JPH08125230A - 発光装置 - Google Patents
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- JPH08125230A JPH08125230A JP26251394A JP26251394A JPH08125230A JP H08125230 A JPH08125230 A JP H08125230A JP 26251394 A JP26251394 A JP 26251394A JP 26251394 A JP26251394 A JP 26251394A JP H08125230 A JPH08125230 A JP H08125230A
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- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 発光輝度等の品質の安定した、信頼性の高い
発光装置を提供する。 【構成】 一対のリード端子1,2と、該一対のリード
端子の対向面に電気的に接続された一対の導電性シート
3と、該一対の導電性シートにより電極面を挟持された
発光素子4と、該発光素子および前記一対の導電性シー
トを覆い且つ前記リード端子の先端が一側面から突出す
るモールド部5と、前記発光素子の反発光面側に設けら
れ且つ前記発光素子からの光を反射させる反射手段と、
を備えてなる発光装置である。
発光装置を提供する。 【構成】 一対のリード端子1,2と、該一対のリード
端子の対向面に電気的に接続された一対の導電性シート
3と、該一対の導電性シートにより電極面を挟持された
発光素子4と、該発光素子および前記一対の導電性シー
トを覆い且つ前記リード端子の先端が一側面から突出す
るモールド部5と、前記発光素子の反発光面側に設けら
れ且つ前記発光素子からの光を反射させる反射手段と、
を備えてなる発光装置である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、発光装置に関し、特に
金属等のワイヤを用いずに発光素子とリード端子とを電
気的に接続した構成を有する発光装置に関する。
金属等のワイヤを用いずに発光素子とリード端子とを電
気的に接続した構成を有する発光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の発光装置は、例えばLED装置を
例にとると、次のような構成を有する。このLED装置
は、図5に示すように、Cu等からなる一対のリード端
子21および22と、一方のリード端子21の先端部に
固着されたLED素子23と、このLED素子23と他
方のリード端子22とを接続するためのCu等からなる
金属ワイヤ24と、LED素子23および金属ワイヤ2
4を封止するための透光性のエポキシ樹脂等からなる樹
脂モールド部25とを備えてなるものであり、LED素
子23から照射された光が、樹脂モールド部25を介し
てLED装置外部へ放出されるという構成である。上記
リード端子21の先端部は、図5に示す如く、中央に凹
部26が形成されたいわゆるパラボラ形状となってお
り、この凹部26内にLED素子23が収容されてい
る。
例にとると、次のような構成を有する。このLED装置
は、図5に示すように、Cu等からなる一対のリード端
子21および22と、一方のリード端子21の先端部に
固着されたLED素子23と、このLED素子23と他
方のリード端子22とを接続するためのCu等からなる
金属ワイヤ24と、LED素子23および金属ワイヤ2
4を封止するための透光性のエポキシ樹脂等からなる樹
脂モールド部25とを備えてなるものであり、LED素
子23から照射された光が、樹脂モールド部25を介し
てLED装置外部へ放出されるという構成である。上記
リード端子21の先端部は、図5に示す如く、中央に凹
部26が形成されたいわゆるパラボラ形状となってお
り、この凹部26内にLED素子23が収容されてい
る。
【0003】この構成のLED装置においては、上記L
ED素子23を、一方のリード端子21の先端の凹部2
6内に塗布形成された銀等からなる導電性ペースト27
上にダイボンディングすることにより固着し、その後
に、LED素子23の上面に形成された電極部(図示せ
ず)と他方のリード端子22とを、金属ワイヤ24を用
いてワイヤボンディングすることにより電気的に接続し
ている。
ED素子23を、一方のリード端子21の先端の凹部2
6内に塗布形成された銀等からなる導電性ペースト27
上にダイボンディングすることにより固着し、その後
に、LED素子23の上面に形成された電極部(図示せ
ず)と他方のリード端子22とを、金属ワイヤ24を用
いてワイヤボンディングすることにより電気的に接続し
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成を有するLED装置では、LED素子23と他
方のリード端子22とを、金属ワイヤ24を用いてワイ
ヤボンディングしているので、図6に示すように、金属
ワイヤ24が垂れてしまい一方のリード端子21と接触
してその接触部分において電気的ショートを発生させた
り、樹脂モールド部25を成形する際に、金属ワイヤ2
4が切断してしまったりして、不良が発生して歩留まり
が低下するという問題があった。
来の構成を有するLED装置では、LED素子23と他
方のリード端子22とを、金属ワイヤ24を用いてワイ
ヤボンディングしているので、図6に示すように、金属
ワイヤ24が垂れてしまい一方のリード端子21と接触
してその接触部分において電気的ショートを発生させた
り、樹脂モールド部25を成形する際に、金属ワイヤ2
4が切断してしまったりして、不良が発生して歩留まり
が低下するという問題があった。
【0005】また、LED素子23を一方のリード端子
21にダイボンディングした際に、LED素子23が導
電性ペースト27内に沈み込んでしまい、その沈み込み
量が不均一であるために、LED素子23から照射され
る光が樹脂モールド部25外部へ放出されるまでの距離
寸法が一定せず、製造されるLED装置毎に発光輝度が
異なるというように品質の安定性が損なわれる場合があ
った。
21にダイボンディングした際に、LED素子23が導
電性ペースト27内に沈み込んでしまい、その沈み込み
量が不均一であるために、LED素子23から照射され
る光が樹脂モールド部25外部へ放出されるまでの距離
寸法が一定せず、製造されるLED装置毎に発光輝度が
異なるというように品質の安定性が損なわれる場合があ
った。
【0006】本発明は、以上のような状況下で考え出さ
れたもので、発光輝度等の品質の安定した、信頼性の高
い発光装置を提供することを目的とする。
れたもので、発光輝度等の品質の安定した、信頼性の高
い発光装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、一対のリード端子と、該一対のリード端
子の対向面に電気的に接続された一対の導電性シート
と、該一対の導電性シートにより電極面を挟持された発
光素子と、該発光素子および前記一対の導電性シートを
覆い且つ前記リード端子の先端が一側面から突出するモ
ールド部と、前記発光素子の反発光面側に設けられ且つ
前記発光素子からの光を反射させる反射手段と、を備え
てなる発光装置を提供するものである。
決するために、一対のリード端子と、該一対のリード端
子の対向面に電気的に接続された一対の導電性シート
と、該一対の導電性シートにより電極面を挟持された発
光素子と、該発光素子および前記一対の導電性シートを
覆い且つ前記リード端子の先端が一側面から突出するモ
ールド部と、前記発光素子の反発光面側に設けられ且つ
前記発光素子からの光を反射させる反射手段と、を備え
てなる発光装置を提供するものである。
【0008】
【作用および効果】本発明の発光装置によれば、導電性
シートを用いて一対のリード端子を発光素子を介して電
気的に接続させているので、導電性シートと発光素子と
の接続面積を大きくとることが可能であり、しかも導電
性シート自体のせん断強度が優れているため、導電性シ
ートと発光素子との接続不良や導電性シートの切断とい
った電気的な接続不良が著しく低減され、信頼性の高い
発光装置を提供できる。
シートを用いて一対のリード端子を発光素子を介して電
気的に接続させているので、導電性シートと発光素子と
の接続面積を大きくとることが可能であり、しかも導電
性シート自体のせん断強度が優れているため、導電性シ
ートと発光素子との接続不良や導電性シートの切断とい
った電気的な接続不良が著しく低減され、信頼性の高い
発光装置を提供できる。
【0009】また、発光素子はその対向面を導電性シー
トにより挟持して、その一方側側面を発光面とし、反発
光面側に反射手段を設けるといった構造にしているの
で、発光素子と導電性シートとを接触させる際の導電性
シート自体の圧縮量にかかわらず、発光素子の発光面か
らモールド部の表面までの距離寸法は常に一定となる。
このため、作製されるすべての発光装置において、発光
素子から照射される光は、モールド部内を略同一の距離
だけ通過することとなるので、発光輝度の均一な品質の
より安定した発光装置を提供できる。
トにより挟持して、その一方側側面を発光面とし、反発
光面側に反射手段を設けるといった構造にしているの
で、発光素子と導電性シートとを接触させる際の導電性
シート自体の圧縮量にかかわらず、発光素子の発光面か
らモールド部の表面までの距離寸法は常に一定となる。
このため、作製されるすべての発光装置において、発光
素子から照射される光は、モールド部内を略同一の距離
だけ通過することとなるので、発光輝度の均一な品質の
より安定した発光装置を提供できる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の発光装置の一実施例を、図1
乃至図4を参照しつつ説明するが、本発明はこれに限定
されるものでない。本発明の発光装置は、LED装置を
例にとると、図1にその要部断面図を示すように、次の
ような構成からなるものである。
乃至図4を参照しつつ説明するが、本発明はこれに限定
されるものでない。本発明の発光装置は、LED装置を
例にとると、図1にその要部断面図を示すように、次の
ような構成からなるものである。
【0011】このLED装置は、Cuからなる一対のリ
ード端子1および2と、これら一対のリード端子1およ
び2の対向面の先端にそれぞれ貼着された導電性シート
3と、これら導電性シート3に挟持されるように設けら
れたLED素子4(発光素子)と、一対のリード端子1
および2の先端部、導電性シート3およびLED素子4
を覆う透光性のエポキシ樹脂からなるドーム状のモール
ド部5と、このモールド部5の下面に一体的に成形され
た不透光性のエポキシ樹脂からなる反射部6(反射手
段)とからなるものである。
ード端子1および2と、これら一対のリード端子1およ
び2の対向面の先端にそれぞれ貼着された導電性シート
3と、これら導電性シート3に挟持されるように設けら
れたLED素子4(発光素子)と、一対のリード端子1
および2の先端部、導電性シート3およびLED素子4
を覆う透光性のエポキシ樹脂からなるドーム状のモール
ド部5と、このモールド部5の下面に一体的に成形され
た不透光性のエポキシ樹脂からなる反射部6(反射手
段)とからなるものである。
【0012】上記導電性シート3は、導電体としての金
属粒子を含むエポキシ樹脂からなる板状体であり、ま
た、その厚みは、0.5mm程度である。また、導電性
シート3の表裏面には、それぞれ導電体としての金属粒
子を含むエポキシ樹脂からなる接着剤層(図示せず)が
形成されており、この接着剤層によりリード端子1およ
び2、LED素子4に貼着されている。
属粒子を含むエポキシ樹脂からなる板状体であり、ま
た、その厚みは、0.5mm程度である。また、導電性
シート3の表裏面には、それぞれ導電体としての金属粒
子を含むエポキシ樹脂からなる接着剤層(図示せず)が
形成されており、この接着剤層によりリード端子1およ
び2、LED素子4に貼着されている。
【0013】このような構成を有するLED装置は、例
えば次のような方法で作製される。この作製方法におい
ては、図2に示すような、一対のリード端子1および2
を長手方向に沿って一定間隔で形成したリードフレーム
6を用いる。この場合、まず、リード端子1の先端面7
およびリード端子2の先端面8にそれぞれ導電性シート
3を接続形成し、次いで、LED素子4をリード端子1
の導電性シート3上に搭載する。その後に、リード端子
2を、従来のフォーミング加工により、リード端子1に
向けて反転させてリード端子2上の導電性シート3をL
ED素子4に接触させた後に、リード端子1および2の
所定位置を切断する。そして、上記のようにLED素子
4をリード端子1および2で挟み込んだ状態で、従来の
モールド方法により、ドーム状のモールド部5および反
射部6を一体的に成形する。
えば次のような方法で作製される。この作製方法におい
ては、図2に示すような、一対のリード端子1および2
を長手方向に沿って一定間隔で形成したリードフレーム
6を用いる。この場合、まず、リード端子1の先端面7
およびリード端子2の先端面8にそれぞれ導電性シート
3を接続形成し、次いで、LED素子4をリード端子1
の導電性シート3上に搭載する。その後に、リード端子
2を、従来のフォーミング加工により、リード端子1に
向けて反転させてリード端子2上の導電性シート3をL
ED素子4に接触させた後に、リード端子1および2の
所定位置を切断する。そして、上記のようにLED素子
4をリード端子1および2で挟み込んだ状態で、従来の
モールド方法により、ドーム状のモールド部5および反
射部6を一体的に成形する。
【0014】このような方法により作製されるLED装
置では、導電性シート3を用いて一対のリード端子1お
よび2を発光素子4を介して電気的に接続させているの
で、導電性シート3と発光素子4との接続面積を大きく
とることが可能であり、しかも導電性シート3自体のせ
ん断強度が優れているため、導電性シート3と発光素子
4との接続不良や導電性シート3の切断といった電気的
な接続不良が著しく低減され、信頼性の高い発光装置を
提供できる。
置では、導電性シート3を用いて一対のリード端子1お
よび2を発光素子4を介して電気的に接続させているの
で、導電性シート3と発光素子4との接続面積を大きく
とることが可能であり、しかも導電性シート3自体のせ
ん断強度が優れているため、導電性シート3と発光素子
4との接続不良や導電性シート3の切断といった電気的
な接続不良が著しく低減され、信頼性の高い発光装置を
提供できる。
【0015】また、発光素子4はその対向面を導電性シ
ート3により挟持して、その一方側側面を発光面とし、
反発光面側に反射部6を設けるといった構造にしている
ので、発光素子4と導電性シート3とを接触させる際の
導電性シート3自体の圧縮量にかかわらず、発光素子4
の発光面からモールド部5の表面までの距離寸法は常に
一定となる。このため、作製されるすべての発光装置に
おいて、発光素子4から照射される光は、モールド部5
内を略同一の距離だけ通過することとなるので、発光輝
度の均一な品質のより安定した発光装置を提供できる。
ート3により挟持して、その一方側側面を発光面とし、
反発光面側に反射部6を設けるといった構造にしている
ので、発光素子4と導電性シート3とを接触させる際の
導電性シート3自体の圧縮量にかかわらず、発光素子4
の発光面からモールド部5の表面までの距離寸法は常に
一定となる。このため、作製されるすべての発光装置に
おいて、発光素子4から照射される光は、モールド部5
内を略同一の距離だけ通過することとなるので、発光輝
度の均一な品質のより安定した発光装置を提供できる。
【0016】本実施例においては、LED素子4を導電
性シート3を介してリード端子1および2で挟み込んだ
状態であるが、これに限定するものでなく、図3(a)
に示すように、リード端子1および2の先端にSiO2
等からなる絶縁膜9を形成して、この絶縁膜9上にLE
D素子4を搭載し、このLED素子4の左右側面から絶
縁膜9を通じてリード端子1および2にそれぞれ接続す
るように導電性シート3を貼着したものでもよく、ま
た、図3(b)に示すように、リード端子1のみに絶縁
膜9を形成して、LED素子4をこの絶縁膜9上に搭載
した構成を有するものでもよい。
性シート3を介してリード端子1および2で挟み込んだ
状態であるが、これに限定するものでなく、図3(a)
に示すように、リード端子1および2の先端にSiO2
等からなる絶縁膜9を形成して、この絶縁膜9上にLE
D素子4を搭載し、このLED素子4の左右側面から絶
縁膜9を通じてリード端子1および2にそれぞれ接続す
るように導電性シート3を貼着したものでもよく、ま
た、図3(b)に示すように、リード端子1のみに絶縁
膜9を形成して、LED素子4をこの絶縁膜9上に搭載
した構成を有するものでもよい。
【0017】また、本実施例においては、導電性シート
3にエポキシ樹脂を用いているが、これに限定するもの
でない。さらに、本実施例においては、反射手段として
モールド部5に一体的に成形された反射部6を用いてい
るが、これに限定するものでなく、モールド部5下面に
不透光性の各種金属メッキを施してもよく、また、図4
に示すように、セラミック等からなる基板10にリード
端子1および2を突き刺し、この状態でモールド部5を
成形することにより、この基板10を反射手段としても
よい。
3にエポキシ樹脂を用いているが、これに限定するもの
でない。さらに、本実施例においては、反射手段として
モールド部5に一体的に成形された反射部6を用いてい
るが、これに限定するものでなく、モールド部5下面に
不透光性の各種金属メッキを施してもよく、また、図4
に示すように、セラミック等からなる基板10にリード
端子1および2を突き刺し、この状態でモールド部5を
成形することにより、この基板10を反射手段としても
よい。
【0018】加えて、本実施例においては、発光装置と
してLED装置を用いているが、これに限定するもので
ない。
してLED装置を用いているが、これに限定するもので
ない。
【図1】本発明に係るLED装置を示す要部断面図であ
る。
る。
【図2】本発明のLED装置を作製する際に用いるリー
ドフレームを示す平面図である。
ドフレームを示す平面図である。
【図3】本発明の発光装置の変形例を示すものであっ
て、リード端子先端に絶縁膜を設けたLED装置を示す
要部断面図である。
て、リード端子先端に絶縁膜を設けたLED装置を示す
要部断面図である。
【図4】本発明の発光装置の変形例を示すものであっ
て、モールド部に封止された基板を反射手段としたLE
D装置を示す要部断面図である。
て、モールド部に封止された基板を反射手段としたLE
D装置を示す要部断面図である。
【図5】従来のLED装置を示す要部断面図である。
【図6】従来のLED装置において金属ワイヤがリード
端子に接触している状態を示す要部断面図である。
端子に接触している状態を示す要部断面図である。
1 リード端子 2 リード端子 3 導電性シート 4 LED素子 5 樹脂モールド部 6 リードフレーム 7 リード端子の先端 8 リード端子の先端 9 絶縁膜 10 基板
Claims (1)
- 【請求項1】 一対のリード端子と、該一対のリード端
子の対向面に電気的に接続された一対の導電性シート
と、該一対の導電性シートにより電極面を挟持された発
光素子と、該発光素子および前記一対の導電性シートを
覆い且つ前記リード端子の先端が一側面から突出するモ
ールド部と、前記発光素子の反発光面側に設けられ且つ
前記発光素子からの光を反射させる反射手段と、を備え
てなる発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26251394A JPH08125230A (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26251394A JPH08125230A (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08125230A true JPH08125230A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17376849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26251394A Pending JPH08125230A (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08125230A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012114107A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-14 | Toshiba Corp | Ledパッケージ |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS48100083A (ja) * | 1972-02-24 | 1973-12-18 | ||
JPS50133781A (ja) * | 1974-04-08 | 1975-10-23 | ||
JPS50133782A (ja) * | 1974-04-08 | 1975-10-23 | ||
JPH03206673A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-10 | Seiwa Denki Kk | 発光ダイオード素子およびその製造方法 |
JPH05125337A (ja) * | 1991-11-01 | 1993-05-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱圧着可能な導電性フイルム状接着剤 |
-
1994
- 1994-10-26 JP JP26251394A patent/JPH08125230A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS48100083A (ja) * | 1972-02-24 | 1973-12-18 | ||
JPS50133781A (ja) * | 1974-04-08 | 1975-10-23 | ||
JPS50133782A (ja) * | 1974-04-08 | 1975-10-23 | ||
JPH03206673A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-10 | Seiwa Denki Kk | 発光ダイオード素子およびその製造方法 |
JPH05125337A (ja) * | 1991-11-01 | 1993-05-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱圧着可能な導電性フイルム状接着剤 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012114107A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-14 | Toshiba Corp | Ledパッケージ |
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