JPH05343729A - 配列型赤外線検知器 - Google Patents
配列型赤外線検知器Info
- Publication number
- JPH05343729A JPH05343729A JP4153167A JP15316792A JPH05343729A JP H05343729 A JPH05343729 A JP H05343729A JP 4153167 A JP4153167 A JP 4153167A JP 15316792 A JP15316792 A JP 15316792A JP H05343729 A JPH05343729 A JP H05343729A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal processing
- photodiode
- hgcdte
- layer
- infrared detector
- Prior art date
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- Withdrawn
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 配列型赤外線検知器において、高集積化が容
易なループホール構造で、量子高率が高く暗電流の低い
高感度な素子を得る。 【構成】 信号処理部２を有するシリコンチップ１上に
接着された、ホトダイオード８が形成されているＨｇＣ
ｄＴｅ結晶の表面、裏面近傍のＨｇＣｄＴｅキャップＲ
／４、６の禁制帯幅を、結晶内部のＨｇＣｄＴｅ赤外線
吸収Ｒ／５の禁制帯幅に比べ大きくした構造。赤外線吸
収Ｒ／５で発生したキャリア（電子）は、バンドギャプ
の差により、結晶欠陥の多くはいっている表面、裏面近
傍へは拡散しにくくなるため、表面再結合によるキャリ
アの消滅はなく高い量子効果が得られる。またｐｎ接合
での表面リーク電流も抑えられダイオードの低暗電流が
図れる。これらによりループホール構造において十分高
感度な配列型赤外線検知器が得られる。
易なループホール構造で、量子高率が高く暗電流の低い
高感度な素子を得る。 【構成】 信号処理部２を有するシリコンチップ１上に
接着された、ホトダイオード８が形成されているＨｇＣ
ｄＴｅ結晶の表面、裏面近傍のＨｇＣｄＴｅキャップＲ
／４、６の禁制帯幅を、結晶内部のＨｇＣｄＴｅ赤外線
吸収Ｒ／５の禁制帯幅に比べ大きくした構造。赤外線吸
収Ｒ／５で発生したキャリア（電子）は、バンドギャプ
の差により、結晶欠陥の多くはいっている表面、裏面近
傍へは拡散しにくくなるため、表面再結合によるキャリ
アの消滅はなく高い量子効果が得られる。またｐｎ接合
での表面リーク電流も抑えられダイオードの低暗電流が
図れる。これらによりループホール構造において十分高
感度な配列型赤外線検知器が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は禁制帯幅の狭い半導体を
用いた赤外線検知器に関するものである。
用いた赤外線検知器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に赤外線検知器においては禁制帯幅
の狭い半導体を用いたものが高感度であることが知られ
ている。特に、単体の検知素子を一次元、二次元に配列
した構成をとった検知器は赤外線撮像装置に用いる場合
非常に有効である。
の狭い半導体を用いたものが高感度であることが知られ
ている。特に、単体の検知素子を一次元、二次元に配列
した構成をとった検知器は赤外線撮像装置に用いる場合
非常に有効である。
【０００３】従来の配列型赤外線検知器として高集積化
に適し特性的にも比較的優れているものに”アドバンス
ト・インフラレッド・ディテクターズ・アンド・システ
ムズ”（１９８３年１２頁）に示されている構造の検知
器がある。この構造は一般にループホール構造と呼ば
れ、その断面の概略図を図２に示す。同図において、本
検知器は、赤外線検知部となるホトダイオード１８が配
列して形成されているＨｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅ層１７と、
電荷信号注入層２４を有しているシリコンＣＣＤを含む
信号処理用チップ２３とが、絶縁性の接着剤１９により
貼り合わされた構造となっている。Ｈｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔ
ｅ層１７には配列中の各赤外線検知部に対応した貫通孔
２２が開けられており、各ホトダイオード１８は貫通孔
２２の周辺部に形成されている。貫通孔２２を介し、接
続用配線電極２１、金属パッド２０を用いて、各赤外線
検知部となっているホトダイオード１８と電荷信号注入
層２４が電気的に接続されている。Ｈｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔ
ｅ層１７に貫通孔２２を開け、接続用配線電極２１等を
用いての電気的な接続を行う都合上、Ｈｇ0.8 Ｃｄ0.2
Ｔｅ層１７は信号処理用チップ２３に貼りつけた後、研
磨され１０μｍ程度の厚さとなっている。また各ホトダ
イオードのピッチは４０μｍである。
に適し特性的にも比較的優れているものに”アドバンス
ト・インフラレッド・ディテクターズ・アンド・システ
ムズ”（１９８３年１２頁）に示されている構造の検知
器がある。この構造は一般にループホール構造と呼ば
れ、その断面の概略図を図２に示す。同図において、本
検知器は、赤外線検知部となるホトダイオード１８が配
列して形成されているＨｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅ層１７と、
電荷信号注入層２４を有しているシリコンＣＣＤを含む
信号処理用チップ２３とが、絶縁性の接着剤１９により
貼り合わされた構造となっている。Ｈｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔ
ｅ層１７には配列中の各赤外線検知部に対応した貫通孔
２２が開けられており、各ホトダイオード１８は貫通孔
２２の周辺部に形成されている。貫通孔２２を介し、接
続用配線電極２１、金属パッド２０を用いて、各赤外線
検知部となっているホトダイオード１８と電荷信号注入
層２４が電気的に接続されている。Ｈｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔ
ｅ層１７に貫通孔２２を開け、接続用配線電極２１等を
用いての電気的な接続を行う都合上、Ｈｇ0.8 Ｃｄ0.2
Ｔｅ層１７は信号処理用チップ２３に貼りつけた後、研
磨され１０μｍ程度の厚さとなっている。また各ホトダ
イオードのピッチは４０μｍである。
【０００４】表面より入射された赤外光１４はＨｇ0.8
Ｃｄ0.2 Ｔｅ層１７で吸収され、発生したホトキャリア
は拡散長だけ拡散する。そのうちホトダイオード１８に
到達したものが電極２１を介し電荷信号注入層２４に送
り込まれ、信号処理用チップ２３によって画像として出
力される。
Ｃｄ0.2 Ｔｅ層１７で吸収され、発生したホトキャリア
は拡散長だけ拡散する。そのうちホトダイオード１８に
到達したものが電極２１を介し電荷信号注入層２４に送
り込まれ、信号処理用チップ２３によって画像として出
力される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この構
造の配列型赤外線検知器には以下に述べる欠点が存在す
る。
造の配列型赤外線検知器には以下に述べる欠点が存在す
る。
【０００６】一般にこのような赤外線検知器の感度はダ
イオードの量子効率と暗電流によって決まり、量子効率
が高く暗電流が小さいほど高感度な検知器と言える。図
２の構造において入射した赤外光１４によりＨｇＣｄＴ
ｅ層１７で発生した電子または正孔は拡散長１０〜５０
μｍ程度拡散する。そのうちホトダイオード１８のｐｎ
接合に達したものが外部に取り出せ光電流として寄与す
る。しかしながら図２に示す従来の構造の場合ＨｇＣｄ
Ｔｅ層１７の表面及び裏面の約１μｍ程度近傍には製作
工程中に生じる欠陥が多く存在しているため、この領域
で発生した電子または正孔が、欠陥などによってトラッ
プされる、いわゆる表面再結合によりホトダイオードの
量子効率は著しく低下する。
イオードの量子効率と暗電流によって決まり、量子効率
が高く暗電流が小さいほど高感度な検知器と言える。図
２の構造において入射した赤外光１４によりＨｇＣｄＴ
ｅ層１７で発生した電子または正孔は拡散長１０〜５０
μｍ程度拡散する。そのうちホトダイオード１８のｐｎ
接合に達したものが外部に取り出せ光電流として寄与す
る。しかしながら図２に示す従来の構造の場合ＨｇＣｄ
Ｔｅ層１７の表面及び裏面の約１μｍ程度近傍には製作
工程中に生じる欠陥が多く存在しているため、この領域
で発生した電子または正孔が、欠陥などによってトラッ
プされる、いわゆる表面再結合によりホトダイオードの
量子効率は著しく低下する。
【０００７】また暗電流に関しても、ホトダイオード１
８のｐｎ接合部分の表面あるいは裏面に近い領域では空
乏層内に存在する欠陥を介して発生する発生電流、図２
には示していないが表面保護膜との界面では界面準位を
介した表面リーク電流等がかなり大きいと考えられる。
８のｐｎ接合部分の表面あるいは裏面に近い領域では空
乏層内に存在する欠陥を介して発生する発生電流、図２
には示していないが表面保護膜との界面では界面準位を
介した表面リーク電流等がかなり大きいと考えられる。
【０００８】このように従来の構造では、量子効率を上
げ暗電流を低減した高感度な赤外線検知器を得ることが
困難であった。
げ暗電流を低減した高感度な赤外線検知器を得ることが
困難であった。
【０００９】本発明の目的は、これらの欠点を除いた配
列型赤外線検知器を提供することにある。
列型赤外線検知器を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の配列型赤外線検
知器は、出力信号処理部を有するシリコンチップ上の化
合物半導体に、赤外線を吸収し光電流を発生するホトダ
イオードが配列して形成され、前記各ホトダイオードに
は出力信号処理部に対応した貫通孔が開けられ、前記ホ
トダイオードと前記シリコンチップの出力信号処理部は
前記貫通孔を通して電気的に接続されている配列型赤外
線検知器であって、前記化合物半導体の表面近傍領域及
び裏面近傍領域の禁制帯幅が前記化合物半導体の内部の
禁制帯幅に比べて大きいことを特徴とするものである。
知器は、出力信号処理部を有するシリコンチップ上の化
合物半導体に、赤外線を吸収し光電流を発生するホトダ
イオードが配列して形成され、前記各ホトダイオードに
は出力信号処理部に対応した貫通孔が開けられ、前記ホ
トダイオードと前記シリコンチップの出力信号処理部は
前記貫通孔を通して電気的に接続されている配列型赤外
線検知器であって、前記化合物半導体の表面近傍領域及
び裏面近傍領域の禁制帯幅が前記化合物半導体の内部の
禁制帯幅に比べて大きいことを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】本発明の配列型赤外線検知器は、シリコンチッ
プ上にある赤外線を検出する化合物半導体の表面及び裏
面近傍領域が化合物半導体内部の赤外線を検出する領域
に比べ禁制帯幅が大きい。そのため入射赤外光により発
生した電子または正孔は基板の内部に閉じこめられた状
態で拡散し、ホトダイオードのｐｎ接合に到達する。従
って結晶欠陥の多い表面、裏面部分での再結合によるキ
ャリアの消滅確率は従来の構造に比べて非常に小さくな
り、本発明の構造では高い量子効率が得られる。更にｐ
ｎ接合の表面特性に関しても、化合物半導体結晶の表
面、裏面近傍の禁制帯幅が大きいために、表面保護膜に
よる固定電荷の影響を受けにくく、また界面準位を介し
た表面リーク電流等の暗電流が低減され良好な特性のダ
イオードが得られる。
プ上にある赤外線を検出する化合物半導体の表面及び裏
面近傍領域が化合物半導体内部の赤外線を検出する領域
に比べ禁制帯幅が大きい。そのため入射赤外光により発
生した電子または正孔は基板の内部に閉じこめられた状
態で拡散し、ホトダイオードのｐｎ接合に到達する。従
って結晶欠陥の多い表面、裏面部分での再結合によるキ
ャリアの消滅確率は従来の構造に比べて非常に小さくな
り、本発明の構造では高い量子効率が得られる。更にｐ
ｎ接合の表面特性に関しても、化合物半導体結晶の表
面、裏面近傍の禁制帯幅が大きいために、表面保護膜に
よる固定電荷の影響を受けにくく、また界面準位を介し
た表面リーク電流等の暗電流が低減され良好な特性のダ
イオードが得られる。
【００１２】以上説明したように本発明を用いれば、高
集積化が容易なループホール構造で、量子効率が高く暗
電流の低い高感度な配列型赤外線検知器が得られる。
集積化が容易なループホール構造で、量子効率が高く暗
電流の低い高感度な配列型赤外線検知器が得られる。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
【００１４】図１（ａ）は本発明の実施例を示す断面図
である。ここでは赤外線を吸収するための化合物半導体
としてＨｇＣｄＴｅを用い、主に１０μｍ帯の波長の光
に感度を持つ場合につき示す。まず本発明の製造方法を
説明する。ＣｄＺｎＴｅ基板上ｐ−Ｈｇ0.5 Ｃｄ0.5 Ｔ
ｅキャップ層６を５μｍ、ｐ−Ｈｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅ赤
外線吸収層５を１０μｍ、ｐ−Ｈｇ0.5 Ｃｄ0.5 Ｔｅキ
ャップ層４を２μｍをＭＢＥ法により順次エピタキシャ
ル成長したのち、ｐ−Ｈｇ0.5 Ｃｄ0.5 Ｔｅキャップ層
６上に表面保護膜９としてＺｎＳを蒸着する。信号処理
部２が形成された信号処理用シリコンチップ１上にＣｄ
ＺｎＴｅ基板上のｐ−Ｈｇ0.5 Ｃｄ0.5Ｔｅキャップ層
６、ｐ−Ｈｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅ赤外線吸収層５、ｐ−Ｈ
ｇ0.5 Ｃｄ0.5 Ｔｅキャップ層４をエピタキシャル成長
した層を下にし接着剤３を用いて接着し、ｐ−Ｈｇ0.5
Ｃｄ0.5 Ｔｅキャップ層６が２〜３μｍ程度残るように
ＣｄＺｎＴｅ基板側より研磨する。次に、イオンミリン
グ法を用い、信号処理部２の位置に信号処理部２に達す
るまでｐ−Ｈｇ0.5 Ｃｄ0.5 Ｔｅキャップ層６、ｐ−Ｈ
ｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅ赤外線吸収層５、ｐ−Ｈｇ0.5 Ｃｄ
0.5 Ｔｅキャップ層４、保護膜９と接着剤３をミリング
し、貫通孔７を形成する。その後、ｎ型のドーパントと
なるホウ素を部分的にイオン注入し貫通孔７の周辺部
に、ホトダイオード８を形成する。各ホトダイオードの
ピッチは３０μｍ、径は１０μｍである。次に、貫通孔
７以外の部分には表面保護膜１０としてＺｎＳを蒸着
し、最後に電極用の金属を蒸着し、リフトオフ法により
接続用配線電極１１を形成し、信号処理部２とホトダイ
オード８を電気的に接続させる。この様にして図１
（ａ）に示す本発明の配列型赤外線検知器が完成する。
である。ここでは赤外線を吸収するための化合物半導体
としてＨｇＣｄＴｅを用い、主に１０μｍ帯の波長の光
に感度を持つ場合につき示す。まず本発明の製造方法を
説明する。ＣｄＺｎＴｅ基板上ｐ−Ｈｇ0.5 Ｃｄ0.5 Ｔ
ｅキャップ層６を５μｍ、ｐ−Ｈｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅ赤
外線吸収層５を１０μｍ、ｐ−Ｈｇ0.5 Ｃｄ0.5 Ｔｅキ
ャップ層４を２μｍをＭＢＥ法により順次エピタキシャ
ル成長したのち、ｐ−Ｈｇ0.5 Ｃｄ0.5 Ｔｅキャップ層
６上に表面保護膜９としてＺｎＳを蒸着する。信号処理
部２が形成された信号処理用シリコンチップ１上にＣｄ
ＺｎＴｅ基板上のｐ−Ｈｇ0.5 Ｃｄ0.5Ｔｅキャップ層
６、ｐ−Ｈｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅ赤外線吸収層５、ｐ−Ｈ
ｇ0.5 Ｃｄ0.5 Ｔｅキャップ層４をエピタキシャル成長
した層を下にし接着剤３を用いて接着し、ｐ−Ｈｇ0.5
Ｃｄ0.5 Ｔｅキャップ層６が２〜３μｍ程度残るように
ＣｄＺｎＴｅ基板側より研磨する。次に、イオンミリン
グ法を用い、信号処理部２の位置に信号処理部２に達す
るまでｐ−Ｈｇ0.5 Ｃｄ0.5 Ｔｅキャップ層６、ｐ−Ｈ
ｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅ赤外線吸収層５、ｐ−Ｈｇ0.5 Ｃｄ
0.5 Ｔｅキャップ層４、保護膜９と接着剤３をミリング
し、貫通孔７を形成する。その後、ｎ型のドーパントと
なるホウ素を部分的にイオン注入し貫通孔７の周辺部
に、ホトダイオード８を形成する。各ホトダイオードの
ピッチは３０μｍ、径は１０μｍである。次に、貫通孔
７以外の部分には表面保護膜１０としてＺｎＳを蒸着
し、最後に電極用の金属を蒸着し、リフトオフ法により
接続用配線電極１１を形成し、信号処理部２とホトダイ
オード８を電気的に接続させる。この様にして図１
（ａ）に示す本発明の配列型赤外線検知器が完成する。
【００１５】次に図１（ａ）、（ｂ）を用いて、本発明
の配列型赤外線検知器の動作について説明する。図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’方向の各ＨｇＣｄＴｅに
対応した電子のエネルギー準位図を示したものである。
の配列型赤外線検知器の動作について説明する。図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’方向の各ＨｇＣｄＴｅに
対応した電子のエネルギー準位図を示したものである。
【００１６】入射赤外光１４がｐ−Ｈｇ0.5 Ｃｄ0.5 Ｔ
ｅキャップ層側から入射する。１０μｍ帯の赤外光はｐ
−Ｈｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅ赤外線吸収層５で吸収され、キ
ャリア（電子またはホール）を発生する。そのうちの少
数キャリアである電子は拡散し、拡散長以内にあるホト
ダイオード８に達すると出力信号として信号処理部２よ
り出力される。この過程の中でいかに量子効率を高く
し、暗電流を小さくするかが赤外線検知器の高感度には
重要なことである。本発明では、図１（ｂ）に示すよう
に、ＨｇＣｄＴｅ層の表面及び裏面近傍領域即ちｐ−Ｈ
ｇ0.5 Ｃｄ0.5 Ｔｅキャップ層６、ｐ−Ｈｇ0.5 Ｃｄ
0.5 Ｔｅキャップ層４の禁制帯幅が赤外線を検出する領
域ｐ−Ｈｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅ赤外線吸収層５の禁制帯幅
に比べ大きい。そのために発生した電子は赤外線吸収層
５に閉じこめられた状態で拡散するため、結晶欠陥の多
い表面、裏面部分での再結合により消滅する確率が非常
に低くなり、高い量子効果が得られる。またｐｎ接合の
表面特性に関しても、作用の項で述べたことであるが、
ＨｇＣｄＴｅ結晶の表面、裏面近傍がｐ−Ｈｇ0.5 Ｃｄ
0.5 Ｔｅキャップ層６、ｐ−Ｈｇ0.5 Ｃｄ0.5 Ｔｅキャ
ップ層４であり禁制帯幅が大きいために、表面保護膜
９、１０による固定電荷の影響を受けにくく、また界面
準位を介した表面リーク電流等の暗電流が低減され良好
な特性のホトダイオードが実現できる。
ｅキャップ層側から入射する。１０μｍ帯の赤外光はｐ
−Ｈｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅ赤外線吸収層５で吸収され、キ
ャリア（電子またはホール）を発生する。そのうちの少
数キャリアである電子は拡散し、拡散長以内にあるホト
ダイオード８に達すると出力信号として信号処理部２よ
り出力される。この過程の中でいかに量子効率を高く
し、暗電流を小さくするかが赤外線検知器の高感度には
重要なことである。本発明では、図１（ｂ）に示すよう
に、ＨｇＣｄＴｅ層の表面及び裏面近傍領域即ちｐ−Ｈ
ｇ0.5 Ｃｄ0.5 Ｔｅキャップ層６、ｐ−Ｈｇ0.5 Ｃｄ
0.5 Ｔｅキャップ層４の禁制帯幅が赤外線を検出する領
域ｐ−Ｈｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅ赤外線吸収層５の禁制帯幅
に比べ大きい。そのために発生した電子は赤外線吸収層
５に閉じこめられた状態で拡散するため、結晶欠陥の多
い表面、裏面部分での再結合により消滅する確率が非常
に低くなり、高い量子効果が得られる。またｐｎ接合の
表面特性に関しても、作用の項で述べたことであるが、
ＨｇＣｄＴｅ結晶の表面、裏面近傍がｐ−Ｈｇ0.5 Ｃｄ
0.5 Ｔｅキャップ層６、ｐ−Ｈｇ0.5 Ｃｄ0.5 Ｔｅキャ
ップ層４であり禁制帯幅が大きいために、表面保護膜
９、１０による固定電荷の影響を受けにくく、また界面
準位を介した表面リーク電流等の暗電流が低減され良好
な特性のホトダイオードが実現できる。
【００１７】本実施例では赤外線を吸収するための化合
物半導体としてｐ−ＨｇＣｄＴｅ層を用いた場合につい
て示したが、材料、極性、組成、更に各層の厚さ、ダイ
オードサイズ等に関しては本実施例に限るものではな
い。
物半導体としてｐ−ＨｇＣｄＴｅ層を用いた場合につい
て示したが、材料、極性、組成、更に各層の厚さ、ダイ
オードサイズ等に関しては本実施例に限るものではな
い。
【００１８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明にお
いては、高集積化が容易なループホール構造で、量子効
率が高く暗電流の低い高感度な配列型赤外線検知器を提
供するものである。
いては、高集積化が容易なループホール構造で、量子効
率が高く暗電流の低い高感度な配列型赤外線検知器を提
供するものである。
【図１】本発明の実施例を示す図である。
【図２】従来例の構成を示す図である。
１、２３ 信号処理用シリコンチップ ２ 信号処理部 ３、１９ 接着剤 ４、６ ｐ−Ｈｇ0.5 Ｃｄ0.5 Ｔｅキャップ層 ５ ｐ−Ｈｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅ赤外線吸収層 ７、２２ 貫通孔 ８、１８ ホトダイオード ９、１０ 表面保護膜 １１、２１ 接続用配線電極 １４ 赤外光 １７ ｐ−Ｈｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅ層 ２０ 金属パッド ２４ 電荷信号注入層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/14
Claims (1)
- 【請求項１】 出力信号処理部を有するシリコンチップ
上の化合物半導体に赤外線を吸収し光電流を発生するホ
トダイオードが配列して形成され、前記各ホトダイオー
ドには出力信号処理部に対応した貫通孔が開けられ、前
記ホトダイオードと前記シリコンチップの出力信号処理
部は前記貫通孔を通して電気的に接続されている配列型
赤外線検知器において、前記化合物半導体の表面近傍領
域及び裏面近傍領域の禁制帯幅が前記化合物半導体の内
部の禁制帯幅に比べて大きいことを特徴とする配列型赤
外線検知器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4153167A JPH05343729A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 配列型赤外線検知器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4153167A JPH05343729A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 配列型赤外線検知器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343729A true JPH05343729A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15556520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4153167A Withdrawn JPH05343729A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 配列型赤外線検知器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05343729A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009065161A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
| JP2012064943A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | バイスペクトル多層フォトダイオード検出器、及びそのような検出器を製造する方法 |
| WO2013056582A1 (zh) * | 2011-10-19 | 2013-04-25 | 清华大学 | 一种红外探测器及其制备方法 |
-
1992
- 1992-06-12 JP JP4153167A patent/JPH05343729A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009065161A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
| JP2012064943A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | バイスペクトル多層フォトダイオード検出器、及びそのような検出器を製造する方法 |
| WO2013056582A1 (zh) * | 2011-10-19 | 2013-04-25 | 清华大学 | 一种红外探测器及其制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |