JPS6143004A - 光受信回路 - Google Patents
光受信回路Info
- Publication number
- JPS6143004A JPS6143004A JP59163645A JP16364584A JPS6143004A JP S6143004 A JPS6143004 A JP S6143004A JP 59163645 A JP59163645 A JP 59163645A JP 16364584 A JP16364584 A JP 16364584A JP S6143004 A JPS6143004 A JP S6143004A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- effect transistor
- field effect
- bias
- pin photodiode
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
- H03F3/082—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with FET's
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 一本発明
は光通信装置に於ける光受信回路に関するものである。
は光通信装置に於ける光受信回路に関するものである。
□光通信装置の送信側に於いては
電気信号を光信号に変換して送出し、受信側に於いては
光信号を受光して電気信号に変換してから所謂受信動作
を行う。此の光信号を電気信号に変換する動作を光受信
回路により行ってぃ机 〔従来の技術〕 従来、光受信回−としてラオトダイオードＰＤを受光素
子とし、電界効果１ランジスタＦＥＴを能動素子とする
ト）ンスインピーダンス型光受信回路が使用されてい墨
。 ）第２図は従来のトランス
インピーダンス型光蔓信回路の一例を示す図である。
電気信号を光信号に変換して送出し、受信側に於いては
光信号を受光して電気信号に変換してから所謂受信動作
を行う。此の光信号を電気信号に変換する動作を光受信
回路により行ってぃ机 〔従来の技術〕 従来、光受信回−としてラオトダイオードＰＤを受光素
子とし、電界効果１ランジスタＦＥＴを能動素子とする
ト）ンスインピーダンス型光受信回路が使用されてい墨
。 ）第２図は従来のトランス
インピーダンス型光蔓信回路の一例を示す図である。
図中、ＰＤはＰＩＮフォトダイオード、ＦＥＴ
／１、ＦＥＴ２は夫々電界効果トランジスタ、ｃ
１―Ｃ４はｈンデンチ、Ｒ１−に４は抵抗、訂は帰還抵
抗、Ｒｂｌは電界効果トランジスタＦＥＴＩのバイアス
抵抗、□Ｒｂｔば電算効果トランジスタＦＥ学１のバイ
アス抵洸である。
／１、ＦＥＴ２は夫々電界効果トランジスタ、ｃ
１―Ｃ４はｈンデンチ、Ｒ１−に４は抵抗、訂は帰還抵
抗、Ｒｂｌは電界効果トランジスタＦＥＴＩのバイアス
抵抗、□Ｒｂｔば電算効果トランジスタＦＥ学１のバイ
アス抵洸である。
一■Ｎフォトダイオードは光−電気変換素子のフォトダ
身オードのＰＮ接合の間に真性半導体層をはさんだもの
でＰＩＮ構造になっており、応答速度が速く、変換効率
も良いので広く利用されている。
身オードのＰＮ接合の間に真性半導体層をはさんだもの
でＰＩＮ構造になっており、応答速度が速く、変換効率
も良いので広く利用されている。
受光する光信号をＰＩＮフォトダイオードＰＤにより電
気信号に変換し、電界効果トランジスタＦＥＴＩのゲー
トに接続する。電界効果トランジスタＦＥＴＩは帰還増
幅器であり、抵抗Ｒｆ、により帰還されている。電界効
果トランジスタＦＥＴ２も増幅器として動作している。
気信号に変換し、電界効果トランジスタＦＥＴＩのゲー
トに接続する。電界効果トランジスタＦＥＴＩは帰還増
幅器であり、抵抗Ｒｆ、により帰還されている。電界効
果トランジスタＦＥＴ２も増幅器として動作している。
此の場合入力端（Ａ点）に於けるカットオフ周波数ｆｃ
は下式で表される。
は下式で表される。
ｆ ｃ ＝１／ （２ｇＸ ・（Ｃｐｉｎ ＋Ｃｒｆ＋
Ｃｒｂｌ＋Ｃｆｅｔ）） ・・・・■ 但しＣｐｉｎはＰＩＮフォトダイオードＰＤの浮遊容量
、Ｃｒｆは帰還抵抗Ｒｆの浮遊容量、Ｃｒｂｌはバイア
ス抵抗Ｒｂｌの浮遊容量、Ｃｆｅｔは電界効果トランジ
スタＦＥＴＩの浮遊容量、Ｘは抵抗Ｒｆと抵抗Ｒｂｌが
並列接続になっている時の合成抵抗値を表すものとする
。
Ｃｒｂｌ＋Ｃｆｅｔ）） ・・・・■ 但しＣｐｉｎはＰＩＮフォトダイオードＰＤの浮遊容量
、Ｃｒｆは帰還抵抗Ｒｆの浮遊容量、Ｃｒｂｌはバイア
ス抵抗Ｒｂｌの浮遊容量、Ｃｆｅｔは電界効果トランジ
スタＦＥＴＩの浮遊容量、Ｘは抵抗Ｒｆと抵抗Ｒｂｌが
並列接続になっている時の合成抵抗値を表すものとする
。
即ち、Ｘ＝Ｒｆ −Ｒｂｌ／ （Ｒｆ ＋Ｒｂ１）従
って上記０式のカットオフ周波数ｆｃが高い程、即ち高
