特にＩＣ部分
に光が当たらない様な措置の施された受光ＩＣに関する
。
従来の受光ＩＣは第５図、第６図に示す様に受光ＩＣペ
レット５４を通常の方法でリードフレーム５３にマウン
トしさらにワイヤボンディングし透明樹脂で封入して樹
脂パッケージ５１を完成していた。すなわち、わずか数
ミリ角の受光ＩＣペレット上に受光素子５４２とＩＣ５
４１が形成されているので受光素子５４２とＩＣ５４１
が極めて近接して配置されＩＣ部分に光が当たらない様
な遮光措置は特に施されていなかった。
レット５４を通常の方法でリードフレーム５３にマウン
トしさらにワイヤボンディングし透明樹脂で封入して樹
脂パッケージ５１を完成していた。すなわち、わずか数
ミリ角の受光ＩＣペレット上に受光素子５４２とＩＣ５
４１が形成されているので受光素子５４２とＩＣ５４１
が極めて近接して配置されＩＣ部分に光が当たらない様
な遮光措置は特に施されていなかった。
上述した従来の受光ＩＣは受光素子とＩＣとが同一ペレ
ット上に形成され、極めて近接して配置されているので
受光ダイオードに照射されるべき光の一部や、もれ光な
どがＩＣ部分にも照射されることがある。この場合ＩＣ
内のトランジスタや抵抗の部分に光が照射されるとその
部分で光電流が発生しＩＣの正常な動作をさまたげると
いう重大な欠点を有する。
ット上に形成され、極めて近接して配置されているので
受光ダイオードに照射されるべき光の一部や、もれ光な
どがＩＣ部分にも照射されることがある。この場合ＩＣ
内のトランジスタや抵抗の部分に光が照射されるとその
部分で光電流が発生しＩＣの正常な動作をさまたげると
いう重大な欠点を有する。
特にコンパクトディスク等に用いられる場合は回折格子
を通してレーザー光が受光素子に照射される。回折格子
を通すと光の干渉により０次光、１次光さらに２次以上
の高次光が発生し、これらがある間隔をおいて受光ＩＣ
ペレット上に照射されることになる。すなわち例えば０
次光あるいは１次光を受光素子に照射する様に設計する
と、必然的に高次光がＩＣ部分に照射されることになり
、この高次光を照射されたＩＣ部分で光電流が発生しこ
れがＩＣの正常の動作をさまたげるという重大な欠点を
有している。
を通してレーザー光が受光素子に照射される。回折格子
を通すと光の干渉により０次光、１次光さらに２次以上
の高次光が発生し、これらがある間隔をおいて受光ＩＣ
ペレット上に照射されることになる。すなわち例えば０
次光あるいは１次光を受光素子に照射する様に設計する
と、必然的に高次光がＩＣ部分に照射されることになり
、この高次光を照射されたＩＣ部分で光電流が発生しこ
れがＩＣの正常の動作をさまたげるという重大な欠点を
有している。
本発明は従来技術に内在する前記欠点を解決する為にな
されたものである。本発明の目的は光により誤動作のな
い受光ＩＣを提供することであり、同一ペレット上に形
成された受光素子部には信号源である光が照射しＩＣ部
には光が照射しない様な遮光措置を施すことにより達成
する。
されたものである。本発明の目的は光により誤動作のな
い受光ＩＣを提供することであり、同一ペレット上に形
成された受光素子部には信号源である光が照射しＩＣ部
には光が照射しない様な遮光措置を施すことにより達成
する。
遮光措置に関しては樹脂パッケージ表面に光不透過性の
板を密着して装着することにより施すことができるが、
信号源である光が当たらなければならない受光素子と光
が当ってはいけないＩＣ部分とが１ｍｍ以下の極めて接
近して配置されている為、その選択的な遮光措置が絶対
的に必要となる。その選択的な遮光措置は受光ＩＣペレ
ットの受光素子に対応する位置に貫通孔を設けた光透光
体を少なくとも樹脂パッケージ表面に装着させることに
より可能になる。
板を密着して装着することにより施すことができるが、
信号源である光が当たらなければならない受光素子と光
が当ってはいけないＩＣ部分とが１ｍｍ以下の極めて接
近して配置されている為、その選択的な遮光措置が絶対
的に必要となる。その選択的な遮光措置は受光ＩＣペレ
ットの受光素子に対応する位置に貫通孔を設けた光透光
体を少なくとも樹脂パッケージ表面に装着させることに
より可能になる。
以上説明した様に本発明は安価に実現できる方法で受光
ＩＣペレットの受光素子にだ対応する樹脂表面は光を通
し、ＩＣ部分に対応する樹脂表面は光を通さないという
選択的な遮光措置を施すことによって、光によるＩＣの
誤動作のない受光ＩＣを実現したという特徴を有する。
ＩＣペレットの受光素子にだ対応する樹脂表面は光を通
し、ＩＣ部分に対応する樹脂表面は光を通さないという
選択的な遮光措置を施すことによって、光によるＩＣの
誤動作のない受光ＩＣを実現したという特徴を有する。
次に図を参照して本発明をさらに詳細に説明する。本発
明による受光ＩＣの第１の実施例の構成図を第１図及び
第２図に示す。これは以下の様にして製造される。まず
通常の方法でフォトダイオード２４２と、フォトダイオ
ードからの信号を処理するＩＣ２４１を同一ペレット上
に備えた受光ＩＣペレット２４を形成後、この受光ＩＣ
ペレット２４をリードフレーム２３の上にマウントしさ
らにワイヤボンディングを行なう。第２図では図を簡単
にする為にボンディングワイヤは省略した。次に樹脂封
入を行う樹脂パッケージ２１を形成する。樹脂パッケー
ジ２１は第１図、第２図に示す様に受光ＩＣペレット２
４のフォトダイオード２４２に対応する位置の樹脂パッ
ケージ表面が突出した形状（突出部２１１）になる様に
成形する。次に突出部２１１に対応する位置に貫通孔１
２１のある光不透過性の板（遮光板（この実施例ではＡ
ｌ板を用いた））２２を、貫通孔に突出部２１１が挿入
される様にして樹脂パッケージ表面に密着して装着する
。第２図に装着完了後の構造図を示す。装着の方法は接
着剤等により簡単に行なうことができる。以上により光
による誤動作のない受光ＩＣが完成した。
明による受光ＩＣの第１の実施例の構成図を第１図及び
第２図に示す。これは以下の様にして製造される。まず
通常の方法でフォトダイオード２４２と、フォトダイオ
ードからの信号を処理するＩＣ２４１を同一ペレット上
に備えた受光ＩＣペレット２４を形成後、この受光ＩＣ
ペレット２４をリードフレーム２３の上にマウントしさ
らにワイヤボンディングを行なう。第２図では図を簡単
にする為にボンディングワイヤは省略した。次に樹脂封
入を行う樹脂パッケージ２１を形成する。樹脂パッケー
ジ２１は第１図、第２図に示す様に受光ＩＣペレット２
４のフォトダイオード２４２に対応する位置の樹脂パッ
ケージ表面が突出した形状（突出部２１１）になる様に
成形する。次に突出部２１１に対応する位置に貫通孔１
２１のある光不透過性の板（遮光板（この実施例ではＡ
ｌ板を用いた））２２を、貫通孔に突出部２１１が挿入
される様にして樹脂パッケージ表面に密着して装着する
。第２図に装着完了後の構造図を示す。装着の方法は接
着剤等により簡単に行なうことができる。以上により光
による誤動作のない受光ＩＣが完成した。
尚、遮光板はＡｌ板を用いたが、他の材料、例えば樹脂
等、どのような材料でもよい。
等、どのような材料でもよい。
遮光板の厚さは、第２図では突出部の高さと同じに描か
れているが、これよりも厚くても、薄くてもよい。薄い
場合は斜め入射の光の影響を受は易くなるので注意を要
する。
れているが、これよりも厚くても、薄くてもよい。薄い
場合は斜め入射の光の影響を受は易くなるので注意を要
する。
本発明の第２の実施例を第３図に示す。この実施例では
光不透過性の板、すなわち遮光体３２は、プリント基板
への位置決めの足２２を備えたテーブル状となっている
。この他は第１の実施例と同じである。
光不透過性の板、すなわち遮光体３２は、プリント基板
への位置決めの足２２を備えたテーブル状となっている
。この他は第１の実施例と同じである。
上記２つの実施例はいづれも樹脂パッケージ表面に突出
部を有しているため、この突出部を貫通孔に挿入するだ
けで遮光体の位置決めが容易に行える利点がある。
部を有しているため、この突出部を貫通孔に挿入するだ
けで遮光体の位置決めが容易に行える利点がある。
尚、突出部は実施例では樹脂パッケージの他の部分と一
体成形したが、突出部のみを後から樹脂パッケージ表面
に形成してもよい。
体成形したが、突出部のみを後から樹脂パッケージ表面
に形成してもよい。
本発明の第３の実施例は第５図に示した従来りイブの樹
脂パッケージの表面に第１図で示した遮光体を、貫通孔
が受光素子上部に位置するようにして接着した構造とし
た。この構造では遮光体の位置決めに少し難点があるが
、従来の樹脂パッケージがそのまま使える利点がある。
脂パッケージの表面に第１図で示した遮光体を、貫通孔
が受光素子上部に位置するようにして接着した構造とし
た。この構造では遮光体の位置決めに少し難点があるが
、従来の樹脂パッケージがそのまま使える利点がある。
上記いずれの実施例も、遮光体は樹脂パッケージの上面
のみを覆う形状となっていたが、第４図（ａ）、（ｂ）
に示すように樹脂パッケージの側面も覆う形状の遮光体
を用いてもよい。
のみを覆う形状となっていたが、第４図（ａ）、（ｂ）
に示すように樹脂パッケージの側面も覆う形状の遮光体
を用いてもよい。
以上説明したように本発明によって樹脂パッケージ表面
に受光素子に対応する部分に信号源となる光を通し、Ｉ
Ｃ部分には雑音となり光を通さないという選択的に遮光
措置を安価に行うことができ、これにより光がＩＣ部分
に照射されることによって引き起こされるＩＣの誤動作
を防ぐことができる効果がある。
に受光素子に対応する部分に信号源となる光を通し、Ｉ
Ｃ部分には雑音となり光を通さないという選択的に遮光
措置を安価に行うことができ、これにより光がＩＣ部分
に照射されることによって引き起こされるＩＣの誤動作
を防ぐことができる効果がある。
第１図は本発明による受光ＩＣの第１の実施例の構成図
、第２図は本発明による第１の実施例の断面構成図、第
３図は本発明による受光ＩＣの第２の実施を示す図、第
４図は本発明に用いる遮光体の他の例を示す図、第５図
は従来の受光ＩＣの斜視図、第６図は従来の受光ＩＣの
断面構造図である。 ２１・・・樹脂パッケージ、２１１・・・樹脂パッケー
ジの突出部、２２．３２・・・光不透過性の板、２３．
５３・・・リードフレーム、２４．５４・・・受光ＩＣ
ペレット、２４２．５４２・・・受光ＩＣペレットの受
