JPH02268457A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH02268457A JPH02268457A JP9001989A JP9001989A JPH02268457A JP H02268457 A JPH02268457 A JP H02268457A JP 9001989 A JP9001989 A JP 9001989A JP 9001989 A JP9001989 A JP 9001989A JP H02268457 A JPH02268457 A JP H02268457A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- screw hole
- supporting plate
- heat dissipation
- support plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 75
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 29
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 16
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電力用トランジスタ等の樹脂封止型半導体装置
に関する。
に関する。
近年、電力用トランジスタ等の樹脂封止型半導体装置で
は、半導体チップを固着した放熱支持板の裏面にも厚さ
数百μｍの薄い樹脂層を形成したものが提案されている
。これは、外部放熱体への取付けに際して、マイカ薄板
のような絶縁膜板を不要とするためである。即ち、第３
図（ａ）はその−例であり、半導体装置を取着する際の
ネジ穴７を除く全体を樹脂体６で封止したパッケージと
して構成している。
は、半導体チップを固着した放熱支持板の裏面にも厚さ
数百μｍの薄い樹脂層を形成したものが提案されている
。これは、外部放熱体への取付けに際して、マイカ薄板
のような絶縁膜板を不要とするためである。即ち、第３
図（ａ）はその−例であり、半導体装置を取着する際の
ネジ穴７を除く全体を樹脂体６で封止したパッケージと
して構成している。
このような半導体装置を製造する際には、第３図（ｂ）
のように、上部金型１１と下部金型１２で構成されるキ
ャビティ１３内に、半導体チップ２を固着した放熱支持
板ｌを支持させ、この放熱支持板１の一部に設けたネジ
穴を構成するための切欠部５に対向配置した樹脂注入口
１４がらキャビティ１３内に樹脂を注入することで樹脂
封止を行っている。
のように、上部金型１１と下部金型１２で構成されるキ
ャビティ１３内に、半導体チップ２を固着した放熱支持
板ｌを支持させ、この放熱支持板１の一部に設けたネジ
穴を構成するための切欠部５に対向配置した樹脂注入口
１４がらキャビティ１３内に樹脂を注入することで樹脂
封止を行っている。
このとき、放熱支持板１の裏面側にもキャビティ１３の
隙間が生じるように放熱支持板ｌを支持することにより
、放熱支持板ｌの裏面側にも樹脂６をモールドすること
ができ、上述したパッケージが形成できる。
隙間が生じるように放熱支持板ｌを支持することにより
、放熱支持板ｌの裏面側にも樹脂６をモールドすること
ができ、上述したパッケージが形成できる。
上述した従来の半導体装置では、樹脂体６のパッケージ
形状及び樹脂注入口１４と放熱支持板１の切欠部５の位
置関係が原因して、第３図（ｃ）に注入樹脂の流れを模
式的な矢印で示すように、放熱支持板Ｉの裏面側の樹脂
流抵抗が表面側よりも大きくなり、裏面側の樹脂充填性
が悪化するという問題がある。
形状及び樹脂注入口１４と放熱支持板１の切欠部５の位
置関係が原因して、第３図（ｃ）に注入樹脂の流れを模
式的な矢印で示すように、放熱支持板Ｉの裏面側の樹脂
流抵抗が表面側よりも大きくなり、裏面側の樹脂充填性
が悪化するという問題がある。
このため、第３図（ｂ）の例では、放熱支持板１の厚さ
を切欠部５の近傍で薄くすることにより、裏面の樹脂流
抵抗を低減させて充填性を向上する試みがなされている
。しかしながら、この対策でも表面側と裏面側での樹脂
流抵抗を同程度にすることは困難であり、上述した問題
を完全に解消するまでには至っていない。
を切欠部５の近傍で薄くすることにより、裏面の樹脂流
抵抗を低減させて充填性を向上する試みがなされている
。しかしながら、この対策でも表面側と裏面側での樹脂
流抵抗を同程度にすることは困難であり、上述した問題
を完全に解消するまでには至っていない。
本発明は裏面側の樹脂流抵抗を抑制して表面及び裏面側
における樹脂充填性を改善し、良好な樹脂封止を可能と
した樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする
。
における樹脂充填性を改善し、良好な樹脂封止を可能と
した樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする
。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップを搭載
した放熱支持板を樹脂体で封止してパッケージを形成し
、かつ放熱支持板の一部に設けた切欠部に対応して該パ
ッケージの一部にネジ穴を形成しており、かつこのネジ
穴からパッケージの端部に至る樹脂体の表面側の部位に
、該ネジ穴に連続する溝を形成している。
した放熱支持板を樹脂体で封止してパッケージを形成し
、かつ放熱支持板の一部に設けた切欠部に対応して該パ
ッケージの一部にネジ穴を形成しており、かつこのネジ
穴からパッケージの端部に至る樹脂体の表面側の部位に
、該ネジ穴に連続する溝を形成している。
上述した構成では、溝を形成するために樹脂封止用の金
型に溝形成用の相対突起部を形成し、或いは樹脂注入口
を裏面側に相対変位させる必要があり、これにより樹脂
注入口から金型内に注入される樹脂の、放熱支持板の裏
面側における樹脂流抵抗を抑制する。
型に溝形成用の相対突起部を形成し、或いは樹脂注入口
を裏面側に相対変位させる必要があり、これにより樹脂
注入口から金型内に注入される樹脂の、放熱支持板の裏
面側における樹脂流抵抗を抑制する。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１実施例を示しており、同図（ａ）
は外観斜視図、同図（ｂ）は樹脂封止成形する状態の縦
断面図、同図（Ｃ）は内部構造の平面図である。
は外観斜視図、同図（ｂ）は樹脂封止成形する状態の縦
断面図、同図（Ｃ）は内部構造の平面図である。
図において、放熱支持板１は、放熱機能及び電気伝導機
能を有するように金属板を成形して構成しており、その
一部に半導体チップ２を搭載し、ボンディングワイヤ３
を用いてリード４に電気接続を行っている。また、この
放熱支持板１の一端部には、取付用のネジ穴を形成する
ための０字型の切欠部５を有している。そして、前記放
熱支持板１．半導体チップ２．ワイヤ３．及びリード４
の一部を樹脂体６で封止してパッケージを構成している
。
能を有するように金属板を成形して構成しており、その
一部に半導体チップ２を搭載し、ボンディングワイヤ３
を用いてリード４に電気接続を行っている。また、この
放熱支持板１の一端部には、取付用のネジ穴を形成する
ための０字型の切欠部５を有している。そして、前記放
熱支持板１．半導体チップ２．ワイヤ３．及びリード４
の一部を樹脂体６で封止してパッケージを構成している
。
この樹脂体６のパッケージ形状は、前記放熱支持板１の
切欠部５に相当する箇所にネジ穴７を設けているが、こ
のネジ穴７からパッケージの端部にまで至る樹脂体６の
表面側の部分には、ネジ穴７に連続する凹状の溝８を形
成している。
切欠部５に相当する箇所にネジ穴７を設けているが、こ
のネジ穴７からパッケージの端部にまで至る樹脂体６の
表面側の部分には、ネジ穴７に連続する凹状の溝８を形
成している。
この溝８を形成するためには、樹脂体６のモールド成形
時には、第１図（ｂ）に示す金型を用いている。即ち、
金型は上部金型１１と下部金型１２との間にキャビティ
１３を画成し、このキャビティ１３内に半導体チップ２
を搭載した放熱支持板ｌを配設している。そして、両金
型１１．１２間において前記放熱支持板１の切欠部５に
対応する位置に樹脂注入口１４を形成し、この樹脂注入
口１４からキャビティ１３内に樹脂を注入して樹脂封止
を行っている。
時には、第１図（ｂ）に示す金型を用いている。即ち、
金型は上部金型１１と下部金型１２との間にキャビティ
