WO2007037093A1 - 反射材及び発光ダイオード用反射体 - Google Patents

反射材及び発光ダイオード用反射体 Download PDF

Info

Publication number
WO2007037093A1
WO2007037093A1 PCT/JP2006/317317 JP2006317317W WO2007037093A1 WO 2007037093 A1 WO2007037093 A1 WO 2007037093A1 JP 2006317317 W JP2006317317 W JP 2006317317W WO 2007037093 A1 WO2007037093 A1 WO 2007037093A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
reflector
compound
light
reflective material
resin
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/317317
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hiroyuki Higuchi
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co., Ltd. filed Critical Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Priority to JP2007537560A priority Critical patent/JPWO2007037093A1/ja
Priority to DE112006002540T priority patent/DE112006002540T5/de
Priority to US12/066,884 priority patent/US20090268279A1/en
Publication of WO2007037093A1 publication Critical patent/WO2007037093A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/0808—Mirrors having a single reflecting layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85385—Shape, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Definitions

  • the present invention relates to a reflector and a reflector for a light emitting diode.
  • LEDs light-emitting diodes
  • white LEDs are expected as next-generation light sources to replace conventional white light bulbs, halogen lamps, HID lamps, and so on.
  • LEDs have been evaluated for their features such as long life, power saving, temperature stability, and low-voltage drive, and they are applied to displays, destination display boards, in-vehicle lighting, signal lights, emergency lights, mobile phones, video cameras, and so on.
  • Such a light-emitting device is usually manufactured by fixing an LED to a reflector formed by integrally molding a synthetic resin with a lead frame and sealing with a sealing material such as epoxy resin or silicone resin.
  • the LED reflector material In order to efficiently take out light emitted from the LED, the LED reflector material needs to have a high light reflectivity. In recent years, LEDs that emit ultraviolet light have come to be used, and there is a demand for those having high reflectivity for ultraviolet light. Also, it may be exposed to high temperatures, such as a sealing process or a soldering process. For this reason, it is required that the reflectance does not decrease even when exposed to high temperatures.
  • a resin composition obtained by adding acid-titanium to a polyamide-based resin (for example, Patent Document 1) is often used as a LED reflector.
  • This material has a high reflectance in the visible light region.
  • titanium dioxide absorbs ultraviolet light having a wavelength of 400 nm or less
  • the material containing titanium dioxide hardly reflects ultraviolet light having a wavelength of 400 nm or less.
  • potassium titanate fibers were used instead of acid titanium (Patent Document 2), the reflection characteristics against ultraviolet rays were not enough to improve (the reflectance was about 30% at 350 nm).
  • Patent Document 3 discloses a technique of providing a resin layer containing a light-reflective filler around a light-emitting element when manufacturing an LED lamp.
  • a light reflective filler a compound containing titanium and oxygen such as titanium oxide and potassium titanate is disclosed.
  • these fillers have the property of absorbing ultraviolet rays, they are still purple. The reflectivity for external lines was very low.
  • Patent Document 4 discloses a light reflecting film in which a surface layer containing hollow particles is laminated on a polyester resin sheet containing bubbles. This film has a high reflectivity, and it has been shown that the brightness is improved when it is incorporated into a liquid crystal knocklight, but the UV reflection characteristics are not mentioned.
  • polyester is selected based on the fact that there is almost no absorption in the visible light region.
  • Patent Document 1 JP-A-2-288274
  • Patent Document 2 JP 2002-294070 A
  • Patent Document 3 JP 2000-150969 A
  • Patent Document 4 Japanese Patent Laid-Open No. 2004-101601
  • An object of the present invention is to provide a reflector and an LED reflector having a high reflectivity with respect to ultraviolet rays and a high reflectivity even after heat treatment.
  • the following reflector and LED reflector are provided.
  • thermopolymerizable compound is a compound having one or more kinds selected from an acrylic compound, an epoxy compound, and a silicone compound.
  • a polymer having a visible light reflectance at a wavelength of 550 nm of 80% or more, and a polymer made from the composition containing (a) and (b) as a raw material is laminated on the substrate! / Reflector according to any one of 1 to 5
  • the substrate is a metal selected from the group consisting of aluminum, gold, silver, copper, nickel, and palladium, and one or more selected
  • a light-emitting diode reflector having the reflective material according to any one of 1 to 8 on at least a reflective surface.
  • FIG. 1 is a graph showing the reflectance of a reflector obtained in Example 2.
  • FIG. 2 is a view showing a reflector for LED produced in Example 9, wherein (a) is a cross-sectional view of a molded product obtained by injection molding of a resin composition containing a solid particulate white pigment.
  • FIGS. 4A and 4B are cross-sectional views when an LED is attached to the molded body of FIG. 5A and a polymerizable compound containing hollow particles is applied and polymerized inside the molded body, and
  • FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view when a sealant is added to the resin and cured.
  • the reflective material of the present invention comprises a polymer made from a composition containing a heat or photopolymerizable compound and hollow particles as a raw material.
  • the thermal or photopolymerizable compound may be one kind or a mixture of two or more kinds.
  • the photopolymerizable compound preferably has an ultraviolet transmittance of 50% or more, more preferably 60% to 100%, for light having a wavelength of 350 nm when the thickness is 250 m.
  • the ultraviolet transmittance is a value measured for rosin polymerized by heat or light.
  • a thermal or photopolymerizable compound having an ultraviolet transmittance at a wavelength of 350 nm at a thickness of 250 ⁇ m of 50% or more includes acrylic compounds, epoxy compounds, silicone compounds, styrene compounds , Phenolic compounds, unsaturated polyester compounds, and the like, which may include one or more of these.
  • the heat or photopolymerizable compound refers to a compound that is polymerized by heat or light.
  • a compound may be any of a monomer, an oligomer, or a resin. Oligomer resin is further polymerized by the action of heat and light.
  • acrylic compounds, epoxy compounds, and silicone compounds that give high heat-resistant polymers are preferred.
  • acrylic compounds and silicone compounds are preferred.
  • an alicyclic hydrocarbon group-containing (meth) acrylic acid ester compound having 7 or more carbon atoms is preferred because it gives a polymer having a high glass transition point and excellent light resistance.
  • Examples of the alicyclic hydrocarbon group having 7 or more carbon atoms include an adamantyl group, a norbornyl group, a dicyclopentanyl group, and the like.
  • the thermal or photopolymerizable ricin compound may be liquid or solid before polymerization, but is more preferable because the liquid is easier to handle at room temperature.
  • a polymer (silicone resin) obtained from a silicone compound has a low glass transition point but is excellent in flexibility.
  • the silicone-based resin can relieve the thermal stress generated during the manufacture and use of the LED lamp, and can cause peeling between the sealant and the lead frame.
  • Silicone-based resin is also excellent in light resistance. The above is the reason why silicone compounds are preferred.
  • the content of the heat or photopolymerizable compound is 95 to 30% by mass, preferably 90 to 50% by weight, based on the composition comprising the heat or photopolymerizable compound and the hollow particles.
  • the hollow particles also have a material strength with an ultraviolet transmittance of 50% or more for light having a wavelength of 350 nm when the thickness is 250 ⁇ m. More preferably, it is 60% to 100%. Since the ultraviolet light that has passed through the outer shell of the hollow particles is reflected by the hollow portion, a material having a high ultraviolet transmittance is required.
  • the difference in refractive index between the part constituting the hollow particle and the gas existing inside the hollow particle is large.
  • the gas present inside the hollow particles is usually air, but may be an inert gas such as nitrogen or argon, and may be a vacuum.
  • the hollow particles are preferably particles containing one or more closed cells inside the particles, but may be secondary particles in which a hollow portion is formed.
  • the component constituting the hollow particles may be organic or inorganic.
  • the ultraviolet light reaching the hollow particles is reduced and the reflectivity at the hollow portion is reduced, and therefore, those that do not absorb much ultraviolet light are preferable.
  • the hollow portion may be destroyed by heat treatment. Since the reflection characteristics are lost when the hollow portion disappears, a material having high heat resistance is preferable.
  • metal oxides such as glass beads, silica and alumina, and metal salts such as calcium carbonate, barium carbonate, calcium silicate and nickel carbonate can be suitably used.
  • organic material styrene-based resin, acrylic-based resin, and cross-linked products thereof can be suitably used, and one or more of these may be included.
  • glass beads, silica, crosslinked acrylic resin, and crosslinked styrene resin are preferred.
  • the outer diameter of the hollow particles is not particularly limited. From the viewpoint of light reflectivity and handleability 0.01-500
  • / z m force is preferable, 0.1 to: More preferable than LOO / z m force. From 0.01 m / J, otherwise, the viscosity of the composition containing the heat or photopolymerizable compound and the hollow particles is increased before polymerization, which may make it difficult to form. If it is larger than 500 / z m, the surface of the reflector will be rough, and the reflectivity may decrease.
  • the inner diameter of the hollow particles is not particularly limited. From the viewpoint of light reflectivity, 0.001 to 100 111 is preferable, and 0.1 to 50 / ⁇ ⁇ is more preferable. Outside this range, the reflection efficiency may deteriorate. [0021]
  • the content of the hollow particles is 5 to 70% by mass, preferably 10 to 50% by weight, based on the composition containing heat or a polymerizable compound and the hollow particles. If it is less than 5% by weight, the reflectivity may decrease. If it exceeds 70% by weight, the viscosity of the composition containing the heat or photopolymerizable compound and the hollow particles becomes high, and the shaping is performed. There is a risk of becoming.
  • the polymer used in the reflective material of the present invention may contain a thermoplastic resin to improve heat resistance.
  • the thermoplastic resin preferably has a glass transition temperature of 120 ° C or higher, which is highly transparent. If the glass transition temperature is lower than 120 ° C, the heat resistance improvement effect may be reduced.
  • the thermoplastic resin is used in a composition before polymerization.
  • thermoplastic resins examples include acrylic resins, styrene resins, polycarbonates, polyaryl esters, polyether sulfones, epoxy acrylates, olefin maleimide copolymers, ZEONEX.
  • ZEONEX manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., cycloolefin polymer
  • Zeonor manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., cycloolefin polymer
  • Arton manufactured by JSR Co., Ltd., cycloolefin polymer
  • Topas T OPAS, manufactured by Ticona, cycloolefin polymer
  • transparent ABS transparent propylene, methacryl styrene resin, polyarylate, polysulfone, transparent nylon, transparent polybutylene terephthalate, transparent fluoro resin, poly 4-methylpentene 1 And transparent phenoxy resin.
  • the addition amount is preferably 0.5 to 20% by mass in the reflector of the present invention. If the amount is less than 5% by mass, the effect of improving heat resistance cannot be obtained. If the amount is more than 20% by mass, the fluidity of the composition before polymerization tends to be inferior.
  • antioxidants include phenolic antioxidants, phosphorus antioxidants, phenolic antioxidants, rataton antioxidants, and amine amine antioxidants.
  • the amount of these antioxidants to be used is generally 0.005-5 parts by mass, preferably 0.02-2 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the polymer. Two or more of these additives may be combined.
  • a hindered amine light stabilizer can be preferably used as the light stabilizer.
  • the addition amount of the light stabilizer is usually 0.005 to 5 parts by mass, preferably 0.02 to 2 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the polymer. Two or more of these additives may be combined.
  • the thickness of the polymer layer is preferably 0.05 to 2 mm, more preferably 0.25 to 2 mm.
  • the reflective material of the present invention not only has an extremely high reflectivity with respect to ultraviolet rays, but also maintains a high reflectivity even after undergoing a heat treatment when manufacturing a light-emitting device. For example, even after severe heat treatment such as a sealing process (100 to 200 ° C for several hours) and a solder reflow process (260 ° C for several seconds), a reflectance of 50% or more is maintained for light with a wavelength of 350 nm. It is possible.
  • the above polymer is preferably used in a state where the polymer is laminated on a substrate made of a material having a high reflectance to visible light.
  • a material having a high reflectance to visible light means a material having a visible light reflectance at a wavelength of 550 nm of 80% or more.
  • a base material is a rosin composition containing a solid-particle white pigment.
  • a substrate made of a resin composition containing a solid-particle white pigment such as titanium oxide has a low ultraviolet reflectivity and a very high visible light reflectivity.
  • solid particle white pigment examples include titanium oxide, silica, potassium titanate, barium sulfate, alumina, zinc oxide, calcium carbonate, talc, and my strength.
  • the content of the solid particle white pigment is not particularly limited, but is preferably 1 to 50% by weight, more preferably 5 to 40% by weight with respect to the resin composition containing the solid particle white pigment. .
  • Examples of the resin containing solid particle-based white pigment include polyamide-based resin and liquid crystal polymer Polyether-based resin, syndiotactic polystyrene, polyester-based resin, and the like.
  • the content of the resin containing the solid particle-based white pigment is not particularly limited, but 40 to 95% by weight is preferable with respect to the resin composition containing the solid particle-based white pigment 50 to 90% by weight. % Power is preferable.
  • the resin composition containing the solid particle-based white pigment can contain glass fiber and the like.
