JP3130809B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JP3130809B2
JP3130809B2 JP08308486A JP30848696A JP3130809B2 JP 3130809 B2 JP3130809 B2 JP 3130809B2 JP 08308486 A JP08308486 A JP 08308486A JP 30848696 A JP30848696 A JP 30848696A JP 3130809 B2 JP3130809 B2 JP 3130809B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
spiral coil
chip
fet
semiconductor device
gaas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP08308486A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10150068A (ja
Inventor
卓 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP08308486A priority Critical patent/JP3130809B2/ja
Publication of JPH10150068A publication Critical patent/JPH10150068A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3130809B2 publication Critical patent/JP3130809B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波半導体装置
用パッケージの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波無線通信の受信側初段増幅に用い
られるデバイスは、より低雑音、高利得であることが要
求される。一般に、３ＧＨｚ以上の高い周波数帯域での
受信側初段増幅には、シリコン（Ｓｉ）と比較して高い
電子移動度をもち、高周波においても低雑音、高利得の
特性を得ることのできるガリウム砒素（ＧａＡｓ）を用
いた電解効果トランジスタ（ＦＥＴ）が使用されてい
る。一方、１ＧＨｚ〜３ＧＨｚの比較的低周波の帯域
は、Ｓｉのもつ電子移動度でも対応が可能なため、Ｓｉ
デバイス、特に高周波に対応できるＳｉバイポーラトラ
ンジスタが、ＧａＡｓＦＥＴと共存する帯域となってい
る。この１ＧＨｚ〜３ＧＨｚ帯域においても、ＧａＡｓ
ＦＥＴは、その雑音特性、利得特性ともにＳｉバイポー
ラトランジスタより優れている。しかし、ＧａＡｓＦＥ
Ｔは、ＦＥＴの構造上、低周波の入力信号に対しては特
に反射が大きくなり扱いにくく、価格が高いという問題
から多くは使用されておらず、主に低価格で扱いやすい
Ｓｉバイポーラトランジスタが使用されている。
【０００３】図４は従来の３ピン小型モニモールドパッ
ケージ（以下ＰＫＧという）を用いた半導体装置の一例
の部分平面図である。この半導体装置は、ＧａＡｓＦＥ
Ｔ１０４を搭載し、そのゲート電極１０７に接続される
リード１０１が直線状の端部１０１ｂとなっている。こ
の構造はリードフレーム（厚さｔ＝１１０μｍ）のチッ
プマウントエリア１０５に、ＧａＡｓＦＥＴ１０４（こ
の場合、３５０μｍ角）が搭載される。そして、それぞ
れリード端子１０１、１０２、１０３が金線のボンディ
ングワイヤ１０６を介してＧａＡｓＦＥＴのゲート電極
１０７、ドレイン電極１０８、ソース電極１０９と接続
される。封着用の樹脂１１０は誘電率４のエポキシ系の
樹脂で、そのサイズは、縦２．２ｍｍ横１．４ｍｍ、既
存の小型ミニモールドＰＫＧと称されるＰＫＧ（縦２ｍ
ｍ横１．２５ｍｍ）とほぼ同じサイズである。
【０００４】Ｓｉバイポーラトランジスタでは、最大限
得ることのできる特性はＧａＡｓＦＥＴに劣っている
が、例えば入出力の整合を取らなくてもほぼ最大の利得
を得ることができる。これに対して、ＧａＡｓＦＥＴを
使用する場合には、入出力の整合を取ることにより必要
な特性を引き出すことになる。その際使用する周波数、
ＦＥＴ個々のインピーダンスによって異なるが、場合に
