JPS6276570A - ホトセンサ - Google Patents
ホトセンサInfo
- Publication number
- JPS6276570A JPS6276570A JP61197149A JP19714986A JPS6276570A JP S6276570 A JPS6276570 A JP S6276570A JP 61197149 A JP61197149 A JP 61197149A JP 19714986 A JP19714986 A JP 19714986A JP S6276570 A JPS6276570 A JP S6276570A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- beams
- bonding pad
- substrate
- carriers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板表面にダイオードを形成し、そのダ
イオード部分に光が照射された場合にダイオードに発生
するキャリアを電気信号として検知するホトセンサに関
するものである。
イオード部分に光が照射された場合にダイオードに発生
するキャリアを電気信号として検知するホトセンサに関
するものである。
ホトセンサにおいて受光部（ダイオード部）以外の部分
に入射された光によって発生したキャリアが受光部に拡
散し、その結果出力レベルが変化するという問題がある
。これは一種の雑音であり、正確な光検知の妨げとなる
ので、できるだけ小さくする必要がある。
に入射された光によって発生したキャリアが受光部に拡
散し、その結果出力レベルが変化するという問題がある
。これは一種の雑音であり、正確な光検知の妨げとなる
ので、できるだけ小さくする必要がある。
そのため、受光部周辺に設ける遮光膜（一般にアルミニ
ウム膜）の形成する領域をできるだけ広くし、雑音の原
因となる光の入射を防止する試みがなされた。しかし、
少なくともポンディングパッド部とアルミニウムからな
る遮光膜との間に間隙（例えば５０μｍ程度の間隙）を
設ける必要があるので、その間隙部分を通じて入射され
ろ光に基づく雑音の発生を防止することができない。
ウム膜）の形成する領域をできるだけ広くし、雑音の原
因となる光の入射を防止する試みがなされた。しかし、
少なくともポンディングパッド部とアルミニウムからな
る遮光膜との間に間隙（例えば５０μｍ程度の間隙）を
設ける必要があるので、その間隙部分を通じて入射され
ろ光に基づく雑音の発生を防止することができない。
本発明はこのような問題を解決すべくなされたもので、
受光部以外の部分に入射される光に基づく雑音の発生を
防止することを目的とするものである。
受光部以外の部分に入射される光に基づく雑音の発生を
防止することを目的とするものである。
上記目的を達成するための本発明の一実施態様は半導体
基板表面に半導体領域を形成することによりホトダイオ
ードを構成し、このホトダイオード上に受光用開口部を
具備し、該開口部を除きフィールド領域を被う遮光膜を
上記基板に設けてなるホトセンサにおいて、半導体基板
上に設けた電極取出用パッドと該遮光膜とが重なりあう
ように層間絶縁膜を介して交互に配置されてなることを
特徴とするものである。
基板表面に半導体領域を形成することによりホトダイオ
ードを構成し、このホトダイオード上に受光用開口部を
具備し、該開口部を除きフィールド領域を被う遮光膜を
上記基板に設けてなるホトセンサにおいて、半導体基板
上に設けた電極取出用パッドと該遮光膜とが重なりあう
ように層間絶縁膜を介して交互に配置されてなることを
特徴とするものである。
以下、本発明を実施例により説明する。第１図は半導体
ペレットの全体を示す平面図である。本発明によるホト
センサは第１図に示すように受光用開口部３及びポンデ
ィングパッド部４の一部を除き、はぼ全面的にフィール
ド領域をアルミニウムからなる遮光膜が被っている。
ペレットの全体を示す平面図である。本発明によるホト
センサは第１図に示すように受光用開口部３及びポンデ
ィングパッド部４の一部を除き、はぼ全面的にフィール
ド領域をアルミニウムからなる遮光膜が被っている。
第２図はポンディングパッド部を拡大した部分拡大平面
図であり、第３図はポンディングパッド部における人−
Ａ視断面図である。
図であり、第３図はポンディングパッド部における人−
Ａ視断面図である。
第３図に示すようにポンディングパッド用のアルミニウ
ム膜８と遮光用のアルミニウム膜１０とが重なりあうよ
うに層間絶縁膜１１を介して交互に配置することによっ
て寄生キャリアを発生させる光がポンディングパッドの
周辺で遮光されるようにしたものである。９は遮光用の
アルミニウム膜と同時に形成した第２のポンディングパ
ッドであるが、特になくてもよい。
ム膜８と遮光用のアルミニウム膜１０とが重なりあうよ
うに層間絶縁膜１１を介して交互に配置することによっ
て寄生キャリアを発生させる光がポンディングパッドの
周辺で遮光されるようにしたものである。９は遮光用の
アルミニウム膜と同時に形成した第２のポンディングパ
ッドであるが、特になくてもよい。
また、ポンディングパッド用のアルミニウム膜８と遮光
用のアルミニウム膜１０との間で斜から半導体基板に光
が入射した場合でもそれに基づいて基板中に発生するキ
ャリアを吸収するためポンディングパッド部とその周辺
の少（とも一部の下方にキャリア吸収用ｎｆｉ半導体領
域５を形成しておけば問題はない。このキャリア吸収用
ｎ＋型半導体領域５は＋ＶＤＤ端子に電気的に接続され
、寄生キャリアを吸収できるようにしである。ムお、ポ
ンディングパッド用のアルミニウム膜８と遮光用のアル
ミニウム膜１０との重なりを大きくとれれば上記キャリ
ア吸収用ｎ＋型半導体領域５を特に設けなくてもよい。
用のアルミニウム膜１０との間で斜から半導体基板に光
が入射した場合でもそれに基づいて基板中に発生するキ
ャリアを吸収するためポンディングパッド部とその周辺
の少（とも一部の下方にキャリア吸収用ｎｆｉ半導体領
域５を形成しておけば問題はない。このキャリア吸収用
ｎ＋型半導体領域５は＋ＶＤＤ端子に電気的に接続され
、寄生キャリアを吸収できるようにしである。ムお、ポ
ンディングパッド用のアルミニウム膜８と遮光用のアル
ミニウム膜１０との重なりを大きくとれれば上記キャリ
ア吸収用ｎ＋型半導体領域５を特に設けなくてもよい。
以上のように本発明によれば、受光部以外の部分に雑音
の原因となる光が照射されるのを防止する構成をとって
いるため、ホトセンサによる正確な光検知が可能となる
。
の原因となる光が照射されるのを防止する構成をとって
いるため、ホトセンサによる正確な光検知が可能となる
。
第１図乃至第３図は本発明の一実施例を示すもので第１
図が半導体ペレ７）の全体を示す平面図、第２図が部分
拡大平面図、 第３図が第２図のＡ−人視断面図である。 工・・・ｐ型半導体基板、２・・・遮光膜、３・・・受
光部、４・・・ポンディングパッド部、５・・寄生キャ
リア吸収用ｎ＋型半導体領域、６・・・半導体基板、７
・・・フィールド部絶縁膜、８・・・主要なポンディン
グパッド用のアルミニウム膜、９・・・第２のポンディ
ングパッド用のアルミニウム膜、１ｏ・・・遮光用のア
ルミニウム膜、１１・・・アルミニウム層間の絶縁膜、
１２・・・保護絶縁膜。 第 １ 図 第 ２ 図 σ 第 ３ 図
図が半導体ペレ７）の全体を示す平面図、第２図が部分
拡大平面図、 第３図が第２図のＡ−人視断面図である。 工・・・ｐ型半導体基板、２・・・遮光膜、３・・・受
光部、４・・・ポンディングパッド部、５・・寄生キャ
リア吸収用ｎ＋型半導体領域、６・・・半導体基板、７
・・・フィールド部絶縁膜、８・・・主要なポンディン
グパッド用のアルミニウム膜、９・・・第２のポンディ
ングパッド用のアルミニウム膜、１ｏ・・・遮光用のア
ルミニウム膜、１１・・・アルミニウム層間の絶縁膜、
１２・・・保護絶縁膜。 第 １ 図 第 ２ 図 σ 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板表面に半導体領域からなるホトダイオー
ドを形成し、このホトダイオード上に受光用開口部を具
備し、該開口部を除きフィールド領域を被う遮光膜を上
記基板上に設けてなるホトセンサにおいて、半導体基板
上に設けた電極取出用パッドと該遮光膜とが重なりあう
ように層間絶縁膜を介して交互に配置されてなることを
特徴とするホトセンサ。 ２、該電極取出用パッドとその周辺の少くとも一部の下
方に該半導体領域と同導電型であって、基板側が接続さ
れる電源端子と逆の極性の電源端子に接続される寄生キ
ャリア吸収用半導体領域を形成してなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のホトセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61197149A JPS6276570A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | ホトセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61197149A JPS6276570A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | ホトセンサ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12063879A Division JPS5645086A (en) | 1979-09-21 | 1979-09-21 | Photosensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276570A true JPS6276570A (ja) | 1987-04-08 |
| JPS6260827B2 JPS6260827B2 (ja) | 1987-12-18 |
Family
ID=16369576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61197149A Granted JPS6276570A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | ホトセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6276570A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0590598A1 (en) * | 1992-09-28 | 1994-04-06 | Sanyo Electric Co., Limited. | Semiconductor photodiode comprising a light shielding layer |
| DE102007051752A1 (de) | 2007-10-30 | 2009-05-14 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Licht blockierende Schichtenfolge |
-
1986
- 1986-08-25 JP JP61197149A patent/JPS6276570A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0590598A1 (en) * | 1992-09-28 | 1994-04-06 | Sanyo Electric Co., Limited. | Semiconductor photodiode comprising a light shielding layer |
| DE102007051752A1 (de) | 2007-10-30 | 2009-05-14 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Licht blockierende Schichtenfolge |
| DE102007051752B4 (de) * | 2007-10-30 | 2010-01-28 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Licht blockierende Schichtenfolge und Verfahren zu deren Herstellung |
| US8187908B2 (en) | 2007-10-30 | 2012-05-29 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Light-blocking layer sequence having one or more metal layers for an integrated circuit and method for the production of the layer sequence |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6260827B2 (ja) | 1987-12-18 |
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