DE1614587A1 - Halbleitervorrichtung mit Gehaeuse - Google Patents
Halbleitervorrichtung mit GehaeuseInfo
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Description
SIlMSIS AETIElI(JESELLSCHAi1I ' München 2, 15. SER196 S
Berlin und München Wittelsbacherplatz
PA 67/2747
Halbleitervorrichtung mit Gehäuse
Im Interesse der geringeren Gestehungskostenistman vielfach bemüht, auch für Halbleitervorrichtungen Kunststoff—
gehäuse zu verwenden„ Man kann sich diesen Schritt vor allem deswegen erlauben, weil die Halbleiteroberfläche mindestens
an den pn-Übergängen von einer dicht abschließenden,
z.B. aua isolierenden SiO2 oder SiJ^ bestehenden Schutz;-sohioht
versehen ist, so daß Kunststoffgehäuse auch bei
hochwertigen Halbleitervorrichtungen Eingang finden können.
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Lediglich auf einem Gebiet'scheint es, daß Gehäuse aus
Metall oder gut wärmeleitender Keramik unbedingt erforderlich sind, nämlich dann, wenn es sich um die herstellung
eines Gehäuses für eine in merklichem Maße Y/ärme entwickelnde
Halbleitervorrichtung handelt.
Die Erfindung beruht jedoch auf der Erkenntnis, daß auch in solchen Fällen Kunststoffe verwendet iverden können.
Es ist bereits eine Heißleitervorrichtung vorgeschlagen, bei der der Heißleiterkörper an der Innenseite der Stirnfläche
einer aus Kunststoff bestehenden Hülse angebracht ist» Die Anordnung dient zur Überwachung der Temperatur eines
Flüssigkeitsbades.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung mit Gehäuse und einer an der Gehäusewand vorgesehenen
Kühlvorrichtung, insbesondere Kühlrippen, welche dadurch gekennzeichnet ist, daß Kühlvorrichtung und angrenzender
Gehäuseteil aus einem einzigen Stück aus v/ärmeleitendern
Kunststoff bestehen. Dabei wird der technische Fortschritt, der durch die Erfindung bedingt ist, in besonders vollkommenem,
Ausmaße erreicht, wenn Kühlvorrichtung und anschließender Gehäuseteil in einem einzigen Arbeitsgang durch Spritzgußtechnik
hergestellt sind.
BAD ORIGINAL
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PA' 9A93/882 ■.-'■- "5~
Heben der bevorzugten Ausgestaltung der Kühlvorrichtung
als Kühlrippen oder snÖer«i? die Oberfläche des GeMuses
in Vergleich au seinem ßawainiialt vorgrößernden· Vorsprüngen, besteht auch die Möglichkeit, bei einer Anordnung
gemäß der Erfindung die Kühlvorrichtung in Perm von rohrartigen Kanälen, Rinnen odor-änderen* ein ruhendes oder
strömendes Kühlmittel enthaltenden Führungen auszugestalten.
Die heute bei der Ilrahüllwng und Verkapselung von Halbleiterbauelementen,
mögliche Kuiiststoff-SpritzgußteehnilE erlaubt
dabei eine v/ei tgeheitd frei wählbare '-Formgebung der Kunststoff gehäuse, die lediglich durch.Schwierigkeiten in.Bezug
auf die Ablösung des umhüllten Bauelements von der Form
und durch die Forderung nach ausreichender mechanischer
Festigkeit begrenzt ist. Deshalb lassen sich verhältnismäßig
komplizierte Gebilde aus gießfähigcrn Kunststoff "herstellen,
wobei als Beispiele Polyesterharze, Araldit, Epoxydharze und Silikone, aber auch Polypropylen genannt werden können.
Solche Kunststoffe lassen sich zudem mit erheblichen Mengen
an anorganischen, das Wärmeleitvermögen -erheblich verbessernden.
Füllstoffen, z.B> Quarzmehl, Aluminiuraöxidpartikel,
BeO-Partikel lind Me tall teilchen versehen» Der Metallgehalt
kann gegebenenfalls den Kunststoffantcl-l" an G-ev/icht
i;nd auch au Taltnaen überwiegen...
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PA 9/493/882 - A - .
Gegoj stand der Erfindung ist also der Vorschlag, die
Formgebung der Spritzformen und damit auch dor Kunststoffgehäuse
so vorzunehmen, daß zum Zwecke eines möglichst guten Wärmeüberganges zur Umgebung die Gehäuseoberfläche
groß erhalten wird. Es sollen also Kühlrippen oder geeignet geformte Kühlflächen direkt in die Gehäuseforra einbezogen ~
sein. Auch eine Ausbildung von Kanälen oder Bohrungen zur
Durchströmung mit flüssigen oder gasförmigen Kühlsubstanzen
kann auf die gleiche Weise durch entsprechende Gestaltgebung
der ursprünglichen Spritzgußform in das Kunststoffgehäuse einbezogen sein.
Es wird verständlich, daß man andererseits das Minimum der
Wandstärke möglichst gering macht. Dies gilt auch für den Fall, daß die Halbleiteranordnung unmittelbar mit der Kunststoff
umhüllung in Kontakt gehalten ist. Es genügt, v/enn an dieser Stelle das Minimum- der 7/andstärke 1 mm nicht überschreitet.
Andererseits empfiehlt es sich wiederum, wenn an dieser Stelle die Kühlvorrichtung unmittelbar angeordnet
ist. .
In den Figuren sind verschiedene Ausführungsformen beispielsweise
dargestellt. Bei den dort verwendeten Bezugszeichen bedeuten a die elektrischen Anschlüsse (die Zuleitungsdrähtc
(und auch die Halbleiter) können ggf. im Innern der Kunststoffumhüllung gegen den Kunststoff der
Hülle, falls dieser infolge bestimmter Füllstoffe schlecht elektrisch Isoliert, durch einen isolierenden Überzug,
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BAD OfHGiNAL
iß Ί 4587.
PA 9/493/882 ■"■-_ .5 -.-...-
z.E, aus. einem anderen Kunststoffr Lack, Glas, Emaille,
abisoliert sein), H. das HallDleiterbauolement, Q diö Wand
des Kunststoffgehäuses und K die der Kühlung dienenden
Maßnahmen.
In den figuren T, 2 und 3 sind die Kuhlmaßnahmen als
Kühlrippen, in Figur 3 als von einem flüssigen Kühlmittel
durGh.3trönibarer Kanal ausgesteltet.
9 Patentansprüche
3 Figuren.
3 Figuren.
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Claims (9)
1. Halbleitervorrichtung rait Gehäuse und an der Gehäusewand vorgesehener
Kühlvorrichtung, insbesondere Kühlrippen, dadurch gekennzeichnet, daß Kühlvorrichtung und angrenzendes Gehäuseteil
aus einem einzigen Stück aus wärmeleitendem Kunststoff bestehen. .
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Kühlvorrichtung und angrendes Gehäuseteil in
einem einzigen Arbeitsgang durch Spritzgußtechnik hergestellt sind.
3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Y/sndung des Kunststoffgehäuses mit einem Kanal oder einer Rinne für ein flüssiges oder gasförmiges
Kühlmittel versehen ist.
4. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeichnet, daß das Minimum der Wandstärke am
Ort des an der Wandung aufsitzenden Halbleiters höchstens
1 mm beträgt.
5. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 - 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Halbleitervorrichtung mit einer Elektrode auf der Kunststoffwandung des Gehäuses
aufsitzt. BAD ORIGINAL
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Λ'--.*,-. Ϊ6Ϊ4587
PA 9/493/882 -γ-
6. Haltlettervorrichtung nach einem der Ansprüche 1-5,
dadurch gekennzeichnet, daß das ganze Gehäuse aus dem
gleichen Kunststoff besteht.
7. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 - 6,
dadurch gekennzeichnet, daß die Y/andung des Gehäuses
mindestens zwischen äer Kühlvorrichtung und der Halbleitervorrichtung
mit die Wärmeleitung verbessernden Füllstoffpartikeln
versehen iet.
8. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet» daß an der Außenseite des Gehäuses vorgesehene
Kühlrippen ebenfalls mit das Wärmeleitvermögen verbessernden
Füllstoffen vereetzt sind.
9. Halblß itervorrichtung nach einem der Ansprüche T - 8,
dadurch gekennzeichnetr daß Gehäuse und Kühlvorrichtung
aus einem Kund tstoffv/ie Polypropylen, Araldit, Epoxyd
oder einem anderen, insbesondere mit einem hohen Füllbetrag an Quarz, Aluminiumoxid, Berylliuiaoxid oder Metallpartikeln
versetzten Gießharz bestehen.
v ■■.-:-.■ .-■■-. ; ■ \ BAD: ORIGINAL
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES0111507 | 1967-08-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1614587A1 true DE1614587A1 (de) | 1970-10-29 |
DE1614587B2 DE1614587B2 (de) | 1976-05-13 |
Family
ID=7530983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19671614587 Withdrawn DE1614587B2 (de) | 1967-08-24 | 1967-08-24 | Gehaeuse fuer ein halbleiterbauelement |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3564109A (de) |
DE (1) | DE1614587B2 (de) |
FR (1) | FR1576342A (de) |
GB (1) | GB1175780A (de) |
NL (1) | NL6809575A (de) |
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