JPS62145760A - 半導体素子 - Google Patents

半導体素子

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Publication number
JPS62145760A
JPS62145760A JP60285568A JP28556885A JPS62145760A JP S62145760 A JPS62145760 A JP S62145760A JP 60285568 A JP60285568 A JP 60285568A JP 28556885 A JP28556885 A JP 28556885A JP S62145760 A JPS62145760 A JP S62145760A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuits
diode
light emitting
semiconductor element
side surfaces
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60285568A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroaki Doi
土居 博昭
Tatsuji Sakamoto
坂本 達事
Makoto Shimaoka
誠 嶋岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60285568A priority Critical patent/JPS62145760A/ja
Publication of JPS62145760A publication Critical patent/JPS62145760A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は集積回路(IC,LSI)に用いる半導体素子
に係シ、特に半導体素子の両表面に形成した回路間の信
号伝送部の構造に関する。
〔発明の背景〕
両表面に回路を形成した半導体素子において、前記回路
の相互接続は、従来、特公昭58−11100号に記載
のように半導体素子自体に食刻処理により貫通孔をあけ
、この孔内部に絶縁処理を施し、メタライゼーションに
よシ形成した貫通導体により行っている。しかし、食刻
処理により形成した貫通孔は特公昭58−11100号
のFiglBに示されているように、半導体素子の表面
において該半導体素子の板厚程度の長さを一辺とする正
方形より大きな面積を有する孔となるため、半導体素子
表面の回路の集積度が低下するという問題がある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、両表面の回路の相互接続を微小面積で
行うことによシ、表面の回路の集積度を向上させること
ができる半導体素子を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、赤外線が半導体素子を透過することに着目し
、一方の表面に赤外線の発光部を設け、他方の表面の前
記発光部と対向する位置に受光部を設け、該受光部で受
光される赤外線を両表面の回路間の伝送信号に用いる構
成として、回路の相互接続を微小面積で行えるようにし
たものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面により説明する。
図は本発明による半導体素子をセラミック配線基板上に
積層した側面図を示し、1は入出力用ビン2を有するセ
ラミック配線基板、a、a/ 、3//は本発明による
3i半導体素子で、各半導体素子はセラミック配線基板
1上に積層状態で配置され、半導体素子間および半導体
素子3″とセラミック配線基板1とがはんだ接続体4で
それぞれ電気的に接続されている。前記はんだ接続体4
は各半導体素子の機械的保持の役目も兼ねている。
前記の各半導体素子は、両表面に回路(図示省略)を形
成していると共に、一方の表面に赤外線の廃光ダイオー
ド5を設け、かつ他方の表面の前記発光ダイオード5と
対向する位置に受光ダイオード6を設けている。そして
、受光ダイオード6に受光される赤外線を両表面の回路
間の伝送信号に用いるようにしである。尚、前記の発光
ダイオード5および受光ダイオード6は光透過性接着剤
により接着して取付けられる。
本発明による半導体素子においては、発光ダイオード5
から発光し半導体素子自体を透過して受光ダイオード6
にて受光される赤外線により両表面の回路間の伝送を行
う。従って、半導体素子自体に接続用の貫通孔をあける
必要がなくなシ、しかも受光ダイオード6を数10μm
以下の寸法にすることは比較的容易であるので、微小面
積にて回路の相互接続が可能となり、表面の回路の集積
度を向上できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、両表面の回路の
相互接続を微小面積で行えるので、表面の回路の集積度
を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の半導体素子の一実施例を示す側面図であ
る。 3.3’、3“・・・半導体素子、訃・・赤外線の発光
ダイオード、6・・・受光ダイオード。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 両表面に回路を形成し、両回路を相互に接続して成る半
    導体素子において、一方の表面に赤外線の発光部を設け
    、他方の表面の前記発光部と対向する位置に受光部を設
    け、該受光部で受光される赤外線を両表面の回路間の伝
    送信号に用いることを特徴とする半導体素子。
JP60285568A 1985-12-20 1985-12-20 半導体素子 Pending JPS62145760A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5200631A (en) * 1991-08-06 1993-04-06 International Business Machines Corporation High speed optical interconnect
WO1999044236A1 (en) * 1998-02-27 1999-09-02 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing three-dimensional device
WO1999045593A1 (en) * 1998-03-02 1999-09-10 Seiko Epson Corporation Three-dimensional device
JP2000269545A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Fujitsu Ltd 光電子集積回路装置
US7554169B2 (en) * 2002-12-17 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7906846B2 (en) 2005-09-06 2011-03-15 Nec Corporation Semiconductor device for implementing signal transmission and/or power supply by means of the induction of a coil

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5200631A (en) * 1991-08-06 1993-04-06 International Business Machines Corporation High speed optical interconnect
WO1999044236A1 (en) * 1998-02-27 1999-09-02 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing three-dimensional device
WO1999045593A1 (en) * 1998-03-02 1999-09-10 Seiko Epson Corporation Three-dimensional device
US6846703B2 (en) 1998-03-02 2005-01-25 Seiko Epson Corporation Three-dimensional device
JP2000269545A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Fujitsu Ltd 光電子集積回路装置
JP4630409B2 (ja) * 1999-03-18 2011-02-09 富士通株式会社 光電子集積回路装置
US7554169B2 (en) * 2002-12-17 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7939831B2 (en) 2002-12-17 2011-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US8153506B2 (en) 2002-12-17 2012-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7906846B2 (en) 2005-09-06 2011-03-15 Nec Corporation Semiconductor device for implementing signal transmission and/or power supply by means of the induction of a coil

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