JPH03206673A - 発光ダイオード素子およびその製造方法 - Google Patents
発光ダイオード素子およびその製造方法Info
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- JPH03206673A JPH03206673A JP2002062A JP206290A JPH03206673A JP H03206673 A JPH03206673 A JP H03206673A JP 2002062 A JP2002062 A JP 2002062A JP 206290 A JP206290 A JP 206290A JP H03206673 A JPH03206673 A JP H03206673A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
本発明は、発光ダイオードチップを封止する封止樹脂の
相対向する両表層部分に反射層が形成された発光ダイオ
ード素子およびその製造方法に関する。
相対向する両表層部分に反射層が形成された発光ダイオ
ード素子およびその製造方法に関する。
く従来の技術〉
各種表示装置に使用される発光ダイオード素子は、発光
ダイオードチップを樹脂にて封止した構造をしている。
ダイオードチップを樹脂にて封止した構造をしている。
発光ダイオードチップから発せられる光を反射させると
、特定の方向に光を集めることができ、そのような観点
から、封止樹脂を筒状の反射板で包囲した発光ダイオー
ド素子は存在する。しかし、発光ダイオードチップを封
止する封止樹脂の相対向する両表層部分に反射層が形成
された発光ダイオード素子は、出願人の知る限り存在し
ない。
、特定の方向に光を集めることができ、そのような観点
から、封止樹脂を筒状の反射板で包囲した発光ダイオー
ド素子は存在する。しかし、発光ダイオードチップを封
止する封止樹脂の相対向する両表層部分に反射層が形成
された発光ダイオード素子は、出願人の知る限り存在し
ない。
〈発明が解決しようとする課題〉
このような発光ダイオード素子では、発光ダイオードチ
ップを挟んで反射層が相対向し、両者の位置関係によっ
ては、封止樹脂の周面のみを発光させることができる。
ップを挟んで反射層が相対向し、両者の位置関係によっ
ては、封止樹脂の周面のみを発光させることができる。
従って、例えばそれをアクリル等の透光性板体の裏面に
埋め込めば、透光性板体の周囲端面のみが光って意匠性
に優れた間接光源（第３図参照）になり得るなど、利用
岐囲は広い。しかし、その製造は容易でなく、せいぜい
塗布や接合によって反射層を積層する方法が考えられる
程度であり、そのような方法では能率的な製造は行えな
い。
埋め込めば、透光性板体の周囲端面のみが光って意匠性
に優れた間接光源（第３図参照）になり得るなど、利用
岐囲は広い。しかし、その製造は容易でなく、せいぜい
塗布や接合によって反射層を積層する方法が考えられる
程度であり、そのような方法では能率的な製造は行えな
い。
本発明は、発光ダイオードチップを封止する封止樹脂の
相対向する両表層部分に反射層が形成されて、なおかつ
製造が容易な発光ダイオード素子を提供することを目的
とする。
相対向する両表層部分に反射層が形成されて、なおかつ
製造が容易な発光ダイオード素子を提供することを目的
とする。
本発明の別の目的は、発光ダイオードチップを封止する
封止樹脂の相対向する両表層部分に、反射層を容易に形
成し得る発光ダイオード素子の製造方法を提供すること
にある。
封止樹脂の相対向する両表層部分に、反射層を容易に形
成し得る発光ダイオード素子の製造方法を提供すること
にある。
〈課題を解決するための手段〉
本発明にかかる発光ダイオード素子は、発光ダイオード
チップを樹脂にて封止した発光ダイオード素子であって
、発光ダイオードチップを封止する封止樹脂の、発光ダ
イオードチップを挟んで相対向する両方の表層部分に、
平均粒径３０μｍ以下の中空ガラスビーズが集積した反
射層を形成したことを特徴としてなる。
チップを樹脂にて封止した発光ダイオード素子であって
、発光ダイオードチップを封止する封止樹脂の、発光ダ
イオードチップを挟んで相対向する両方の表層部分に、
平均粒径３０μｍ以下の中空ガラスビーズが集積した反
射層を形成したことを特徴としてなる。
本発明にかかる製造方法は、上記発光ダイオード素子の
製造方法であって、発光ダイオードチップを封止するた
めの樹脂に平均粒径が３０μｍ以下の中空ガラスビーズ
を分散混合させ、モールド内に注入したその樹脂を、形
成すべき反射層が上下になるよう維持した状態で硬化さ
せることを特徴としてなる。
製造方法であって、発光ダイオードチップを封止するた
めの樹脂に平均粒径が３０μｍ以下の中空ガラスビーズ
を分散混合させ、モールド内に注入したその樹脂を、形
成すべき反射層が上下になるよう維持した状態で硬化さ
せることを特徴としてなる。
〈作用〉
中空ガラスビーズの集積した層は、光の拡散機能を有し
、その機能は、中空ガラスビーズの粒径が小さくなるに
連れて高まり、平均粒径３０μｍ以下で優れた反射機能
を示す。
、その機能は、中空ガラスビーズの粒径が小さくなるに
連れて高まり、平均粒径３０μｍ以下で優れた反射機能
を示す。
本発明にかかる発光ダイオード素子は、この中空ガラス
ビーズ層を反射層として利用するものであり、相対向す
る反射層に挟まれた発光ダイオードチップより発せられ
る光が、反射層の間の封止樹脂層より効率よく出射され
る。
ビーズ層を反射層として利用するものであり、相対向す
る反射層に挟まれた発光ダイオードチップより発せられ
る光が、反射層の間の封止樹脂層より効率よく出射され
る。
中空ガラスビーズの粒径の下限は、特に規定しないが、
現在製造されている中空ガラスビーズの最小径は２μｍ
程度である。
現在製造されている中空ガラスビーズの最小径は２μｍ
程度である。
反射層の厚みは、充分な反射機能を得るために１ ｍｍ
以上が望ましい。
以上が望ましい。
中空ガラスビーズは又、発光ダイオードチップを封止す
るための樹脂とほぼ同じ比重を有し、配合比が低い場合
は、その樹脂中に分散する。ところが、ほぼ５重量％以
上の配合比を境にして、それを超えると、超えた分につ
いては、上下に分離する。すなわち、沈降するものと浮
上するものとに別れて、上下に集積層を形成するように
なる。
るための樹脂とほぼ同じ比重を有し、配合比が低い場合
は、その樹脂中に分散する。ところが、ほぼ５重量％以
上の配合比を境にして、それを超えると、超えた分につ
いては、上下に分離する。すなわち、沈降するものと浮
上するものとに別れて、上下に集積層を形成するように
なる。
この現象は、中空ガラスビーズの比重差によるとも考え
られるが、実際の理由は定かでなく、化学的な飽和現象
に似ていることから、樹脂の中空ガラスビーズに対する
保持力等がむしろ大きく影響しているように推定され゛
る。
られるが、実際の理由は定かでなく、化学的な飽和現象
に似ていることから、樹脂の中空ガラスビーズに対する
保持力等がむしろ大きく影響しているように推定され゛
る。
本発明にかかる製造方法は、この樹脂中での中空ガラス
ビーズの分離集積現象を利用したものであり、中空ガラ
スビーズが分散された樹脂を保持しておくだけで、封止
樹脂の相対向する両表層部分に、中空ガラスビーズの集
積した反射層を形戒することができる。
ビーズの分離集積現象を利用したものであり、中空ガラ
スビーズが分散された樹脂を保持しておくだけで、封止
樹脂の相対向する両表層部分に、中空ガラスビーズの集
積した反射層を形戒することができる。
〈実施例〉
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。第１
図は本発明にかかる発光ダイオード素子の一例を示す断
面図、第２図はその製造方法を説明するための断面図、
第３図はその使用例を示す斜視図である。
図は本発明にかかる発光ダイオード素子の一例を示す断
面図、第２図はその製造方法を説明するための断面図、
第３図はその使用例を示す斜視図である。
発光ダイオード素子は、第１図に示すように、平行な２
本のリードビン１０． ２０を備えている。一方のりー
ドピンＩＯの先端には、発光ダイオードチップ３０を搭
載する金属ステム４０が保持されている。
本のリードビン１０． ２０を備えている。一方のりー
ドピンＩＯの先端には、発光ダイオードチップ３０を搭
載する金属ステム４０が保持されている。
金属ステム４０に搭載された発光ダイオードチップ３０
は、他方のりードピン２０の先端にワイヤリード５０に
て結線されている。
は、他方のりードピン２０の先端にワイヤリード５０に
て結線されている。
発光ダイオードチップ３０および金属ステム４０を封止
する封止樹脂６０は、リードピン１０． ２０の先端部
に保持され、例えばエボキシ樹脂等よりなる．該封止樹
脂６０は、発光ダイオードチップ３０に対して同心の円
柱状をしている。すなわち、発光ダイオードチップ３０
の正面が封止樹脂６０の一方の端面のほうを向いている
。封止樹脂６０中には、平均粒径が３０μｍ以下の中空
ガラスビーズが分散すると共に、その両端部には、該中
空ガラスビーズが集積した反射層６１． ６１が形成さ
れいる。
する封止樹脂６０は、リードピン１０． ２０の先端部
に保持され、例えばエボキシ樹脂等よりなる．該封止樹
脂６０は、発光ダイオードチップ３０に対して同心の円
柱状をしている。すなわち、発光ダイオードチップ３０
の正面が封止樹脂６０の一方の端面のほうを向いている
。封止樹脂６０中には、平均粒径が３０μｍ以下の中空
ガラスビーズが分散すると共に、その両端部には、該中
空ガラスビーズが集積した反射層６１． ６１が形成さ
れいる。
上記構成の発光ダイオード素子を製造するには、第２図
に示すように、円柱状のキャビティ７ｌを有するモール
ド７０が使用される。キャビティ７ｌには、まず、２本
のりードピン１０． ２０の先端部が差し込まれて、キ
ャビティ７１内の所定位置に発光ダイオードチップ３０
および金属ステム４０が保持される。
に示すように、円柱状のキャビティ７ｌを有するモール
ド７０が使用される。キャビティ７ｌには、まず、２本
のりードピン１０． ２０の先端部が差し込まれて、キ
ャビティ７１内の所定位置に発光ダイオードチップ３０
および金属ステム４０が保持される。
次いで、平均粒径３０ｕｍ以下の中空ガラスビーズを５
重量％以上の配合比で分散混合させたエポキシ樹脂等の
融解樹脂がキャビティ７１に注入される。キャビティ７
１に注入された融解樹脂中では、ほぼ５重量％分の中空
ガラスビーズを残して、その余りが上下に分離して集積
する。そして、この分離集積が終わった後、融解樹脂を
例えば熱硬化させてキャビティ７１より取り出す。こう
することにより、円柱状の封止樹脂６０の両端部に、中
空ガラスビーズが集積した反射層６１． ６１の形成さ
れた発光ダイオード素子が製造される。
重量％以上の配合比で分散混合させたエポキシ樹脂等の
融解樹脂がキャビティ７１に注入される。キャビティ７
１に注入された融解樹脂中では、ほぼ５重量％分の中空
ガラスビーズを残して、その余りが上下に分離して集積
する。そして、この分離集積が終わった後、融解樹脂を
例えば熱硬化させてキャビティ７１より取り出す。こう
することにより、円柱状の封止樹脂６０の両端部に、中
空ガラスビーズが集積した反射層６１． ６１の形成さ
れた発光ダイオード素子が製造される。
上記発光ダイオード素子においては、円柱状の封止樹脂
６０の両端部に、中空ガラスビーズの集積した反射層６
１． ６１が形成されていることから、発光ダイオード
チップ３０より発せられた光は、封止樹脂６０の特に、
反射１６Ｌ ６１に挟まれた部分の外周面側に出射され
る。つまり、発光ダイオードチップ３０の側方に出射さ
れる。発光ダイオードチップ３０は、もともと側面方向
のほうが発光量が大であるので、反射層６１． ６１に
よる反射とあいまって優れた発光効率を示す。
６０の両端部に、中空ガラスビーズの集積した反射層６
１． ６１が形成されていることから、発光ダイオード
チップ３０より発せられた光は、封止樹脂６０の特に、
反射１６Ｌ ６１に挟まれた部分の外周面側に出射され
る。つまり、発光ダイオードチップ３０の側方に出射さ
れる。発光ダイオードチップ３０は、もともと側面方向
のほうが発光量が大であるので、反射層６１． ６１に
よる反射とあいまって優れた発光効率を示す。
上記発光ダイオード素子を使用すれば、例えば第３図に
示すような板状発光体を得ることができる。この板状発
光体は、アクリル等の透光性板体８ｌの裏面に、複数の
上記発光ダイオード素子８２を、その正面の側より埋め
込んだ構造をしている。透光性板体８１の表面を、この
板状発光体の正面とすれば、正面からは点灯中の発光ダ
イオード素子８２が殆ど見えず、透光性板体８ｌの周囲
端面のみが光り、意匠性に優れた間接光源等になる。
示すような板状発光体を得ることができる。この板状発
光体は、アクリル等の透光性板体８ｌの裏面に、複数の
上記発光ダイオード素子８２を、その正面の側より埋め
込んだ構造をしている。透光性板体８１の表面を、この
板状発光体の正面とすれば、正面からは点灯中の発光ダ
イオード素子８２が殆ど見えず、透光性板体８ｌの周囲
端面のみが光り、意匠性に優れた間接光源等になる。
第４図は本発明にかかる別の発光ダイオード素子の構造
および使用例を示す斜視図である。この発光体は、複数
の発光ダイオード素子８２を重合した構戒になっている
。
および使用例を示す斜視図である。この発光体は、複数
の発光ダイオード素子８２を重合した構戒になっている
。
個々の発光ダイオード素子８３は、偏平な直方体状の封
止樹脂６０を有している。封止樹脂６０の両表面側の表
層部分には、反射層６１． ６１が形成されている。反
射層６１は、平均粒径３０μｍ以下の中空ガラスビーズ
が集積した層であり、反射１’ｉ６１， ６１に挟まれ
た部分には、上記中空ガラスビーズが分散している。封
止樹脂６０の相対向する側面からは、リードピン１０．
２０が直線状に延出している。一方のリードビン１０
の先端に搭載された発光ダイオードチップ３０は、反射
層６１． ６１の間に位置し、リードピン１０． ２０
が延出する両側面に挟まれた側面の方に正面を向けてい
る。発光ダイオード素子８２の正面は、発光ダイオード
チップ３０の正面に一致している。
止樹脂６０を有している。封止樹脂６０の両表面側の表
層部分には、反射層６１． ６１が形成されている。反
射層６１は、平均粒径３０μｍ以下の中空ガラスビーズ
が集積した層であり、反射１’ｉ６１， ６１に挟まれ
た部分には、上記中空ガラスビーズが分散している。封
止樹脂６０の相対向する側面からは、リードピン１０．
２０が直線状に延出している。一方のリードビン１０
の先端に搭載された発光ダイオードチップ３０は、反射
層６１． ６１の間に位置し、リードピン１０． ２０
が延出する両側面に挟まれた側面の方に正面を向けてい
る。発光ダイオード素子８２の正面は、発光ダイオード
チップ３０の正面に一致している。
このような発光ダイオード素子８２も、樹脂中での中空
ガラスビーズの分離集積現象を利用して簡単に製造する
ことができる。
ガラスビーズの分離集積現象を利用して簡単に製造する
ことができる。
この発光体においては、複数の発光ダイオード素子８２
が正面を同じ側に向けて重合されている。
が正面を同じ側に向けて重合されている。
発光ダイオード素子８２の正面を発光体の正面とすれば
、この発光体は例えばバーグラフになり、隣接する発光
ダイオード素子８２から発せられる光の干渉は、反射層
６１にて効果的に防止される。
、この発光体は例えばバーグラフになり、隣接する発光
ダイオード素子８２から発せられる光の干渉は、反射層
６１にて効果的に防止される。
〈発明の効果〉
本発明にかかる発光ダイオード素子は、発光ダイオード
チップを封止する封止樹脂の相対向する両表層部分に、
中空ガラスビーズの集積した反射層が形成された構造を
しており、その構造は、利用範囲が広く、製造も容易で
ある。
チップを封止する封止樹脂の相対向する両表層部分に、
中空ガラスビーズの集積した反射層が形成された構造を
しており、その構造は、利用範囲が広く、製造も容易で
ある。
本発明にかかる製造方法は、樹脂中での中空ガラスビー
ズの分離集積現象を利用することにより、封止樹脂の相
対向する両表層部分に、中空ガラスビーズの集積した反
射層を簡単に形或することができる。
ズの分離集積現象を利用することにより、封止樹脂の相
対向する両表層部分に、中空ガラスビーズの集積した反
射層を簡単に形或することができる。
第ｌ図は本発明にかかる発光ダイオード素子の一例を示
す断面図、第２図はその製造方法を説明するための断面
図、第３図はその使用例を説明するための斜視図、第４
図は本発明にかかる別の発光ダイオード素子の構造およ
び使用例を示す斜視図である。 ３０・・・発光ダイオードチップ ６０・・・封止樹脂 ６１・・・反射層 ８２・・・発光ダイオード素子
す断面図、第２図はその製造方法を説明するための断面
図、第３図はその使用例を説明するための斜視図、第４
図は本発明にかかる別の発光ダイオード素子の構造およ
び使用例を示す斜視図である。 ３０・・・発光ダイオードチップ ６０・・・封止樹脂 ６１・・・反射層 ８２・・・発光ダイオード素子
Claims (2)
- （１）発光ダイオードチップを樹脂にて封止した発光ダ
イオード素子であって、発光ダイオードチップを封止す
る封止樹脂の、発光ダイオードチップを挟んで相対向す
る両方の表層部分に、平均粒径３０μｍ以下の中空ガラ
スビーズが集積した反射層を形成したことを特徴とする
発光ダイオード素子。 - （２）請求項１に記載された発光ダイオード素子の製造
方法であって、発光ダイオードチップを封止するための
樹脂に平均粒径が３０μｍ以下の中空ガラスビーズを分
散混合させ、モールド内に注入したその樹脂を、形成す
べき反射層が上下になるよう維持した状態で硬化させる
ことを特徴とする発光ダイオード素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002062A JPH03206673A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 発光ダイオード素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002062A JPH03206673A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 発光ダイオード素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03206673A true JPH03206673A (ja) | 1991-09-10 |
Family
ID=11518859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002062A Pending JPH03206673A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 発光ダイオード素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03206673A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1990
- 1990-01-08 JP JP2002062A patent/JPH03206673A/ja active Pending
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