JP2590811B2 - 電気回路装置 - Google Patents
電気回路装置Info
- Publication number
- JP2590811B2 JP2590811B2 JP61002499A JP249986A JP2590811B2 JP 2590811 B2 JP2590811 B2 JP 2590811B2 JP 61002499 A JP61002499 A JP 61002499A JP 249986 A JP249986 A JP 249986A JP 2590811 B2 JP2590811 B2 JP 2590811B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal processing
- processing device
- sensor
- wiring
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電気回路装置に関するものである。本発明
の電気回路装置は、各種信号を検知して作動する装置な
どとして汎用でき、例えば光を検知して作動するリモー
トコントロールレシーバーに利用することができる。
の電気回路装置は、各種信号を検知して作動する装置な
どとして汎用でき、例えば光を検知して作動するリモー
トコントロールレシーバーに利用することができる。
本発明は、配線パターンが形成された同一基板の同一
面上にベア半導体装置からなるセンサと、該センサで受
信した信号を処理するベア半導体装置からなる信号処理
装置と、センサから信号処理装置への入力配線と、信号
処理装置からの出力配線との各要素が基板上に形成され
て成る電気回路装置において、上記の要素が、センサ、
入力配線用ピン、信号処理装置、出力配線用ピンの順で
センサを仮想的に信号処理装置の方向に延ばした領域内
においてほぼ一列に配列され、かつ、上記センサと、入
力配線用ピンと、信号処理装置と、出力配線用ピンとを
含む基板上の一部分を同一樹脂でオーバーコートするこ
とによって、必要な性能を保証し、生産性及び信頼性の
向上を図ろうとするものである。
面上にベア半導体装置からなるセンサと、該センサで受
信した信号を処理するベア半導体装置からなる信号処理
装置と、センサから信号処理装置への入力配線と、信号
処理装置からの出力配線との各要素が基板上に形成され
て成る電気回路装置において、上記の要素が、センサ、
入力配線用ピン、信号処理装置、出力配線用ピンの順で
センサを仮想的に信号処理装置の方向に延ばした領域内
においてほぼ一列に配列され、かつ、上記センサと、入
力配線用ピンと、信号処理装置と、出力配線用ピンとを
含む基板上の一部分を同一樹脂でオーバーコートするこ
とによって、必要な性能を保証し、生産性及び信頼性の
向上を図ろうとするものである。
従来より、センサと、これが受信した信号を処理する
処理装置とを備えた電気回路装置が各種の分野で用いら
れている。
処理装置とを備えた電気回路装置が各種の分野で用いら
れている。
このようなものの一例として、赤外線を信号としたリ
モートコントロールレシーバーがある。
モートコントロールレシーバーがある。
近年、赤外線リモートコントロール装置搭載の家電機
器などが非常に多くなってきた。これらリモートコント
ロール装置搭載機器は、その高密度実装化のため、小型
化が要求される。この結果リモートコントロール受光セ
ンサとしてのICとピンフォトダイオードの一体型モジュ
ールが出現してきた。
器などが非常に多くなってきた。これらリモートコント
ロール装置搭載機器は、その高密度実装化のため、小型
化が要求される。この結果リモートコントロール受光セ
ンサとしてのICとピンフォトダイオードの一体型モジュ
ールが出現してきた。
最小形状のモジュールは、小型部品を使い、半導体を
ベアで搭載することが必要になるが、必要な性能を得る
ためには、下記に示す項目を充分に考慮する必要があ
る。
ベアで搭載することが必要になるが、必要な性能を得る
ためには、下記に示す項目を充分に考慮する必要があ
る。
I 信号処理装置である受信アンプICの入力部のゲイン
が非常に高く(例えば80 dB)、信号の各配線間へのク
ロストークを極力おさえる必要から、入出力を混在させ
てはならない。
が非常に高く(例えば80 dB)、信号の各配線間へのク
ロストークを極力おさえる必要から、入出力を混在させ
てはならない。
II 基板配線の浮遊容量の影響を小さくするために、出
力配線長は極力短くする必要がある。
力配線長は極力短くする必要がある。
III センサ(受光素子)としてのピンフォトダイオー
ドは、受光角度の保証から受光窓真下に配置する必要が
ある。
ドは、受光角度の保証から受光窓真下に配置する必要が
ある。
