JPH02119167A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH02119167A JPH02119167A JP27222788A JP27222788A JPH02119167A JP H02119167 A JPH02119167 A JP H02119167A JP 27222788 A JP27222788 A JP 27222788A JP 27222788 A JP27222788 A JP 27222788A JP H02119167 A JPH02119167 A JP H02119167A
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- JP
- Japan
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- resin
- semiconductor device
- sealed semiconductor
- heat
- sealing resin
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に表面実装用
の樹脂封止型半導体装置に関する。
の樹脂封止型半導体装置に関する。
従来、この種の樹脂封止型半導体装置は、第３図に示す
ように、アイランド１に半導体チップ２を搭載し、アイ
ランド１の周囲に設けたり−ド３と半導体チップ２の電
極とを電気的にボンディング線４で接続し、アイランド
１及びリード３の一部を含んで封止樹脂体５により封止
していた。
ように、アイランド１に半導体チップ２を搭載し、アイ
ランド１の周囲に設けたり−ド３と半導体チップ２の電
極とを電気的にボンディング線４で接続し、アイランド
１及びリード３の一部を含んで封止樹脂体５により封止
していた。
従来の樹脂封止型半導体装置は、プリント基板に表面実
装する場合に、半田ペーストを塗布したプリント基板上
に自動実装機等を用いてマウントし、赤外線リフロー炉
を通して加熱することによりリード端子の半田付を行な
っている。
装する場合に、半田ペーストを塗布したプリント基板上
に自動実装機等を用いてマウントし、赤外線リフロー炉
を通して加熱することによりリード端子の半田付を行な
っている。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、熱放散等を考
慮して黒色あるいは黒色に近い色となっているため熱を
吸収し易すく、封止樹脂体５に含有していた水分が加熱
され、その蒸気圧により封止樹脂体５の内部に応力が集
中することにより、第３図に示す様なりラック６が発生
することがある。このクラック６の発生は、外気中の水
分が封止樹脂体５の内部へ直接侵入することを許し、半
導体チップ２を腐食させる要因となり、半導体装置の耐
湿性の劣化を招く欠点がある。
慮して黒色あるいは黒色に近い色となっているため熱を
吸収し易すく、封止樹脂体５に含有していた水分が加熱
され、その蒸気圧により封止樹脂体５の内部に応力が集
中することにより、第３図に示す様なりラック６が発生
することがある。このクラック６の発生は、外気中の水
分が封止樹脂体５の内部へ直接侵入することを許し、半
導体チップ２を腐食させる要因となり、半導体装置の耐
湿性の劣化を招く欠点がある。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、封止樹脂体の表面に
、封止樹脂体より熱吸収率の低い物質層を被覆している
。
、封止樹脂体より熱吸収率の低い物質層を被覆している
。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す側面図である。
第１図に示す様に、従来例と同様の構成を有する樹脂封
止型半導体装置の封止樹脂体５の上面に白色耐熱塗料７
を塗布する。本実施例の樹脂封止型半導体装置をプリン
ト基板に実装する際の半田力より赤外・線により加熱し
た場合に、白色耐熱塗料７にて前記熱線を反射させるこ
とにより封止樹脂体５が吸収する熱量を減少させること
ができ、封止樹脂体５の急激な温度上昇を抑制し封止樹
脂体５にクラックの発生を抑え、それにより外部からの
水分の侵入を防ぐことができるので従来構造の樹脂封止
型半導体装置に比べ耐湿性が向上する。
止型半導体装置の封止樹脂体５の上面に白色耐熱塗料７
を塗布する。本実施例の樹脂封止型半導体装置をプリン
ト基板に実装する際の半田力より赤外・線により加熱し
た場合に、白色耐熱塗料７にて前記熱線を反射させるこ
とにより封止樹脂体５が吸収する熱量を減少させること
ができ、封止樹脂体５の急激な温度上昇を抑制し封止樹
脂体５にクラックの発生を抑え、それにより外部からの
水分の侵入を防ぐことができるので従来構造の樹脂封止
型半導体装置に比べ耐湿性が向上する。
第２図は本発明の第２の実施例を示す側面図である。
第２図に示す様に、封止樹脂体５の上面に第１の実施例
の白色耐熱塗料７の代りに熱反射率の高い金属箔８を貼
付けた以外は第１の実施例と同じ構成を有しており、第
１の実施例では、塗料の塗布厚の制御が必要であるが、
本実施例によれば金属箔８を貼付するだけでよいので作
業が容易という利点がある。
の白色耐熱塗料７の代りに熱反射率の高い金属箔８を貼
付けた以外は第１の実施例と同じ構成を有しており、第
１の実施例では、塗料の塗布厚の制御が必要であるが、
本実施例によれば金属箔８を貼付するだけでよいので作
業が容易という利点がある。
、〔発明の効果〕
以上説明した様に本発明は、封止樹脂体の上面に熱吸収
率の低い物質層を被覆することにより樹脂封止型半導体
装置がプリント基板に半田付される際のりフロー工程に
て加熱された場合に、封止樹脂体の急激な温度上昇を抑
制し、封止樹脂体にクラックが発生することを防ぐこと
ができ、耐湿性を向上させるという効果がある。
率の低い物質層を被覆することにより樹脂封止型半導体
装置がプリント基板に半田付される際のりフロー工程に
て加熱された場合に、封止樹脂体の急激な温度上昇を抑
制し、封止樹脂体にクラックが発生することを防ぐこと
ができ、耐湿性を向上させるという効果がある。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例を示
す側面図、第３図は従来の樹脂封止型半導体装置を示す
断面図である。 １・・・アイランド、２・・・半導体チップ、３・・・
リード、４・・・ボンディング線、５・・・封止樹脂体
、６・・・クラック、７・・・白色耐熱塗料、８・・・
金属箔。
す側面図、第３図は従来の樹脂封止型半導体装置を示す
断面図である。 １・・・アイランド、２・・・半導体チップ、３・・・
リード、４・・・ボンディング線、５・・・封止樹脂体
、６・・・クラック、７・・・白色耐熱塗料、８・・・
金属箔。
Claims (1)
- 樹脂封止型半導体装置において、封止樹脂体上面に前記
封止樹脂体より熱吸収率の低い物質層を被覆したことを
特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27222788A JPH02119167A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27222788A JPH02119167A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02119167A true JPH02119167A (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=17510888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27222788A Pending JPH02119167A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02119167A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5317195A (en) * | 1990-11-28 | 1994-05-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device improved in light shielding property and light shielding package |
| CN109581201A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-05 | 北京卫星制造厂有限公司 | 基于正则化视在吸热系数判定虚焊焊点的方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4886477A (ja) * | 1972-01-24 | 1973-11-15 | ||
| JPS5565451A (en) * | 1978-11-10 | 1980-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor integrated circuit |
| JPS6059539B2 (ja) * | 1978-08-22 | 1985-12-25 | 大阪瓦斯株式会社 | ガスの最高燃焼速度連続測定装置 |
| JPS62150855A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
| JPS63187652A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Hitachi Ltd | 耐熱性樹脂封止半導体装置 |
-
1988
- 1988-10-27 JP JP27222788A patent/JPH02119167A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4886477A (ja) * | 1972-01-24 | 1973-11-15 | ||
| JPS6059539B2 (ja) * | 1978-08-22 | 1985-12-25 | 大阪瓦斯株式会社 | ガスの最高燃焼速度連続測定装置 |
| JPS5565451A (en) * | 1978-11-10 | 1980-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor integrated circuit |
| JPS62150855A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
| JPS63187652A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Hitachi Ltd | 耐熱性樹脂封止半導体装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5317195A (en) * | 1990-11-28 | 1994-05-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device improved in light shielding property and light shielding package |
| US5394014A (en) * | 1990-11-28 | 1995-02-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device improved in light shielding property and light shielding package |
| CN109581201A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-05 | 北京卫星制造厂有限公司 | 基于正则化视在吸热系数判定虚焊焊点的方法 |
| CN109581201B (zh) * | 2018-11-30 | 2020-11-20 | 北京卫星制造厂有限公司 | 基于正则化视在吸热系数判定虚焊焊点的方法 |
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