JPS62145760A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
- Publication number
- JPS62145760A JPS62145760A JP60285568A JP28556885A JPS62145760A JP S62145760 A JPS62145760 A JP S62145760A JP 60285568 A JP60285568 A JP 60285568A JP 28556885 A JP28556885 A JP 28556885A JP S62145760 A JPS62145760 A JP S62145760A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuits
- diode
- light emitting
- semiconductor element
- side surfaces
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は集積回路（ＩＣ，ＬＳＩ）に用いる半導体素子
に係シ、特に半導体素子の両表面に形成した回路間の信
号伝送部の構造に関する。
に係シ、特に半導体素子の両表面に形成した回路間の信
号伝送部の構造に関する。
両表面に回路を形成した半導体素子において、前記回路
の相互接続は、従来、特公昭５８−１１１００号に記載
のように半導体素子自体に食刻処理により貫通孔をあけ
、この孔内部に絶縁処理を施し、メタライゼーションに
よシ形成した貫通導体により行っている。しかし、食刻
処理により形成した貫通孔は特公昭５８−１１１００号
のＦｉｇｌＢに示されているように、半導体素子の表面
において該半導体素子の板厚程度の長さを一辺とする正
方形より大きな面積を有する孔となるため、半導体素子
表面の回路の集積度が低下するという問題がある。
の相互接続は、従来、特公昭５８−１１１００号に記載
のように半導体素子自体に食刻処理により貫通孔をあけ
、この孔内部に絶縁処理を施し、メタライゼーションに
よシ形成した貫通導体により行っている。しかし、食刻
処理により形成した貫通孔は特公昭５８−１１１００号
のＦｉｇｌＢに示されているように、半導体素子の表面
において該半導体素子の板厚程度の長さを一辺とする正
方形より大きな面積を有する孔となるため、半導体素子
表面の回路の集積度が低下するという問題がある。
本発明の目的は、両表面の回路の相互接続を微小面積で
行うことによシ、表面の回路の集積度を向上させること
ができる半導体素子を提供することにある。
行うことによシ、表面の回路の集積度を向上させること
ができる半導体素子を提供することにある。
本発明は、赤外線が半導体素子を透過することに着目し
、一方の表面に赤外線の発光部を設け、他方の表面の前
記発光部と対向する位置に受光部を設け、該受光部で受
光される赤外線を両表面の回路間の伝送信号に用いる構
成として、回路の相互接続を微小面積で行えるようにし
たものである。
、一方の表面に赤外線の発光部を設け、他方の表面の前
記発光部と対向する位置に受光部を設け、該受光部で受
光される赤外線を両表面の回路間の伝送信号に用いる構
成として、回路の相互接続を微小面積で行えるようにし
たものである。
以下、本発明の一実施例を図面により説明する。
図は本発明による半導体素子をセラミック配線基板上に
積層した側面図を示し、１は入出力用ビン２を有するセ
ラミック配線基板、ａ、ａ／ 、３／／は本発明による
３ｉ半導体素子で、各半導体素子はセラミック配線基板
１上に積層状態で配置され、半導体素子間および半導体
素子３″とセラミック配線基板１とがはんだ接続体４で
それぞれ電気的に接続されている。前記はんだ接続体４
は各半導体素子の機械的保持の役目も兼ねている。
積層した側面図を示し、１は入出力用ビン２を有するセ
ラミック配線基板、ａ、ａ／ 、３／／は本発明による
３ｉ半導体素子で、各半導体素子はセラミック配線基板
１上に積層状態で配置され、半導体素子間および半導体
素子３″とセラミック配線基板１とがはんだ接続体４で
それぞれ電気的に接続されている。前記はんだ接続体４
は各半導体素子の機械的保持の役目も兼ねている。
前記の各半導体素子は、両表面に回路（図示省略）を形
成していると共に、一方の表面に赤外線の廃光ダイオー
ド５を設け、かつ他方の表面の前記発光ダイオード５と
対向する位置に受光ダイオード６を設けている。そして
、受光ダイオード６に受光される赤外線を両表面の回路
間の伝送信号に用いるようにしである。尚、前記の発光
ダイオード５および受光ダイオード６は光透過性接着剤
により接着して取付けられる。
成していると共に、一方の表面に赤外線の廃光ダイオー
ド５を設け、かつ他方の表面の前記発光ダイオード５と
対向する位置に受光ダイオード６を設けている。そして
、受光ダイオード６に受光される赤外線を両表面の回路
間の伝送信号に用いるようにしである。尚、前記の発光
ダイオード５および受光ダイオード６は光透過性接着剤
により接着して取付けられる。
本発明による半導体素子においては、発光ダイオード５
から発光し半導体素子自体を透過して受光ダイオード６
にて受光される赤外線により両表面の回路間の伝送を行
う。従って、半導体素子自体に接続用の貫通孔をあける
必要がなくなシ、しかも受光ダイオード６を数１０μｍ
以下の寸法にすることは比較的容易であるので、微小面
積にて回路の相互接続が可能となり、表面の回路の集積
度を向上できる。
から発光し半導体素子自体を透過して受光ダイオード６
にて受光される赤外線により両表面の回路間の伝送を行
う。従って、半導体素子自体に接続用の貫通孔をあける
必要がなくなシ、しかも受光ダイオード６を数１０μｍ
以下の寸法にすることは比較的容易であるので、微小面
積にて回路の相互接続が可能となり、表面の回路の集積
度を向上できる。
以上説明したように、本発明によれば、両表面の回路の
相互接続を微小面積で行えるので、表面の回路の集積度
を向上させることができる。
相互接続を微小面積で行えるので、表面の回路の集積度
を向上させることができる。
図面は本発明の半導体素子の一実施例を示す側面図であ
る。 ３．３’、３“・・・半導体素子、訃・・赤外線の発光
ダイオード、６・・・受光ダイオード。
る。 ３．３’、３“・・・半導体素子、訃・・赤外線の発光
ダイオード、６・・・受光ダイオード。
Claims (1)
- 両表面に回路を形成し、両回路を相互に接続して成る半
導体素子において、一方の表面に赤外線の発光部を設け
、他方の表面の前記発光部と対向する位置に受光部を設
け、該受光部で受光される赤外線を両表面の回路間の伝
送信号に用いることを特徴とする半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60285568A JPS62145760A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60285568A JPS62145760A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145760A true JPS62145760A (ja) | 1987-06-29 |
Family
ID=17693238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60285568A Pending JPS62145760A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62145760A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200631A (en) * | 1991-08-06 | 1993-04-06 | International Business Machines Corporation | High speed optical interconnect |
| WO1999044236A1 (en) * | 1998-02-27 | 1999-09-02 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing three-dimensional device |
| WO1999045593A1 (en) * | 1998-03-02 | 1999-09-10 | Seiko Epson Corporation | Three-dimensional device |
| JP2000269545A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Fujitsu Ltd | 光電子集積回路装置 |
| US7554169B2 (en) * | 2002-12-17 | 2009-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US7906846B2 (en) | 2005-09-06 | 2011-03-15 | Nec Corporation | Semiconductor device for implementing signal transmission and/or power supply by means of the induction of a coil |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP60285568A patent/JPS62145760A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200631A (en) * | 1991-08-06 | 1993-04-06 | International Business Machines Corporation | High speed optical interconnect |
| WO1999044236A1 (en) * | 1998-02-27 | 1999-09-02 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing three-dimensional device |
| WO1999045593A1 (en) * | 1998-03-02 | 1999-09-10 | Seiko Epson Corporation | Three-dimensional device |
| US6846703B2 (en) | 1998-03-02 | 2005-01-25 | Seiko Epson Corporation | Three-dimensional device |
| JP2000269545A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Fujitsu Ltd | 光電子集積回路装置 |
| JP4630409B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2011-02-09 | 富士通株式会社 | 光電子集積回路装置 |
| US7554169B2 (en) * | 2002-12-17 | 2009-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US7939831B2 (en) | 2002-12-17 | 2011-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US8153506B2 (en) | 2002-12-17 | 2012-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US7906846B2 (en) | 2005-09-06 | 2011-03-15 | Nec Corporation | Semiconductor device for implementing signal transmission and/or power supply by means of the induction of a coil |
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