JP2503532B2 - 光半導体素子用サブマウント - Google Patents
光半導体素子用サブマウントInfo
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- JP2503532B2 JP2503532B2 JP62241812A JP24181287A JP2503532B2 JP 2503532 B2 JP2503532 B2 JP 2503532B2 JP 62241812 A JP62241812 A JP 62241812A JP 24181287 A JP24181287 A JP 24181287A JP 2503532 B2 JP2503532 B2 JP 2503532B2
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- Japan
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- optical semiconductor
- lead
- semiconductor element
- submount
- bonding
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光半導体素子を実装するサブマウント構
造に関するものである。
造に関するものである。
第２図は、例えば本出願人が先に提案した特開昭62-4
5635号公報に示された光半導体素子として赤外線検知素
子を実装したサブマウントの構造を示す斜視図であり、
図において、１は、例えば銅タングステン合金の基板、
９はセラミックからなるリード・ポスト、３はこのリー
ド・ポスト９上に接着されたリードで、これらでサブマ
ウント10を構成している。５はHg1-xCdxTeよりなる赤外
線検知素子、６は前記赤外線検知素子５のボンディング
・パッド、20は前記赤外線検知素子の受光面、７は前記
リード３とボンディング・パッド６とを接続するボンデ
ィング・ワイヤ、８は固定用の穴である。
5635号公報に示された光半導体素子として赤外線検知素
子を実装したサブマウントの構造を示す斜視図であり、
図において、１は、例えば銅タングステン合金の基板、
９はセラミックからなるリード・ポスト、３はこのリー
ド・ポスト９上に接着されたリードで、これらでサブマ
ウント10を構成している。５はHg1-xCdxTeよりなる赤外
線検知素子、６は前記赤外線検知素子５のボンディング
・パッド、20は前記赤外線検知素子の受光面、７は前記
リード３とボンディング・パッド６とを接続するボンデ
ィング・ワイヤ、８は固定用の穴である。
通常の半導体ウエハプロセスで製作された赤外線検知
素子５は、チップ分離後、第２図のように基板１に低温
ハンダを使ってダイボンドされ、ボンディング・パッド
６とリード３間の配線が行われる。
素子５は、チップ分離後、第２図のように基板１に低温
ハンダを使ってダイボンドされ、ボンディング・パッド
６とリード３間の配線が行われる。
以上のようにして、サブマウント10に実装された赤外
線検知素子５は、評価、選別後、さらに第３図のような
真空デュワに実装され、冷却した後使用される。
線検知素子５は、評価、選別後、さらに第３図のような
真空デュワに実装され、冷却した後使用される。
すなわち、第３図において、11は真空デュワ、12は前
記サブマウント10に実装された赤外線検知素子５が実装
された全体を示し、13は赤外線透過窓、14は配線、15は
前記赤外線検知素子５を冷却するための媒体を挿入する
ための孔である。
記サブマウント10に実装された赤外線検知素子５が実装
された全体を示し、13は赤外線透過窓、14は配線、15は
前記赤外線検知素子５を冷却するための媒体を挿入する
ための孔である。
ところが、以上のような従来のサブマウント10では、
赤外線検知素子５のダイボンド時に素子を位置合せする
目標がなく、精度よくダイボンドするのが難しいという
問題点があった。
赤外線検知素子５のダイボンド時に素子を位置合せする
目標がなく、精度よくダイボンドするのが難しいという
問題点があった。
また、リード３とボンディング・パッド６の間にボン
ディング・ワイヤ７を直線的に張ると、ボンディング・
ワイヤ７が赤外線検知素子５の受光面を覆ってしまうと
いう問題点があった。
ディング・ワイヤ７を直線的に張ると、ボンディング・
ワイヤ７が赤外線検知素子５の受光面を覆ってしまうと
いう問題点があった。
この発明は、上記のような従来の問題点を解消するた
めになされたもので、ダイボンドの位置合せを容易に行
うことができるとともに、効率よく受光することができ
