JP2807944B2 - 混成集積回路装置及びその製造方法 - Google Patents
混成集積回路装置及びその製造方法Info
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- JP2807944B2 JP2807944B2 JP4086878A JP8687892A JP2807944B2 JP 2807944 B2 JP2807944 B2 JP 2807944B2 JP 4086878 A JP4086878 A JP 4086878A JP 8687892 A JP8687892 A JP 8687892A JP 2807944 B2 JP2807944 B2 JP 2807944B2
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- circuit device
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、センサ素子及びセンサ
信号処理回路素子を備える混成集積回路装置及びその製
造方法に関する。
信号処理回路素子を備える混成集積回路装置及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は従来の混成集積回路装置を示す斜
視図である。図中11,12,12…は分岐したリードフレーム
であり、同一平面上に配置され、全体でリードフレーム
１を構成している。この中央に配置された素子搭載用の
リードフレーム11の先端に、センサ素子３及びセンサ信
号処理回路素子２が、ろう材４により接着され固定され
ている。そしてセンサ素子３及びセンサ信号処理回路素
子２は金線５により夫々のリードフレーム12…の先端部
と電気的に接続されている。これらセンサ素子３, セン
サ信号処理回路素子２及びリードフレーム12…の先端部
が、図１の破線で示されるようにモールド樹脂６により
モールド成形され、機械的に保護されている。
視図である。図中11,12,12…は分岐したリードフレーム
であり、同一平面上に配置され、全体でリードフレーム
１を構成している。この中央に配置された素子搭載用の
リードフレーム11の先端に、センサ素子３及びセンサ信
号処理回路素子２が、ろう材４により接着され固定され
ている。そしてセンサ素子３及びセンサ信号処理回路素
子２は金線５により夫々のリードフレーム12…の先端部
と電気的に接続されている。これらセンサ素子３, セン
サ信号処理回路素子２及びリードフレーム12…の先端部
が、図１の破線で示されるようにモールド樹脂６により
モールド成形され、機械的に保護されている。
【０００３】このような混成集積回路装置は、例えば磁
気センサ等の外部センサ信号源に近接させて装着され
る。センサ素子３は外部センサ信号源からのセンサ信号
を図１に示す矢符Ａの方向から受信して検出し、センサ
信号処理回路素子２に送信する。センサ信号処理回路素
子２は送信されたセンサ信号を増幅して波形処理等を行
った後、例えばＴＴＬ信号として送信する。
気センサ等の外部センサ信号源に近接させて装着され
る。センサ素子３は外部センサ信号源からのセンサ信号
を図１に示す矢符Ａの方向から受信して検出し、センサ
信号処理回路素子２に送信する。センサ信号処理回路素
子２は送信されたセンサ信号を増幅して波形処理等を行
った後、例えばＴＴＬ信号として送信する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上の如く構成される
従来の混成集積回路装置は、センサ素子３，センサ信号
処理回路素子２及びリードフレーム11,12,12…が同平面
上に配設されているので、この混成集積回路装置の信号
受信面はセンサ素子３の信号受信面と比較して面積が非
常に大きい。
従来の混成集積回路装置は、センサ素子３，センサ信号
処理回路素子２及びリードフレーム11,12,12…が同平面
上に配設されているので、この混成集積回路装置の信号
受信面はセンサ素子３の信号受信面と比較して面積が非
常に大きい。
【０００５】このために外部センサ信号源の周辺に空間
的余裕が少ない場合には、混成集積回路装置を外部セン
サ信号源から離隔させて装着することになり、センサ素
子３と外部センサ信号源との離隔距離が大きくなりすぎ
ることがある。これによりノイズが発生したり時間的な
ずれを起こしたりして、受信信号の精度が低減する。ま
た、センサ素子３の信号受信面が信号源からのセンサ信
号を垂直に受信できない場合は、ゆらぎ現象が生じてセ
ンサ素子３が誤信号を検出することもある。このように
従来の混成集積回路装置は、これを装着するための空間
的な制約をうけるという問題があった。
的余裕が少ない場合には、混成集積回路装置を外部セン
サ信号源から離隔させて装着することになり、センサ素
子３と外部センサ信号源との離隔距離が大きくなりすぎ
ることがある。これによりノイズが発生したり時間的な
ずれを起こしたりして、受信信号の精度が低減する。ま
た、センサ素子３の信号受信面が信号源からのセンサ信
号を垂直に受信できない場合は、ゆらぎ現象が生じてセ
