JP2853149B2 - 複合型受光素子 - Google Patents
複合型受光素子Info
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- JP2853149B2 JP2853149B2 JP1085477A JP8547789A JP2853149B2 JP 2853149 B2 JP2853149 B2 JP 2853149B2 JP 1085477 A JP1085477 A JP 1085477A JP 8547789 A JP8547789 A JP 8547789A JP 2853149 B2 JP2853149 B2 JP 2853149B2
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- light receiving
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は光電スイッチ等の複合型受光素子に関するも
のである。
のである。
従来光電スイッチ等の受光素子を受光素子と増幅回路
を１つのパッケージに実装した複合型の受光素子が用い
られている。複合型の受光素子を使用すれば、フォトト
ランジスタやフォトダイオードを単独で使用する場合に
比べて高速応答性を維持しつつ耐ノイズ性を高めること
ができる。このような複合型受光素子は例えば第７図に
示すように、フォトダイオード100とその光電流出力を
増幅する増幅回路101、及び出力トランジスタ102を有
し、内部回路への電源用の２つの端子と出力用端子の３
端子から構成されている。
を１つのパッケージに実装した複合型の受光素子が用い
られている。複合型の受光素子を使用すれば、フォトト
ランジスタやフォトダイオードを単独で使用する場合に
比べて高速応答性を維持しつつ耐ノイズ性を高めること
ができる。このような複合型受光素子は例えば第７図に
示すように、フォトダイオード100とその光電流出力を
増幅する増幅回路101、及び出力トランジスタ102を有
し、内部回路への電源用の２つの端子と出力用端子の３
端子から構成されている。
しかるにこのような従来の複合型受光素子は端子数が
３端子であるので受光素子と信号処理回路との接続を３
箇所で行う必要がある。従って工程数が多くなり、又光
電スイッチを小型化しようとすれば接続部のスペースが
大きくなるため小型化が難しいという欠点があった。特
に複合型受光素子を含むセンサ部と信号処理部が分離さ
れたアンプ分離型光電スイッチにおいては、複合受光素
子と信号処理部との接続に二芯シールド線を用いる必要
があるため、配線の手間がかかるだけでなくシールド線
の価格が上昇するという欠点があった。
３端子であるので受光素子と信号処理回路との接続を３
箇所で行う必要がある。従って工程数が多くなり、又光
電スイッチを小型化しようとすれば接続部のスペースが
大きくなるため小型化が難しいという欠点があった。特
に複合型受光素子を含むセンサ部と信号処理部が分離さ
れたアンプ分離型光電スイッチにおいては、複合受光素
子と信号処理部との接続に二芯シールド線を用いる必要
があるため、配線の手間がかかるだけでなくシールド線
の価格が上昇するという欠点があった。
本発明はこのような従来の複合型受光素子の問題点に
鑑みてなされたものであって、２端子型の受光素子とす
ることを技術的課題とする。
鑑みてなされたものであって、２端子型の受光素子とす
ることを技術的課題とする。
本発明は受光素子と、受光素子の光電流出力を増幅す
る増幅回路と、増幅回路の終段に設けられ、コレクタと
エミッタとを夫々端子とする出力トランジスタと、を有
し、これらを１つのパッケージ内に収納したことを特徴
とするものである。
る増幅回路と、増幅回路の終段に設けられ、コレクタと
エミッタとを夫々端子とする出力トランジスタと、を有
し、これらを１つのパッケージ内に収納したことを特徴
とするものである。
このような特徴を有する本発明によれば、フォトダイ
オード等の受光素子に得られた光電流出力は増幅回路に
増幅され出力トランジスタのコレクタ・エミッタ端より
出力される。従って出力トランジスタのエミッタを接地
しコレクタには電源より負荷抵抗を介して接続すると共
にコレクタ端を信号出力端として用いれば、２端子型の
複合型受光素子を動作させることができる。
オード等の受光素子に得られた光電流出力は増幅回路に
増幅され出力トランジスタのコレクタ・エミッタ端より
出力される。従って出力トランジスタのエミッタを接地
しコレクタには電源より負荷抵抗を介して接続すると共
にコレクタ端を信号出力端として用いれば、２端子型の
複合型受光素子を動作させることができる。
そのため本発明によれば、パッケージ内に収納された
２端子型の複合型受光素子を構成することができる。そ
して複合型受光素子と信号処理回路を接続する接続数が
減少し接続スペースを小さくできる。従ってアンプ分離
型の光電スイッチに適用する場合にも、センサ部を小型
化することが可能となり、工数も少なくすることができ
る。又接続に要するシールド線も二芯シールド線等を使
用する必要がなくなり、価格を低減することができると
いう効果が得られる。
２端子型の複合型受光素子を構成することができる。そ
して複合型受光素子と信号処理回路を接続する接続数が
減少し接続スペースを小さくできる。従ってアンプ分離
型の光電スイッチに適用する場合にも、センサ部を小型
化することが可能となり、工数も少なくすることができ
る。又接続に要するシールド線も二芯シールド線等を使
用する必要がなくなり、価格を低減することができると
いう効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例による複合型受光素子の構
造を示す回路図、第２図はその外観図である。本図にお
いてこの複合型受光素子は受光素子、例えばフォトダイ
オード１とそれに並列に接続された抵抗２を有してお
り、フォトダイオード１の光電流出力を増幅する増幅回
路を設ける。本実施例においては増幅回路を出力トラン
ジスタのみで構成した例を示しており、フォトダイオー
ド１と抵抗２の並列回路が出力トランジスタ３のコレク
タ・ベース間に接続されている。出力トランジスタ３の
コレクタとエミッタとは端子4,5として第２図に示すよ
うに引き出されている。第２図において端子4,5はリー
ドフレームとして構成され、前述したフォトダイオード
１と出力トランジスタ３とがIC化されたチップが一方の
リードフレームにダイボンディングされ、他方のリード
フレームにはワイヤボンディングによって接続され、１
つのパッケージに封入されて複合型受光素子６が構成さ
れる。
造を示す回路図、第２図はその外観図である。本図にお
いてこの複合型受光素子は受光素子、例えばフォトダイ
オード１とそれに並列に接続された抵抗２を有してお
り、フォトダイオード１の光電流出力を増幅する増幅回
路を設ける。本実施例においては増幅回路を出力トラン
ジスタのみで構成した例を示しており、フォトダイオー
ド１と抵抗２の並列回路が出力トランジスタ３のコレク
タ・ベース間に接続されている。出力トランジスタ３の
コレクタとエミッタとは端子4,5として第２図に示すよ
うに引き出されている。第２図において端子4,5はリー
ドフレームとして構成され、前述したフォトダイオード
１と出力トランジスタ３とがIC化されたチップが一方の
リードフレームにダイボンディングされ、他方のリード
フレームにはワイヤボンディングによって接続され、１
つのパッケージに封入されて複合型受光素子６が構成さ
れる。
このようにして構成された複合型受光素子６の両端は
第３図に示すように一方の端子５を接地し、他方の端子
には電源Vccより負荷抵抗RLを介して接続すると共に、
端子４にはカップリングコンデンサC1を接続して信号処
理回路７に接続するようにする。こうすれば２端子の複
合型受光素子６と信号処理回路７とを接続することがで
きる。
第３図に示すように一方の端子５を接地し、他方の端子
には電源Vccより負荷抵抗RLを介して接続すると共に、
端子４にはカップリングコンデンサC1を接続して信号処
理回路７に接続するようにする。こうすれば２端子の複
合型受光素子６と信号処理回路７とを接続することがで
きる。
第４図は本願の第２の実施例による複合型受光素子を
示す図である。本実施例では受光用フォトダイオード10
の出力をコンデンサC2を介してソースフォロワ型に接続
されたFET11に与え、その出力を出力トランジスタ12の
ベースに与えるようにしている。そうすればフォトダイ
オード10の直流成分が増幅回路に伝わらなくなるため直
流的な入光に対しては増幅度を持たず、光電スイッチと
しての外乱光特性を向上させることができる。又出力ト
ランジスタ12のコレクタ・エミッタ端を複合型受光素子
の端子としている。そしてこの端子間にはFET11に与え
る電流を安定化させるためにコンデンサC3とトランジス
タ13及び抵抗14から成るリップルフィルタを設けてい
る。この場合にも同様にして第３図に示す接続回路を用
いて２端子で信号処理回路に接続することができる。
示す図である。本実施例では受光用フォトダイオード10
の出力をコンデンサC2を介してソースフォロワ型に接続
されたFET11に与え、その出力を出力トランジスタ12の
ベースに与えるようにしている。そうすればフォトダイ
オード10の直流成分が増幅回路に伝わらなくなるため直
流的な入光に対しては増幅度を持たず、光電スイッチと
しての外乱光特性を向上させることができる。又出力ト
ランジスタ12のコレクタ・エミッタ端を複合型受光素子
の端子としている。そしてこの端子間にはFET11に与え
る電流を安定化させるためにコンデンサC3とトランジス
タ13及び抵抗14から成るリップルフィルタを設けてい
る。この場合にも同様にして第３図に示す接続回路を用
いて２端子で信号処理回路に接続することができる。
又第５図は本願の第３実施例による複合型受光素子を
示す図である。第５図はフォトダイオード20のチップと
その他の増幅回路のチップとを分離して構成したもので
あり、フォトダイオード20の出力をコンデンサC4を介し
てソース接地されたFET21に与え、その出力を出力トラ
ンジスタ22に与えるようにしている。抵抗23はNFB用、
抵抗24とコンデンサC5はデカップリング用である。本実
施例においても出力トランジスタ22のコレクタ・エミッ
タを２つの出力端子25,26としている。この場合にもコ
ンデンサC4を介してFET21に接続しているため直流的な
入光に対しては増幅度を持たず、外乱光特性を向上させ
ることができる。又この場合も前述した第３図の接続回
路を用いて信号を得ることができる。第６図は本実施例
の複合型受光素子をダミーの２端子を持つデュアルイン
ライン型パッケージに実装した状態を示す図である。
示す図である。第５図はフォトダイオード20のチップと
その他の増幅回路のチップとを分離して構成したもので
あり、フォトダイオード20の出力をコンデンサC4を介し
てソース接地されたFET21に与え、その出力を出力トラ
ンジスタ22に与えるようにしている。抵抗23はNFB用、
抵抗24とコンデンサC5はデカップリング用である。本実
施例においても出力トランジスタ22のコレクタ・エミッ
タを２つの出力端子25,26としている。この場合にもコ
ンデンサC4を介してFET21に接続しているため直流的な
入光に対しては増幅度を持たず、外乱光特性を向上させ
ることができる。又この場合も前述した第３図の接続回
路を用いて信号を得ることができる。第６図は本実施例
の複合型受光素子をダミーの２端子を持つデュアルイン
ライン型パッケージに実装した状態を示す図である。
第１図は本発明の一実施例による複合型受光素子の回路
図、第２図はその外観図、第３図はその接続図、第４図
は本発明の第２実施例による複合型受光素子の回路図、
第５図は第３実施例による複合型受光素子の回路図、第
６図は第３実施例による受光素子の外観図、第７図は従
来の複合型従来素子の一例を示す回路図である。 1,10,20……フォトダイオード、3,12,22……出力トラン
ジスタ、4,5,25,26……端子
図、第２図はその外観図、第３図はその接続図、第４図
は本発明の第２実施例による複合型受光素子の回路図、
第５図は第３実施例による複合型受光素子の回路図、第
６図は第３実施例による受光素子の外観図、第７図は従
来の複合型従来素子の一例を示す回路図である。 1,10,20……フォトダイオード、3,12,22……出力トラン
ジスタ、4,5,25,26……端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01J 1/44 G01J 1/02
Claims (1)
- 【請求項１】受光素子と、 前記受光素子の光電流出力を増幅する増幅回路と、 前記増幅回路の終段に設けられ、コレクタとエミッタと
を夫々端子とする出力トランジスタと、を有し、これら
を１つのパッケージ内に収納したことを特徴とする２端
子型の複合型受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1085477A JP2853149B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 複合型受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1085477A JP2853149B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 複合型受光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02263121A JPH02263121A (ja) | 1990-10-25 |
| JP2853149B2 true JP2853149B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=13859991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1085477A Expired - Lifetime JP2853149B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 複合型受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2853149B2 (ja) |
-
1989
- 1989-04-03 JP JP1085477A patent/JP2853149B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02263121A (ja) | 1990-10-25 |
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