JPS63124458A - 受光素子 - Google Patents
受光素子Info
- Publication number
- JPS63124458A JPS63124458A JP61270661A JP27066186A JPS63124458A JP S63124458 A JPS63124458 A JP S63124458A JP 61270661 A JP61270661 A JP 61270661A JP 27066186 A JP27066186 A JP 27066186A JP S63124458 A JPS63124458 A JP S63124458A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- peripheral circuit
- light
- chip
- receiving element
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract description 6
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ホトダイオードと周辺回路とを集積した受光
素子の高感度化に関するものである。
素子の高感度化に関するものである。
第2図は、ホトダイオードと周辺回路とを集積した従来
の受光素子の断面図である。第2図において、1はホト
ダイオード、2はトランジスタ・抵抗であり、トランジ
スタ・抵抗2は増幅回路等の周辺回路を形成する。この
受光素子においては、ホトダイオード1と周辺回路2は
同一平面上に形成されている。
の受光素子の断面図である。第2図において、1はホト
ダイオード、2はトランジスタ・抵抗であり、トランジ
スタ・抵抗2は増幅回路等の周辺回路を形成する。この
受光素子においては、ホトダイオード1と周辺回路2は
同一平面上に形成されている。
次に、このように構成された受光素子の動作について説
明する。ホトダイオード1は、光信号を検出し、これを
電気信号に変換して出力する。ホトダイオード1から出
力される電気信号は周辺回路2に入力され、増幅・波形
整形等の回路を通り、外部へ出力される。
明する。ホトダイオード1は、光信号を検出し、これを
電気信号に変換して出力する。ホトダイオード1から出
力される電気信号は周辺回路2に入力され、増幅・波形
整形等の回路を通り、外部へ出力される。
ホトダイオードlと周辺回路2とを集積した従来の受光
素子は以上のように構成されているので、ホトダイオー
ド1と周辺回路2とを同一平面上に形成しなければなら
ず、チップサイズに対してホトダイオードの占める面積
が小さくなるため光感度が悪く、周辺回路2にも光が照
射されるため誤動作するなどの問題があった。
素子は以上のように構成されているので、ホトダイオー
ド1と周辺回路2とを同一平面上に形成しなければなら
ず、チップサイズに対してホトダイオードの占める面積
が小さくなるため光感度が悪く、周辺回路2にも光が照
射されるため誤動作するなどの問題があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、ホトダイオードと周辺回路とを
集積した受光素子のチップサイズを大きくすることなく
ホトダイオードの受光面積を大きくして光感度を高くで
きると共に、光照射により周辺回路が誤動作することの
ない受光素子を得ることにある。
の目的とするところは、ホトダイオードと周辺回路とを
集積した受光素子のチップサイズを大きくすることなく
ホトダイオードの受光面積を大きくして光感度を高くで
きると共に、光照射により周辺回路が誤動作することの
ない受光素子を得ることにある。
このような目的を達成するために本発明は、ホトダイオ
ードと周辺回路とを1素子に集積した受光素子において
、ホトダイオードを受光素子チップの一方の平面に形成
し、周辺回路を受光素子チップの他方の平面に形成した
ことにより、ホトダイオードと周辺回路とを1素子の2
つの平面にそれぞれ分離集積するようにしたものである
。
ードと周辺回路とを1素子に集積した受光素子において
、ホトダイオードを受光素子チップの一方の平面に形成
し、周辺回路を受光素子チップの他方の平面に形成した
ことにより、ホトダイオードと周辺回路とを1素子の2
つの平面にそれぞれ分離集積するようにしたものである
。
本発明においては、ホトダイオードの光感度は従来より
も高く、周辺回路は誤動作をすることがない。
も高く、周辺回路は誤動作をすることがない。
本発明に係わる装置の一実施例を第1図に示す。
第1図において、1はチップ表側に形成されたホトダイ
オード、2はチップ裏側に形成されたトランジスタ・抵
抗であり、トランジスタ・抵抗2は増幅回路等の周辺回
路を形成する。受光部であるホトダイオード1は光が照
射されるチップの表側に形成され、周辺回路は光が照射
されないチップの裏側にホトダイオードエと分離して形
成される。
オード、2はチップ裏側に形成されたトランジスタ・抵
抗であり、トランジスタ・抵抗2は増幅回路等の周辺回
路を形成する。受光部であるホトダイオード1は光が照
射されるチップの表側に形成され、周辺回路は光が照射
されないチップの裏側にホトダイオードエと分離して形
成される。
チップの表側のホトダイオード1とチップの裏側の周辺
回路2とはワイヤボンディング等により電気的に結合さ
れる。また、チップ裏側の周辺回路2はフリップチップ
等によりボンディングされ、外部端子と電気的・機械的
に結合される。
回路2とはワイヤボンディング等により電気的に結合さ
れる。また、チップ裏側の周辺回路2はフリップチップ
等によりボンディングされ、外部端子と電気的・機械的
に結合される。
このように構成された受光素子の動作は従来の受光素子
と同様であるので、その説明を省略する。
と同様であるので、その説明を省略する。
以上説明したように本発明は、ホトダイオードと周辺回