ンサ素子３が誤信号を検出することもある。このように
従来の混成集積回路装置は、これを装着するための空間
的な制約をうけるという問題があった。
【０００６】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、信号受信面を小さくすることにより、狭い空
間でも外部センサ信号源に信号受信面を近接させて装着
でき、検出感度の精度を向上できる混成集積回路装置及
びその製造方法を提供することを目的とする。
のであり、信号受信面を小さくすることにより、狭い空
間でも外部センサ信号源に信号受信面を近接させて装着
でき、検出感度の精度を向上できる混成集積回路装置及
びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願の第１発明に係る混
成集積回路装置は、センサ素子及びセンサ信号処理回路
装置がリードフレームの異なる平面に夫々搭載されてあ
ることを特徴とする。
成集積回路装置は、センサ素子及びセンサ信号処理回路
装置がリードフレームの異なる平面に夫々搭載されてあ
ることを特徴とする。
【０００８】本願の第２発明に係る混成集積回路装置
は、センサ素子及びセンサ信号処理回路装置が配線基板
の異なる平面に夫々搭載されてあることを特徴とする。
は、センサ素子及びセンサ信号処理回路装置が配線基板
の異なる平面に夫々搭載されてあることを特徴とする。
【０００９】本願の第３発明に係る混成集積回路装置の
製造方法は、折り曲げられたリードフレームの異なる面
上にセンサ素子及びセンサ信号処理回路装置を夫々搭載
することを特徴とする。
製造方法は、折り曲げられたリードフレームの異なる面
上にセンサ素子及びセンサ信号処理回路装置を夫々搭載
することを特徴とする。
【００１０】本願の第４発明に係る混成集積回路装置の
製造方法は、折り曲げられた配線基板の異なる面上にセ
ンサ素子及びセンサ信号処理回路装置を夫々搭載するこ
とを特徴とする。
製造方法は、折り曲げられた配線基板の異なる面上にセ
ンサ素子及びセンサ信号処理回路装置を夫々搭載するこ
とを特徴とする。
【００１１】本願の第５発明に係る混成集積回路装置の
製造方法は、センサ素子及びセンサ信号処理回路装置を
リードフレーム上に夫々搭載し、これらが異なる平面を
なすように前記リードフレームを折り曲げることを特徴
とする。
製造方法は、センサ素子及びセンサ信号処理回路装置を
リードフレーム上に夫々搭載し、これらが異なる平面を
なすように前記リードフレームを折り曲げることを特徴
とする。
【００１２】本願の第６発明に係る混成集積回路装置の
製造方法は、センサ素子及びセンサ信号処理回路装置を
配線基板上に夫々搭載し、これらが異なる平面をなすよ
うに前記配線基板を折り曲げることを特徴とする。
製造方法は、センサ素子及びセンサ信号処理回路装置を
配線基板上に夫々搭載し、これらが異なる平面をなすよ
うに前記配線基板を折り曲げることを特徴とする。
【００１３】
【作用】本発明の混成集積回路装置及びその製造方法で
は、センサ素子とセンサ信号処理回路素子とを異なる平
面に搭載している。これにより、混成集積回路装置の信
号受信面にセンサ素子のみを搭載することが可能とな
り、この信号受信面の面積が従来と比較して縮小でき
る。このことから、外部センサ信号源に混成集積回路装
置の信号受信面を近接させて空間的に効率良く装着する
ことができ、センサ信号の検出感度が向上する。
は、センサ素子とセンサ信号処理回路素子とを異なる平
面に搭載している。これにより、混成集積回路装置の信
号受信面にセンサ素子のみを搭載することが可能とな
り、この信号受信面の面積が従来と比較して縮小でき
る。このことから、外部センサ信号源に混成集積回路装
置の信号受信面を近接させて空間的に効率良く装着する
ことができ、センサ信号の検出感度が向上する。
【００１４】
【実施例】以下、本発明をその実施例１を示す図面に基
づき具体的に説明する。図２は第１実施例の混成集積回
路装置の斜視図である。図中21,22,22,23,23,24,24は分
岐したリードフレームであり、全体でリードフレーム１
を構成している。中央に配置された素子搭載用のリード
フレーム21及びリードフレーム24,24 の先端がＬ字型に
曲成されているものを用いる。素子搭載用のリードフレ
ーム21のＬ字型に曲成されてできた夫々の面に、先端側
からセンサ素子３，センサ信号処理回路素子２をろう材
４により接着し、固定する。 次に、センサ素子３とリ
ードフレーム24,24 のＬ字型に曲成された先端とを、金
線５により電気的に接続し、センサ信号処理回路素子２
とリードフレーム22,22,23,23,24,24 夫々の先端部と
を、金線５により電気的に接続する。これらセンサ素子
３, センサ信号処理回路素子２及びリードフレーム22,2
2,23,23,24,24 の先端部を、図２において破線で示され
るように、モールド樹脂６によりモールド成形し、機械
的に保護する。
づき具体的に説明する。図２は第１実施例の混成集積回
路装置の斜視図である。図中21,22,22,23,23,24,24は分
岐したリードフレームであり、全体でリードフレーム１
を構成している。中央に配置された素子搭載用のリード
フレーム21及びリードフレーム24,24 の先端がＬ字型に
曲成されているものを用いる。素子搭載用のリードフレ
ーム21のＬ字型に曲成されてできた夫々の面に、先端側
からセンサ素子３，センサ信号処理回路素子２をろう材
４により接着し、固定する。 次に、センサ素子３とリ
ードフレーム24,24 のＬ字型に曲成された先端とを、金
線５により電気的に接続し、センサ信号処理回路素子２
とリードフレーム22,22,23,23,24,24 夫々の先端部と
を、金線５により電気的に接続する。これらセンサ素子
３, センサ信号処理回路素子２及びリードフレーム22,2
2,23,23,24,24 の先端部を、図２において破線で示され
るように、モールド樹脂６によりモールド成形し、機械
的に保護する。
【００１５】上述した混成集積回路装置を、例えば磁気
センサ等の外部センサ信号源に信号受信面を近接させて
装着する。センサ素子３は外部センサ信号源の図１に示
す矢符Ｂの方向からのセンサ信号を受信して検出し、セ
ンサ信号処理回路素子２に送信する。センサ信号処理回
路素子２は送信されたセンサ信号を増幅して波形処理等
を行った後、例えばＴＴＬ信号として送信する。
センサ等の外部センサ信号源に信号受信面を近接させて
装着する。センサ素子３は外部センサ信号源の図１に示
す矢符Ｂの方向からのセンサ信号を受信して検出し、セ
ンサ信号処理回路素子２に送信する。センサ信号処理回
路素子２は送信されたセンサ信号を増幅して波形処理等
を行った後、例えばＴＴＬ信号として送信する。
【００１６】このような混成集積回路装置は、Ｌ字型に
折り曲げられた中央のリードフレーム21の先端部にセン
サ素子のみを搭載しており、この装置の信号受信面は従
来と比較して、その面積が縮小されている。
折り曲げられた中央のリードフレーム21の先端部にセン
サ素子のみを搭載しており、この装置の信号受信面は従
来と比較して、その面積が縮小されている。
【００１７】なお、上述した混成集積回路装置では、リ
ードフレーム21,24,24を予めＬ字型に折り曲げたものを
使用しているが、センサ素子３及びセンサ信号処理回路
素子２を搭載した後に、リードフレーム21をＬ字型に折
り曲げても良い。
ードフレーム21,24,24を予めＬ字型に折り曲げたものを
使用しているが、センサ素子３及びセンサ信号処理回路
素子２を搭載した後に、リードフレーム21をＬ字型に折
り曲げても良い。
【００１８】次に、別の実施例をこれを示す図面に基づ
いて説明する。図３は第２実施例の混成集積回路装置の
斜視図である。図中31はフレキシブル配線基板であり、
この先端側からセンサ素子３，センサ信号処理回路素子
２を搭載する。これらの素子は半田７によりフレキシブ
ル配線基板31に夫々固定され、また電気的に接続され
る。このようなフレキシブル配線基板31は、センサ素子
３が搭載される先端部がセンサ素子３が搭載されるのに
必要な最小限の面積になっている。このようにセンサ素
子３，センサ信号処理回路素子２を搭載した後、これら
の素子が異なる平面に在るように、フレキシブル配線基
板31を折り曲げる。
いて説明する。図３は第２実施例の混成集積回路装置の
斜視図である。図中31はフレキシブル配線基板であり、
この先端側からセンサ素子３，センサ信号処理回路素子
２を搭載する。これらの素子は半田７によりフレキシブ
ル配線基板31に夫々固定され、また電気的に接続され
る。このようなフレキシブル配線基板31は、センサ素子
３が搭載される先端部がセンサ素子３が搭載されるのに
必要な最小限の面積になっている。このようにセンサ素
子３，センサ信号処理回路素子２を搭載した後、これら
の素子が異なる平面に在るように、フレキシブル配線基
板31を折り曲げる。
【００１９】そして、フレキシブル配線基板31に外部接
続リード32,32 …を結線し、これらセンサ素子３, セン
サ信号処理回路素子２，フレキシブル配線基板31及び外
部接続リード32,32 …の先端部を、図３において破線で
示されるように、モールド樹脂６によりモールド成形
し、機械的に保護する。
続リード32,32 …を結線し、これらセンサ素子３, セン
サ信号処理回路素子２，フレキシブル配線基板31及び外
部接続リード32,32 …の先端部を、図３において破線で
示されるように、モールド樹脂６によりモールド成形
し、機械的に保護する。
【００２０】このような混成集積回路装置を、例えば磁
気センサ等の外部センサ信号源に信号受信面を近接させ
て装着する。センサ素子３は外部センサ信号源からのセ
ンサ信号を図３に示す矢符Ｃの方向から受信して検出
し、センサ信号処理回路素子２に送信する。センサ信号
処理回路素子２は送信されたセンサ信号を増幅して波形
処理等を行った後、例えばＴＴＬ信号として送信する。
気センサ等の外部センサ信号源に信号受信面を近接させ
て装着する。センサ素子３は外部センサ信号源からのセ
ンサ信号を図３に示す矢符Ｃの方向から受信して検出
し、センサ信号処理回路素子２に送信する。センサ信号
処理回路素子２は送信されたセンサ信号を増幅して波形
処理等を行った後、例えばＴＴＬ信号として送信する。
【００２１】上述した第２実施例である混成集積回路装
置の外部センサ信号受信面は、センサ素子３及び、これ
を結線するための配線の面積だけであり、従来に比較し
てその面積は縮小されている。
置の外部センサ信号受信面は、センサ素子３及び、これ
を結線するための配線の面積だけであり、従来に比較し
てその面積は縮小されている。
【００２２】なお、第１実施例においてはワイヤボンデ
ィングによりセンサ素子３及びセンサ信号処理回路装置
２とリードフレーム１とを、第２実施例においては半田
により、センサ素子３及びセンサ信号処理回路装置２と
フレキシブル配線基板31とを電気的接続しているが、こ
れに限るものではなく、フェースダウン方式であるフリ
ップチップ形態又は面実装パッケージ形態である各素子
を、ろう材等によりリードフレーム１，又はフレキシブ
ル配線基板31に電気的接続しても良い。
ィングによりセンサ素子３及びセンサ信号処理回路装置
２とリードフレーム１とを、第２実施例においては半田
により、センサ素子３及びセンサ信号処理回路装置２と
フレキシブル配線基板31とを電気的接続しているが、こ
れに限るものではなく、フェースダウン方式であるフリ
ップチップ形態又は面実装パッケージ形態である各素子
を、ろう材等によりリードフレーム１，又はフレキシブ
ル配線基板31に電気的接続しても良い。
【００２３】また、第２実施例においてはセンサ素子３
及びセンサ信号処理回路装置２を搭載する配線基板にフ
レキシブル配線基板31を用いているが、これ以外の配線
基板を用いても良い。
及びセンサ信号処理回路装置２を搭載する配線基板にフ
レキシブル配線基板31を用いているが、これ以外の配線
基板を用いても良い。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明の混成集積回路装
置及びその製造方法においては信号受信面の面積が縮小
でき、装置が小型化されるため、外部センサ信号源近傍
の狭い空間にも信号受信面を近接させて装着でき、信号
の受信感度を向上させる等、本発明は優れた効果を奏す
る。
置及びその製造方法においては信号受信面の面積が縮小
でき、装置が小型化されるため、外部センサ信号源近傍
の狭い空間にも信号受信面を近接させて装着でき、信号
の受信感度を向上させる等、本発明は優れた効果を奏す
る。
【図１】従来の混成集積回路装置を示す斜視図である。
【図２】本発明による第１実施例の混成集積回路装置の
斜視図である。
斜視図である。
【図３】本発明による第２実施例の混成集積回路装置の
斜視図である。
斜視図である。
２ センサ信号処理回路素子 ３ センサ素子 ５ 金線 ６ モールド樹脂 ７ 半田 １，11,12,21,22,23,24 リードフレーム 31 フレキシブル配線基板 32 外部接続リード Ａ，Ｂ，Ｃ 外部信号受信方向
Claims (6)
- 【請求項１】 外部信号を検出するセンサ素子と、該セ
ンサ素子の出力を信号処理するセンサ信号処理回路素子
とをリードフレーム上に備える混成集積回路装置におい
て、 異なる平面を有する前記リードフレームの一方の平面に
前記センサ素子が、他方の平面に前記センサ信号処理回
路素子が搭載されてあることを特徴とする混成集積回路
装置。 - 【請求項２】 外部信号を検出するセンサ素子と、該セ
ンサ素子の出力を信号処理するセンサ信号処理回路素子
とを配線基板上に備える混成集積回路装置において、 異なる平面を有する前記配線基板の一方の平面に前記セ
ンサ素子が、他方の平面に前記センサ信号処理回路素子
が搭載されてあることを特徴とする混成集積回路装置。 - 【請求項３】 外部信号を検出するセンサ素子と、該セ
ンサ素子の出力を信号処理するセンサ信号処理回路素子
とをリードフレーム上に備える混成集積回路装置を製造
する方法において、 折り曲げられた前記リードフレームの一方の面上に前記
センサ素子を搭載する工程と、他方の面上に前記センサ
信号処理回路素子を搭載する工程と、これらを相互結線
し、モールドする工程とを有することを特徴とする混成
集積回路装置の製造方法。 - 【請求項４】 外部信号を検出するセンサ素子と、該セ
ンサ素子の出力を信号処理するセンサ信号処理回路素子
とを配線基板上に備える混成集積回路装置を製造する方
法において、 折り曲げられた前記配線基板の一方の面上に前記センサ
素子を搭載する工程と、他方の面上に前記センサ信号処
理回路素子を搭載する工程と、これらを結線し、モール
ドする工程とを有することを特徴とする混成集積回路装
置の製造方法。 - 【請求項５】 外部信号を検出するセンサ素子と、該セ
ンサ素子の出力を信号処理するセンサ信号処理回路素子
とをリードフレーム上に備える混成集積回路装置を製造
する方法において、 前記センサ素子及び前記センサ信号処理回路素子を前記
リードフレーム上に搭載する工程と、前記センサ素子及
び前記センサ信号処理回路素子が夫々異なる平面上に在
るべく前記リードフレームを折り曲げる工程と、これら
を結線し、モールドする工程とを有することを特徴とす
る混成集積回路装置の製造方法。 - 【請求項６】 外部信号を検出するセンサ素子と、該セ
ンサ素子の出力を信号処理するセンサ信号処理回路素子
とを配線基板上に備える混成集積回路装置を製造する方
法において、 前記センサ素子及び前記センサ信号処理回路素子を前記
配線基板上に搭載する工程と、前記センサ素子及び前記
センサ信号処理回路素子が夫々異なる平面上に在るべく
前記配線基板を折り曲げる工程と、これらを結線し、モ
ールドする工程とを有することを特徴とする混成集積回
路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4086878A JP2807944B2 (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 混成集積回路装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4086878A JP2807944B2 (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 混成集積回路装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291482A JPH05291482A (ja) | 1993-11-05 |
| JP2807944B2 true JP2807944B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=13899097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4086878A Expired - Fee Related JP2807944B2 (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 混成集積回路装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2807944B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10253652A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-09-25 | Denso Corp | センサ装置及びその製造方法並びにその製造に用いられるリードフレーム |
| US6351033B1 (en) * | 1999-10-06 | 2002-02-26 | Agere Systems Guardian Corp. | Multifunction lead frame and integrated circuit package incorporating the same |
| KR100563584B1 (ko) | 2002-07-29 | 2006-03-22 | 야마하 가부시키가이샤 | 자기 센서의 제조 방법과 그 리드 프레임, 자기 센서, 및센서 장치 |
| US7709754B2 (en) * | 2003-08-26 | 2010-05-04 | Allegro Microsystems, Inc. | Current sensor |
| JP2005223221A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Denso Corp | 磁気検出装置およびその製造方法 |
| TWI306297B (en) | 2005-02-18 | 2009-02-11 | Yamaha Corp | Lead frame, sensor including lead frame and method of forming sensor including lead frame |
| KR100740358B1 (ko) | 2005-02-25 | 2007-07-16 | 야마하 가부시키가이샤 | 센서 및 센서 형성 방법 |
| US7536909B2 (en) | 2006-01-20 | 2009-05-26 | Memsic, Inc. | Three-dimensional multi-chips and tri-axial sensors and methods of manufacturing the same |
| JP5172254B2 (ja) * | 2007-09-11 | 2013-03-27 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| EP2894489B1 (en) | 2014-01-13 | 2019-03-13 | TDK-Micronas GmbH | Sensor device |
-
1992
- 1992-04-08 JP JP4086878A patent/JP2807944B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05291482A (ja) | 1993-11-05 |
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