JP2003332855A - 光受信回路 - Google Patents
光受信回路Info
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- JP2003332855A JP2003332855A JP2002134690A JP2002134690A JP2003332855A JP 2003332855 A JP2003332855 A JP 2003332855A JP 2002134690 A JP2002134690 A JP 2002134690A JP 2002134690 A JP2002134690 A JP 2002134690A JP 2003332855 A JP2003332855 A JP 2003332855A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電源電圧変動の影響を低減して、光受信回路
の高周波特性を改善する。 【解決手段】 受信した光信号を電流信号に変換する受
光デバイス２０１と、電流信号を電圧信号に変換する前
置増幅器２０２と、電圧信号を増幅する第１の増幅器２
０３とを有する光受信回路２００において、前置増幅器
２０２と第１の増幅器２０３とを、モノリシック集積回
路として集積化し、前置増幅器２０２の電源ＶＣＣ１と
第１の増幅器ふ２０３の電源ＶＣＣ２とを、モノリシッ
ク集積回路に独立に供給する。
の高周波特性を改善する。 【解決手段】 受信した光信号を電流信号に変換する受
光デバイス２０１と、電流信号を電圧信号に変換する前
置増幅器２０２と、電圧信号を増幅する第１の増幅器２
０３とを有する光受信回路２００において、前置増幅器
２０２と第１の増幅器２０３とを、モノリシック集積回
路として集積化し、前置増幅器２０２の電源ＶＣＣ１と
第１の増幅器ふ２０３の電源ＶＣＣ２とを、モノリシッ
ク集積回路に独立に供給する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光受信回路に関
し、より詳細には、受光デバイスとモノリシック集積回
路とにより構成された光受信回路に関する。
し、より詳細には、受光デバイスとモノリシック集積回
路とにより構成された光受信回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】光受信回路は、光ファイバから出射され
た光信号を電気信号に変換するための回路であり、光信
号を電流信号に変換する受光デバイスと、電流信号を電
圧信号に変換し、後段に接続される回路に必要な電圧に
増幅する増幅器とから構成されている。
た光信号を電気信号に変換するための回路であり、光信
号を電流信号に変換する受光デバイスと、電流信号を電
圧信号に変換し、後段に接続される回路に必要な電圧に
増幅する増幅器とから構成されている。
【０００３】図１に、従来の光受信回路の回路構成を示
す。光受信回路１００は、光ファイバから出射された光
信号を電気信号に変換する受光デバイス（ＰＤ）１０１
と、ＰＤ１０１の出力に接続され、増幅部１２１と帰還
抵抗１２２とで構成された前置増幅器１０２と、主増幅
器１０３とを有している。
す。光受信回路１００は、光ファイバから出射された光
信号を電気信号に変換する受光デバイス（ＰＤ）１０１
と、ＰＤ１０１の出力に接続され、増幅部１２１と帰還
抵抗１２２とで構成された前置増幅器１０２と、主増幅
器１０３とを有している。
【０００４】ＰＤ１０１のカソードは、ＰＤ用電源Ｖ
ＰＤに接続され、アノードは前置増幅器１０２に接続さ
れている。ＰＤ１０１は、光ファイバから出射された光
信号を受光し、光信号に対応する電流信号（Photo Curr
ent）に変換する。増幅部１２１の入力インピーダンス
は、非常に高く設定されているので、ＰＤ１０１で発生
した電流信号のほとんどは、帰還抵抗１２２を経由して
増幅部１２１の出力段に吸い込まれる。帰還抵抗１２２
の両端には電位差が生じ、これに対応して増幅部１２１
の出力電位が変化する。このような前置増幅器１０２の
動作を、電流／電圧変換という。
ＰＤに接続され、アノードは前置増幅器１０２に接続さ
れている。ＰＤ１０１は、光ファイバから出射された光
信号を受光し、光信号に対応する電流信号（Photo Curr
ent）に変換する。増幅部１２１の入力インピーダンス
は、非常に高く設定されているので、ＰＤ１０１で発生
した電流信号のほとんどは、帰還抵抗１２２を経由して
増幅部１２１の出力段に吸い込まれる。帰還抵抗１２２
の両端には電位差が生じ、これに対応して増幅部１２１
の出力電位が変化する。このような前置増幅器１０２の
動作を、電流／電圧変換という。
【０００５】主増幅器１０３は、前置増幅器１０２の出
力である電圧信号を増幅する。主増幅器１０３は、シン
グルアンプとしたり、または差動増幅器を構成して相補
的な信号出力を得ることもできる。主増幅器１０３の出
力ＯＵＴは、光受信回路１００を搭載したモジュール外
部に導かれて信号処理される。信号処理とは、信号中に
含まれているクロック信号成分の抽出すること、光ファ
イバ伝送時のノイズまたは分散などの影響により歪んで
しまった信号からデジタル信号を再生することをいう。
力である電圧信号を増幅する。主増幅器１０３は、シン
グルアンプとしたり、または差動増幅器を構成して相補
的な信号出力を得ることもできる。主増幅器１０３の出
力ＯＵＴは、光受信回路１００を搭載したモジュール外
部に導かれて信号処理される。信号処理とは、信号中に
含まれているクロック信号成分の抽出すること、光ファ
イバ伝送時のノイズまたは分散などの影響により歪んで
しまった信号からデジタル信号を再生することをいう。
【０００６】光受信回路１００において、前置増幅器１
０２と主増幅器１０３とは、１つの半導体基板上に集積
化されたＩＣを用いる。前置増幅器１０２の電源と主増
幅器１０３の電源とは、電源のインピーダンスを低下さ
せるために、ＩＣ内で共通化され、複数の電源パッドか
ら電源ＶＣＣを供給することが一般的である。このよう
にして、電源パッドへ電源を供給するために用いる、ボ
ンディングワイヤの寄生インダクタンスを低下させるこ
とができる。
０２と主増幅器１０３とは、１つの半導体基板上に集積
化されたＩＣを用いる。前置増幅器１０２の電源と主増
幅器１０３の電源とは、電源のインピーダンスを低下さ
せるために、ＩＣ内で共通化され、複数の電源パッドか
ら電源ＶＣＣを供給することが一般的である。このよう
にして、電源パッドへ電源を供給するために用いる、ボ
ンディングワイヤの寄生インダクタンスを低下させるこ
とができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前置増
幅器１０２の電源と主増幅器１０３の電源とを共通化す
ると、電源ラインを介した信号の回りこみが避けられな
い。主増幅器１０３は、モジュール外部に信号を出力す
るために、駆動能力を高くする必要があるので、主増幅
器１０３の電源の電流値は、信号のオン／オフに連動し
て大きく変化する。従って、主増幅器１０３の電源変動
が、ＩＣ内で共通化されている前置増幅器１０２の電源
に影響を与えるという問題があった。
幅器１０２の電源と主増幅器１０３の電源とを共通化す
ると、電源ラインを介した信号の回りこみが避けられな
い。主増幅器１０３は、モジュール外部に信号を出力す
るために、駆動能力を高くする必要があるので、主増幅
器１０３の電源の電流値は、信号のオン／オフに連動し
て大きく変化する。従って、主増幅器１０３の電源変動
が、ＩＣ内で共通化されている前置増幅器１０２の電源
に影響を与えるという問題があった。
【０００８】このような電源電流の変化は、電源電圧の
変動に現れ、ＩＣの電源ラインに大きなバイパスコンデ
ンサを挿入したとしても、極めて微小な光信号を取り扱
う光受信回路では、高周波特性が著しく劣化するという
問題もあった。
変動に現れ、ＩＣの電源ラインに大きなバイパスコンデ
ンサを挿入したとしても、極めて微小な光信号を取り扱
う光受信回路では、高周波特性が著しく劣化するという
問題もあった。
【０００９】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、電源電圧変動の影
響を低減して高周波特性を改善した光受信回路を提供す
ることにある。
たもので、その目的とするところは、電源電圧変動の影
響を低減して高周波特性を改善した光受信回路を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、受信し
た光信号を電流信号に変換する受光デバイスと、前記電
流信号を電圧信号に変換する前置増幅器と、前記電圧信
号を増幅する第１の増幅器とを有する光受信回路におい
て、前記前置増幅器と前記第１の増幅器とは、モノリシ
ック集積回路として集積化され、前記前置増幅器の電源
と前記第１の増幅器の電源とは、前記モノリシック集積
回路に独立に供給されるよう構成されていることを特徴
とする。
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、受信し
た光信号を電流信号に変換する受光デバイスと、前記電
流信号を電圧信号に変換する前置増幅器と、前記電圧信
号を増幅する第１の増幅器とを有する光受信回路におい
て、前記前置増幅器と前記第１の増幅器とは、モノリシ
ック集積回路として集積化され、前記前置増幅器の電源
と前記第１の増幅器の電源とは、前記モノリシック集積
回路に独立に供給されるよう構成されていることを特徴
とする。
【００１１】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の前記第１の増幅器は、前記前置増幅器から出力された
前記電圧信号を入力する第１の入力と、前記前置増幅器
から出力された前記電圧信号を平滑化する低域通過フィ
ルタからの低域濾波信号を入力する第２の入力とを有す
る差動増幅器であることを特徴とする。
の前記第１の増幅器は、前記前置増幅器から出力された
前記電圧信号を入力する第１の入力と、前記前置増幅器
から出力された前記電圧信号を平滑化する低域通過フィ
ルタからの低域濾波信号を入力する第２の入力とを有す
る差動増幅器であることを特徴とする。
【００１２】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の光受信回路において、前記前置増幅器から出力された
前記電圧信号を増幅して、前記第１の増幅器に出力する
第２の増幅器を備え、該第２の増幅器の電源と前記前置
増幅器の電源とが共通であることを特徴とする。
の光受信回路において、前記前置増幅器から出力された
前記電圧信号を増幅して、前記第１の増幅器に出力する
第２の増幅器を備え、該第２の増幅器の電源と前記前置
増幅器の電源とが共通であることを特徴とする。
【００１３】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の前記第２の増幅器は、前記前置増幅器から出力された
前記電圧信号を入力する第１の入力と、前記前置増幅器
から出力された前記電圧信号を平滑化する低域通過フィ
ルタからの低域濾波信号を入力する第２の入力とを有す
る差動増幅器であり、前記第１の増幅器は、前記第２の
差動増幅器の相補的出力をそれぞれ入力する２つの入力
を有する差動増幅器であることを特徴とする。
の前記第２の増幅器は、前記前置増幅器から出力された
前記電圧信号を入力する第１の入力と、前記前置増幅器
から出力された前記電圧信号を平滑化する低域通過フィ
ルタからの低域濾波信号を入力する第２の入力とを有す
る差動増幅器であり、前記第１の増幅器は、前記第２の
差動増幅器の相補的出力をそれぞれ入力する２つの入力
を有する差動増幅器であることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態について詳細に説明する。
の実施形態について詳細に説明する。
【００１５】図２に、本発明の一実施形態にかかる光受
信回路の回路構成を示す。光受信回路２００は、光ファ
イバから出射された光信号を電気信号に変換する受光デ
バイス（ＰＤ）２０１と、ＰＤ２０１の出力に接続さ
れ、増幅部２２１と帰還抵抗２２２とで構成された前置
増幅器２０２と、第１の増幅器に相当する主増幅器２０
３とを有している。前置増幅器２０２の電源ＶＣＣ１と
主増幅器２０３の電源Ｖ ＣＣ２とが、独立に設けられて
いる。
信回路の回路構成を示す。光受信回路２００は、光ファ
イバから出射された光信号を電気信号に変換する受光デ
バイス（ＰＤ）２０１と、ＰＤ２０１の出力に接続さ
れ、増幅部２２１と帰還抵抗２２２とで構成された前置
増幅器２０２と、第１の増幅器に相当する主増幅器２０
３とを有している。前置増幅器２０２の電源ＶＣＣ１と
主増幅器２０３の電源Ｖ ＣＣ２とが、独立に設けられて
いる。
【００１６】光受信回路２００において、前置増幅器２
０２と主増幅器２０３とは、１つのモノリシック集積回