１３を画成し、このキャビティ１３内に半導体チップ２
を搭載した放熱支持板ｌを配設している。そして、両金
型１１．１２間において前記放熱支持板１の切欠部５に
対応する位置に樹脂注入口１４を形成し、この樹脂注入
口１４からキャビティ１３内に樹脂を注入して樹脂封止
を行っている。
このとき、上部金型１１は前記樹脂体６のパッケージ一
部に設けた溝８を形成するために、樹脂注入口１４に繋
がる逃げ部（下部金型１２の逃げ部を符号１２ａで示す
）を設けてはおらず、この結果樹脂注入口１４に沿って
相対的な突起部１５を設けている。これにより、樹脂注
入口１４は放熱支持板１の表面側への開口が相対突起部
１５によって狭められることになる。
部に設けた溝８を形成するために、樹脂注入口１４に繋
がる逃げ部（下部金型１２の逃げ部を符号１２ａで示す
）を設けてはおらず、この結果樹脂注入口１４に沿って
相対的な突起部１５を設けている。これにより、樹脂注
入口１４は放熱支持板１の表面側への開口が相対突起部
１５によって狭められることになる。
したがって、この状態で樹脂注入を行うと、樹脂注入口
１４からキャビティ１３内に注入される樹脂は、上部金
型１１の相対突起部１５及び放熱支持板１の内端により
、表面側への樹脂流入が制約され、表面の樹脂流抵抗は
増加する。これにより、放熱支持板１の表面及び裏面で
の樹脂流抵抗は略等しくなり、良好な樹脂封止が実現で
きる。
１４からキャビティ１３内に注入される樹脂は、上部金
型１１の相対突起部１５及び放熱支持板１の内端により
、表面側への樹脂流入が制約され、表面の樹脂流抵抗は
増加する。これにより、放熱支持板１の表面及び裏面で
の樹脂流抵抗は略等しくなり、良好な樹脂封止が実現で
きる。
第２図は本発明の第２実施例を示しており、同図（ａ）
は外観斜視図、同図（ｂ）は樹脂封止成形する状態の縦
断面図である。なお、第１実施例ど同−又は対応する部
分には同一符号を付しである。
は外観斜視図、同図（ｂ）は樹脂封止成形する状態の縦
断面図である。なお、第１実施例ど同−又は対応する部
分には同一符号を付しである。
この実施例では、放熱支持板ｌの切欠部５側を薄くする
代わりに、該部位を上方、即ち表面側に曲げ形成してい
る。また、これに対応する下部金型１２の樹脂注入口１
４の近傍部位を上方に突出させ、切欠部５が下部金型１
２の樹脂注入口１４及び逃げ部１２ａの上側に位置され
るように構成している。
代わりに、該部位を上方、即ち表面側に曲げ形成してい
る。また、これに対応する下部金型１２の樹脂注入口１
４の近傍部位を上方に突出させ、切欠部５が下部金型１
２の樹脂注入口１４及び逃げ部１２ａの上側に位置され
るように構成している。
この結果、切欠部５においては樹脂注入口１４は放熱支
持板１の裏面に全面開口されることになり、表面への樹
脂流抵抗が大きくなる一方で裏面への樹脂流抵抗が低く
なり、表面及び裏面の樹脂充填性を均等にして良好な樹
脂封止を実現する。
持板１の裏面に全面開口されることになり、表面への樹
脂流抵抗が大きくなる一方で裏面への樹脂流抵抗が低く
なり、表面及び裏面の樹脂充填性を均等にして良好な樹
脂封止を実現する。
以上説明したように本発明は、樹脂体で構成するパッケ
ージに設けたネジ穴からパッケージの端部に至る樹脂体
の表面側の部位に、該ネジ穴に連続する溝を形成してい
るので、この溝を形成するためには樹脂封止用の金型に
溝形成用の相対突起部を形成し、或いは樹脂注入口を裏
面側に相対変位させる必要があり、これにより樹脂注入
口から金型内に注入される樹脂の、放熱支持板の裏面側
における樹脂流抵抗を抑制し、表面側の樹脂流抵抗との
差を少なくして良好な樹脂封止を行うことができる効果
がある。
ージに設けたネジ穴からパッケージの端部に至る樹脂体
の表面側の部位に、該ネジ穴に連続する溝を形成してい
るので、この溝を形成するためには樹脂封止用の金型に
溝形成用の相対突起部を形成し、或いは樹脂注入口を裏
面側に相対変位させる必要があり、これにより樹脂注入
口から金型内に注入される樹脂の、放熱支持板の裏面側
における樹脂流抵抗を抑制し、表面側の樹脂流抵抗との
差を少なくして良好な樹脂封止を行うことができる効果
がある。
第１図は本発明の第１実施例を示しており、同図（ａ）
は外観斜視図、同図（ｂ）は樹脂封止成形する状態の縦
断面図、同図（Ｃ）は内部構造の平面図、第２図は本発
