JPH0945953A - 配列型赤外線検出器 - Google Patents
配列型赤外線検出器Info
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- JPH0945953A JPH0945953A JP7196836A JP19683695A JPH0945953A JP H0945953 A JPH0945953 A JP H0945953A JP 7196836 A JP7196836 A JP 7196836A JP 19683695 A JP19683695 A JP 19683695A JP H0945953 A JPH0945953 A JP H0945953A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＨｇＣｄＴｅを用いた配列型赤外線検出器に
おいて、バルク部分と表面部分の両方の特性の優れたフ
ォトダイオードアレイを提供する。 【解決手段】 ＣｄＴｅ基板１上にて低キャリア濃度の
ｐ- −ＨｇＣｄＴｅ層２とｐ- −ＨｇＣｄＴｅ層２と同
一導電型をもつ高キャリア濃度のｐ+ −ＨｇＣｄＴｅ層
３が順次エピタキシャル成長された結晶上に、ｐ- −Ｈ
ｇＣｄＴｅ層２およびｐ+ −ＨｇＣｄＴｅ層３と反対の
導電型をもつｎ−ＨｇＣｄＴｅ領域領域４がアレイ状に
形成されている。ｎ−ＨｇＣｄＴｅ領域領域４により形
成されるｐｎ接合は、ｐ+ −ＨｇＣｄＴｅ層３中に含ま
れている。
おいて、バルク部分と表面部分の両方の特性の優れたフ
ォトダイオードアレイを提供する。 【解決手段】 ＣｄＴｅ基板１上にて低キャリア濃度の
ｐ- −ＨｇＣｄＴｅ層２とｐ- −ＨｇＣｄＴｅ層２と同
一導電型をもつ高キャリア濃度のｐ+ −ＨｇＣｄＴｅ層
３が順次エピタキシャル成長された結晶上に、ｐ- −Ｈ
ｇＣｄＴｅ層２およびｐ+ −ＨｇＣｄＴｅ層３と反対の
導電型をもつｎ−ＨｇＣｄＴｅ領域領域４がアレイ状に
形成されている。ｎ−ＨｇＣｄＴｅ領域領域４により形
成されるｐｎ接合は、ｐ+ −ＨｇＣｄＴｅ層３中に含ま
れている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、禁制帯幅の狭い半
導体、特に、Ｈｇを含む化合物半導体を用いた配列型赤
外線検出器に関する。
導体、特に、Ｈｇを含む化合物半導体を用いた配列型赤
外線検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、赤外線検出器においては、禁制
帯幅の狭い半導体を用いたものが高感度であることが知
られている。特に、検出部分にｐｎ接合を有する光起電
力型素子、即ち、フォトダイオードを二次元に配列した
構成をもつ配列型赤外線検出器は、暗視カメラ等の赤外
線撮像装置などに適用できるので、有効である。その代
表的なものに、ＨｇＣｄＴｅ結晶を用いた配列型赤外線
検出器がある。
帯幅の狭い半導体を用いたものが高感度であることが知
られている。特に、検出部分にｐｎ接合を有する光起電
力型素子、即ち、フォトダイオードを二次元に配列した
構成をもつ配列型赤外線検出器は、暗視カメラ等の赤外
線撮像装置などに適用できるので、有効である。その代
表的なものに、ＨｇＣｄＴｅ結晶を用いた配列型赤外線
検出器がある。
【０００３】従来のＨｇＣｄＴｅを用いた一般的な配列
型赤外線検出器は、図３に示すように、ＣｄＴｅ基板１
（あるいは、ＧａＡｓ基板等でもよい）を用い、ＬＰＥ
法やＭＢＥ法等で成長した単層のｐ−ＨｇＣｄＴｅ７上
に、ボロン（Ｂ）等のイオン注入によりアレイ状に形成
したｎ−ＨｇＣｄＴｅ領域４、即ち、ｐｎ接合ダイオー
ドアレイにより構成される。保護膜としてはＺｎＳ保護
膜５が、電極にはＩｎ電極６が通例用いられている。
尚、図３では、図示の繁雑さを避けるために、各画素か
らの出力信号を読み出すためにＩｎ電極６に接続される
Ｓｉの信号処理回路は省略した。
型赤外線検出器は、図３に示すように、ＣｄＴｅ基板１
（あるいは、ＧａＡｓ基板等でもよい）を用い、ＬＰＥ
法やＭＢＥ法等で成長した単層のｐ−ＨｇＣｄＴｅ７上
に、ボロン（Ｂ）等のイオン注入によりアレイ状に形成
したｎ−ＨｇＣｄＴｅ領域４、即ち、ｐｎ接合ダイオー
ドアレイにより構成される。保護膜としてはＺｎＳ保護
膜５が、電極にはＩｎ電極６が通例用いられている。
尚、図３では、図示の繁雑さを避けるために、各画素か
らの出力信号を読み出すためにＩｎ電極６に接続される
Ｓｉの信号処理回路は省略した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】配列型赤外線検出器の
特性は、個々のダイオードの電流電圧特性や量子効率等
の特性を総合して評価される。これらの特性は、ｐ−Ｈ
ｇＣｄＴｅ層の結晶性、特に、キャリア濃度に依存する
ところが大きい。そこで、結晶性をよくするためにキャ
リア濃度を低くすると、拡散長、キャリア寿命の増大に
より量子効率やバルク部分でのダイオード特性は向上す
る。反面、ＺｎＳ等の保護膜により表面反転が生じ易く
なり、ダイオードの表面特性は劣化する。一方、キャリ
ア濃度を高くすると、表面特性は安定するが、量子効率
等が著しく劣化する。このように、キャリア濃度の高低
に対する表面部分の特性とバルク部分の特性とは、相反
する関係にあるため、従来は、両特性双方に対して無難
なキャリア濃度として２×１０16ｃｍ-3程度が用いられ
ており、総合的な特性の向上には限界があった。
特性は、個々のダイオードの電流電圧特性や量子効率等
の特性を総合して評価される。これらの特性は、ｐ−Ｈ
ｇＣｄＴｅ層の結晶性、特に、キャリア濃度に依存する
ところが大きい。そこで、結晶性をよくするためにキャ
リア濃度を低くすると、拡散長、キャリア寿命の増大に
より量子効率やバルク部分でのダイオード特性は向上す
る。反面、ＺｎＳ等の保護膜により表面反転が生じ易く
なり、ダイオードの表面特性は劣化する。一方、キャリ
ア濃度を高くすると、表面特性は安定するが、量子効率
等が著しく劣化する。このように、キャリア濃度の高低
に対する表面部分の特性とバルク部分の特性とは、相反
する関係にあるため、従来は、両特性双方に対して無難
なキャリア濃度として２×１０16ｃｍ-3程度が用いられ
ており、総合的な特性の向上には限界があった。
【０００５】本発明の課題は、表面およびバルク部分の
両特性に優れたフォトダイオードよりなる配列型赤外線
検出器を提供することである。
両特性に優れたフォトダイオードよりなる配列型赤外線
検出器を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板上
にて低キャリア濃度の第１のＨｇＣｄＴｅ層と該第１の
ＨｇＣｄＴｅと同一導電型をもつ高キャリア濃度の第２
のＨｇＣｄＴｅ層が順次エピタキシャル成長された結晶
上に、前記第１および第２のＨｇＣｄＴｅ層と反対の導
電型をもつＨｇＣｄＴｅ領域がアレイ状に形成され、前
記反対の導電性をもつＨｇＣｄＴｅ領域により形成され
るｐｎ接合は、前記第２のＨｇＣｄＴｅ層中に含まれる
ことを特徴とする配列型赤外線検出器が得られる。
にて低キャリア濃度の第１のＨｇＣｄＴｅ層と該第１の
ＨｇＣｄＴｅと同一導電型をもつ高キャリア濃度の第２
のＨｇＣｄＴｅ層が順次エピタキシャル成長された結晶
上に、前記第１および第２のＨｇＣｄＴｅ層と反対の導
電型をもつＨｇＣｄＴｅ領域がアレイ状に形成され、前
記反対の導電性をもつＨｇＣｄＴｅ領域により形成され
るｐｎ接合は、前記第２のＨｇＣｄＴｅ層中に含まれる
ことを特徴とする配列型赤外線検出器が得られる。
【０００７】本発明によればまた、基板上にて低キャリ
ア濃度の第１のＨｇＣｄＴｅ層と該第１のＨｇＣｄＴｅ
と同一導電型をもつ高キャリア濃度の第２のＨｇＣｄＴ
ｅ層が順次エピタキシャル成長された結晶上に、前記第
１および第２のＨｇＣｄＴｅ層と反対の導電型をもつＨ
ｇＣｄＴｅ領域がアレイ状に形成され、前記反対の導電
性をもつＨｇＣｄＴｅ領域により形成されるｐｎ接合
は、前記第１および第２のＨｇＣｄＴｅ層中に含まれ、
前記第２のＨｇＣｄＴｅ層は、前記ｐｎ接合の深さに比
べて薄いことを特徴とする配列型赤外線検出器が得られ
る。
ア濃度の第１のＨｇＣｄＴｅ層と該第１のＨｇＣｄＴｅ
と同一導電型をもつ高キャリア濃度の第２のＨｇＣｄＴ
ｅ層が順次エピタキシャル成長された結晶上に、前記第
１および第２のＨｇＣｄＴｅ層と反対の導電型をもつＨ
ｇＣｄＴｅ領域がアレイ状に形成され、前記反対の導電
性をもつＨｇＣｄＴｅ領域により形成されるｐｎ接合
は、前記第１および第２のＨｇＣｄＴｅ層中に含まれ、
前記第２のＨｇＣｄＴｅ層は、前記ｐｎ接合の深さに比
べて薄いことを特徴とする配列型赤外線検出器が得られ
る。
【０００８】本発明によればさらに、前記第１のＨｇＣ
ｄＴｅ層および前記第２のＨｇＣｄＴｅ層は、Ｉ族の金
属元素のドーピングによるｐ型の導電性をもつ層である
前記配列型赤外線検出器が得られる。
ｄＴｅ層および前記第２のＨｇＣｄＴｅ層は、Ｉ族の金
属元素のドーピングによるｐ型の導電性をもつ層である
前記配列型赤外線検出器が得られる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態による配列型赤外線検出器を説明する。
実施の形態による配列型赤外線検出器を説明する。
【００１０】［形態１］図１は、本発明の実施の形態１
による配列型赤外線検出器を示す縦断面図である。以
下、図１を参照して、形態１による配列型赤外線検出器
の動作および特性を、製造方法と共に具体的に説明す
る。
による配列型赤外線検出器を示す縦断面図である。以
下、図１を参照して、形態１による配列型赤外線検出器
の動作および特性を、製造方法と共に具体的に説明す
る。
【００１１】まず、ＣｄＴｅ基板１上に、低キャリア濃
度ｐ- −ＨｇＣｄＴｅ層２を１０μｍ、高キャリア濃度
ｐ+ −ＨｇＣｄＴｅ層３を３μｍをＭＢＥ法により順次
成長する。各層のキャリア濃度は、ｐ型のＨｇＣｄＴｅ
結晶が比較的得やすいＡｇドープを用い、低キャリア濃
度ｐ- −ＨｇＣｄＴｅ層２に対しては５×１０15ｃ
ｍ-3、高キャリア濃度ｐ+ −ＨｇＣｄＴｅ層３に対して
は５×１０16ｃｍ-3となるように制御する。
度ｐ- −ＨｇＣｄＴｅ層２を１０μｍ、高キャリア濃度
ｐ+ −ＨｇＣｄＴｅ層３を３μｍをＭＢＥ法により順次
成長する。各層のキャリア濃度は、ｐ型のＨｇＣｄＴｅ
結晶が比較的得やすいＡｇドープを用い、低キャリア濃
度ｐ- −ＨｇＣｄＴｅ層２に対しては５×１０15ｃ
ｍ-3、高キャリア濃度ｐ+ −ＨｇＣｄＴｅ層３に対して
は５×１０16ｃｍ-3となるように制御する。
【００１２】この後、Ｂのイオン注入を約１５０ｋｅＶ
の打ち込みエネルギーで行い、アレイ状にｎ−ＨｇＣｄ
Ｔｅ領域４を形成することでフォトダイオードアレイを
形成する。ダイオードのｐｎ接合の深さは１．５〜２μ
ｍ程度なので、高キャリア濃度のｐ+ −ＨｇＣｄＴｅ層
３中に完全に含まれている。各ダイオードの大きさは、
２０μｍ、ピッチは３５μｍである。
の打ち込みエネルギーで行い、アレイ状にｎ−ＨｇＣｄ
Ｔｅ領域４を形成することでフォトダイオードアレイを
形成する。ダイオードのｐｎ接合の深さは１．５〜２μ
ｍ程度なので、高キャリア濃度のｐ+ −ＨｇＣｄＴｅ層
３中に完全に含まれている。各ダイオードの大きさは、
２０μｍ、ピッチは３５μｍである。
【００１３】この後、ＨｇＣｄＴｅに対して界面準位密
度が比較的小さいＺｎＳ保護膜５を形成し、最後に、Ｉ
ｎ電極６を形成することにより素子は製造される。実際
には、さらに信号読み出し用のＳｉＭＯＳＩＣとのハイ
ブリッド化工程があるが、説明の繁雑さを避けるため
に、図１を用いた説明では省略した。
度が比較的小さいＺｎＳ保護膜５を形成し、最後に、Ｉ
ｎ電極６を形成することにより素子は製造される。実際
には、さらに信号読み出し用のＳｉＭＯＳＩＣとのハイ
ブリッド化工程があるが、説明の繁雑さを避けるため
に、図１を用いた説明では省略した。
【００１４】次に、本配列型赤外線検出器の動作および
特性について説明する。
特性について説明する。
【００１５】裏面、即ち、ＣｄＴｅ基板１側より入射し
た赤外線は、バルク部分となっている低キャリア濃度ｐ
- −ＨｇＣｄＴｅ層２にて、主に光電変換されて電子に
なり、さらに、拡散して各画素となるダイオードである
ｎ−ＨｇＣｄＴｅ領域４に到達する。光電変換が行われ
たバルク領域では、低キャリア濃度の層であるため、拡
散長やキャリア寿命が長く非常に高い量子効率が得られ
高感度化が図れる。一方表面近傍では、高キャリア濃度
ｐ+ −ＨｇＣｄＴｅ層３中にダイオードアレイが形成さ
れているため、ＺｎＳ保護膜５中の固定電荷による表面
反転等の影響を受けにくく、良好な表面特性が得られ
る。さらに、前述したように、バルク部分の結晶性も優
れているので、総合的にみて良好なダイオード特性が得
られる。
た赤外線は、バルク部分となっている低キャリア濃度ｐ
- −ＨｇＣｄＴｅ層２にて、主に光電変換されて電子に
なり、さらに、拡散して各画素となるダイオードである
ｎ−ＨｇＣｄＴｅ領域４に到達する。光電変換が行われ
たバルク領域では、低キャリア濃度の層であるため、拡
散長やキャリア寿命が長く非常に高い量子効率が得られ
高感度化が図れる。一方表面近傍では、高キャリア濃度
ｐ+ −ＨｇＣｄＴｅ層３中にダイオードアレイが形成さ
れているため、ＺｎＳ保護膜５中の固定電荷による表面
反転等の影響を受けにくく、良好な表面特性が得られ
る。さらに、前述したように、バルク部分の結晶性も優
れているので、総合的にみて良好なダイオード特性が得
られる。
【００１６】また、ダイオードに近い部分では、高キャ
リア濃度ｐ+ −ＨｇＣｄＴｅ層３が高キャリア濃度であ
るため、この領域では拡散長は短い。したがって、この
領域で光電変換された電子は、最寄りのダイオードにの
み拡散して行くため、クロストークの影響も小さく、高
い空間分解能が得られるという効果をも本発明では得ら
れる。
リア濃度ｐ+ −ＨｇＣｄＴｅ層３が高キャリア濃度であ
るため、この領域では拡散長は短い。したがって、この
領域で光電変換された電子は、最寄りのダイオードにの
み拡散して行くため、クロストークの影響も小さく、高
い空間分解能が得られるという効果をも本発明では得ら
れる。
【００１７】［形態２］図２は、本発明の実施の形態２
による配列型赤外線検出器を示す縦断面図である。同図
において、形態１と同一部あるいは同様部には、図１と
同符号を付し、説明を省略する。
による配列型赤外線検出器を示す縦断面図である。同図
において、形態１と同一部あるいは同様部には、図１と
同符号を付し、説明を省略する。
【００１８】図２において、形態２による配列型赤外線
検出器は、製造方法に関しては、高キャリア濃度ｐ+ −
ＨｇＣｄＴｅ層３′の層厚を、ダイオードのｐｎ接合の
深さ１．５〜２μｍ程度よりも薄い０．５μｍ程度に設
定したことを除けば、他の部分の厚さ、キャリア濃度等
は、図１に示した形態１による配列型赤外線検出器とほ
ぼ同じである。
検出器は、製造方法に関しては、高キャリア濃度ｐ+ −
ＨｇＣｄＴｅ層３′の層厚を、ダイオードのｐｎ接合の
深さ１．５〜２μｍ程度よりも薄い０．５μｍ程度に設
定したことを除けば、他の部分の厚さ、キャリア濃度等
は、図１に示した形態１による配列型赤外線検出器とほ
ぼ同じである。
【００１９】動作、特性に関しても、バルク部分および
表面部分の両方の特性が共に優れている点では、形態１
による配列型赤外線検出器と同様であるが、形態２で
は、さらにｎ−ＨｇＣｄＴｅ領域４により形成されるｐ
ｎ接合の大部分が低キャリア濃度ｐ- −ＨｇＣｄＴｅ層
２に接しているために、トンネル電流が大きく減少する
特徴をも有している。これは、１０μｍ帯の赤外線を感
知する赤外線検出器に対しては、特に有効である。
表面部分の両方の特性が共に優れている点では、形態１
による配列型赤外線検出器と同様であるが、形態２で
は、さらにｎ−ＨｇＣｄＴｅ領域４により形成されるｐ
ｎ接合の大部分が低キャリア濃度ｐ- −ＨｇＣｄＴｅ層
２に接しているために、トンネル電流が大きく減少する
特徴をも有している。これは、１０μｍ帯の赤外線を感
知する赤外線検出器に対しては、特に有効である。
【００２０】以上説明したように、本発明の実施の形態
１、２による配列型赤外線検出器は、表面から離れた部
分、即ち、バルクの部分は、キャリア濃度の低いｐ- −
ＨｇＣｄＴｅ層であり、ｐｎ接合ダイオードが形成され
ている。一方、表面保護膜と接する部分は、キャリア濃
度の高いｐ+ −ＨｇＣｄＴｅ層である。ダイオードのバ
ルク部分では、キャリア濃度が低い方が、キャリアのラ
イフタイムが長く、かつ量子効率も高いため、良好な特
性が得られる。また、ダイオードの表面近傍では、キャ
リア濃度の高い方が、表面保護膜の固定電荷に対して表
面反転を起こしにくいため、優れた表面特性が得られ
る。特に、禁制帯幅の小さいＨｇＣｄＴｅ材料では、こ
れが顕著である。したがって、本発明を用いることによ
り、量子効率等のバルク部分の特性とダイオードの表面
特性との両方を同時に満足することができる。
１、２による配列型赤外線検出器は、表面から離れた部
分、即ち、バルクの部分は、キャリア濃度の低いｐ- −
ＨｇＣｄＴｅ層であり、ｐｎ接合ダイオードが形成され
ている。一方、表面保護膜と接する部分は、キャリア濃
度の高いｐ+ −ＨｇＣｄＴｅ層である。ダイオードのバ
ルク部分では、キャリア濃度が低い方が、キャリアのラ
イフタイムが長く、かつ量子効率も高いため、良好な特
性が得られる。また、ダイオードの表面近傍では、キャ
リア濃度の高い方が、表面保護膜の固定電荷に対して表
面反転を起こしにくいため、優れた表面特性が得られ
る。特に、禁制帯幅の小さいＨｇＣｄＴｅ材料では、こ
れが顕著である。したがって、本発明を用いることによ
り、量子効率等のバルク部分の特性とダイオードの表面
特性との両方を同時に満足することができる。
【００２１】尚、以上説明した実施の形態１および２に
よる配列型赤外線検出器における基板の種類、結晶成長
の方法はあくまでも一例であり、本発明においては、基
板としてはＧａＡｓ基板やＳｉ基板、成長方法としては
ＭＯＣＶＤ法を用いてもよい。また、各層のキャリア濃
度に関しては、高低の差があり、かつ前述した効果が得
られるのであれば、実施の形態の設定値に限られるもの
ではない。
よる配列型赤外線検出器における基板の種類、結晶成長
の方法はあくまでも一例であり、本発明においては、基
板としてはＧａＡｓ基板やＳｉ基板、成長方法としては
ＭＯＣＶＤ法を用いてもよい。また、各層のキャリア濃
度に関しては、高低の差があり、かつ前述した効果が得
られるのであれば、実施の形態の設定値に限られるもの
ではない。
【００２２】
【発明の効果】本発明による配列型赤外線検出器は、基
板上にて低キャリア濃度の第１のＨｇＣｄＴｅ層と第１
のＨｇＣｄＴｅと同一導電型をもつ高キャリア濃度の第
２のＨｇＣｄＴｅ層が順次エピタキシャル成長された結
晶上に、第１および第２のＨｇＣｄＴｅ層と反対の導電
型をもつＨｇＣｄＴｅ領域がアレイ状に形成され、反対
の導電性をもつＨｇＣｄＴｅ領域により形成されるｐｎ
接合が第２のＨｇＣｄＴｅ層中に含まれているため、バ
ルク部分での特性と表面特性の両方の特性の優れたフォ
トダイオードアレイを実現でき、配列型赤外線検出器と
して高性能である。
板上にて低キャリア濃度の第１のＨｇＣｄＴｅ層と第１
のＨｇＣｄＴｅと同一導電型をもつ高キャリア濃度の第
２のＨｇＣｄＴｅ層が順次エピタキシャル成長された結
晶上に、第１および第２のＨｇＣｄＴｅ層と反対の導電
型をもつＨｇＣｄＴｅ領域がアレイ状に形成され、反対
の導電性をもつＨｇＣｄＴｅ領域により形成されるｐｎ
接合が第２のＨｇＣｄＴｅ層中に含まれているため、バ
ルク部分での特性と表面特性の両方の特性の優れたフォ
トダイオードアレイを実現でき、配列型赤外線検出器と
して高性能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１による配列型赤外線検出
器を説明するための図である。
器を説明するための図である。
【図２】本発明の実施の形態２による配列型赤外線検出
器を説明するための図である。
器を説明するための図である。
【図３】従来例による配列型赤外線検出器を示す図であ
る。
る。
【符号の説明】 １ ＣｄＴｅ基板 ２ 低キャリア濃度ｐ- −ＨｇＣｄＴｅ層 ３、３′ 高キャリア濃度ｐ+ −ＨｇＣｄＴｅ層 ４ ｎ−ＨｇＣｄＴｅ領域 ５ ＺｎＳ保護膜 ６ Ｉｎ電極 ７ ｐ−ＨｇＣｄＴｅ層
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上にて低キャリア濃度の第１のＨｇ
ＣｄＴｅ層と該第１のＨｇＣｄＴｅと同一導電型をもつ
高キャリア濃度の第２のＨｇＣｄＴｅ層が順次エピタキ
シャル成長された結晶上に、前記第１および第２のＨｇ
ＣｄＴｅ層と反対の導電型をもつＨｇＣｄＴｅ領域がア
レイ状に形成され、前記反対の導電性をもつＨｇＣｄＴ
ｅ領域により形成されるｐｎ接合は、前記第２のＨｇＣ
ｄＴｅ層中に含まれることを特徴とする配列型赤外線検
出器。 - 【請求項２】 基板上にて低キャリア濃度の第１のＨｇ
ＣｄＴｅ層と該第１のＨｇＣｄＴｅと同一導電型をもつ
高キャリア濃度の第２のＨｇＣｄＴｅ層が順次エピタキ
シャル成長された結晶上に、前記第１および第２のＨｇ
ＣｄＴｅ層と反対の導電型をもつＨｇＣｄＴｅ領域がア
レイ状に形成され、前記反対の導電性をもつＨｇＣｄＴ
ｅ領域により形成されるｐｎ接合は、前記第１および第
２のＨｇＣｄＴｅ層中に含まれ、前記第２のＨｇＣｄＴ
ｅ層は、前記ｐｎ接合の深さに比べて薄いことを特徴と
する配列型赤外線検出器。 - 【請求項３】 前記第１のＨｇＣｄＴｅ層および前記第
２のＨｇＣｄＴｅ層は、Ｉ族の金属元素のドーピングに
よるｐ型の導電性をもつ層である請求項１または２に記
載の配列型赤外線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7196836A JPH0945953A (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | 配列型赤外線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7196836A JPH0945953A (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | 配列型赤外線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945953A true JPH0945953A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16364479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7196836A Pending JPH0945953A (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | 配列型赤外線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945953A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009277942A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 受光素子アレイ |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6338268A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-18 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知素子の製造方法 |
| JPH01233777A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-19 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知装置 |
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