  • a metal having one or more kinds selected from the group consisting of aluminum, gold, silver, copper, nickel, and palladium Even with such a metallic substrate, it is possible to obtain a high reflectance with ultraviolet rays and visible light.
  • the shape of the substrate is not necessarily flat and may be any shape.
  • the present invention When the present invention is applied to an LED reflector, for example, the one formed into a concave shape as shown in FIG. 2 (a) is used.
  • the thickness of the polymer layer made of a composition containing a heat or photopolymerizable ricin compound and hollow particles varies depending on the location (see 24 in FIG. 2 (b)).
  • the maximum thickness of this layer is 0.05 to 3 mm, more preferably 0.25 to 2 mm.
  • the reflective material of the present invention can be produced by mixing hollow particles with a heat or photopolymerizable compound and then polymerizing with heat or light. Further, a polymerization initiator may be added to accelerate the polymerization reaction.
  • the polymerization initiator is not particularly limited.
  • a radical polymerization initiator can be used.
  • radical polymerization initiators include ketone peroxides such as methyl ethyl ketone peroxide, methyl isobutyl ketone peroxide, acetyl ethyl acetone peroxide, cyclohexanone peroxide, and methylcyclohexanone peroxide.
  • the amount used for the radical polymerization initiator is usually 0.01 to 5 parts by mass, preferably 0.05 to 0.5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the heat or photopolymerizable compound. is there.
  • the above radical polymerization initiators may be used alone or in combination.
  • the reflective material of the present invention can be suitably used for a reflector for LED, but can also be applied to other reflective material applications. It is particularly suitable for applications that require ultraviolet reflectivity and applications that require heat stability.
  • the reflector for LED of the present invention is a composition comprising a heat or photopolymerizable compound and hollow particles
  • the polymer layer which uses as a raw material has at least a reflective surface.
  • the polymer is preferably used in a state of being laminated on a molded body (substrate) made of a resin composition containing a solid particle-based white pigment.
  • the polymer is preferably used in a state of being laminated on a molded body (substrate) having a specific metal strength.
  • thermoplastic rosin and the like used in Examples and Comparative Examples are shown below.
  • Epicoat 828 Japan Epoxy Resin Co., Ltd.
  • UV transmittance of polymer 90% (wavelength 350 °, thickness 250 ⁇ m)
  • Hollow glass beads HSC—110C (Potters Valloty Co., Ltd., average particle size 13 ⁇ m, average pore size 9 / ⁇ ⁇ , (UV transmittance of glass 90% (wavelength 350 nm, thickness 250 m))
  • Crosslinked acrylic Hollow particles XX06BZ (Sekisui Plastics Co., Ltd., average particle size 5; ⁇ ⁇ , average pore size 12 m, (UV transmittance of crosslinked acrylic 84% (wavelength 350 nm, thickness 250 ⁇ m))
  • Silica beads FB201SX (Showa Denko KK, average particle size 7.8 / z m)
  • Acid Titanium Typeter R680 (Ishihara Sangyo Co., Ltd., average particle size 0.21 ⁇ ⁇
  • Fillers were added to the acrylic compound (a) (liquid) in the proportions shown in Table 1, and irradiated with ultrasonic waves for 15 minutes in an ultrasonic cleaner to fully disperse the fillers.
  • 2 g of this filler dispersion was put into an aluminum dish having a diameter of 5 cm and heat-treated at 110 ° C. for 3 hours and 160 ° C. for 1 hour to thermally polymerize the acrylic compound (a). After the polymerization, it was peeled off from the aluminum dish to obtain a round plate having a diameter of 5 cm and a thickness of about 1 mm. The round plate was subjected to the following treatment and evaluated.
  • Heat treatment was performed under the following two conditions.
  • the following i) is a condition that assumes the thermal history that the reflector receives in the sealing process, and ii) that the thermal history that the reflector receives in the solder reflow process.
  • irradiation was performed for 100 hours at an output of 500 W / m 2 .
  • the initial reflectance, the reflectance after heat treatment, and the reflectance after ultraviolet irradiation were measured by the following methods. Made by Shimadzu Corporation 'Self-recording spectrophotometer UV-2400PC' Made by Shimadzu Corporation Multi A large sample chamber unit MPC-2200 was installed, and the reflectance (%) was measured in the wavelength range of 700 to 300 nm. In addition, barium sulfate was used as a reference.
  • Figure 1 shows the measurement results of Example 2.
  • the reflectivity at 550 nm and 350 nm is shown in Table 2.
  • Fillers were added to the epoxy compound (liquid) in the proportions shown in Table 1, and irradiated with ultrasonic waves for 15 minutes in an ultrasonic cleaner to fully disperse the fillers.
  • 2 g of the filler dispersion was put into an aluminum dish having a diameter of 5 cm, heat-treated at 130 ° C. for 3 hours, and the epoxy compound was thermally polymerized to obtain a round plate having a diameter of 5 cm and a thickness of about 1 mm.
  • a heat treatment or the like was performed in the same manner as in Example 1, and the reflectance after the initial heat treatment and after the ultraviolet irradiation was measured. Further, the glass transition point was measured by the method described above. The results are shown in Table 2.
  • Fillers were added to the silicone compound (a) (liquid) in the proportions shown in Table 1 and irradiated with ultrasonic waves for 15 minutes in an ultrasonic cleaner to sufficiently disperse the fillers.
  • 2 g of the filler dispersion was put into an aluminum dish having a diameter of 5 cm, heat-treated at 160 ° C. for 3 hours, and the silicone compound (a) was thermally polymerized to obtain a round plate having a diameter of 5 cm and a thickness of about 1 mm.
  • a heat treatment or the like was performed in the same manner as in Example 1, and the reflectance after the initial heat treatment and after the ultraviolet irradiation was measured. The results are shown in Table 2.
  • Example 2 A filler dispersion in which the hollow glass beads used in Example 2 were dispersed in the acrylic compound (a) on the square plate obtained in Comparative Example 4 (visible light reflectivity of 90.6% at 550 nm) was obtained. lg was applied and thermally polymerized under conditions of 110 ° C for 3 hours and 160 ° C for 1 hour. The heat treatment and the like were performed in the same manner as in Example 1, and the reflectance after the initial heat treatment and after ultraviolet irradiation was measured. The results are shown in Table 2.
  • Example 1 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-101601 a light reflecting film having a thickness of about 200 ⁇ m was produced.
  • the main extruder has an intrinsic viscosity of 0.63 dlZg, a polyethylene terephthalate (hereinafter referred to as PET) with a melting point of 256 ° C, 89% by weight, a polymethylpentene with a melting point of 235 ° C, 10% by weight, and a molecular weight of 4,000 polyethylene.
  • PET polyethylene terephthalate
  • Pellets mixed with 1% by weight of glycol are supplied, and pellets mixed with 85% by weight of PET and 15% by weight of calcium carbonate particles with an average particle size of 1.5 m are supplied to another sub-extrusion machine.
  • a three-layer laminated sheet was produced by melt extrusion so that the components supplied to the sub-extruder were laminated on the surface layers on both sides of the resin layer extruded from the machine, and cooling on a mirror-surface cast drum by electrostatic application method. .
  • the laminated sheet was stretched 3.3 times in the longitudinal direction at a temperature of 90 ° C, and then stretched 3.5 times in the width direction at 120 ° C through a preheating zone of 110 ° C with a tenter.
  • the film was further heat treated at 220 ° C for 30 seconds to obtain a stretch heat-treated sheet.
  • the following coating material was applied to one side of the sheet so that the average thickness after drying was 10 m, and dried at 120 ° C.
  • Emulsion solution solids concentration 33%) 1 part (parts by weight, the same shall apply hereinafter)
  • a water-based binder pigment solution solid content concentration: 50%
  • Nipol LX407BP manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.
  • the obtained light reflecting film had a flat bubble content of 92.8% and a hollow particle area occupation ratio of 60.9%.
  • this film has flat bubbles, but the reflectors of the examples do not have flat bubbles.
  • the obtained film was subjected to heat treatment and the like in the same manner as in Example 1, and the reflectance after the initial heat treatment and after ultraviolet irradiation was measured. The results are shown in Table 2.
  • the electronic component (LED reflector) shown in Fig. 2c was fabricated.
  • the resin composition 10 used in Comparative Example 4 was injection molded (barrel temperature 330 ° C., mold temperature 120 ° C.) to produce an integrally molded product with the lead frame 12 as shown in FIG. 2a.
  • Light-emitting element 20 (manufactured by Nichia Corporation, NCCU033) is mounted on this molded product, and after bonding gold wire 22, the hollow glass beads used in Example 2 are made acrylic based on the inside of the injection molded product.
  • the filler dispersion liquid 24 dispersed in the compound (a) was applied (see FIG. 2b), and thermal polymerization was performed under conditions of 110 ° C. for 3 hours and 160 ° C. for 1 hour. At this time, the maximum thickness of the thermal polymer 24 was about 0.7 mm.
  • an acrylic compound (a) as a sealant 30 was placed in the concave portion of the molded article and polymerized under conditions of 110 ° C. for 3 hours and 160 ° C. for 1 hour (see FIG. 2c).
  • the electronic parts thus obtained were energized and the brightness was examined visually.
  • the evaluation is as follows.
  • Table 3 shows the evaluation results.
  • the electronic component was sealed in the same manner as in Example 9 except that the silicone compound (a) was used instead of the acrylic compound (a) as the sealant and was thermally polymerized at 160 ° C for 3 hours. Obtained. The brightness was visually checked after energization. Table 3 shows the evaluation results.
  • Example 2 The hollow glass beads used in Example 2 were coated with the acid-titanium-dispersed acrylic compound (a) used in Comparative Example 2 instead of the filler monodispersed liquid in which the acrylic compound (a) was dispersed. Otherwise, an electronic component was obtained in the same manner as in Example 9. The electronic parts thus obtained were energized, and the luminance was examined visually. Table 3 shows the evaluation results.
  • Fillers were added to the acrylic compound (b) in the proportions shown in Table 4 and irradiated with ultrasonic waves for 15 minutes in an ultrasonic cleaner to sufficiently disperse the fillers. 2 g of this filler dispersion was put into an aluminum dish having a diameter of 5 cm and heat treated at 110 ° C. for 3 hours and 160 ° C. for 1 hour to thermally polymerize the acrylic compound (b). As a result, a round plate having a diameter of 5 cm and a thickness of 1 mm was obtained.
  • Example 5 A heat treatment or the like was performed in the same manner as in Example 1, and the reflectance after the initial heat treatment and after the ultraviolet irradiation was measured. Further, the glass transition point was measured by the method described above. The results are shown in Table 5.
  • Fillers were added to the acrylic compound (c) in the proportions shown in Table 4, and were irradiated with ultrasonic waves for 15 minutes in an ultrasonic cleaner to sufficiently disperse the fillers. 2 g of this filler dispersion was put into an aluminum dish having a diameter of 5 cm and heat-treated at 110 ° C. for 3 hours and 160 ° C. for 1 hour to thermally polymerize the acrylic compound (c). As a result, a round plate having a diameter of 5 cm and a thickness of 1 mm was obtained.
  • Example 5 A heat treatment or the like was performed in the same manner as in Example 1, and the reflectance after the initial heat treatment and after the ultraviolet irradiation was measured. Further, the glass transition point was measured by the method described above. The results are shown in Table 5.
  • Fillers were added to the silicone compound (b) in the proportions shown in Table 4, and the filler was sufficiently dispersed by irradiating with ultrasonic waves in an ultrasonic cleaner for 15 minutes. 2 g of this filler dispersion was put into an aluminum dish having a diameter of 5 cm and heat-treated at 70 ° C for 1 hour and at 150 ° C for 5 hours to thermally polymerize the silicone compound (b). As a result, a round plate having a diameter of 5 cm and a thickness of 1 mm was obtained.
  • Example 5 A heat treatment or the like was performed in the same manner as in Example 1, and the reflectance after the initial heat treatment and after the ultraviolet irradiation was measured. Further, the glass transition point was measured by the method described above. The results are shown in Table 5.
  • Example 3 0.7 g of the filler dispersion prepared in Example 3 was put into an aluminum dish having a diameter of 5 cm, and 110 ° C 3 Heat treatment was performed for 1 hour at 160 ° C. to obtain a round plate polymer having a diameter of 5 cm and a thickness of 0.3 mm. A heat treatment or the like was performed in the same manner as in Example 1, and the reflectance after the initial heat treatment and after the ultraviolet irradiation was measured. Further, the glass transition point was measured by the method described above. The results are shown in Table 5.
  • Example 3 0.25 g of the filler dispersion prepared in Example 3 was put into an aluminum dish having a diameter of 5 cm, and heat treated at 110 ° C. for 3 hours and 160 ° C. for 1 hour to obtain a round plate polymer having a diameter of 5 cm and a thickness of 0.1 mm. It was. A heat treatment or the like was performed in the same manner as in Example 1, and the reflectance after the initial heat treatment and after the ultraviolet irradiation was measured. Further, the glass transition point was measured by the method described above. The results are shown in Table 5.
  • the filler dispersion lg prepared in Example 3 was applied on a 3 cm square 1 mm thick aluminum plate having a silver-plated surface, and was thermally polymerized under conditions of 110 ° C. for 3 hours and 160 ° C. for 1 hour. After the polymerization, the polymerization layer was evaluated without peeling off from the aluminum plate.
  • Example 5 A heat treatment or the like was performed in the same manner as in Example 1, and the reflectance after the initial heat treatment and after the ultraviolet irradiation was measured. The results are shown in Table 5. The light reflectance of silver at a wavelength of 550 nm is 98%.
  • Example 1 Example 1 2 Example 1 3 Example 1 4 Example 1 5 Example 1 6
  • the reflective material of the present invention can be used for lamp reflectors for liquid crystal displays, reflectors for showcases, reflectors for illumination, LED reflectors, and the like.
  • LED reflectors can be used in various office automation equipment, electrical and electronic equipment and parts, automobile parts, such as displays, destination display boards, in-vehicle lighting, signal lights, emergency lights, mobile phones, and video cameras.

Abstract

　紫外線に対して高い反射率を有し、さらに、熱処理後も高い反射率を有する反射材及びＬＥＤ用反射体を提供する。 下記（ａ）及び（ｂ）を含む組成物を原料とする重合体からなる反射材。 （ａ）熱又は光重合性化合物　９５～３０質量％ （ｂ）波長３５０ｎｍでの紫外線透過率が５０％以上の材質からなる中空粒子　５～７０質量％

Description

明 細 書
反射材及び発光ダイオード用反射体
技術分野
[0001] 本発明は、反射材及び発光ダイオード用反射体に関する。
背景技術
[0002] 1990年代以降、発光ダイオード (LED)の進歩は目覚しぐ高出力化とともに多色 化が進んでいる。なかでも白色 LEDは従来の白色電球、ハロゲンランプ、 HIDラン プ等を代替する次世代の光源として期待されている。実際、 LEDは長寿命、省電力 、温度安定性、低電圧駆動等の特長が評価され、ディスプレイ、行き先表示板、車載 照明、信号灯、非常灯、携帯電話、ビデオカメラ等へ応用されている。かかる発光装 置は、通常、合成樹脂をリードフレームと一体成形してなる反射体に LEDを固定し、 エポキシ榭脂ゃシリコーン榭脂等の封止材料で封止することにより製造されている。
[0003] LED反射体用材料には、 LEDが発光する光を効率よく取出すために、高い光反 射率が必要である。近年、紫外線を発する LEDが用いられるようになつてきており、 紫外線に対しても高い反射率を有するものが求められている。また、封止工程やはん だ付け工程等、高温に曝される場合もある。このため、高温に曝されても、反射率が 低下しな 、ことが求められて 、る。
[0004] ポリアミド系榭脂に酸ィ匕チタンを添加した榭脂組成物が（例えば、特許文献 1)、 LE D反射体としてよく用いられている。この材料は、可視光領域では高い反射率を有す る。し力しながら、酸ィ匕チタンは波長 400nm以下の紫外線をよく吸収するため、酸ィ匕 チタンを含む前記材料は波長 400nm以下の紫外線をほとんど反射しな 、。酸ィ匕チ タンの代わりにチタン酸カリウム繊維を用いると (特許文献 2)、紫外線に対する反射 特性は改良される力 それでも不十分であった（350nmで反射率 30%程度)。
[0005] 一方、特許文献 3に、 LEDランプを製造する際に、発光素子の周辺に、光反射性 フィラーを含有する榭脂層を備える技術が開示されている。光反射性フイラ一として は、酸化チタンやチタン酸カリウム等チタンと酸素を含む化合物が開示されている。し 力しながら、これらのフイラ一は紫外線を吸収する性質を持っているため、やはり、紫 外線に対する反射率は極めて低 、ものであった。
[0006] 特許文献 4に、気泡を内包するポリエステル榭脂シートに中空粒子を含有する表面 層を積層した光反射フィルムが開示されている。本フィルムは反射率が高ぐさらに液 晶ノ ックライトに組込むと輝度が向上することが示されているが、紫外線反射特性に ついては触れられていない。例えば、可視光線域における吸収がほとんどない点を 基準にしてポリエステルを選択している。また、 LEDランプの大きさは通常、 5mm角 程度と非常に小さぐ前記積層フィルムを反射体として LEDランプに組込むことは困 難であった。さらに、 LEDランプ製造に要求される熱処理工程に対する反射率の変 ィ匕に関しては、開示されてもいないし、検討されてもな力つた。
特許文献 1：特開平 2— 288274号公報
特許文献 2：特開 2002— 294070号公報
特許文献 3：特開 2000— 150969号公報
特許文献 4：特開 2004— 101601号公報
[0007] 本発明の目的は、紫外線に対して高い反射率を有し、さらに、熱処理後も高い反 射率を有する反射材及び LED用反射体を提供することである。
発明の開示
[0008] 本発明によれば、以下の反射材及び LED用反射体が提供される。
1.下記 (a)及び (b)を含む組成物を原料とする重合体からなる反射材。
(a)熱又は光重合性化合物 95〜30質量％
(b)波長 350nmでの紫外線透過率が 50%以上の材質力もなる中空粒子 5〜70 質量％
2.前記熱又は光重合性化合物が、波長 350nmでの紫外線透過率が 50%以上で ある 1に記載の反射材。
3.前記熱又は光重合性化合物が、アクリル系化合物、エポキシ系化合物、シリコー ン系化合物力 選ばれる 1種又は 2種以上力 なる化合物である 1又は 2に記載の反 射材。
4.前記中空粒子が、架橋榭脂又は無機化合物である 1〜3のいずれかに記載の反 射材。 5.前記中空粒子が、架橋スチレン系榭脂、架橋アクリル系榭脂、無機ガラス又はシリ 力である 1〜4のいずれかに記載の反射材。
6.さらに、波長 550nmでの可視光線反射率が 80%以上である基体を含み、前記（ a)及び (b)を含む組成物を原料とする重合体が前記基体上に積層して!/ヽる 1〜5の いずれかに記載の反射材
7.前記基体が、充実粒子系白色顔料を含む榭脂組成物である 6に記載の反射材
8.前記基体が、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル又はパラジウム力 選ばれる 1種 又は 2種以上力 なる金属である 6に記載の反射材
9. 1〜8のいずれかに記載の反射材を少なくとも反射面に有する発光ダイオード用 反射体。
10.前記反射材が、充実粒子系白色顔料を含む榭脂組成物力 なる成形体上に積 層されている 9に記載の発光ダイオード用反射体。
11.前記反射材が、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル又はパラジウム力 選ばれる 1種又は 2種以上力 なる金属からなる成形体上に積層されている 9に記載の発光ダ ィオード用反射体。
[0009] 本発明によれば、紫外線に対して高い反射率を有し、さらに、熱処理後も高い反射 率を有する反射材及び LED用反射体が提供できる。
図面の簡単な説明
[0010] [図 1]実施例 2で得られた反射板の反射率を示すグラフである。
[図 2]実施例 9で製造した LED用反射体を示す図であり、 (a)は充実粒子系白色顔 料を含む榭脂組成物を射出成形して得た成形体の断面図であり、（b)は、（a)の成 形体に LEDを取り付け、成形体内部に中空粒子を含む重合性化合物を塗布し重合 したときの断面図であり、（c)は、（b)の凹部に封止剤を投入して硬化したときの断面 図ある。
発明を実施するための最良の形態
[0011] 本発明の反射材は、熱又は光重合性ィ匕合物及び中空粒子を含む組成物を原料と する重合体からなる。
[0012] 熱又は光重合性ィ匕合物は 1種又は 2種以上の混合物であってもよい。 1つ 1つの熱 又は光重合性ィ匕合物は、好ましくは厚みが 250 mのときの波長 350nmの光に対 する紫外線透過率が 50%以上であり、より好ましくは 60%〜100%である。尚、この 紫外線透過率は、熱又は光で重合させた榭脂について、測定した値である。紫外線 透過率が高いと、榭脂層を透過して中空粒子に形成される気体層に到達する紫外 線の割合が高くなり、この気体層で反射される紫外線の割合も高くなる。このようにし て、紫外線反射率の高い反射材が形成される。
[0013] 厚みが 250 μ mのときの波長 350nmの紫外線透過率が 50%以上である熱又は光 重合性ィ匕合物としては、アクリル系化合物、エポキシ系化合物、シリコーン系化合物 、スチレン系化合物、フ ノール系化合物、不飽和ポリエステル系化合物等が挙げら れ、これらを 1種又は 2種以上含んでいてもよい。
尚、本発明における熱又は光重合性ィ匕合物とは、熱又は光で重合する化合物を指 す。そのような化合物は、モノマー、オリゴマー、又は、榭脂のいずれでもよい。オリゴ マーゃ榭脂は、熱や光の作用で、更に重合が進行する。
[0014] 中でも、高耐熱性重合体を与えるアクリル系化合物、エポキシ系化合物、シリコーン 系化合物が好ましい。さらに、アクリル系化合物及びシリコーン系化合物が好ましい。 特に、炭素数 7以上の脂環式炭化水素基含有 (メタ)アクリル酸エステルイ匕合物が、 ガラス転移点が高く耐光性に優れた重合体を与える点で好ましい。
[0015] 炭素数 7以上の脂環式炭化水素基としては、ァダマンチル基、ノルボルニル基又は ジシクロペンタニル基等が挙げられる。熱又は光重合性ィヒ合物は、重合前は液体で あっても固体であっても構わな 、が、室温で液体の方が取り扱 、やす 、のでより好ま しい。
一方、シリコーン系化合物から得られる重合体 (シリコーン系榭脂）は、ガラス転移 点は低いものの柔軟性に優れている。このため、シリコーン系榭脂は、 LEDランプ製 造時や使用時に発生する熱応力を緩和し、封止剤やリードフレームとの間の剥離が 起こりに《することができる。また、シリコーン系榭脂は耐光性にも優れる榭脂である 。以上がシリコーン系化合物の好まし 、理由として挙げられる。
[0016] 熱又は光重合性化合物の含有量は、熱又は光重合性化合物と中空粒子を含んで なる組成物に対して 95〜30質量％であり、好ましくは 90〜50重量％である。 [0017] 中空粒子は、厚みが 250 μ mのときの波長 350nmの光に対する紫外線透過率が 50%以上である材質力もなる。より好ましくは 60%〜 100%である。中空粒子の外殻 を透過した紫外線は、中空部で反射されるため、紫外線透過率の高い材質が必要と なる。
中空部での反射率を高めるためには、中空粒子を構成する部分と中空粒子内部に 存在する気体との屈折率の差が大きいほうがよい。中空粒子内部に存在する気体は 、通常、空気である力 窒素やアルゴン等の不活性ガスでもよぐまた、真空であって ちょい。
[0018] 中空粒子は、粒子内部に 1つ以上の独立気泡を内包する粒子であることが好まし いが、中空部が形成されている 2次粒子であってもよい。中空粒子を構成する成分は 、有機物でも無機物でも構わない。しかし、中空粒子の外殻で紫外光が吸収されると 中空粒子内部に届く紫外線が減少し、中空部での反射率が低下するので、紫外光 をあまり吸収しないものが好ましい。また、熱処理により中空部が破壊されることがあ る。中空部が無くなると反射特性が失われるので、耐熱性が高いものが好ましい。
[0019] このような材料としては、無機物では、ガラスビーズ、シリカ、アルミナ等の金属酸ィ匕 物、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、珪酸カルシウム、炭酸ニッケル等の金属塩等を 好適に用いることができる。有機物では、スチレン系榭脂、アクリル系榭脂、及び、こ れらの架橋体等を好適に用いることができ、これらを 1種又は 2種以上含んでいても 良い。中でも、ガラスビーズ、シリカ、架橋アクリル系榭脂、架橋スチレン系榭脂が好 ましい。
[0020] 中空粒子の外径は特に限定されない。光反射性、取扱性の観点力 0. 01〜500
/z m力好ましく、 0. 1〜： LOO /z m力より好ましい。 0. 01 mより/ J、さいと、熱又は光重 合性ィ匕合物と中空粒子を含む組成物の重合前の粘度が高くなり、賦形しにくくなる 恐れがある。 500 /z mより大きいと、反射体の表面荒れが生じ、反射率が低下する恐 れがある。
中空粒子の内径も特に限定されない。光反射性の観点から、 0. 005〜100 111カ 好ましぐ 0. 1〜50 /ζ πιがより好ましい。この範囲を外れると反射効率が悪くなる恐れ がある。 [0021] 中空粒子の含有量は、熱又は重合性化合物と中空粒子を含む組成物に対して 5 〜70質量％であり、好ましくは 10〜50重量％である。 5重量％未満であると反射率 が低下する恐れがあり、 70質量％を超えると熱又は光重合性ィ匕合物と中空粒子を含 む組成物の重合前の粘度が高くなり、賦形しに《なる恐れがある。
[0022] 本発明の反射材に使用される重合体は、耐熱性向上のために、熱可塑性榭脂を 含有させてもよい。熱可塑性榭脂としては、透明性が高ぐガラス転移温度が 120°C 以上のものが望ましい。ガラス転移温度が 120°Cより小さい場合は耐熱性の向上効 果が小さくなる恐れがある。通常、熱可塑性榭脂は、重合前の組成物に配合して用 いられる。
[0023] このような熱可塑性榭脂としては、アクリル系榭脂、スチレン系榭脂、ポリカーボネ ート類、ポリアリールエステル類、ポリエーテルスルホン類、エポキシアタリレート類、 ォレフィン マレイミド共重合体、ゼォネックス（ZEONEX、日本ゼオン (株）製、シク ロォレフイン系重合体）、ゼォノア（ZEONOR、 日本ゼオン (株）製、シクロォレフイン 系重合体)アートン (ARTON、JSR (株)製、シクロォレフイン系重合体）、トーパス (T OPAS、 Ticona社製、シクロォレフイン系重合体）、透明 ABS、透明プロピレン、メタ クリルスチレン樹脂、ポリアリレート、ポリサルホン、透明ナイロン、透明ポリブチレンテ レフタレート、透明フッ素榭脂、ポリ一 4—メチルペンテン一 1、透明フエノキシ榭脂等 が挙げられる。
熱可塑性榭脂を添加する場合、その添加量は、本発明の反射材中、 0. 5〜20質 量％を含有させることが好ましい。 0. 5質量％より少ないと耐熱性向上効果が得られ ず、 20質量％より多いと重合前の組成物の流動性が劣ることになりやすい。
[0024] また、本発明の反射材に使用される重合体に、添加剤として、さらに公知の酸化防 止剤及び光安定剤等を使用することができる。酸ィ匕防止剤としては、フエノール系酸 化防止剤、リン系酸化防止剤、ィォゥ系酸化防止剤、ラタトン系酸化防止剤、ァミン 系酸化防止剤等がある。
これら酸化防止剤の使用量は、重合体全量 100質量部に対して、通常 0. 005-5 質量部、好ましくは 0. 02〜2質量部である。これらの添加剤を 2種以上組み合わせ ても良い。 [0025] 光安定剤は、ヒンダードアミン系光安定剤が好適に用いることができる。 光安定剤の添加量は、重合体全量 100質量部に対して、通常 0. 005〜5質量部、 好ましくは 0. 02〜2質量部である。これらの添加剤を 2種以上組み合わせてもよい。
[0026] 発光装置をより小さくするには、上記重合体の層は薄い方が都合がよいが、層が厚 いほど光が中空粒子に衝突する確率が高くなるため、反射率が高くなる。
本発明の反射材から層を形成するときは、上記重合体の層の厚さは、 0. 05〜2m m力好ましく、 0. 25〜2mmがより好ましい。
[0027] 本発明の反射材は、紫外線に対して極めて高い反射率を有するだけでなぐ発光 装置製造時にかかる熱処理を経ても高い反射率を維持する。例えば、封止工程（10 0〜200°Cで数時間）、はんだリフロー工程（260°C数秒）という過酷な熱処理を経て もなお、波長 350nmの光に対して反射率 50%以上を維持することが可能である。
[0028] 上記の重合体は、好ましくは可視光に対する反射率が高い材料からなる基体上に 重合体が積層している状態で使用される。これにより、紫外線だけでなく可視光でも 高い反射率を得ることが可能になる。ここで、「可視光に対する反射率が高い材料」と は、波長 550nmでの可視光線反射率が 80%以上である材料を意味する。
このような基体の材料として、充実粒子系白色顔料を含む榭脂組成物が挙げられ る。酸ィ匕チタン等の充実粒子系白色顔料を含む榭脂組成物カゝらなる基体は、紫外線 反射能は低 ヽが可視光の反射率は非常に高 、。
この榭脂組成物力もなる基体上に、本発明の熱又は光重合性ィ匕合物と中空粒子を 含む組成物を原料とする重合体を積層すると、本積層体の上部から可視光が照射さ れた場合、たとえ熱又は光重合性化合物と中空粒子を含む組成物を原料とする重合 体層で反射せずに透過した光も基体で反射される。従って、上記のように積層するこ とにより、紫外線だけでなぐ可視光でも高い反射率を得ることが可能になる。
[0029] 充実粒子系白色顔料として、例えば酸ィ匕チタン、シリカ、チタン酸カリウム、硫酸バリ ゥム、アルミナ、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、タルク、マイ力等が挙げられる。
[0030] 充実粒子系白色顔料の含有量は、特に制限されないが、充実粒子系白色顔料を 含む榭脂組成物に対して 1〜 50重量％が好ましく、 5〜40重量％がより好まし 、。
[0031] 充実粒子系白色顔料を含ませる榭脂として、例えばポリアミド系榭脂、液晶ポリマー 、ポリエーテル系榭脂、シンジォタクチックポリスチレン、ポリエステル系榭脂等が挙 げられる。
[0032] 充実粒子系白色顔料を含ませる榭脂の含有量は、特に制限されないが、充実粒子 系白色顔料を含む榭脂組成物に対して 40〜95重量％が好ましぐ 50〜90重量％ 力 り好ましい。
充実粒子系白色顔料を含む榭脂組成物は、その他、ガラス繊維等を含むことがで きる。
[0033] また、基体にはアルミニウム、金、銀、銅、ニッケル又はパラジウム力 選ばれる 1種 又は 2種以上力 なる金属を使用することも好ましい。このような金属力 なる基体で も、紫外線及び可視光にて高 、反射率を得ることが可能になる。
[0034] 基体の形状は必ずしも平面状でなくてよぐ任意の形状で構わない。
本発明を LED反射体へ適用する場合は、例えば図 2 (a)の 10のように凹状の形に 成形したものが用いられる。この場合、熱又は光重合性ィヒ合物と中空粒子を含む組 成物からなる重合体層の厚みは場所により異なる（図 2 (b)の 24参照)。この層の最 大厚みは 0. 05〜3mm力 子ましく、 0. 25〜2mmがより好ましい。
[0035] 本発明の反射材は、熱又は光重合性ィ匕合物に中空粒子を混合し、その後、熱又は 光で重合することにより、製造することができる。また、重合反応を促進するため、重 合開始剤を添加してもよい。重合開始剤は特に限定されない。例えば、ラジカル重合 開始剤等を使用することができる。ラジカル重合開始剤としては、メチルェチルケトン パーオキサイド、メチルイソブチルケトンパーオキサイド、ァセチルアセトンパーォキ サイド、シクロへキサノンパーオキサイド、メチルシクロへキサノンパーオキサイドなど のケトンパーオキサイド類、 1, 1, 3, 3—テトラメチルブチルハイド口パーオキサイド、 クメンハイド口パーオキサイド、 t ブチルハイド口パーオキサイドなどのハイド口パー オキサイド類、ジイソプチリルパーオキサイド、ビス 3, 5, 5—トリメチルへキサノール パーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ベンゾィルパーオキサイド、 m トルィル ベンゾィルパーオキサイドなどのジァシルバーオキサイド類、ジクミルパーオキサイド 、 2, 5 ジメチルー 2, 5 ジ（t—ブチルペルォキシ）へキサン、 1, 3 ビス（tーブチ ルペルォキシイソプロピル）へキサン、 t ブチルタミルパーオキサイド、ジー tーブチ ルパーオキサイド、 2, 5 ジメチルー 2, 5 ジ（t ブチルペルォキシ）へキセンなど のジアルキルパーオキサイド類、 1, 1ージ（t ブチルペルォキシ 3, 5, 5 トリメチ ル）シクロへキサン、 1, 1ージー t ブチルペルォキシシクロへキサン、 2, 2—ジ（t— ブチルペルォキシ）ブタンなどのパーォキシケタール類、 1, 1, 3, 3—テトラメチルブ チノレぺノレォキシネオジカーボネート、 クミノレぺノレオキシネオジカーボネート、 t ブチルペルォキシネオジカーボネート、 t一へキシルペルォキシピバレート、 tーブチ ルペルォキシピバレート、 1, 1, 3, 3—テトラメチルブチルペルォキシ 2 ェチル へキサノエート、 tーァミルペルォキシ 2—ェチルへキサノエート、 t ブチルペルォ キシー 2—ェチルへキサノエート、 t ブチルペルォキシイソブチレート、ジー tーブ チルペルォキシへキサヒドロテレフタレート、 1, 1, 3, 3—テトラメチルブチルペルォ キシ— 3, 5, 5—トリメチルへキサネート、 t—ァミルペルォキシ 3, 5, 5—トリメチルへ キサノエート、 t ブチルペルォキシ 3, 5, 5—トリメチルへキサノエ一ト、 tーブチルぺ ルォキシアセテート、 t ブチルペルォキシベンゾエート、ジブチルペルォキシトリメチ ルアジペートなどのアルキルパーエステル類、ジ 3—メトキシブチルペルォキシジ カーボネート、ジ 2—ェチノレへキシノレぺノレオキシジカーボネート、ビス（1, 1ーブチ ルシクロへキサォキシジカーボネート）、ジイソプロピルォキシジカーボネート、 t—アミ ルペルォキシイソプロピルカーボネート、 t ブチルペルォキシイソプロピルカーボネ ート、 t ブチルペルォキシ 2 ェチルへキシルカーボネート、 1, 6 ビス（tーブチ ルペルォキシカルボキシ）へキサンなどのパーォキシカーボネート類などが挙げられ る。また、後記する実施例で用いた、パーへキサ 3M— 95 (日本油脂 (株)）やァゾビ スイソプチ口-トリルなどが挙げられる。ラジカル重合開始剤に使用量は、前記の熱 又は光重合性ィ匕合物全量 100質量部に対して、通常、 0. 01〜5質量部、好ましくは 0. 05〜： L 0質量部である。上記ラジカル重合開始剤をそれぞれ単独で使用しても よぐまた、複数を併用しても差し支えない。
本発明の反射材は、 LED用反射体に好適に用いることができるが、その他の反射 材用途にも適用可能である。特に、紫外線反射能を必要とする用途や、熱に対する 安定性が要求される用途に対して好適である。
本発明の LED用反射体は、熱又は光重合性ィヒ合物及び中空粒子を含む組成物 を原料とする重合体層を少なくとも反射面に有するものである。
本発明の LED用反射体において、前記重合体は、好ましくは充実粒子系白色顔 料を含む榭脂組成物からなる成形体 (基体)上に積層している状態で使用される。ま た、本発明の LED用反射体において、前記重合体は、好ましくは特定の金属力 な る成形体 (基体)上に積層して ヽる状態で使用される。
[実施例]
[0037] 実施例及び比較例で使用した熱可塑性榭脂等について以下に示す。
(1)熱可塑性榭脂
半芳香族ポリアミド：ザィテル HTN501 (デュポン (株)）
(2)重合性化合物
アクリル系化合物：
(a)ァダマンテート AM (出光興産 (株)製、 1ーァダマンチルメタタリレート Zパーへキ サ 3M— 95 (日本油脂 (株) ) = 100/0. 1 (質量比）、重合物の紫外線透過率 92% ( 波長 350應、厚み 250 μ m)
(b)ファンクリル FM— 513 (日立化成工業 (株)製、ジシクロペンタ-ルメタタリレート） Zァゾビスイソプチ口-トリル (東京化成工業 (株)） = 100/0. 1 (質量比）、重合物 の紫外線透過率 92% (波長 350nm、厚み 250 μ m)
(c)ノルボニルメタタリレート（和光純薬工業 (株)） Zパーへキサ 3M— 95 (日本油脂（ 株） ) = 100/0. 1 (質量比）、重合物の紫外線透過率 92% (波長 350nm、厚み 25 0 μ Ώΐ)
[0038] エポキシ系化合物：
ェピコート 828 (ジャパンエポキシレジン (株）） Ζメチルへキサヒドロ無水フタル酸（ 硬化剤）（和光純薬 (株)） Z1, 8—ジァザビシクロ [5, 4, 0]ゥンデ力— 7—ェン (シグ マアルドリッチジャパン (株)） =50Ζ50Ζ0. 1 (質量比）、重合物の紫外線透過率 9 0% (波長 350應、厚み 250 μ m)
[0039] シリコーン系化合物：
(a) XJL— 0012 A (日本ペルノックス（株） ) ZXFL— 0012B (日本ペルノックス（株） ) = 100/5 (質量比）、重合物の紫外線透過率 93% (波長 350nm、厚み 250 μ m) (b) SCR— 1011A (信越シリコーン (株）） ZSCR— 101 IB (信越シリコーン (株）） = 100Z100 (質量比）、重合物の紫外線透過率 91 % (波長 350nm、厚み 250 m) [0040] (3)中空フィラー（中空粒子）
中空ガラスビーズ: HSC— 110C (ポッターズ 'バロティー- (株）、平均粒径 13 μ m 、平均孔径 9 /ζ πι、 （ガラスの紫外線透過率 90% (波長 350nm、厚み 250 m) ) 架橋アクリル系中空粒子: XX06BZ (積水化成品工業 (株）、平均粒径 5 ;ζ ΐη、平均 孔径 1 2 m、（架橋アクリルの紫外線透過率 84% (波長 350nm、厚み 250 μ m) )
(4)充実フィラー (充実粒子系白色顔料）
シリカビーズ: FB201SX (昭和電工 (株）、平均粒径 7. 8 /z m)
酸ィ匕チタン:タイペータ R680 (石原産業 (株）、平均粒径 0. 21 μ η
(5)その他
ガラス繊維：旭ファイバーグラス (株）、 JAFT164G
[0041] 実施例 1〜5、比較例 1〜2
アクリル系化合物 (a) (液体）に表 1に示す割合でフィラーを添加し、超音波洗浄機 内で 15分間超音波を照射し、フィラーを十分分散させた。このフィラー分散液 2gを直 径 5cmのアルミ皿に投入し、 110°C3時間、 160°C1時間熱処理し、アクリル系化合 物（a)を熱重合させた。重合後、アルミ皿から剥がし、直径 5cm、厚み約 lmmの丸 板を得た。この丸板に、以下の処理を施し評価した。
(1)熱処理
次の 2つの条件で熱処理を行なった。下記 i)は封止工程で反射材が受ける熱履歴 を、 ii)ははんだリフロー工程で反射材が受ける熱履歴を想定した条件である。
i) 160。C、 3時間。 ii) 260。C、 10秒間。
(2)紫外線照射
耐光性試験機（ジャスコインターナショナル製、 solarboxl500e)を用い、 500W/ m2の出力で 100時間照射を行なった。
(3)反射率の測定
以下の方法で、初期反射率、熱処理後及び紫外線照射後の反射率を測定した。 (株)島津製作所製'自記分光光度計 UV— 2400PCに (株)島津製作所製'マルチ パーパス大形試料室ユニット MPC— 2200形を取りつけ、波長 700〜300nmの範 囲で反射率（％)を測定した。尚、レファレンスとして硫酸バリウムを使用した。
図 1に実施例 2の測定結果を示す。 550nm及び 350nmでの反射率を表 2に示す
(4)ガラス転移点
示差走査型熱量計 (パーキン 'エルマ一社製、 DSC— 7)を用い、試料 10mgを窒 素雰囲気下 50°Cで 5分間保持した後、 20°CZ分で昇温させることにより得られた 熱流速曲線に観測される不連続点をガラス転移点とした。結果を表 2に示す。
[0042] 実施例 6、比較例 3
エポキシ系化合物 (液体）に表 1に示す割合でフィラーを添加し、超音波洗浄機内 で 15分間超音波を照射し、フィラーを十分分散させた。前記フィラー分散液 2gを直 径 5cmのアルミ皿に投入し、 130°C3時間熱処理し、エポキシ系化合物を熱重合さ せて、直径 5cm、厚み約 lmmの丸板を得た。実施例 1と同様に熱処理等を実施し、 初期、熱処理後及び紫外線照射後の反射率を測定した。また、前記の方法でガラス 転移点を測定した。結果を表 2に示す。
[0043] 実施例 7
シリコーン系化合物（a) (液体）に表 1に示す割合でフィラーを添加し、超音波洗浄 機内で 15分間超音波を照射し、フィラーを十分分散させた。前記フィラー分散液 2g を直径 5cmのアルミ皿に投入し、 160°C3時間熱処理し、シリコーン系化合物（a)を 熱重合させ、直径 5cm、厚み約 lmmの丸板を得た。実施例 1と同様に熱処理等を 実施し、初期、熱処理後及び紫外線照射後の反射率を測定した。結果を表 2に示す
[0044] 比較例 4
表 1に示す割合で半芳香族ポリアミド、酸化チタン、ガラス繊維を配合し、ドライブレ ンドした後、内径 30mmの二軸押出機のホッパーに投入し、バレル温度 330°Cで溶 融混練後、ペレットにした。得られたペレットを 100°Cで一昼夜乾燥後、バレル温度 3 30°C、金型温度 120°Cで射出成形し、 3cm角 lmm厚の角板を得た。実施例 1と同 様に熱処理等を実施し、初期、熱処理後及び紫外線照射後の反射率を測定した。
Figure imgf000015_0001
Figure imgf000015_0002
0045 [0046] 実施例 8
比較例 4で得られた角板（550nmでの可視光線反射率 90. 6%)の上に、実施例 2 で用いた中空ガラスビーズをアクリル系化合物 (a)に分散させたフィラー分散液を lg 塗布し、 110°C3時間、 160°C1時間の条件で熱重合させた。実施例 1と同様に熱処 理等を実施し、初期、熱処理後及び紫外線照射後の反射率を測定した。結果を表 2 に示す。
[0047] 比較例 5
特開 2004— 101601の実施例 1に従って、厚み約 200 μ mの光反射フィルムを作 製した。
即ち、主押出し機に固有粘度 0. 63dlZg、融点 256°Cのポリエチレンテレフタレー ト（以下、 PET)を 89重量％、融点 235°Cのポリメチルペンテンを 10重量％、分子量 4, 000のポリエチレングリコールを 1重量％混合したペレットを供給し、また、別の副 押出し機に PETを 85重量％、平均粒径 1. 5 mの炭酸カルシウム粒子を 15重量％ 混合したペレットを供給し、主押出し機から押出される榭脂層の両側表層に副押出し 機に供給した成分が積層されるよう溶融押出しを行い、静電印加法により鏡面のキヤ ストドラム上で冷却して 3層積層シートを作製した。この積層シートを温度 90°Cで長手 方向に 3. 3倍に延伸し、続いてテンターにて 110°Cの予熱ゾーンを通して 120°Cで 巾方向に 3. 5倍に延伸した。さらに 220°Cにて 30秒間熱処理し、延伸熱処理シート を得た。該シートの片面に下記の塗材を乾燥後の平均厚みが 10 mになるように塗 布し、 120°Cで 2分間乾燥させ、総膜厚 200 mの光反射フィルムを得た。塗材には 平均粒子径 2 μ mのシリカ中空粒子 B— 6C (鈴木油脂工業 (株)）を水へ微分散させ たェマルジヨン溶液（固形分濃度 33%) 1部（重量部、以下同じ）に変性スチレンーブ タジェンカゝらなる水系バインダービグメント溶液（固形分濃度 50%) (日本ゼオン (株） 製、 Nipol LX407BP) 2部を撹拌添カ卩したものを用いた。得られた光反射フィルム の扁平気泡含有率は 92. 8%、中空粒子面積占有率は 60. 9%であった。このように 、このフィルムは、扁平気泡を有するが、実施例の反射材は扁平気泡を有さない。 得られたフィルムについて、実施例 1と同様に熱処理等を実施し、初期、熱処理後 及び紫外線照射後の反射率を測定した。結果を表 2に示す。
Figure imgf000017_0001
^¾004 [0049] 実施例 9
図 2cに示す電子部品 (LED用反射体)を作製した。
比較例 4で用いた榭脂組成物 10を射出成形し (バレル温度 330°C、金型温度 120 °C)、図 2aに示すようなリードフレーム 12との一体成形品を製造した。この成形品に 発光素子 20 (日亜ィ匕学社製、 NCCU033)を搭載し、金ワイヤー 22をボンディング 後、前記射出成形品の内部に、実施例 2で用いた中空ガラスビーズをアクリル系化 合物 (a)に分散させたフィラー分散液 24を塗布して（図 2b参照）、 110°C3時間、 16 0°C1時間の条件で熱重合させた。このとき、熱重合物 24の最大厚みは約 0. 7mm であった。次いで、封止剤 30としてアクリル系化合物（a)を成形品の凹部に投入し、 110°C3時間、 160°C1時間の条件で重合させた（図 2c参照）。こうして得られた電子 部品に通電し、目視により輝度を調べた。評価は以下の通りである。
◎:非常に明るい
〇：明るい
△:明るくない
X：暗い
表 3に評価結果を示す。
[0050] 実施例 10
封止剤として、アクリル系化合物（a)の代わりに、シリコーン系化合物（a)を用いて 1 60°C3時間の条件で熱重合させた以外は、実施例 9と同様の方法で電子部品を得 た。通電して目視により輝度を調べた。表 3に評価結果を示す。
[0051] 比較例 6
実施例 2で用いた中空ガラスビーズをアクリル系化合物 (a)に分散させたフイラ一分 散液の代わりに、比較例 2で用いた酸ィ匕チタン分散アクリル系化合物 (a)を塗布した こと以外は、実施例 9と同様の方法で電子部品を得た。こうして得られた電子部品に 通電し、目視により輝度を調べた。表 3に評価結果を示す。
[0052] [表 3] 成形体
重合体層 封止材 輝度
(基体）
実施例 9 比較例 4 実施例 2 ァク!)ル系化合物 （a ) ◎
実施例 1 0 比較例 4 実施例 2 シリコ-ン系化合物 ( a )
比較例 6 比較例 4 比較例 2 アクリル系化合物 ( a ) 〇
[0053] 実施例 11
アクリル系化合物 (b)に表 4に示す割合でフィラー（中空粒子)を添加し、超音波洗 浄機内で 15分間超音波を照射し、フィラーを十分分散させた。このフィラー分散液 2 gを直径 5cmのアルミ皿に投入し、 110°C3時間、 160°C1時間熱処理し、アクリル系 化合物 (b)を熱重合させた。これにより直径 5cm、厚み lmmの丸板を得た。
実施例 1と同様に熱処理等を実施し、初期、熱処理後及び紫外線照射後の反射率 を測定した。また、前記の方法でガラス転移点を測定した。結果を表 5に示す。
[0054] 実施例 12
アクリル系化合物 (c)に表 4に示す割合でフィラー（中空粒子)を添加し、超音波洗 浄機内で 15分間超音波を照射し、フィラーを十分分散させた。このフィラー分散液 2 gを直径 5cmのアルミ皿に投入し、 110°C3時間、 160°C1時間熱処理し、アクリル系 化合物（c)を熱重合させた。これにより直径 5cm、厚み lmmの丸板を得た。
実施例 1と同様に熱処理等を実施し、初期、熱処理後及び紫外線照射後の反射率 を測定した。また、前記の方法でガラス転移点を測定した。結果を表 5に示す。
[0055] 実施例 13
シリコーン系化合物 (b)に表 4に示す割合でフィラー（中空粒子)を添加し、超音波 洗浄機内で 15分間超音波を照射し、フィラーを十分分散させた。このフィラー分散液 2gを直径 5cmのアルミ皿に投入し、 70°C1時間、 150°C5時間熱処理し、シリコーン 系化合物 (b)を熱重合させた。これにより直径 5cm、厚み lmmの丸板を得た。
実施例 1と同様に熱処理等を実施し、初期、熱処理後及び紫外線照射後の反射率 を測定した。また、前記の方法でガラス転移点を測定した。結果を表 5に示す。
[0056] 実施例 14
実施例 3で調製したフィラー分散液 0. 7gを直径 5cmのアルミ皿に投入し、 110°C3 時間、 160°C1時間熱処理し、直径 5cm、厚み 0. 3mmの丸板状重合物を得た。 実施例 1と同様に熱処理等を実施し、初期、熱処理後及び紫外線照射後の反射率 を測定した。また、前記の方法でガラス転移点を測定した。結果を表 5に示す。
[0057] 実施例 15
実施例 3で調製したフィラー分散液 0. 25gを直径 5cmのアルミ皿に投入し、 110°C 3時間、 160°C1時間熱処理し、直径 5cm、厚み 0. 1mmの丸板状重合物を得た。 実施例 1と同様に熱処理等を実施し、初期、熱処理後及び紫外線照射後の反射率 を測定した。また、前記の方法でガラス転移点を測定した。結果を表 5に示す。
[0058] 実施例 16
表面を銀メツキした 3cm角 1mm厚のアルミ板の上に、実施例 3で調製したフィラー 分散液 lgを塗布し、 110°C3時間、 160°C1時間の条件で熱重合させた。重合後、 重合層をアルミ板から剥がさずに評価した。
実施例 1と同様に熱処理等を実施し、初期、熱処理後及び紫外線照射後の反射率 を測定した。結果を表 5に示す。尚、銀の波長 550nmにおける光線反射率は 98% である。
[0059] [表 4]
Figure imgf000020_0001
[0060] [表 5] 反射率 （％)
波長（nm) 処理条件
実施例 1 1 実施例 1 2 実施例 1 3 実施例 1 4 実施例 1 5 実施例 1 6
350 なし 76.9 78.4 77.4 74.5 64.0 84.8
350 160°C3h 70.0 69.6 68.9 67.1 59.5 83.5
350 260°Cl0s 76.2 78.3 77.5 74.0 63.9 84.4
350 UVlOOh 76.5 78.0 77.2 74.3 63.5 84.0
550 なし 80.1 80.4 79.9 77.6 66.5 94.1
550 160°C3h 79.3 79.5 78.4 76.2 65.0 93.5
550 260°Cl0s 80.2 80.1 79.5 77.4 66.4 94.2
550 UVlOOh 80.1 80.2 80.0 77.1 66.0 93.6 ガラス転移点 （°C) 155 172 40 200 200 ― 産業上の利用可能性
本発明の反射材は、液晶ディスプレイ用ランプリフレクタ、ショーケース用反射板、 各程照明用反射板、 LED用反射体等に使用できる。 LED用反射体は、ディスプレイ 、行き先表示板、車載照明、信号灯、非常灯、携帯電話、ビデオカメラ等の、様々な OA機器、電気電子機器及び部品、 自動車部品等に使用できる。

Claims

請求の範囲
[I] 下記 (a)及び (b)を含む組成物を原料とする重合体からなる反射材。
(a)熱又は光重合性化合物 95〜30質量％
(b)波長 350nmでの紫外線透過率が 50%以上の材質力もなる中空粒子 5〜70 質量％
[2] 前記熱又は光重合性化合物が、波長 350nmでの紫外線透過率が 50%以上であ る請求項 1に記載の反射材。
[3] 前記熱又は光重合性化合物が、アクリル系化合物、エポキシ系化合物、シリコーン 系化合物から選ばれる 1種又は 2種以上力 なる化合物である請求項 1又は 2に記載 の反射材。
[4] 前記中空粒子が、架橋榭脂又は無機化合物である請求項 1〜3のいずれか一項に 記載の反射材。
[5] 前記中空粒子が、架橋スチレン系榭脂、架橋アクリル系榭脂、無機ガラス又はシリ 力である請求項 1〜4のいずれか一項に記載の反射材。
[6] さらに、波長 550nmでの可視光線反射率が 80%以上である基体を含み、この基 体上に前記 (a)及び (b)を含む組成物を原料とする重合体が積層して!/ヽる請求項 1
〜5の 、ずれか一項に記載の反射材。
[7] 前記基体が、充実粒子系白色顔料を含む榭脂組成物である請求項 6に記載の反 射材。
[8] 前記基体が、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル又はパラジウム力 選ばれる 1種又 は 2種以上力 なる金属である請求項 6に記載の反射材。
[9] 請求項 1〜8の 、ずれか一項に記載の反射材を少なくとも反射面に有する発光ダイ オード用反射体。
[10] 前記反射材が、充実粒子系白色顔料を含む榭脂組成物からなる成形体上に積層 されている請求項 9に記載の発光ダイオード用反射体。
[II] 前記反射材が、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル又はパラジウム力 選ばれる 1種 又は 2種以上力 なる金属からなる成形体上に積層されている請求項 9に記載の発 光ダイオード用反射体。
PCT/JP2006/317317 2005-09-29 2006-09-01 反射材及び発光ダイオード用反射体 WO2007037093A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007537560A JPWO2007037093A1 (ja) 2005-09-29 2006-09-01 反射材及び発光ダイオード用反射体
DE112006002540T DE112006002540T5 (de) 2005-09-29 2006-09-01 Reflektierendes Material und Reflektor für lichtemittierende Diode
US12/066,884 US20090268279A1 (en) 2005-09-29 2006-09-01 Reflective material and reflector for light-emitting diode

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005284068 2005-09-29
JP2005-284068 2005-09-29
JP2006159359 2006-06-08
JP2006-159359 2006-06-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007037093A1 true WO2007037093A1 (ja) 2007-04-05

Family

ID=37899525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/317317 WO2007037093A1 (ja) 2005-09-29 2006-09-01 反射材及び発光ダイオード用反射体

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20090268279A1 (ja)
JP (1) JPWO2007037093A1 (ja)
KR (1) KR20080063231A (ja)
DE (1) DE112006002540T5 (ja)
TW (1) TW200719496A (ja)
WO (1) WO2007037093A1 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008243892A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Idemitsu Kosan Co Ltd 光半導体用反射材
JP2011171345A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Stanley Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2011228411A (ja) * 2010-04-19 2011-11-10 Panasonic Corp 光半導体装置
JP2012077235A (ja) * 2010-10-05 2012-04-19 Nitto Denko Corp 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置
JP2012180432A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Dainippon Printing Co Ltd リフレクター用樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、及び半導体発光装置
JP2013197545A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Dainippon Printing Co Ltd 半導体発光装置、半導体発光装置用部品、半導体発光装置用反射体、半導体発光装置用反射体組成物、半導体発光装置用反射体の製造方法
JP2013232532A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Dainippon Printing Co Ltd 光反射積層体及び半導体発光装置
JP2015089922A (ja) * 2013-11-06 2015-05-11 出光興産株式会社 反射材用組成物及びこれを用いた光半導体発光装置
CN108864673A (zh) * 2017-05-11 2018-11-23 江南大学 一种高透明紫外阻隔聚合物组合物及其制备方法和应用
WO2021038771A1 (ja) * 2019-08-28 2021-03-04 昭和電工マテリアルズ株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009025266B4 (de) * 2009-06-17 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US9322973B2 (en) * 2009-07-16 2016-04-26 Koninklijke Philips N.V. Lighting device with light sources positioned near the bottom surface of a waveguide
TWI488891B (zh) * 2009-12-22 2015-06-21 Mitsubishi Chem Corp And a material for a resin molded body for a semiconductor light emitting device
DE102010011428A1 (de) * 2010-03-15 2011-09-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
TWM390542U (en) * 2010-03-17 2010-10-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd LED lead frame
DE102010035110A1 (de) * 2010-08-23 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Polymerkomposit, Verwendung des Polymerkomposits und optoelektronisches Bauelement enthaltend das Polymerkomposit
JP2014011029A (ja) * 2012-06-29 2014-01-20 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
TWI634145B (zh) * 2012-01-17 2018-09-01 大日本印刷股份有限公司 電子線硬化性樹脂組成物、反射體用樹脂框架、反射體、半導體發光裝置及成形體之製造方法
JP5843016B2 (ja) * 2012-07-27 2016-01-13 コニカミノルタ株式会社 Ｌｅｄ装置及びその製造方法
JP6155928B2 (ja) * 2013-07-17 2017-07-05 大日本印刷株式会社 半導体発光装置の製造方法、半導体発光装置用部品の製造方法、反射体の製造方法及び反射体形成用組成物
DE102021132495A1 (de) * 2021-12-09 2023-06-15 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches element und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen elements

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03206673A (ja) * 1990-01-08 1991-09-10 Seiwa Denki Kk 発光ダイオード素子およびその製造方法
JPH0963329A (ja) * 1995-08-30 1997-03-07 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 液晶バックライト用反射シート
JP2003195020A (ja) * 2001-12-26 2003-07-09 Otsuka Chemical Holdings Co Ltd 紫外線発生源用反射板材料
JP2004101601A (ja) * 2002-09-05 2004-04-02 Toray Ind Inc 光反射フィルムおよびその製造方法
WO2004097468A1 (ja) * 2003-04-28 2004-11-11 Mitsubishi Plastics, Inc. 液晶ディスプレイ用反射シート及びその製造方法、ならびにこの反射シートを用いたバックライトユニット

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02288274A (ja) 1989-04-27 1990-11-28 Unitika Ltd 耐ハンダ性発光ダイオード用リフレクター
US6579606B1 (en) * 1995-08-30 2003-06-17 3M Innovative Properties Company Back light reflection sheet for liquid crystal
JP2000150969A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP4892140B2 (ja) 2001-03-30 2012-03-07 大塚化学株式会社 Ｌｅｄ反射板用樹脂組成物

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03206673A (ja) * 1990-01-08 1991-09-10 Seiwa Denki Kk 発光ダイオード素子およびその製造方法
JPH0963329A (ja) * 1995-08-30 1997-03-07 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 液晶バックライト用反射シート
JP2003195020A (ja) * 2001-12-26 2003-07-09 Otsuka Chemical Holdings Co Ltd 紫外線発生源用反射板材料
JP2004101601A (ja) * 2002-09-05 2004-04-02 Toray Ind Inc 光反射フィルムおよびその製造方法
WO2004097468A1 (ja) * 2003-04-28 2004-11-11 Mitsubishi Plastics, Inc. 液晶ディスプレイ用反射シート及びその製造方法、ならびにこの反射シートを用いたバックライトユニット

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008243892A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Idemitsu Kosan Co Ltd 光半導体用反射材
JP2011171345A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Stanley Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2011228411A (ja) * 2010-04-19 2011-11-10 Panasonic Corp 光半導体装置
JP2012077235A (ja) * 2010-10-05 2012-04-19 Nitto Denko Corp 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置
JP2012180432A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Dainippon Printing Co Ltd リフレクター用樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、及び半導体発光装置
JP2013197545A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Dainippon Printing Co Ltd 半導体発光装置、半導体発光装置用部品、半導体発光装置用反射体、半導体発光装置用反射体組成物、半導体発光装置用反射体の製造方法
JP2013232532A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Dainippon Printing Co Ltd 光反射積層体及び半導体発光装置
JP2015089922A (ja) * 2013-11-06 2015-05-11 出光興産株式会社 反射材用組成物及びこれを用いた光半導体発光装置
CN108864673A (zh) * 2017-05-11 2018-11-23 江南大学 一种高透明紫外阻隔聚合物组合物及其制备方法和应用
WO2021038771A1 (ja) * 2019-08-28 2021-03-04 昭和電工マテリアルズ株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置
JPWO2021038771A1 (ja) * 2019-08-28 2021-03-04

Also Published As

Publication number Publication date
TW200719496A (en) 2007-05-16
DE112006002540T5 (de) 2008-08-21
KR20080063231A (ko) 2008-07-03
JPWO2007037093A1 (ja) 2009-04-02
US20090268279A1 (en) 2009-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007037093A1 (ja) 反射材及び発光ダイオード用反射体
TWI386458B (zh) Ｌｅｄ反射器用不飽和聚酯樹脂組成物以及使用其的ｌｅｄ反射器、ｌｅｄ照明器具
JP6277963B2 (ja) 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法
JP3683965B2 (ja) 光反射体及びそれを用いた光反射装置
EP2070973B1 (en) Transparent resin molding, optical lens, and optical film
JP5080114B2 (ja) 光半導体用反射材
JP4892380B2 (ja) 光半導体用反射材
TWI586753B (zh) A crystalline unsaturated polyester resin composition for an LED reflector, a granular material composed of the aforementioned composition, an LED reflector formed by forming the pellets, a surface mount type light emitting device, and a lighting device provided with the light emitting device And a portrait display device
WO2012046591A1 (ja) 白色反射フレキシブルプリント回路基板
KR20140009146A (ko) (메트)아크릴레이트계 조성물
WO2002016497A1 (fr) Film polyester a orientation biaxiale, film adhesif et film de revetement dur colore
JP2006237191A (ja) 発光ダイオード用レンズ及び発光ダイオード光源装置
TWI338705B (en) Anti-uv reflector
CN101278213A (zh) 反射材料及发光二极管用反射体
JP5923001B2 (ja) リフレクタ成形用金型離型フィルム、それを用いたリフレクタを有する発光装置用基板の製造方法
JP2009129947A (ja) 光半導体用反射体及びそれを用いた光半導体装置
JP7327610B2 (ja) 面発光装置、表示装置、面発光装置用封止部材シートおよび面発光装置の製造方法
WO2002050607A1 (fr) Unite d&#39;eclairage pour dispositif d&#39;affichage a cristaux liquides
JP2014189632A (ja) 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、成形体の製造方法、及び半導体発光装置の製造方法
JP2004317680A (ja) 反射体、それを用いた照明装置および表示装置
JP2004341068A (ja) 反射体、それを用いた照明装置および表示装置
JP2014189712A (ja) 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法
JP4695024B2 (ja) 光反射体
JP2005049573A (ja) 反射板用フィルム、およびそれを用いた反射板
WO2014119692A1 (ja) 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200680035512.5

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020077028743

Country of ref document: KR

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2007537560

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12066884

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1120060025406

Country of ref document: DE

RET De translation (de og part 6b)

Ref document number: 112006002540

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20080821

Kind code of ref document: P

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 06797259

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1