明の第２実施例を示しており、同図（ａ）は外観斜視図
、同図（ｂ）は樹脂封止成形する状態の縦断面図、第３
図は従来構造を示しており、同図（ａ）は外観斜視図、
同図（ｂ）は樹脂封止成形する状態の縦断面図、同図（
Ｃ）は内部構造の斜視図である。 ｌ・・・放熱支持板、２・・・半導体チップ、３・・・
ボンディングワイヤ、４・・・リード、５・・・切欠部
、６・・・樹脂体、７・・・ネジ穴、８・・・溝、１１
・・・上部金型、２・・・下部金型、 ３・・・キャビティ、 ４・・・樹脂 注入口、 ５・・・突起部。 第２図 （ａ） （ｂ）
は外観斜視図、同図（ｂ）は樹脂封止成形する状態の縦
断面図、同図（Ｃ）は内部構造の平面図、第２図は本発
明の第２実施例を示しており、同図（ａ）は外観斜視図
、同図（ｂ）は樹脂封止成形する状態の縦断面図、第３
図は従来構造を示しており、同図（ａ）は外観斜視図、
同図（ｂ）は樹脂封止成形する状態の縦断面図、同図（
Ｃ）は内部構造の斜視図である。 ｌ・・・放熱支持板、２・・・半導体チップ、３・・・
ボンディングワイヤ、４・・・リード、５・・・切欠部
、６・・・樹脂体、７・・・ネジ穴、８・・・溝、１１
・・・上部金型、２・・・下部金型、 ３・・・キャビティ、 ４・・・樹脂 注入口、 ５・・・突起部。 第２図 （ａ） （ｂ）
Claims (1)
- １、半導体チップを搭載した放熱支持板を樹脂体で封止
してパッケージを形成し、かつ放熱支持板の一部に設け
た切欠部に対応して該パッケージの一部にネジ穴を形成
する半導体装置において、このネジ穴からパッケージの
端部に至る樹脂体の表面側の部位に、該ネジ穴に連続す
る溝を形成したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9001989A JPH02268457A (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9001989A JPH02268457A (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02268457A true JPH02268457A (ja) | 1990-11-02 |
Family
ID=13986993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9001989A Pending JPH02268457A (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02268457A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514913A (en) * | 1991-12-05 | 1996-05-07 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Net Mezzogiorno | Resin-encapsulated semiconductor device having improved adhesion |
-
1989
- 1989-04-10 JP JP9001989A patent/JPH02268457A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514913A (en) * | 1991-12-05 | 1996-05-07 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Net Mezzogiorno | Resin-encapsulated semiconductor device having improved adhesion |
| US5766985A (en) * | 1991-12-05 | 1998-06-16 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | Process for encapsulating a semiconductor device having a heat sink |
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