路とをチップの一方の平面と他方の平面との2平面に分
離して形成したことにより、ホトダイオードを一方の平
面全体に形成できるので、光感度を高くすることができ
るという効果がある。
路とをチップの一方の平面と他方の平面との2平面に分
離して形成したことにより、ホトダイオードを一方の平
面全体に形成できるので、光感度を高くすることができ
るという効果がある。
また、光が照射される受光部としてのホトダイオードと
分離して周辺回路を形成することができるので、光照射
による周辺回路の誤動作を防止することができる効果が
ある。
分離して周辺回路を形成することができるので、光照射
による周辺回路の誤動作を防止することができる効果が
ある。
第1図は本発明に係わる受光素子の一実施例を示す断面
図、第2図は従来の受光素子を示す断面図である。 1・・・ホトダイオード、2・・・周辺回路。
図、第2図は従来の受光素子を示す断面図である。 1・・・ホトダイオード、2・・・周辺回路。
Claims (1)
- ホトダイオードと周辺回路とを1素子に集積した受光
素子において、前記ホトダイオードを受光素子チップの
一方の平面に形成し、前記周辺回路を前記受光素子チッ
プの他方の平面に形成したことにより、前記ホトダイオ
ードと周辺回路とを1素子の前記2つの平面にそれぞれ
分離集積したことを特徴とする受光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61270661A JPS63124458A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61270661A JPS63124458A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 受光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63124458A true JPS63124458A (ja) | 1988-05-27 |
Family
ID=17489194
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61270661A Pending JPS63124458A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 受光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63124458A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0537514A2 (en) * | 1991-10-14 | 1993-04-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optoelectronic integrated circuit |
US6049118A (en) * | 1996-07-19 | 2000-04-11 | Nec Corporation | Circuit built-in light-receiving element |
WO2006068184A1 (ja) * | 2004-12-24 | 2006-06-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | ホトダイオードアレイ |
US7759623B2 (en) | 2004-05-05 | 2010-07-20 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V. | Silicon photoelectric multiplier (variants) and a cell for silicon photoelectric multiplier |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP61270661A patent/JPS63124458A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0537514A2 (en) * | 1991-10-14 | 1993-04-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optoelectronic integrated circuit |
US5357121A (en) * | 1991-10-14 | 1994-10-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optoelectronic integrated circuit |
US6049118A (en) * | 1996-07-19 | 2000-04-11 | Nec Corporation | Circuit built-in light-receiving element |
US7759623B2 (en) | 2004-05-05 | 2010-07-20 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V. | Silicon photoelectric multiplier (variants) and a cell for silicon photoelectric multiplier |
WO2006068184A1 (ja) * | 2004-12-24 | 2006-06-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | ホトダイオードアレイ |
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