よっては数十ｎＨ程度のインダクタンスが必要となる。
これをチップ上でスパイラルコイルを作成することによ
り得ようとすると、少なくとも２００μｍ角以上のスペ
ースが必要となる。従来、外部整合を必要としないＧａ
ＡｓＦＥＴとして、スパイラルコイルを含む整合回路を
ＦＥＴと共にチップ上に作成する内部整合型のＦＥＴが
ある。
【０００５】しかし、本来ＧａＡｓＦＥＴが高価格であ
るのはＧａＡｓウェーハそのものの価格が高いことに起
因するため、スパイラルコイル作成に必要なスペース分
だけチップサイズが大きくなり、さらに価格を高くする
という問題があった。
【０００６】これと同じことは、ＧａＡｓＦＥＴを有す
る集積回路（ＩＣ）にもあてはまる。周波数やＦＥＴ個
々の特性、回路構成によって異なるが、チップにおける
整合回路（スパイラルコイル）の占める割合は一般に３
０パーセント以上であり、それによりＧａＡｓＩＣの価
格を高くしている。
【０００７】この問題を解決するために、特開平６−２
６７９９６号公報（以下従来例１という）では、ＦＥＴ
そのものをスパイラル形状にすることによりチップ面積
を小さくしている。しかし、このような形状では、ＦＥ
Ｔそのものの特性が大きく劣化する問題がある。
【０００８】また、特開平７−１５２１６号公報（以下
従来例２という）では、ＩＣチップとＰＫＧのリードフ
レームとの間に中継用のパットを作り、この中継点を介
してボンディングワイヤを接続することにより、ボンデ
ィングワイヤの長さ、太さを調節し最適なインダクタン
スが得られるとしている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
ミニモールドＰＫＧにスパイラルコイルを付加したもの
はＧａＡｓウェーハそのものの価格が高いため、スパイ
ラルコイル作成に必要なスペース分だけチップサイズが
大きくなり、それだけ価格を高くするという問題があっ
た。
【００１０】また、従来例１つ構造のものは、ＦＥＴ自
体の特性が問題となる。すなわち、低雑音の特性を得る
ためには、ゲート長を細くし、かつゲート抵抗をできる
だけ小さくする必要があるが、スパイラルコイルを形成
するような長いゲート電極でゲート長を細くすると、ゲ
ート抵抗がきわめて大きくなってしまう。また、電極先
端では十分なインダクタンスが得られるが、その一方で
電極の根元に近づくほどその効果は０に近づく。その結
果、両端の位相の差が大きくなり、これによっても特性
が劣化する。
【００１１】さらに、従来例２のものは、低い周波数で
十分なインダクタンスを得るにはボンディングワイヤだ
けで少なくとも数ｍｍ程度必要となり、低コストを実現
できる数ｍｍ角のＰＫＧには適応できない。さらに中継
用のパットの作成や、余分なボンディングにかかる工数
を含めると、そのコストは無視できないものとなる。
【００１２】本発明の目的は、コストをかけることなく
十分なインダクタンスが得られる半導体パッケージ構造
により、低価格、かつ容易に優れた特性を得ることので
きる半導体装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の構
成は、リードフレーム上のチップマウント領域に高周波
用半導体チップが載置され、前記リードフレームのリー
ド端子の少くとも１つが、外部接続端子部からこの半導
体チップへ接続されるワイヤとの結合部にいたる個所
で、スパイラルコイル形状に形成され、前記半導体チッ
プ部分、前記スパイラルコイル部分が少なくとも高誘電
率の樹脂により封止されてパッケージを形成したことを
特徴とする。
【００１４】本発明において、パッケージの材質が、誘
電率の大きい樹脂であるフェノール系あるいはエポキシ
系樹脂からなることができる。
【００１５】本発明では、ＰＫＧのリードをスパイラル
コイル形状にすることにより所望のインダクタンスが得
られ、ＰＫＧをスパイラルコイルを作成するスペース分
だけ大きくしてやる必要があるが、従来例２のようなボ
ンディングワイヤで得られるインダクタンスに比べる
と、同じ面積内ではるかに大きいインダクタンスを得る
ことが可能となる。
【００１６】また、コイルのインダクタンスが周囲物質
の誘電率が大きいほど増加することに着目し、高い誘電
率をもつフェノール系、もしくはエポキシ系の樹脂をＰ
ＫＧの材料として採用し、その中にスパイラルコイルを
形成することによりインダクタンスの増加が図られる。