る光半導体素子用サブマウントを提供することを目的と
する。
めになされたもので、ダイボンドの位置合せを容易に行
うことができるとともに、効率よく受光することができ
る光半導体素子用サブマウントを提供することを目的と
する。
この発明に係る光半導体素子用サブマウントは、受光
部とその両端に形成された一対のボンディング・パッド
を備えた光半導体素子を支持する基板と、前記基板上に
取り付けられた２個のリード・ポストと、前記リード・
ポストにそれぞれ取り付けられたリードとから構成され
る光半導体素子用のサブマウントにおいて、前記リード
・ポストを前記光半導体素子のそれぞれにボンディング
・パッドに対向して配置し、且つ前記リード・ポスト
を、該リード・ポストと前記ボンディング・パッドを接
続する一対のボンディング・ワイヤが前記半導体素子の
受光面を覆わない位置に配置したものである。
部とその両端に形成された一対のボンディング・パッド
を備えた光半導体素子を支持する基板と、前記基板上に
取り付けられた２個のリード・ポストと、前記リード・
ポストにそれぞれ取り付けられたリードとから構成され
る光半導体素子用のサブマウントにおいて、前記リード
・ポストを前記光半導体素子のそれぞれにボンディング
・パッドに対向して配置し、且つ前記リード・ポスト
を、該リード・ポストと前記ボンディング・パッドを接
続する一対のボンディング・ワイヤが前記半導体素子の
受光面を覆わない位置に配置したものである。
この発明においては、リード・ポストを位置合せの目
標としてダイボンドを行うことができ、光半導体素子の
受光面をボンディング・ワイヤが覆うこともない。
標としてダイボンドを行うことができ、光半導体素子の
受光面をボンディング・ワイヤが覆うこともない。
第１図はこの発明の光半導体素子用サブマウントの一
実施例を示す光半導体素子を実装したサブマウントの平
面図である。第１図において、第２図と同一符号は同一
部分を示し、２は前記基板１に位置決め固着されたリー
ド・ポスト、４は前記リード・ポスト２を目標に基板１
上に光半導体素子、例えば赤外線検知素子５をダイボン
ドしたサブマウントである。
実施例を示す光半導体素子を実装したサブマウントの平
面図である。第１図において、第２図と同一符号は同一
部分を示し、２は前記基板１に位置決め固着されたリー
ド・ポスト、４は前記リード・ポスト２を目標に基板１
上に光半導体素子、例えば赤外線検知素子５をダイボン
ドしたサブマウントである。
この発明のサブマウント４においては、リード・ポス
ト２の取り付け位置を変更し、赤外線検知素子５をダイ
ボンド位置の四隅の位置をわかるようにしたため、リー
ド・ポスト２を目標にダイボンドを行うことができ、ダ
イボンドの精度が向上する。
ト２の取り付け位置を変更し、赤外線検知素子５をダイ
ボンド位置の四隅の位置をわかるようにしたため、リー
ド・ポスト２を目標にダイボンドを行うことができ、ダ
イボンドの精度が向上する。
また、赤外線検知素子５をダイボンドした時、赤外線
検知素子５のボンディング・パッド６とリード・ポスト
２が対向するように位置せしめることにより、ボンディ
ング・ワイヤ７を直線的に張ってもボンディング・ワイ
ヤ７が赤外線検知素子５の受光面を覆うことがない。
検知素子５のボンディング・パッド６とリード・ポスト
２が対向するように位置せしめることにより、ボンディ
ング・ワイヤ７を直線的に張ってもボンディング・ワイ
ヤ７が赤外線検知素子５の受光面を覆うことがない。
以上説明したように、この発明は、受光部とその両端
に形成された一対のボンディング・パッドを備えた光半
導体素子を支持する基板と、前記基板上に取り付けられ
た２個のリード・ポストと、前記リード・ポストにそれ
ぞれ取り付けられたリードとから構成される光半導体素
子用のサブマウントにおいて、前記リード・ポストを前
記光半導体素子のそれぞれのボンディング・パッドに対
向して配置し、且つ前記リード・ポストを、該リード・
ポストと前記ボンディング・パッドを接続する一対のボ
ンディング・ワイヤが前記半導体素子の受光面を覆わな
い位置に配置したので、リード・ポストを目標にダイボ
ンドを行うことができ、精度よくダイボンドできる効果
がある。
に形成された一対のボンディング・パッドを備えた光半
導体素子を支持する基板と、前記基板上に取り付けられ
た２個のリード・ポストと、前記リード・ポストにそれ
ぞれ取り付けられたリードとから構成される光半導体素
子用のサブマウントにおいて、前記リード・ポストを前
記光半導体素子のそれぞれのボンディング・パッドに対
向して配置し、且つ前記リード・ポストを、該リード・
