DE102008029318A1 - Lichtemittierende Vorrichtungsgehäuse, die Lichtstreupartikel unterschiedlicher Grösse verwenden - Google Patents

Lichtemittierende Vorrichtungsgehäuse, die Lichtstreupartikel unterschiedlicher Grösse verwenden Download PDF

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Abstract

Strahlungsemittierende Vorrichtung mit Lichtstreupartikeln verschiedener Größe, die einen Emitter zumindest teilweise umgeben und die räumliche Farbmischung und Farbgleichmäßigkeit der Vorrichtung verbessern. Mehrere Größen von Lichtstreupartikeln sind in einem Medium verteilt, so dass sie ein polychromatisches Emittergehäuse mit einem oder mehreren Chips zumindest teilweise umgeben. Die unterschiedlichen Größen der Lichtstreupartikel wirken mit entsprechenden Wellenlängenbereichen der emittierten Strahlung zusammen. Somit kann Strahlung, die über mehrere Wellenlängenbereiche oder Wellenlängenteilbereiche emittiert wird, wirksam gestreut werden, um räumlich ungleichmäßige Farbmuster im ausgegebenen Strahlenbündel zu beseitigen (oder absichtlich zu bilden).

Description

  • Diese Erfindung wurde unter der Vertragsnr. USAF 05-2-5507 mit Unterstützung der US-Regierung realisiert. Die US-Regierung besitzt bestimmte Rechte an dieser Erfindung.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft lichtemittierende Vorrichtungen und insbesondere weißes Licht emittierende Dioden und mehrfarbiges Licht emittierende Dioden in Gehäusen mit einem oder mehreren Chips.
  • Beschreibung des verwandten Fachgebiets
  • Leuchtdioden (LED oder LEDs) sind Festkörperbauelemente, die elektrische Energie in Licht umwandeln und im Allgemeinen eine oder mehrere aktive Schichten eines zwischen gegensätzlich dotierten Schichten angeordneten Halbleitermaterials umfassen. Üblicherweise werden Drahtverbindungen verwendet, um eine Vorspannung über die dotierten Schichten anzulegen, wobei Löcher und Elektronen in die aktive Schicht injiziert werden, wo sie sich wiederverbinden, um Licht zu erzeugen. Licht wird von der aktiven Schicht und von allen Oberflächen der LED emittiert. Eine typische hocheffiziente LED umfasst einen LED-Chip, der auf einem LED-Gehäuse angebracht ist und von einem transparenten Medium eingekapselt ist. Die effiziente Auskopplung von Licht aus LEDs ist ein Hauptanliegen bei der Herstellung hocheffizienter LEDs.
  • LEDs können hergestellt werden, um Licht in verschiedenen Farben zu emittieren. Herkömmliche LEDs können jedoch kein weißes Licht aus ihren aktiven Schichten erzeugen. Licht von einer blau ausstrahlenden LED wurde in weißes Licht umgewandelt, indem die LED mit einem gelben Leuchtstoff, Polymer oder Farbstoff umschlossen wurde, wobei mit Cerium-dotiertes Yttrium- Aluminium-Granat (Ce:YAG) ein typischer Leuchtstoff ist. (Siehe Nichia Corp. weiße LED, Teilenr. NSPW300BS, NSPW312BS, usw.; s. auch US-Patent Nr. 5,959,316 von Lowrey, „Multiple Encapsulation of Phosphor-LED Devices"). Das umgebende Leuchtstoffmaterial "wandelt" die Energie eines Teils des blauen Lichts der LED "abwärts um", wodurch die Wellenlänge des Lichts erhöht und ihre Farbe auf Gelb geändert wird. Ein Teil des blauen Lichts wird unverändert durch den Leuchtstoff geleitet, während ein Teil des Lichts auf Gelb abwärts umgewandelt wird. Die LED emittiert sowohl blaues als auch gelbes Licht, das sich vereinigt, um weißes Licht bereitzustellen. Bei einem weiteren Ansatz wurde Licht von einer violett oder ultraviolett emittierenden LED zu weißem Licht umgewandelt, indem die LED mit mehrfarbigen Leuchtstoffen oder Farbstoffen umgeben wurde.
  • Es wird angemerkt, dass in der gesamten Anmeldung auf zwei unterschiedliche interessierende Winkel Bezug genommen wird. Der erste Winkel ist der Betrachtungswinkel, der in 1a beispielhaft als θv gezeigt ist. Der Betrachtungswinkel wird von der optischen Achse aus gemessen, die in diesem Fall durch die Mitte der halbkugelförmigen Einkapselung und senkrecht zum flachen Rand der Einkapselung verläuft. Ein Betrachtungswinkel von null Grad (0°) gibt an, dass das aus der Einkapselung ausgegebene Licht von einem Punkt außerhalb der Einkapselung, der der Quelle direkt gegenüberliegt, d. h. axial betrachtet (oder gemessen) wird. Der Betrachtungswinkel wird größer, wenn die Vorrichtung bezüglich des Betrachters geneigt wird. Ein Betrachtungswinkel von neunzig Grad (90°) gibt an, dass das ausgehende Licht von einem Winkel, der senkrecht zur optischen Achse ist und auf gleicher Höhe mit dem flachen Rand der Einkapselung verläuft, d. h. direkt von der Seite gemessen wird.
  • Der zweite Winkel, auf den verwiesen wird, ist der Emissionswinkel, der in 1a als Winkel θe gezeigt ist. Der Emissionswinkel hat die gleiche optische Achse wie der Betrachtungswinkel. Er misst von der optischen Achse aus den Winkel, mit dem sich ein Lichtstrahl zunächst in der Einkapselung ausbreitet, nachdem er von der Quelle ausgestrahlt wurde. Ein Lichtstrahl, der sich zunächst von der Quelle entlang der optischen Achse ausbreitet (z. B. Strahl R1), hat einen Emissionswinkel von 0°. Wie gezeigt, hat der Strahl θe einen Winkel von etwa vierzig Grad (40°). Der Emissionswinkel wird größer, wenn die Richtung der anfänglichen Ausbreitung von der optischen Achse abweicht. Ein wichtiger Unterschied zwischen den beiden Winkeln liegt darin, dass das ausgegebene Profil bei einem gegebenen Betrachtungswinkel von den Streuvorgängen innerhalb der Einkapselung beeinflusst wird, während der Emissionswinkel die Richtung des Lichts beschreibt, wie es zunächst von der Quelle emittiert wird, bevor es mit Materialien in der Einkapselung zusammenwirken kann.
  • Es sind verschiedene Verfahren zur Beschichtung von LEDs in Betracht gezogen worden, zu denen die Rotationsbeschichtung, die Sprühbeschichtung, die elektrostatische Abscheidung (ESD) und die elektrophoretische Abscheidung (EPD) gehören. Verfahren wie die Rotationsbeschichtung oder die Sprühbeschichtung verwenden üblicherweise ein Bindematerial bei der Leuchtstoffabscheidung, während andere Verfahren zur Stabilisierung der Leuchstoffpartikel/des Leuchtstoffpulvers das Hinzufügen eines Bindemittels unmittelbar nach deren Abscheidung erfordern.
  • Eine typische Art der LED-Einkapselung, bei der ein Leuchtstoff auf eine LED aufgebracht wird, ist als „glob-in-a-cup"-Verfahren („Klumpen-in-einer-Schale"-Verfahren) bekannt. Ein LED-Chip befindet sich am Boden einer schalenartigen Vertiefung, und ein einen Leuchtstoff enthaltendes Material (beispielsweise Leuchtstoffpartikel, die in einer Einkapselung, wie etwa Silikon oder Epoxidharz, verteilt sind) wird in die Schale eingespritzt und füllt sie, wobei es die LED umgibt und einkapselt. Das Einkapselungsmaterial wird dann getrocknet, damit es sich um die LED herum verhärtet. Diese Einkapselung kann jedoch zu einem LED-Gehäuse führen, das bei unterschiedlichen Betrachtungswinkeln bezüglich des Gehäuses eine starke Schwankung hinsichtlich der Farbtemperatur des emittierten Lichts hat. Diese Farbschwankung kann auf viele Faktoren zurückgeführt werden, zu denen die unterschiedlichen Weglängen gehören, die das Licht durch das Umwandlungsmaterial zurücklegen kann. Dieses Problem kann sich bei Gehäusen verstärken, bei denen sich das Matrixmaterial, das einen Leuchtstoff enthält, über den „Rand" der Schale, in der sich die LED befindet, hinaus erstreckt, was dazu führt, dass umgewandeltes Licht, das seitlich in große Betrachtungswinkel (beispielsweise mit Winkeln von 90° bezüglich der optischen Achse) emittiert wird, überwiegt. Das Ergebnis ist, dass das von dem LED-Gehäuse emittierte weiße Licht ungleichmäßig wird und Lichtstreifen oder -ausschnitte mit unterschiedlichen Farben oder Intensitäten haben kann.
  • Ein weiteres Verfahren zur Einkapselung oder Beschichtung von LEDs umfasst die direkte Verbindung von Leuchtstoffpartikeln auf den LED-Oberflächen unter Verwendung von Verfahren wie etwa der elektrophoretischen Abscheidung. Dieses Verfahren verwendet die elektrostatische Ladung, um Leuchtstoffpartikel auf die Oberfläche des LED-Chips, die geladen ist, anzuziehen. Dieses Verfahren kann zu einer Verbesserung der Farbgleichmäßigkeit in Abhängigkeit von dem Blickwinkel führen, wobei ein Grund für diese Verbesserung darin liegt, dass die Quelle des umgewandelten Lichts und die des nicht umgewandelten Lichts räumlich nah beieinander liegen. Eine blau emittierende LED, die mit einem gelben Umwandlungsmaterial bedeckt ist, kann beispielsweise eine Quelle für im Wesentlichen gleichmäßiges weißes Licht bereitstellen, da das Umwandlungsmaterial und die LED räumlich nah beieinander liegen. Dieses Verfahren kann aufgrund von Schwierigkeiten bei der Steuerung der elektrostatischen Ladungen über viele LEDs im Umfeld einer Massenfertigung unbeständig sein.
  • Ein bekannter Ansatz, der sich mit diesen Unbeständigkeiten befasst, um die räumliche Farbtemperaturgleichmäßigkeit des emittierten Lichts zu verbessern, besteht darin, den Weg von ausgehenden Lichtstrahlen unter Verwendung von Lichtstreupartikeln willkürlich zu gestalten. Die 1a und 1b veranschaulichen eine lichtemittierende Vorrichtung 100, die diesen Lösungsansatz anwendet. 1a stellt einen Querschnitt der bekannten Vorrichtung entlang der Schnittlinie 1a (in 1b zu sehen) dar. Eine Lichtquelle 102 ist auf einem Substrat 104 angeordnet. Eine Schicht abwärtsumwandelndes Material 106 bedeckt die Lichtquelle 102. Ein Reflektor 108 ist um die Lichtquelle 102 herum auf dem Substrat 104 so angeordnet, dass die Lichtquelle 102 in einem Hohlraum untergebracht ist, der von dem Reflektor 108 und dem Substrat 104 begrenzt ist. Eine halbkugelförmige Einkapselung 110 ist über der Lichtquelle 102 angeordnet. Die Einkapselung 110 kann beispielsweise unter Verwendung eines Epoxydharz-Klebers über der Lichtquelle 102 angebracht werden, obwohl auch andere Befestigungsverfahren verwendet werden können. Lichtstreupartikel 112 sind in der gesamten Einkapselung 110 verteilt.
  • Die Lichtstrahlen R1–R4 bilden die Wege beispielhafter Photonen, die von der Quelle 102 emittiert werden. Wie gezeigt, wird R1 emittiert und durchläuft über eine Länge (l1) das abwärts umwandelnde Material 106, wo die Wahrscheinlichkeit besteht, dass das Licht eine Wellenlängenumwandlung erfährt. Es wird angemerkt, dass die Wahrscheinlichkeit, dass ein Photon abwärts umgewandelt wird (d. h. absorbiert und erneut ausgestrahlt wird) mit der Strecke zunimmt, die das Photon durch das abwärts umwandelnde Material 106 zurücklegt. R2, der eine größere Strecke (l2) durch das abwärts umwandelnde Material 106 zurücklegt, wird somit mit einer größeren Wahrscheinlichkeit abwärts umgewandelt. Daraus ergibt sich, dass in Abhängigkeit von der Form der abwärts umwandelnden Schicht der Anteil des Lichts, das beim Durchtritt durch die abwärts umwandelnde Schicht 106 abwärts umgewandelt wird, eine Funktion des Emissionswinkels der Quelle 102 ist. Ohne Lichtstreupartikel würde das Emissionsspektrum ein ausgeprägtes Muster aufweisen und einen Lichtpunkt mit Schwankungen hinsichtlich der Farbtemperatur und der Farbintensität erzeugen, die für das menschliche Auge häufig wahrnehmbar sind. Derartige Ungleichmäßigkeiten können dazu führen, dass eine lichtemittierende Vorrichtung für bestimmte Anwendungen nicht wünschenswert ist.
  • Nach dem Durchtritt durch das abwärts umwandelnde Material 106 tritt das Licht in die Einkapselung 110 ein. Die in der gesamten Einkapselung 110 verteilten Lichtstreupartikel 112 sind dazu vorgesehen, die einzelnen Photonen umzuleiten, bevor sie emittiert werden, damit die Stelle, an der die Photonen aus der Einkapselung 110 treten, zu einer willkürlichen Stelle gemacht wird. Dies führt zu einer Verbesserung der räumlichen Farbtemperaturgleichmäßigkeit. R1 stößt beispielsweise mit einem Lichtstreupartikel zusammen, ändert die Richtung und wird auf die gezeigte Weise emittiert. R1 tritt an einer Stelle aus der Einkapselung 110 aus, die eine andere ist als diejenige, an der er ohne Lichtstreupartikel ausgetreten wäre. R3 erfährt mehrere Streuvorgänge. R2 und R4 treten ungehindert durch die Einkapselung hindurch. Die Lichtstreupartikel führen somit (in einem gewissen Umfang) zu einer Zufallsanordnung der Stelle, an der emittierte Photonen aus der Einkapselung 110 treten, indem sie die Photonen von ihrem ursprünglichen Emissionswinkel trennen.
  • Um Licht mit einem spezifischen spektralen Inhalt zu emittieren, ist bekannt, LED-Gehäuse mit mehreren Chips zu verwenden. Häufig werden mehrere Chips mit unterschiedlichen Farben in ein- und demselben Gehäuse verwendet. Ein roter Chip, ein grüner Chip und ein blauer Chip können beispielsweise in Kombination verwendet werden, um ein weißes Licht ausstrahlendes Gehäuse (Festkörper-RGB) zu bilden. Weitere Multichipkombinationen sind auch üblich, wie etwa der Festkörper-RGGB, der einen roten Chip, einen blauen Chip und zwei grüne Chips pro Einheit aufweist. Es können Leuchtstoffumwandlungsschichten zusammen mit diesen Multichipvorrichtungen verwendet werden, beispielsweise das mit einem Leuchtstoff umgewandelte RGB, das für Anwendungen mit hohem Farbwiedergabeindex angewendet wird. Eine weitere bekannte Vorrichtung besteht aus einer mit einem Leuchtstoff umgewandelten weißen LED und einem roten Festkörperchip. Weitere Kombinationen aus mit einem Leuchtstoff umgewandelten, farbigen Chips und Festkörperchips sind auch bei einem LED-Gehäuse mit mehreren Chips bekannt.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Eine Ausführungsform einer emittierenden Vorrichtung weist mindestens einen Emitter auf, der ein Strahlungsspektrum emittiert. Eine erste Vielzahl von Streupartikeln einer ersten Größe umgeben zumindest teilweise den mindestens einen Emitter, und eine zweite Vielzahl von Streupartikeln einer zweiten Größe umgeben zumindest teilweise den mindestens einen Emitter. Entsprechende Teile der von dem Emitter emittierten Strahlung wirken mit der ersten und der zweiten Vielzahl von Streupartikeln zusammen.
  • Eine Ausführung einer lichtemittierenden Vorrichtung weist mindestens einen Lichtemitter auf. Eine Einkapselung ist so ausgelegt, dass im Wesentlichen das gesamte von dem Lichtemitter emittierte Licht durch die Einkapselung hindurchtritt. Eine Vielzahl von Streupartikeln ist in der gesamten Einkapselung angeordnet. Diese Vielzahl von Streupartikeln hat mindestens zwei verschiedene Partikelgrößen.
  • Eine Ausführungsform einer Einkapselung umfasst ein erstes Material, das die Form der Einkapselung definiert, wobei das erste Material einen ersten Brechungsindex hat. Ein zweites Material mit Teilchencharakter ist im ersten Material verteilt, wobei das zweite Material einen zweiten Brechungsindex hat. Ein drittes Material mit Teilchencharakter ist im ersten Material verteilt, wobei das dritte Material einen dritten Brechungsindex hat.
  • Eine weitere Ausführungsform einer Einkapselung umfasst ein erstes Material, dass die Form der Einkapselung definiert. Ein zweites Material mit Teilchencharakter ist im ersten Material verteilt, wobei das zweite Material Partikel mit einer durchschnittlichen Größe aufweist. Ein drittes Material mit Teilchencharakter ist im ersten Material verteilt, wobei das dritte Material Partikel einer durchschnittlichen Größe aufweist, welche sich von derjenigen der Partikel im zweiten Material unterscheidet.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1a ist eine Querschnittansicht einer emittierenden Vorrichtung aus dem Stand der Technik.
  • 1b ist eine Draufsicht der bekannten emittierenden Vorrichtung aus 1a.
  • 2 ist eine Querschnittansicht einer emittierenden Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 3 ist eine Querschnittansicht einer emittierenden Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 4 ist eine Querschnittansicht einer emittierenden Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 5 ist eine Querschnittansicht einer Einkapselung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 6 ist eine Querschnittansicht einer emittierenden Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 7 ist eine Querschnittansicht einer emittierenden Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 8 ist eine Draufsicht eines Emittergehäuses mit mehreren Chips.
  • 9 ist eine Querschnittansicht einer Einkapselung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 10 ist eine Querschnittansicht eines Emittergehäuses mit mehreren Chips gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 11 ist ein Graph, der die Versuchsergebnisse verschiedener Lichtstreupartikelkombinationen zeigt, die mit einem LED mit weißem Chip verwendet wurden.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung stellen eine verbesserte strahlungsemittierende Vorrichtung und insbesondere eine lichtemittierende Vorrichtung dar, die eine hervorragende Farbgleichmäßigkeit und eine verbesserte räumliche Farbmischung in mehrfarbigen Gehäusen aufweist. Die Ausführungsformen eignen sich besonders gut für die Verwendung mit weißes Licht emittierenden Dioden (LEDs) und mit verschiedenen mehrfarbigen LED-Gehäusen bei Anwendungen mit einem oder mehreren Chips. Ähnlich wie bei anderen LED-Vorrichtungen wird eine Vorspannung über die Vorrichtung angelegt und als Ergebnis einer strahlenden Rekombination im aktiven Bereich der Vorrichtung Licht emittiert. Es ist häufig wünschenswert, das von einer LED ausgestrahlte Licht, manchmal als Lichtpunkt bezeichnet, zu manipulieren. Einige Anwendungen erfordern einen Lichtpunkt mit einem hohen Grad an Farbtemperaturgleichmäßigkeit und, bei mehrfarbigen Gehäusen, eine gute räumliche Farbmischung. Vorrichtungen können auch dazu vorgesehen sein, einen Lichtpunkt mit einem speziell angepassten Muster auszugeben. Obwohl die meisten der hier erläuterten Vorrichtungen dazu vorgesehen sind, Strahlung im sichtbaren Spektrum zu emittieren, können einige Vorrichtungen Strahlung im infraroten, ultravioletten oder in anderen Bereichen emittieren. Der Begriff „Licht" wird aus praktischen Gründen verwendet und sollte, sofern nicht explizit anders angegeben, nicht so zu verstehen sein, dass die Ausstrahlung in Bereichen oder Teilbereichen außerhalb des sichtbaren Spektrums ausgeschlossen ist.
  • Eine Ausführungsform verbessert die Farbtemperaturgleichmäßigkeit und die räumliche Farbmischung unter Verwendung von Lichtstreupartikeln (LSPs) mit unterschiedlichen Größen und/oder unterschiedlichen Brechungsindizes. Üblicherweise variieren sowohl die Partikelgröße als auch der Brechungsindex bei unterschiedlichen Materialien. Die LSPs umgeben zumindest teilweise den/die Emitter, um im Wesentlichen das gesamte emittierte Licht zu streuen. Die LSPs können an vielen Stellen angeordnet sein, wie unten ausführlich erläutert.
  • Die Art und Weise, in der Partikel in einem gegebenen Wellenlängenbereich mit Licht zusammenwirken, ist ein Produkt der Partikelgröße und der Brechungsqualität des Materials (durch den Brechungsindex angegeben). Durch die Verwendung von Partikeln unterschiedlicher Größe kann mehr als ein Teilbereich des Lichts gestreut werden, was bei Vorrichtungen besonders nützlich ist, die über mehr als einen klar definierten Wellenlängenbereich emittieren. Die Funktion der LSPs besteht darin, das emittierte Licht zu randomisieren, indem es dazu gebracht wird, vom Weg abzuweichen, über den es ursprünglich von der Quelle emittiert wurde, wodurch eine verbesserte Farbtemperaturgleichmäßigkeit und eine verbesserte Farbmischung über den gesamten Betrachtungswinkelbereich bereitgestellt wird. In einer ähnlichen Weise können die LSPs so angeordnet werden, dass sie absichtlich ein ungleichmäßiges Farbtemperaturprofil für spezifische Anwendungen bilden. In diesem Zusammenhang gibt es im Allgemeinen drei Methoden zur Streuung des Lichts mit den LSPs: die Reflexion, die Brechung und die Diffraktion.
  • Reflexion ist die Richtungsänderung des Lichts an einer Schnittstelle zwischen Medien mit unterschiedlichen Brechungsindizes, so dass das Licht wieder in das Medium geleitet wird, von dem es erzeugt wurde. Wenn sich das in einem Medium bewegende Licht zu einer Schnittstelle mit einem anderen Material mit einem anderen Brechungsindex gelangt, wird das Licht zurück in das Medium umgelenkt. Bei den LSPs kann das Licht zurück in die Richtung umgelenkt werden, aus der es kommt, oder seitlich mit einem Winkel, in Abhängigkeit davon, wo das Licht gegen den Partikel stößt. Um Licht zu streuen, das möglicherweise emittiert wird, wird eine seitliche Streuung bevorzugt, so dass die Menge des Lichts, das zu absorbierenden Materialien zurückreflektiert (rückgestreut) wird, verringert ist.
  • Licht kann auch durch Brechung gestreut werden. Brechung ist die Richtungsänderung des Lichts aufgrund einer Änderung der Phasengeschwindigkeit (d. h. der Geschwindigkeit, mit der sich eine Welle in einem Medium ausbreitet). In diesem Zusammenhang findet eine Brechung statt, wenn sich Licht von einem Medium zu einem anderem Medium mit einem anderen Brechungsindex bewegt. Bei einer Ausführungsform wird Licht in ein Einkapselungsmedium emittiert, in dem es mit LSPs zusammenwirkt, die im gesamten Medium verteilt sind. Wenn das Licht in die LSPs dringt, ändert es seine Geschwindigkeit, was zu einer Richtungsänderung, also einer Streuung führt.
  • Licht kann auch durch Diffraktion gestreut werden. Diffraktion ist die Beugung von Licht um ein Objekt oder eine Öffnung herum aufgrund der wellenähnlichen Eigenschaften des Lichts. Wenn Licht nahe einem Objekt geleitet wird, beispielsweise nahe einem LSP, beugt sich das Licht um das Objekt und weicht von seinem ursprünglichen Weg ab, als es sich dem Objekt näherte. Bei großen Objekten ist der Beugungseffekt kaum bemerkbar. Wenn sich jedoch die Größe des Objekts der Wellenlänge des einfallenden Lichts nähert, wird das Phänomen deutlich. In diesem Zusammenhang kann das Licht, wenn die Größe der LSPs sich der halben Wellenlänge des einfallenden Lichts nähert, etwa fünf Mal so viel Licht beugen wie tatsächlich auf das Objekt trifft. Mit einem LSP mit geeigneter Größe kann somit der Diffraktionsbereich um den Partikel herum auf etwa das Fünffache des Partikeldurchmessers vergrößert werden. Um den vergrößerten Diffraktionsdurchmesser zu nutzen, muss die Größe des LSP für Licht mit einem besonderen Wellenlängenbereich oder Wellenlängenteilbereich sorgfältig ausgewählt werden.
  • Es ist zu verstehen, dass wenn ein Element wie eine Schicht, ein Bereich oder ein Substrat als „auf" einem anderen Element angeordnet beschrieben wird, dieses Element direkt auf dem anderen Element liegen kann oder auch dazwischenliegenden Elemente vorhanden sein können. Relative Begriffe wie „innere(r, s)", „äußere(r, s)", „obere(r, s)", „über", „untere(r, s)", „unter" und „unterhalb" und ähnliche Begriffe können zudem hier dazu verwendet werden, eine Beziehung einer Schicht oder eines anderen Bereichs zu beschreiben. Es ist zu verstehen, dass diese Begriffe zusätzlich zu der in den Figuren dargestellten Ausrichtung andere Ausrichtungen der Vorrichtung umfassen sollen.
  • Obwohl die Begriffe erste(r, s), zweite(r, s) usw. hier dazu verwendet werden können, verschiedene Elemente, Bauteile, Bereiche, Schichten und/oder Abschnitte zu beschreiben, sollten diese Elemente, Bauteile, Bereiche, Schichten und/oder Abschnitte durch diese Begriffe nicht eingeschränkt werden. Diese Begriffe werden lediglich dazu verwendet, ein Element, ein Bauteil, einen Bereich, eine Schicht, einen Abschnitt oder ein Merkmal von einem anderen Element, einem anderen Bauteil, einem anderen Bereich, einer anderen Schicht, einem anderen Abschnitt oder einem anderen Merkmal zu unterscheiden. Somit kann ein erstes Element, ein erstes Bauteil, ein erster Bereich, eine erste Schicht, einer erster Abschnitt oder ein erstes Merkmal, der/die/das unten beschrieben ist, als zweites Element, zweites Bauteil, zweiter Bereich, zweite Schicht, zweiter Abschnitt oder zweites Merkmal bezeichnet werden, ohne von den Lehren der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
  • Es ist anzumerken, dass die Begriffe „Schicht" und „Schichten" in der gesamten Anmeldung so verwendet werden, dass sie ausgetauscht werden können. Der Durchschnittsfachmann wird verstehen, dass eine einzige „Materialschicht" tatsächlich mehrere einzelne Materialschichten umfassen kann. Ebenso können mehrere „Materialschichten" funktional als eine einzige Schicht betrachtet werden. Mit anderen Worten bezeichnet der Begriff „Schicht" keine homogene Materialschicht. Eine einzelne „Schicht" kann verschiedene Streumaterialkonzentrationen und -zusammensetzungen enthalten, die sich in Unterschichten befinden. Diese Unterschichten können in einem einzigen Gestaltungsschritt oder in mehreren Schritten gebildet werden. Sofern nicht ausdrücklich anders angegeben, ist nicht beabsichtigt, den Umfang der Erfindung, wie er in den Ansprüchen dargestellt ist, durch die Beschreibung eines Elements als Element mit einer „Materialschicht" oder mit „Materialschichten" zu beschränken.
  • Ausführungsformen der Erfindung sind hier mit Bezug auf Abbildungen in Querschnittansicht beschrieben, die schematische Abbildungen von idealisierten Ausführungsformen der Erfindung sind. Somit werden Abweichungen von den Formen der Abbildungen beispielsweise aufgrund von Herstellungstechniken und/oder Herstellungstoleranzen erwartet. Ausführungsformen der Erfindung sollten nicht als auf die hier veranschaulichten besonderen Formen der Bereiche oder Partikel beschränkt zu verstehen sein, sondern sollen Formabweichungen umfassen, die sich beispielsweise bei der Herstellung ergeben. Beispielsweise hat ein Bereich, der als rechteckig veranschaulicht oder beschrieben ist, aufgrund der normalen Herstellungstoleranzen üblicherweise abgerundete oder gebogene Merkmale. Somit sind die in den Figuren veranschaulichten Bereiche schematischer Art, wobei ihre Form nicht die genaue Form eines Bereichs oder Partikels veranschaulichen und nicht den Umfang der Erfindung einschränken soll.
  • 2 zeigt eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen emittierenden Vorrichtung 200. Der Emitter 202 ist auf einer Fläche 204, beispielsweise auf einem Substrat oder einer Leiterplatte angeordnet. Der Emitter 202 kann eine LED, ein oberflächenemittierender Laser mit Vertikalresonator (Vertical Cavity Surface-Emitting-Laser [VCSEL]) oder ein anderer emittierender Vorrichtungstyp sein. Der Emitter 202 emittiert ein Lichtspektrum, das einen einzigen Wellenlängenbereich oder mehrere Wellenlängenteilbereiche umfassen kann. Bei dieser besonderen Ausführungsform sind LSPs 206, 208 einer ersten und einer zweiten Größe in einer ganzen Einkapselung 210 verteilt und umgeben zumindest teilweise den Emitter 202. Die LSPs können auch in anderen Medien um den Emitter herum liegen, wie unten ausführlich beschrieben ist.
  • Der Emitter 202 emittiert ein Lichtspektrum. Die Lichtstrahlen L1–L3 stellen dar, wie ein Teil des Lichts mit den LSPs 206, 208 zusammenwirken könnte. Ein erster Teil des Spektrums wird hauptsächlich von der ersten Größe der Partikel 206 beeinflusst, wie mit dem Lichtstrahl 13 gezeigt ist. Ein zweiter Teil des Spektrums wird hauptsächlich von der zweiten Größe der Partikel 208 beeinflusst, wie mit dem Lichtstrahl L2 gezeigt ist. Ein Teil des emittierten Lichts wird von beiden Größen der Partikel 206, 208 beeinflusst, wie mit dem Lichtstrahl L1 gezeigt ist. Die LSP-Materialien sollten entsprechend den Eigenschaften des Spektrums des Emitters 202 und der gewünschten Ausstrahlung aus der Vorrichtung 200 ausgewählt werden.
  • Bei dieser Ausführungsform umfasst die Einkapselung 210 mindestens drei verschiedene Materialien. Ein Medium 212 verleiht der Einkapselung 210 die Form. Eine bevorzugte Form für die Einkapselung 210 ist eine Halbkugel mit einer gebogenen und einer flachen Fläche. Es können jedoch auch viele andere Einkapselungsformen verwendet werden, beispielsweise eine flache oder plankonvexe Form. Das Medium 212 umfasst thermisch oder optisch härtbare Materialien, wie etwa transparentes Epoxidharz, transparentes Silikon, transparentes Glas, transparenten Kunststoff oder jegliches andere transparente Medium. Die LSPs 206, 208 sind im gesamten Medium 212 verteilt.
  • Die Streupartikel 206, 208 können viele verschiedene Materialien umfassen. Dazu gehören:
    Kieselgel;
    Zinkoxid (ZnO);
    Yttriumoxid (Y2O3);
    Titandioxid (TiO2);
    Bariumsulfat (BaSO4);
    Aluminiumoxid (Al2O3);
    Quarzglas (SiO2);
    Quarzstaub (SiO2);
    Aluminiumnitrid;
    Glaskugeln;
    Zirconiumdioxid (ZrO2);
    Siliciumcarbid (SiC);
    Tantaloxid (TaO5);
    Siliciumnitrid (Si3N4);
    Nioboxid (Nb2O5);
    Bornitrid (BN); oder
    Phosphorpartikel (z. B. YAG:Ce, BOSE)
  • Weitere Materialien, die nicht aufgeführt sind, können auch verwendet werden. Verschiedene Materialkombinationen oder Kombinationen aus verschiedenen Formen des gleichen Materials können verwendet werden, um einen besonderen Streueffekt zu erzielen. Bei einer Ausführungsform kann beispielsweise eine erste Vielzahl von LSPs Aluminiumoxid und eine zweite Vielzahl von LSPs Titandioxid umfassen. Bei einer weiteren beispielhaften Ausführungsform kann die erste Vielzahl von LSPs Rutil-Titandioxid umfassen, währen die zweite Vielzahl von LSPs kristallines Titandioxid umfasst. Obwohl die emittierende Vorrichtung 200 lediglich zwei verschiedene LSP-Größen umfasst, können mehr Größen verwendet werden, um eine gewünschte Ausstrahlung zu erhalten.
  • Diese LSPs 206, 208 sollten in Bezug auf das umgebende Medium 212 einen hohen Brechungsindex haben, wodurch eine hohe Brechungsindexdifferenz zwischen den Materialien erzeugt wird. Da die Indexdifferenz zu einer Brechung führt, wäre es auch möglich, ein LSP-Material mit einem geringen Brechungsindex in Bezug auf das umgebende Medium 212 zu verwenden. Die LSPs 206, 208 erzeugen lokalisierte Ungleichmäßigkeiten im Medium 212, die das Licht dazu zwingen, von einem geraden Weg abzuweichen.
  • Wenn das Licht auf einen oder mehrere der Streupartikel 206, 208 auftrifft, führt die Brechungsindexdifferenz zwischen dem Medium 212 und den Partikeln 206, 208 dazu, dass das Licht bricht und sich in eine andere Richtung bewegt. Eine hohe Brechungsindexdifferenz erzeugt eine drastischere Richtungsänderung für ein einfallendes Photon. Aus diesem Grund haben Materialien mit einem hohen Brechungsindex in Medien wie Silikon oder Epoxidharz eine gute Wirkung. Ein weiterer Gesichtspunkt bei der Auswahl eines Lichtstreuungsmaterials ist die Lichtabsorption des Materials. Große Partikel streuen einen größeren Teil des Lichts zurück in das Gehäuse, bevor es aus der Einkapselung 200 austreten kann, wodurch die gesamte Lichtausstrahlung der Vorrichtung verringert wird. Somit haben bevorzugte Streupartikelmaterialien einen hohen Brechungsindex in Bezug auf das Medium und eine Partikelgröße, die mit der Wellenlänge des Lichts, das sich in der Einkapselung 210 ausbreitet, vergleichbar ist. Eine ideale Kombination der LSPs gewährleistet für ein gegebenes Spektrum einen maximalen Streueffekt nach vorne oder zur Seite und minimiert dabei den Lichtverlust aufgrund einer Rückstreuung und einer Absorption.
  • Je nach Vorgabe durch die Anwendung können verschiedene Anteile bei der Zusammensetzung der LSPs 206, 208 verwendet werden. In Abhängigkeit von den verwendeten Materialien liegen die LSPs 206, 208 üblicherweise in einer Konzentration von 0,01 bis 0,2 Vol.-% vor. Es können andere Konzentrationen verwendet werden. Der Verlust durch Absorption steigt jedoch mit der Konzentration der Streupartikel. Somit sollten die Konzentrationen der LSPs so gewählt sein, dass ein akzeptabler Verlustwert beibehalten wird.
  • 3 veranschaulicht eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen lichtemittierenden Vorrichtung 300. Ein Emitter 302 ist auf einer Fläche 304 angeordnet. Eine Schicht 306 eines Wellenlängenumwand lungsmaterials, beispielsweise eine Leuchtstoffschicht, liegt auch auf der Fläche 304 und umgibt teilweise den Emitter 302. Diese Umwandlungsschicht 306 wirkt mit Licht zusammen, das von dem Emitter 302 ausgestrahlt wird, und wandelt einen Teil des Licht abwärts um, um ein ausgehendes Spektrum zu erzeugen, das sich von demjenigen des Emitters 302 unterscheidet. Es gibt viele auf dem Fachgebiet bekannte Umwandlungsverfahren. Bei dieser Ausführungsform sind zwei verschiedene Größen der LSPs 208, 210 in der gesamten Wellenlängenumwandlungsschicht 306 verteilt. Obwohl dies in dieser Figur nicht gezeigt ist, kann die Vorrichtung 300 auch teilweise von einer Einkapselung oder einem Linsenelement umgeben sein. Diese Elemente können zusätzliche LSPs umfassen oder nicht, die in diesen Elementen eingebettet sind.
  • Die in 3 gezeigte Vorrichtung 300 emittiert zwei diskrete Spektren. Das erste Spektrum wird direkt vom Emitter 302 ausgestrahlt. Ein zweites Spektrum wird als Ergebnis des Abwärtsumwandlungsvorgangs von der Vorrichtung 300 emittiert. Bei einer bekannten Emitterausgestaltung wird ein Emitter verwendet, der Licht im blauen Bereich ausstrahlt. Wenn sich das blaue Licht im Umwandlungsmaterial ausbreitet, wird ein Teil davon abwärts in gelbes Licht umgewandelt. Die beiden Teilspektren vereinigen sich, was zur Ausstrahlung von weißem Licht führt. Bei dieser besonderen Ausführungsform gibt es zwei verschiedene LSP-Größen, den dem blauen und dem gelben Teilspektrum entsprechen. Die LSPs können so ausgewählt sein, dass sie einen deutlichen Streueffekt über beide Wellenlängenbereiche erzeugen, um eine bessere räumliche Farbmischung über das gesamte ausgegebene Profil zu bewirken.
  • 4 zeigt eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen emittierenden Vorrichtung 400. Ein Emitter 402 ist auf einer Fläche 404 angeordnet. Ein Linsenelement 406 ist über dem Emitter 402 so positioniert, dass ein Teil des Lichts aus dem Emitter 402 mit dem Linsenelement 406 zusammenwirkt und geformt oder in sonstiger Weise verändert wird. Das Licht kann beispielsweise zu einem parallel ausgerichteten Strahlenbündel geformt oder auf eine besondere Stelle außerhalb der Vorrichtung 400 fokussiert sein. Bei dieser Ausführungsform besitzt das Linsenelement eine plankonvexe Struktur. Diese Ausgestaltung ist lediglich beispielhaft, da der Lichtstrahl durch die Verwendung unterschiedlicher Strukturen und Materialien als Linsenelemente auf viele Weisen verändert werden kann.
  • Bei der Vorrichtung 400 gibt es zwei verschiedene Größen der LSPs 408, 410, die im gesamten Linsenelement 406 verteilt sind. Ähnlich wie oben erläutert, wirken die LSPs 408, 410 mit verschiedenen Teilspektren des Emitters 402 zusammen, um das Licht zu streuen und die Gleichmäßigkeit der ausgegebenen Farbe über den gesamten Betrachtungswinkelbereich zu verbessern.
  • 5 veranschaulicht eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Einkapselung 500. Die Einkapselung 500 kann zusammen mit einem Emitter, ähnlich der Vorrichtung 200 aus 2, verwendet werden. Es werden drei verschiedene Größen von LSPs 502, 504, 506 im gesamten Einkapselungsmedium 508 gestreut. Die Einkapselung 500 kann mit Emittergehäusen mit einem oder mehreren Chips verwendet werden, um Licht über mindestens drei verschiedene Teilspektren zu streuen, wodurch eine bessere räumliche Farbmischung geschaffen wird. Zusätzliche LSPs unterschiedlicher Größen können hinzugefügt werden, um über zusätzliche Wellenlängenbereiche zu streuen.
  • 6 zeigt eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen emittierenden Vorrichtung 600. Ein Emitter 602 ist zumindest teilweise von einer Wellenlängenumwandlungsschicht 604, wie etwa einer Leuchtstoffschicht, bedeckt. Licht mit einem ersten Wellenlängenbereich wird von dem Emitter 602 emittiert und dringt durch die Umwandlungsschicht 604, wobei ein Teil dieses Lichts in Licht mit einem zweiten Wellenlängenbereich umgewandelt wird.
  • Es sind zwei Lichtstrahlen P1, P2 gezeigt, um zwei beispielhafte Wege darzustellen, über die sich Licht in der Vorrichtung 600 bewegen kann. Der Lichtstrahl P1 hat eine Wellenlänge im ersten Bereich, und die Wellenlänge von P2 liegt im zweiten Bereich. Der Lichtstrahl P1 wird von dem Emitter 602 emittiert und dringt durch die Umwandlungsschicht 604, ohne umgewandelt zu werden. Der Lichtstrahl P1 wird dann in die Einkapselung 606 geleitet, wo eine Wahrscheinlichkeit besteht, dass er mit den LSPs 608, 610 zusammenwirkt, die im gesamten Einkapselungsmedium 612 verteilt sind. Der Lichtstrahl P1 wirkt mit einem LSP 608 zusammen und weicht von seinem ursprünglichen Weg ab. Der Lichtstrahl P2 wird emittiert und in der Umwandlungsschicht 604 abwärts umgewandelt. Der Strahl P2 tritt dann in die Einkapselung 606 ein, wo er mit einem LSP 610 zusammenwirkt und von seinem ursprünglichen Weg abgelenkt wird. Das Vorhandensein von zwei verschiedenen Größen der LSPs 608, 610 verstärkt die Randomisierung der Wege des Lichts aus beiden Wellenlängenteilbereichen.
  • 7 veranschaulicht eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen emittierenden Vorrichtung 700. Die Vorrichtung 700 weist mehrere Emitter 702, 704 auf, die beide auf einer gemeinsamen Fläche 706 angeordnet sind. Die Emitter 702, 704 können die gleiche Farbe oder unterschiedliche Farben haben. Eine mögliche Anordnung umfasst einen grünen Emitter und einen blauen Emitter. Die Wellenlängenbereiche dieser Emitter können kombiniert werden, um weißes Licht abzugeben, wenn eine gute Farbmischung erhalten wird. Eine weitere Anordnung kann einen roten und einen weißen Emitter umfassen. Eine derartige Kombination kann dazu verwendet werden, „warmes" weißes Licht zu emittieren, das eine leichte rötliche oder orangefarbene Färbung hat. Es können weitere Kombinationen wie ein rot-grün-blaues Gehäuse (RGB) oder ein rot-grün-grün-blaues Gehäuse (RGGB) verwendet werden. Zahlreiche weitere Kombinationen farbiger Emitter sind möglich. Bei einigen Anwendungen ist es wünschenswert, eine Farbkombination zu wählen, die dazu verwendet werden kann, eine Vorrichtung mit einem hervorragenden Farbwiedergabeindex („Ra") zu schaffen. Lichtquellen mit einem hervorragenden Ra sind zur Beleuchtung von Motiven nützlich, in denen die genauen Farben im Motiv von Bedeutung sind.
  • Eine Einkapselung 708 ist über den Emittern 702, 704 angeordnet und umgibt diese zumindest teilweise. Mehrere Größen von LSPs 710, 712 sind in einem ganzen Einkapselungsmedium 714 verteilt. Da die Emitter 702, 704 an verschiedenen Stellen und bezüglich der Einkapselung 708 außermittig angeordnet sind, ist es bei mehrfarbigen Ausführungsformen wichtig, das von den beiden Quellen emittierte Licht wirksam zu streuen, so dass keine Farbmuster im Lichtpunkt erscheinen. Aufgrund der Geometrie der meisten Einkapselungen oder Linsenelemente benötigt ein außermittig angeordneter Emitter eine stärkere Streuung, um eine gute räumliche Farbmischung zu erzielen. Bei dieser Ausführungsform emittieren die Emitter 702, 704 zwei verschiedene Lichtfarben. Die von dem Emitter 702 austretenden Lichtstrahlen wirken effizienter mit den kleineren LSPs 712 zusammen, während die Strahlen aus dem Emitter 704, wie gezeigt, mit den größeren LSPs 710 stärker gestreut werden. Die LSPs 710, 712 können, wie in 7 gezeigt, homogen im gesamten Medium 714 verteilt sein, oder sie können inhomogen im gesamten Medium 714 verteilt sein, wie nachfolgend mit Bezug auf 9 erläutert ist.
  • 8 zeigt eine Ausführungsform eines Emitterchipgehäuses 800 mit drei weißen Emittern (W) und drei roten Emittern (R), die in einem Muster auf einer Fläche 802 angeordnet sind. Obwohl jeder der Emitter in alle Richtungen weg von der Fläche 802 emittieren kann, würde die Position der Emitter ein sichtbares Farbmuster im ausgegebenen Lichtpunkt erzeugen, wenn kein Randomisierungsmechanismus, wie etwa ein Streuelement, vorhanden wäre. Um die resultierende ungleichmäßige Verteilung der Farbe im ausgegeben Licht zu kompensieren, können (nicht gezeigte) LSPs inhomogen in einem Medium verteilt sein, das die Emitter zumindest teilweise umgibt. LSPs einer bestimmten Größe können in Bereichen konzentriert sein, in denen eine höhere Wahrscheinlichkeit besteht, dass sich Licht mit einer besonderen Wellenlänge ausbreitet.
  • 9 ist eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Einkapselung 900. Die Einkapselung 900 kann mit einem Emittergehäuse mit einem oder mehreren Chips verwendet werden. Bei einigen Ausgestaltungen kann es vorteilhaft sein, LSPs einer bestimmten Größe in einem Bereich zu bündeln, um die Streuung einer Lichtfarbe zu verstärken, die möglicherweise aufgrund der Anordnung eines entsprechenden Emitters in diesem Bereich konzentriert ist. Eine inhomogene Mischung kann mehrere unterschiedliche Größen von LSP umfassen, die nicht gleichmäßig im gesamten Medium verteilt sind. Die inhomogene Mischung der LSPs 902, 904 unterschiedlicher Größe kann für eine Korrektur verwendet werden, um besondere Farbmuster im ausgegebenen Lichtpunkt zu erhalten. Die in der Einkapselung 900 gezeigte Ausgestaltung ist lediglich beispielhaft und zeigt eine mögliche inhomogene Mischung von LSPs. Sie muss nicht zwangsläufig einer besonderen Emitteranordnung entsprechen. Einige Ausgestaltungen von inhomogenen Mischungen können dazu dienen, die räumliche Farbmischung zu verbessern. Andere können dazu dienen, ein speziell angepasstes Ausgangsmuster im Lichtpunkt zu erzeugen.
  • 10 veranschaulicht eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen polychromatischen Emittergehäuse 1000 mit mehreren Chips. Mehrere Emitterchips 1002, 1004, 1006 sind auf einer gemeinsamen Fläche 1008 angeordnet, wie etwa auf einem Substrat oder einer Leiterplatte. Das Gehäuse 1000 weist Chips mit mindestens zwei verschiedenen Farben auf. In 10 emittiert beispielsweise jeder Chip ein anderes Spektrum. Die Chips 1002, 1004, 1006 sind, wie gezeigt, einzeln eingekapselt. Jede der Einkapselungen 1010, 1012, 1014 umfasst LSPs 1016, die im gesamten Einkapselungsmedium verteilt sind. Die LSPs 1016 unterschiedlicher Größe werden dazu verwendet, die verschiedenen, von jedem Chip emittierten Spektren wirksam zu streuen.
  • Die LSPs 1016 in jeder Einkapselung werden auf Grundlage ihrer Eigenschaften ausgewählt, um eine wirksame Streuung für den Chip, den sie umgeben, zu erzielen. Der Emitter 1002 ist beispielsweise von einer Einkapselung 1010 umgeben, die relativ große LSPs 1016 aufweist. Die Einkapselung 1012, die den Emitter 1004 umgibt, weist relativ kleine LSPs 1016 auf. Der Emitter 1006 entspricht der Einkapselung 1014, die zwei verschiedene Größen der LSPs 1016 umfasst. Die in 10 gezeigte Ausgestaltung ist lediglich beispielhaft. Es sind viele verschiedene Kombinationen möglich.
  • Durch die separate Gruppierung der LSPs 1016 um die verschiedenen Emitter 1002, 1004, 1006 können die einzelnen Emitterspektren speziell angepasst werden. Diese Teilspektren können dann kombiniert werden, um ein maßgeschneidertes Spektrum mit guter räumlicher Farbmischung zu emittieren. Diese LSPs 1016 mit unterschiedlichen Größen können auch in anderen Strukturen als Einkapselungen um die Emitter herum gruppiert sein. Wie oben erläutert, können die LSPs beispielsweise in einer ganzen Umwandlungsschicht und in einem ganzen Linsenelement verteilt sein.
  • 11 ist ein Graph der Versuchsergebnisse von drei verschiedenen Auswahlmöglichkeiten der LSPs für die gleiche Nennfarbe des Lichts. Die Quelle emittiert in diesem Fall Licht mit einer korrelierten Farbtemperatur (CCT) von 6450 K (d. h. im kalten weißen Bereich). Der Graph zeigt die korrelierte Farbtemperatur in Kelvin in Abhängigkeit vom Betrachtungswinkel Theta in Grad von –90° bis 90°.
  • Eine Auswahl von LSPs umfasst Aluminiumoxidpartikel (0,1 Vol.-%) mit einem Durchmesser im Submikrometerbereich. Die korrelierte Farbtemperatur liegt im Bereich von etwa 5100 K bis 6400 K, wobei die höchsten korrelierten Farbtemperaturen nahe der Mittelachse der Einkapselung (d. h. bei 0°) erscheinen. Somit ist die ausgegebene korrelierte Farbtemperatur über etwa 1300 K verteilt.
  • Eine weitere Auswahl von LSPs umfasst Aluminiumoxidpartikel (0,075 Vol.-%) mit Durchmesser im Bereich von 1 bis 2 μm. Die ausgegebene korrelierte Farbtemperatur liegt im Bereich zwischen etwa 5600 K bis 6200 K bei einem Differenzbereich von etwa 600 K. Zwei große Buckel erscheinen bei größeren Betrachtungswinkeln, was darauf hindeutet, dass das Licht, das bei den größeren Betrachtungswinkeln emittiert wird, eine bläulichere Färbung hat als das Licht, das bei Winkeln im mittleren Bereich emittiert wird. Eine korrelierte Farbtemperatur im Bereich von 600 K ist zwar relativ gut, die Verteilung über den gesamten Betrachtungswinkelbereich ist jedoch nicht gleichmäßig.
  • Eine weitere Auswahlmöglichkeit von LSPs umfasst eine Mischung von Partikeln mit zwei verschiedenen Größen. Die Kombination umfasst sowohl Aluminiumoxidpartikel im Submikrometerbereich (Submikron-Aluminiumoxidpartikel) (0,14 Vol.-%) als auch Aluminiumoxidpartikel im Bereich von 1 bis 2 μm (0,08 Vol.-%). Die ausgegebene korrelierte Farbtemperatur liegt in einem Bereich von 5700 K bis 6100 K bei einem Differenzbereich von etwa 400 K. Es ist auch anzumerken, dass die Verteilung der korrelierten Farbtemperatur relativ gleichmäßig über den gesamten Betrachtungswinkelbereich verteilt ist, mit lediglich kleinen Buckeln bei den größeren Winkeln. Durch die Verwendung von LSPs mit mehr als einer Größe wird somit eine gleichmäßigere Verteilung der Farbtemperatur erhalten, die auf eine gute Farbmischung in der Einkapselung hindeutet.
  • Die vorliegende Erfindung wurde zwar anhand bestimmter bevorzugter Ausführungsformen dieser Erfindung ausführlich beschrieben, es sind jedoch andere Varianten möglich. Somit sollten der Gedanke und der Umfang der Erfindung nicht auf die oben beschriebenen Varianten beschränkt werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - US 05-2-5507 [0001]
    • - US 5959316 [0004]

Claims (42)

  1. Emittierende Vorrichtung mit: mindestens einem Emitter, der ein Strahlungsspektrum emittiert; einer ersten Vielzahl von Streupartikeln einer ersten Größe, die zumindest teilweise den mindestens einen Emitter umgeben; und einer zweiten Vielzahl von Streupartikeln einer zweiten Größe, die zumindest teilweise den mindestens einen Emitter umgeben; wobei entsprechende Teile der von dem Emitter emittierten Strahlung mit der ersten und der zweiten Vielzahl von Streupartikeln zusammenwirken.
  2. Emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der das emittierte Spektrum sichtbares Licht umfasst.
  3. Emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, die ferner zusätzliche Vielzahlen von Streupartikeln aufweist, so dass die emittierende Vorrichtung Streupartikel mit mindestens drei verschiedenen Größen aufweist.
  4. Emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die erste Vielzahl von Lichtstreupartikeln mit Strahlung zusammenwirkt, die innerhalb eines ersten Wellenlängenbereichs emittiert wird, und die zweite Vielzahl von Lichtstreupartikeln mit Strahlung zusammenwirkt, die innerhalb eines zweiten Wellenlängenbereichs emittiert wird.
  5. Emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, die ferner mehrere Emitter aufweist, wobei jeder der Emitter ein entsprechendes Strahlungsspektrum emittiert.
  6. Emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die erste und die zweite Vielzahl von Lichtstreupartikeln in einer Einkapselung angeordnet sind, die so ausgelegt ist, dass im Wesentlichen die gesamte emittierte Strahlung durch die Einkapselung durchtritt.
  7. Emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die erste und die zweite Vielzahl von Lichtstreupartikeln in einer Wellenlängenumwandlungsschicht liegen, die den mindestens einen Emitter zumindest teilweise umgibt.
  8. Emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die erste und die zweite Vielzahl von Lichtstreupartikeln in einem Linsenelement liegen, das mit der emittierten Strahlung zusammenwirkt.
  9. Emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die erste Vielzahl von Lichtstreupartikeln Aluminiumoxid (Al2O3) umfasst.
  10. Emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die erste und die zweite Vielzahl von Lichtstreupartikeln homogen vermischt sind.
  11. Emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die erste Streupartikelgröße so ausgewählt ist, dass die Summe der bei allen Wellenlängen gestreuten Strahlung in einem ersten Teilspektrum im Wesentlichen maximiert ist.
  12. Emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die zweite Streupartikelgröße so ausgewählt ist, dass die Summe der bei allen Wellenlängen gestreuten Strahlung in einem zweiten Teilspektrum im Wesentlichen maximiert ist.
  13. Emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die erste Vielzahl von Streupartikeln den Emitter gemäß einer ersten Partikeldichte zumindest teilweise umgibt.
  14. Emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die zweite Vielzahl von Streupartikeln den Emitter gemäß einer zweiten Partikeldichte zumindest teilweise umgibt.
  15. Emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Dichte der ersten Vielzahl von Partikeln und die Dichte der zweiten Vielzahl von Partikeln gemäß einem Dichteverhältnis in Beziehung stehen.
  16. Emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die erste Vielzahl von Streupartikeln Aluminiumoxidpartikel aufweist, wobei die Aluminiumoxidpartikel Durchmesser in einem Bereich von etwa 1 bis 2 Mikrometer haben und mit etwa 0,08 Vol.-% in einem Medium verteilt sind, das den mindestens einen Emitter umgibt.
  17. Emittierende Vorrichtung nach Anspruch 16, bei der die zweite Vielzahl von Streupartikeln Aluminiumoxidpartikel im Submikrometerbereich aufweist, wobei die Submikron-Aluminiumoxidpartikel Durchmesser von weniger als etwa 1 Mikrometer haben und mit etwa 0,14 Vol.-% in dem Medium verteilt sind.
  18. Lichtemittierende Vorrichtung mit: mindestens einem Lichtemitter; einer Einkapselung, die so ausgelegt ist, dass im Wesentlichen das gesamte von dem Lichtemitter emittierte Licht durch die Einkapselung hindurchtritt; und einer Vielzahl von Streupartikeln, die in der gesamten Einkapselung angeordnet sind, wobei die Vielzahl von Streupartikeln mindestens zwei verschiedene Partikelgrößen haben.
  19. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 18, wobei der mindestens eine Lichtemitter mehrere Lichtemitter aufweist, die mindestens zwei verschiedene Farben ausstrahlen.
  20. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 18, bei der die verschiedenen Streupartikel unterschiedlicher Größe in der Einkapselung homogen vermischt sind.
  21. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 18, bei der die verschiedenen Streupartikel unterschiedlicher Größe in der Einkapselung inhomogen vermischt sind.
  22. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 18, wobei der mindestens eine Emitter mindestens einen rotes Licht ausstrahlenden Emitter und mindestens einen weißes Licht ausstrahlenden Emitter aufweist.
  23. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 18, bei der die Einkapselung Strahlformungseigenschaften hat.
  24. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 18, wobei die Vielzahl von Streupartikeln Aluminiumoxid (Al2O3) umfasst.
  25. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 18, bei der die verschiedenen Streupartikelgrößen gemäß einer entsprechenden Partikeldichte in der Einkapselung liegen, wobei jede Streupartikelgröße einer jeweiligen Partikeldichte entspricht.
  26. Emittierende Vorrichtung nach Anspruch 18, bei der die Vielzahl von Streupartikeln eine erste und eine zweite Größe von Aluminiumoxidpartikeln umfasst, wobei die erste Größe Durchmesser im Bereich von etwa 1 bis 2 Mikrometer hat und mit etwa 0,08 Vol.-% in der Einkapselung verteilt ist und die zweite Größe Durchmesser von weniger als etwa 1 Mikrometer hat und mit etwa 0,14 Vol.-% in der Einkapselung verteilt ist.
  27. Einkapselung mit: einem ersten Material, das die Form der Einkapselung definiert, wobei das erste Material einen ersten Brechungsindex hat; einem zweiten Material mit Teilchencharakter, das im ersten Material verteilt ist, wobei das zweite Material einen zweiten Brechungsindex hat; und einem dritten Material mit Teilchencharakter, das im ersten Material verteilt ist, wobei das dritte Material einen dritten Brechungsindex hat.
  28. Einkapselung nach Anspruch 27, die ferner zusätzliche Materialien mit Teilchencharakter umfasst, so dass die Einkapselung Streupartikel mit mindestens drei verschiedenen Brechungsindizes aufweist.
  29. Einkapselung nach Anspruch 27, bei der das zweite und das dritte Material im gesamten ersten Material homogen vermischt sind.
  30. Einkapselung nach Anspruch 27, bei der das zweite und das dritte Material im gesamten ersten Material inhomogen vermischt sind.
  31. Einkapselung nach Anspruch 27, bei der das zweite Material gemäß einer entsprechenden Partikeldichte im gesamten ersten Material angeordnet ist.
  32. Einkapselung nach Anspruch 27, bei der das dritte Material gemäß einer entsprechenden Partikeldichte im gesamten ersten Material angeordnet ist.
  33. Einkapselung nach Anspruch 27, bei der die Partikeldichte des zweiten Materials gemäß einem Verhältnis mit der Partikeldichte des dritten Materials in Beziehung steht.
  34. Einkapselung mit: einem ersten Material, das die Form der Einkapselung definiert; einem zweiten Material mit Teilchencharakter, das im ersten Material verteilt ist, wobei das zweite Material Partikel mit einer durchschnittlichen Größe aufweist; und einem dritten Material mit Teilchencharakter, das im ersten Material verteilt ist, wobei das dritte Material Partikel mit einer durchschnittlichen Größe aufweist, welche sich von derjenigen der Partikel im zweiten Material unterscheidet.
  35. Einkapselung nach Anspruch 34, die ferner zusätzliche Materialien mit Teilchencharakter umfasst, so dass die Einkapselung Materialien mit mindestens drei verschiedenen Partikelgrößen aufweist.
  36. Einkapselung nach Anspruch 34, bei der das zweite und das dritte Material im gesamten ersten Material homogen vermischt sind.
  37. Einkapselung nach Anspruch 34, bei der das zweite und das dritte Material im gesamten ersten Material inhomogen vermischt sind.
  38. Einkapselung nach Anspruch 34, bei der das zweite Material gemäß einer entsprechenden Partikeldichte im gesamten ersten Material angeordnet ist.
  39. Einkapselung nach Anspruch 34, bei der das dritte Material gemäß einer entsprechenden Partikeldichte im gesamten ersten Material angeordnet ist.
  40. Einkapselung nach Anspruch 34, bei der die Partikeldichte des zweiten Materials gemäß einem Verhältnis mit der Partikeldichte des dritten Materials in Beziehung steht.
  41. Emittierende Vorrichtung nach Anspruch 34, bei der das zweite Material Aluminiumoxidpartikel aufweist, wobei die Aluminiumoxidpartikel Durchmesser im Bereich von etwa 1 bis 2 Mikrometer haben und mit etwa 0,08 Vol.-% im ersten Material verteilt sind.
  42. Emittierende Vorrichtung nach Anspruch 34, bei der das dritte Material Aluminiumoxidpartikel im Submikrometerbereich aufweist, wobei die Submikron-Aluminiumoxidpartikel Durchmesser von weniger als etwa 1 Mikrometer haben und mit etwa 0,14 Vol.-% im ersten Material verteilt sind.
DE102008029318A 2007-08-24 2008-06-20 Lichtemittierende Vorrichtungsgehäuse, die Lichtstreupartikel unterschiedlicher Grösse verwenden Withdrawn DE102008029318A1 (de)

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US11/895,573 2007-08-24

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DE102008029318A Withdrawn DE102008029318A1 (de) 2007-08-24 2008-06-20 Lichtemittierende Vorrichtungsgehäuse, die Lichtstreupartikel unterschiedlicher Grösse verwenden

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US (1) US11114594B2 (de)
JP (2) JP5091023B2 (de)
DE (1) DE102008029318A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017117536A1 (de) * 2017-08-02 2019-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070850B2 (en) * 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US7910940B2 (en) * 2005-08-05 2011-03-22 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US11210971B2 (en) * 2009-07-06 2021-12-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Light emitting diode display with tilted peak emission pattern
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US7635915B2 (en) 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
US8735920B2 (en) * 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US20080029720A1 (en) 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
US8367945B2 (en) * 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US9711703B2 (en) * 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US7791093B2 (en) * 2007-09-04 2010-09-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US9287469B2 (en) * 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
US8049230B2 (en) 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
KR20110028307A (ko) * 2008-05-29 2011-03-17 크리 인코포레이티드 근거리장 영역 혼합을 갖는 광원
CN101621054A (zh) * 2008-07-01 2010-01-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管光源装置
DE102008054029A1 (de) * 2008-10-30 2010-05-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
CN101771025A (zh) * 2008-12-26 2010-07-07 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管
JP2010231938A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Panasonic Electric Works Co Ltd Led照明装置
US20140175377A1 (en) * 2009-04-07 2014-06-26 Soraa, Inc. Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
JP5543157B2 (ja) * 2009-08-25 2014-07-09 日東光学株式会社 光学素子および発光装置
US8258524B2 (en) * 2010-01-26 2012-09-04 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting diode device
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
CN102237469A (zh) * 2010-04-29 2011-11-09 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的封装结构
CN101894898B (zh) * 2010-06-13 2013-07-17 深圳雷曼光电科技股份有限公司 一种led及其封装方法
DE102010034923A1 (de) * 2010-08-20 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Schichtverbunds aus einer Lumineszenzkonversionsschicht und einer Streuschicht
US8297767B2 (en) * 2010-09-07 2012-10-30 Xicato, Inc. LED-based illumination modules with PTFE color converting surfaces
US20120068187A1 (en) * 2010-09-20 2012-03-22 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices with improved color uniformity and methods of manufacturing
WO2012047937A1 (en) * 2010-10-05 2012-04-12 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion
US9546765B2 (en) 2010-10-05 2017-01-17 Intematix Corporation Diffuser component having scattering particles
US8610341B2 (en) 2010-10-05 2013-12-17 Intematix Corporation Wavelength conversion component
US8614539B2 (en) 2010-10-05 2013-12-24 Intematix Corporation Wavelength conversion component with scattering particles
US8604678B2 (en) 2010-10-05 2013-12-10 Intematix Corporation Wavelength conversion component with a diffusing layer
US8957585B2 (en) 2010-10-05 2015-02-17 Intermatix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
CN102451812B (zh) * 2010-10-26 2014-02-19 展晶科技(深圳)有限公司 荧光粉涂布方法
DE102010061801A1 (de) * 2010-11-23 2012-05-24 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit gemeinsamem Farbumwandlungsmodul für wenigstens zwei LED-Chips
JPWO2013105514A1 (ja) * 2012-01-13 2015-05-11 コニカミノルタ株式会社 Led装置
JP2013232479A (ja) 2012-04-27 2013-11-14 Toshiba Corp 半導体発光装置
US20140185269A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Intermatix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
WO2014151263A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Intematix Corporation Photoluminescence wavelength conversion components
DE102013103416A1 (de) * 2013-04-05 2014-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe
US9231168B2 (en) * 2013-05-02 2016-01-05 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode package structure
CN105518882A (zh) * 2013-09-06 2016-04-20 日东电工株式会社 光半导体元件封装组合物、光半导体元件封装成型体、光半导体元件封装片、光半导体装置及封装光半导体元件
JP2015073084A (ja) * 2013-09-06 2015-04-16 日東電工株式会社 波長変換シート、封止光半導体素子および光半導体素子装置
WO2016056316A1 (ja) * 2014-10-09 2016-04-14 シャープ株式会社 発光装置
JP6372394B2 (ja) * 2015-02-27 2018-08-15 豊田合成株式会社 発光装置
WO2016139954A1 (en) 2015-03-05 2016-09-09 Nichia Corporation Light emitting device
JP6925100B2 (ja) 2015-05-21 2021-08-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10074635B2 (en) * 2015-07-17 2018-09-11 Cree, Inc. Solid state light emitter devices and methods
TWI721005B (zh) * 2016-08-17 2021-03-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置以及其製造方法
US11128100B2 (en) 2017-02-08 2021-09-21 Princeton Optronics, Inc. VCSEL illuminator package including an optical structure integrated in the encapsulant
JP6666873B2 (ja) * 2017-03-28 2020-03-18 株式会社朝日ラバー 疑似白色系led装置及びシリコーンキャップ
KR20190137173A (ko) 2017-06-08 2019-12-10 레이아 인코포레이티드 광원 및 그러한 광원을 이용하는 멀티뷰 백라이트
CN107481999A (zh) * 2017-07-26 2017-12-15 深圳市英唐光显技术有限公司 一种多晶片白光led封装结构
US10256376B1 (en) * 2018-01-16 2019-04-09 Leedarson Lighting Co. Ltd. LED device
CN110197867A (zh) 2018-02-26 2019-09-03 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件及其制造方法
US10825949B2 (en) 2018-08-27 2020-11-03 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
JP6912746B1 (ja) * 2020-02-07 2021-08-04 日亜化学工業株式会社 発光モジュール及び面状光源
CN115917772A (zh) * 2020-05-15 2023-04-04 亮锐有限责任公司 多色光源及其制造方法
US11367810B2 (en) 2020-08-14 2022-06-21 Creeled, Inc. Light-altering particle arrangements for light-emitting devices
CN112582385A (zh) * 2020-12-10 2021-03-30 高创(苏州)电子有限公司 一种蓝光led封装结构、背光模组及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US525507A (en) 1894-09-04 Spray-nozzle
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices

Family Cites Families (217)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US82562A (en) * 1868-09-29 strotjd
JPS5722581Y2 (de) 1979-08-21 1982-05-17
US4476620A (en) 1979-10-19 1984-10-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of making a gallium nitride light-emitting diode
DE3128187A1 (de) 1981-07-16 1983-02-03 Joachim 8068 Pfaffenhofen Sieg Opto-elektronisches bauelement
JPS6092678A (ja) 1983-10-27 1985-05-24 Stanley Electric Co Ltd 表示用発光ダイオ−ドの製造方法
US4675575A (en) * 1984-07-13 1987-06-23 E & G Enterprises Light-emitting diode assemblies and systems therefore
JPS6159886A (ja) 1984-08-31 1986-03-27 Fujitsu Ltd 光半導体装置の製造方法
US4653765A (en) * 1985-12-02 1987-03-31 Milliken Research Corporation Drum truck
US4866005A (en) * 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
US4865685A (en) 1987-11-03 1989-09-12 North Carolina State University Dry etching of silicon carbide
US4981551A (en) 1987-11-03 1991-01-01 North Carolina State University Dry etching of silicon carbide
JPH0770755B2 (ja) 1988-01-21 1995-07-31 三菱化学株式会社 高輝度led用エピタキシャル基板及びその製造方法
US4912532A (en) 1988-08-26 1990-03-27 Hewlett-Packard Company Electro-optical device with inverted transparent substrate and method for making same
US5087949A (en) 1989-06-27 1992-02-11 Hewlett-Packard Company Light-emitting diode with diagonal faces
US5103271A (en) 1989-09-28 1992-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
US4946547A (en) * 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
JPH03206673A (ja) 1990-01-08 1991-09-10 Seiwa Denki Kk 発光ダイオード素子およびその製造方法
JPH03206672A (ja) 1990-01-08 1991-09-10 Seiwa Denki Kk 発光ダイオード素子およびその製造方法
JPH04137570A (ja) 1990-09-27 1992-05-12 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオードランプ
US5200022A (en) * 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
US5300788A (en) * 1991-01-18 1994-04-05 Kopin Corporation Light emitting diode bars and arrays and method of making same
FR2679253B1 (fr) 1991-07-15 1994-09-02 Pasteur Institut Proteines de resistance a la cycloheximide. utilisation comme marqueur de selection par exemple pour controler le transfert d'acides nucleiques.
US5298767A (en) 1992-10-06 1994-03-29 Kulite Semiconductor Products, Inc. Porous silicon carbide (SiC) semiconductor device
US5376580A (en) 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
GB9320291D0 (en) 1993-10-01 1993-11-17 Brown John H Optical directing devices for light emitting diodes
JPH08148280A (ja) 1994-04-14 1996-06-07 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2994219B2 (ja) 1994-05-24 1999-12-27 シャープ株式会社 半導体デバイスの製造方法
US5614734A (en) * 1995-03-15 1997-03-25 Yale University High efficency LED structure
JPH09153646A (ja) 1995-09-27 1997-06-10 Toshiba Corp 光半導体装置およびその製造方法
DE19536334A1 (de) * 1995-09-29 1997-04-03 Teves Gmbh Alfred Geberzylinder
US6550949B1 (en) 1996-06-13 2003-04-22 Gentex Corporation Systems and components for enhancing rear vision from a vehicle
US5803579A (en) 1996-06-13 1998-09-08 Gentex Corporation Illuminator assembly incorporating light emitting diodes
DE19640594B4 (de) 1996-10-01 2016-08-04 Osram Gmbh Bauelement
JPH10163535A (ja) 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
US5939732A (en) 1997-05-22 1999-08-17 Kulite Semiconductor Products, Inc. Vertical cavity-emitting porous silicon carbide light-emitting diode device and preparation thereof
US6784463B2 (en) 1997-06-03 2004-08-31 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
US7014336B1 (en) * 1999-11-18 2006-03-21 Color Kinetics Incorporated Systems and methods for generating and modulating illumination conditions
US6071795A (en) 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
JPH11238913A (ja) 1998-02-20 1999-08-31 Namiki Precision Jewel Co Ltd 半導体発光デバイスチップ
JPH11307813A (ja) 1998-04-03 1999-11-05 Hewlett Packard Co <Hp> 発光装置、その製造方法およびディスプレイ
US6225647B1 (en) 1998-07-27 2001-05-01 Kulite Semiconductor Products, Inc. Passivation of porous semiconductors for improved optoelectronic device performance and light-emitting diode based on same
JP3525061B2 (ja) 1998-09-25 2004-05-10 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
EP1046196B9 (de) 1998-09-28 2013-01-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Beleuchtungsanordnung
US6274924B1 (en) 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
US6160834A (en) * 1998-11-14 2000-12-12 Cielo Communications, Inc. Vertical cavity surface emitting lasers with consistent slope efficiencies
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
US6744800B1 (en) 1998-12-30 2004-06-01 Xerox Corporation Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate
US6212213B1 (en) * 1999-01-29 2001-04-03 Agilent Technologies, Inc. Projector light source utilizing a solid state green light source
US6320206B1 (en) 1999-02-05 2001-11-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc Light emitting devices having wafer bonded aluminum gallium indium nitride structures and mirror stacks
US20010042866A1 (en) 1999-02-05 2001-11-22 Carrie Carter Coman Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal
JP3881472B2 (ja) * 1999-04-15 2007-02-14 ローム株式会社 半導体発光素子の製法
US6258699B1 (en) 1999-05-10 2001-07-10 Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. Light emitting diode with a permanent subtrate of transparent glass or quartz and the method for manufacturing the same
DE60042187D1 (de) 1999-06-09 2009-06-25 Toshiba Kawasaki Kk Bond-typ Halbleitersubstrat, lichtemittierendes Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren
JP2000353826A (ja) 1999-06-09 2000-12-19 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置および光照射装置
US6489637B1 (en) 1999-06-09 2002-12-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
EP1059678A2 (de) 1999-06-09 2000-12-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Integrierte Hybridschaltungsanordnung
KR100425566B1 (ko) 1999-06-23 2004-04-01 가부시키가이샤 시티즌 덴시 발광 다이오드
DE19931689A1 (de) 1999-07-08 2001-01-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Optoelektronische Bauteilgruppe
JP2001148515A (ja) 1999-11-22 2001-05-29 Sharp Corp 発光装置、その製造方法、及び発光装置を搭載した電子機器
US6513949B1 (en) 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
KR100700993B1 (ko) * 1999-12-03 2007-03-30 크리, 인코포레이티드 향상된 광 적출 구조체를 갖는 발광 다이오드 및 그 제조 방법
US6410942B1 (en) * 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
US6350041B1 (en) * 1999-12-03 2002-02-26 Cree Lighting Company High output radial dispersing lamp using a solid state light source
US6646292B2 (en) 1999-12-22 2003-11-11 Lumileds Lighting, U.S., Llc Semiconductor light emitting device and method
US6486499B1 (en) * 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
TW530424B (en) 2000-02-09 2003-05-01 Nippon Leiz Corp Light source device
DE10008583A1 (de) 2000-02-24 2001-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optisch transparenten Substrates und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Halbleiterchips
US6538371B1 (en) * 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
JP4060511B2 (ja) 2000-03-28 2008-03-12 パイオニア株式会社 窒化物半導体素子の分離方法
US6653765B1 (en) * 2000-04-17 2003-11-25 General Electric Company Uniform angular light distribution from LEDs
DE10051465A1 (de) 2000-10-17 2002-05-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis
JP3685018B2 (ja) 2000-05-09 2005-08-17 日亜化学工業株式会社 発光素子とその製造方法
US6534346B2 (en) 2000-05-16 2003-03-18 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Glass and glass tube for encapsulating semiconductors
US6577073B2 (en) * 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
JP4386693B2 (ja) 2000-05-31 2009-12-16 パナソニック株式会社 Ledランプおよびランプユニット
JP2002057376A (ja) 2000-05-31 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ledランプ
US6841808B2 (en) * 2000-06-23 2005-01-11 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor device and method for producing the same
JP2002050797A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Toshiba Corp 半導体励起蛍光体発光装置およびその製造方法
US6562648B1 (en) 2000-08-23 2003-05-13 Xerox Corporation Structure and method for separation and transfer of semiconductor thin films onto dissimilar substrate materials
DE10042947A1 (de) 2000-08-31 2002-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis
JP3466144B2 (ja) 2000-09-22 2003-11-10 士郎 酒井 半導体の表面を荒くする方法
US6429460B1 (en) 2000-09-28 2002-08-06 United Epitaxy Company, Ltd. Highly luminous light emitting device
JP4091261B2 (ja) 2000-10-31 2008-05-28 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
WO2002041364A2 (en) 2000-11-16 2002-05-23 Emcore Corporation Led packages having improved light extraction
JP4112800B2 (ja) * 2000-12-05 2008-07-02 富士フイルム株式会社 発光素子及びその製造方法
US6547423B2 (en) * 2000-12-22 2003-04-15 Koninklijke Phillips Electronics N.V. LED collimation optics with improved performance and reduced size
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
MY145695A (en) * 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
US6791119B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
US6468824B2 (en) 2001-03-22 2002-10-22 Uni Light Technology Inc. Method for forming a semiconductor device having a metallic substrate
US6833566B2 (en) 2001-03-28 2004-12-21 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode with heat sink
JP2002299694A (ja) 2001-03-29 2002-10-11 Mitsubishi Electric Lighting Corp 照明用led光源デバイス及び照明器具
JP2002299699A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP4101468B2 (ja) 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US6686676B2 (en) 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
US6616862B2 (en) 2001-05-21 2003-09-09 General Electric Company Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same
JP3940596B2 (ja) 2001-05-24 2007-07-04 松下電器産業株式会社 照明光源
EP1263058B1 (de) 2001-05-29 2012-04-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
US6576488B2 (en) 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
US6642652B2 (en) * 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
TW564584B (en) * 2001-06-25 2003-12-01 Toshiba Corp Semiconductor light emitting device
DE10131698A1 (de) 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2003031008A (ja) 2001-07-16 2003-01-31 Toyoda Gosei Co Ltd 車両ランプ
TW552726B (en) 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
US20030030063A1 (en) * 2001-07-27 2003-02-13 Krzysztof Sosniak Mixed color leds for auto vanity mirrors and other applications where color differentiation is critical
TW511303B (en) * 2001-08-21 2002-11-21 Wen-Jr He A light mixing layer and method
JP3905343B2 (ja) 2001-10-09 2007-04-18 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
JP4239564B2 (ja) 2002-11-15 2009-03-18 豊田合成株式会社 発光ダイオードおよびledライト
US6552495B1 (en) * 2001-12-19 2003-04-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Adaptive control system and method with spatial uniform color metric for RGB LED based white light illumination
US6455340B1 (en) * 2001-12-21 2002-09-24 Xerox Corporation Method of fabricating GaN semiconductor structures using laser-assisted epitaxial liftoff
TW520616B (en) 2001-12-31 2003-02-11 Ritdisplay Corp Manufacturing method of organic surface light emitting device
US6480389B1 (en) 2002-01-04 2002-11-12 Opto Tech Corporation Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package
CA2466141C (en) 2002-01-28 2012-12-04 Nichia Corporation Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method
KR200277135Y1 (ko) 2002-03-04 2002-05-30 주식회사 토우그린 레이저 안개등
TW577178B (en) * 2002-03-04 2004-02-21 United Epitaxy Co Ltd High efficient reflective metal layer of light emitting diode
US6716654B2 (en) 2002-03-12 2004-04-06 Opto Tech Corporation Light-emitting diode with enhanced brightness and method for fabricating the same
JP4233268B2 (ja) * 2002-04-23 2009-03-04 シャープ株式会社 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
EP1501909B1 (de) 2002-05-06 2008-02-27 Osram Opto Semiconductors GmbH Wellenlängenkonvertierende reaktionsharzmasse und leuchtdiodenbauelement
TWI226357B (en) * 2002-05-06 2005-01-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting reaction-resin, its production method, light-radiating optical component and light-radiating semiconductor-body
US6870311B2 (en) 2002-06-07 2005-03-22 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting devices utilizing nanoparticles
CN100405620C (zh) * 2002-06-13 2008-07-23 美商克立股份有限公司 饱和型磷光体固态发射器
US6828596B2 (en) * 2002-06-13 2004-12-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices
JP2004031856A (ja) 2002-06-28 2004-01-29 Sumitomo Electric Ind Ltd ZnSe系発光装置およびその製造方法
JP2004055772A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Citizen Electronics Co Ltd Led発光装置
JP4349782B2 (ja) 2002-09-11 2009-10-21 東芝ライテック株式会社 Led照明装置
DE10245933B4 (de) 2002-09-30 2013-10-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Einrichtung zur Erzeugung eines gebündelten Lichtstroms
US6786390B2 (en) 2003-02-04 2004-09-07 United Epitaxy Company Ltd. LED stack manufacturing method and its structure thereof
US6936857B2 (en) * 2003-02-18 2005-08-30 Gelcore, Llc White light LED device
JP2004259541A (ja) 2003-02-25 2004-09-16 Cateye Co Ltd 照明器具
KR101148332B1 (ko) 2003-04-30 2012-05-25 크리, 인코포레이티드 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US6869812B1 (en) 2003-05-13 2005-03-22 Heng Liu High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode
JP4401681B2 (ja) 2003-05-19 2010-01-20 日東樹脂工業株式会社 光拡散体及びそれを用いた光学部材乃至光学デバイス
JP2004356116A (ja) 2003-05-26 2004-12-16 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2005210042A (ja) 2003-09-11 2005-08-04 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
US6806112B1 (en) 2003-09-22 2004-10-19 National Chung-Hsing University High brightness light emitting diode
US6972438B2 (en) 2003-09-30 2005-12-06 Cree, Inc. Light emitting diode with porous SiC substrate and method for fabricating
US20050077535A1 (en) * 2003-10-08 2005-04-14 Joinscan Electronics Co., Ltd LED and its manufacturing process
US20050082562A1 (en) 2003-10-15 2005-04-21 Epistar Corporation High efficiency nitride based light emitting device
JP4458804B2 (ja) * 2003-10-17 2010-04-28 シチズン電子株式会社 白色led
US7009215B2 (en) * 2003-10-24 2006-03-07 General Electric Company Group III-nitride based resonant cavity light emitting devices fabricated on single crystal gallium nitride substrates
US6841804B1 (en) 2003-10-27 2005-01-11 Formosa Epitaxy Incorporation Device of white light-emitting diode
JP2005142311A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Tzu-Chi Cheng 発光装置
JP4124102B2 (ja) * 2003-11-12 2008-07-23 松下電工株式会社 多重反射防止構造を備えた発光素子とその製造方法
TWI291770B (en) * 2003-11-14 2007-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Surface light source device and light emitting diode
JP2006032885A (ja) * 2003-11-18 2006-02-02 Sharp Corp 光源装置およびそれを用いた光通信装置
US7095056B2 (en) * 2003-12-10 2006-08-22 Sensor Electronic Technology, Inc. White light emitting device and method
US7102152B2 (en) 2004-10-14 2006-09-05 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material
JP4442216B2 (ja) 2003-12-19 2010-03-31 豊田合成株式会社 Ledランプ装置
US7066623B2 (en) * 2003-12-19 2006-06-27 Soo Ghee Lee Method and apparatus for producing untainted white light using off-white light emitting diodes
US7791274B2 (en) * 2004-01-07 2010-09-07 Panasonic Corporation LED lamp
US7178937B2 (en) 2004-01-23 2007-02-20 Mcdermott Vernon Lighting device and method for lighting
US7246921B2 (en) 2004-02-03 2007-07-24 Illumitech, Inc. Back-reflecting LED light source
JP4363215B2 (ja) 2004-02-19 2009-11-11 日亜化学工業株式会社 アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体及びそれを用いた発光装置
TWI286393B (en) 2004-03-24 2007-09-01 Toshiba Lighting & Technology Lighting apparatus
JP2005310756A (ja) 2004-03-26 2005-11-04 Koito Mfg Co Ltd 光源モジュールおよび車両用前照灯
US7419912B2 (en) 2004-04-01 2008-09-02 Cree, Inc. Laser patterning of light emitting devices
US7868343B2 (en) * 2004-04-06 2011-01-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
JP3983793B2 (ja) 2004-04-19 2007-09-26 松下電器産業株式会社 Led照明光源の製造方法およびled照明光源
US7837348B2 (en) * 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
US7553683B2 (en) * 2004-06-09 2009-06-30 Philips Lumiled Lighting Co., Llc Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices
US7122840B2 (en) 2004-06-17 2006-10-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor with optical guard ring and fabrication method thereof
WO2005124877A2 (en) 2004-06-18 2005-12-29 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Led with improve light emittance profile
US7795623B2 (en) 2004-06-30 2010-09-14 Cree, Inc. Light emitting devices having current reducing structures and methods of forming light emitting devices having current reducing structures
US7375380B2 (en) 2004-07-12 2008-05-20 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
TWI274209B (en) 2004-07-16 2007-02-21 Chi Lin Technology Co Ltd Light emitting diode and backlight module having light emitting diode
US7217583B2 (en) 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
WO2006035664A1 (ja) 2004-09-27 2006-04-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 半導体発光素子、その製造方法及びその実装方法、並びに発光装置
TWI257714B (en) 2004-10-20 2006-07-01 Arima Optoelectronics Corp Light-emitting device using multilayer composite metal plated layer as flip-chip electrode
DE102004053116A1 (de) 2004-11-03 2006-05-04 Tridonic Optoelectronics Gmbh Leuchtdioden-Anordnung mit Farbkonversions-Material
US7462502B2 (en) 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
JP4715227B2 (ja) 2005-02-21 2011-07-06 パナソニック株式会社 半導体発光装置の製造方法
US20060189013A1 (en) 2005-02-24 2006-08-24 3M Innovative Properties Company Method of making LED encapsulant with undulating surface
TWI255566B (en) * 2005-03-04 2006-05-21 Jemitek Electronics Corp Led
JP2006269778A (ja) 2005-03-24 2006-10-05 Nichia Chem Ind Ltd 光学装置
CA2620144A1 (en) 2005-04-06 2006-10-12 Tir Technology Lp Lighting module with compact colour mixing and collimating optics
US20060228973A1 (en) 2005-04-11 2006-10-12 Jlj, Inc. LED Light Strings
TW200707799A (en) 2005-04-21 2007-02-16 Aonex Technologies Inc Bonded intermediate substrate and method of making same
KR100682874B1 (ko) 2005-05-02 2007-02-15 삼성전기주식회사 백색 led
US7348212B2 (en) * 2005-09-13 2008-03-25 Philips Lumileds Lighting Company Llc Interconnects for semiconductor light emitting devices
EP1897146A2 (de) 2005-06-27 2008-03-12 Lamina Lighting, Inc. Lichtemissionsdiodenpackung und herstellungsverfahren dafür
US7748872B2 (en) * 2005-07-22 2010-07-06 Cooper Technologies Company Light-conducting pedestal configuration for an LED apparatus which collects almost all and distributes substantially all of the light from the LED
JP2007035802A (ja) 2005-07-25 2007-02-08 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
TWI273718B (en) * 2005-10-12 2007-02-11 Advanced Semiconductor Eng Lead frame base package structure with high-density of foot prints arrangement
JP4857735B2 (ja) 2005-11-28 2012-01-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7514721B2 (en) 2005-11-29 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminescent ceramic element for a light emitting device
JP2007165508A (ja) 2005-12-13 2007-06-28 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 発光素子封止用組成物及び発光素子並びに光半導体装置
JP2007173372A (ja) 2005-12-20 2007-07-05 Denso Corp 電力変換装置
JP2007173373A (ja) * 2005-12-20 2007-07-05 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
US7213940B1 (en) 2005-12-21 2007-05-08 Led Lighting Fixtures, Inc. Lighting device and lighting method
US8441179B2 (en) * 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
RU2407110C2 (ru) * 2006-01-24 2010-12-20 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Светоизлучающее устройство
US7682850B2 (en) 2006-03-17 2010-03-23 Philips Lumileds Lighting Company, Llc White LED for backlight with phosphor plates
JP2007294197A (ja) 2006-04-24 2007-11-08 Harison Toshiba Lighting Corp 照明装置
CN101484964A (zh) * 2006-05-02 2009-07-15 舒伯布尔斯公司 用于发光二极管及其构成的灯泡分散光并优先散射某些波长的光的方法
US7626210B2 (en) 2006-06-09 2009-12-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Low profile side emitting LED
JP4937845B2 (ja) 2006-08-03 2012-05-23 日立マクセル株式会社 照明装置および表示装置
JP2008084990A (ja) 2006-09-26 2008-04-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置及び照明器具
TWI326923B (en) * 2007-03-07 2010-07-01 Lite On Technology Corp White light emitting diode
KR101289069B1 (ko) * 2007-05-09 2013-07-22 엘지디스플레이 주식회사 2중 렌즈구조의 led 패키지 및 이를 구비한액정표시장치
US7999283B2 (en) 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
WO2009003176A1 (en) * 2007-06-27 2008-12-31 The Regents Of The University Of California Optical designs for high-efficacy white-light emitting diodes
US20090008662A1 (en) * 2007-07-05 2009-01-08 Ian Ashdown Lighting device package
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
DE102007046743A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
CN101567366A (zh) * 2008-04-25 2009-10-28 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
EP2139216B1 (de) 2008-06-27 2014-07-16 Nokia Solutions and Networks Oy Verfahren und Netzwerkelement zur Verarbeitung von Daten und Kommunikationssystem mit einem derartigen Netzwerkelement
US8858032B2 (en) 2008-10-24 2014-10-14 Cree, Inc. Lighting device, heat transfer structure and heat transfer element
DE102008064073A1 (de) 2008-12-19 2010-06-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von LED-Beleuchtungsvorrichtungen und LED-Beleuchtungsvorrichtung
CN105713599B (zh) 2009-08-14 2018-09-11 三星电子株式会社 发光器件、用于发光器件的光学元件、以及方法
US8384103B2 (en) * 2010-03-04 2013-02-26 Intellectual Discovery Co., Ltd. Increasing contrast in electronic color displays via surface texturing of LEDs
JP2011204657A (ja) 2010-03-26 2011-10-13 Enplas Corp 光束制御部材およびこれを用いた照明装置
CN102237469A (zh) * 2010-04-29 2011-11-09 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的封装结构
US8354784B2 (en) 2010-09-28 2013-01-15 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
WO2012047937A1 (en) 2010-10-05 2012-04-12 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US525507A (en) 1894-09-04 Spray-nozzle
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017117536A1 (de) * 2017-08-02 2019-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US11611019B2 (en) 2017-08-02 2023-03-21 Osram Oled Gmbh Optoelectronic component having a reflection element with diffuser particles and filler particles embedded therein

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009054995A (ja) 2009-03-12
JP2012129568A (ja) 2012-07-05
US20090050911A1 (en) 2009-02-26
JP5091023B2 (ja) 2012-12-05
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