さらに、樹脂ＰＫＧでは、資材、製造にかかるコストが
チップの価格と比較するときわめて安いことから、この
構造によるコストの増加は無視できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につい
て、ＧａＡｓＦＥＴ、ＩＣを搭載する場合を例にして説
明する。
【００１８】図１は本発明の一実施形態を示した部分平
面図である。本実施形態は、ＧａＡｓＦＥＴ１０４を搭
載し、そのゲート電極１０７に接続されるリード１０１
の端部にスパイラルコイル形状のスパイラルコイル部１
０１ａを形成したものである。この実施形態では、金型
により、１００μｍ間隔で打ち抜かれたスパイラルコイ
ル部１０１ａを有するリードフレーム（厚さｔ＝１１０
μｍ）のチップマウントエリア１０５に、ＧａＡｓＦＥ
Ｔ１０４（３５０μｍ角）が搭載される。そして、それ
ぞれリード端子１０１、１０２、１０３が金線のボンデ
ィングワイヤ１０６を介してＧａＡｓＦＥＴのゲート電
極１０７、ドレイン電極１０８、ソース電極１０９と接
続される。封着用の樹脂１１０は誘電率４のエポキシ系
の樹脂で、そのサイズは、縦２．２ｍｍ横１．４ｍｍ、
既存の小型ミニモールドＰＫＧと称されるＰＫＧ（縦２
ｍｍ横１．２５ｍｍ）とほぼ同じサイズである。
【００１９】本実施形態の例の特性を、従来のもの（図
４の場合）と比較すると、周波数２ＧＨｚ、ドレイン電
圧２Ｖ、ドレイン電流１０ｍＡという条件の下で、入力
インピーダンスが、図３のようにスミスチャート上を矢
印部Ａのように移動する。すなわち、図３からスパイラ
ルコイルによるインダクタンスの効果で入力側の反射が
およそ０．８から０．５へと小さくなっていることがわ
かる。
【００２０】その結果、雑音指数が１．５ｄＢから１ｄ
Ｂへ０．５ｄＢ減少し、付随利得が１２．５ｄＢから１
５ｄＢへ２．５ｄＢ増加した。このＧａＡｓＦＥＴを雑
音指数が最小になるように入出力整合を取ると、上記条
件において、雑音指数０．５ｄＢ、付随利得１７ｄＢと
なる。以上の結果から、スパイラルコイルの効果により
最良特性に近い特性が得られたことが分かる。
【００２１】図２は本発明の他の実施形態を示した部分
平面図である。この場合図１のＦＥＴの代りに、低雑音
増幅用ＧａＡｓＩＣ１２０を搭載したものでである。Ｉ
Ｃ内の回路構成により、スパイラルコイルの大きさ、
数、配置等は最適化される。本実施形態では、回路上使
用されるスパイラルコイルのうち２つがリード１０１，
１０２に形成されたスパイラルコイル１０１ａ，１０２
ａにより構成されており、これによりチップサイズを縦
６００μｍ横５００μｍから縦６００μｍ横４００μｍ
へ２０パーセント縮小できた。
【００２２】本実施形態では、ＰＫＧのサイズは縦３．
４ｍｍ横２ｍｍであるが、仮にスパイラルコイル部１０
１ａを作成せずに、このＰＫＧを半分にしてもその原価
低減率は３％程度と見積もられる。一方、チップ面積縮
小化による原価低減の効果は、少なくとも１０％程度に
なる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
低コスト、高誘電率の樹脂ＰＫＧのリードにスパイラル
コイルを形成することにより、大きなインダクタンスを
得ることができ、従って、ＦＥＴあるいはＩＣのチップ
上に占有面積の大きいインダクタをつくる必要がなく、
コストをかけることなくその入出力信号の反射を低減
し、あるいは整合を取ることが可能となる。その結果、
低価格、かつ容易に優れた特性を得ることのできる半導
体装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のＰＫＧ構造を示す部分平
面図である。
【図２】本発明の他の実施形態の部分平面図である。
【図３】本発明によるＦＥＴの入力インピーダンスの変
化を示すスミスチャートである。
【図４】従来のＰＫＧ構造を示す部分平面図である。
【符号の説明】
１０１ 入力用リード端子 １０１ａ，１０２ａ スパイラル部 １０１ｂ 端部 １０２ 出力用リード端子 １０４ ＧａＡｓＦＥＴ １０５ リードフレームのマウントエリア １０６ ボンディングワイヤ １０７ ゲート電極 １０８ ドレイン電極 １０９ ソース電極 １１０ 封着用樹脂 １２０ ＧａＡｓＩＣ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 25/00