ポストと前記ボンディング・パッドを接続する一対のボ
ンディング・ワイヤが前記半導体素子の受光面を覆わな
い位置に配置したので、リード・ポストを目標にダイボ
ンドを行うことができ、精度よくダイボンドできる効果
がある。
また、リード・ポストと対向して光半導体素子をダイ
ボンドするようにしたので、リード・ポストに接着され
たリードと光半導体素子のボンディング・パッドとの間
のワイヤボンドが容易となり生産性が向上するととも
に、ボンディグ・ワイヤが光半導体素子の受光面を覆う
等の不都合もない光半導体素子用サブマウントが得られ
る。
ボンドするようにしたので、リード・ポストに接着され
たリードと光半導体素子のボンディング・パッドとの間
のワイヤボンドが容易となり生産性が向上するととも
に、ボンディグ・ワイヤが光半導体素子の受光面を覆う
等の不都合もない光半導体素子用サブマウントが得られ
る。
第１図はこの発明の一実施例を示す光半導体素子用サブ
マウントの平面図、第２図は従来の光半導体素子用サブ
マウントの斜視図、第３図は光半導体素子が真空デュワ
に実装された構成図である。 図において、１は基板、２はリード・ポスト、３はリー
ド、４はサブマウント、５は赤外線検知素子、６はボン
ディング・パッド、７はボンディング・ワイヤ、20は受
光面である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
マウントの平面図、第２図は従来の光半導体素子用サブ
マウントの斜視図、第３図は光半導体素子が真空デュワ
に実装された構成図である。 図において、１は基板、２はリード・ポスト、３はリー
ド、４はサブマウント、５は赤外線検知素子、６はボン
ディング・パッド、７はボンディング・ワイヤ、20は受
光面である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】受光部とその両端に形成された一対のボン
ディング・パッドを備えた光半導体素子を支持する基板
と、前記基板上に取り付けられた２個のリード・ポスト
と、前記リード・ポストにそれぞれ取り付けられたリー
ドとから構成される光半導体素子用のサブマウントにお
いて、前記リード・ポストを前記光半導体素子のそれぞ
れのボンディング・パッドに対向して配置し、且つ前記
リード・ポストを、該リード・ポストと前記ボンディン
グ・パッドを接続する一対のボンディング・ワイヤが前
記半導体素子の受光面を覆わない位置に配置したことを
特徴とする光半導体素子用サブマウント。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62241812A JP2503532B2 (ja) | 1987-09-24 | 1987-09-24 | 光半導体素子用サブマウント |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62241812A JP2503532B2 (ja) | 1987-09-24 | 1987-09-24 | 光半導体素子用サブマウント |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6482537A JPS6482537A (en) | 1989-03-28 |
| JP2503532B2 true JP2503532B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=17079867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62241812A Expired - Lifetime JP2503532B2 (ja) | 1987-09-24 | 1987-09-24 | 光半導体素子用サブマウント |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2503532B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234588A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子用サブマウント |
-
1987
- 1987-09-24 JP JP62241812A patent/JP2503532B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6482537A (en) | 1989-03-28 |
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