周波特性が良い程入力光信号を忠実に原電気信号に復元
出来ることになる。
って上記０式のカットオフ周波数ｆｃが高い程、即ち高
周波特性が良い程入力光信号を忠実に原電気信号に復元
出来ることになる。
然しなからバイアス抵抗Ｒｂ１ＳＰＩＮフオトダイオー
ドＰＤ、及び帰還抵抗Ｒｆには不可避的に浮遊容量が付
加される。ＰＩＮフォトダイオードＰＤの浮遊容量Ｃｐ
ｉｎは材料自体の問題であり、回路設計上改善すること
は困難である。
ドＰＤ、及び帰還抵抗Ｒｆには不可避的に浮遊容量が付
加される。ＰＩＮフォトダイオードＰＤの浮遊容量Ｃｐ
ｉｎは材料自体の問題であり、回路設計上改善すること
は困難である。
又通常の回路設計に依るとバイアス抵抗Ｒｂｌは帰還抵
抗Ｒｆより大変大きい抵抗値を取る。
抗Ｒｆより大変大きい抵抗値を取る。
従来のトランスインピーダンス型光受信回路が有する上
記欠点を除去し、バイアス抵抗Ｒｂｌの浮遊容量Ｃｒｂ
ｌの影響を受けることがないカットオフ周波数ｆｃが高
い光受信回路を提供することである。
記欠点を除去し、バイアス抵抗Ｒｂｌの浮遊容量Ｃｒｂ
ｌの影響を受けることがないカットオフ周波数ｆｃが高
い光受信回路を提供することである。
問題点を解決するための手段は、ＰＩＮフォトダイオー
ドを受光素子とし、電界効果トランジスタを能動素子と
するトランスインピーダンス型光受信回路に於いて、該
ＰＩＮフォトダイオードに直列に接続された第１段電界
効果トランジスタの帰還抵抗の他端を次段の電界効果ト
ランジ大・夕のバイアス抵抗のゲート接続点に接続する
光受信回路により達成される。
ドを受光素子とし、電界効果トランジスタを能動素子と
するトランスインピーダンス型光受信回路に於いて、該
ＰＩＮフォトダイオードに直列に接続された第１段電界
効果トランジスタの帰還抵抗の他端を次段の電界効果ト
ランジ大・夕のバイアス抵抗のゲート接続点に接続する
光受信回路により達成される。
本発明に依ると、第１段電界効果トランジスタのバイア
ス抵抗の持つ浮遊容量の増幅特性←与える影響がなくな
るので増幅特性の高周波特性が改善されると云う効果が
生まれる。
ス抵抗の持つ浮遊容量の増幅特性←与える影響がなくな
るので増幅特性の高周波特性が改善されると云う効果が
生まれる。
（実施例〕
第１図は本発明に依る光受信回路の一実施例を示す図で
ある。
ある。
第１図に示す回路が従来の第２図の回路と異なる点は電
界効果トランジスタＦＥＴＩ；バイアスを抵抗Ｒｈ２か
ら得ていφ点である。
界効果トランジスタＦＥＴＩ；バイアスを抵抗Ｒｈ２か
ら得ていφ点である。
本回路に依ると帰還抵熔Ｒｆに流れる電欅は殆ど無視出
来るので、電界効果トランジスタＦＥ’Ｔ’１及び電界
効果トランジスタＦＥ７２のゲート電位は略同−となり
、カットオフ周波数ｆｃ”は下式の様になる。
来るので、電界効果トランジスタＦＥ’Ｔ’１及び電界
効果トランジスタＦＥ７２のゲート電位は略同−となり
、カットオフ周波数ｆｃ”は下式の様になる。
ｆ Ｃ’ ＝１／ （２πＲｆ ・（Ｃｐｉｎ ＋
Ｃｒｆ＋Ｃｆｅｔ）） ・ｉ・・・■ ０式、及び０式から明らかな様にｆｃ’、＞ｆｃとなる
。
Ｃｒｆ＋Ｃｆｅｔ）） ・ｉ・・・■ ０式、及び０式から明らかな様にｆｃ’、＞ｆｃとなる
。
以上詳細に説明した様に本発明によれば、カットオフ周
波数を高（することが出来ると云う大きい効果がある。
波数を高（することが出来ると云う大きい効果がある。
第１図は本発明に依る光受信回路の一実施例を示す図で
ある。 第２図は従来のトランスインピーダンス型光受信回路の
一例を示す図である。 図中、ＰＤはＰＩＮフォトダイオード、ＦＥＴ１、ＦＥ
Ｔ２は夫々電界効果トランジスタ、Ｃ１〜Ｃ４はコンデ
ンサ、Ｒ１〜Ｒ４は抵抗、Ｒｆは帰還抵抗、Ｒｂｌは電
界効果トランジスタＦＥＴＩのバイアス抵抗、Ｒｂ２は
電界効果トランジスタＦＥＴＩ（ｐバイアス抵抗である
。
ある。 第２図は従来のトランスインピーダンス型光受信回路の
一例を示す図である。 図中、ＰＤはＰＩＮフォトダイオード、ＦＥＴ１、ＦＥ
Ｔ２は夫々電界効果トランジスタ、Ｃ１〜Ｃ４はコンデ
ンサ、Ｒ１〜Ｒ４は抵抗、Ｒｆは帰還抵抗、Ｒｂｌは電
界効果トランジスタＦＥＴＩのバイアス抵抗、Ｒｂ２は
電界効果トランジスタＦＥＴＩ（ｐバイアス抵抗である
。
Claims (1)
- ＰＩＮフォトダイオードを受光素子とし、電界効果トラ
ンジスタを能動素子とするトランスインピーダンス型光
受信回路に於いて、該ＰＩＮフォトダイオードに直列に
接続された第１段電界効果トランジスタの帰還抵抗の他
端を次段の電界効果トランジスタのバイアス抵抗のゲー
ト接続点に接続することを特徴とする光受信回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59163645A JPS6143004A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | 光受信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59163645A JPS6143004A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | 光受信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6143004A true JPS6143004A (ja) | 1986-03-01 |
Family
ID=15777881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59163645A Pending JPS6143004A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | 光受信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6143004A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2589648A1 (fr) * | 1985-11-05 | 1987-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | Circuit amplificateur a transistor a effet de champ |
| JPS635715U (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | ||
| FR2606230A1 (fr) * | 1986-10-29 | 1988-05-06 | Rca Corp | Controle de la surcharge pour un amplificateur de puissance a fet |
| EP0509272A1 (de) * | 1991-04-17 | 1992-10-21 | Alcatel SEL Aktiengesellschaft | Schaltungsanordnung zur Verstärkung eines elektrischen Signals |
| EP0654896A1 (en) * | 1993-11-24 | 1995-05-24 | Nec Corporation | Transimpedance amplifier circuit with feedback and load resistor variable circuits |
-
1984
- 1984-08-03 JP JP59163645A patent/JPS6143004A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2589648A1 (fr) * | 1985-11-05 | 1987-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | Circuit amplificateur a transistor a effet de champ |
| JPS635715U (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | ||
| FR2606230A1 (fr) * | 1986-10-29 | 1988-05-06 | Rca Corp | Controle de la surcharge pour un amplificateur de puissance a fet |
| EP0509272A1 (de) * | 1991-04-17 | 1992-10-21 | Alcatel SEL Aktiengesellschaft | Schaltungsanordnung zur Verstärkung eines elektrischen Signals |
| EP0654896A1 (en) * | 1993-11-24 | 1995-05-24 | Nec Corporation | Transimpedance amplifier circuit with feedback and load resistor variable circuits |
| US5525929A (en) * | 1993-11-24 | 1996-06-11 | Nec Corporation | Transimpedance amplifier circuit with feedback and load resistor variable circuits |
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