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リードフレーム上のチップマウント領域
    に高周波用半導体チップが載置され、前記リードフレー
    ムのリード端子の少くとも１つが、外部接続端子部から
    この半導体チップへ接続されるワイヤとの結合部にいた
    る個所で、スパイラルコイル形状に形成され、前記半導
    体チップ部分、前記スパイラルコイル部分が少なくとも
    高誘電率の樹脂により封止されてパッケージを形成した
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記パッケージのリード端子の２つ以上
    が、外部接続端子部からこの半導体チップへ接続される
    ワイヤとの結合部にいたる個所で、スパイラルコイル形
    状を形成した請求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記樹脂が、フェノール系あるいはエポ
    キシ系樹脂からなる請求項１または２記載の半導体装
    置。
JP08308486A 1996-11-19 1996-11-19 半導体装置 Expired - Fee Related JP3130809B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08308486A JP3130809B2 (ja) 1996-11-19 1996-11-19 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08308486A JP3130809B2 (ja) 1996-11-19 1996-11-19 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10150068A JPH10150068A (ja) 1998-06-02
JP3130809B2 true JP3130809B2 (ja) 2001-01-31

Family

ID=17981603

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP08308486A Expired - Fee Related JP3130809B2 (ja) 1996-11-19 1996-11-19 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3130809B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200497355Y1 (ko) * 2022-01-17 2023-10-18 전영철 사용 편의성이 향상된 친환경 베개

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6621140B1 (en) 2002-02-25 2003-09-16 Rf Micro Devices, Inc. Leadframe inductors
JP4835131B2 (ja) * 2005-12-02 2011-12-14 ソニー株式会社 受動素子パッケージ及びその製造方法、半導体モジュール、並びにこれらの実装構造
US9019057B2 (en) 2006-08-28 2015-04-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Galvanic isolators and coil transducers
US8093983B2 (en) * 2006-08-28 2012-01-10 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Narrowbody coil isolator
US9105391B2 (en) 2006-08-28 2015-08-11 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. High voltage hold-off coil transducer
DE112022000252T5 (de) * 2021-01-19 2023-09-07 Rohm Co., Ltd. Halbleitervorrichtung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200497355Y1 (ko) * 2022-01-17 2023-10-18 전영철 사용 편의성이 향상된 친환경 베개

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10150068A (ja) 1998-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5164683A (en) RF amplifier assembly
US7312482B2 (en) Semiconductor device, power amplifier device and PC card
US7605451B2 (en) RF power transistor having an encapsulated chip package
US6492667B2 (en) Radio frequency semiconductor apparatus
US6162697A (en) High Q inductor realization for use in MMIC circuits
US9111920B2 (en) Semiconductor device
US10651168B2 (en) RF amplifier package with biasing strip
JP3130809B2 (ja) 半導体装置
JP2001094009A (ja) 半導体装置
US6049126A (en) Semiconductor package and amplifier employing the same
CN108987379B (zh) 具有集成谐波终止特征的半导体封装件
JP2002043869A (ja) 高周波集積回路及び半導体装置
EP3772820A1 (en) Transistor circuits and methods for source degeneration
CN114614770A (zh) 在单独基板上具有功率晶体管和静电放电保护电路的功率放大器
EP0600694B1 (en) Improved transistor device layout
US20030089994A1 (en) Soild state power amplifying device
US5406114A (en) Bipolar high-frequency transistor
CN113141162A (zh) 具有串联耦合的输出键合线阵列和并联电容器键合线阵列的rf放大器
JPH07226489A (ja) マイクロ波半導体装置
US20240105763A1 (en) Metal-insulator-metal capacitor device with integrated wire bonding surface
JP2570638B2 (ja) 半導体用パッケージ
JPH054281Y2 (ja)
JPS63229725A (ja) 半導体装置
JP2002171144A (ja) 高周波増幅器
JPH0234014A (ja) 複合半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19981201

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071117

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081117

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081117

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091117

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees