JPS63203001A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS63203001A
JPS63203001A JP62036550A JP3655087A JPS63203001A JP S63203001 A JPS63203001 A JP S63203001A JP 62036550 A JP62036550 A JP 62036550A JP 3655087 A JP3655087 A JP 3655087A JP S63203001 A JPS63203001 A JP S63203001A
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JP
Japan
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bonding wire
input
semiconductor device
metal pattern
envelope
Prior art date
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Pending
Application number
JP62036550A
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English (en)
Inventor
Eiji Takeda
英次 竹田
Takao Sakayori
酒寄　隆雄
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS63203001A publication Critical patent/JPS63203001A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、整合回路を有する半導体装置に関し、特に
整合回路を形成する金属パターンの形状に関するもので
ある。
〔従来の技術〕
第２図は従来の整合回路を有する半導体装置を示す平面
図である。図において、１は外囲器であり、ｌａ、ｌｂ
はその入出力端子、ＩＣは接地導体部である。２は外囲
器１の上に接着された誘電体基板、３は外囲器１の中央
凸部に接着された超高周波高出力トランジスタ、４．５
は誘電体基板２上に形成された整合回路を形成する金属
パターン、６．７はボンディングワイヤである。
一般に、超高周波高出力トランジスタ（以下超高周波ト
ランジスタ）３のインピーダンスは非常に低く、超高周
波トランジスタ３自身の持つ特性を広帯域に発揮するに
は、浮遊容量、インダクタンスなどの不要な要素の介在
を避ける必要があり、そのため可能な限り超高周波トラ
ンジスタ３の近くに整合回路を設ける必要がある。この
ため従来。
装置では、超高周波トランジスタ３を、半導体装置の外
囲器ｌ内にインピーダンス整合回路を内蔵したいわゆる
内部整合回路つきトランジスタとして構成しており、さ
らに高出力化を図るため、超高周波トランジスタ３を複
数個並列接続したものを半導体装置の外囲器１内に一体
化して並列動作させている。　　　′ 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
単純に並列接続すると外囲器１の入出力端子１ａ、ｌｂ
のワイヤパッド部分と整合回路の金属パターン５との間
のボンディングワイヤ７を長くしなければならず、それ
に相当するインダクタンス成分が大きくなってしまい、
また該ボンディングワイヤ７は斜めに張られることとな
るため、外囲器ｌの接地導体部ＩＣとショートしたり、
共振したりするなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、外囲器の入出力端子と整合回路の金属パター
ンとを接続するためのボンディングワイヤの長さを短く
でき、等価なインダクタンス成分を小さくすることがで
きるとともに、該ボンディングワイヤと外囲器の接地導
体部とのショートや共振を防止することができる半導体
装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、入出力整合回路を構成す
る金属パターンの形状を略平行四辺形としたものである
。
〔作用〕
この発明においては、金属パターン形状を略平行四辺形
としたので、誘電体基板上の金属パターンと外囲器の入
出力端子のワイヤパッド部との距離を短くして、両者を
接続するボンディングワイヤの長さを短くでき、かつ該
ボンディングワイヤを接地導体部から離すことができ、
等価なインダクタンス成分を小さくできるとともにボン
ディングワイヤと外囲器の接地導体部とのショートや共
振を防止することができる。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す平
面図である。図において、第２図と同一符号は同−又は
相当部分を示す。本実施例は、外囲器１の入出力端子１
ａ、ｌｂにワイヤボンディングして接続される誘電体基
板２上の金属パターン５の形状を、平行四辺形としたも
のである。
このような構成になる半導体装置では、金属パターン５
の形状が平行四辺形であるので、ボンディングワイヤ７
の長さを短くすることができ、これにより、ボンディン
グワイヤと等価なインダクタンス成分を小さくして、整
合をとりやすくでき、また、ボンディングワイヤ７を外
囲器の接地導体部ＩＣから遠ざけることができるので、
振動によるボンディングワイヤ７と接地導体部１ｃとの
ショートや共振を防ぐことができる。
なお、上記実施例では、外囲器１の入出力端子ｌａ、ｌ
ｂにワイヤボンディングして接続される金属パターン５
を平行四辺形としたが、これは超高周波トランジスタに
近い方の金属パターン（例えば第１図中４）を平行四辺
形としてもよく、同様の効果を得ることができる。
また、上記実施例では、金属パターンの形状を平行四辺
形としたが、これは平行四辺形に近い形状であってもよ
く、同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明の半導体装置によれば、整合回
路を構成する金属パターンの形状を略平行四辺形とした
ので、外囲器の入出力端子と金属パターンとを接続する
ボンディングワイヤを短くでき、等価なインダクタンス
成分を小さくできるとともに、振動によるボンディング
ワイヤと外囲器の接地導体部とのショートや共振を防止
できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明の一実施例による半導体装置を示す
平面図、第２図は従来の半導体装置を示す平面図である
。 図において、１は外囲器、ｌａ、ｌｂは入出力端子、Ｉ
Ｃは接地導体部、２は誘電体基板、３は超高周波高出力
トランジスタ、４．５は金属パターン、６，７はボンデ
ィングワイヤである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）複数個の超高周波高出力トランジスタと、誘電体
    基板上に金属パターンが形成されてなる入出力整合回路
    と、入出力端子を備え上記トランジスタと整合回路とを
    収納する外囲器とを備えた半導体装置において、 上記金属パターンの形状を略平行四辺形としたことを特
    徴とする半導体装置。
  2. （２）上記金属パターンは、上記外囲器の入出力端子に
    ワイヤボンディングして接続されるものであることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
  3. （３）上記金属パターンは、上記超高周波高出力トラン
    ジスタにワイヤボンディングして接続されるものである
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装
    置。
JP62036550A 1987-02-18 1987-02-18 半導体装置 Pending JPS63203001A (ja)

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JP62036550A JPS63203001A (ja) 1987-02-18 1987-02-18 半導体装置

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JP62036550A JPS63203001A (ja) 1987-02-18 1987-02-18 半導体装置

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JPS63203001A true JPS63203001A (ja) 1988-08-22

Family

ID=12472873

Family Applications (1)

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JP62036550A Pending JPS63203001A (ja) 1987-02-18 1987-02-18 半導体装置

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JP (1) JPS63203001A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10119474B4 (de) * 2000-04-21 2009-07-30 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki, Kariya Halbleitergerät mit nivelliert ausgebildeten Strompfadlängen
JP2017059650A (ja) * 2015-09-16 2017-03-23 三菱電機株式会社 増幅器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10119474B4 (de) * 2000-04-21 2009-07-30 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki, Kariya Halbleitergerät mit nivelliert ausgebildeten Strompfadlängen
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