KR860002083B1 - 반도체 장치와 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 장치와 그 제조 방법
제1도 내지 제3도는 종래의 수지 모울드를 설명하기 위한 단면도.
제4도는 리이드 프레임의 정면도.
제5도는 한 실시예의 리이드 프레임을 도시하는 도면으로서 제5(a)도는 방열판의 방열면측에서 본 정면도, 제5(b)도는 반도체 칩 장착면 측에서 본 정면도, 제5(c)도는 제5(b)도의 XX' 선에 따르는 단면도.
제6도는 다른 실시예의 리이드프레임재를 도시하는 사시도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 금형의상형 2 : 금형의 하형
12 : 리이드 프레임의 방열판 13 : 전기절연체
15 : 리이드 프레임재
본 발명은 반도체 장치와 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 방열판을 가지는 예를 들면, 수지모울드형의 반도체 장치에 있어서의 방열판의 전기 절연층의 개량에 관한 것이다.
리이드 프레임이 방열판을 구비하고 수지 밀봉을 하여 외위기(外圍器)가 형성된 반도체 장치의 수지밀봉은 제1도의 도시와 같은 금형을 사용해서 실시되고 있었다. 도면에서 (1)은 금형의 상형, (2)는 하형으로다같이 가열하여 이 사이에 방열판(3a)을 구비하는 리이드프레임(3)을 배치하고, 밀봉용 수지를 런너(4),게이트(5)를 지나서 캐비티(6)에 충전한다. 이때 밀봉용 수지는 방열판의 방열면(3b)과 반도체 칩(7)측으로동일한 속도로 흘러들어가나 방열면측의 캐비티(6b)에서는 방열면과 캐비티 저면과의 극간이 좁기 때문에 밀봉용 수지의 흐름에 대해서는 큰 저항이 된다. 이로인해 응고가 시작되어 유속이 저하한다. 한편 반도체칩측의 캐비티(6a)는 저항이 낮아 원할하게 흘러서 제2도의 도시와같이 반도체 칩측을 충전한 후 방열면측으로도 유입한다. 이로 인하여 방열면측의 캐비티(6b)에 공기의 기포가 남아서 핀호울 또는 충전안되는 부분이 발생한다.
상기의 대책으로 반도체칩측과 방열면측과의 수지의 흐름의 속도를 같이하는 목적으로 제3도의 도시와 같이 반도체 칩측의 캐비티에 댐부(9)을 설치하여 저항을 증대하도록 하는 기술도 있다
상기의 기술에 의하면 반도체 장치의 방열효과를 향상 시키기 위해서는 방열면의 수지층을 엷게 할 필요가 있다. 그러나 이것은 방열면측의 캐비티의 수지의 흐름을 보다 나쁘게 하고, 한계가 있다. 따라서 방열효과와 핀호울과 충전이 안되는 부분이 발생하는 것은 역비례의관계가 있어 양립이 어렵다.
또, 개량된 반도체 칩측의 캐비티에 댐부를 설치하는 기술에 의하면 필연적으로 외위기의 디자인을 변경해야 하므로 따라서 제약을 받는다.
본 발명은 상기 종래의 문제점을 감안하여 이것을 개량하는 반도체 장치의 구조와 제조방법을 제공하는 것으로 특히 반도체장치의 방열판의 전기 절연층을 개량한다.
본 발명은 방열 면이 전기 절연층으로 피복된 방열판을 구비하고 마운트(mount)된 리이드 프레임과 상기 전기절연층상을 제거 하고 전기절연부재로 방열판을 일체적으로 모울드 밀봉된 구조의 반도체 장치와 방열판에 사전에 형성되는 전기 절연층을 리이드 프레임용 재료에 피착시켜 놓는 반도체 장치의 제조 방법과, 상기 전기 절연층을 리이드프레임의 방열판에 피착해서 진행하는 반도체 장치의 제조 방법이다.
이하에 본 발명을 한 실시예에 대하여 도면을 참조하여 종래의 상위점을 상세히 설명한다. 제4도 이하에 아이솔레이션형 수지밀봉 트랜지스터에 응용한 예를 보인다. 제4도는 복수의 리이드프레임(11), (11),,,,이 형성된 리이드프레임 대(帶)로서 그 1개의 리이드프레임을 제5도의 도시와같이 형성한다. 즉, 제5도는 (a)는 방열판(12)의 방열면(12a)측을 표시하고 전기절연층(13)이 피착되고, 도면(b)는 방열판에 반도체 칩(14)의 장착이 예정되는 측의 면을 나타낸다. 따라서 예를 들면 도면(b)의 XX' 선에 따르는 단면은 도면(c)에 도시되는 것이 된다. 상기 전상절연층(13)은 한예의 에폭시수지를 층후 0.1~0.4mm의 두께로 고착시킨 것으로, 형성된 리이드프레임의 방열판에 대하여 그 방열면(12a)은 리이드프레임의 다른 부분보다 돌출된 평면상에 있으므로 미경화의 상태(B스테이트)로 도착(塗着)해서 경화시켜도 또는 시이트상의 수지막을 방열면에 소망의 치수로 형성된 것을 밀접하여 가열경화시켜도 달성된다. 또, 제6도의 도시와 같이 리이드프레임 재료의 상태인 Fe계, Cu계 금속 내지 합금대(帶)(15)의 방열판부에 그 방열면에 소망의 전기 절연층 형성예정역에 덕터블 레이드(doctor blade)법에 의하여 스트라이프상으로 인쇄도착(塗着)하여 가열고화시키고, 또는 미경화의 에폭시 수지막 형성체를 밀접시키고, 가열 고화 하므로써 피막이 가능하다. 그리고 프레스가공을 실시하면 상기와 동일한 리이드프레임을 얻는다.
그 다음에 마운트를 한 후 모울드수지충전을 하여 반도체 장치로 형성할 때 방열판의 방열면측은 대향하는 캐비티의 내면에 밀접해서 모울드수지가 피착되지 않도록 해도 된다.
또, 본 발명에서 전기 절연층은 수지에 한정되지 않고 리이드 프레임 특히 방열판이 알루미늄의 경우, 양극산화를 실시하여 형성되는 산화알루미늄도 좋다.
본 발명에 의하면 방열면에 피착하는 전기 절연층의 두께를 모울드 장치로 콘트롤할 필요가 없으므로 균일하고 얇고, 핀호울 등이 없는 양호한 층질로 형서이 가능한 현저한 이점이 있다. 특히 전기절연층의 층후를 얇게할 수 있으므로 파우어가 큰 반도체장치를 형성할 수 있다.
또, 종래의 금형으로 아이솔레이션형의 수지밀봉형 반도체 장치를 제조할 수 있고, 외위기의 디자인의 제한도 없이 적용할 수 있는 등 이점이 있다.

Claims (3)

  1. 방열면이 전기 절열 층으로 피복된 방열판을 구비하고 마운트가 실시된 리이드프레임과 상기 전기절연층 상을 제외하고 전기 절연부재로 방열판을 일체적으로 모울드밀봉된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 방열판을 구비하는 리이드프레임에 마우트를 실시하고 전기 절연부재로 모울드 형성하는 반도체 장치의 제조에 있어서 방열판의 방열면에 전기 절연층의 피복을 한 후 마운트하고, 상기 전기점연층 상을 제외하여 전기절연부재로 모울드를 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 방열판을 구비하는 리이드프레임에 마운트를 실시하고 전기절연부재로 모울드형성하는 반도체 장치의 제조 있어서 리이드프레임용 재료의 방열판 형성예정역에 사전에 전기절연층을 피착한 후 리이드프레임으로 형성하고, 마운트를 실시하고, 이어서 상기전기 절연층상을 제거하고 전기절연부재로 모울드를 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
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