IV ピンフォトダイオードには可視光カット特性が必要
である。
である。
これらを考慮せずに単純に小型部分を使い、半導体を
ベアで搭載することで小さくしたのみではまったく必要
な性能を得ることはできない。
ベアで搭載することで小さくしたのみではまったく必要
な性能を得ることはできない。
一方、受光素子としてペレット表面に赤外線以上の波
長の光のみを通す樹脂をのせたPINダイオードのペレッ
トと、その受光素子の出力信号を受けて、出力電圧ある
いは出力電流を発生する集積回路のペレットとを、一つ
のリードフレームにのせ、透明な樹脂に封入した技術が
知られている(特開昭59−197830号公報)。しかし、こ
のような構成では、樹脂封止のために要するモールド用
の金型が非常に高く、コスト増となる。かつ、感度調整
用のセラミック抵抗やセラミックコンデンサ(電源フィ
ルタ用のもの等)を付加しようとすると、これらセラミ
ック部品をPINダイオード集積回路と一緒に樹脂封止す
ることになるが、そうすると、セラミックと樹脂、半導
体とは熱膨張率の差が大きく、樹脂にクラックが発生し
てしまう。よって、セラミック部品の付加は実際上不可
能である。
長の光のみを通す樹脂をのせたPINダイオードのペレッ
トと、その受光素子の出力信号を受けて、出力電圧ある
いは出力電流を発生する集積回路のペレットとを、一つ
のリードフレームにのせ、透明な樹脂に封入した技術が
知られている(特開昭59−197830号公報)。しかし、こ
のような構成では、樹脂封止のために要するモールド用
の金型が非常に高く、コスト増となる。かつ、感度調整
用のセラミック抵抗やセラミックコンデンサ(電源フィ
ルタ用のもの等)を付加しようとすると、これらセラミ
ック部品をPINダイオード集積回路と一緒に樹脂封止す
ることになるが、そうすると、セラミックと樹脂、半導
体とは熱膨張率の差が大きく、樹脂にクラックが発生し
てしまう。よって、セラミック部品の付加は実際上不可
能である。
〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は、上記各項目に揚げられた問題点を充分に考
慮した電気回路装置を提供するものである。
慮した電気回路装置を提供するものである。
即ち本発明の目的は、必要な性能が確保され、かつ小
型形状であり、生産性、信頼性も良く、かつ可視光カッ
トなどの必要性も容易に達成することが可能な電気回路
装置を提供することにある。
型形状であり、生産性、信頼性も良く、かつ可視光カッ
トなどの必要性も容易に達成することが可能な電気回路
装置を提供することにある。
本発明は、 配線パターンが形成された同一基板の同一面上にベア
半導体装置からなるセンサと、該センサで受信した信号
を処理するベア半導体装置からなる信号処理装置と、セ
ンサから信号処理装置への入力配線と、信号処理装置か
らの出力配線との各要素が基板上に形成されて成る電気
回路装置において、 上記の要素が、 センサ、入力配線用ピン、信号処理装置、出力配線用
ピンの順でセンサを仮想的に信号処理装置の方向に延ば
した領域内においてほぼ一列に配列され、かつ 上記センサと、入力配線用ピンと、信号処理装置と、
出力配線用ピンとを含む基板上の一部分を同一樹脂でオ
ーバーコートしたことを特徴とするものである。
半導体装置からなるセンサと、該センサで受信した信号
を処理するベア半導体装置からなる信号処理装置と、セ
ンサから信号処理装置への入力配線と、信号処理装置か
らの出力配線との各要素が基板上に形成されて成る電気
回路装置において、 上記の要素が、 センサ、入力配線用ピン、信号処理装置、出力配線用
ピンの順でセンサを仮想的に信号処理装置の方向に延ば
した領域内においてほぼ一列に配列され、かつ 上記センサと、入力配線用ピンと、信号処理装置と、
出力配線用ピンとを含む基板上の一部分を同一樹脂でオ
ーバーコートしたことを特徴とするものである。
上記各要素を上記のように配列した結果、センサと信
号処理装置とは近距離で配置でき、よって両者を同一樹
脂で容易にオーバーコートできる。特に本発明では、上
記各要素を、センサ、入力配線用ピン、信号処理装置、
出力配線用ピンの順でセンサを仮想的に信号処理装置の
方向に延ばした領域内においてほぼ一列に配列する構成
としたので、一列にしない場合に比して、センサと信号
処理装置とをいっそう近距離に配置できて、両者を同一
樹脂でオーバーコートすることが更に容易に実現でき
る。また、上記の樹脂に、必要な可視光カット性などを
与えることができる。このため、生産性、信頼性が向上
し、必要な性能を確保できる。更にまた、樹脂は基板の
一部についてその必要部分においてのみこれによりオー
バーコートするので、全体を樹脂封止する場合に比べ、
安価で生産性が良く、かつ、セラミック部品などの付設
も容易であり、必要な性能を確保する上で有効である。
号処理装置とは近距離で配置でき、よって両者を同一樹
脂で容易にオーバーコートできる。特に本発明では、上
記各要素を、センサ、入力配線用ピン、信号処理装置、
出力配線用ピンの順でセンサを仮想的に信号処理装置の
方向に延ばした領域内においてほぼ一列に配列する構成
としたので、一列にしない場合に比して、センサと信号
処理装置とをいっそう近距離に配置できて、両者を同一
樹脂でオーバーコートすることが更に容易に実現でき
る。また、上記の樹脂に、必要な可視光カット性などを
与えることができる。このため、生産性、信頼性が向上
し、必要な性能を確保できる。更にまた、樹脂は基板の
一部についてその必要部分においてのみこれによりオー
バーコートするので、全体を樹脂封止する場合に比べ、
安価で生産性が良く、かつ、セラミック部品などの付設
も容易であり、必要な性能を確保する上で有効である。
以下本発明の一実施例について説明する。なお当然の
ことであるが、本発明は以下述べる実施例にのみ限定さ
れるものではない。
ことであるが、本発明は以下述べる実施例にのみ限定さ
れるものではない。
この実施例は、本発明を赤外線リモートコントロール
レシーバーに適用したものである。
レシーバーに適用したものである。
第1図は、本発明の一実施例である上記レシーバーに
おける基板1上の配線パターン図である。センサ2であ
るピンフォトダイオードから、信号処理装置3をなすベ
アICへの入力配線はA、ICからの出力配線はBである。
図中、4は基材スルーホール、5は金線、6はオーバー
コート樹脂(破線内)である。出力線の外部取り出し
は、出力配線Bのスルーホール部よりリード線を引き出
している。
おける基板1上の配線パターン図である。センサ2であ
るピンフォトダイオードから、信号処理装置3をなすベ
アICへの入力配線はA、ICからの出力配線はBである。
図中、4は基材スルーホール、5は金線、6はオーバー
コート樹脂(破線内)である。出力線の外部取り出し
は、出力配線Bのスルーホール部よりリード線を引き出
している。
以上のように、本例では、配線パターンが形成された
同一基板1の同一面上にベア半導体装置からなるセンサ
2(ベアピンフォトダイオード)と、該センサで受信し
た信号を処理するベア半導体装置からなる信号処理装置
3(ベアIC)と、センサから信号処理装置への入力配線
(A)と、信号処理装置からの出力配線(出力取出しピ
ンB)との各要素が基板1上に形成されて成る場合にお
いて、上記の要素が、センサ、入力配線用ピン、信号処
理装置、出力配線用ピンの順でセンサを仮想的に信号処
理装置の方向に延ばした領域(図に符号Iで示す領域)
内においてほぼ一列に配列され、かつ、上記センサと、
入力配線用ピンと、信号処理装置と、出力配線用ピンと
を含む基板上の一部分、特に、2つのベア半導体(セン
サ2と信号処理装置3)を、同一樹脂6でオーバーコー
トしたことによって、基板1の一部の必要部分のコーテ
ィングを達成している。なお本例では樹脂は、可視光カ
ットの染料入り樹脂を用いている。
同一基板1の同一面上にベア半導体装置からなるセンサ
2(ベアピンフォトダイオード)と、該センサで受信し
た信号を処理するベア半導体装置からなる信号処理装置
3(ベアIC)と、センサから信号処理装置への入力配線
(A)と、信号処理装置からの出力配線(出力取出しピ
ンB)との各要素が基板1上に形成されて成る場合にお
いて、上記の要素が、センサ、入力配線用ピン、信号処
理装置、出力配線用ピンの順でセンサを仮想的に信号処
理装置の方向に延ばした領域(図に符号Iで示す領域)
内においてほぼ一列に配列され、かつ、上記センサと、
入力配線用ピンと、信号処理装置と、出力配線用ピンと
を含む基板上の一部分、特に、2つのベア半導体(セン
サ2と信号処理装置3)を、同一樹脂6でオーバーコー
トしたことによって、基板1の一部の必要部分のコーテ
ィングを達成している。なお本例では樹脂は、可視光カ
ットの染料入り樹脂を用いている。
本実施例では上記構成のように配列を行ったので、IC
とピンダイオードを近距離で配置することが容易にで
き、かつこの配置により、ICとピンダイオードのオーバ
ーコートを同一樹脂6で同時に容易にコーティングする
ことが可能となり、生産性及び信頼性の向上が図られ
る。
とピンダイオードを近距離で配置することが容易にで
き、かつこの配置により、ICとピンダイオードのオーバ
ーコートを同一樹脂6で同時に容易にコーティングする
ことが可能となり、生産性及び信頼性の向上が図られ
る。
オーバーコート樹脂には、可視光カット特性を与える
ことができ、本例ではこの特性は、樹脂に所望の可視光
カット性能を持つ染料を入れることにより、使用する樹
脂にこの特性を付与した。
ことができ、本例ではこの特性は、樹脂に所望の可視光
カット性能を持つ染料を入れることにより、使用する樹
脂にこの特性を付与した。
上記構成によれば、最適なベア半導体配置がなされた
ことにより、必要な性能が確実に保証される。
ことにより、必要な性能が確実に保証される。
即ち本実施例においては、ベア半導体であるセンサ2
(受光素子)としてのピンフォトダイオードと、信号処
理装置3(受信アンプ)としてのICを基板1の同一面上
に、ピンフォトダイオード、受信アンプIC、出力取り出
しピンBの順で一列に並べたので、特に、上述したよう
にセンサ、入力配線用ピン、信号処理装置、出力配線用
ピンの順でセンサを仮想的に信号処理装置の方向に延ば
した領域(図に符号Iで示す領域)内においてほぼ一列
に配列したので、信号の入出力線を混在させず、かつ配
線長をできるだけ短かくすることができる。(たとえば
基板両面で上下に配置したり、ピンフォトダイオードを
中心に配置し、受信アンプIC、出力取り出しピンを左右
に配置するなどであると、基板上での配線すなわち入出
力の信号線が混在することになり、必要な性能は得られ
ない)。
(受光素子)としてのピンフォトダイオードと、信号処
理装置3(受信アンプ)としてのICを基板1の同一面上
に、ピンフォトダイオード、受信アンプIC、出力取り出
しピンBの順で一列に並べたので、特に、上述したよう
にセンサ、入力配線用ピン、信号処理装置、出力配線用
ピンの順でセンサを仮想的に信号処理装置の方向に延ば
した領域(図に符号Iで示す領域)内においてほぼ一列
に配列したので、信号の入出力線を混在させず、かつ配
線長をできるだけ短かくすることができる。(たとえば
基板両面で上下に配置したり、ピンフォトダイオードを
中心に配置し、受信アンプIC、出力取り出しピンを左右
に配置するなどであると、基板上での配線すなわち入出
力の信号線が混在することになり、必要な性能は得られ
ない)。
本実施例では上記のようなベア半導体装置により、必
要な性能が保証され、かつオーバーコートを同一樹脂で
同時にコーティングすることが可能となり、生産性及び
信頼性の向上が図られる。
要な性能が保証され、かつオーバーコートを同一樹脂で
同時にコーティングすることが可能となり、生産性及び
信頼性の向上が図られる。
上述の如く、本発明によれば、必要な性能が確保さ
れ、かつ小型形状であり、生産性、信頼性も良く、かつ
可視光カットなどの必要性も容易に達成することが可能
な電気回路装置を提供することができる。
れ、かつ小型形状であり、生産性、信頼性も良く、かつ
可視光カットなどの必要性も容易に達成することが可能
な電気回路装置を提供することができる。
第1図は、本発明の一実施例の配線パターン図である。 1……基板、2……センサ(受光素子、ピンフォトダイ
オード)、3……信号処理装置(ベアIC)、6……オー
バーコート樹脂。 A……センサから信号処理装置への入力配線 B……出力配線(出力取出しピン)
オード)、3……信号処理装置(ベアIC)、6……オー
バーコート樹脂。 A……センサから信号処理装置への入力配線 B……出力配線(出力取出しピン)
Claims (1)
- 【請求項1】配線パターンが形成された同一基板の同一
面上にベア半導体装置からなるセンサと、該センサで受
信した信号を処理するベア半導体装置からなる信号処理
装置と、センサから信号処理装置への入力配線と、信号
処理装置からの出力配線との各要素が基板上に形成され
て成る電気回路装置において、 上記の要素が、 センサ、入力配線用ピン、信号処理装置、出力配線用ピ
ンの順でセンサを仮想的に信号処理装置の方向に延ばし
た領域内においてほぼ一列に配列され、かつ 上記センサと、入力配線用ピンと、信号処理装置と、出
力配線用ピンとを含む基板上の一部分を同一樹脂でオー
バーコートしたことを特徴とする電気回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61002499A JP2590811B2 (ja) | 1986-01-09 | 1986-01-09 | 電気回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61002499A JP2590811B2 (ja) | 1986-01-09 | 1986-01-09 | 電気回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62160773A JPS62160773A (ja) | 1987-07-16 |
JP2590811B2 true JP2590811B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=11531051
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61002499A Expired - Fee Related JP2590811B2 (ja) | 1986-01-09 | 1986-01-09 | 電気回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2590811B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3941679A1 (de) * | 1989-12-18 | 1991-06-27 | Telefunken Electronic Gmbh | Fotomodul |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59197830A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-09 | Nec Corp | 光電変換装置 |
JPH0237697B2 (ja) * | 1983-04-27 | 1990-08-27 | Copal Co Ltd | Bubuntekifushihoho |
-
1986
- 1986-01-09 JP JP61002499A patent/JP2590811B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62160773A (ja) | 1987-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4114177A (en) | Optically coupled device with diffusely reflecting enclosure | |
US4647148A (en) | Fiber optic receiver module | |
US5418566A (en) | Compact imaging apparatus for electronic endoscope with improved optical characteristics | |
US20040212055A1 (en) | Shielded housing for optical semiconductor component | |
US5668383A (en) | Semiconductor device for bidirectional non-conducted optical data transmission | |
US6770956B2 (en) | Sensor circuit module and electronic device using the same | |
JPS55111151A (en) | Integrated circuit device | |
JP2590811B2 (ja) | 電気回路装置 | |
JP2807944B2 (ja) | 混成集積回路装置及びその製造方法 | |
JP2982286B2 (ja) | データキャリア | |
US4616136A (en) | Infra-red radiation detector | |
JP3038772B2 (ja) | 赤外線センサ | |
JP2004117216A (ja) | 赤外線検出器 | |
JPS61281559A (ja) | 光検出装置 | |
EP0475370B1 (en) | Compact imaging apparatus for electronic endoscope with improved optical characteristics | |
JPH0864846A (ja) | 半導体装置 | |
JPH07135327A (ja) | 受光ユニット | |
US5434450A (en) | PGA package type semiconductor device having leads to be supplied with power source potential | |
JPH05283721A (ja) | 半導体受光装置 | |
JPH06104460A (ja) | 光検出装置 | |
KR960004563B1 (ko) | 상호연결회로기판을 갖춘 반도체장치의 제조방법 | |
JP2997578B2 (ja) | 半導体光電変換装置 | |
JPH0476220B2 (ja) | ||
JPH07106610A (ja) | 光受信器 | |
JP2503532B2 (ja) | 光半導体素子用サブマウント |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |