JPH09232616A - 赤外線検出装置 - Google Patents
赤外線検出装置Info
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- JPH09232616A JPH09232616A JP8031580A JP3158096A JPH09232616A JP H09232616 A JPH09232616 A JP H09232616A JP 8031580 A JP8031580 A JP 8031580A JP 3158096 A JP3158096 A JP 3158096A JP H09232616 A JPH09232616 A JP H09232616A
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- junction
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 赤外線検出装置に関し、二波長カラーセンサ
におけるスペクトルクロストークを低減する。 【解決手段】 互いに向きが逆方向の二つのｐｎ接合を
構成する一導電型ワイドギャップ層２、逆導電型ワイド
ギャップ層３、及び、一導電型ナローギャップ層４から
なる三層構造の内の一導電型ワイドギャップ層２に、一
導電型ワイドギャップ層２において発生したキャリア１
０が順バイアス側のｐｎ接合の電位障壁を乗り越えるこ
とを阻止する電位勾配を設ける。
におけるスペクトルクロストークを低減する。 【解決手段】 互いに向きが逆方向の二つのｐｎ接合を
構成する一導電型ワイドギャップ層２、逆導電型ワイド
ギャップ層３、及び、一導電型ナローギャップ層４から
なる三層構造の内の一導電型ワイドギャップ層２に、一
導電型ワイドギャップ層２において発生したキャリア１
０が順バイアス側のｐｎ接合の電位障壁を乗り越えるこ
とを阻止する電位勾配を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は赤外線検出装置に関
するものであり、特に、スペクトルクロストークを防止
するためのバンド・ギャップ構造を設けた、二つの波長
に対して感度を有する赤外線検出装置に関するものであ
る。
するものであり、特に、スペクトルクロストークを防止
するためのバンド・ギャップ構造を設けた、二つの波長
に対して感度を有する赤外線検出装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、１０μｍ帯近傍の赤外線を検知す
る赤外線検知素子としては、Ｃｄ比が０．２近傍のＨｇ
ＣｄＴｅを用いたｐｎ接合ダイオードが用いられている
が、近年、赤外線検出装置の高機能化のために二つの波
長に感度を有する、二つのｐｎ接合を設けたカラーセン
サが提案されている（必要ならば、Ｔ．Ｎ．Ｃａｓｓｅ
ｌｍａｎ，Ｇ．Ｒ．Ｃｈａｐｍａｎ，Ｋ．Ｋｏｓａｉ，
Ｊ．Ｍ．Ｍｙｒｏｓｚｎｙｋ，Ｅ．Ｆ．Ｓｃｈｕｌｔ
ｅ，ａｎｄ Ｏ．Ｋ．Ｗｕ，Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓ
ｔｒａｃｔ ｏｆ “ＴＨＥ １９９１ Ｕ．Ｓ．ＷＯ
ＲＫＳＨＯＰ ｏｎｔｈｅ ＰＨＹＳＩＣＳ ａｎｄ
ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ ｏｎ ＭＥＲＣＵＲＹ ＣＡＤＭ
ＩＵＭ ＴＥＬＬＵＲＩＤＥ ａｎｄ ＯＴＨＥＲ Ｉ
Ｉ−ＶＩＣＯＭＰＯＵＮＤＳ，ｐ．１４１−１４２，１
９９１、及び、Ｅ．Ｒ．Ｂｌａｚｅｊｅｗｓｋｉ，Ｊ．
Ｍ．Ａｒｉａｓ，Ｇ．Ｍ．Ｗｉｌｌｉａｍｓ，Ｍ．Ｚａ
ｎｄｉａｎ，ａｎｄ Ｊ．Ｐａｓｋｏ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓ
ｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，ｖｏｌ．Ｂ１０，１９９２，
ｐ．１６２６−１６３２参照）。
る赤外線検知素子としては、Ｃｄ比が０．２近傍のＨｇ
ＣｄＴｅを用いたｐｎ接合ダイオードが用いられている
が、近年、赤外線検出装置の高機能化のために二つの波
長に感度を有する、二つのｐｎ接合を設けたカラーセン
サが提案されている（必要ならば、Ｔ．Ｎ．Ｃａｓｓｅ
ｌｍａｎ，Ｇ．Ｒ．Ｃｈａｐｍａｎ，Ｋ．Ｋｏｓａｉ，
Ｊ．Ｍ．Ｍｙｒｏｓｚｎｙｋ，Ｅ．Ｆ．Ｓｃｈｕｌｔ
ｅ，ａｎｄ Ｏ．Ｋ．Ｗｕ，Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓ
ｔｒａｃｔ ｏｆ “ＴＨＥ １９９１ Ｕ．Ｓ．ＷＯ
ＲＫＳＨＯＰ ｏｎｔｈｅ ＰＨＹＳＩＣＳ ａｎｄ
ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ ｏｎ ＭＥＲＣＵＲＹ ＣＡＤＭ
ＩＵＭ ＴＥＬＬＵＲＩＤＥ ａｎｄ ＯＴＨＥＲ Ｉ
Ｉ−ＶＩＣＯＭＰＯＵＮＤＳ，ｐ．１４１−１４２，１
９９１、及び、Ｅ．Ｒ．Ｂｌａｚｅｊｅｗｓｋｉ，Ｊ．
Ｍ．Ａｒｉａｓ，Ｇ．Ｍ．Ｗｉｌｌｉａｍｓ，Ｍ．Ｚａ
ｎｄｉａｎ，ａｎｄ Ｊ．Ｐａｓｋｏ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓ
ｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，ｖｏｌ．Ｂ１０，１９９２，
ｐ．１６２６−１６３２参照）。
【０００３】ここで、従来提案されている二波長カラー
センサの基本的構成及び原理を図４を参照して説明す
る。 図４（ａ）参照 従来提案されている二波長カラーセンサは、ＣｄＺｎＴ
ｅ基板やＧａＡｓ基板（ここでは、ＣｄＺｎＴｅ基板３
１）上に、より短波長を吸収するＭＷＩＲ（Ｍｉｄ−ｗ
ａｖｅｌｅｎｇｈｔｈ Ｉｎｆｒａｒｅｄ）吸収層（こ
こでは、ｎ型Ｈｇ0.72Ｃｄ0.28Ｔｅ層３２）、共通ベー
スとなるＳＷＩＲ（Ｓｈｏｒｔ Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ
Ｉｎｆｒａｒｅｄ）層（ここでは、ｐ型Ｈｇ0.68Ｃｄ
0.32Ｔｅ層３３）、及び、より長波長を吸収するＬＷＩ
Ｒ（Ｌｏｎｇ Ｗａｖｅｌｅｎｇｈｔｈ Ｉｎｆｒａｒ
ｅｄ）吸収層（ここでは、ｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層
３４）を順次堆積させたのち、メサエッチングしてｎ型
Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層３４に素子電極３５を、また、
ｎ型Ｈｇ0.72Ｃｄ0.28Ｔｅ層３２に共通電極３６を設け
たものであり、バックツーバックダイオード（ｂａｃｋ
−ｔｏ−ｂａｃｋｄｉｏｄｅ）の構造となる。
センサの基本的構成及び原理を図４を参照して説明す
る。 図４（ａ）参照 従来提案されている二波長カラーセンサは、ＣｄＺｎＴ
ｅ基板やＧａＡｓ基板（ここでは、ＣｄＺｎＴｅ基板３
１）上に、より短波長を吸収するＭＷＩＲ（Ｍｉｄ−ｗ
ａｖｅｌｅｎｇｈｔｈ Ｉｎｆｒａｒｅｄ）吸収層（こ
こでは、ｎ型Ｈｇ0.72Ｃｄ0.28Ｔｅ層３２）、共通ベー
スとなるＳＷＩＲ（Ｓｈｏｒｔ Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ
Ｉｎｆｒａｒｅｄ）層（ここでは、ｐ型Ｈｇ0.68Ｃｄ
0.32Ｔｅ層３３）、及び、より長波長を吸収するＬＷＩ
Ｒ（Ｌｏｎｇ Ｗａｖｅｌｅｎｇｈｔｈ Ｉｎｆｒａｒ
ｅｄ）吸収層（ここでは、ｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層
３４）を順次堆積させたのち、メサエッチングしてｎ型
Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層３４に素子電極３５を、また、
ｎ型Ｈｇ0.72Ｃｄ0.28Ｔｅ層３２に共通電極３６を設け
たものであり、バックツーバックダイオード（ｂａｃｋ
−ｔｏ−ｂａｃｋｄｉｏｄｅ）の構造となる。
【０００４】この場合、ＣｄＺｎＴｅ基板３１は３〜１
０μｍの波長の赤外線に対して透明であるので、ＣｄＺ
ｎＴｅ基板３１を窓層として、ＣｄＺｎＴｅ基板３１側
から検出すべき光を照射する。
０μｍの波長の赤外線に対して透明であるので、ＣｄＺ
ｎＴｅ基板３１を窓層として、ＣｄＺｎＴｅ基板３１側
から検出すべき光を照射する。
【０００５】図４（ｂ）参照 この二波長カラーセンサの共通電極３６に対して素子電
極３５の電圧を高くすると、ｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ
層３４側のｐｎ接合が逆バイアス状態となって受光部と
して機能し、一方、ｎ型Ｈｇ0.72Ｃｄ0.28Ｔｅ層３２側
のｐｎ接合は順バイアス状態となって、通常の順方向ダ
イオードとして機能する。なお、ＨｇＣｄＴｅ系半導体
においては、禁制帯幅が非常に小さく、且つ、電子の有
効質量が非常に小さいので、ｐｎ接合を形成した場合、
通常はｎ型層は縮退状態となる。
極３５の電圧を高くすると、ｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ
層３４側のｐｎ接合が逆バイアス状態となって受光部と
して機能し、一方、ｎ型Ｈｇ0.72Ｃｄ0.28Ｔｅ層３２側
のｐｎ接合は順バイアス状態となって、通常の順方向ダ
イオードとして機能する。なお、ＨｇＣｄＴｅ系半導体
においては、禁制帯幅が非常に小さく、且つ、電子の有
効質量が非常に小さいので、ｐｎ接合を形成した場合、
通常はｎ型層は縮退状態となる。
【０００６】この場合、ｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層３
４においては５〜８μｍ近傍の波長の赤外線に感度を有
し、このｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層３４において赤外
線を吸収することによって発生した電子３８と正孔３７
の対は、光電流として図において矢印で示す方向に流れ
る。
４においては５〜８μｍ近傍の波長の赤外線に感度を有
し、このｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層３４において赤外
線を吸収することによって発生した電子３８と正孔３７
の対は、光電流として図において矢印で示す方向に流れ
る。
【０００７】図４（ｃ）参照 また、共通電極３６に対して素子電極３５の電圧を低く
した場合には、ｎ型Ｈｇ0.72Ｃｄ0.28Ｔｅ層３２側のｐ
ｎ接合が逆バイアス状態となって受光部として機能し、
一方、ｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層３４側のｐｎ接合は
順バイアス状態となって、通常の順方向ダイオードとし
て機能する。
した場合には、ｎ型Ｈｇ0.72Ｃｄ0.28Ｔｅ層３２側のｐ
ｎ接合が逆バイアス状態となって受光部として機能し、
一方、ｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層３４側のｐｎ接合は
順バイアス状態となって、通常の順方向ダイオードとし
て機能する。
【０００８】この場合、ｎ型Ｈｇ0.72Ｃｄ0.28Ｔｅ層３
２においては４μｍ近傍以下の波長の赤外線に感度を有
し、このｎ型Ｈｇ0.72Ｃｄ0.28Ｔｅ層３２において赤外
線を吸収することによって発生した電子４０と正孔３９
の対は、光電流として図において矢印で示す方向に流れ
る。
２においては４μｍ近傍以下の波長の赤外線に感度を有
し、このｎ型Ｈｇ0.72Ｃｄ0.28Ｔｅ層３２において赤外
線を吸収することによって発生した電子４０と正孔３９
の対は、光電流として図において矢印で示す方向に流れ
る。
【０００９】したがって、共通電極３６と素子電極３５
との間に印加する電圧の向きによって感度波長を制御す
ることができ、資源探査衛星等に搭載する多波長カラー
センサとして期待されるものである。
との間に印加する電圧の向きによって感度波長を制御す
ることができ、資源探査衛星等に搭載する多波長カラー
センサとして期待されるものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この様な二波
長カラーセンサにおいては、意図した感度波長域以外の
波長の赤外線に対しても感度を有してしまうという、所
謂スペクトルクロストークの問題が発生する問題があ
る。
長カラーセンサにおいては、意図した感度波長域以外の
波長の赤外線に対しても感度を有してしまうという、所
謂スペクトルクロストークの問題が発生する問題があ
る。
【００１１】ここで、図５を参照して、スペクトルクロ
ストークを説明する。 図５参照 共通電極３６に対して素子電極３５の電圧を高くした場
合を考えると、ｎ型ｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層３４側
のｐｎ接合が逆バイアス状態となって受光部として機能
するが、この二波長カラーセンサにｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ
0.22Ｔｅ層３４の感度波長域以外のより短波長の赤外線
を入射した場合、本来、受光部を構成していないｎ型Ｈ
ｇ0.72Ｃｄ0.28Ｔｅ層３２側において光吸収が生じて電
子４０及び正孔３９の電子−正孔対が生成される。
ストークを説明する。 図５参照 共通電極３６に対して素子電極３５の電圧を高くした場
合を考えると、ｎ型ｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層３４側
のｐｎ接合が逆バイアス状態となって受光部として機能
するが、この二波長カラーセンサにｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ
0.22Ｔｅ層３４の感度波長域以外のより短波長の赤外線
を入射した場合、本来、受光部を構成していないｎ型Ｈ
ｇ0.72Ｃｄ0.28Ｔｅ層３２側において光吸収が生じて電
子４０及び正孔３９の電子−正孔対が生成される。
【００１２】この生成された電子４０の一部は、順バイ
アス状態のｎ型Ｈｇ0.72Ｃｄ0.28Ｔｅ層３２側のｐｎ接
合の電子４０に対する電位障壁の高さが低いので、図の
矢印で示すように、このｐｎ接合を乗り越えてｎ型Ｈｇ
0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層３４側に達して光電流となり、受光
部を構成するｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層３４において
感度を有さない波長領域の赤外線が検出されることにな
り、このような、現象をスペクトルクロストークとい
う。
アス状態のｎ型Ｈｇ0.72Ｃｄ0.28Ｔｅ層３２側のｐｎ接
合の電子４０に対する電位障壁の高さが低いので、図の
矢印で示すように、このｐｎ接合を乗り越えてｎ型Ｈｇ
0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層３４側に達して光電流となり、受光
部を構成するｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層３４において
感度を有さない波長領域の赤外線が検出されることにな
り、このような、現象をスペクトルクロストークとい
う。
【００１３】したがって、本発明は、二波長カラーセン
サにおけるスペクトルクロストークを低減することを目
的とする。
サにおけるスペクトルクロストークを低減することを目
的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 （１）本発明は、一導電型ワイドギャップ層２、逆導電
型ワイドギャップ層３、及び、一導電型ナローギャップ
層４の少なくとも三層構造から構成され、且つ、互いに
向きが逆方向の二つのｐｎ接合を有する赤外線検出装置
において、一導電型ナローギャップ層４側のｐｎ接合が
逆バイアス状態になったとき、一導電型ワイドギャップ
層２において発生したキャリア（図においては電子１
０）が順バイアス状態の他方のｐｎ接合の電位障壁を乗
り越えることを阻止する電位勾配を一導電型ワイドギャ
ップ層２に設けたことを特徴とする。
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 （１）本発明は、一導電型ワイドギャップ層２、逆導電
型ワイドギャップ層３、及び、一導電型ナローギャップ
層４の少なくとも三層構造から構成され、且つ、互いに
向きが逆方向の二つのｐｎ接合を有する赤外線検出装置
において、一導電型ナローギャップ層４側のｐｎ接合が
逆バイアス状態になったとき、一導電型ワイドギャップ
層２において発生したキャリア（図においては電子１
０）が順バイアス状態の他方のｐｎ接合の電位障壁を乗
り越えることを阻止する電位勾配を一導電型ワイドギャ
ップ層２に設けたことを特徴とする。
【００１５】この様に、二波長カラーセンサを構成する
赤外線検出装置の短波長検出側の一導電型ワイドギャッ
プ層２、即ち、ＭＷＩＲ吸収層に所定の電位勾配を形成
することによって、スペクトルクロストークを低減する
ことができる。
赤外線検出装置の短波長検出側の一導電型ワイドギャッ
プ層２、即ち、ＭＷＩＲ吸収層に所定の電位勾配を形成
することによって、スペクトルクロストークを低減する
ことができる。
【００１６】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、三層構造がＨｇＣｄＴｅを用いたｎｐｎ構造からな
り、且つ、一導電型ワイドギャップ層２を他方のｐｎ接
合から離れるにしたがってＣｄ比ｘが小さくなるｎ型Ｈ
ｇ1-x Ｃｄx Ｔｅで構成したことを特徴とする。
て、三層構造がＨｇＣｄＴｅを用いたｎｐｎ構造からな
り、且つ、一導電型ワイドギャップ層２を他方のｐｎ接
合から離れるにしたがってＣｄ比ｘが小さくなるｎ型Ｈ
ｇ1-x Ｃｄx Ｔｅで構成したことを特徴とする。
【００１７】ｎｐｎ構造の場合には、組成勾配を設けた
効果は、ＨｇＣｄＴｅ系半導体の特性としてほとんど伝
導帯側に現れ、価電子帯側には逆バイアス状態の一方の
側のｐｎ接合から流れ込んできた正孔７に対する電位障
壁がほとんど形成されないので、組成勾配だけで充分で
あり、逆に、不純物濃度勾配と合わせて用いた場合に
は、正孔７に対する電位障壁が形成されることになる。
効果は、ＨｇＣｄＴｅ系半導体の特性としてほとんど伝
導帯側に現れ、価電子帯側には逆バイアス状態の一方の
側のｐｎ接合から流れ込んできた正孔７に対する電位障
壁がほとんど形成されないので、組成勾配だけで充分で
あり、逆に、不純物濃度勾配と合わせて用いた場合に
は、正孔７に対する電位障壁が形成されることになる。
【００１８】（３）また、本発明は、上記（１）におい
て、三層構造がＨｇＣｄＴｅからなり、且つ、一導電型
ワイドギャップ層２を他方のｐｎ接合から離れるにした
がって導電型決定不純物濃度が高くなる一導電型ＨｇＣ
ｄＴｅで構成したことを特徴とする。
て、三層構造がＨｇＣｄＴｅからなり、且つ、一導電型
ワイドギャップ層２を他方のｐｎ接合から離れるにした
がって導電型決定不純物濃度が高くなる一導電型ＨｇＣ
ｄＴｅで構成したことを特徴とする。
【００１９】この様に、一導電型ワイドギャップ層２を
他方のｐｎ接合から離れるにしたがって導電型決定不純
物濃度が高くなる一導電型ＨｇＣｄＴｅで構成すること
によって、ｎｐｎ構造の場合には伝導帯側に電子１０の
回り込みを阻止する電位勾配を形成することができ、ま
た、ｐｎｐ構造の場合には価電子帯側に正孔９の回り込
みを阻止する電位勾配を形成することができる。
他方のｐｎ接合から離れるにしたがって導電型決定不純
物濃度が高くなる一導電型ＨｇＣｄＴｅで構成すること
によって、ｎｐｎ構造の場合には伝導帯側に電子１０の
回り込みを阻止する電位勾配を形成することができ、ま
た、ｐｎｐ構造の場合には価電子帯側に正孔９の回り込
みを阻止する電位勾配を形成することができる。
【００２０】（４）また、本発明は、上記（３）におい
て、三層構造がＨｇＣｄＴｅを用いたｐｎｐ構造からな
り、且つ、一導電型ワイドギャップ層２を他方のｐｎ接
合から離れるにしたがってＣｄ比ｘが小さくなるｐ型Ｈ
ｇ1-x Ｃｄx Ｔｅで構成したことを特徴とする。
て、三層構造がＨｇＣｄＴｅを用いたｐｎｐ構造からな
り、且つ、一導電型ワイドギャップ層２を他方のｐｎ接
合から離れるにしたがってＣｄ比ｘが小さくなるｐ型Ｈ
ｇ1-x Ｃｄx Ｔｅで構成したことを特徴とする。
【００２１】ｐｎｐ構造の場合、不純物濃度分布によっ
て電位勾配を形成した場合、伝導帯側においては、逆バ
イアス状態の一方の側のｐｎ接合から流れ込んできた電
子８に対する電位障壁も構成するので、組成勾配を合わ
せて用いることによって、伝導帯側の電位障壁をなくす
ことができる。
て電位勾配を形成した場合、伝導帯側においては、逆バ
イアス状態の一方の側のｐｎ接合から流れ込んできた電
子８に対する電位障壁も構成するので、組成勾配を合わ
せて用いることによって、伝導帯側の電位障壁をなくす
ことができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態を図２
を参照して説明する。 図２（ａ）参照 まず、３〜１０μｍの波長に対して透明なＣｄＺｎＴｅ
基板１１上に３〜５μｍの波長に感度を有するＭＷＩＲ
吸収層となる、ｎ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層１２を形成す
る。
を参照して説明する。 図２（ａ）参照 まず、３〜１０μｍの波長に対して透明なＣｄＺｎＴｅ
基板１１上に３〜５μｍの波長に感度を有するＭＷＩＲ
吸収層となる、ｎ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層１２を形成す
る。
【００２３】このｎ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層１２のＣｄ
比ｘは、ＣｄＺｎＴｅ基板１１側における０．２７から
最終値の０．２９まで単調増加するように変化させて組
成勾配を形成すると共に、Ｉ（沃素）またはＩｎを添加
して１×１０15ｃｍ-3の電子濃度にする。
比ｘは、ＣｄＺｎＴｅ基板１１側における０．２７から
最終値の０．２９まで単調増加するように変化させて組
成勾配を形成すると共に、Ｉ（沃素）またはＩｎを添加
して１×１０15ｃｍ-3の電子濃度にする。
【００２４】次いで、共通のベース層となるｐ型Ｈｇ
0.68Ｃｄ0.32Ｔｅ層１３、及び、５〜１０μｍの波長に
感度を有するＬＷＩＲ吸収層となる、ｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ
0.22Ｔｅ層１４を順次成長させる。
0.68Ｃｄ0.32Ｔｅ層１３、及び、５〜１０μｍの波長に
感度を有するＬＷＩＲ吸収層となる、ｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ
0.22Ｔｅ層１４を順次成長させる。
【００２５】この場合に、ｐ型Ｈｇ0.68Ｃｄ0.32Ｔｅ層
１３には、ＡｓまたはＳｂを添加して正孔濃度が１×１
０17ｃｍ-3になるようにすると共に、ｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ
0.22Ｔｅ層１４には、Ｉ（沃素）またはＩｎを添加して
電子濃度が１×１０15ｃｍ-3になるようにする。
１３には、ＡｓまたはＳｂを添加して正孔濃度が１×１
０17ｃｍ-3になるようにすると共に、ｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ
0.22Ｔｅ層１４には、Ｉ（沃素）またはＩｎを添加して
電子濃度が１×１０15ｃｍ-3になるようにする。
【００２６】次いで、ｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層１４
乃至ｎ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層１２をメサエッチングし
たのち、Ｉｎを用いてｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層１４
上に素子電極１５を、一方、ｎ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層
１２上には共通電極１６を形成する。
乃至ｎ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層１２をメサエッチングし
たのち、Ｉｎを用いてｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層１４
上に素子電極１５を、一方、ｎ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層
１２上には共通電極１６を形成する。
【００２７】図２（ｂ）参照 この場合、ＨｇＣｄＴｅ系半導体の特性として組成勾配
の影響がほとんど伝導帯側に現れるため、ｎ型Ｈｇ1-x
Ｃｄx Ｔｅ層１２の伝導帯側に電子２０に対する電位勾
配が形成され、電子２０がｎ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層１
２とｐ型Ｈｇ0. 68Ｃｄ0.32Ｔｅ層１３とによって形成さ
れるｐｎ接合の電位障壁を越えて回り込むことを阻止す
る。
の影響がほとんど伝導帯側に現れるため、ｎ型Ｈｇ1-x
Ｃｄx Ｔｅ層１２の伝導帯側に電子２０に対する電位勾
配が形成され、電子２０がｎ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層１
２とｐ型Ｈｇ0. 68Ｃｄ0.32Ｔｅ層１３とによって形成さ
れるｐｎ接合の電位障壁を越えて回り込むことを阻止す
る。
【００２８】したがって、共通電極１６に対して素子電
極１５に印加する電圧を高くした場合、ｎ型Ｈｇ0.78Ｃ
ｄ0.22Ｔｅ層１４とｐ型Ｈｇ0.68Ｃｄ0.32Ｔｅ層１３と
によって形成されるｐｎ接合が逆バイアスとなり、ｎ型
Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層１４の光吸収によって発生した
電子１８及び正孔１７からなる電子−正孔対が光電流と
なるが、３〜５μｍの波長の光が入射した場合には、ｎ
型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層１２において光吸収によって電
子２０及び正孔１９からなる電子−正孔対が発生する。
極１５に印加する電圧を高くした場合、ｎ型Ｈｇ0.78Ｃ
ｄ0.22Ｔｅ層１４とｐ型Ｈｇ0.68Ｃｄ0.32Ｔｅ層１３と
によって形成されるｐｎ接合が逆バイアスとなり、ｎ型
Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層１４の光吸収によって発生した
電子１８及び正孔１７からなる電子−正孔対が光電流と
なるが、３〜５μｍの波長の光が入射した場合には、ｎ
型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層１２において光吸収によって電
子２０及び正孔１９からなる電子−正孔対が発生する。
【００２９】この内、電子２０は印加されている電界に
よって、順バイアスｐｎ接合を乗り越えてｎ型Ｈｇ0.78
Ｃｄ0.22Ｔｅ層１４側に回り込もうとするが、組成勾配
によって形成された伝導帯側の電位勾配によって図の破
線の矢印の方向への力が加わり、回り込みが阻止され
る。
よって、順バイアスｐｎ接合を乗り越えてｎ型Ｈｇ0.78
Ｃｄ0.22Ｔｅ層１４側に回り込もうとするが、組成勾配
によって形成された伝導帯側の電位勾配によって図の破
線の矢印の方向への力が加わり、回り込みが阻止され
る。
【００３０】その結果、共通電極１６に対して素子電極
１５に印加する電圧を高くした場合には、３〜５μｍの
波長の赤外線には感度を有さないことになり、所謂スペ
クトルクロストークが防止される。
１５に印加する電圧を高くした場合には、３〜５μｍの
波長の赤外線には感度を有さないことになり、所謂スペ
クトルクロストークが防止される。
【００３１】一方、共通電極１６に対して素子電極１５
に印加する電圧を低くした場合、５〜１０μｍの波長の
赤外線が入射した場合には、ｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ
層１４側において光吸収によって電子−正孔対が発生
し、電子１８が順バイアスｐｎ接合を越えてｎ型Ｈｇ
1-x Ｃｄx Ｔｅ層１２側に回り込もうとするが、ｎ型Ｈ
ｇ 0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層１４とｐ型Ｈｇ0.68Ｃｄ0.32Ｔｅ
層１３とによって形成されるｐｎ接合の電位障壁は、ｎ
型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層１２とｐ型Ｈｇ0.68Ｃｄ0. 32Ｔ
ｅ層１３とによって形成されるｐｎ接合の電位障壁より
高いので、電子の回り込みの確率が小さくなり、それ程
問題にならない。
に印加する電圧を低くした場合、５〜１０μｍの波長の
赤外線が入射した場合には、ｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ
層１４側において光吸収によって電子−正孔対が発生
し、電子１８が順バイアスｐｎ接合を越えてｎ型Ｈｇ
1-x Ｃｄx Ｔｅ層１２側に回り込もうとするが、ｎ型Ｈ
ｇ 0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層１４とｐ型Ｈｇ0.68Ｃｄ0.32Ｔｅ
層１３とによって形成されるｐｎ接合の電位障壁は、ｎ
型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層１２とｐ型Ｈｇ0.68Ｃｄ0. 32Ｔ
ｅ層１３とによって形成されるｐｎ接合の電位障壁より
高いので、電子の回り込みの確率が小さくなり、それ程
問題にならない。
【００３２】しかし、より確実にスペクトルクロストー
クを防止するためには、ｎ型Ｈｇ0. 78Ｃｄ0.22Ｔｅ層１
４とｎ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層１２との両方に電位勾配
を形成すれば良い。
クを防止するためには、ｎ型Ｈｇ0. 78Ｃｄ0.22Ｔｅ層１
４とｎ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層１２との両方に電位勾配
を形成すれば良い。
【００３３】この第１の実施の形態における電位勾配の
形成は、組成勾配によって形成しているが、不純物濃度
勾配によって形成しても良い。即ち、ｎ型Ｈｇ1-x Ｃｄ
x Ｔｅ層１２において、ＣｄＺｎＴｅ基板１１側が最も
不純物濃度が高くなるようにし、ＣｄＺｎＴｅ基板１１
から離れるにしたがって不純物濃度が単調減少するよう
にしても、伝導帯側に同様の電位勾配が形成される。
形成は、組成勾配によって形成しているが、不純物濃度
勾配によって形成しても良い。即ち、ｎ型Ｈｇ1-x Ｃｄ
x Ｔｅ層１２において、ＣｄＺｎＴｅ基板１１側が最も
不純物濃度が高くなるようにし、ＣｄＺｎＴｅ基板１１
から離れるにしたがって不純物濃度が単調減少するよう
にしても、伝導帯側に同様の電位勾配が形成される。
【００３４】ただし、この場合、価電子帯も伝導帯と平
行になるように傾き、この傾きによって価電子帯側に形
成される電位勾配は、正常な光電流を構成する正孔１７
に対する電位障壁となるので、組成勾配により電位勾配
を形成した場合に比べて多少効率が劣ることになる。
行になるように傾き、この傾きによって価電子帯側に形
成される電位勾配は、正常な光電流を構成する正孔１７
に対する電位障壁となるので、組成勾配により電位勾配
を形成した場合に比べて多少効率が劣ることになる。
【００３５】次に、図３を参照して本発明の第２の実施
の形態であるｐｎｐ構造の二波長カラーセンサを説明す
る。まず、３〜１０μｍの波長に対して透明なＣｄＺｎ
Ｔｅ基板２１上に３〜５μｍの波長に感度を有するＭＷ
ＩＲ吸収層となる、ｐ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層２２を形
成する。
の形態であるｐｎｐ構造の二波長カラーセンサを説明す
る。まず、３〜１０μｍの波長に対して透明なＣｄＺｎ
Ｔｅ基板２１上に３〜５μｍの波長に感度を有するＭＷ
ＩＲ吸収層となる、ｐ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層２２を形
成する。
【００３６】このｐ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層２２のＣｄ
比ｘは、ＣｄＺｎＴｅ基板２１側における０．２７から
最大値の０．２９まで単調増加するように変化させて組
成勾配を形成すると共に、ＡｓまたはＳｂの濃度がＣｄ
ＺｎＴｅ基板２１側から単調増加するようにを添加し
て、ｐｎ接合近傍の正孔濃度が１×１０15ｃｍ-3程度に
なるようにする。
比ｘは、ＣｄＺｎＴｅ基板２１側における０．２７から
最大値の０．２９まで単調増加するように変化させて組
成勾配を形成すると共に、ＡｓまたはＳｂの濃度がＣｄ
ＺｎＴｅ基板２１側から単調増加するようにを添加し
て、ｐｎ接合近傍の正孔濃度が１×１０15ｃｍ-3程度に
なるようにする。
【００３７】次いで、共通のベース層となるｎ型Ｈｇ
0.68Ｃｄ0.32Ｔｅ層２３、及び、５〜１０μｍの波長に
感度を有するＬＷＩＲ吸収層となる、ｐ型Ｈｇ0.78Ｃｄ
0.22Ｔｅ層２４を順次成長させる。
0.68Ｃｄ0.32Ｔｅ層２３、及び、５〜１０μｍの波長に
感度を有するＬＷＩＲ吸収層となる、ｐ型Ｈｇ0.78Ｃｄ
0.22Ｔｅ層２４を順次成長させる。
【００３８】この場合に、ｎ型Ｈｇ0.68Ｃｄ0.32Ｔｅ層
２３には、ＩまたはＩｎを添加して電子濃度が１×１０
17ｃｍ-3になるようにすると共に、ｐ型Ｈｇ0.78Ｃｄ
0.22Ｔｅ層２４には、ＡｓまたはＳｂを添加して正孔濃
度が１×１０15ｃｍ-3になるようにする。
２３には、ＩまたはＩｎを添加して電子濃度が１×１０
17ｃｍ-3になるようにすると共に、ｐ型Ｈｇ0.78Ｃｄ
0.22Ｔｅ層２４には、ＡｓまたはＳｂを添加して正孔濃
度が１×１０15ｃｍ-3になるようにする。
【００３９】次いで、ｐ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層２４
乃至ｐ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層２２をメサエッチングし
たのち、Ａｕを用いてｐ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層２４
上に素子電極２５を、一方、ｐ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層
２２上には共通電極２６を形成する。
乃至ｐ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層２２をメサエッチングし
たのち、Ａｕを用いてｐ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層２４
上に素子電極２５を、一方、ｐ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層
２２上には共通電極２６を形成する。
【００４０】図３（ｂ）参照 この場合、上述の様にＨｇＣｄＴｅ系半導体の特性とし
て、組成勾配の影響がほとんど伝導帯側に現れるが、不
純物濃度勾配による影響は伝導帯及び価電子帯の両側に
現れるので、ｐ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層２２の伝導帯側
においては組成勾配の影響と不純物濃度勾配の影響とが
略相殺して電位勾配が形成されず、したがって、正常の
光電流を構成する電子２８に対する電位障壁は形成され
ない。
て、組成勾配の影響がほとんど伝導帯側に現れるが、不
純物濃度勾配による影響は伝導帯及び価電子帯の両側に
現れるので、ｐ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層２２の伝導帯側
においては組成勾配の影響と不純物濃度勾配の影響とが
略相殺して電位勾配が形成されず、したがって、正常の
光電流を構成する電子２８に対する電位障壁は形成され
ない。
【００４１】一方、価電子帯側においては、不純物濃度
勾配の影響によって正孔２９に対する電位勾配が形成さ
れ、この電位勾配は、正孔２９がｐ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔ
ｅ層２２とｎ型Ｈｇ0.68Ｃｄ0.32Ｔｅ層２３とによって
形成されるｐｎ接合の電位障壁を越えて回り込むことを
阻止する方向に働く。
勾配の影響によって正孔２９に対する電位勾配が形成さ
れ、この電位勾配は、正孔２９がｐ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔ
ｅ層２２とｎ型Ｈｇ0.68Ｃｄ0.32Ｔｅ層２３とによって
形成されるｐｎ接合の電位障壁を越えて回り込むことを
阻止する方向に働く。
【００４２】したがって、共通電極２６に対して素子電
極２５に印加する電圧を低くした場合、ｐ型Ｈｇ0.78Ｃ
ｄ0.22Ｔｅ層２４とｎ型Ｈｇ0.68Ｃｄ0.32Ｔｅ層２３と
によって形成されるｐｎ接合が逆バイアスとなり、ｐ型
Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層２４において光吸収によって発
生した電子２８及び正孔２７からなる電子−正孔対が光
電流となるが、３〜５μｍの波長の光が入射した場合に
は、ｐ型Ｈｇ1-x Ｃｄ x Ｔｅ層２２において光吸収によ
って電子３０及び正孔２９からなる電子−正孔対が発生
する。
極２５に印加する電圧を低くした場合、ｐ型Ｈｇ0.78Ｃ
ｄ0.22Ｔｅ層２４とｎ型Ｈｇ0.68Ｃｄ0.32Ｔｅ層２３と
によって形成されるｐｎ接合が逆バイアスとなり、ｐ型
Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層２４において光吸収によって発
生した電子２８及び正孔２７からなる電子−正孔対が光
電流となるが、３〜５μｍの波長の光が入射した場合に
は、ｐ型Ｈｇ1-x Ｃｄ x Ｔｅ層２２において光吸収によ
って電子３０及び正孔２９からなる電子−正孔対が発生
する。
【００４３】この内、正孔２９は印加されている電界に
よって、順バイアスｐｎ接合を乗り越えてｐ型Ｈｇ0.78
Ｃｄ0.22Ｔｅ層２４側に回り込もうとするが、不純物濃
度勾配によって形成された価電子帯の電位勾配によって
図の破線の矢印の方向への力が加わり、回り込みが阻止
される。
よって、順バイアスｐｎ接合を乗り越えてｐ型Ｈｇ0.78
Ｃｄ0.22Ｔｅ層２４側に回り込もうとするが、不純物濃
度勾配によって形成された価電子帯の電位勾配によって
図の破線の矢印の方向への力が加わり、回り込みが阻止
される。
【００４４】その結果、共通電極１６に対して素子電極
１５に印加する電圧を低くした場合には、３〜５μｍの
波長の赤外線には感度を有さないことになり、所謂スペ
クトルクロストークが防止される。
１５に印加する電圧を低くした場合には、３〜５μｍの
波長の赤外線には感度を有さないことになり、所謂スペ
クトルクロストークが防止される。
【００４５】なお、この第２の実施の形態においても、
より確実にスペクトルクロストークを防止するために
は、ｐ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層２４とｐ型Ｈｇ1-x Ｃ
ｄx Ｔｅ層２２との両方に電位勾配を形成すれば良い。
より確実にスペクトルクロストークを防止するために
は、ｐ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層２４とｐ型Ｈｇ1-x Ｃ
ｄx Ｔｅ層２２との両方に電位勾配を形成すれば良い。
【００４６】また、この第２の実施の形態における電位
勾配の形成は、不純物濃度勾配と組成勾配とによって形
成しているが、不純物濃度勾配のみによって形成しても
良い。
勾配の形成は、不純物濃度勾配と組成勾配とによって形
成しているが、不純物濃度勾配のみによって形成しても
良い。
【００４７】即ち、ｐ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層２２にお
いて、ＣｄＺｎＴｅ基板２１側が最も不純物濃度が高く
なるようにし、ＣｄＺｎＴｅ基板２１から離れるにした
がって不純物濃度が単調減少するようにすると価電子帯
に電位勾配が形成され、スペクトルクロストークを防止
するように作用する。
いて、ＣｄＺｎＴｅ基板２１側が最も不純物濃度が高く
なるようにし、ＣｄＺｎＴｅ基板２１から離れるにした
がって不純物濃度が単調減少するようにすると価電子帯
に電位勾配が形成され、スペクトルクロストークを防止
するように作用する。
【００４８】ただし、この場合は、同時に、伝導帯側に
も価電子帯と平行な電位勾配が形成され、この伝導帯側
の電位勾配は、正常な光電流を構成する電子２８に対す
る電位障壁となる。
も価電子帯と平行な電位勾配が形成され、この伝導帯側
の電位勾配は、正常な光電流を構成する電子２８に対す
る電位障壁となる。
【００４９】なお、上記の各実施の形態の説明において
は、基板としてＣｄＺｎＴｅを用いているが、ＣｄＺｎ
Ｔｅに限られるものではなく、ＧａＡｓ基板等の他の基
板を用いても良いものである。
は、基板としてＣｄＺｎＴｅを用いているが、ＣｄＺｎ
Ｔｅに限られるものではなく、ＧａＡｓ基板等の他の基
板を用いても良いものである。
【００５０】また、本発明の実施の形態においては、赤
外線吸収層を形成する半導体として特定組成比のＨｇＣ
ｄＴｅ系半導体を用いているが、記載されている組成比
に限られるものではなく、検出しようとする波長に応じ
て適宜組成を変更し得るものであり、さらに、ＨｇＺｎ
Ｔｅ、ＨｇＭｎＴｅ等の他の半導体を用いても良いもの
である。
外線吸収層を形成する半導体として特定組成比のＨｇＣ
ｄＴｅ系半導体を用いているが、記載されている組成比
に限られるものではなく、検出しようとする波長に応じ
て適宜組成を変更し得るものであり、さらに、ＨｇＺｎ
Ｔｅ、ＨｇＭｎＴｅ等の他の半導体を用いても良いもの
である。
【００５１】また、本発明の実施の形態においては、基
板として検出波長に対して透明な基板を用い、基板側に
ＭＷＩＲ吸収層を設け、トップ層にＬＷＩＲ吸収層を設
けて、基板側から光を照射するようにしているが、基板
側にＬＷＩＲ吸収層を設け、トップ層にＭＷＩＲ吸収層
を設けて、トップ層側から光を照射するようにしても良
いものである。
板として検出波長に対して透明な基板を用い、基板側に
ＭＷＩＲ吸収層を設け、トップ層にＬＷＩＲ吸収層を設
けて、基板側から光を照射するようにしているが、基板
側にＬＷＩＲ吸収層を設け、トップ層にＭＷＩＲ吸収層
を設けて、トップ層側から光を照射するようにしても良
いものである。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、ＭＷＩＲ吸収層及びＬ
ＷＩＲ吸収層を有する二波長カラーセンサの、少なくと
もＭＷＩＲ吸収層側にキャリアの回り込みを阻止する電
位勾配を形成するための組成勾配或いは不純物濃度勾配
を形成したので、スペクトルクロストークが低減され、
赤外線検出装置の検出精度を向上することができる。
ＷＩＲ吸収層を有する二波長カラーセンサの、少なくと
もＭＷＩＲ吸収層側にキャリアの回り込みを阻止する電
位勾配を形成するための組成勾配或いは不純物濃度勾配
を形成したので、スペクトルクロストークが低減され、
赤外線検出装置の検出精度を向上することができる。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の説明図である。
【図４】従来の二波長カラーセンサの説明図である。
【図５】スペクトルストロークの説明図である。
１ 半導体基板 ２ 一導電型ワイドギャップ層 ３ 逆導電型ワイドギャップ層 ４ 一導電型ナローギャップ層 ５ 素子電極 ６ 共通電極 ７ 正孔 ８ 電子 ９ 正孔 １０ 電子 １１ ＣｄＺｎＴｅ基板 １２ ｎ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層 １３ ｐ型Ｈｇ0.68Ｃｄ0.32Ｔｅ層 １４ ｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層 １５ 素子電極 １６ 共通電極 １７ 正孔 １８ 電子 １９ 正孔 ２０ 電子 ２１ ＣｄＺｎＴｅ基板 ２２ ｐ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅ層 ２３ ｎ型Ｈｇ0.68Ｃｄ0.32Ｔｅ層 ２４ ｐ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層 ２５ 素子電極 ２６ 共通電極 ２７ 正孔 ２８ 電子 ２９ 正孔 ３０ 電子 ３１ ＣｄＺｎＴｅ基板 ３２ ｎ型Ｈｇ0.72Ｃｄ0.28Ｔｅ層 ３３ ｐ型Ｈｇ0.68Ｃｄ0.32Ｔｅ層 ３４ ｎ型Ｈｇ0.78Ｃｄ0.22Ｔｅ層 ３５ 素子電極 ３６ 共通電極 ３７ 正孔 ３８ 電子 ３９ 正孔 ４０ 電子
Claims (4)
- 【請求項１】 一導電型ワイドギャップ層、逆導電型ワ
イドギャップ層、及び、一導電型ナローギャップ層の少
なくとも三層構造から構成され、且つ、互いに向きが逆
方向の二つのｐｎ接合を有する赤外線検出装置におい
て、前記一導電型ナローギャップ層側のｐｎ接合が逆バ
イアス状態になったとき、前記一導電型ワイドギャップ
層において発生したキャリアが順バイアス状態の他方の
ｐｎ接合の電位障壁を乗り越えることを阻止する電位勾
配を前記一導電型ワイドギャップ層に設けたことを特徴
とする赤外線検出装置。 - 【請求項２】 上記三層構造がＨｇＣｄＴｅを用いたｎ
ｐｎ構造からなり、且つ、上記一導電型ワイドギャップ
層を上記他方のｐｎ接合から離れるにしたがってＣｄ比
ｘが小さくなるｎ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅで構成したこと
を特徴とする請求項１記載の赤外線検出装置。 - 【請求項３】 上記三層構造がＨｇＣｄＴｅからなり、
且つ、上記一導電型ワイドギャップ層を上記他方のｐｎ
接合から離れるにしたがって導電型決定不純物濃度が高
くなる一導電型ＨｇＣｄＴｅで構成したことを特徴とす
る請求項１記載の赤外線検出装置。 - 【請求項４】 上記三層構造がＨｇＣｄＴｅを用いたｐ
ｎｐ構造からなり、且つ、上記一導電型ワイドギャップ
層を上記他方のｐｎ接合から離れるにしたがってＣｄ比
ｘが小さくなるｐ型Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅで構成したこと
を特徴とする請求項３に記載の赤外線検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8031580A JPH09232616A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | 赤外線検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8031580A JPH09232616A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | 赤外線検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232616A true JPH09232616A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12335132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8031580A Withdrawn JPH09232616A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | 赤外線検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232616A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7067810B2 (en) | 2002-03-22 | 2006-06-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermal type infrared imaging device and fabrication method thereof |
| US7129489B2 (en) * | 2004-12-03 | 2006-10-31 | Raytheon Company | Method and apparatus providing single bump, multi-color pixel architecture |
| JP2015511394A (ja) * | 2012-01-04 | 2015-04-16 | コミサリア ア レネルジィ アトミーク エ オ ゼネ ルジイ アルテアナティーフＣｏｍｍｉｓｓａｒｉａｔａ Ｌ’Ｅｎｅｒｇｉｅ Ａｔｏｍｉｑｕｅ Ｅｔ Ａｕｘ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ Ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｓ | 半導体構造体、構造体を含むデバイス、および半導体構造体を製造する方法 |
-
1996
- 1996-02-20 JP JP8031580A patent/JPH09232616A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7067810B2 (en) | 2002-03-22 | 2006-06-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermal type infrared imaging device and fabrication method thereof |
| US7193211B2 (en) | 2002-03-22 | 2007-03-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermal type infrared ray imaging device and fabrication method thereof |
| US7129489B2 (en) * | 2004-12-03 | 2006-10-31 | Raytheon Company | Method and apparatus providing single bump, multi-color pixel architecture |
| JP2015511394A (ja) * | 2012-01-04 | 2015-04-16 | コミサリア ア レネルジィ アトミーク エ オ ゼネ ルジイ アルテアナティーフＣｏｍｍｉｓｓａｒｉａｔａ Ｌ’Ｅｎｅｒｇｉｅ Ａｔｏｍｉｑｕｅ Ｅｔ Ａｕｘ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ Ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｓ | 半導体構造体、構造体を含むデバイス、および半導体構造体を製造する方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030506 |