路として集積化される。電源ＶＣＣ１と電源ＶＣＣ２と
は、集積回路外部から独立に供給され、集積回路内部で
は、独立の電源ラインによりそれぞれ前置増幅器２０２
と主増幅器２０３とに供給される。
０２と主増幅器２０３とは、１つのモノリシック集積回
路として集積化される。電源ＶＣＣ１と電源ＶＣＣ２と
は、集積回路外部から独立に供給され、集積回路内部で
は、独立の電源ラインによりそれぞれ前置増幅器２０２
と主増幅器２０３とに供給される。
【００１７】図３に、本発明の一実施形態にかかる光受
信回路の受光デバイスの周辺回路を示す。ＰＤ２０１の
電源はＰＤ用電源ＶＰＤから供給される。ＰＤ用電源Ｖ
ＰＤには、４７０ｐＦの容量のバイパスコンデンサＣ１
が挿入されている。ＰＤ２０１のカソード端子には、４
３ｐＦの容量のバイパスコンデンサＣ２が接続される。
抵抗値３ｋΩの抵抗Ｒ１とバイパスコンデンサＣ２と
は、ＣＲ平滑化回路を構成している。抵抗Ｒ１に並列に
挿入されているダイオードＤ１は、信号電流が大きくな
り、抵抗Ｒ１における電圧降下がダイオードＤ１の順方
向オン電圧を越えた時に動作する。抵抗Ｒ１を流れる電
流のバイパスのために挿入されている。
信回路の受光デバイスの周辺回路を示す。ＰＤ２０１の
電源はＰＤ用電源ＶＰＤから供給される。ＰＤ用電源Ｖ
ＰＤには、４７０ｐＦの容量のバイパスコンデンサＣ１
が挿入されている。ＰＤ２０１のカソード端子には、４
３ｐＦの容量のバイパスコンデンサＣ２が接続される。
抵抗値３ｋΩの抵抗Ｒ１とバイパスコンデンサＣ２と
は、ＣＲ平滑化回路を構成している。抵抗Ｒ１に並列に
挿入されているダイオードＤ１は、信号電流が大きくな
り、抵抗Ｒ１における電圧降下がダイオードＤ１の順方
向オン電圧を越えた時に動作する。抵抗Ｒ１を流れる電
流のバイパスのために挿入されている。
【００１８】図４に、本発明の一実施形態にかかる光受
信回路の前置増幅器の回路構成を示す。ＰＤ２０１から
の入力信号は、増幅段のデプレッション型ＦＥＴ（以
下、Ｄ−ＦＥＴという）Ｔｒ１一段の増幅段に導かれ
る。増幅段は、Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ１）のソースに接続さ
れた電圧降下用のダイオードＤ１１，Ｄ１２と、Ｄ−Ｆ
ＥＴ（Ｔｒ１）の負荷素子と、Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ１）の
ソースと接地との間に接続されたＭＩＭ（Metal-Insula
tor-Metal）容量Ｃ１１とにより構成されている。
信回路の前置増幅器の回路構成を示す。ＰＤ２０１から
の入力信号は、増幅段のデプレッション型ＦＥＴ（以
下、Ｄ−ＦＥＴという）Ｔｒ１一段の増幅段に導かれ
る。増幅段は、Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ１）のソースに接続さ
れた電圧降下用のダイオードＤ１１，Ｄ１２と、Ｄ−Ｆ
ＥＴ（Ｔｒ１）の負荷素子と、Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ１）の
ソースと接地との間に接続されたＭＩＭ（Metal-Insula
tor-Metal）容量Ｃ１１とにより構成されている。
【００１９】ダイオードＤ１１，Ｄ１２は、Ｄ−ＦＥＴ
（Ｔｒ１）のゲートを、ソースに対してマイナス電位に
自己バイアスするためのもので、ほぼ−１．５Ｖにバイ
アスされる。ＭＩＭ容量Ｃ１１により、高周波信号は、
ダイオードＤ１１，Ｄ１２をバイパスすることから、ス
ピードアップコンデンサとして機能する。
（Ｔｒ１）のゲートを、ソースに対してマイナス電位に
自己バイアスするためのもので、ほぼ−１．５Ｖにバイ
アスされる。ＭＩＭ容量Ｃ１１により、高周波信号は、
ダイオードＤ１１，Ｄ１２をバイパスすることから、ス
ピードアップコンデンサとして機能する。
【００２０】Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ１）の負荷素子は、抵抗
Ｒ１２，Ｒ１３により固定バイアスされたＤ−ＦＥＴ
（Ｔｒ２）と、ゲート−ソース間を短絡して定電流駆動
するＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ３）と、Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ２）ド
レインと電源ＶＣＣ１との間に接続された１５０Ωの負
荷抵抗Ｒ１１とにより構成されている。増幅段の出力
は、負荷抵抗Ｒ１１とＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ２）のドレイン
との接続点から取り出される。
Ｒ１２，Ｒ１３により固定バイアスされたＤ−ＦＥＴ
（Ｔｒ２）と、ゲート−ソース間を短絡して定電流駆動
するＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ３）と、Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ２）ド
レインと電源ＶＣＣ１との間に接続された１５０Ωの負
荷抵抗Ｒ１１とにより構成されている。増幅段の出力
は、負荷抵抗Ｒ１１とＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ２）のドレイン
との接続点から取り出される。
【００２１】増幅段の動作について説明する。増幅され
た信号の電圧は、負荷抵抗Ｒ１１に流れる電流値と負荷
抵抗Ｒ１１の抵抗値との積で与えられる。増幅度（利
得）は、Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ１）の相互コンダクタンスＧ
ｍと、負荷抵抗Ｒ１１の抵抗値との積で表される。従っ
て、増幅度を大きくするためには、負荷抵抗Ｒ１１の抵
抗値を大きくすればよい。しかしながら、負荷抵抗Ｒ１
１の抵抗値のみを大きくすると、増幅された信号の電圧
は、電源ＶＣＣ１にぼぼ等しい電圧になってしまう場合
がある。すなわち、増幅段のＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ１）の出
力振幅が飽和してしまう。相互コンダクタンスＧｍは、
ゲートバイアスに依存して変化し、バイアスが大きいほ
ど大きい値が得られる。従って、負荷抵抗Ｒ１１の抵抗
値のみを大きくして増幅度を大きくすることは、相互コ
ンダクタンスＧｍが低下するので好ましくない。
た信号の電圧は、負荷抵抗Ｒ１１に流れる電流値と負荷
抵抗Ｒ１１の抵抗値との積で与えられる。増幅度（利
得）は、Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ１）の相互コンダクタンスＧ
ｍと、負荷抵抗Ｒ１１の抵抗値との積で表される。従っ
て、増幅度を大きくするためには、負荷抵抗Ｒ１１の抵
抗値を大きくすればよい。しかしながら、負荷抵抗Ｒ１
１の抵抗値のみを大きくすると、増幅された信号の電圧
は、電源ＶＣＣ１にぼぼ等しい電圧になってしまう場合
がある。すなわち、増幅段のＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ１）の出
力振幅が飽和してしまう。相互コンダクタンスＧｍは、
ゲートバイアスに依存して変化し、バイアスが大きいほ
ど大きい値が得られる。従って、負荷抵抗Ｒ１１の抵抗
値のみを大きくして増幅度を大きくすることは、相互コ
ンダクタンスＧｍが低下するので好ましくない。
【００２２】そこで、負荷抵抗Ｒ１１と並列に、定電流
回路であるＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ３）を接続する。Ｄ−ＦＥ
Ｔ（Ｔｒ３）は、常に一定の電流をＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ
１）に供給する。Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ１）は、常に一定の
電流を流す分だけ、ゲートバイアスが大きくなるように
自己バイアスされる。従って、相互コンダクタンスＧｍ
を低下することなく、増幅度を大きくすることができ
る。
回路であるＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ３）を接続する。Ｄ−ＦＥ
Ｔ（Ｔｒ３）は、常に一定の電流をＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ
１）に供給する。Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ１）は、常に一定の
電流を流す分だけ、ゲートバイアスが大きくなるように
自己バイアスされる。従って、相互コンダクタンスＧｍ
を低下することなく、増幅度を大きくすることができ
る。
【００２３】一方、増幅段のＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ１）の等
価入力容量は、ゲート−ソース間容量Ｃｇｓ、ゲート−
ドレイン間容量Ｃｇｄ、増幅度Ａとすると、Ｃｇｓ＋
（Ａ＋１）Ｃｇｄで与えられる。ミラー効果により、ゲ
ート−ドレイン間容量Ｃｇｄが、増幅回路の増幅度Ａだ
け等価的に大きくなり、増幅回路の高周波特性が劣化す
る。ミラー効果の影響を避けるために、Ｄ−ＦＥＴ（Ｔ
ｒ１）のドレインに直列にＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ２）を接続
する。直列に接続されたＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ２）により、
等価入力容量はＣｇｓ＋Ｃｇｄとなり高周波特性の劣化
を防ぐことができる。
価入力容量は、ゲート−ソース間容量Ｃｇｓ、ゲート−
ドレイン間容量Ｃｇｄ、増幅度Ａとすると、Ｃｇｓ＋
（Ａ＋１）Ｃｇｄで与えられる。ミラー効果により、ゲ
ート−ドレイン間容量Ｃｇｄが、増幅回路の増幅度Ａだ
け等価的に大きくなり、増幅回路の高周波特性が劣化す
る。ミラー効果の影響を避けるために、Ｄ−ＦＥＴ（Ｔ
ｒ１）のドレインに直列にＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ２）を接続
する。直列に接続されたＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ２）により、
等価入力容量はＣｇｓ＋Ｃｇｄとなり高周波特性の劣化
を防ぐことができる。
【００２４】出力バッファ段は、電源にドレインが接続
されたエンハンスメント型ＦＥＴ（以下、Ｅ−ＦＥＴと
いう）Ｔｒ４と、Ｅ−ＦＥＴ（Ｔｒ４）のソースに接続
されたダイオードＤ１３，Ｄ１４と、ダイオードＤ１
３，Ｄ１４に並列接続された８ｐＦのＭＩＭ容量Ｃ１２
と、バイアス電圧Ｖｂにより固定バイアスされ、ソース
が接地されたＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ５）とにより構成されて
いる。Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ５）は、固定バイアスされてい
るので、定電流源として機能する。
されたエンハンスメント型ＦＥＴ（以下、Ｅ−ＦＥＴと
いう）Ｔｒ４と、Ｅ−ＦＥＴ（Ｔｒ４）のソースに接続
されたダイオードＤ１３，Ｄ１４と、ダイオードＤ１
３，Ｄ１４に並列接続された８ｐＦのＭＩＭ容量Ｃ１２
と、バイアス電圧Ｖｂにより固定バイアスされ、ソース
が接地されたＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ５）とにより構成されて
いる。Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ５）は、固定バイアスされてい
るので、定電流源として機能する。
【００２５】ダイオードＤ１３，Ｄ１４は、直流電位の
電圧降下のためであり、ＭＩＭ容量Ｃ１２は高周波信号
のバイパスのためである。すなわち、ＭＩＭ容量Ｃ１２
により、高周波信号は、ダイオードＤ１３，Ｄ１４をバ
イパスすることから、スピードアップコンデンサとして
機能する。ダイオードＤ１４とＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ５）と
の接続点から、増幅部２２１の出力が引き出される。
電圧降下のためであり、ＭＩＭ容量Ｃ１２は高周波信号
のバイパスのためである。すなわち、ＭＩＭ容量Ｃ１２
により、高周波信号は、ダイオードＤ１３，Ｄ１４をバ
イパスすることから、スピードアップコンデンサとして
機能する。ダイオードＤ１４とＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ５）と
の接続点から、増幅部２２１の出力が引き出される。
【００２６】増幅部２２１の出力から入力には、２７０
Ωの帰還抵抗２２２と２５ｆＦのコンデンサＣ１４との
並列回路が、トランスインピーダンスとして挿入されて
いる。ＰＤ２０１からの光信号に対応する電流信号は、
トランスインピーダンスを通って、出力バッファ段のＤ
−ＦＥＴ（Ｔｒ５）のドレインに流れこむこととなる。
コンデンサＣ１４は、増幅部２２１の電流−電圧変換に
おける変換利得の周波数特性を補償するものである。
Ωの帰還抵抗２２２と２５ｆＦのコンデンサＣ１４との
並列回路が、トランスインピーダンスとして挿入されて
いる。ＰＤ２０１からの光信号に対応する電流信号は、
トランスインピーダンスを通って、出力バッファ段のＤ
−ＦＥＴ（Ｔｒ５）のドレインに流れこむこととなる。
コンデンサＣ１４は、増幅部２２１の電流−電圧変換に
おける変換利得の周波数特性を補償するものである。
【００２７】前置増幅器２０２の動作について説明す
る。ＰＤ２０１に入力光信号が無い時または十分に小さ
い時には、帰還抵抗２２２にはほとんど電流が流れない
ので、帰還抵抗２２２の両端の電位はぼぼ等しくなる。
Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ１）のゲート電位は、帰還抵抗２２２
の両端の電位が等しくなるように自己バイアスされる。
る。ＰＤ２０１に入力光信号が無い時または十分に小さ
い時には、帰還抵抗２２２にはほとんど電流が流れない
ので、帰還抵抗２２２の両端の電位はぼぼ等しくなる。
Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ１）のゲート電位は、帰還抵抗２２２
の両端の電位が等しくなるように自己バイアスされる。
【００２８】ＰＤ２０１に光信号が入力されると、ＰＤ
２０１で発生した電流信号のほとんどは、帰還抵抗２２
２を経由して出力段に流れ、帰還抵抗２２２の両端には
光信号強度に比例した電位差が生じる。Ｄ−ＦＥＴ（Ｔ
ｒ１）のゲート電位は、帰還抵抗２２２の両端に電圧降
下が生ずるようにバイアスが印加され、Ｄ−ＦＥＴ（Ｔ
ｒ１）を流れる電流を調整する。このバイアス値は、光
信号の入力が無い時のバイアス値よりも、Ｄ−ＦＥＴ
（Ｔｒ１）に電流を流す分だけ大きい。
２０１で発生した電流信号のほとんどは、帰還抵抗２２
２を経由して出力段に流れ、帰還抵抗２２２の両端には
光信号強度に比例した電位差が生じる。Ｄ−ＦＥＴ（Ｔ
ｒ１）のゲート電位は、帰還抵抗２２２の両端に電圧降
下が生ずるようにバイアスが印加され、Ｄ−ＦＥＴ（Ｔ
ｒ１）を流れる電流を調整する。このバイアス値は、光
信号の入力が無い時のバイアス値よりも、Ｄ−ＦＥＴ
（Ｔｒ１）に電流を流す分だけ大きい。
【００２９】帰還抵抗２２２の抵抗値は、入力光信号の
最大強度により決定される。最大強度を０ｄＢｍとする
と、ＰＤ２０１における光−電気変換効率１Ｗ／Ａのと
き、光電流は２ｍＡとなる。この光電流２ｍＡに対し
て、帰還抵抗２２２の両端にどの程度の電位差が必要か
により、帰還抵抗２２２の抵抗値を決定する。本実施形
態では、２７０Ωとして、最大強度０ｄＢｍのとき、
０．５４Ｖ程度の電位差が得られる。
最大強度により決定される。最大強度を０ｄＢｍとする
と、ＰＤ２０１における光−電気変換効率１Ｗ／Ａのと
き、光電流は２ｍＡとなる。この光電流２ｍＡに対し
て、帰還抵抗２２２の両端にどの程度の電位差が必要か
により、帰還抵抗２２２の抵抗値を決定する。本実施形
態では、２７０Ωとして、最大強度０ｄＢｍのとき、
０．５４Ｖ程度の電位差が得られる。
【００３０】電源ＶＣＣ１には、３．３Ｖ〜５Ｖが供給
されるが、この値は、ＰＤ２０１の特性、前置増幅器２
０２の特性に左右される。モノリシック集積回路の外部
には、電源ＶＣＣ１のバイパスコンデンサＣ１３とし
て、４３ｐＦのダイキャップが接続されている。
されるが、この値は、ＰＤ２０１の特性、前置増幅器２
０２の特性に左右される。モノリシック集積回路の外部
には、電源ＶＣＣ１のバイパスコンデンサＣ１３とし
て、４３ｐＦのダイキャップが接続されている。
【００３１】図５に、本発明の一実施形態にかかる光受
信回路の主増幅器の回路構成を示す。主増幅器２０３
は、差動増幅器により構成されている。正相入力は、Ｄ
−ＦＥＴ（Ｔｒ１１）のゲートであり、前置増幅器２０
２の出力が導かれる。逆相入力は、Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ１
２）のゲートであり、前置増幅器３０２の出力が、抵抗
Ｒ２１とコンデンサＣ２１のＣＲ平滑化フィルタを介し
て導かれる。ＣＲ平滑化フィルタにより、逆相入力に
は、前置増幅器３０２の出力の平均値（時々刻々変化す
る）が入力される。従って、差動増幅器は、ある瞬間の
前置増幅器３０２の出力と、それ以前の出力の時間平均
値との差の信号を出力する。ＣＲ平滑化フィルタのコン
デンサＣ２１は、モノリシック集積回路に外付けにする
ことより、十分に大きな値とすることができる。本実施
形態では１０ｐＦとし、ＭＩＭを用いても実現可能な値
である。例えば、４３ｐＦ，４７０ｐＦなど大きな容量
値とすることもでき、時間平均の積算時間を長くするこ
とができる。
信回路の主増幅器の回路構成を示す。主増幅器２０３
は、差動増幅器により構成されている。正相入力は、Ｄ
−ＦＥＴ（Ｔｒ１１）のゲートであり、前置増幅器２０
２の出力が導かれる。逆相入力は、Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ１
２）のゲートであり、前置増幅器３０２の出力が、抵抗
Ｒ２１とコンデンサＣ２１のＣＲ平滑化フィルタを介し
て導かれる。ＣＲ平滑化フィルタにより、逆相入力に
は、前置増幅器３０２の出力の平均値（時々刻々変化す
る）が入力される。従って、差動増幅器は、ある瞬間の
前置増幅器３０２の出力と、それ以前の出力の時間平均
値との差の信号を出力する。ＣＲ平滑化フィルタのコン
デンサＣ２１は、モノリシック集積回路に外付けにする
ことより、十分に大きな値とすることができる。本実施
形態では１０ｐＦとし、ＭＩＭを用いても実現可能な値
である。例えば、４３ｐＦ，４７０ｐＦなど大きな容量
値とすることもでき、時間平均の積算時間を長くするこ
とができる。
【００３２】差動増幅器は、ゲートを電位Ｖｂで固定バ
イアスした電流源であるＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ１３）と、互
いのソースを結合したＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ１１，Ｔｒ１
２）と、Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ１１，Ｔｒ１２）の各々のド
レインに接続され、ゲートを固定バイアスしたＤ−ＦＥ
Ｔ（Ｔｒ１４，Ｔｒ１５）と、Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ１４，
Ｔｒ１５）とカスコード接続された負荷抵抗Ｒ２２，Ｒ
２３とから構成されている。固定バイアスのＤ−ＦＥＴ
（Ｔｒ１４，Ｔｒ１５）を挿入した目的は、Ｄ−ＦＥＴ
（Ｔｒ１１，Ｔｒ１２）のＶＤＳを安定化するためであ
る。差動増幅器の出力は、負荷抵抗Ｒ２２，Ｒ２３とＤ
−ＦＥＴ（Ｔｒ１４，Ｔｒ１５）のドレインとの接続点
から取り出される。
イアスした電流源であるＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ１３）と、互
いのソースを結合したＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ１１，Ｔｒ１
２）と、Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ１１，Ｔｒ１２）の各々のド
レインに接続され、ゲートを固定バイアスしたＤ−ＦＥ
Ｔ（Ｔｒ１４，Ｔｒ１５）と、Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ１４，
Ｔｒ１５）とカスコード接続された負荷抵抗Ｒ２２，Ｒ
２３とから構成されている。固定バイアスのＤ−ＦＥＴ
（Ｔｒ１４，Ｔｒ１５）を挿入した目的は、Ｄ−ＦＥＴ
（Ｔｒ１１，Ｔｒ１２）のＶＤＳを安定化するためであ
る。差動増幅器の出力は、負荷抵抗Ｒ２２，Ｒ２３とＤ
−ＦＥＴ（Ｔｒ１４，Ｔｒ１５）のドレインとの接続点
から取り出される。
【００３３】差動増幅器のソースフォロワは、ドレイン
を電源に接続されたＥ−ＦＥＴ（Ｔｒ１６，Ｔｒ１７）
と、ソースを接地してゲートを固定バイアスしたＤ−Ｆ
ＥＴ（Ｔｒ１８，Ｔｒ１９）と、出力電位を設定するた
めダイオードＤ２１〜Ｄ２４とから構成されている。ダ
イオードＤ２１，Ｄ２２とダイオードＤ２３，Ｄ２４と
には、並列にコンデンサＣ２２，Ｃ２３が接続されてお
り、高周波特性を改善している。ソースフォロワの出力
は、ダイオードＤ２２，Ｄ２４のカソードから取り出さ
れる。図５には、相補的な信号出力ＯＵＴ，ＯＵＴＮが
示されている。Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ１８，Ｔｒ１９）のド
レインとダイオードＤ２２，Ｄ２４のカソードとの間
に、電源電圧を抵抗分割して得られる電圧を固定バイア
スとしたＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ２０，Ｔｒ２１）を挿入す
る。これは、電流源となるＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ１８，Ｔｒ
１９）のＶＤＳの変動を抑え、定電流特性を高めるため
である。
を電源に接続されたＥ−ＦＥＴ（Ｔｒ１６，Ｔｒ１７）
と、ソースを接地してゲートを固定バイアスしたＤ−Ｆ
ＥＴ（Ｔｒ１８，Ｔｒ１９）と、出力電位を設定するた
めダイオードＤ２１〜Ｄ２４とから構成されている。ダ
イオードＤ２１，Ｄ２２とダイオードＤ２３，Ｄ２４と
には、並列にコンデンサＣ２２，Ｃ２３が接続されてお
り、高周波特性を改善している。ソースフォロワの出力
は、ダイオードＤ２２，Ｄ２４のカソードから取り出さ
れる。図５には、相補的な信号出力ＯＵＴ，ＯＵＴＮが
示されている。Ｄ−ＦＥＴ（Ｔｒ１８，Ｔｒ１９）のド
レインとダイオードＤ２２，Ｄ２４のカソードとの間
に、電源電圧を抵抗分割して得られる電圧を固定バイア
スとしたＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ２０，Ｔｒ２１）を挿入す
る。これは、電流源となるＤ−ＦＥＴ（Ｔｒ１８，Ｔｒ
１９）のＶＤＳの変動を抑え、定電流特性を高めるため
である。
【００３４】モノリシック集積回路の外部には、電源Ｖ
ＣＣ２のバイパスコンデンサＣ２４として、４３ｐＦの
ダイキャップが接続されている。電源ＶＣＣ２は、前置
増幅器３０２の電源ＶＣＣ１に対して、集積回路外部か
ら独立に供給され、集積回路内部では独立の電源ライン
により供給される。
ＣＣ２のバイパスコンデンサＣ２４として、４３ｐＦの
ダイキャップが接続されている。電源ＶＣＣ２は、前置
増幅器３０２の電源ＶＣＣ１に対して、集積回路外部か
ら独立に供給され、集積回路内部では独立の電源ライン
により供給される。
【００３５】図６に、本発明の一実施形態にかかる光受
信回路の実装構成を示す。光受信回路２００パッケージ
（以下、ＰＫＧという）は、いわゆるバタフライ型ＰＫ
Ｇであり、底面に各素子が実装されている。底面から持
ち上げた面には、外部と電気的に接続をとるためのリー
ドピンが引き出されている。
信回路の実装構成を示す。光受信回路２００パッケージ
（以下、ＰＫＧという）は、いわゆるバタフライ型ＰＫ
Ｇであり、底面に各素子が実装されている。底面から持
ち上げた面には、外部と電気的に接続をとるためのリー
ドピンが引き出されている。
【００３６】ＰＫＧ底面のほぼ中央にＰＤ２０１のチッ
プが搭載され、チップの４隅にワイヤリングパッドが設
けられている。第１パッドはＶＰＤであり、４７０ｐＦ
の容量のバイパスコンデンサＣ１を介して、２つにリー
ドピン端子にワイヤリングされる。第２パッドは、チッ
プ内に設けられたダイオードＤ１と抵抗Ｒ１の並列回路
を経た端子であり、４３ｐＦの容量のバイパスコンデン
サＣ２にワイヤリングされる。第３パッドは、ＰＤ２０
１のアノード端子であり、前置増幅器２０２の入力に接
続されている。ＰＤ２０１のチップの大きさは、約０．
５ｍｍ□である。
プが搭載され、チップの４隅にワイヤリングパッドが設
けられている。第１パッドはＶＰＤであり、４７０ｐＦ
の容量のバイパスコンデンサＣ１を介して、２つにリー
ドピン端子にワイヤリングされる。第２パッドは、チッ
プ内に設けられたダイオードＤ１と抵抗Ｒ１の並列回路
を経た端子であり、４３ｐＦの容量のバイパスコンデン
サＣ２にワイヤリングされる。第３パッドは、ＰＤ２０
１のアノード端子であり、前置増幅器２０２の入力に接
続されている。ＰＤ２０１のチップの大きさは、約０．
５ｍｍ□である。
【００３７】受信回路ＩＣ６０１は、前置増幅器２０２
と主増幅器２０３とを含む。受信回路ＩＣ６０１のチッ
プの大きさは、約１．５ｍｍ□である。チップの上辺に
は、電源ＶＣＣ１と電源ＶＣＣ２に接続するためのパッ
ドが並ぶ。電源ＶＣＣ１と電源ＶＣＣ２とは、チップ内
で完全に分離されているのに加え、それぞれ外付けのバ
イパスコンデンサＣ１３，Ｃ２４を介して、個別にリー
ドピンに接続される。電源ＶＣＣ１と電源ＶＣＣ２と
は、共通の５Ｖという電位ではあるが、完全に独立にす
ることにより、電源を介する雑音信号の回りこみを防ぐ
ことができ、光受信回路の対雑音特性を向上することが
できる。
と主増幅器２０３とを含む。受信回路ＩＣ６０１のチッ
プの大きさは、約１．５ｍｍ□である。チップの上辺に
は、電源ＶＣＣ１と電源ＶＣＣ２に接続するためのパッ
ドが並ぶ。電源ＶＣＣ１と電源ＶＣＣ２とは、チップ内
で完全に分離されているのに加え、それぞれ外付けのバ
イパスコンデンサＣ１３，Ｃ２４を介して、個別にリー
ドピンに接続される。電源ＶＣＣ１と電源ＶＣＣ２と
は、共通の５Ｖという電位ではあるが、完全に独立にす
ることにより、電源を介する雑音信号の回りこみを防ぐ
ことができ、光受信回路の対雑音特性を向上することが
できる。
【００３８】チップの下辺には、ＣＲ平滑化フィルタの
コンデンサ２１に接続されるワイヤリングパッドが設け
られている。チップの右辺には、相補的な信号出力ＯＵ
Ｔ，ＯＵＴＮ用のパッドが設けられ、ＰＫＧ内の信号伝
送線路にワイヤリングされている。出力信号は、伝送線
路中に設けられている０．１ｕＦのカプリングコンデン
サＣ３１，Ｃ３２を介してＰＫＧ外に取り出される。
コンデンサ２１に接続されるワイヤリングパッドが設け
られている。チップの右辺には、相補的な信号出力ＯＵ
Ｔ，ＯＵＴＮ用のパッドが設けられ、ＰＫＧ内の信号伝
送線路にワイヤリングされている。出力信号は、伝送線
路中に設けられている０．１ｕＦのカプリングコンデン
サＣ３１，Ｃ３２を介してＰＫＧ外に取り出される。
【００３９】図７に、本発明の一実施形態にかかる光受
信回路の出力インピーダンスを示す。図１に示した従来
の光受信回路１００の出力インピーダンスＢと、図２に
示した本発明の一実施形態にかかる光受信回路２００の
出力インピーダンスＡとを合わせて示した。電源電圧変
動の影響は、高周波特性の劣化として現れるので、Ｓパ
ラメータ（Ｓ２２）を用いて、周波数特性の評価を行っ
た。
信回路の出力インピーダンスを示す。図１に示した従来
の光受信回路１００の出力インピーダンスＢと、図２に
示した本発明の一実施形態にかかる光受信回路２００の
出力インピーダンスＡとを合わせて示した。電源電圧変
動の影響は、高周波特性の劣化として現れるので、Ｓパ
ラメータ（Ｓ２２）を用いて、周波数特性の評価を行っ
た。
【００４０】従来の光受信回路１００において、出力イ
ンピーダンスＢは、８ＧＨｚ近傍で最大−４ｄＢを示し
ている。出力インピーダンスの値は、一般に−６ｄＢ以
下が必要とされるので、全ての電源を共通化する構成に
あっては、一部の周波数帯でこの値を満足できないこと
になる。本発明の一実施形態にかかる光受信回路２００
においては、全ての帯域で−６ｄＢを満足している。
ンピーダンスＢは、８ＧＨｚ近傍で最大−４ｄＢを示し
ている。出力インピーダンスの値は、一般に−６ｄＢ以
下が必要とされるので、全ての電源を共通化する構成に
あっては、一部の周波数帯でこの値を満足できないこと
になる。本発明の一実施形態にかかる光受信回路２００
においては、全ての帯域で−６ｄＢを満足している。
【００４１】本実施形態にかかる光受信回路は、主増幅
器として差動増幅器１段の回路を例に挙げて説明した。
主増幅器を差動増幅器２段の構成にすることもでき、後
段の差動増幅器を別電源とし、前段の差動増幅器の電源
と前置増幅器の電源とを共通にすることで、本実施形態
の効果と同様の効果を得ることができる。
器として差動増幅器１段の回路を例に挙げて説明した。
主増幅器を差動増幅器２段の構成にすることもでき、後
段の差動増幅器を別電源とし、前段の差動増幅器の電源
と前置増幅器の電源とを共通にすることで、本実施形態
の効果と同様の効果を得ることができる。
【００４２】微小信号を扱う前段の差動増幅器の電源と
前置増幅器の電源とを共通することにより、電源ライン
のボンディングワイヤによる寄生インダクタンスを低下
させることができ、駆動能力を必要とする後段の差動増
幅器を別電源とすることにより、電源電圧変動の影響を
低減することができる。
前置増幅器の電源とを共通することにより、電源ライン
のボンディングワイヤによる寄生インダクタンスを低下
させることができ、駆動能力を必要とする後段の差動増
幅器を別電源とすることにより、電源電圧変動の影響を
低減することができる。
【００４３】なお、２段の差動増幅器は、全く同じ回路
構成でもよいし、後段の差動増幅器を、電流がより多く
流れる様な回路、すなわち負荷抵抗を小さく、ＦＥＴの
ゲート幅を広くすることができる。
構成でもよいし、後段の差動増幅器を、電流がより多く
流れる様な回路、すなわち負荷抵抗を小さく、ＦＥＴの
ゲート幅を広くすることができる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
前置増幅器と主増幅器とを、モノリシック集積回路とし
て集積化し、前置増幅器の電源と主増幅器の電源とを、
モノリシック集積回路に独立に供給するようにしたの
で、電源電圧変動の影響を低減して、光受信回路の高周
波特性を改善することが可能となる。
前置増幅器と主増幅器とを、モノリシック集積回路とし
て集積化し、前置増幅器の電源と主増幅器の電源とを、
モノリシック集積回路に独立に供給するようにしたの
で、電源電圧変動の影響を低減して、光受信回路の高周
波特性を改善することが可能となる。
【図１】従来の光受信回路の回路構成を示したブロック
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる光受信回路の回路
構成を示したブロック図である。
構成を示したブロック図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる光受信回路の受光
デバイスの周辺回路を示した回路図である。
デバイスの周辺回路を示した回路図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる光受信回路の前置
増幅器の構成を示した回路図である。
増幅器の構成を示した回路図である。
【図５】本発明の一実施形態にかかる光受信回路の主増
幅器の構成を示した回路図である。
幅器の構成を示した回路図である。
【図６】本発明の一実施形態にかかる光受信回路の実装
構成を示した上面図である。
構成を示した上面図である。
【図７】本発明の一実施形態にかかる光受信回路の出力
インピーダンスを示した図である。
インピーダンスを示した図である。
【符号の説明】
１００，２００ 光受信回路
１０１，２０１ 受光デバイス（ＰＤ）
１０２，２０２ 前置増幅器
１０３，２０３ 主増幅器
１２１，２２１ 増幅部
１２２，２２２ 帰還抵抗
６０１ 受信回路ＩＣ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5J092 AA01 AA56 CA04 CA62 FA00
HA14 HA15 HA19 HA25 HA29
HA44 KA48 MA02 MA11 MA17
MA22 QA04 SA13 TA01 TA03
UL02
5J500 AA01 AA56 AC04 AC62 AF00
AH14 AH15 AH19 AH25 AH29
AH44 AK48 AM02 AM11 AM17
AM22 AQ04 AS13 AT01 AT03
LU02
Claims (4)
- 【請求項１】 受信した光信号を電流信号に変換する受
光デバイスと、前記電流信号を電圧信号に変換する前置
増幅器と、前記電圧信号を増幅する第１の増幅器とを有
する光受信回路において、 前記前置増幅器と前記第１の増幅器とは、モノリシック
集積回路として集積化され、 前記前置増幅器の電源と前記第１の増幅器の電源とは、
前記モノリシック集積回路に独立に供給されるよう構成
されていることを特徴とする光受信回路。 - 【請求項２】 前記第１の増幅器は、前記前置増幅器か
ら出力された前記電圧信号を入力する第１の入力と、前
記前置増幅器から出力された前記電圧信号を平滑化する
低域通過フィルタからの低域濾波信号を入力する第２の
入力とを有する差動増幅器であることを特徴とする請求
項１に記載の光受信回路。 - 【請求項３】 前記前置増幅器から出力された前記電圧
信号を増幅して、前記第１の増幅器に出力する第２の増
幅器を備え、該第２の増幅器の電源と前記前置増幅器の
電源とが共通であることを特徴とする請求項１に記載の
光受信回路。 - 【請求項４】 前記第２の増幅器は、前記前置増幅器か
ら出力された前記電圧信号を入力する第１の入力と、前
記前置増幅器から出力された前記電圧信号を平滑化する
低域通過フィルタからの低域濾波信号を入力する第２の
入力とを有する差動増幅器であり、 前記第１の増幅器は、前記第２の差動増幅器の相補的出
力をそれぞれ入力する２つの入力を有する差動増幅器で
あることを特徴とする請求項３に記載の光受信回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002134690A JP2003332855A (ja) | 2002-05-09 | 2002-05-09 | 光受信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002134690A JP2003332855A (ja) | 2002-05-09 | 2002-05-09 | 光受信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003332855A true JP2003332855A (ja) | 2003-11-21 |
Family
ID=29697249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002134690A Pending JP2003332855A (ja) | 2002-05-09 | 2002-05-09 | 光受信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003332855A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008544711A (ja) * | 2005-06-28 | 2008-12-04 | ツエントルム・ミクロエレクトロニク・ドレスデン・アクチエンゲゼルシャフト | 電流・電圧変換装置 |
| JP2009225216A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | トランスインピーダンスアンプ接続回路 |
| JP2011109331A (ja) * | 2009-11-16 | 2011-06-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | トランスインピーダンスアンプ |
| JP2011155428A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Hitachi Ltd | 光信号受信回路 |
| JP2012004954A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Sony Corp | 光受信機および光伝送システム |
-
2002
- 2002-05-09 JP JP2002134690A patent/JP2003332855A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8476572B2 (en) | 2010-01-27 | 2013-07-02 | Hitachi, Ltd. | Optical receiver circuit |
| JP2012004954A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Sony Corp | 光受信機および光伝送システム |
| US9148231B2 (en) | 2010-06-18 | 2015-09-29 | Sony Corpoation | Optical receiver and optical transmission system |
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