光素子、２４１．５４１・・・受光ＩＣペレットのＩＣ
部分。
、第２図は本発明による第１の実施例の断面構成図、第
３図は本発明による受光ＩＣの第２の実施を示す図、第
４図は本発明に用いる遮光体の他の例を示す図、第５図
は従来の受光ＩＣの斜視図、第６図は従来の受光ＩＣの
断面構造図である。 ２１・・・樹脂パッケージ、２１１・・・樹脂パッケー
ジの突出部、２２．３２・・・光不透過性の板、２３．
５３・・・リードフレーム、２４．５４・・・受光ＩＣ
ペレット、２４２．５４２・・・受光ＩＣペレットの受
光素子、２４１．５４１・・・受光ＩＣペレットのＩＣ
部分。
Claims (1)
- 受光素子と受光素子からの電気信号を処理する集積回
路とを１つの基板上に形成した受光素子内蔵集積回路ペ
レットをリードフレーム上に配置し、透光性の樹脂から
成る樹脂パッケージ内に前記受光素子内蔵集積回路ペレ
ットを封入した受光素子内蔵集積回路において、前記受
光素子に対応する位置に貫通孔を有する光不透過性の遮
光体を少なくともパッケージ表面に装着したことを特徴
とする受光素子内蔵集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62312854A JPH01152664A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 受光素子内蔵集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62312854A JPH01152664A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 受光素子内蔵集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01152664A true JPH01152664A (ja) | 1989-06-15 |
Family
ID=18034232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62312854A Pending JPH01152664A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 受光素子内蔵集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01152664A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5317195A (en) * | 1990-11-28 | 1994-05-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device improved in light shielding property and light shielding package |
| JP2002246613A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Seiko Instruments Inc | 光機能モジュールとその製造方法 |
| JP2010060360A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Murata Mfg Co Ltd | 角速度センサ |
| JP2013065598A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-11 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-12-09 JP JP62312854A patent/JPH01152664A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5317195A (en) * | 1990-11-28 | 1994-05-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device improved in light shielding property and light shielding package |
| JP2002246613A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Seiko Instruments Inc | 光機能モジュールとその製造方法 |
| JP2010060360A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Murata Mfg Co Ltd | 角速度センサ |
| JP2013065598A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-11 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
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